JPH09230379A - Liquid crystal display device and its production - Google Patents

Liquid crystal display device and its production

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JPH09230379A
JPH09230379A JP4012696A JP4012696A JPH09230379A JP H09230379 A JPH09230379 A JP H09230379A JP 4012696 A JP4012696 A JP 4012696A JP 4012696 A JP4012696 A JP 4012696A JP H09230379 A JPH09230379 A JP H09230379A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
interlayer insulating
substrate
insulating film
liquid crystal
display device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4012696A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoichi Hiraishi
洋一 平石
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP4012696A priority Critical patent/JPH09230379A/en
Publication of JPH09230379A publication Critical patent/JPH09230379A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a bright display, to obscure the wirings between pixels and to improve visibility by allowing the transmission of light as much as possible. SOLUTION: The intersected parts of gate wirings and source wirings 2 are provided with switching elements near these parts. The upper parts of these switching elements are provide with two kinds of interlayer insulating films 5 and 6 varying in refractive index. The upper parts of these interlayer insulating films 5 and 6 are provided with pixel electrodes 3 connected to the switching elements. The interlayer insulating films 5 and 6 form optical refracting means. As a result, the light is refracted at the boundary surfaces between the interlayer insulating films 5 and 6 and the light is introduced to the pixel parts on the light shielding materials, such as wirings, as well.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
(以下TFTという)などのスイッチング素子を備えた
アクティブマトリクス型の液晶表示装置とその製造方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device having a switching element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】図13は、特開平4−372928号公
報に示された従来のプロジェクション用液晶表示装置の
1画素部分の断面図を示している。
2. Description of the Related Art FIG. 13 is a sectional view of one pixel portion of a conventional projection liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-372928.

【0003】図13において、アクティブマトリクス型
液晶表示装置は、ガラスなどからなる絶縁基板59(以
下この基板をTFT基板59と呼ぶ)上にTFT52と
配線および画素電極(図示せず)が設けられている。そ
して遮光膜61を設けた対向基板60とTFT基板59
との間に液晶57を挟んでいる。光源(図示せず)より
光を対向基板60側から照射し、プリズムシート58を
介し光を液晶57に入射し、液晶57の透過率を変えて
画像を投射している。プリズムシート58のプリズム要
素62で光を屈折させることにより、遮光膜61に光を
遮られることなく開口部全面に光を入射できる。
In FIG. 13, an active matrix type liquid crystal display device has a TFT 52, wiring and pixel electrodes (not shown) provided on an insulating substrate 59 (hereinafter referred to as a TFT substrate 59) made of glass or the like. There is. Then, the counter substrate 60 provided with the light shielding film 61 and the TFT substrate 59.
The liquid crystal 57 is sandwiched between and. Light is emitted from a light source (not shown) from the counter substrate 60 side, the light is incident on the liquid crystal 57 via the prism sheet 58, and the transmittance of the liquid crystal 57 is changed to project an image. By refracting the light with the prism element 62 of the prism sheet 58, the light can be incident on the entire surface of the opening without being blocked by the light shielding film 61.

【0004】また、図示しないが、直視型液晶表示装置
では、層間絶縁膜を介して配線と画素とを重ねることに
より大きな開口率を得る液晶表示装置がある(特開昭6
1−156025号公報)。
Although not shown, a direct-viewing type liquid crystal display device includes a liquid crystal display device in which a large aperture ratio is obtained by stacking wiring and pixels with an interlayer insulating film interposed therebetween (Japanese Patent Laid-Open No. Sho 6-62).
1-156025).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記特開平4−372
928号公報に開示された液晶表示装置では、遮光膜6
1に遮られる光量が少ないため、明るい画面が得られる
が、 プリズムシート58が高価なため、コストが高い、 高精細化に伴い画素ピッチが細かくなるほど遮光膜6
1とプリズムシート58のプリズム要素62との位置あ
わせに時間がかかる、 対向基板60の裏側にプリズムシート58を設けてい
るため、薄型化が困難、 拡散光を用いているため、光の利用効率が低い、等の
問題点がある。そして最大の問題点として、 TFT基板59側に設けられた配線やTFTによっ
て、液晶に入射した光の一部が遮光されてしまうという
問題点があった。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention
In the liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent No. 928, the light shielding film 6
A bright screen can be obtained because the amount of light blocked by 1 is small, but the prism sheet 58 is expensive, so the cost is high. As the pixel pitch becomes finer with higher definition, the light-shielding film 6
1 and the prism element 62 of the prism sheet 58 take time to align. Since the prism sheet 58 is provided on the back side of the counter substrate 60, it is difficult to reduce the thickness. Since diffused light is used, the light utilization efficiency is improved. There is a problem such as low. The biggest problem is that a part of the light incident on the liquid crystal is shielded by the wiring and the TFT provided on the TFT substrate 59 side.

【0006】また、特開昭61−156025号公報の
液晶表示装置でも、配線上に画素電極を設けて光透過面
積を大きくしてはいるが、やはり配線によって光が遮ら
れていた。
Further, in the liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-156025, although the pixel electrode is provided on the wiring to increase the light transmission area, the light is still blocked by the wiring.

【0007】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであって、その目的とするところは、で
きるだけ多くの光を透過させ明るい表示を得る液晶表示
装置とその製造方法を提供することである。また、画素
間の配線が目立たなく、視認性が向上した液晶表示装置
とその製造方法を提供することである。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and an object thereof is to provide a liquid crystal display device which transmits as much light as possible to obtain a bright display and a manufacturing method thereof. It is to be. Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which wiring between pixels is inconspicuous and visibility is improved, and a manufacturing method thereof.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、基板と、該基板の一方の面の上部に設けられた走査
配線および信号配線と、該走査配線と該信号配線との交
差部近傍に設けられたスイッチング素子と、該スイッチ
ング素子の上部に設けられた層間絶縁膜と、該層間絶縁
膜の上部に設けられ該スイッチング素子と接続された画
素電極と、を備えた液晶表示装置であって、該層間絶縁
膜が、第1の屈折率を有する第1の部分と、該第1の屈
折率と異なる第2の屈折率を有する第2の部分とを有
し、該第1の部分と該第2の部分との境界面が、該基板
の該一方の面と直交する面に対して傾いている面を有し
ており、そのことにより上記目的が達成される。
A liquid crystal display device according to the present invention includes a substrate, a scanning wiring and a signal wiring provided on one surface of the substrate, and an intersection of the scanning wiring and the signal wiring. A liquid crystal display device comprising: a switching element provided in the vicinity; an interlayer insulating film provided on the switching element; and a pixel electrode provided on the interlayer insulating film and connected to the switching element. The interlayer insulating film has a first portion having a first refractive index and a second portion having a second refractive index different from the first refractive index, The boundary surface between the portion and the second portion has a surface inclined with respect to a surface orthogonal to the one surface of the substrate, whereby the above object is achieved.

【0009】本発明による液晶表示装置は、上記の構造
により、入射光を屈折させ、層間絶縁膜を介して配線と
重ねられた画素電極部分に光を照射することが可能にな
り、見かけ上の開口率を上げることができ、配線や補助
容量電極などの非透過部を目立たなくさせる作用を有す
る。この作用は、本発明による液晶表示装置をプロジェ
クション用パネルなど高精細な表示装置に用いるほど効
果的である。
With the above structure, the liquid crystal display device according to the present invention is capable of refracting incident light and irradiating light to the pixel electrode portion overlapping the wiring through the interlayer insulating film, which is apparent. The aperture ratio can be increased, and it has a function of making non-transmissive portions such as wiring and auxiliary capacitance electrodes inconspicuous. This effect is more effective when the liquid crystal display device according to the present invention is used for a high-definition display device such as a projection panel.

【0010】上記液晶表示装置は、上記基板の上記一方
の面に対向する対向基板と、該基板と該対向基板との間
に封止された液晶と、該対向基板に設けられた対向電極
とを更に備えていてもよい。
The liquid crystal display device includes a counter substrate facing the one surface of the substrate, a liquid crystal sealed between the substrates, and a counter electrode provided on the counter substrate. May be further provided.

【0011】上記液晶表示装置は、上記基板の上記一方
の面に対向する対向基板と、該基板と該対向基板との間
に封止された液晶と、上記層間絶縁膜の上部に設けられ
該層間絶縁膜の表面と平行な方向に該画素電極と対向す
る電極とを更に備えていてもよい。
The liquid crystal display device is provided on the counter substrate facing the one surface of the substrate, the liquid crystal sealed between the substrate and the counter substrate, and provided on the interlayer insulating film. An electrode facing the pixel electrode in a direction parallel to the surface of the interlayer insulating film may be further provided.

【0012】本発明による液晶表示装置は、上記の構造
により、入射光を屈折させ、開口率を容易には上げられ
ないIPS(In−Plane Switching)
モードの液晶表示装置でも、見かけ上の開口率を上げる
ことができ、配線や補助容量電極などの非透過部を目立
たなくさせる作用を有する。この作用により、視野角が
広く高コントラストの大型テレビなどの表示装置が美し
い表示で得られる。
The liquid crystal display device according to the present invention, due to the above structure, refracts incident light and cannot easily increase the aperture ratio, IPS (In-Plane Switching).
Even in the mode liquid crystal display device, it is possible to increase the apparent aperture ratio and to make the non-transmissive portions such as wiring and auxiliary capacitance electrodes inconspicuous. Due to this action, a display device such as a large-sized television having a wide viewing angle and high contrast can be obtained with a beautiful display.

【0013】上記第1の部分または上記第2の部分のう
ち少なくとも一方の部分の断面形状が略三角形状を有し
ていてもよい。
At least one of the first portion and the second portion may have a substantially triangular cross-section.

【0014】本発明による液晶表示装置は、上記の構造
により、同じ様な効果を有するマイクロレンズよりも簡
単に形成できる長所を有し、生産性に優れる。
The liquid crystal display device according to the present invention has an advantage that it can be formed more easily than a microlens having the same effect and has excellent productivity because of the above structure.

【0015】上記第1の部分が上記走査配線および信号
配線のうちの少なくとも一方の上部に設けられ、上記第
1の部分の誘電率が上記第2の部分の誘電率より小さく
てもよい。
The first portion may be provided on at least one of the scanning wiring and the signal wiring, and the dielectric constant of the first portion may be smaller than that of the second portion.

【0016】上記層間絶縁膜が感光性を有していてもよ
い。
The interlayer insulating film may have photosensitivity.

【0017】本発明による液晶表示装置の製造方法は、
基板の表面の上部に、複数のスイッチング素子をマトリ
クス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接続
される走査配線および信号配線を互いに交差するように
形成する工程と、該基板の裏面から該基板に光を照射し
たときに遮光される該基板の表面の領域の上部に第1の
屈折率を有する第1の層間絶縁膜を形成する工程と、該
基板の表面の該領域以外の領域の上部に第2の屈折率を
有する第2の層間絶縁膜を、該第1の層間絶縁膜と該第
2の層間絶縁膜とが接する面が該基板表面と直交する面
に対して傾いた面となるように形成する工程と、該第1
または該第2の層間絶縁膜上に該スイッチング素子と接
続された画素電極を形成する工程とを包含し、そのこと
により上記目的が達成される。
A method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises:
A step of forming a plurality of switching elements in a matrix on the front surface of the substrate and forming scan wirings and signal wirings connected to the switching elements so as to intersect with each other, and from the back surface of the substrate to the substrate. A step of forming a first interlayer insulating film having a first refractive index on a region of the surface of the substrate that is shielded when irradiated with light; and a step of forming a first interlayer insulating film on the surface of the substrate other than the region. The surface of the second interlayer insulating film having the second refractive index in contact with the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film is a surface inclined with respect to the surface orthogonal to the surface of the substrate. And the first step
Alternatively, a step of forming a pixel electrode connected to the switching element on the second interlayer insulating film is included, whereby the above object is achieved.

【0018】上記画素電極を形成する工程が、上記スイ
ッチング素子と接続された画素電極と対向する電極を、
上記第1または前記第2の層間絶縁膜上に設ける工程を
含んでいてもよい。
In the step of forming the pixel electrode, the electrode facing the pixel electrode connected to the switching element is
The method may include a step of providing it on the first or second interlayer insulating film.

【0019】本発明による液晶表示装置の製造方法は、
上記の工程を包含することにより、形成が容易でかつ寸
法精度を上げることができ、コストの上昇を抑えること
ができる。
A method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises:
By including the above steps, formation can be facilitated, dimensional accuracy can be improved, and cost increase can be suppressed.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.

【0021】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
1の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
1画素部分の構成を示す平面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view showing the structure of one pixel portion of an active matrix substrate in a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention.

【0022】アクティブマトリクス基板には、複数の画
素電極3がマトリクス状に設けられており、これらの画
素電極3の周囲を通り、互いに直交交差するように、走
査配線としてのゲート配線1と信号配線としてのソース
配線2とが形成されている。ゲート配線1とソース配線
2とは、その一部分が画素電極3の外周部分とオーバー
ラップするように形成されている。また、ゲート配線1
とソース配線2との交差部近傍には、画素電極3にコン
タクトホール(図示せず)を介して接続されるスイッチ
ング素子としてのTFT4が形成されている。このスイ
ッチング素子は、TFTに限らずMIM等のスイッチン
グ素子でもかまわない。その場合は、走査配線は対向基
板に設けられる。また、ここでは図示しないが、付加容
量配線(Cs配線)が設けられていても良い。
A plurality of pixel electrodes 3 are provided in a matrix on the active matrix substrate. A gate wiring 1 and a signal wiring as scanning wirings are arranged so as to pass around the pixel electrodes 3 and cross each other at right angles. Source wiring 2 is formed. The gate wiring 1 and the source wiring 2 are formed so that a part thereof overlaps the outer peripheral portion of the pixel electrode 3. Also, the gate wiring 1
A TFT 4 serving as a switching element connected to the pixel electrode 3 via a contact hole (not shown) is formed in the vicinity of an intersection of the source line 2 and the source line 2. The switching element is not limited to the TFT and may be a switching element such as MIM. In that case, the scanning wiring is provided on the counter substrate. Although not shown here, additional capacitance wiring (Cs wiring) may be provided.

【0023】図2は、図1の液晶表示装置のA−A’線
断面図を示している。
FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA 'of the liquid crystal display device of FIG.

【0024】図2において、透明絶縁性基板9(以下、
TFT基板9と呼ぶ)上に、ゲート配線やゲート絶縁膜
(図示せず)を設け、TFTの半導体層(図示せず)を
設け、ソース配線2を設ける。そのソース配線2を覆う
ようにして2種類の層間絶縁膜5および6を設け、さら
にその上にコンタクトホール(図示せず)を介して画素
電極3が設けられている。そして、画素電極3上および
対向基板10上に形成された対向電極8上には、配向膜
(図示せず)がそれぞれ形成されており、これらの配向
膜間には液晶7が封入されている。このとき、TFT基
板9と対向基板10との間隙はスペーサ(図示せず)に
より保たれている。
In FIG. 2, the transparent insulating substrate 9 (hereinafter,
A gate wiring and a gate insulating film (not shown) are provided on a TFT substrate 9), a semiconductor layer (not shown) of the TFT is provided, and a source wiring 2 is provided. Two types of interlayer insulating films 5 and 6 are provided so as to cover the source wiring 2, and a pixel electrode 3 is further provided thereon via a contact hole (not shown). An alignment film (not shown) is formed on each of the pixel electrode 3 and the counter electrode 8 formed on the counter substrate 10, and the liquid crystal 7 is sealed between the alignment films. . At this time, the gap between the TFT substrate 9 and the counter substrate 10 is maintained by a spacer (not shown).

【0025】本実施形態では、層間絶縁膜5に屈折率
1.3のフッ素系樹脂を用い、層間絶縁膜6に屈折率
1.7のポリイミド樹脂を用いた。層間絶縁膜6は図2
に示すようにその断面形状が逆三角形の一部を有する形
状(台形形状)になるように形成した。このように、層
間絶縁膜6の屈折率が層間絶縁膜5の屈折率よりも大き
くなるように層間絶縁膜5および6の材料を選択する
と、層間絶縁膜5と6との境界面で光が屈折されること
により、画素電極3のソース配線2とオーバーラップし
ている部分30にも光が入射される。このときの層間絶
縁膜5および6の膜厚とテーパー角、ソース配線とオー
バーラップする画素電極30の面積によって、液晶7に
入射する光の角度は変わる。なお、本実施例ではそれぞ
れの高さが同じになるように層間絶縁膜5と6とを形成
しているが、層間絶縁膜5の高さと層間絶縁膜6の高さ
は同じでなくともよい。生産性を向上させるために、図
3に示すように、後から形成する層間絶縁膜(層間絶縁
膜32)が、先に形成した層間絶縁膜(層間絶縁膜3
1)の上部を覆うように形成してもよい。
In this embodiment, the interlayer insulating film 5 is made of a fluorine resin having a refractive index of 1.3, and the interlayer insulating film 6 is made of a polyimide resin having a refractive index of 1.7. The interlayer insulating film 6 is shown in FIG.
As shown in FIG. 5, the cross-sectional shape was formed so as to have a shape having a part of an inverted triangle (trapezoidal shape). In this way, when the materials of the interlayer insulating films 5 and 6 are selected so that the refractive index of the interlayer insulating film 6 is larger than that of the interlayer insulating film 5, light is emitted at the interface between the interlayer insulating films 5 and 6. By being refracted, the light is also incident on the portion 30 of the pixel electrode 3 that overlaps the source wiring 2. At this time, the angle of light incident on the liquid crystal 7 changes depending on the film thickness and taper angle of the interlayer insulating films 5 and 6 and the area of the pixel electrode 30 overlapping the source wiring. Although the interlayer insulating films 5 and 6 are formed to have the same height in this embodiment, the heights of the interlayer insulating film 5 and the interlayer insulating film 6 may not be the same. . In order to improve productivity, as shown in FIG. 3, the interlayer insulating film (interlayer insulating film 32) formed later is the interlayer insulating film (interlayer insulating film 3) previously formed.
You may form so that the upper part of 1) may be covered.

【0026】以上のようにして本実施形態1のアクティ
ブマトリクス基板は構成される。
The active matrix substrate of Embodiment 1 is constructed as described above.

【0027】次に、本実施形態1のアクティブマトリク
ス基板を有する液晶表示装置の製造方法の実施例を、図
4および図5を参照しながら説明する。
Next, an example of a method of manufacturing the liquid crystal display device having the active matrix substrate of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

【0028】まず、ガラス基板などからなる透明絶縁性
基板9上に、Al、Ta、Cr等の金属からなるゲート
配線1(TFT4のゲート電極を含む)と、SiNx
SiO2等からなるゲート絶縁膜(図示せず)と、TF
T4を形成するSi等からなる半導体層と、SiNx
からなるチャネル保護層と、n+層とを順次成膜パター
ニングして形成する。なお、チャネル保護膜は特に設け
なくとも良い。
First, on the transparent insulating substrate 9 made of a glass substrate or the like, the gate wiring 1 made of a metal such as Al, Ta, Cr or the like (including the gate electrode of the TFT 4), SiN x ,
A gate insulating film (not shown) made of SiO 2 or the like and TF
A semiconductor layer made of Si or the like forming T4, a channel protective layer made of SiN x, and an n + layer are sequentially formed and patterned. Note that the channel protective film may not be provided.

【0029】次に、A1、Ta、Cr等の金属からなる
ソース配線2(TFT4のソース電極およびドレイン電
極を含む)をTFT基板上に形成する(図4(a))。
むろん、これらの配線は低抵抗化、冗長性などを目的と
して2層以上に形成しても良い。
Next, a source wiring 2 (including a source electrode and a drain electrode of the TFT 4) made of a metal such as A1, Ta and Cr is formed on the TFT substrate (FIG. 4A).
Needless to say, these wirings may be formed in two or more layers for the purpose of lowering resistance and redundancy.

【0030】ここまでの作製プロセスは、従来のアクテ
ィブマトリクス基板の製造方法と同様にして行うことが
できる。
The manufacturing process up to this point can be carried out in the same manner as the conventional method for manufacturing an active matrix substrate.

【0031】さらに、TFT基板上のソース配線または
ゲート配線が設けられていない領域に、フッ素系樹脂を
スピンコート法、スロットコート法、またはロールコー
ト法により例えば3μmの膜厚で形成することにより層
間絶縁膜5を形成する(図4(b))。この膜厚は、ソ
ース配線2とオーバーラップする画素電極3の部分30
の面積や、樹脂等の膜の誘電率によって決定される。
Further, a fluorine resin is formed in a region of the TFT substrate where the source wiring or the gate wiring is not provided by a spin coating method, a slot coating method, or a roll coating method to have a film thickness of, for example, 3 μm. The insulating film 5 is formed (FIG. 4B). This film thickness corresponds to the portion 30 of the pixel electrode 3 that overlaps with the source wiring 2.
And the dielectric constant of the film of resin or the like.

【0032】その後、層間絶縁膜5上にフォトレジスト
42を塗布し、マスク41を用いて露光工程を行う(図
4(c))。このとき、配線をマスクとして用いる裏面
露光法を用いてもかまわない。マスク41に設けられた
所望のパターンに従って露光し、図4(d)のようにマ
スク41のパターンをレジストに転写する。その後、ア
ルカリ性の溶液にてエッチング処理を行う。この処理に
より、露光された部分のみがアルカリ性の溶液によって
エッチングされ、層間絶縁膜6を設けるための孔44が
形成されるとともに、基板9の表面に対して傾いた面を
有する層間絶縁膜55が形成される(図5(a))。そ
の後、レジスト43を除去する(図5(b))。この結
果、レジスト除去後の層間絶縁膜55は図6のように形
成される。また、図示していないが、上記の工程の際
に、層間絶縁膜5を貫通し画素電極3とTFT4とを接
続するためのコンタクトホールも形成する。この際、層
間絶縁膜5の材料に低粘度の樹脂を用いて生産性を向上
させるとともに、パターニング前にプリベーク処理をし
て乾燥させることにより、本硬化時に寸法がずれる等の
悪影響を防止することができさらに好ましい。
After that, a photoresist 42 is applied on the interlayer insulating film 5 and an exposure process is performed using the mask 41 (FIG. 4C). At this time, a backside exposure method using the wiring as a mask may be used. Exposure is performed according to a desired pattern provided on the mask 41, and the pattern of the mask 41 is transferred to a resist as shown in FIG. After that, etching treatment is performed with an alkaline solution. By this treatment, only the exposed portion is etched by the alkaline solution, the hole 44 for forming the interlayer insulating film 6 is formed, and the interlayer insulating film 55 having the surface inclined with respect to the surface of the substrate 9 is formed. Formed (FIG. 5A). After that, the resist 43 is removed (FIG. 5B). As a result, the interlayer insulating film 55 after removing the resist is formed as shown in FIG. Although not shown, a contact hole for connecting the pixel electrode 3 and the TFT 4 is formed through the interlayer insulating film 5 in the above process. At this time, productivity is improved by using a low-viscosity resin as the material of the interlayer insulating film 5, and pre-baking and drying are performed before patterning to prevent adverse effects such as displacement of dimensions during main curing. Is more preferable.

【0033】また、表面の密着性が悪い樹脂を用いると
きには、この段階で灰化処理や光照射により表面を荒ら
して密着性を改善するとよい。このときフォトレジスト
43も同時に取除けば、工程が増えることもない。ただ
し、あまり表面を荒しすぎると光の向きが変ってしまっ
たり、表面の平坦性が失われて配向不良が起きるので注
意が必要である。
When a resin having poor surface adhesion is used, the adhesion may be improved at this stage by roughening the surface by ashing or irradiation with light. At this time, if the photoresist 43 is also removed at the same time, the number of steps does not increase. However, it should be noted that if the surface is too rough, the direction of light will change, or the flatness of the surface will be lost, resulting in poor alignment.

【0034】その後に、画素電極3とTFT4のコンタ
クト部分に感光剤等を埋め込んだ状態で、孔44にスキ
ージ法やスピンコート法により透明度の高いポリイミド
(例えばヘキサフルオロプロピレンを含む酸二無水物と
ジアミンとの組合わせで屈折率1.7のもの)を埋め込
んで層間絶縁膜56を形成する(図5(c))。このと
き、フッ素系樹脂の表面にポリイミド樹脂が残ることが
あっても実用上は別にかまわないことが分かっている。
コンタクト部分に埋め込んだ感光剤を取り除いた後で、
コンタクト部分にメタル等コンタクト材を堆積する。そ
して、乾燥させて、図5(c)に示されるような層間絶
縁膜55と56を用いた光学屈折手段が完成する。
After that, in a state in which a photosensitizer or the like is embedded in the contact portion between the pixel electrode 3 and the TFT 4, a highly transparent polyimide (for example, an acid dianhydride containing hexafluoropropylene) is formed in the hole 44 by a squeegee method or a spin coating method. An interlayer insulating film 56 is formed by embedding a material having a refractive index of 1.7 in combination with diamine (FIG. 5C). At this time, it has been found that the polyimide resin may remain on the surface of the fluorine-based resin in practical use.
After removing the photosensitizer embedded in the contact area,
A contact material such as metal is deposited on the contact portion. Then, it is dried to complete the optical refraction means using the interlayer insulating films 55 and 56 as shown in FIG. 5C.

【0035】その後、図5(d)のように、画素電極3
となるITOをスパッタ法により形成し、パターニング
する。これにより画素電極3は、層間絶縁膜5を貫くコ
ンタクトホールを介して、TFT4のドレイン電極と接
続されることになる。
Then, as shown in FIG. 5D, the pixel electrode 3
Then, ITO is formed by a sputtering method and patterned. As a result, the pixel electrode 3 is connected to the drain electrode of the TFT 4 via the contact hole penetrating the interlayer insulating film 5.

【0036】そして、このようにして作製したTFT基
板9と対向電極8が形成された対向基板10とを貼り合
わせる。このとき、周辺部分をシール材により、その他
の部分をスペーサ(図示せず)により、TFT基板9と
対向基板10との間隙を一定に保った。その後、TFT
基板9と対向基板10との間に液晶7を封入して液晶パ
ネルを作成した。さらに、外部駆動回路(図示せず)を
接続し、バックライト(図示せず)を配置し、本実施形
態1の液晶表示装置を製造した。
Then, the TFT substrate 9 thus manufactured and the counter substrate 10 on which the counter electrode 8 is formed are bonded together. At this time, the gap between the TFT substrate 9 and the counter substrate 10 was kept constant by the sealing material at the peripheral portion and the spacer (not shown) at the other portions. After that, TFT
A liquid crystal panel was prepared by enclosing the liquid crystal 7 between the substrate 9 and the counter substrate 10. Further, an external drive circuit (not shown) was connected and a backlight (not shown) was arranged to manufacture the liquid crystal display device of the first embodiment.

【0037】本発明による液晶表示装置は高価なプリズ
ムシートを特に必要とはしないが、バックライトと液晶
パネルとの間に視野角補正材と呼ばれるプリズムシート
を配置すると尚良いことは明らかである。なぜならば、
液晶には視野角があるため、視野角外の部分にも光を当
てることは、光源の有効活用ではないからである。プリ
ズムシートを用いることにより、視野角内の表示が明る
くなり、さらに高輝度化が実現できる。もちろん、この
ようなシートは平行度の高いバックライトを用いれば必
要はない。
The liquid crystal display device according to the present invention does not particularly require an expensive prism sheet, but it is obviously better to dispose a prism sheet called a viewing angle correction member between the backlight and the liquid crystal panel. because,
Since liquid crystal has a viewing angle, it is not an effective use of the light source to illuminate a portion outside the viewing angle. By using the prism sheet, the display within the viewing angle becomes brighter and higher brightness can be realized. Of course, such a sheet is not necessary if a highly parallel backlight is used.

【0038】前述のようにして得られるアクティブマト
リクス基板の層間絶縁膜55および56の材料として透
明度の高いもの、具体的には過射光領域の透過率が90
%以上のものを用いることが好ましい。そのような材料
として、例えば、エポキシ樹脂(屈折率=1.55〜
1.61)、アクリル樹脂(屈折率=1.48〜1.5
2)、フェノール樹脂(屈折率=1.5〜1.7)、ア
リル樹脂(屈折率=1.5〜1.57)等を用いること
ができる。また、層間絶縁膜5に用いる材料として感光
性を有する材料を用いると、レジストを用いる必要がな
くなり、製造プロセスを短縮することができるので、よ
り好ましい。
As a material for the interlayer insulating films 55 and 56 of the active matrix substrate obtained as described above, a material having a high transparency, specifically, a transmittance of 90 in the hyper-light region is 90.
% Or more is preferably used. As such a material, for example, epoxy resin (refractive index = 1.55 to
1.61), acrylic resin (refractive index = 1.48 to 1.5
2), phenol resin (refractive index = 1.5 to 1.7), allyl resin (refractive index = 1.5 to 1.57) and the like can be used. In addition, it is more preferable to use a material having photosensitivity as the material used for the interlayer insulating film 5 because it is not necessary to use a resist and the manufacturing process can be shortened.

【0039】(実施形態2)図7は、本発明の実施形態
2の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
1画素部分の構成を示す断面図である。以下の説明にお
いて、実施形態1と同じ部分については説明を省略す
る。
(Embodiment 2) FIG. 7 is a sectional view showing the structure of one pixel portion of an active matrix substrate in a liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention. In the following description, the description of the same parts as those in the first embodiment will be omitted.

【0040】本実施形態では、層間絶縁膜35の屈折率
が層間絶縁膜36の屈折率よりも大きくなるように層間
絶縁膜35および36の材料を選択した。具体的には、
層間絶縁膜35の材料として屈折率が1.52のアクリ
ル樹脂を用い、層間絶縁膜36の材料として屈折率が
1.28のフッ素系樹脂を用いた。そして、実施形態1
のアクティブマトリクス基板とは2種類の層間絶縁膜に
よって形成される光学屈折手段の向きが逆になるよう
に、断面形状が逆三角形状の一部を有する形状(台形形
状)の層間絶縁膜35を設けた。なお、本実施形態で
は、対向基板10に配線材よりも細い線幅を有する遮光
膜11を設けた。対向基板に設ける遮光膜は、対向基板
にカラーフィルター(図示せず)を設ける直視型表示装
置で一般的に用いられている。遮光膜11は、カラーフ
ィルターのそれぞれの色の位置あわせ精度があまり良く
ない場合に、位置あわせずれを隠すために設けられる。
そのため、遮光膜11の線幅は、位置あわせずれを隠せ
る程度の幅(1〜3μm程度)で良い。
In this embodiment, the materials of the interlayer insulating films 35 and 36 are selected so that the refractive index of the interlayer insulating film 35 is larger than that of the interlayer insulating film 36. In particular,
Acrylic resin having a refractive index of 1.52 was used as the material of the interlayer insulating film 35, and fluorine resin having a refractive index of 1.28 was used as the material of the interlayer insulating film 36. And Embodiment 1
The inter-layer insulating film 35 having a shape (trapezoidal shape) having a part of an inverted triangular cross-section is formed so that the optical refraction means formed by two types of inter-layer insulating films are opposite to the active matrix substrate of FIG. Provided. In this embodiment, the light shielding film 11 having a line width smaller than that of the wiring material is provided on the counter substrate 10. The light-shielding film provided on the counter substrate is generally used in a direct-view display device in which a color filter (not shown) is provided on the counter substrate. The light-shielding film 11 is provided in order to hide the misalignment when the color registration accuracy of each color of the color filter is not so good.
Therefore, the line width of the light shielding film 11 may be a width (about 1 to 3 μm) that can hide the misalignment.

【0041】このとき、層間絶縁膜36の材料として誘
電率2.1と低誘電率であるフッ素系樹脂を用いること
により、配線2と画素電極3との聞にできる浮遊容量を
低減でき、クロストークなどの表示不良を無くすことが
できる。そのため、本実施形態では、層間絶縁膜6に用
いる材料は低誘電率の材料、望ましくは誘電率4以下の
材料を厚さ3μm以上設ける。なお、本実施例でもそれ
ぞれの高さが同じになるように層間絶縁膜35と36と
を形成しているが、実施形態1と同様に層間絶縁膜35
の高さと層間絶縁膜36の高さは同じでなくともよい。
生産性を向上させるために、後から形成する層間絶縁膜
(本実施形態では層間絶縁膜35)が、先に形成した層
間絶縁膜(本実施形態では層間絶縁膜36)の上部を若
干覆うように形成してもよい。
At this time, by using a fluorine-based resin having a dielectric constant of 2.1 and a low dielectric constant as the material of the interlayer insulating film 36, the stray capacitance that can be heard between the wiring 2 and the pixel electrode 3 can be reduced, and the cross capacitance can be reduced. Display defects such as talk can be eliminated. Therefore, in this embodiment, the material used for the interlayer insulating film 6 is a material having a low dielectric constant, preferably a material having a dielectric constant of 4 or less, and a thickness of 3 μm or more. Although the interlayer insulating films 35 and 36 are formed so that their respective heights are the same in this embodiment, the interlayer insulating film 35 is formed similarly to the first embodiment.
Does not have to be the same as the height of the interlayer insulating film 36.
In order to improve the productivity, the interlayer insulating film (interlayer insulating film 35 in this embodiment) formed later covers the upper part of the interlayer insulating film (interlayer insulating film 36 in this embodiment) formed earlier. You may form in.

【0042】以上のように本実施形態2のアクティブマ
トリクス基板は構成される。本実施形態2の液晶表示装
置は、以下のようにして製造することができる。
The active matrix substrate of Embodiment 2 is constructed as described above. The liquid crystal display device of Embodiment 2 can be manufactured as follows.

【0043】実施形態1と同様の方法により、TFT基
板9上にソース配線2を形成し、フッ素系樹脂を材料と
してスピンコート法などにより5μmの膜厚の絶縁膜8
0を形成する(図8(a))。そして、絶縁膜80上に
フォトレジスト82を塗布した後、マスク83を用いて
露光工程を行い(図8(b))、マスク83のパターン
をレジスト82に転写する(図8(c))。その後、ド
ライエッチ法によりエッチングを行うことにより層間絶
縁膜36を形成する(図8(d))。フォトレジスト8
4を除去した後(図9(a))、スピンコート法により
感光性のアクリル樹脂を孔87に埋め込むことにより、
層間絶縁膜35を形成する(図9(b))。この感光性
アクリル樹脂に対して、所望のパターンに従って露光を
行った後、アルカリ性の溶液にてエッチング処理を行
う。この処理により、露光された部分のみがアルカリ性
の溶液によってエッチングされ、層間絶縁膜35を貫通
し、画素電極3とTFT4とを接続するためのコンタク
トホール(図示せず)を形成する。
The source wiring 2 is formed on the TFT substrate 9 by the same method as in the first embodiment, and the insulating film 8 having a thickness of 5 μm is formed by a spin coating method using a fluorine resin as a material.
0 is formed (FIG. 8A). Then, after applying a photoresist 82 on the insulating film 80, an exposure process is performed using the mask 83 (FIG. 8B), and the pattern of the mask 83 is transferred to the resist 82 (FIG. 8C). After that, the interlayer insulating film 36 is formed by performing etching by the dry etching method (FIG. 8D). Photoresist 8
After removing 4 (FIG. 9 (a)), a photosensitive acrylic resin is embedded in the hole 87 by a spin coating method.
The interlayer insulating film 35 is formed (FIG. 9B). This photosensitive acrylic resin is exposed according to a desired pattern and then subjected to etching treatment with an alkaline solution. By this treatment, only the exposed portion is etched by the alkaline solution to penetrate the interlayer insulating film 35 and form a contact hole (not shown) for connecting the pixel electrode 3 and the TFT 4.

【0044】このように、感光性のアクリル樹脂を用い
たことにより、フォト工程だけでパターニングすること
ができるので、層間絶縁膜35に限らず、感光性を持た
せられるものには、感光性を持たせるのが好ましい。
As described above, since the photosensitive acrylic resin is used, the patterning can be performed only by the photo process. Therefore, not only the interlayer insulating film 35 but also the one having photosensitivity can be provided with the photosensitivity. It is preferable to have it.

【0045】その後、画素電極3となるITOをスパッ
タ法により形成し、パターニングする。これにより画素
電極3は、層間絶縁膜35を貫くコンタクトホールを介
して、TFT4のドレイン電極と接続されることにな
る。
After that, ITO which becomes the pixel electrode 3 is formed by sputtering and patterned. As a result, the pixel electrode 3 is connected to the drain electrode of the TFT 4 via the contact hole penetrating the interlayer insulating film 35.

【0046】そして、このようにして作製したTFT基
板9と対向電極8が形成された対向基板10とを貼り合
わせる。このとき、周辺部分をシール材(図示せず)に
より、その他の部分をスペーサ(図示せず)により、T
FT基板9と対向基板10との間隙を一定に保った。そ
の後の工程を実施形態1と同様にして、本実施形態2の
液晶表示装置を製造した。
Then, the TFT substrate 9 thus manufactured and the counter substrate 10 on which the counter electrode 8 is formed are bonded together. At this time, the peripheral portion is sealed with a sealing material (not shown), and the other portion is covered with a spacer (not shown).
The gap between the FT substrate 9 and the counter substrate 10 was kept constant. The subsequent steps were performed in the same manner as in Embodiment 1 to manufacture the liquid crystal display device of Embodiment 2.

【0047】(実施形態3)図10および図11に、容
易には開口率を上げられない液晶表示装置の1例として
知られる、IPS(In−Plane Switchi
ng)モードと呼ばれる液晶表示装置に本発明を適用し
た例を示す。
(Embodiment 3) FIGS. 10 and 11 show an IPS (In-Plane Switch) known as an example of a liquid crystal display device in which the aperture ratio cannot be easily increased.
An example in which the present invention is applied to a liquid crystal display device called ng) mode will be shown.

【0048】IPSモードとは、実施形態1および2等
に使用している画素電極と対向電極との間に電界をかけ
る(つまり表示方向から見て縦方向)方式ではなく、T
FT基板側に、2つの電極を設け表示方向から見て水平
方向に電界をかける方式である(詳細は、日経マイクロ
デバイス1995年12月号の第130頁〜第135頁
に掲載)。この方式は、横方向に電界をかけるため視野
角は非常に広いが、構造上容易には開口率が上げられな
いといった問題点がある。そのため、この問題点を解決
するために、層間絶縁膜を介して配線と対向電極とを重
ね合せる方法が提案されている(本願の出願日と同日に
出願した、本願の出願人による整理番号95−3293
の特許出願;小山)。本実施形態3では、その方法をさ
らに改善している。
The IPS mode is not the method of applying an electric field between the pixel electrode and the counter electrode (that is, the vertical direction when viewed from the display direction) used in Embodiments 1 and 2 and the like.
This is a system in which two electrodes are provided on the FT substrate side and an electric field is applied in the horizontal direction when viewed from the display direction (for details, see pages 130 to 135 of the December 1995 issue of Nikkei Microdevices). This method has an extremely wide viewing angle because an electric field is applied in the lateral direction, but has a problem that the aperture ratio cannot be easily increased due to the structure. Therefore, in order to solve this problem, a method of superposing the wiring and the counter electrode via an interlayer insulating film has been proposed (reference number 95 by the applicant of the present application, filed on the same date as the filing date of the present application. -3293
Patent application; Koyama). In the third embodiment, the method is further improved.

【0049】図10は、本発明の実施形態3の液晶表示
装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素部分の
構成を示す平面図であり、図11は図10のA−A’線
間の断面図である。なお、以下の説明において、実施形
態1および2と同様な部分の説明は省略する。
FIG. 10 is a plan view showing the structure of one pixel portion of the active matrix substrate in the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. is there. In the following description, description of the same parts as those in Embodiments 1 and 2 will be omitted.

【0050】本実施形態では、TFT基板109の上
に、屈折率1.3のフッ素系樹脂を用いて層間絶縁膜1
05を形成し、屈折率1.7のポリイミド樹脂を用いて
層間絶縁膜106aおよび106bを断面形状が逆三角
形状の一部を有する形状(台形形状)になるように形成
する。この場合、ゲート配線101およびソース配線1
02と重ねられた対向電極のかわりのカウンター電極1
08の下部だけでなく、画素電極のかわりの駆動電極1
03の下部にも層間絶縁膜106bを設けて、駆動電極
103の上部にも光を入射できるようにする。この構造
により、配線を目立たなくすることができ、コントラス
トなど表示品位を上げることができる。なお、図10お
よび図11では、ゲート配線101やソース配線102
といった下層配線の方が駆動電極103よりも太くなっ
ているが、ゲート配線101やソース配線102の線幅
は、駆動電極103の線幅と同じであっても細くても良
い。
In this embodiment, the interlayer insulating film 1 is formed on the TFT substrate 109 by using fluorine resin having a refractive index of 1.3.
No. 05 is formed, and the interlayer insulating films 106a and 106b are formed using a polyimide resin having a refractive index of 1.7 so that the cross-sectional shape thereof has a part having an inverted triangular shape (trapezoidal shape). In this case, the gate wiring 101 and the source wiring 1
Counter electrode 1 instead of the counter electrode that is stacked with 02
Not only the lower part of 08, but the drive electrode 1 instead of the pixel electrode
The interlayer insulating film 106b is also provided under the electrode 03 to allow light to enter the upper portion of the drive electrode 103. With this structure, the wiring can be made inconspicuous, and display quality such as contrast can be improved. Note that in FIGS. 10 and 11, the gate wiring 101 and the source wiring 102 are formed.
Although the lower layer wiring is thicker than the driving electrode 103, the line width of the gate wiring 101 or the source wiring 102 may be the same as or narrower than the driving electrode 103.

【0051】以上のように本実施形態3のアクティブマ
トリクス基板が構成される。なお、本実施形態でも、そ
れぞれの高さが同じになるように層間絶縁膜105、1
06aおよび106bを形成しているが、層間絶縁膜1
05、106aおよび106bの高さは同じでなくても
よい。生産性を向上させるために、後から形成する層間
絶縁膜(本実施形態では層間絶縁膜106aおよび10
6b)が、先に形成した層間絶縁膜(本実施形態では層
間絶縁膜105)の上部を若干覆うように形成してもよ
い。
As described above, the active matrix substrate of Embodiment 3 is constructed. Note that, also in the present embodiment, the interlayer insulating films 105 and 1 are made to have the same height.
Although the layers 06a and 106b are formed, the interlayer insulating film 1
The heights of 05, 106a and 106b need not be the same. In order to improve productivity, an interlayer insulating film to be formed later (interlayer insulating films 106a and 10a in this embodiment) is formed.
6b) may be formed so as to slightly cover the upper portion of the previously formed interlayer insulating film (interlayer insulating film 105 in this embodiment).

【0052】本実施形態3のアクティブマトリクス液晶
表示装置の製造方法を、図12を参照しながら以下に説
明する。
A method of manufacturing the active matrix liquid crystal display device of Embodiment 3 will be described below with reference to FIG.

【0053】まず実施形態1と同様にして、TFT基板
109の上部にゲート配線、ゲート絶縁膜、半導体層、
チャネル保護層、およびソース配線を形成する。なお、
本実施形態においても、チャネル保護膜は特に設けなく
てもよい。次に、図12(a)に示すように、フッ素系
樹脂からなる層間絶縁膜105を形成する。この層間絶
縁膜105に対して、実施形態2と同様に、所望のパタ
ーンに従って露光するフォト工程、そしてドライエッチ
によるパターニング工程を行い、層間絶縁膜105を貫
通するコンタクトホールや層間絶縁膜106aおよび1
06bを設ける孔81および82を形成する(図12
(b))。その後、実施形態1と同様にして、孔81お
よび82にポリイミド樹脂を埋め込むことにより、層間
絶縁膜106aおよび106bを形成する(図12
(c))。このときドレイン電極と駆動電極3のコンタ
クト部はあけておく。
First, similarly to the first embodiment, the gate wiring, the gate insulating film, the semiconductor layer,
A channel protective layer and a source wiring are formed. In addition,
Also in this embodiment, the channel protective film may not be provided. Next, as shown in FIG. 12A, an interlayer insulating film 105 made of a fluororesin is formed. Similar to the second embodiment, a photo step of exposing according to a desired pattern and a patterning step by dry etching are performed on the interlayer insulating film 105, and contact holes penetrating the interlayer insulating film 105 and the interlayer insulating films 106 a and 1 a.
Holes 81 and 82 for forming 06b are formed (FIG. 12).
(B)). Thereafter, similarly to the first embodiment, the interlayer insulating films 106a and 106b are formed by filling the holes 81 and 82 with a polyimide resin (FIG. 12).
(C)). At this time, the contact portion between the drain electrode and the drive electrode 3 is left open.

【0054】この後に、図12(d)に示すように、A
1、Ta、Cr等の低抵抗な金属からなる駆動電極10
3およびカウンター電極108を形成する。
After this, as shown in FIG.
Drive electrode 10 made of low-resistance metal such as 1, Ta, and Cr
3 and the counter electrode 108 are formed.

【0055】そして、このようにして作製したTFT基
板109と対向電極が形成されていない対向基板110
とを貼り合わせる。このとき、周辺部分をシール材によ
り、その他の部分をスペーサ(図示せず)により、TF
T基板109と対向基板110との間隙を一定に保っ
た。その後は実施形態1と同様にして、本実施形態3の
液晶表示装置を製造した。
Then, the TFT substrate 109 thus manufactured and the counter substrate 110 on which the counter electrode is not formed.
And paste together. At this time, the TF is surrounded by a sealing material and the other parts by a spacer (not shown).
The gap between the T substrate 109 and the counter substrate 110 was kept constant. After that, the liquid crystal display device of the third embodiment was manufactured in the same manner as in the first embodiment.

【0056】(実施形態4)本発明の実施形態4の液晶
表示装置では、実施形態3で説明したIPSモードを用
いた液晶表示装置に、実施形態2で説明した断面形状が
三角形状の一部を有する形状(台形形状)である層間絶
縁膜36を使用した。層間絶縁膜35の材料として感光
性ポリイミド樹脂を用い、層間絶縁膜36の材料として
フッ素系樹脂を用いた。これにより、寄生容量の低減さ
れた表示品位の高い液晶表示装置が得られた。
(Embodiment 4) In the liquid crystal display device according to Embodiment 4 of the present invention, a part of the liquid crystal display device using the IPS mode described in Embodiment 3 has a triangular sectional shape as described in Embodiment 2. The inter-layer insulating film 36 having the shape (trapezoidal shape) is used. A photosensitive polyimide resin was used as the material of the interlayer insulating film 35, and a fluorine-based resin was used as the material of the interlayer insulating film 36. As a result, a liquid crystal display device with high display quality with reduced parasitic capacitance was obtained.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上の様に、本発明によれば、層間絶縁
膜が少なくとも2種類以上の屈折率の異なる部分を有
し、それらの部分の境界面が、前記基板の表面と直交す
る面に対して傾いている面を有しており、それらの部分
が光学屈折手段を形成することにより、入射光を屈折さ
せ、層間絶縁膜を介して配線と重ねられた画素電極部分
に光を照射することが可能になり、見かけ上の開口率を
上げることができる。このことにより、本発明による液
晶表示装置は、配線や補助容量電極などの非透過部を目
立たなくさせる効果を有する。この効果は、本発明によ
る液晶表示装置をプロジェクション用パネルなどの高精
細な表示装置に用いる際に特に大きい。さらに、本発明
による液晶表示装置は、同じ様な効果を有するマイクロ
レンズを利用した液晶表示装置よりも簡単に形成できる
というメリットを有する。本発明による液晶表示装置の
製造方法は、上記の液晶表示装置を簡単に形成できると
いう長所を有する。
As described above, according to the present invention, the interlayer insulating film has at least two kinds of portions having different refractive indexes, and the boundary surface of these portions is a surface orthogonal to the surface of the substrate. Have a surface inclined with respect to, and these portions form an optical refraction means to refract incident light, and irradiate the pixel electrode portion overlapped with the wiring with the light through the interlayer insulating film. It is possible to increase the apparent aperture ratio. As a result, the liquid crystal display device according to the present invention has the effect of making the non-transmissive portions such as wiring and auxiliary capacitance electrodes inconspicuous. This effect is particularly great when the liquid crystal display device according to the present invention is used in a high definition display device such as a projection panel. Further, the liquid crystal display device according to the present invention has an advantage that it can be formed more easily than a liquid crystal display device using a microlens having the same effect. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention has an advantage that the above liquid crystal display device can be easily formed.

【0058】また、本発明によれば、開口率を容易には
上げられないIPSモードの液晶表示装置でも、見かけ
上の開口率を上げることができ、配線や補助容量電極な
どの非透過部を目立たなくさせることができる。このこ
とにより、本発明による液晶表示装置では、視野角が広
く高コントラストの大型テレビなどの表示装置が美しい
表示で得られる。さらに、本発明による液晶表示装置
は、同じ様な効果を有するマイクロレンズを利用する液
晶表示装置よりも簡単に形成できるというメリットを有
する。本発明による液晶表示装置の製造方法は、上記の
液晶表示装置を簡単に形成できるという長所を有する。
Further, according to the present invention, even in an IPS mode liquid crystal display device in which the aperture ratio cannot be easily increased, the apparent aperture ratio can be increased, and non-transmissive portions such as wirings and auxiliary capacitance electrodes can be provided. You can make it inconspicuous. As a result, the liquid crystal display device according to the present invention provides a display device such as a large-sized television having a wide viewing angle and high contrast with beautiful display. Further, the liquid crystal display device according to the present invention has an advantage that it can be formed more easily than a liquid crystal display device using a microlens having the same effect. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention has an advantage that the above liquid crystal display device can be easily formed.

【0059】また、前記走査配線上および前記信号配線
上に設けられた層間絶縁膜に、誘電率の低い材料を用い
ることにより、配線と画素電極間の寄生容量の増加を抑
えることができる。
By using a material having a low dielectric constant for the interlayer insulating film provided on the scanning wiring and the signal wiring, it is possible to suppress an increase in parasitic capacitance between the wiring and the pixel electrode.

【0060】また、前記層間絶縁膜の屈折率の異なる部
分の一方の断面形状が略三角形状もしくは略逆三角形状
に形成されていることにより、同じ様に光学屈折手段を
提供するマイクロレンズを有する液晶表示装置よりも簡
単に形成することができるという長所を有する。
Further, one of the portions of the interlayer insulating film having a different refractive index is formed to have a substantially triangular shape or a substantially inverted triangular shape, so that it has a microlens which similarly provides an optical refraction means. It has an advantage that it can be formed more easily than a liquid crystal display device.

【0061】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
よると、層間絶縁膜に少なくとも2種類以上の屈折率の
異なる部分を設けて光学屈折手段を形成することによ
り、入射光を屈折させ、層間絶縁膜を介して配線と重ね
られた画素電極部分に光を照射することが可能になり、
見かけ上の開口率を上げることができ、配線や補助容量
電極などの非透過部を目立たなくさせる効果を有する液
晶表示装置を、容易でかつ寸法精度を上げて製造するこ
とができ、製造コストの上昇を抑えることができる。
Further, according to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, at least two kinds of portions having different refractive indexes are provided in the interlayer insulating film to form the optical refraction means, thereby refracting the incident light to cause the interlayer light to refract. It becomes possible to irradiate light to the pixel electrode portion which is overlapped with the wiring through the insulating film,
A liquid crystal display device that can increase the apparent aperture ratio and that has the effect of making non-transmissive portions such as wiring and auxiliary capacitance electrodes inconspicuous can be manufactured easily and with high dimensional accuracy. The rise can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施形態1の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の1画素部分の構成を示す平面
図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の液晶表示装置におけるアクティブマトリ
クス基板のA−A’線の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the active matrix substrate in the liquid crystal display device of FIG.

【図3】本発明の実施形態1による液晶表示装置につい
ての他の実施例におけるアクティブマトリクス基板の1
画素部分の断面図である。
FIG. 3 is an active matrix substrate 1 in another example of the liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention.
It is sectional drawing of a pixel part.

【図4】(a)〜(d)は本発明の実施形態1の液晶表
示装置の製造工程を示す図である。
4A to 4D are views showing manufacturing steps of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

【図5】(a)〜(d)は本発明の実施形態1の液晶表
示装置の製造工程を示す図である。
5A to 5D are views showing manufacturing steps of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施形態1の液晶表示装置における層
間絶縁膜の形状の一部を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a part of the shape of an interlayer insulating film in the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施形態2の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】(a)〜(d)は本発明の実施形態2の液晶表
示装置の製造工程を示す図である。
8A to 8D are diagrams showing a manufacturing process of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図9】(a)〜(c)は本発明の実施形態2の液晶表
示装置の製造工程を示す図である。
9A to 9C are views showing manufacturing steps of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の実施形態3の液晶表示装置における
アクティブマトリクス基板の1画素部分の平面図であ
る。
FIG. 10 is a plan view of one pixel portion of an active matrix substrate in a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

【図11】図10の液晶表示装置におけるアクティブマ
トリクス基板のA−A’線断面図である。
11 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the active matrix substrate in the liquid crystal display device of FIG.

【図12】(a)〜(d)は本発明の実施形態3の液晶
表示装置の製造工程を示す図である。
12A to 12D are diagrams showing a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention.

【図13】従来の投写型液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の1画素部分の断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view of one pixel portion of an active matrix substrate in a conventional projection type liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ゲート配線 2 ソース配線 3 画素電極 4 TFT(スイッチング素子) 5 層間絶縁膜1 6 層間絶縁膜2 7 液晶 8 対向電極 9 透明絶縁性基板(TFT基板) 10 対向基板 11 遮光膜 52 TFT 57 液晶 58 プリズムシート 59 透明絶縁性基板(TFT基板) 60 対向基板 62 プリズム要素 1 gate wiring 2 source wiring 3 pixel electrode 4 TFT (switching element) 5 interlayer insulating film 1 6 interlayer insulating film 2 7 liquid crystal 8 counter electrode 9 transparent insulating substrate (TFT substrate) 10 counter substrate 11 light shielding film 52 TFT 57 liquid crystal 58 Prism sheet 59 Transparent insulating substrate (TFT substrate) 60 Counter substrate 62 Prism element

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、該基板の一方の面の上部に設け
られた走査配線および信号配線と、該走査配線と該信号
配線との交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、
該スイッチング素子の上部に設けられた層間絶縁膜と、
該層間絶縁膜の上部に設けられ該スイッチング素子と接
続された画素電極と、を備えた液晶表示装置であって、 該層間絶縁膜が、第1の屈折率を有する第1の部分と、
該第1の屈折率と異なる第2の屈折率を有する第2の部
分とを有し、 該第1の部分と該第2の部分との境界面が、該基板の該
一方の面と直交する面に対して傾いている面を有する、
液晶表示装置。
1. A substrate, a scanning wiring and a signal wiring provided on an upper surface of one surface of the substrate, and a switching element provided near an intersection of the scanning wiring and the signal wiring.
An interlayer insulating film provided on the switching element,
A liquid crystal display device comprising: a pixel electrode provided on the interlayer insulating film and connected to the switching element, wherein the interlayer insulating film has a first portion having a first refractive index;
A second portion having a second refractive index different from the first refractive index, and an interface between the first portion and the second portion is orthogonal to the one surface of the substrate. Has a surface inclined with respect to
Liquid crystal display.
【請求項2】 前記基板の前記一方の面に対向する対向
基板と、該基板と該対向基板との間に封止された液晶
と、該対向基板に設けられた対向電極と、を更に備える
請求項1に記載の液晶表示装置。
2. A counter substrate, which faces the one surface of the substrate, a liquid crystal sealed between the substrate and the counter substrate, and a counter electrode provided on the counter substrate. The liquid crystal display device according to claim 1.
【請求項3】 前記基板の前記一方の面に対向する対向
基板と、該基板と該対向基板との間に封止された液晶
と、前記層間絶縁膜の上部に設けられ該層間絶縁膜の表
面と平行な方向に該画素電極と対向する電極と、を更に
備える液晶表示装置。
3. An opposing substrate facing the one surface of the substrate, a liquid crystal sealed between the substrate and the opposing substrate, and an interlayer insulating film provided on the interlayer insulating film. A liquid crystal display device further comprising: an electrode facing the pixel electrode in a direction parallel to the surface.
【請求項4】 前記第1の部分または前記第2の部分の
うち少なくとも一方の部分の断面形状が、略三角形状を
有する請求項1から3のいずれかに記載の液晶表示装
置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a cross-sectional shape of at least one of the first portion and the second portion has a substantially triangular shape.
【請求項5】 前記第1の部分が前記走査配線および前
記信号配線のうちの少なくとも一方の上部に設けられ、
該第1の部分の誘電率が前記第2の部分の誘電率より小
さい請求項1から4のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. The first portion is provided on at least one of the scanning wiring and the signal wiring,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the dielectric constant of the first portion is smaller than the dielectric constant of the second portion.
【請求項6】 前記層間絶縁膜が感光性を有する請求項
1から5のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the interlayer insulating film has photosensitivity.
【請求項7】 基板の表面の上部に、複数のスイッチン
グ素子をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチ
ング素子と接続される走査配線および信号配線を互いに
交差するように形成する工程と、 該基板の裏面から該基板に光を照射したときに遮光され
る該基板の表面の領域の上部に第1の屈折率を有する第
1の層間絶縁膜を形成する工程と、 該基板の表面の該領域以外の領域の上部に第2の屈折率
を有する第2の層間絶縁膜を、該第1の層間絶縁膜と該
第2の層間絶縁膜とが接する面が該基板表面と直交する
面に対して傾いた面となるように形成する工程と、 該第1または該第2の層間絶縁膜上に該スイッチング素
子と接続された画素電極を形成する工程とを包含するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
7. A step of forming a plurality of switching elements in a matrix on an upper surface of a substrate, and forming scan wirings and signal wirings connected to the switching elements so as to intersect with each other; A step of forming a first interlayer insulating film having a first refractive index on a region of the front surface of the substrate that is shielded when the substrate is irradiated with light from the back surface; and a region other than the region of the front surface of the substrate. A second interlayer insulating film having a second refractive index on the upper surface of the region of FIG. 2 with respect to a plane in which the surface where the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film contact each other is orthogonal to the substrate surface. A liquid crystal display device comprising: a step of forming an inclined surface; and a step of forming a pixel electrode connected to the switching element on the first or second interlayer insulating film. Manufacturing method.
【請求項8】 前記画素電極を形成する工程が、前記ス
イッチング素子と接続された画素電極と対向する電極
を、前記第1または前記第2の層間絶縁膜上に設ける工
程を含む、請求項7に記載の製造方法。
8. The step of forming the pixel electrode includes the step of providing an electrode facing the pixel electrode connected to the switching element on the first or second interlayer insulating film. The manufacturing method described in.
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