JPH09232611A - 光起電力装置用基板の製造方法及び光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置用基板の製造方法及び光起電力装置の製造方法Info
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- JPH09232611A JPH09232611A JP8039975A JP3997596A JPH09232611A JP H09232611 A JPH09232611 A JP H09232611A JP 8039975 A JP8039975 A JP 8039975A JP 3997596 A JP3997596 A JP 3997596A JP H09232611 A JPH09232611 A JP H09232611A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 第１電極膜、半導体光活性層及び第２電極膜
の積層体からなる複数の発電領域を電気接続した光起電
力装置に用いる基板の製造方法であって、前記複数の発
電領域の隣接間の導電性基板上に絶縁部材を配置する工
程と、前記絶縁部材を含んで前記基板上に絶縁膜の母材
料であるコーティング剤を塗布する工程と、前記コ−テ
ィング剤及び前記絶縁部材を含む前記基板を加熱して前
記絶縁膜を形成する工程と、からなることを特徴とす
る。 【効果】 コ−ティング剤及び絶縁部材を同時に加熱処
理して硬化を行っているので、製造工程が簡略化され
る。
の積層体からなる複数の発電領域を電気接続した光起電
力装置に用いる基板の製造方法であって、前記複数の発
電領域の隣接間の導電性基板上に絶縁部材を配置する工
程と、前記絶縁部材を含んで前記基板上に絶縁膜の母材
料であるコーティング剤を塗布する工程と、前記コ−テ
ィング剤及び前記絶縁部材を含む前記基板を加熱して前
記絶縁膜を形成する工程と、からなることを特徴とす
る。 【効果】 コ−ティング剤及び絶縁部材を同時に加熱処
理して硬化を行っているので、製造工程が簡略化され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光起電力装置に用いら
れる基板の製造方法及びその基板を用いた光起電力装置
の製造方法。
れる基板の製造方法及びその基板を用いた光起電力装置
の製造方法。
【０００２】
【従来の技術】金属基板の表面上に絶縁膜を形成する方
法として、特公平７−１０５５１６には、金属基板の表
面上に有機シリケ−トを主成分とするコ−ティング剤を
塗布し、加熱処理をしてシリカ被膜を形成する方法が開
示されている。そして、このシリカ被膜表面上に、背面
電極層、非晶質半導体層及び透明電極層を積層して複数
の発電領域を形成すると共に、隣接する発電領域の背面
電極層と透明電極層とを電気接続することによって複数
の発電領域を直列電気接続し、集積化光起電力装置を完
成している。
法として、特公平７−１０５５１６には、金属基板の表
面上に有機シリケ−トを主成分とするコ−ティング剤を
塗布し、加熱処理をしてシリカ被膜を形成する方法が開
示されている。そして、このシリカ被膜表面上に、背面
電極層、非晶質半導体層及び透明電極層を積層して複数
の発電領域を形成すると共に、隣接する発電領域の背面
電極層と透明電極層とを電気接続することによって複数
の発電領域を直列電気接続し、集積化光起電力装置を完
成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、導電性基板
の表面上に絶縁膜の母材料であるコーティング剤を塗布
し、その後加熱して絶縁膜を形成する工程を含む集積化
光起電力装置の製造方法において、より簡略された絶縁
膜付き基板の製造方法を提供することを目的とする。
の表面上に絶縁膜の母材料であるコーティング剤を塗布
し、その後加熱して絶縁膜を形成する工程を含む集積化
光起電力装置の製造方法において、より簡略された絶縁
膜付き基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の光起電力
装置用基板の製造方法は、第１電極膜、半導体光活性層
及び第２電極膜の積層体からなる複数の発電領域を電気
接続した光起電力装置に用いる絶縁膜付き基板の製造方
法であって、前記複数の発電領域の隣接間の導電性基板
上に絶縁部材を配置する工程と、前記絶縁部材を含んで
前記基板上に絶縁膜の母材料であるコーティング剤を塗
布する工程と、前記コ−ティング剤及び前記絶縁部材を
含む前記基板を加熱して前記絶縁膜を形成する工程と、
からなることを特徴とする。
装置用基板の製造方法は、第１電極膜、半導体光活性層
及び第２電極膜の積層体からなる複数の発電領域を電気
接続した光起電力装置に用いる絶縁膜付き基板の製造方
法であって、前記複数の発電領域の隣接間の導電性基板
上に絶縁部材を配置する工程と、前記絶縁部材を含んで
前記基板上に絶縁膜の母材料であるコーティング剤を塗
布する工程と、前記コ−ティング剤及び前記絶縁部材を
含む前記基板を加熱して前記絶縁膜を形成する工程と、
からなることを特徴とする。
【０００５】また、本発明の第２の光起電力装置用基板
の製造方法は、第１電極膜、半導体光活性層及び第２電
極膜の積層体からなる複数の発電領域を電気接続した光
起電力装置に用いる絶縁膜付き基板の製造方法であっ
て、導電性基板上に前記絶縁膜の母材料であるコーティ
ング剤を塗布する工程と、前記塗布されたコ−ティング
剤上の前記複数の発電領域の隣接間に絶縁部材を配置す
る工程と、前記コ−ティング剤及び前記絶縁部材を含む
前記基板を加熱して前記絶縁膜を形成する工程と、から
なることを特徴とする。
の製造方法は、第１電極膜、半導体光活性層及び第２電
極膜の積層体からなる複数の発電領域を電気接続した光
起電力装置に用いる絶縁膜付き基板の製造方法であっ
て、導電性基板上に前記絶縁膜の母材料であるコーティ
ング剤を塗布する工程と、前記塗布されたコ−ティング
剤上の前記複数の発電領域の隣接間に絶縁部材を配置す
る工程と、前記コ−ティング剤及び前記絶縁部材を含む
前記基板を加熱して前記絶縁膜を形成する工程と、から
なることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明においては、コ−ティング剤及び絶縁部
材を同時に加熱処理して硬化を行っているので、製造工
程が簡略化される。
材を同時に加熱処理して硬化を行っているので、製造工
程が簡略化される。
【０００７】
【実施例】図１〜５は、本発明の一実施例を説明する工
程別の断面図である。
程別の断面図である。
【０００８】１は、ステンレスや、アルミニウム等の導
電性基板１で、ステンレスを用いる場合は、厚さ０．１
５ｍｍ、表面粗さ０．５μｍ以下に研摩されたものが利
用される。
電性基板１で、ステンレスを用いる場合は、厚さ０．１
５ｍｍ、表面粗さ０．５μｍ以下に研摩されたものが利
用される。
【０００９】図１の工程においては、基板１の表面上の
所望の位置に、帯状の第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃが配
置される。
所望の位置に、帯状の第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃが配
置される。
【００１０】これら第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃは、ポ
リイミド、または、フェノール系のバインダーを含んだ
二酸化シリコン等の無機材料の粉末（粒径１．５〜７μ
ｍ）を含む絶縁ペーストで、スクリーン印刷法によりパ
タ−ニングされた後、１５０〜２００℃の低温で約２０
分間予備焼成される。
リイミド、または、フェノール系のバインダーを含んだ
二酸化シリコン等の無機材料の粉末（粒径１．５〜７μ
ｍ）を含む絶縁ペーストで、スクリーン印刷法によりパ
タ−ニングされた後、１５０〜２００℃の低温で約２０
分間予備焼成される。
【００１１】図２の工程においては、第１絶縁部材２ａ
ｂ、２ｂｃを含む基板１全体を、有機シリケ−トを主成
分とするコ−ティング剤の液体中にディップすることに
より、基板１の表面及び裏面を含む全体にコーティング
剤を塗布する。コーティング剤としては、金属アルコキ
シド溶液（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｈ2Ｏ、ＨＣｌ、Ｃ2Ｈ5
ＯＨ）が用いられる。その後、この基板１を５００℃、
約３０分間加熱処理することによって、第１絶縁部材及
びコーティング剤を同時に焼成し、膜厚１．０〜１５μ
ｍのシリカ膜からなる絶縁膜３を形成する。第１絶縁部
材２ａｂ、２ｂｃは、高さ約１０〜３０μｍ、幅約０．
４〜０．６ｍｍに形成される。
ｂ、２ｂｃを含む基板１全体を、有機シリケ−トを主成
分とするコ−ティング剤の液体中にディップすることに
より、基板１の表面及び裏面を含む全体にコーティング
剤を塗布する。コーティング剤としては、金属アルコキ
シド溶液（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｈ2Ｏ、ＨＣｌ、Ｃ2Ｈ5
ＯＨ）が用いられる。その後、この基板１を５００℃、
約３０分間加熱処理することによって、第１絶縁部材及
びコーティング剤を同時に焼成し、膜厚１．０〜１５μ
ｍのシリカ膜からなる絶縁膜３を形成する。第１絶縁部
材２ａｂ、２ｂｃは、高さ約１０〜３０μｍ、幅約０．
４〜０．６ｍｍに形成される。
【００１２】図３の工程においては、第１絶縁部材２ａ
ｂ、２ｂｃが形成されている側の絶縁膜３上の略全表面
に、約０．１〜１．０μｍの第１電極膜４が形成され
る。この第１電極膜４としては、チタン、ニッケル、ア
ルミニウム等の金属膜が用いられる。そして、この第１
電極膜４の露出方向から第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃ上
にレーザビームや電子ビーム等の第１エネルギービーム
５を照射して、照射部分の第１電極膜４及び絶縁膜３を
除去し、第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃに到達し第１電極
膜４を電気的に分割する分割溝６ａｂ、６ｂｃを形成す
ることにより、第１電極膜４を発電領域７ａ、７ｂ、７
ｃに対応する第１電極膜４ａ、４ｂ、４ｃに分割する。
ｂ、２ｂｃが形成されている側の絶縁膜３上の略全表面
に、約０．１〜１．０μｍの第１電極膜４が形成され
る。この第１電極膜４としては、チタン、ニッケル、ア
ルミニウム等の金属膜が用いられる。そして、この第１
電極膜４の露出方向から第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃ上
にレーザビームや電子ビーム等の第１エネルギービーム
５を照射して、照射部分の第１電極膜４及び絶縁膜３を
除去し、第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃに到達し第１電極
膜４を電気的に分割する分割溝６ａｂ、６ｂｃを形成す
ることにより、第１電極膜４を発電領域７ａ、７ｂ、７
ｃに対応する第１電極膜４ａ、４ｂ、４ｃに分割する。
【００１３】ここで、第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃの断
面を示す図３のように、第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃ各
々の両側部は、絶縁膜３により被われることになるの
で、第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃと基板１との密着力が
向上する。とりわけ、本実施例においては、絶縁膜３が
これとの密着力が大きい基板１上に形成されていること
より、第１絶縁部材がより剥離しにくい。仮に、絶縁膜
３上に第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃを配置した場合は、
金属膜からなる第１電極膜４により、第１絶縁部材２ａ
ｂ、２ｂｃが被われることになるが、第１電極膜４とシ
リカ膜からなる絶縁膜３との密着力が小さいことより、
第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃの密着力はやや劣ることに
なる。
面を示す図３のように、第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃ各
々の両側部は、絶縁膜３により被われることになるの
で、第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃと基板１との密着力が
向上する。とりわけ、本実施例においては、絶縁膜３が
これとの密着力が大きい基板１上に形成されていること
より、第１絶縁部材がより剥離しにくい。仮に、絶縁膜
３上に第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃを配置した場合は、
金属膜からなる第１電極膜４により、第１絶縁部材２ａ
ｂ、２ｂｃが被われることになるが、第１電極膜４とシ
リカ膜からなる絶縁膜３との密着力が小さいことより、
第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃの密着力はやや劣ることに
なる。
【００１４】図４の工程においては、分割溝６ａｂ、６
ｂｃにこれら各々の両側の第１電極膜４上にまたがっ
て、帯状の第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃを配置する。そ
して、これら第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃの右側の第１
電極膜４ｂ、４ｃ上に、第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃと
平行に、帯状の導電部材９ｂ、９ｃを配置する。更に、
導電部材９ｂ、９ｃの右側の第１電極膜４ｂ、４ｃ上
に、導電部材９ｂ、９ｃと平行に、帯状の第３絶縁部材
１０ｂ、１０ｃを配置する。これら第２絶縁部材８ａ
ｂ、８ｂｃ、及び、第３絶縁部材１０ｂ、１０ｃは、上
記の第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃと、同材料である。
ｂｃにこれら各々の両側の第１電極膜４上にまたがっ
て、帯状の第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃを配置する。そ
して、これら第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃの右側の第１
電極膜４ｂ、４ｃ上に、第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃと
平行に、帯状の導電部材９ｂ、９ｃを配置する。更に、
導電部材９ｂ、９ｃの右側の第１電極膜４ｂ、４ｃ上
に、導電部材９ｂ、９ｃと平行に、帯状の第３絶縁部材
１０ｂ、１０ｃを配置する。これら第２絶縁部材８ａ
ｂ、８ｂｃ、及び、第３絶縁部材１０ｂ、１０ｃは、上
記の第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃと、同材料である。
【００１５】ここで、導電部材９ｂ、９ｃは、ポリイミ
ド、または、フェノール系のバインダーを含んだ銀、ニ
ッケルまたはアルミニウム等の粉末（粒径約３〜７μ
ｍ）を含む金属ペーストで、スクリーン印刷法によりパ
タ−ニングされた後、２５０〜３００℃で焼成され、高
さ約１０〜３０μｍ、幅約０．４〜０．６ｍｍに形成さ
れる。そして、上記の第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃ及び
第３絶縁部材１０ｂ、１０ｃの焼成は、この導電部材９
ｂ、９ｃの焼成と同時に行われる。
ド、または、フェノール系のバインダーを含んだ銀、ニ
ッケルまたはアルミニウム等の粉末（粒径約３〜７μ
ｍ）を含む金属ペーストで、スクリーン印刷法によりパ
タ−ニングされた後、２５０〜３００℃で焼成され、高
さ約１０〜３０μｍ、幅約０．４〜０．６ｍｍに形成さ
れる。そして、上記の第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃ及び
第３絶縁部材１０ｂ、１０ｃの焼成は、この導電部材９
ｂ、９ｃの焼成と同時に行われる。
【００１６】その後、基板１上の略全表面に、アモルフ
ァスシリコン、アモルファスシリコンカーバイド、アモ
ルファスシリコンゲルマニウム等をｐｎまたはｐｉｎに
積層した半導体光活性層１１（厚さ約０．３〜１μ
ｍ）、及び、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫
（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等の透明導電膜からな
る第２電極膜１２（厚さ約０．１〜１．０μｍ）を積層
形成する。
ァスシリコン、アモルファスシリコンカーバイド、アモ
ルファスシリコンゲルマニウム等をｐｎまたはｐｉｎに
積層した半導体光活性層１１（厚さ約０．３〜１μ
ｍ）、及び、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫
（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等の透明導電膜からな
る第２電極膜１２（厚さ約０．１〜１．０μｍ）を積層
形成する。
【００１７】図５の工程においては、第３絶縁部材１０
ｂ、１０ｃ上に第２電極膜１２の露出方向から第２エネ
ルギービーム１３を照射して、第２電極膜１２を第２電
極膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃに分割する。
ｂ、１０ｃ上に第２電極膜１２の露出方向から第２エネ
ルギービーム１３を照射して、第２電極膜１２を第２電
極膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃに分割する。
【００１８】そして、導電部材９ｂ、９ｃ上に第２電極
膜１２の露出方向から第３エネルギービーム１４を照射
して、第２電極膜１２ａ、１２ｂと導電部材９ｂ、９ｃ
とを各々溶融することにより、第２電極膜１２ａ、１２
ｂと第１電極膜４ｂ、４ｃとが電気接続され、発電領域
７ａ〜７ｃが直列に接続される。
膜１２の露出方向から第３エネルギービーム１４を照射
して、第２電極膜１２ａ、１２ｂと導電部材９ｂ、９ｃ
とを各々溶融することにより、第２電極膜１２ａ、１２
ｂと第１電極膜４ｂ、４ｃとが電気接続され、発電領域
７ａ〜７ｃが直列に接続される。
【００１９】ここで、本実施例においては、シリカ膜の
母材料であるコーティング剤を塗布する工程において、
ディップ方式を採用しているので、基板の表面、側面及
び裏面をも含む基板全体にシリカ膜が形成される。従っ
て、この全体を被うシリカ膜により、基板が腐食される
ことなく、光起電力装置の耐候性を向上させることがで
きる。
母材料であるコーティング剤を塗布する工程において、
ディップ方式を採用しているので、基板の表面、側面及
び裏面をも含む基板全体にシリカ膜が形成される。従っ
て、この全体を被うシリカ膜により、基板が腐食される
ことなく、光起電力装置の耐候性を向上させることがで
きる。
【００２０】また、本実施例では、ディップ方式によ
り、基板の表面及び裏面を含む基板の全体にシリカ膜を
形成しているが、これに代わって、基板の表面上のみ
に、印刷法又はスピンコート法等により、コーティング
剤を塗布して、シリカ膜を形成してもよい。
り、基板の表面及び裏面を含む基板の全体にシリカ膜を
形成しているが、これに代わって、基板の表面上のみ
に、印刷法又はスピンコート法等により、コーティング
剤を塗布して、シリカ膜を形成してもよい。
【００２１】更には、絶縁膜３の他の材料として、シリ
カ膜に代わって、ポリイミド膜を利用することもでき
る。この場合、コーティング剤として、ポリイミド膜の
母材料であるワニスを用い、このワニスを、基板１の表
面上に、スピンコ−タ又はロールコ−タ等で均一に塗布
し、１００〜３００℃まで段階的に昇温加熱することに
よりイミド化させ、ポリイミド膜を形成する。そして、
このポリイミド膜形成の加熱時と同時に、第１絶縁部材
２ａｂ、２ｂｃも加熱し形成できる。
カ膜に代わって、ポリイミド膜を利用することもでき
る。この場合、コーティング剤として、ポリイミド膜の
母材料であるワニスを用い、このワニスを、基板１の表
面上に、スピンコ−タ又はロールコ−タ等で均一に塗布
し、１００〜３００℃まで段階的に昇温加熱することに
よりイミド化させ、ポリイミド膜を形成する。そして、
このポリイミド膜形成の加熱時と同時に、第１絶縁部材
２ａｂ、２ｂｃも加熱し形成できる。
【００２２】加えて、本実施例では、第１絶縁部材をコ
ーティング剤の塗布に先立ち基板上に形成しているが、
これに代わって、コーティング剤を先に塗布し予備乾燥
（約１００℃）した後、第１絶縁部材を配置し、加熱処
理を行ってもよい。
ーティング剤の塗布に先立ち基板上に形成しているが、
これに代わって、コーティング剤を先に塗布し予備乾燥
（約１００℃）した後、第１絶縁部材を配置し、加熱処
理を行ってもよい。
【００２３】
【発明の効果】本発明においては、以上の構成であり、
コ−ティング剤及び第１絶縁部材を同時に加熱処理して
硬化を行っているので、製造工程が簡略化される。
コ−ティング剤及び第１絶縁部材を同時に加熱処理して
硬化を行っているので、製造工程が簡略化される。
【図１】本発明の一実施例における第１工程を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例における第２工程を示す断面
図である。
図である。
【図３】本発明の一実施例における第３工程を示す断面
図である。
図である。
【図４】本発明の一実施例における第４工程を示す断面
図である。
図である。
【図５】本発明の一実施例における第５工程を示す断面
図である。
図である。
１ 導電性基板 ２ａｂ、２ｂｃ 第１絶縁部材 ３ 絶縁膜 ４、４ａ、４ｂ、４ｃ 第１電極膜 ５ 第１エネルギービーム ６ａｂ、６ｂｃ 分割溝 ７ａ、７ｂ、７ｃ 発電領域 ８ａｂ、８ｂｃ 第２絶縁部材 ９ｂ、９ｃ 導電部材 １０ｂ、１０ｃ 第３絶縁部材 １１ 半導体光活性層 １２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ 第２電極膜 １３ 第２エネルギービーム １４ 第３エネルギービーム
Claims (6)
- 【請求項１】 第１電極膜、半導体光活性層及び第２電
極膜の積層体からなる複数の発電領域を電気接続した光
起電力装置に用いる基板の製造方法であって、 前記複数の発電領域の隣接間の導電性基板上に絶縁部材
を配置する工程と、 前記絶縁部材を含んで前記基板上に絶縁膜の母材料であ
るコーティング剤を塗布する工程と、 前記コ−ティング剤及び前記絶縁部材を含む前記基板を
加熱して前記絶縁膜を形成する工程と、からなることを
特徴とする光起電力装置用基板の製造方法。 - 【請求項２】 第１電極膜、半導体光活性層及び第２電
極膜の積層体からなる複数の発電領域を電気接続した光
起電力装置に用いる基板の製造方法であって、 導電性基板上に前記絶縁膜の母材料であるコーティング
剤を塗布する工程と、 前記塗布されたコ−ティング剤上の前記複数の発電領域
の隣接間に絶縁部材を配置する工程と、 前記コ−ティング剤及び前記絶縁部材を含む前記基板を
加熱して前記絶縁膜を形成する工程と、からなることを
特徴とする光起電力装置用基板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２の製造方法において、前
記コーティング剤を塗布する工程は、前記コーティング
剤からなる液体中に前記基板をディップすることによ
り、前記基板の全体にコーティング剤を塗布する工程で
あることを特徴とする光起電力装置用基板の製造方法 - 【請求項４】 請求項１又は２の製造方法において、前
記コーティング剤が、有機シリケ−トを主成分とするも
の又はポリイミドの母材料であるワニスであることを特
徴とする光起電力装置用基板の製造方法 - 【請求項５】 請求項１又は２の製造方法は、更に、前
記絶縁膜上の略全表面に第１電極膜を形成する工程と、 この第１電極膜の露出方向から前記絶縁部材上にエネル
ギービームを照射して、照射部分の前記第１電極膜を除
去し、前記絶縁部材に到達して、前記第１電極膜を電気
的に分割する分割溝を形成する工程と、からなることを
特徴とする光起電力装置用基板の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５の光起電力装置用基板の前記第
１電極膜上に半導体光活性層と第２電極膜を分割積層形
成し、前記第１電極膜、前記半導体光活性層及び前記第
２電極膜の積層体からなる複数の発電領域を形成すると
共に、隣接する前記第１電極膜及び前記第２電極膜を電
気的に接続することによって、複数の前記発電領域を電
気接続する工程と、を有することを特徴とする光起電力
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03997596A JP3643636B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 光起電力装置用基板の製造方法及び光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03997596A JP3643636B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 光起電力装置用基板の製造方法及び光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232611A true JPH09232611A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3643636B2 JP3643636B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=12567962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03997596A Expired - Fee Related JP3643636B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 光起電力装置用基板の製造方法及び光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3643636B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004025736A1 (ja) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 太陽電池およびその製造方法 |
| KR101338549B1 (ko) * | 2011-11-29 | 2013-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
-
1996
- 1996-02-27 JP JP03997596A patent/JP3643636B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004025736A1 (ja) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 太陽電池およびその製造方法 |
| KR101338549B1 (ko) * | 2011-11-29 | 2013-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3643636B2 (ja) | 2005-04-27 |
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