JP2002031797A - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP2002031797A
JP2002031797A JP2000217583A JP2000217583A JP2002031797A JP 2002031797 A JP2002031797 A JP 2002031797A JP 2000217583 A JP2000217583 A JP 2000217583A JP 2000217583 A JP2000217583 A JP 2000217583A JP 2002031797 A JP2002031797 A JP 2002031797A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
insulating film
substrate
liquid crystal
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000217583A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Horigami
伸一 堀上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2000217583A priority Critical patent/JP2002031797A/en
Publication of JP2002031797A publication Critical patent/JP2002031797A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device capable of displaying in reflection mode having bright and excellent visibility and having high electrical reliability and to provide its manufacturing method. SOLUTION: In the liquid crystal display device having a reflection region for performing reflection mode display in respective plural pixel regions, a reflection electrode 32 is provided so as to form a superposing region including at least one of a first superposing region where the reflection electrode 32 is superposed on a region where a signal wiring 4 and a scanning wiring 2 intersect each other and a second superposing region where the reflection electrode 32 is superposed on a thin film transistor 26. The height of the recessed part of a recessed and projecting surface of an interlayer insulating film 30 positioned in the superposing region is higher than that of the recessed part of a recessed and projecting surface formed in a region other than the superposing region in the reflection area.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およ
びその製造方法に関し、特に、反射モードで表示を行う
液晶表示装置およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a liquid crystal display device that performs display in a reflection mode and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置は、薄型で低消費電
力であるという特徴を生かして、ワードプロセッサやパ
ーソナルコンピュータなどのOA機器、電子手帳などの
携帯情報機器、あるいは液晶モニターを備えたカメラ一
体型VTRなどに広く用いられている。特に、周囲光を
反射するための反射層を有し、反射モードで表示が可能
な液晶表示装置(反射型や透過反射両用型など)は、携
帯性や低消費電力性に有利なだけでなく、屋外での使用
にも有利であることから、最近活発に開発されている。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been characterized by their thinness and low power consumption, and have been developed to use OA equipment such as word processors and personal computers, portable information equipment such as electronic notebooks, and cameras equipped with liquid crystal monitors. Widely used for body VTRs and the like. In particular, a liquid crystal display device (such as a reflection type or a transmission / reflection type) having a reflection layer for reflecting ambient light and capable of displaying in a reflection mode is not only advantageous for portability and low power consumption, but also advantageous Since it is advantageous for outdoor use, it has been actively developed recently.

【0003】このような反射モードで表示が可能な液晶
表示装置の表示輝度を向上するために、配線上やスイッ
チング素子上にも反射層を形成することによって、開口
率を向上させた液晶表示装置が開発されている。
[0003] In order to improve the display brightness of a liquid crystal display device capable of displaying in such a reflection mode, a liquid crystal display device having an improved aperture ratio is formed by forming a reflection layer on wirings and switching elements. Is being developed.

【0004】また、周囲の像の写り込みがなく視認性が
良い表示を行うためには、入射光を適度に散乱(拡散反
射)させる必要がある。しかし、入射光を全方位にわた
って均一に散乱させると、単位立体角当たりの反射光量
が低下し、明るさの低下を招く。
Further, in order to perform display with good visibility without reflection of surrounding images, it is necessary to appropriately scatter (diffuse reflection) incident light. However, when the incident light is uniformly scattered in all directions, the amount of reflected light per unit solid angle decreases, which causes a decrease in brightness.

【0005】視認性が良く、且つ、明るい表示を得るた
めに、観察方向となる特定の角度範囲の散乱光強度が高
く、且つ、均一となるような散乱特性を有する反射層の
作製が種々検討されている。このような散乱特性を実現
するために、凹凸状に形成された表面を有する反射層の
開発が行われている。
[0005] In order to obtain a bright display with good visibility, various studies have been made on the production of a reflective layer having a scattering characteristic in which the intensity of scattered light in a specific angle range serving as the viewing direction is high and uniform. Have been. In order to realize such scattering characteristics, a reflective layer having a surface formed in an uneven shape has been developed.

【0006】これまでに、例えば、特開平6−7523
7号公報や特開平6−75238公報などに以下のよう
な反射型液晶表示装置が提案されている。
Until now, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-7523
No. 7, JP-A-6-75238, and the like have proposed the following reflective liquid crystal display devices.

【0007】まず、特開平6−75237号公報には、
表面が凹凸状に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁
膜上に形成された光反射層として機能する反射電極とを
有する反射型液晶表示装置が開示されている。この反射
型液晶表示装置の反射電極は、スイッチング素子や配線
の上層の層間絶縁膜上にも配置されており、かつ、スイ
ッチング素子や配線の上層の層間絶縁膜の表面も凹凸状
に形成されている。
First, JP-A-6-75237 discloses that
There is disclosed a reflective liquid crystal display device having an interlayer insulating film having an uneven surface and a reflective electrode formed on the interlayer insulating film and functioning as a light reflecting layer. The reflection electrode of this reflection type liquid crystal display device is also arranged on the interlayer insulating film above the switching element and the wiring, and the surface of the interlayer insulating film above the switching element and the wiring is formed in an uneven shape. I have.

【0008】また、特開平6−75238公報にも、表
面が凹凸状に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜
上に形成された光反射層として機能する反射電極とを有
する反射型液晶表示装置が開示されている。この反射型
液晶表示装置の反射電極は、スイッチング素子や配線の
上層の層間絶縁膜上にも配置されているが、スイッチン
グ素子や配線の上層の層間絶縁膜の表面は凹凸状に形成
されていない。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75238 also discloses a reflective liquid crystal having an interlayer insulating film having an uneven surface and a reflective electrode formed on the interlayer insulating film and functioning as a light reflecting layer. A display device is disclosed. The reflection electrode of this reflection type liquid crystal display device is also arranged on the interlayer insulating film above the switching element and the wiring, but the surface of the interlayer insulating film above the switching element and the wiring is not formed unevenly. .

【0009】上述した2つの公報に開示された反射型液
晶表示装置の構成によれば、スイッチング素子や配線の
上層の層間絶縁膜上にも反射電極が配置されているた
め、反射電極の面積を大きくすることが可能となり、開
口率が向上して明るい表示を行うことが可能となってい
る。
According to the structure of the reflection type liquid crystal display device disclosed in the above two publications, since the reflection electrode is also arranged on the interlayer insulating film on the switching element and the wiring, the area of the reflection electrode is reduced. The aperture ratio can be increased, and a bright display can be performed.

【0010】さらに、上述した特開平6−75237号
公報の反射型液晶表示装置は、層間絶縁膜の表面が凹凸
状に形成されており、且つ、スイッチング素子や配線の
上層の層間絶縁膜の表面も凹凸状に形成されているた
め、層間絶縁膜上に形成される反射電極の表面は全面に
亘って凹凸を有している。従って、反射電極はその全面
に亘って前述のような散乱特性を有することとなり、視
認性が良く明るい表示を行うことができるという利点を
有している。
Further, in the reflection type liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75237, the surface of the interlayer insulating film is formed in an uneven shape, and the surface of the interlayer insulating film above the switching elements and wirings is formed. Since the surface of the reflective electrode formed on the interlayer insulating film is also uneven, the surface of the reflective electrode has unevenness over the entire surface. Therefore, the reflective electrode has the above-described scattering characteristics over the entire surface, and has an advantage that a bright display can be performed with good visibility.

【0011】また、上述した特開平6−75238号公
報の反射型液晶表示装置は、スイッチング素子や配線の
上層の層間絶縁膜の表面が凹凸状に形成されないので、
その表面が凹凸状に形成される場合に比べると、膜厚が
絶縁性を保持できる厚さよりも薄くなることは少なく、
反射電極と、スイッチング素子、走査配線または信号配
線との間の電気的短絡の発生を抑制することができると
いう利点を有している。
In the reflection type liquid crystal display device disclosed in JP-A-6-75238, since the surface of the interlayer insulating film on the switching element and the wiring is not formed in an uneven shape,
Compared to the case where the surface is formed in an uneven shape, the film thickness is less likely to be thinner than the thickness that can maintain insulation,
This has the advantage that the occurrence of an electrical short circuit between the reflective electrode and the switching element, the scanning wiring or the signal wiring can be suppressed.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た公報に開示された反射型液晶表示装置は、それぞれ以
下のような問題点を有している。
However, each of the reflection type liquid crystal display devices disclosed in the above publications has the following problems.

【0013】まず、特開平6−75237号公報に開示
された反射型液晶表示装置は、層間絶縁膜の表面が全面
に亘って凹凸状に形成されているため、配線やスイッチ
ング素子などの厚さのために層間絶縁膜の膜厚が薄い領
域、例えば、スイッチング素子の上層や、走査配線と信
号配線とが互いに交差している領域の上層においては、
層間絶縁膜の表面を凹凸状に形成する際の加工精度の誤
差によって、層間絶縁膜の膜厚が絶縁性を保持できる厚
さよりも薄くなることがあり、反射電極と、スイッチン
グ素子、走査配線または信号配線との間で電気的短絡が
発生するという問題点を有している。
First, in the reflection type liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75237, since the surface of the interlayer insulating film is formed unevenly over the entire surface, the thickness of wiring, switching elements, etc. is reduced. For example, in the region where the thickness of the interlayer insulating film is thin, for example, in the upper layer of the switching element or in the upper layer of the region where the scanning wiring and the signal wiring cross each other,
Due to an error in processing accuracy when the surface of the interlayer insulating film is formed in an uneven shape, the thickness of the interlayer insulating film may be smaller than a thickness that can maintain the insulating property, and the reflective electrode, the switching element, the scanning wiring, or There is a problem that an electric short circuit occurs with the signal wiring.

【0014】次に、特開平6−75238号公報に開示
された反射型液晶表示装置は、スイッチング素子や配線
の上層の層間絶縁膜の表面は凹凸状に形成されず、その
上に形成される反射電極の表面は凹凸を有しないので、
反射電極の表面が全面に亘って凹凸状に形成されている
場合に比べると、凹凸が形成されている反射電極の面積
は小さくなり、表示の視認性や明るさでは劣るという問
題点を有している。
Next, in the reflection type liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75238, the surface of the interlayer insulating film above the switching elements and wirings is not formed in an uneven shape, but is formed thereon. Since the surface of the reflective electrode has no irregularities,
Compared to the case where the surface of the reflective electrode is formed in an uneven shape over the entire surface, there is a problem that the area of the reflective electrode in which the unevenness is formed is small, and the visibility and brightness of the display are inferior. ing.

【0015】本発明は、上述したような問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的は、視認性に優れ、明る
い反射モードの表示が可能で、且つ、電気的信頼性の高
い液晶表示装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to provide a liquid crystal display having excellent visibility, capable of displaying a bright reflection mode, and having high electrical reliability. An object of the present invention is to provide an apparatus and a method of manufacturing the same.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置は、第1基板と、第2基板と、前記第1基板と前記第
2基板との間に設けられた液晶層とを有し、複数の絵素
領域のそれぞれに反射モードで表示を行う反射領域を有
し、前記複数の絵素領域毎に、前記第1基板は、走査配
線と前記走査配線に交差するように配設された信号配線
とに電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイ
ッチング素子を覆い、凹凸状表面を有する絶縁膜と、前
記絶縁膜の前記凹凸状表面に設けられ、前記スイッチン
グ素子に電気的に接続された反射電極とを有し、前記反
射電極は、前記信号配線と前記走査配線とが互いに交差
する領域と重畳する第1重畳領域、および、前記スイッ
チング素子と重畳する第2重畳領域の少なくとも一方を
含む重畳領域を形成するように設けられており、前記重
畳領域内に位置する前記絶縁膜の前記凹凸状表面の凹部
の高さは、前記反射領域内の前記重畳領域以外の領域に
形成された前記凹凸状表面の凹部の高さよりも高い構成
を有しており、そのことによって上記目的が達成され
る。
A liquid crystal display device according to the present invention has a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate. Each of the plurality of picture element areas has a reflection area for displaying in a reflection mode, and for each of the plurality of picture element areas, the first substrate is disposed so as to intersect the scanning wiring and the scanning wiring. A switching element electrically connected to the signal wiring, an insulating film covering the switching element and having an uneven surface, provided on the uneven surface of the insulating film, and electrically connected to the switching element; A reflective electrode, wherein the reflective electrode has at least one of a first overlap region overlapping a region where the signal line and the scan line intersect each other, and a second overlap region overlapping the switching element. Shape the overlapping area including And the height of the concave portion of the concave-convex surface of the insulating film located in the overlapping region is higher than that of the concave-convex surface formed in a region other than the overlapping region in the reflection region. It has a configuration that is higher than the height of the recess, thereby achieving the above object.

【0017】前記反射電極は、前記第1重畳領域以外の
領域において、前記信号配線および前記走査配線の少な
くとも一方と重畳する、第3重畳領域をさらに形成する
ように設けられており、前記第3重畳領域内に位置する
前記絶縁膜の表面は凹凸状に形成されていることが好ま
しい。
The reflection electrode is provided so as to further form a third overlap region that overlaps with at least one of the signal wiring and the scan wiring in a region other than the first overlap region. It is preferable that the surface of the insulating film located in the overlapping region is formed in an uneven shape.

【0018】本発明による他の液晶表示装置は、第1基
板と、第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間
に設けられた液晶層とを有し、複数の絵素領域のそれぞ
れに反射モードで表示を行う反射領域を有し、前記複数
の絵素領域毎に、前記第1基板は、走査配線と前記走査
配線に交差するように配設された信号配線とに電気的に
接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子
を覆い、凹凸状表面を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の前
記凹凸状表面に設けられ、前記スイッチング素子に電気
的に接続された反射電極とを有し、前記反射電極は、前
記信号配線と前記走査配線とが互いに交差する領域と重
畳する第1重畳領域、前記スイッチング素子と重畳する
第2重畳領域、および、前記第1重畳領域以外の領域に
おいて、前記信号配線および前記走査配線の少なくとも
一方と重畳する第3重畳領域を形成するように設けられ
ており、前記第1重畳領域内および前記第2重畳領域内
に位置する前記絶縁膜の表面は平坦に形成されていると
ともに、前記第3重畳領域内に位置する前記絶縁膜の表
面は凹凸状に形成されており、前記第1重畳領域内およ
び前記第2重畳領域内に位置する前記絶縁膜の前記表面
の高さは、前記反射領域内の前記第1重畳領域と前記第
2重畳領域とを除く領域に形成された前記凹凸状表面の
平均高さよりも高い構成を有しており、そのことによっ
て上記目的が達成される。
Another liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate. Each of the regions has a reflection region for performing display in a reflection mode, and for each of the plurality of pixel regions, the first substrate includes a scanning line and a signal line disposed so as to intersect the scanning line. A switching element that is electrically connected, an insulating film that covers the switching element and has an uneven surface, and a reflective electrode provided on the uneven surface of the insulating film and electrically connected to the switching element. The reflective electrode has a first overlapping region overlapping the region where the signal wiring and the scanning line intersect each other, a second overlapping region overlapping the switching element, and a region other than the first overlapping region. In the region, the signal A third overlapping region that overlaps with at least one of a line and the scanning line; and a surface of the insulating film located in the first overlapping region and the second overlapping region is formed flat. And the surface of the insulating film located in the third overlapping region is formed in an uneven shape, and the surface of the insulating film located in the first overlapping region and the second overlapping region is formed. Has a configuration that is higher than the average height of the uneven surface formed in a region excluding the first overlap region and the second overlap region in the reflection region, and Objective is achieved.

【0019】前記複数の絵素領域のそれぞれは、透過モ
ードで表示を行う透過領域を有してもよい。
[0019] Each of the plurality of picture element regions may have a transmissive region for performing display in a transmissive mode.

【0020】本発明による液晶表示装置の製造方法は、
第1基板と、第2基板と、前記第1基板と前記第2基板
との間に設けられた液晶層とを有し、複数の絵素領域の
それぞれに反射モードで表示を行う反射領域を有する、
液晶表示装置の製造方法であって、(a)複数の走査配
線と、前記複数の走査配線に交差する複数の信号配線
と、前記走査配線と前記信号配線とに電気的に接続され
た複数のスイッチング素子とが形成された第1基板を用
意する工程と、(b)前記第1基板上に、感光性樹脂を
用いて前記スイッチング素子を覆う絶縁膜を形成し、フ
ォトリソグラフィプロセスによって前記絶縁膜に複数の
凸部群を形成する工程と、(c)前記絶縁膜上に、反射
電極が、前記信号配線と前記走査配線とが互いに交差す
る領域と重畳する第1重畳領域、および、前記スイッチ
ング素子と重畳する第2重畳領域の少なくとも一方を含
む重畳領域を形成するように、前記反射電極を設ける工
程と、を包含し、前記工程(b)において用いるフォト
マスクは、所定の第1光強度分布を生成する第1フォト
マスクパターンが形成された第1領域と、前記第1光強
度分布とは異なる所定の第2光強度分布を生成する第2
フォトマスクパターンが形成された第2領域とを有し、
前記フォトマスクを用いたフォトリソグラフィプロセス
によって、前記絶縁膜に形成される前記複数の凸部群
は、重畳領域となる領域を含む第1パターニング領域内
に位置する前記絶縁膜に、前記第1フォトマスクパター
ンに応じた複数の凸部が形成されてなる第1凸部群と、
反射領域となる領域内の前記第1パターニング領域を除
く第2パターニング領域内に位置する前記絶縁膜に、前
記第2フォトマスクパターンに応じた複数の凸部が形成
されてなる第2凸部群とを有し、前記第1凸部群に含ま
れる複数の凸部の中心間距離は、前記第2凸部群に含ま
れる複数の凸部の中心間距離よりも短いことを特徴とし
ており、そのことによって上記目的が達成される。
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises:
A reflection region having a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate, and performing display in a reflection mode on each of the plurality of pixel regions. Have,
A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: (a) a plurality of scanning lines, a plurality of signal lines intersecting the plurality of scanning lines, and a plurality of signal lines electrically connected to the scanning lines and the signal lines. Preparing a first substrate on which a switching element is formed; and (b) forming an insulating film covering the switching element on the first substrate using a photosensitive resin, and forming the insulating film by a photolithography process. Forming a plurality of convex groups on the insulating film; and (c) a first overlapping region in which the reflective electrode overlaps a region where the signal wiring and the scanning wiring intersect with each other on the insulating film; and Providing the reflective electrode so as to form an overlap region including at least one of a second overlap region overlapping with the element, wherein the photomask used in the step (b) has a predetermined shape. Second generating a first region in which the first photo-mask pattern that generates a light intensity distribution is formed, the second light intensity distribution of the different predetermined from the first light intensity distribution
A second region on which a photomask pattern is formed,
By the photolithography process using the photomask, the plurality of convex groups formed on the insulating film are formed on the insulating film located in a first patterning region including a region to be an overlapping region. A first projection group formed by forming a plurality of projections corresponding to the mask pattern;
A second group of convex portions, in which a plurality of convex portions corresponding to the second photomask pattern are formed on the insulating film located in the second patterning region excluding the first patterning region in a region to be a reflection region. Wherein the center distance of the plurality of protrusions included in the first protrusion group is shorter than the center distance of the plurality of protrusions included in the second protrusion group, Thereby, the above object is achieved.

【0021】前記複数の凸部群を、熱処理を行うことに
よって変形させて、前記絶縁膜の表面をなだらかな凹凸
状に形成する工程をさらに包含することが好ましい。
[0021] It is preferable that the method further includes a step of deforming the plurality of convex groups by performing a heat treatment to form the surface of the insulating film into a smooth irregular shape.

【0022】前記絶縁膜のなだらかな凹凸状に形成され
た前記表面に、更なる絶縁膜を形成してもよい。
[0022] A further insulating film may be formed on the surface of the insulating film which is formed in a gentle uneven shape.

【0023】前記フォトマスクは、透過部と遮光部とを
有し、前記透過部および前記遮光部のうち、一方は島状
に形成されており、他方は海状に形成されている構成と
してもよい。
[0023] The photomask may have a configuration in which a transmissive portion and a light shielding portion are provided, one of the transmissive portion and the light shielding portion is formed in an island shape, and the other is formed in a sea shape. Good.

【0024】前記透過部および前記遮光部のうち、島状
に形成されている前記一方は、前記第1領域に含まれる
複数の第1島状部と、前記第2領域に含まれる複数の第
2島状部とを有し、前記複数の第1島状部は、中心間距
離が6μm以下に形成されており、前記複数の第2島状
部は、中心間距離が6μm以上に形成されていることが
好ましい。
The one of the transmissive portion and the light-shielding portion, which is formed in an island shape, includes a plurality of first island portions included in the first region and a plurality of first island portions included in the second region. A plurality of first islands having a center distance of 6 μm or less, and a plurality of second islands having a center distance of 6 μm or more. Is preferred.

【0025】本発明による他の液晶表示装置の製造方法
は、第1基板と、第2基板と、前記第1基板と前記第2
基板との間に設けられた液晶層とを有し、前記第1基板
上に形成された反射層を有し、前記反射層は、入射光を
散乱させるための凹凸状表面を有する、液晶表示装置の
製造方法であって、第1基板上に絶縁膜を形成する工程
と、前記絶縁膜に複数の凸部を形成する工程であって、
前記複数の凸部が第1の密度で形成される第1領域と第
2の密度で形成される第2領域とを形成することによっ
て、前記第1領域と前記第2領域の平均膜厚を互いに異
ならせる工程と、前記絶縁膜上に反射膜を堆積すること
によって、前記絶縁膜の前記複数の凸部に応じた凹凸状
表面を有する反射層を形成する工程と、を包含し、その
ことによって上記目的が達成される。
Another method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises a first substrate, a second substrate, the first substrate and the second substrate.
A liquid crystal layer provided between the first substrate and the liquid crystal layer, wherein the reflective layer has an uneven surface for scattering incident light. A method of manufacturing a device, comprising: a step of forming an insulating film on a first substrate; and a step of forming a plurality of projections on the insulating film.
By forming a first region in which the plurality of protrusions are formed at a first density and a second region in which the plurality of protrusions are formed at a second density, the average film thickness of the first region and the second region is reduced. Differentiating each other, and depositing a reflective film on the insulating film, thereby forming a reflective layer having an uneven surface corresponding to the plurality of convex portions of the insulating film. The above object is achieved by the above.

【0026】以下、本発明の作用について説明する。Hereinafter, the operation of the present invention will be described.

【0027】本発明の液晶表示装置においては、信号配
線と走査配線とが互いに交差する領域の上層や、スイッ
チング素子の上層にも反射電極が形成される。従って、
反射電極の面積を大きくすることが可能となり、開口率
が向上して明るい表示を行うことが可能となる。
In the liquid crystal display device of the present invention, the reflection electrode is also formed on the upper layer where the signal wiring and the scanning wiring cross each other, and also on the switching element. Therefore,
The area of the reflective electrode can be increased, the aperture ratio can be improved, and bright display can be performed.

【0028】また、反射領域内の絶縁膜の表面が全面に
亘って凹凸状に形成されるので、絶縁膜上に形成される
反射電極の表面は全面に亘って凹凸を有する。従って、
反射電極が、観察方向となる特定の角度範囲の散乱光強
度が高く、且つ、均一となるような散乱特性を全面に亘
って有するようにできる。その結果、視認性が良く明る
い表示を行うことが可能となる。
Further, since the surface of the insulating film in the reflection region is formed to be uneven over the entire surface, the surface of the reflective electrode formed on the insulating film has unevenness over the entire surface. Therefore,
The reflective electrode can have scattering characteristics over the entire surface such that the intensity of scattered light in a specific angle range serving as the observation direction is high and uniform. As a result, a bright display with good visibility can be performed.

【0029】さらに、重畳領域内に位置する絶縁膜の凹
凸状表面の凹部の高さは、反射領域内の重畳領域以外の
領域に形成される絶縁膜の凹凸状表面の凹部の高さより
も高く形成されるので、スイッチング素子、走査配線ま
たは信号配線と、反射電極との間の電気的短絡の発生が
抑制される。
Further, the height of the concave portion on the uneven surface of the insulating film located in the overlapping region is higher than the height of the concave portion on the uneven surface of the insulating film formed in the region other than the overlapping region in the reflective region. Since it is formed, the occurrence of an electrical short circuit between the switching element, the scanning wiring or the signal wiring, and the reflective electrode is suppressed.

【0030】なお、本願明細書において、絶縁膜の表面
の「高さ」という用語を用いる。この「高さ」は、ある
基準面(例えば、液晶パネル全面に亘って平坦な基板の
表面)から絶縁膜の表面までの高さを指す。
In this specification, the term "height" of the surface of the insulating film is used. The “height” refers to the height from a certain reference plane (for example, the surface of the substrate flat over the entire surface of the liquid crystal panel) to the surface of the insulating film.

【0031】また、反射電極が、第1重畳領域以外の領
域において、信号配線および走査配線の少なくとも一方
と重畳する、第3重畳領域をさらに形成するように設け
られており、第3重畳領域内に位置する絶縁膜の表面は
凹凸状に形成されている構成を採用すると、表面に凹凸
を有する反射電極が第3重畳領域上にも形成されるの
で、表面に凹凸を有する反射電極の面積をさらに大きく
することが可能となり、開口率が向上してさらに明る
く、かつ、視認性が良い表示を行うことが可能となる。
Further, the reflection electrode is provided so as to further form a third overlapping region which overlaps with at least one of the signal wiring and the scanning wiring in a region other than the first overlapping region. When the configuration in which the surface of the insulating film located in is formed in an uneven shape is adopted, the reflective electrode having the unevenness on the surface is also formed on the third overlapping region, so that the area of the reflective electrode having the unevenness on the surface is reduced. It is possible to further increase the aperture ratio, improve the aperture ratio, and perform brighter display with good visibility.

【0032】本発明による他の液晶表示装置において
は、スイッチング素子および配線の上層にも反射電極が
形成されるので、反射電極の面積を大きくすることが可
能となり、開口率が向上して明るい表示を行うことが可
能となる。
In another liquid crystal display device according to the present invention, since a reflective electrode is also formed on the switching element and the wiring, the area of the reflective electrode can be increased, the aperture ratio is improved, and a bright display is achieved. Can be performed.

【0033】また、反射領域内の第1重畳領域と第2重
畳領域とを除く領域の絶縁膜の表面は、第3重畳領域も
含めて全面に亘って凹凸状に形成されるので、絶縁膜上
に形成される反射電極の表面は、ほぼ全面に亘って凹凸
を有する。従って、反射電極が、観察方向となる特定の
角度範囲の散乱光強度が高く、且つ、均一となるような
散乱特性をほぼ全面に亘って有するようにできる。その
結果、視認性が良く明るい表示を行うことが可能とな
る。
Further, since the surface of the insulating film in the region other than the first overlapping region and the second overlapping region in the reflection region is formed over the entire surface including the third overlapping region, the insulating film is formed. The surface of the reflective electrode formed thereon has irregularities over almost the entire surface. Therefore, the reflective electrode can have a scattering characteristic over a substantially entire surface in which the intensity of scattered light in a specific angle range serving as the observation direction is high and uniform. As a result, a bright display with good visibility can be performed.

【0034】さらに、第1重畳領域内および第2重畳領
域内に位置する絶縁膜の表面は平坦に形成されるととも
に、その高さは、反射領域内の第1重畳領域と第2重畳
領域とを除く領域に形成された凹凸状表面の平均高さよ
りも高いので、スイッチング素子、走査配線または信号
配線と、反射電極との間の電気的短絡の発生が抑制され
る。
Further, the surfaces of the insulating films located in the first overlapping region and the second overlapping region are formed to be flat, and the height thereof is equal to that of the first overlapping region and the second overlapping region in the reflection region. Since the height is higher than the average height of the uneven surface formed in the region excluding the above, the occurrence of an electric short circuit between the switching element, the scanning wiring or the signal wiring, and the reflective electrode is suppressed.

【0035】本発明による液晶表示装置の製造方法にお
いては、絶縁膜に複数の凸部を形成する工程において、
第1領域および第2領域にそれぞれ第1の密度および第
2の密度で複数の凸部を形成することにより、第1領域
および第2領域の平均膜厚を互いに異ならせることがで
きる。通常、絶縁膜に複数の凸部を形成する工程は、後
の工程で絶縁膜上に形成される反射層が凹凸状表面を有
するようにする目的で行われるものであるから、本発明
による製造方法によれば、余分な工程を設けることな
く、第1領域および第2領域の平均膜厚を互いに異なら
せることができる。その結果、互いに異なる平均膜厚を
もつ第1領域および第2領域上に、凹凸状表面を有する
反射層が形成された液晶表示装置を効率よく製造でき
る。
In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, in the step of forming a plurality of convex portions on the insulating film,
By forming a plurality of protrusions at the first density and the second density in the first area and the second area, respectively, the average film thickness of the first area and the second area can be made different from each other. Usually, the step of forming a plurality of convex portions on the insulating film is performed for the purpose of making the reflective layer formed on the insulating film in a later step have an uneven surface. According to the method, the average film thicknesses of the first region and the second region can be made different from each other without providing an extra step. As a result, it is possible to efficiently manufacture a liquid crystal display device in which a reflective layer having an uneven surface is formed on the first region and the second region having different average film thicknesses.

【0036】また、凹凸状表面を有する反射層が形成さ
れた液晶表示装置の生産ラインにおいて、反射層の凹凸
状表面の形状の制御を容易かつ再現性良く行うために、
感光性樹脂を用いて形成された絶縁膜にフォトリソグラ
フィプロセスによって複数の凸部を形成し、この絶縁膜
上に反射層を形成する工程を採用することができるが、
本発明による製造方法は、このような工程を採用した既
存の生産ラインにおいて、所定のフォトマスクを用意す
るだけで、新たな設備・工程を設ける必要なく好適に実
施されるので、特に有効である。
In a production line of a liquid crystal display device on which a reflective layer having an uneven surface is formed, in order to easily and reproducibly control the shape of the uneven surface of the reflective layer,
A step of forming a plurality of convex portions by a photolithography process on an insulating film formed using a photosensitive resin and forming a reflective layer on the insulating film can be employed.
The manufacturing method according to the present invention is particularly effective in an existing production line that employs such a process, since the process is preferably performed by simply preparing a predetermined photomask without the need to provide new facilities and processes. .

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
による実施形態の液晶表示装置およびその製造方法を説
明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるもので
はない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same will be described with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments.

【0038】(実施形態1)まず、図1および図2を参
照しながら、本発明の実施形態1における液晶表示装置
100の構造を説明する。図1は、実施形態1における
液晶表示装置100の絵素領域部分の構成を示した平面
図である。また、図2(a)および(b)は、実施形態
1における液晶表示装置100の絵素領域部分の構成を
示した断面図である。図2(a)は、図1のA−A’線
に沿った断面図に相当し、図2(b)は、図1のB−
B’線に沿った断面図に相当する。なお、本願明細書に
おいては、表示における最小単位を「絵素」とし、「絵
素」に対応する液晶表示装置の領域を「絵素領域」とい
う。
Embodiment 1 First, the structure of a liquid crystal display device 100 according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a picture element region portion of the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment. FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating a configuration of a picture element region of the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment. FIG. 2A corresponds to a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1, and FIG.
This corresponds to a cross-sectional view along the line B ′. In the specification of the present application, the minimum unit in display is “picture element”, and the area of the liquid crystal display device corresponding to “picture element” is called “picture element area”.

【0039】液晶表示装置100は、図2に示すよう
に、第1基板100aと、第2基板100bと、第1基
板100aと第2基板100bとの間に設けられた液晶
層40とを有している。
As shown in FIG. 2, the liquid crystal display device 100 has a first substrate 100a, a second substrate 100b, and a liquid crystal layer 40 provided between the first substrate 100a and the second substrate 100b. are doing.

【0040】第1基板100aは、絶縁性基板10と、
絶縁性基板10上に形成されたスイッチング素子として
の薄膜トランジスタ26と、薄膜トランジスタ26を覆
うように形成され、凹凸状表面を有する層間絶縁膜30
と、層間絶縁膜30の凹凸状表面に形成され、薄膜トラ
ンジスタ26に電気的に接続された反射電極32とを有
している。
The first substrate 100a comprises: an insulating substrate 10;
A thin film transistor 26 as a switching element formed on the insulating substrate 10; and an interlayer insulating film 30 formed so as to cover the thin film transistor 26 and having an uneven surface.
And a reflective electrode 32 formed on the uneven surface of the interlayer insulating film 30 and electrically connected to the thin film transistor 26.

【0041】第2基板100bは、透明基板50と、透
明基板50上に形成された透明電極52とを有してい
る。第2基板100bの外側には位相差板54および偏
光板56が配置されている。また、第1基板100aお
よび/または第2基板100bには、必要に応じて配向
層やカラーフィルタ層(いずれも不図示)などが設けら
れる。
The second substrate 100b has a transparent substrate 50 and a transparent electrode 52 formed on the transparent substrate 50. A retardation plate 54 and a polarizing plate 56 are arranged outside the second substrate 100b. The first substrate 100a and / or the second substrate 100b are provided with an alignment layer, a color filter layer (neither is shown), or the like, if necessary.

【0042】液晶層40としては、偏光モード(例え
ば、TNモード)の表示が可能な液晶層が使用される。
但し、これに限定されるものではなく、従来の様々なモ
ードの液晶層を使用することができ、例えば、ゲストホ
ストモードの液晶層を使用すれば、位相差板54および
偏光板56を省略することが可能となる。
As the liquid crystal layer 40, a liquid crystal layer capable of displaying a polarization mode (for example, TN mode) is used.
However, the present invention is not limited to this, and conventional liquid crystal layers of various modes can be used. For example, if a liquid crystal layer of a guest-host mode is used, the phase difference plate 54 and the polarizing plate 56 are omitted. It becomes possible.

【0043】反射電極32と、反射電極32に液晶層4
0を介して対向する透明電極54とが、絵素領域を規定
する。本実施形態1による液晶表示装置100は、マト
リクス状に配列された複数の絵素領域のそれぞれが、反
射モードで表示を行う反射領域から構成されている反射
型液晶表示装置である。
The reflective electrode 32 and the liquid crystal layer 4
The transparent electrode 54 that is opposed to the pixel via 0 defines a picture element region. The liquid crystal display device 100 according to the first embodiment is a reflective liquid crystal display device in which each of a plurality of picture element regions arranged in a matrix is formed of a reflection region that performs display in a reflection mode.

【0044】次に、図1および図2を参照しながら、第
1基板100aの構成をさらに詳しく説明する。
Next, the structure of the first substrate 100a will be described in more detail with reference to FIGS.

【0045】第1基板100aは、絶縁性基板10上
に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ26が
形成されている。例えば、ガラスなどからなる絶縁性基
板10上に、Ta層からなる走査配線(ゲートバスライ
ン)2とこの走査配線2から分岐されたゲート電極1
2、SiNx層からなるゲート絶縁層16、a−Si層
からなる半導体層18、n型a−Si層からなるn型半
導体層20、Ti層からなる信号配線(データバスライ
ン)4とこの信号配線4から分岐されたソース電極2
2、Ti層からなるドレイン電極24などがそれぞれ成
膜されて構成されており、この薄膜トランジスタ26は
スイッチング素子として機能する。この薄膜トランジス
タ26としては、上述の構造に限定されず、公知の構造
の種々の薄膜トランジスタを用いることができる。
In the first substrate 100a, a thin film transistor 26 as a switching element is formed on an insulating substrate 10. For example, a scanning wiring (gate bus line) 2 made of a Ta layer and a gate electrode 1 branched from the scanning wiring 2 are formed on an insulating substrate 10 made of glass or the like.
2, a gate insulating layer 16 made of a SiNx layer, a semiconductor layer 18 made of an a-Si layer, an n-type semiconductor layer 20 made of an n-type a-Si layer, a signal wiring (data bus line) 4 made of a Ti layer, and the signal Source electrode 2 branched from wiring 4
2. The thin film transistor 26 functions as a switching element. The thin film transistor 26 is not limited to the above-described structure, and various thin film transistors having a known structure can be used.

【0046】なお、本実施形態1では、走査配線2およ
びゲート電極12と同じTa層から補助容量配線14が
形成されており、その上に形成されたゲート絶縁層16
と、さらにその上に形成される補助容量電極(不図示)
とによって、補助容量を構成し、液晶層に印加される電
圧を保持する役割を果たす。勿論、補助容量配線14お
よび補助容量電極は、省略してもよい。
In the first embodiment, the auxiliary capacitance wiring 14 is formed from the same Ta layer as the scanning wiring 2 and the gate electrode 12, and the gate insulating layer 16 formed thereon is formed.
And an auxiliary capacitance electrode formed thereon (not shown)
These functions constitute an auxiliary capacitor and serve to hold a voltage applied to the liquid crystal layer. Of course, the auxiliary capacitance line 14 and the auxiliary capacitance electrode may be omitted.

【0047】上述のような薄膜トランジスタ26が形成
された絶縁性基板10の全面を覆うように、凹凸状表面
を有する層間絶縁膜30が、例えば感光性樹脂を用いて
形成されている。この層間絶縁膜30の凹凸状表面に、
例えばAl層とMo層との積層膜からなる反射電極32
が形成されており、この反射電極32は、薄膜トランジ
スタ26を構成するドレイン電極24と、コンタクトホ
ール6を介して電気的に接続されている。
An interlayer insulating film 30 having an uneven surface is formed using, for example, a photosensitive resin so as to cover the entire surface of the insulating substrate 10 on which the above-described thin film transistor 26 is formed. On the uneven surface of the interlayer insulating film 30,
For example, a reflective electrode 32 formed of a laminated film of an Al layer and a Mo layer
The reflective electrode 32 is electrically connected to the drain electrode 24 forming the thin film transistor 26 via the contact hole 6.

【0048】本実施形態1では、図1および図2に示し
たように、反射電極32は、信号配線4と走査配線2ま
たは補助容量配線14とが互いに交差する領域と重畳す
る第1重畳領域、薄膜トランジスタ26と重畳する第2
重畳領域、および、第1重畳領域以外の領域において、
信号配線4または走査配線2と重畳する第3重畳領域を
形成するように設けられている。このような構成とする
ことにより、反射電極32の面積を大きくすることが可
能となり、開口率が向上して明るい表示を行うことが可
能となっている。
In the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the reflective electrode 32 is formed in the first overlapping area where the signal wiring 4 and the scanning wiring 2 or the auxiliary capacitance wiring 14 overlap with the area where they cross each other. The second overlapping with the thin film transistor 26
In the superimposition region and the region other than the first superimposition region,
It is provided so as to form a third overlapping region that overlaps with the signal wiring 4 or the scanning wiring 2. With such a configuration, the area of the reflective electrode 32 can be increased, and the aperture ratio can be improved to perform bright display.

【0049】また、反射領域内の層間絶縁膜30の表面
が全面に亘って凹凸状に形成されているので、層間絶縁
膜30上に形成される反射電極32の表面も全面に亘っ
て凹凸を有している。従って、反射電極32は、観察方
向となる特定の角度範囲の散乱光強度が高く、且つ、均
一となるような散乱特性を全面に亘って有している。そ
の結果、視認性が良く明るい表示を行うことが可能とな
っている。なお、図1中の参照符号65aおよび65b
は、層間絶縁膜30上に形成された凸部を模式的に表
し、凸部65aおよび65bは、表示面法線方向から見
たとき、典型的には円形を有している。
Further, since the surface of the interlayer insulating film 30 in the reflection region is formed over the entire surface in an uneven shape, the surface of the reflective electrode 32 formed on the interlayer insulating film 30 is also uneven over the entire surface. Have. Therefore, the reflective electrode 32 has a scattering characteristic over the entire surface such that the intensity of scattered light in a specific angle range serving as the observation direction is high and uniform. As a result, it is possible to perform bright display with good visibility. Note that reference numerals 65a and 65b in FIG.
Schematically shows a protrusion formed on the interlayer insulating film 30, and the protrusions 65a and 65b typically have a circular shape when viewed from the normal direction of the display surface.

【0050】さらに、第1重畳領域および第2重畳領域
内に位置する層間絶縁膜30の凹凸状表面の凹部の高さ
は、反射領域内の第1重畳領域および第2重畳領域以外
の領域に形成される層間絶縁膜30の凹凸状表面の凹部
の高さよりも高い構成となっている。このような構成と
することにより、薄膜トランジスタ26または信号配線
4と、反射電極32との間の電気的短絡の発生が抑制さ
れる。
Further, the height of the concave portion on the uneven surface of the interlayer insulating film 30 located in the first overlapping region and the second overlapping region is set to a level other than the first overlapping region and the second overlapping region in the reflection region. The structure is higher than the height of the concave portion on the uneven surface of the formed interlayer insulating film 30. With such a configuration, occurrence of an electrical short circuit between the thin film transistor 26 or the signal wiring 4 and the reflective electrode 32 is suppressed.

【0051】なお、本実施形態1では、図1および図2
(b)に示したように、走査配線2または補助容量配線
14と、信号配線4とが互いに交差している領域に位置
するゲート絶縁層16上に、半導体層18およびn型半
導体層20と同層から形成される半導体層18aおよび
n型半導体層20aが形成されている。これは、信号配
線4の断線に備えてのものである。つまり、走査配線2
または補助容量配線14と、信号配線4とが互いに交差
している領域においては、走査配線2または補助容量配
線14の厚さのために、それらと交差するように形成さ
れる信号配線4に断線が発生しやすいので、信号配線4
の下層に導電体であるn型半導体層20aを形成するこ
とで、信号配線4が断線しても信号を伝達することを可
能にしている。半導体層18aとn型半導体層20aが
積層されているのは、薄膜トランジスタ26を形成する
工程において、絶縁性基板10上に積層されたa−Si
およびn型a−Siが同時にパターニングされること
で、半導体層18およびn型半導体層20と、半導体層
18aおよびn型半導体層20aとが同時に形成される
ためである。勿論、半導体層18aおよびn型半導体層
20aは、省略してもよい。
In the first embodiment, FIGS. 1 and 2
As shown in (b), the semiconductor layer 18 and the n-type semiconductor layer 20 are formed on the gate insulating layer 16 located in a region where the scanning wiring 2 or the auxiliary capacitance wiring 14 and the signal wiring 4 cross each other. A semiconductor layer 18a and an n-type semiconductor layer 20a formed from the same layer are formed. This is to prepare for the disconnection of the signal wiring 4. That is, the scanning wiring 2
Alternatively, in a region where the auxiliary capacitance wiring 14 and the signal wiring 4 intersect each other, the signal wiring 4 formed so as to intersect with the scanning wiring 2 or the auxiliary capacitance wiring 14 due to the thickness thereof is disconnected. Signal wiring 4
By forming an n-type semiconductor layer 20a, which is a conductor, in the lower layer, it is possible to transmit a signal even if the signal wiring 4 is disconnected. The reason why the semiconductor layer 18a and the n-type semiconductor layer 20a are laminated is that the a-Si layer laminated on the insulating substrate 10 in the step of forming the thin film transistor 26 is formed.
This is because the semiconductor layer 18 and the n-type semiconductor layer 20 and the semiconductor layer 18a and the n-type semiconductor layer 20a are simultaneously formed by simultaneously patterning the n-type a-Si. Of course, the semiconductor layer 18a and the n-type semiconductor layer 20a may be omitted.

【0052】続いて、図1、図2および図3を参照しな
がら、本実施形態による液晶表示装置100の製造方法
を説明する。図3は、本実施形態1による液晶表示装置
100における第1基板100aの製造工程を示したプ
ロセス断面図であり、特に、層間絶縁膜30に凹凸状表
面を形成し、その凹凸状表面に反射電極32を形成する
工程を説明するものである。
Subsequently, the method for manufacturing the liquid crystal display device 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 3. FIG. 3 is a process cross-sectional view showing a manufacturing process of the first substrate 100a in the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment. In particular, the uneven surface is formed on the interlayer insulating film 30 and the uneven surface is reflected. This is for describing a step of forming the electrode 32.

【0053】本実施形態による液晶表示装置100は、
例えば、以下のようにして製造される。
The liquid crystal display device 100 according to the present embodiment is
For example, it is manufactured as follows.

【0054】まず、図3(a)に示すように、薄膜トラ
ンジスタ26が形成された絶縁性基板10の表面に、層
間絶縁膜30となるポジ型の感光性樹脂30(例えば、
JSR社製JAS100)を塗布する。感光性樹脂30
は、約1μm〜約4μmの厚さを有することが好まし
い。本実施形態1では、約2.1μmの厚さを有するよ
うに成膜する。
First, as shown in FIG. 3A, on the surface of the insulating substrate 10 on which the thin film transistor 26 is formed, a positive photosensitive resin 30 (for example,
JAS100 manufactured by JSR) is applied. Photosensitive resin 30
Preferably has a thickness of about 1 μm to about 4 μm. In the first embodiment, the film is formed to have a thickness of about 2.1 μm.

【0055】次に、図4(a)に示すようなフォトマス
ク60を、図3(b)に示すように配置して、第1の露
光を行う。第1の露光時の露光量は約50mJ/cm2
〜約250mJ/cm2の範囲内であることが好まし
く、本実施形態1においては約75mJ/cm2で露光
を行う。
Next, a first exposure is performed by disposing a photomask 60 as shown in FIG. 4A as shown in FIG. 3B. The exposure amount at the time of the first exposure is about 50 mJ / cm 2
Preferably in the range of about 250 mJ / cm 2, performing exposure at about 75 mJ / cm 2 in the present embodiment 1.

【0056】このときのフォトマスク60のパターン
は、図4(a)に示すように海状に透過部62が配置さ
れており、複数の円形遮光部64aおよび64bが島状
に配置された構成となっている。このフォトマスク60
は、反射領域内の感光性樹脂30が第1重畳領域および
第2重畳領域となる領域を含む第1パターニング領域と
この第1パターニング領域を除く第2パターニング領域
とを有していることに対応して、第1パターニング領域
に対応する第1領域66と、第2パターニング領域に対
応する第2領域68とを有している。さらに、フォトマ
スク60は、第1領域66に複数の円形遮光部64aが
配置されており、第2領域68に複数の円形遮光部64
bが配置されているとともに、複数の円形遮光部64a
の中心間距離は、複数の円形遮光部64bの中心間距離
よりも短い構成となっている。なお、本願明細書中にお
いて「中心間距離」は、隣合う円形遮光部の中心間の距
離を表すものとする。複数の円形遮光部64aの中心間
距離は、約6μm以下であることが好ましく、約5μm
以下であることがさらに好ましい。複数の円形遮光部6
4bの中心間距離は、約6μm以上であることが好まし
く、約6μm〜約12μmの範囲内であることがさらに
好ましい。このようなフォトマスク60と、全面に感光
性樹脂30が塗布された絶縁性基板10との位置合わせ
を行った後に露光を行う。
The pattern of the photomask 60 at this time has a structure in which the transmissive portions 62 are arranged in a sea shape as shown in FIG. 4A, and a plurality of circular light shielding portions 64a and 64b are arranged in an island shape. It has become. This photomask 60
Corresponds to the fact that the photosensitive resin 30 in the reflection region has a first patterning region including a region to be a first overlap region and a second overlap region, and a second pattern region excluding the first pattern region. In addition, it has a first region 66 corresponding to the first patterning region and a second region 68 corresponding to the second patterning region. Further, in the photomask 60, a plurality of circular light shielding portions 64 a are arranged in the first region 66, and a plurality of circular light shielding portions 64
b, and a plurality of circular light shielding portions 64a
Is shorter than the center distance of the plurality of circular light shielding portions 64b. In the specification of the present application, “center-to-center distance” indicates the distance between centers of adjacent circular light-shielding portions. The distance between the centers of the plurality of circular light-shielding portions 64a is preferably about 6 μm or less, and is preferably about 5 μm.
It is more preferred that: Plural circular light shielding parts 6
The center-to-center distance of 4b is preferably about 6 μm or more, and more preferably in the range of about 6 μm to about 12 μm. Exposure is performed after such a photomask 60 is aligned with the insulating substrate 10 having the photosensitive resin 30 applied to the entire surface.

【0057】なお、本実施形態1では、コンタクトホー
ル6に対応する領域は完全な透過部67とし、円形遮光
部64bを配置していないが、後の工程でコンタクトホ
ール6に対応する感光性樹脂30は完全に除去されるた
め、円形遮光部64bを配置していてもかまわない。ま
た、本実施形態1では、遮光部を円形としたが、これに
限定されず、楕円形や多角形でもよい。
In the first embodiment, the region corresponding to the contact hole 6 is a complete transmissive portion 67 and the circular light-shielding portion 64b is not disposed, but the photosensitive resin corresponding to the contact hole 6 will be described later. Since 30 is completely removed, a circular light shielding portion 64b may be arranged. Further, in the first embodiment, the light-shielding portion is circular, but is not limited thereto, and may be elliptical or polygonal.

【0058】次に、上述したように露光を行った状態
で、図4(b)に示すようなフォトマスク70を図3
(c)に示すように配置して、第2の露光を行う。第2
の露光時の露光量は、約270mJ/cm2〜約800
mJ/cm2の範囲内であることが好ましく、本実施形
態1においては、約390mJ/cm2で露光を行う。
Next, in the state where the exposure has been performed as described above, a photomask 70 as shown in FIG.
The second exposure is performed with the arrangement as shown in FIG. Second
Is about 270 mJ / cm 2 to about 800 mJ / cm 2.
It is preferably within the range of mJ / cm 2 , and in the first embodiment, the exposure is performed at about 390 mJ / cm 2 .

【0059】このときのフォトマスク70のパターン
は、図4(b)に示すように、コンタクトホール6に対
応する領域を透過部72とし、それ以外の領域を遮光部
74とした構成となっている。このようなフォトマスク
70と、絶縁性基板10との位置合わせを行った後に露
光を行う。
As shown in FIG. 4B, the pattern of the photomask 70 at this time has a structure in which a region corresponding to the contact hole 6 is a transmissive portion 72 and the other region is a light shielding portion 74. I have. Exposure is performed after the photomask 70 and the insulating substrate 10 are aligned.

【0060】その後、絶縁性基板10上の感光性樹脂3
0を、例えば、林純薬社製TMAH(0.1%)により
現像すると、図3(d)に示すように、感光性樹脂30
の表面に凹凸が形成される。第2の露光により光が照射
されなかった領域(凹凸が形成される領域)の感光性樹
脂30は、第1の露光強度が比較的弱い(約75mJ/
cm2)ために現像時に完全に除去された領域が存在し
ない。なお、このような露光方法を「ハーフ露光」と呼
ぶこともある。一方、第1の露光および第2の露光をと
おして光が照射された領域(コンタクトホール6に対応
する領域)の感光性樹脂30は、現像時に完全に除去さ
れた状態となる。
Thereafter, the photosensitive resin 3 on the insulating substrate 10
0 is developed with, for example, TMAH (0.1%) manufactured by Hayashi Junyaku Co., Ltd., as shown in FIG.
Are formed on the surface of the substrate. The photosensitive resin 30 in a region where light is not irradiated by the second exposure (a region where unevenness is formed) has a relatively low first exposure intensity (about 75 mJ /
cm 2 ), there are no areas completely removed during development. Note that such an exposure method is sometimes referred to as “half exposure”. On the other hand, the photosensitive resin 30 in a region irradiated with light through the first exposure and the second exposure (a region corresponding to the contact hole 6) is completely removed at the time of development.

【0061】そして、ghI線(高圧水銀ランプ)によ
り全面露光(露光量は約500mJ/cm2)を行った
後、約220℃で約75分間の加熱処理を行うことによ
り、図3(e)に示すように、感光性樹脂30の凹凸状
表面は熱だれ現象によって変形し、角がとれてなだらか
な凹凸状となる。このとき、第1パターニング領域の凹
部の高さが、第2パターニング領域の凹部の高さよりも
高くなるように、凹凸状表面が形成される。この理由に
ついては、後述する。
Then, after performing the entire surface exposure (exposure amount: about 500 mJ / cm 2 ) with a ghI line (high pressure mercury lamp), a heat treatment is performed at about 220 ° C. for about 75 minutes to obtain FIG. As shown in (2), the uneven surface of the photosensitive resin 30 is deformed by the heat dripping phenomenon, and the corners are removed to form a gentle uneven shape. At this time, the uneven surface is formed such that the height of the recess in the first patterning region is higher than the height of the recess in the second patterning region. The reason will be described later.

【0062】なお、上述のようになだらかな凹凸状表面
が形成された感光性樹脂30上に、絶縁性樹脂を堆積さ
せて更なる絶縁膜を形成してもよい。絶縁性樹脂とし
て、例えば、感光性樹脂30と同じ材料のものであっ
て、感光性樹脂30より粘度を低下させたものを用いて
もよい。例えば、感光性樹脂30として、粘度が約9c
P〜約30cP(約9×10-3Ns/m2〜3×10-2
Ns/m2)のJSR社製JAS100を用いた場合、
絶縁性樹脂として、粘度が約3cP(約3×10-3Ns
/m2)以下のJSR社製JAS100を用いる。更な
る絶縁膜を形成する場合には、図3(b)に示した工程
において実行される第1の露光はハーフ露光でなくても
よく、露光強度を強くすることによって凹部となる領域
の感光性樹脂30が現像時に完全に除去されてもよいの
で、第1の露光において同時にコンタクトホール6を形
成することができ、図3(c)に示した第2の露光を省
略することができる。
Further, an insulating resin may be deposited on the photosensitive resin 30 having the gentle uneven surface as described above to form a further insulating film. As the insulating resin, for example, the same material as the photosensitive resin 30 having a lower viscosity than the photosensitive resin 30 may be used. For example, the photosensitive resin 30 has a viscosity of about 9 c
P to about 30 cP (about 9 × 10 −3 Ns / m 2 to 3 × 10 −2
Ns / m 2 ) when using JAS100 manufactured by JSR,
As an insulating resin, the viscosity is about 3 cP (about 3 × 10 −3 Ns
/ M 2 ) The following JSR100 manufactured by JSR is used. In the case where an additional insulating film is formed, the first exposure performed in the step shown in FIG. 3B does not have to be half exposure. Since the conductive resin 30 may be completely removed at the time of development, the contact hole 6 can be simultaneously formed in the first exposure, and the second exposure shown in FIG. 3C can be omitted.

【0063】また、本実施形態1では、ポジ型の感光性
樹脂30を用いたが、これに限定されず、ネガ型の感光
性樹脂30を用いてもよい。ネガ型のものを用いる場
合、図3(b)および(c)に示した工程において、フ
ォトマスク60および70に代えて、図5(a)および
図5(b)に示すようなフォトマスク80および90を
用いて露光を行えばよい。図5(a)に示したフォトマ
スク80のパターンは、図4(b)に示したフォトマス
ク70の透過部72および遮光部74を、それぞれ遮光
部82および透過部84に置き換えた構成となってい
る。図5(b)に示したフォトマスク90のパターン
は、図4(a)に示したフォトマスク60の透過部6
2、透過部67、円形遮光部64aおよび円形遮光部6
4bを、それぞれ遮光部92、遮光部97、円形透過部
94aおよび円形透過部94bに置き換えた構成となっ
ている。
In the first embodiment, the positive photosensitive resin 30 is used. However, the present invention is not limited to this, and a negative photosensitive resin 30 may be used. When a negative type is used, in the process shown in FIGS. 3B and 3C, a photomask 80 as shown in FIGS. 5A and 5B is used instead of the photomasks 60 and 70. Exposure may be performed using the steps 90 and 90. The pattern of the photomask 80 shown in FIG. 5A has a configuration in which the transmissive portion 72 and the light-shielding portion 74 of the photomask 70 shown in FIG. ing. The pattern of the photomask 90 shown in FIG. 5B corresponds to the transmitting portion 6 of the photomask 60 shown in FIG.
2. Transmission part 67, circular light-shielding part 64a and circular light-shielding part 6
4b is replaced with a light-shielding portion 92, a light-shielding portion 97, a circular transmitting portion 94a, and a circular transmitting portion 94b, respectively.

【0064】続いて、図3(f)に示すように、なだら
かな凹凸状表面が形成された感光性樹脂30上に、反射
電極32としてのAl層とMo層との積層膜を、例えば
スパッタリング法によって約200nmの膜厚に形成
し、1つの絵素領域において1つの薄膜トランジスタ2
6に対して1つの反射電極32が対応するようにパター
ニングを行う。ここで、本実施形態1における反射電極
32は、図1に示したように、第1重畳領域、第2重畳
領域および第3重畳領域を形成するような構成とする。
Subsequently, as shown in FIG. 3 (f), a laminated film of an Al layer and a Mo layer as the reflective electrode 32 is formed on the photosensitive resin 30 on which the smooth uneven surface is formed, for example, by sputtering. Formed to a thickness of about 200 nm by one method, and one thin film transistor 2 in one picture element region.
Patterning is performed so that one reflective electrode 32 corresponds to 6. Here, as shown in FIG. 1, the reflective electrode 32 according to the first embodiment is configured to form a first overlap region, a second overlap region, and a third overlap region.

【0065】なお、本実施形態1においては、反射電極
32が形成されない領域の感光性樹脂30には、凹凸状
表面が形成されない構成としたが、もちろん凹凸状表面
が形成されていてもよい。反射電極32が形成されない
領域の感光性樹脂30にも凹凸状表面が形成されている
構成とすると、反射電極の端近傍の領域と端近傍以外の
領域との表示品位をより均一にすることができるという
利点がある。
In the first embodiment, the photosensitive resin 30 in the region where the reflective electrode 32 is not formed has no uneven surface. However, it is needless to say that the uneven surface may be formed. If the photosensitive resin 30 in the region where the reflective electrode 32 is not formed is also formed with the uneven surface, the display quality in the region near the end of the reflective electrode and the region other than the end can be made more uniform. There is an advantage that you can.

【0066】また、この反射電極32は、コンタクトホ
ール6を介して薄膜トランジスタ26のドレイン電極2
4と電気的に接続されているとともに、感光性樹脂30
上に形成されたなだらかな凹凸状表面に沿って形成され
ることになるため、この反射電極32の表面もまた、感
光性樹脂30の凹凸状表面に応じた凹凸を有することに
なる。
The reflection electrode 32 is connected to the drain electrode 2 of the thin film transistor 26 through the contact hole 6.
4 and the photosensitive resin 30
Since the reflective electrode 32 is formed along the gentle uneven surface formed thereon, the surface of the reflective electrode 32 also has unevenness corresponding to the uneven surface of the photosensitive resin 30.

【0067】このような図3(a)〜(f)に示した工
程によって、全面に亘って凹凸状表面を有する反射電極
32を形成することができ、観察方向となる特定の角度
範囲の散乱光強度が高く、且つ、均一となるような散乱
特性を全面に亘って有する反射電極32を、複数の絵素
領域のそれぞれに有する第1基板100aが完成する。
By the steps shown in FIGS. 3A to 3F, the reflection electrode 32 having the uneven surface can be formed over the entire surface, and the scattering in a specific angle range serving as the observation direction can be achieved. The first substrate 100a in which each of the plurality of picture element regions has the reflective electrode 32 having high scattering intensity and uniform scattering characteristics over the entire surface is completed.

【0068】次に、透明基板(例えば、ガラス基板)5
0上に透明電極(例えば、ITO層)52が形成された
第2基板100bを用意し、第1基板100aと第2基
板100bとの貼り合わせを行う。その後、液晶材料を
注入し、位相差板54および偏光板56を配置すること
により、図1および図2に示したような本実施形態1に
おける液晶表示装置100は完成する。
Next, a transparent substrate (eg, a glass substrate) 5
A second substrate 100b having a transparent electrode (for example, an ITO layer) 52 formed thereon is prepared, and the first substrate 100a and the second substrate 100b are bonded to each other. Thereafter, a liquid crystal material is injected, and the retardation plate 54 and the polarizing plate 56 are arranged, whereby the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment as shown in FIGS. 1 and 2 is completed.

【0069】図3(e)に示した工程において、第1パ
ターニング領域の凹部の高さが、第2パターニング領域
の凹部の高さよりも高くなる理由について、図6および
図7を参照しながら以下に説明する。図6および図7
は、露光・現像されて凹凸が形成された第1パターニン
グ領域および第2パターニング領域に位置する感光性樹
脂30aおよび30bが、熱処理によって熱だれ現象を
おこして変形する様子を模式的に表すプロセス断面図で
ある。
The reason why the height of the recess in the first patterning region is higher than the height of the recess in the second patterning region in the step shown in FIG. 3E will be described below with reference to FIGS. Will be described. 6 and 7
Is a process cross-section schematically showing how the photosensitive resins 30a and 30b located in the first patterning region and the second patterning region on which the projections and depressions have been exposed and developed are deformed due to heat dripping by heat treatment. FIG.

【0070】まず、露光・現像工程が行われると、図6
(a)および図7(a)に示すように、感光性樹脂30
aおよび30bには、それぞれ、フォトマスク60の第
1領域66に配置されている複数の円形遮光部64a
と、第2領域68に配置されている複数の円形遮光部6
4bとに対応して、複数の凸部65aおよび65bが形
成される。フォトマスク60は、複数の円形遮光部64
aの中心間距離が複数の円形遮光部64bの中心間距離
よりも短い構成を有しているので、複数の凸部65aの
中心間距離は、複数の凸部65bの中心間距離よりも短
い。なお、説明を簡明にするために、形成された複数の
凸部65aおよび65bの直径は同じであるとする。
First, when the exposure and development steps are performed, FIG.
(A) and FIG. 7 (a), the photosensitive resin 30
a and 30b respectively include a plurality of circular light-shielding portions 64a arranged in the first region 66 of the photomask 60.
And a plurality of circular light shielding portions 6 arranged in the second region 68
4b, a plurality of convex portions 65a and 65b are formed. The photomask 60 includes a plurality of circular light shielding portions 64.
Since the center distance of a is shorter than the center distance of the plurality of circular light-shielding portions 64b, the center distance of the plurality of protrusions 65a is shorter than the center distance of the plurality of protrusions 65b. . Note that, for simplicity of description, it is assumed that the plurality of formed convex portions 65a and 65b have the same diameter.

【0071】次に、感光性樹脂30aおよび30bに熱
処理を行うと、感光性樹脂30aおよび30bが加熱さ
れることによって軟化し、凸部の角が丸みを帯びるとと
もに凸部の樹脂の一部が凹部に流れ込むような変形を引
き起こす。このとき、複数の凸部65aの中心間距離
は、複数の凸部65bの中心間距離よりも短く形成され
ており、第1パターニング領域には、第2パターニング
領域よりも密に凸部が形成されているので、感光性樹脂
30aは、感光性樹脂30bよりも凸部の割合が高い。
凸部の割合が高いと、熱処理を行ったときに凹部の単位
面積当たりに流れ込む樹脂の量が多くなるので、図6
(b)に示す感光性樹脂30aの 凹凸状表面の凹部の
高さは、図7(b)に示す感光性樹脂30bの凹凸上表
面の凹部の高さよりも高くなる。なお、複数の凸部65
aの直径が、複数の凸部65bの直径よりも小さい場合
にも、複数の凸部65aの中心間距離を適宜短くして、
凸部が形成されている領域の割合を多くすることによっ
て、感光性樹脂30aの凹部の高さを、感光性樹脂30
bの凹部の高さよりも高くすることができる。
Next, when the photosensitive resins 30a and 30b are subjected to a heat treatment, the photosensitive resins 30a and 30b are softened by heating, and the corners of the convex portions are rounded and a part of the resin of the convex portions is reduced. This causes a deformation that flows into the recess. At this time, the distance between the centers of the plurality of protrusions 65a is formed shorter than the distance between the centers of the plurality of protrusions 65b, and the protrusions are formed more densely in the first patterning region than in the second patterning region. Therefore, the ratio of the convex portions of the photosensitive resin 30a is higher than that of the photosensitive resin 30b.
When the ratio of the convex portions is high, the amount of resin flowing per unit area of the concave portions when heat treatment is performed is increased.
The height of the concave portion on the uneven surface of the photosensitive resin 30a shown in FIG. 7B is higher than the height of the concave portion on the uneven surface of the photosensitive resin 30b shown in FIG. 7B. Note that the plurality of convex portions 65
Even when the diameter of a is smaller than the diameter of the plurality of protrusions 65b, the center-to-center distance of the plurality of protrusions 65a is appropriately shortened,
By increasing the proportion of the region where the convex portion is formed, the height of the concave portion of the photosensitive resin 30a can be reduced.
The height can be higher than the height of the concave portion b.

【0072】また、第1領域の複数の円形遮光部64a
を所定の中心間距離よりも短くなるように配置(例え
ば、直径が4μm〜7μmの円形遮光部64aを中心間
距離が6μm以下になるように配置)することによっ
て、隣り合う円形遮光部64a間に位置する透過部62
の幅が、露光機の解像線幅に近くなると、感光性樹脂3
0aの凹部となる領域(透過部62に対応する領域)
は、感光性樹脂30bの凹部となる領域に比べて露光量
が少なくなる。従って、現像時には、図8(a)に示す
ように、感光性樹脂30aの凹部となる領域は、図7
(a)に示す感光性樹脂30bの凹部となる領域に比べ
て浅く除去される。その結果、熱処理を行う前に、感光
性樹脂30aの凹部は感光性樹脂30bの凹部よりも既
に高く形成されているので、引き続いて熱処理を行って
表面をなだらかに形成する際に、図8(b)に示すよう
に、感光性樹脂30aの凹部を感光性樹脂30bの凹部
よりも高く形成することがより容易に実現される。
The plurality of circular light-shielding portions 64a in the first area
Are arranged so as to be shorter than a predetermined center-to-center distance (for example, the circular light-shielding portions 64a having a diameter of 4 μm to 7 μm are arranged so that the center-to-center distance is 6 μm or less), so that adjacent circular light-shielding portions 64a The transmission part 62 located at
Is close to the resolution line width of the exposure machine, the photosensitive resin 3
0a recessed area (area corresponding to transmission section 62)
The exposure amount is smaller than that in the region of the photosensitive resin 30b that becomes the concave portion. Therefore, at the time of development, as shown in FIG.
It is removed shallower than the region which becomes the concave portion of the photosensitive resin 30b shown in FIG. As a result, before the heat treatment, the concave portions of the photosensitive resin 30a are already formed higher than the concave portions of the photosensitive resin 30b. Therefore, when the heat treatment is subsequently performed to form the surface gently, FIG. As shown in b), it is easier to realize that the concave portion of the photosensitive resin 30a is formed higher than the concave portion of the photosensitive resin 30b.

【0073】(実施形態2)図9および図10を参照し
ながら、本発明の実施形態2における液晶表示装置20
0の構造を説明する。図9は、実施形態2における液晶
表示装置200の絵素領域部分の構成を示した平面図で
ある。また、図10(a)および(b)は、実施形態2
における液晶表示装置200の絵素領域部分の構成を示
した断面図である。図10(a)は、図9のC−C’線
に沿った断面図に相当し、図10(b)は、図1のD−
D’線に沿った断面図に相当する。
(Embodiment 2) Referring to FIGS. 9 and 10, a liquid crystal display device 20 according to Embodiment 2 of the present invention will be described.
The structure of 0 will be described. FIG. 9 is a plan view showing a configuration of a picture element region portion of the liquid crystal display device 200 according to the second embodiment. FIGS. 10A and 10B show the second embodiment.
5 is a cross-sectional view showing a configuration of a picture element region portion of the liquid crystal display device 200 in FIG. FIG. 10A corresponds to a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 9, and FIG.
This corresponds to a cross-sectional view along the line D '.

【0074】本実施形態2による液晶表示装置200
は、図9および図10に示すように、第1重畳領域およ
び第2重畳領域に位置する層間絶縁膜30の表面が平坦
に形成されるとともに、その高さが、反射領域内の第1
重畳領域と第2重畳領域とを除く領域に形成された凹凸
状表面の平均高さよりも高い、という点が、上述の実施
形態1による液晶表示装置100とは異なっているが、
その他の構成については上述の液晶表示装置100と同
じ構成を有している。以下の説明においては、簡明さの
ために、実質的に同様の機能を有する構成要素について
は同一の参照符号を用いて示す。
The liquid crystal display device 200 according to the second embodiment
As shown in FIGS. 9 and 10, the surface of the interlayer insulating film 30 located in the first overlap region and the second overlap region is formed flat, and the height thereof is set to the first height in the reflection region.
The difference from the liquid crystal display device 100 according to Embodiment 1 described above is that the height is higher than the average height of the uneven surface formed in the region excluding the overlap region and the second overlap region.
Other configurations are the same as those of the liquid crystal display device 100 described above. In the following description, for simplicity, components having substantially the same function are denoted by the same reference numerals.

【0075】本実施形態2では、図9および図10に示
したように、反射電極32は、信号配線4と走査配線2
または補助容量配線14とが互いに交差する領域と重畳
する第1重畳領域、薄膜トランジスタ26と重畳する第
2重畳領域、および、第1重畳領域以外の領域におい
て、信号配線4または走査配線2と重畳する第3重畳領
域を形成するように設けられている。このような構成と
することにより、反射電極32の面積を大きくすること
が可能となり、開口率が向上して明るい表示を行うこと
が可能となっている。
In the second embodiment, as shown in FIGS. 9 and 10, the reflection electrode 32 is connected to the signal wiring 4 and the scanning wiring 2.
Alternatively, the signal wiring 4 or the scanning wiring 2 is overlapped in a first overlapping region overlapping with a region where the auxiliary capacitance line 14 intersects with each other, a second overlapping region overlapping with the thin film transistor 26, and a region other than the first overlapping region. It is provided so as to form a third overlapping region. With such a configuration, the area of the reflective electrode 32 can be increased, and the aperture ratio can be improved to perform bright display.

【0076】また、反射領域内の第1重畳領域と第2重
畳領域とを除く領域の層間絶縁膜30の表面は、第3重
畳領域も含めて全面に亘って凹凸状に形成されるので、
層間絶縁膜30上に形成される反射電極32の表面は、
ほぼ全面に亘って凹凸を有する。従って、反射電極32
が、観察方向となる特定の角度範囲の散乱光強度が高
く、且つ、均一となるような散乱特性をほぼ全面に亘っ
て有するようにできる。その結果、視認性が良く明るい
表示を行うことが可能となる。なお、図9中の参照符号
125は、液晶表示装置200の層間絶縁膜30上に形
成された凹部を模式的に表し、凹部125は、表示面法
線方向から見たとき、典型的には円形を有している。
Further, since the surface of the interlayer insulating film 30 in the region other than the first and second overlapping regions in the reflection region is formed over the entire surface, including the third overlapping region, the surface is uneven.
The surface of the reflective electrode 32 formed on the interlayer insulating film 30 is
It has irregularities over almost the entire surface. Therefore, the reflection electrode 32
However, it is possible to make the scattering characteristics such that the scattered light intensity in a specific angle range serving as the observation direction is high and uniform over almost the entire surface. As a result, a bright display with good visibility can be performed. Note that reference numeral 125 in FIG. 9 schematically represents a concave portion formed on the interlayer insulating film 30 of the liquid crystal display device 200, and the concave portion 125 typically has a shape when viewed from the normal direction of the display surface. It has a circular shape.

【0077】さらに、第1重畳領域および第2重畳領域
内に位置する層間絶縁膜30の表面は平坦に形成される
とともに、その高さは、反射領域内の第1重畳領域と第
2重畳領域とを除く領域に形成された凹凸状表面の平均
高さよりも高い構成となっている。このような構成とす
ることにより、薄膜トランジスタ26または信号配線4
と、反射電極32との間の電気的短絡の発生が抑制され
る。
Further, the surface of the interlayer insulating film 30 located in the first overlap region and the second overlap region is formed flat, and the height thereof is set to be equal to the height of the first overlap region and the second overlap region in the reflection region. The configuration is higher than the average height of the uneven surface formed in the region excluding the above. With such a configuration, the thin film transistor 26 or the signal wiring 4
And the occurrence of an electrical short circuit with the reflective electrode 32 is suppressed.

【0078】なお、本実施形態2では、走査配線2また
は補助容量配線14と信号配線4とが互いに交差してい
る領域に位置するゲート絶縁層16上に、実施形態1の
ような半導体層18aおよびn型半導体層20aが形成
されていないが、勿論、形成してもよい。
In the second embodiment, the semiconductor layer 18a as in the first embodiment is formed on the gate insulating layer 16 located in a region where the scanning wiring 2 or the auxiliary capacitance wiring 14 and the signal wiring 4 intersect each other. Although the n-type semiconductor layer 20a is not formed, it may be formed.

【0079】続いて、図9、図10および図11を参照
しながら、本実施形態2による液晶表示装置200の製
造方法を説明する。図11は、本実施形態2による液晶
表示装置200における第1基板200aの製造工程を
示したプロセス断面図であり、特に、層間絶縁膜30に
凹凸状表面を形成し、その凹凸状表面上に反射電極32
を形成する工程を説明するものである。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device 200 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 9, 10 and 11. FIG. 11 is a process cross-sectional view showing a manufacturing process of the first substrate 200a in the liquid crystal display device 200 according to the second embodiment. In particular, the uneven surface is formed on the interlayer insulating film 30, and the uneven surface is formed on the uneven surface. Reflective electrode 32
This is for explaining the step of forming.

【0080】本実施形態2による液晶表示装置200
は、例えば、以下のようにして製造される。
The liquid crystal display device 200 according to the second embodiment
Is manufactured, for example, as follows.

【0081】まず、図11(a)に示すように、薄膜ト
ランジスタ26が形成された絶縁性基板10の表面に、
層間絶縁膜30となるネガ型の感光性樹脂30を塗布す
る。
First, as shown in FIG. 11A, the surface of the insulating substrate 10 on which the thin film transistor 26 is formed is
A negative photosensitive resin 30 to be an interlayer insulating film 30 is applied.

【0082】次に、図12(a)に示すようなフォトマ
スク110を、図11(b)に示すように配置して、第
1の露光を行う。
Next, a photomask 110 as shown in FIG. 12A is arranged as shown in FIG. 11B, and a first exposure is performed.

【0083】このときのフォトマスク110のパターン
は、図12(a)に示すように、コンタクトホール6に
対応する領域を遮光部112とし、それ以外の領域を透
過部114とした構成となっている。このようなフォト
マスク110と、全面に感光性樹脂30が塗布された絶
縁性基板10との位置合わせを行った後に露光を行う。
As shown in FIG. 12A, the pattern of the photomask 110 at this time has a structure in which a region corresponding to the contact hole 6 is a light shielding portion 112 and the other region is a transmission portion 114. I have. Exposure is performed after such a photomask 110 is aligned with the insulating substrate 10 having the photosensitive resin 30 applied to the entire surface.

【0084】次に、上述したように露光を行った状態
で、図12(b)に示すようなフォトマスク120を図
11(c)に示すように配置して、第2の露光を行う。
Next, in the state where the exposure has been performed as described above, the photomask 120 as shown in FIG. 12B is arranged as shown in FIG. 11C, and the second exposure is performed.

【0085】このときのフォトマスク120のパターン
は、図12(b)に示すように、海状に透過部122が
配置されており、遮光部127および複数の円形遮光部
124が島状に配置されている構成となっている。さら
に詳しくは、フォトマスク120は、第1パターニング
領域に対応する第1領域126と、第2パターニング領
域に対応する第2領域128とを有しており、第1領域
126は全面を透過部とし、第2領域には複数の円形遮
光部124が配置されており、コンタクトホールに対応
する領域は全面を遮光部127とした構成となってい
る。このようなフォトマスク120と、絶縁性基板10
との位置合わせを行った後に露光を行う。
As shown in FIG. 12B, the pattern of the photomask 120 at this time is such that the transmissive portions 122 are arranged in a sea shape, and the light shielding portions 127 and the plurality of circular light shielding portions 124 are arranged in an island shape. It has a configuration that has been. More specifically, the photomask 120 has a first region 126 corresponding to the first patterning region and a second region 128 corresponding to the second patterning region. In the second region, a plurality of circular light-shielding portions 124 are arranged, and the entire region corresponding to the contact hole is formed as a light-shielding portion 127. Such a photomask 120 and the insulating substrate 10
Exposure is performed after the alignment with the above.

【0086】その後、絶縁性基板10上の感光性樹脂3
0を現像すると、図11(d)に示すように、感光性樹
脂30の表面に凹凸が形成される。感光性樹脂30とし
てネガ型のものを用いているので、第1の露光または第
2の露光により光が照射された領域(凹凸が形成される
領域)の感光性樹脂30は、現像時に完全に除去された
領域が存在せず、第1の露光および第2の露光をとおし
て光が照射されなかった領域(コンタクトホール6に対
応する領域)の感光性樹脂30は、現像時に完全に除去
された状態となる。
Thereafter, the photosensitive resin 3 on the insulating substrate 10
When 0 is developed, irregularities are formed on the surface of the photosensitive resin 30 as shown in FIG. Since a negative photosensitive resin is used as the photosensitive resin 30, the photosensitive resin 30 in a region irradiated with light by the first exposure or the second exposure (a region where unevenness is formed) is completely removed during development. The photosensitive resin 30 in an area where no removed area exists and where light is not irradiated through the first exposure and the second exposure (an area corresponding to the contact hole 6) is completely removed during development. State.

【0087】そして、加熱処理を行うことにより、図1
1(f)に示すように、感光性樹脂30の凹凸状表面は
熱だれ現象によって変形し、角がとれてなだらかな凹凸
状となる。このとき、第1パターニング領域の表面は平
坦であって、その高さは、第2パターニング領域に形成
される凹凸状表面の平均高さよりも高くなるように、凹
凸状表面が形成される。この理由については、後述す
る。
Then, by performing a heat treatment, FIG.
As shown in FIG. 1 (f), the uneven surface of the photosensitive resin 30 is deformed by the heat dripping phenomenon, and its corners are removed to form a gentle uneven shape. At this time, the uneven surface is formed such that the surface of the first patterning region is flat and the height thereof is higher than the average height of the uneven surface formed in the second patterning region. The reason will be described later.

【0088】なお、上述のようになだらかな凹凸状表面
が形成された感光性樹脂30上に、絶縁性樹脂を堆積さ
せて、更なる絶縁膜を形成してもよい。更なる絶縁膜を
形成する場合には、現像時に凹部となる領域の感光性樹
脂30が完全に除去されてもよいので、図11(b)に
示した第1の露光を省略することができる。
Note that an insulating resin may be deposited on the photosensitive resin 30 having the gentle uneven surface as described above to form a further insulating film. In the case where an additional insulating film is formed, the photosensitive resin 30 in a region which becomes a concave portion during development may be completely removed, so that the first exposure shown in FIG. 11B can be omitted. .

【0089】また、本実施形態2では、ネガ型の感光性
樹脂30を用いたが、これに限定されず、ポジ型の感光
性樹脂30を用いてもよい。
In the second embodiment, the negative photosensitive resin 30 is used. However, the present invention is not limited to this, and a positive photosensitive resin 30 may be used.

【0090】ポジ型のものを用いる場合、図11(b)
および(c)に示した工程において、フォトマスク11
0および120に代えて、図13(a)および図13
(b)に示すようなフォトマスク130および140を
用いて露光を行えばよい。図13(a)に示したフォト
マスク130のパターンは、図12(b)に示したフォ
トマスク120の透過部122、遮光部127および円
形遮光部124を、それぞれ遮光部132、透過部13
7および円形透過部134に置き換えた構成となってい
る。図13(b)に示したフォトマスク140のパター
ンは、図12(a)に示したフォトマスク110の遮光
部112および透過部114を、それぞれ透過部142
および遮光部144に置き換えた構成となっている。
When a positive type is used, FIG.
And in the step shown in FIG.
13 (a) and FIG.
Exposure may be performed using photomasks 130 and 140 as shown in FIG. The pattern of the photomask 130 shown in FIG. 13A is obtained by replacing the transmission part 122, the light shielding part 127 and the circular light shielding part 124 of the photomask 120 shown in FIG.
7 and a circular transmitting portion 134. In the pattern of the photomask 140 shown in FIG. 13B, the light shielding portion 112 and the transmission portion 114 of the photomask 110 shown in FIG.
And a light shielding unit 144.

【0091】また、ポジ型のものを用いる場合、図14
(a)および図14(b)に示すようなフォトマスク1
50および160を用いて露光を行ってもよい。図14
(a)に示したフォトマスク150は、海状に透過部1
52が配置されており、遮光部153および複数の円形
遮光部154が島状に配置されている構成となってい
る。さらに詳しくは、フォトマスク150は、第1パタ
ーニング領域に対応する第1領域156と、第2パター
ニング領域に対応する第2領域158とを有しており、
第1領域156は全面を遮光部153とし、第2領域に
は複数の円形遮光部154が配置されており、コンタク
トホールに対応する領域は全面を透過部157とした構
成となっている。図14(b)に示したフォトマスク1
60は、コンタクトホール6に対応する領域を透過部1
62とし、それ以外の領域を遮光部164とした構成と
なっている。なお、フォトマスク150および160を
用いて露光・現像された感光性樹脂30の凹凸状表面
は、図9中の凹部を模式的に表す参照符号125が、凸
部を模式的に表すものとして置き換えられたものとな
る。
When a positive type is used, FIG.
Photomask 1 as shown in FIG. 14A and FIG.
Exposure may be performed using 50 and 160. FIG.
The photomask 150 shown in FIG.
52 are arranged, and the light shielding portion 153 and the plurality of circular light shielding portions 154 are arranged in an island shape. More specifically, the photomask 150 has a first region 156 corresponding to the first patterning region and a second region 158 corresponding to the second patterning region,
The first region 156 has a light-shielding portion 153 on the entire surface, a plurality of circular light-shielding portions 154 are arranged on the second region, and a region corresponding to the contact hole has a transparent portion 157 on the entire surface. Photomask 1 shown in FIG.
Reference numeral 60 designates a region corresponding to the contact hole 6 as the transparent portion 1.
62, and the other area is configured as a light shielding portion 164. Note that the uneven surface of the photosensitive resin 30 exposed and developed using the photomasks 150 and 160 is replaced by a reference numeral 125 schematically representing a concave portion in FIG. It was done.

【0092】続いて、図11(f)に示すように、なだ
らかな凹凸状表面が形成された感光性樹脂30上に、反
射電極32としてのAl層とMo層との積層膜を、例え
ばスパッタリング法によって形成し、1つの絵素領域に
おいて1つの薄膜トランジスタ26に対して1つの反射
電極32が対応するようにパターニングを行う。ここ
で、本実施形態1における反射電極32は、図9に示し
たように、第1重畳領域、第2重畳領域および第3重畳
領域を形成するような構成とする。
Subsequently, as shown in FIG. 11 (f), a laminated film of an Al layer and a Mo layer as the reflective electrode 32 is formed on the photosensitive resin 30 having the gentle uneven surface by, for example, sputtering. Then, patterning is performed so that one reflective electrode 32 corresponds to one thin film transistor 26 in one picture element region. Here, as shown in FIG. 9, the reflective electrode 32 in the first embodiment has a configuration in which a first overlap region, a second overlap region, and a third overlap region are formed.

【0093】なお、本実施形態2においては、反射電極
32が形成されない領域の感光性樹脂30にも凹凸状表
面が形成されているので、反射電極の端近傍の領域と端
近傍以外の領域との表示品位をより均一にすることがで
きる。勿論、凹凸状表面が形成されていなくてもよい。
In the second embodiment, since the photosensitive resin 30 in the area where the reflective electrode 32 is not formed also has an uneven surface, the area near the edge of the reflective electrode and the area other than the area near the edge are different. Display quality can be made more uniform. Of course, the uneven surface may not be formed.

【0094】また、この反射電極32は、コンタクトホ
ール6を介して薄膜トランジスタ26のドレイン電極2
4と電気的に接続されているとともに、感光性樹脂30
上に形成されたなだらかな凹凸状表面に沿って形成され
ることになるため、この反射電極32の表面もまた、感
光性樹脂30の凹凸状表面に応じた凹凸を有することに
なる。
The reflection electrode 32 is connected to the drain electrode 2 of the thin film transistor 26 through the contact hole 6.
4 and the photosensitive resin 30
Since the reflective electrode 32 is formed along the gentle uneven surface formed thereon, the surface of the reflective electrode 32 also has unevenness corresponding to the uneven surface of the photosensitive resin 30.

【0095】このような図11(a)〜(f)に示した
工程によって、ほぼ全面に亘って凹凸状表面を有する反
射電極32を形成することができ、観察方向となる特定
の角度範囲の散乱光強度が高く、且つ、均一となるよう
な散乱特性をほぼ全面に亘って有する反射電極32を、
複数の絵素領域のそれぞれに有する第1基板200aが
完成する。
By the steps shown in FIGS. 11A to 11F, the reflection electrode 32 having the uneven surface can be formed over almost the entire surface, and the reflection electrode 32 having a specific angle range which is the observation direction can be formed. A reflective electrode 32 having a high scattered light intensity and having a scattering characteristic to be uniform over almost the entire surface,
The first substrate 200a included in each of the plurality of picture element regions is completed.

【0096】次に、透明基板(例えば、ガラス基板)5
0上に透明電極(例えば、ITO層)52が形成された
第2基板200bを用意し、第1基板200aと第2基
板200bとの貼り合わせを行う。その後、液晶材料を
注入し、位相差板54および偏光板56を配置すること
により、図9および図10に示したような本実施形態2
における液晶表示装置200は完成する。
Next, a transparent substrate (eg, a glass substrate) 5
A second substrate 200b having a transparent electrode (for example, an ITO layer) 52 formed on the substrate 0 is prepared, and the first substrate 200a and the second substrate 200b are bonded to each other. Thereafter, a liquid crystal material is injected, and the retardation plate 54 and the polarizing plate 56 are arranged, whereby the second embodiment as shown in FIGS.
Is completed.

【0097】図11(e)に示した工程において、第1
パターニング領域の表面は平坦なままで、その高さは、
第2パターニング領域に形成される凹凸状表面の平均高
さよりも高くなるように、凹凸状表面が形成される理由
を以下に説明する。
In the step shown in FIG.
The surface of the patterning area remains flat and its height is
The reason why the uneven surface is formed so as to be higher than the average height of the uneven surface formed in the second patterning region will be described below.

【0098】まず、第1パターニング領域に位置する感
光性樹脂30aは、第1の露光および第2の露光を通し
てその全面に光が照射されるので、現像液に対する溶解
性は第1パターニング領域内で一様であり、現像後の表
面は平坦に形成される。それに対して、第2パターニン
グ領域に位置する感光性樹脂30bは、第1の露光時に
はその全面に光が照射されるが、第2の露光時には、フ
ォトマスク120の円形遮光部124に対応する領域に
光が照射されない。従って、その領域は、第2パターニ
ング領域内の他の領域および第1パターニング領域にく
らべて現像液に溶解しやすく、現像後には他の領域より
も表面の高さが低い凹部となる。その結果、感光性樹脂
30aの平坦な表面の高さは、感光性樹脂30bの凹凸
状表面の平均高さよりも高くなる。
First, the entire surface of the photosensitive resin 30a located in the first patterning region is irradiated with light through the first exposure and the second exposure. The surface is uniform and the surface after development is formed flat. On the other hand, the photosensitive resin 30b located in the second patterning region is irradiated with light on the entire surface at the time of the first exposure, but at the time of the second exposure, the region corresponding to the circular light shielding portion 124 of the photomask 120 is exposed. Is not illuminated. Therefore, the region is more easily dissolved in the developer than the other regions in the second patterning region and the first patterning region, and becomes a concave portion having a lower surface height than the other region after development. As a result, the height of the flat surface of the photosensitive resin 30a is higher than the average height of the uneven surface of the photosensitive resin 30b.

【0099】次に、感光性樹脂30aおよび30bに熱
処理を行うと、感光性樹脂30aおよび30bは加熱さ
れることによって軟化する。感光性樹脂30bは、凸部
の角が丸みを帯びるとともに凸部の樹脂の一部が凹部に
流れ込むような変形を引き起こして、その表面はなだら
かな凹凸状に形成されるが、感光性樹脂30aは、平坦
に形成されているので、軟化しても上述のような変形は
引き起こさず、その表面は平坦なままであり、その高さ
も感光性樹脂30bの凹凸状表面の平均高さよりも高い
ままである。
Next, when the photosensitive resins 30a and 30b are subjected to a heat treatment, the photosensitive resins 30a and 30b are softened by being heated. The photosensitive resin 30b is deformed such that the corners of the convex portion are rounded and a part of the resin of the convex portion flows into the concave portion, and the surface thereof is formed in a gentle uneven shape. Is formed flat, the above-mentioned deformation does not occur even if it is softened, its surface remains flat, and its height is higher than the average height of the uneven surface of the photosensitive resin 30b. Up to.

【0100】なお、上記の実施形態1および実施形態2
においては、複数の絵素領域のそれぞれが反射領域から
構成されている反射型液晶表示装置について説明した
が、本発明は、周囲光を反射するための反射層を有し、
反射モードで表示が可能な液晶表示装置に広く適用でき
る。例えば、本発明は、複数の絵素領域のそれぞれが透
過領域と反射領域とから構成されている透過反射両用型
液晶表示装置(例えば、特開平11−101992号公
報参照)にも好適に適用できる。
The first and second embodiments described above
In, the reflective liquid crystal display device in which each of the plurality of picture element regions is configured from a reflective region has been described, but the present invention has a reflective layer for reflecting ambient light,
It can be widely applied to a liquid crystal display device capable of displaying in a reflection mode. For example, the present invention can be suitably applied to a transflective liquid crystal display device in which each of a plurality of picture element regions is composed of a transmissive region and a reflective region (see, for example, JP-A-11-101992). .

【0101】[0101]

【発明の効果】本発明によると、視認性に優れ、明るい
反射モードの表示が可能で、且つ、スイッチング素子ま
たは配線と反射電極との間の電気的短絡の発生が抑制さ
れた、電気的信頼性の高い液晶表示装置が提供される。
また、本発明によると、このような液晶表示装置を効率
よく製造できる方法が提供される。本発明は、反射モー
ドで表示が可能な液晶表示装置に好適に用いられる。
According to the present invention, the electric reliability is excellent, the display in the bright reflection mode is excellent, and the occurrence of the electric short circuit between the switching element or the wiring and the reflection electrode is suppressed. The liquid crystal display device with high performance is provided.
Further, according to the present invention, there is provided a method capable of efficiently manufacturing such a liquid crystal display device. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is suitably used for a liquid crystal display device capable of displaying in a reflection mode.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態による液晶表示装置100を
模式的に示す上面図である。
FIG. 1 is a top view schematically illustrating a liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態による液晶表示装置100を
模式的に示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating the liquid crystal display device 100 according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施形態による液晶表示装置100の
製造工程を模式的に示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view schematically showing a manufacturing process of the liquid crystal display device 100 according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施形態による液晶表示装置100の
製造工程で使用するフォトマスクを示す図である。
FIG. 4 is a view showing a photomask used in a manufacturing process of the liquid crystal display device 100 according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施形態による液晶表示装置100の
製造工程で使用するフォトマスクを示す図である。
FIG. 5 is a view showing a photomask used in a manufacturing process of the liquid crystal display device 100 according to the embodiment of the present invention.

【図6】層間絶縁膜の熱処理による変形を模式的に表す
断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing deformation of an interlayer insulating film due to heat treatment.

【図7】層間絶縁膜の熱処理による変形を模式的に表す
断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically illustrating deformation of an interlayer insulating film due to heat treatment.

【図8】層間絶縁膜の熱処理による変形を模式的に表す
断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically illustrating deformation of an interlayer insulating film due to heat treatment.

【図9】本発明の実施形態による液晶表示装置200を
模式的に示す上面図である。
FIG. 9 is a top view schematically illustrating the liquid crystal display device 200 according to the embodiment of the present invention.

【図10】本発明の実施形態による液晶表示装置200
を模式的に示す断面図である。
FIG. 10 illustrates a liquid crystal display device 200 according to an embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows typically.

【図11】本発明の実施形態による液晶表示装置200
の製造工程を模式的に示す断面図である。
FIG. 11 is a liquid crystal display device 200 according to an embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the manufacturing process of 1st.

【図12】本発明の実施形態による液晶表示装置200
の製造工程で使用するフォトマスクを示す図である。
FIG. 12 is a liquid crystal display device 200 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing a photomask used in the manufacturing process of FIG.

【図13】本発明の実施形態による液晶表示装置200
の製造工程で使用するフォトマスクを示す図である。
FIG. 13 illustrates a liquid crystal display device 200 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing a photomask used in the manufacturing process of FIG.

【図14】本発明の実施形態による液晶表示装置200
の製造工程で使用するフォトマスクを示す図である。
FIG. 14 is a liquid crystal display device 200 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing a photomask used in the manufacturing process of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 走査配線 4 信号配線 6 コンタクトホール 10 絶縁性基板 12 ゲート電極 14 補助容量配線 16 ゲート絶縁層 18、18a 半導体層 20、20a n型半導体層 22 ソース電極 24 ドレイン電極 26 薄膜トランジスタ 30 層間絶縁膜、感光性樹脂 32 反射電極 40 液晶層 50 透明基板 52 透明電極 54 位相差板 56 偏光板 60 フォトマスク 64a、64b 円形遮光部 65a、65b 凸部 100 液晶表示装置 120 フォトマスク 124 円形遮光部 125 凹部 200 液晶表示装置 Reference Signs List 2 scanning wiring 4 signal wiring 6 contact hole 10 insulating substrate 12 gate electrode 14 auxiliary capacitance wiring 16 gate insulating layer 18, 18a semiconductor layer 20, 20a n-type semiconductor layer 22 source electrode 24 drain electrode 26 thin film transistor 30 interlayer insulating film, photosensitive Resin 32 Reflective electrode 40 Liquid crystal layer 50 Transparent substrate 52 Transparent electrode 54 Retardation plate 56 Polarizer 60 Photomask 64a, 64b Circular light shield 65a, 65b Convex part 100 Liquid crystal display device 120 Photomask 124 Circular light shield 125 Concave part 200 Liquid crystal Display device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 330 G09F 9/30 338 338 G02F 1/136 500 Fターム(参考) 2H042 BA04 BA12 BA15 BA20 DA01 DA02 DA12 DA14 DB08 DE00 2H090 HB07X JA03 JD01 KA05 KA06 LA04 2H091 FA16Y FB08 FC02 FC10 FC26 FC29 FD04 FD13 FD23 GA13 HA07 HA08 LA03 LA12 LA18 2H092 HA05 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB52 JB57 JB63 JB69 KA05 KB21 MA05 MA13 MA17 MA35 MA37 NA25 PA06 PA09 QA07 QA08 5C094 AA21 AA31 AA43 BA03 BA43 CA19 EA05 EA06 EB02 ED14 ED20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/30 330 G09F 9/30 338 338 G02F 1/136 500 F term (Reference) 2H042 BA04 BA12 BA15 BA20 DA01 DA02 DA12 DA14 DB08 DE00 2H090 HB07X JA03 JD01 KA05 KA06 LA04 2H091 FA16Y FB08 FC02 FC10 FC26 FC29 FD04 FD13 FD23 GA13 HA07 HA08 LA03 LA12 LA18 2H092 HA05 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 J53 JB23 JB23 JB23 JB23 JB23 JB23 JB23 JB23 JB23 JB23 JB23 JB23 JB23 JB23 JB33 MA37 NA25 PA06 PA09 QA07 QA08 5C094 AA21 AA31 AA43 BA03 BA43 CA19 EA05 EA06 EB02 ED14 ED20

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1基板と、第2基板と、前記第1基板
と前記第2基板との間に設けられた液晶層とを有し、複
数の絵素領域のそれぞれに反射モードで表示を行う反射
領域を有し、 前記複数の絵素領域毎に、前記第1基板は、走査配線と
前記走査配線に交差するように配設された信号配線とに
電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチ
ング素子を覆い、凹凸状表面を有する絶縁膜と、前記絶
縁膜の前記凹凸状表面に設けられ、前記スイッチング素
子に電気的に接続された反射電極とを有し、 前記反射電極は、前記信号配線と前記走査配線とが互い
に交差する領域と重畳する第1重畳領域、および、前記
スイッチング素子と重畳する第2重畳領域の少なくとも
一方を含む重畳領域を形成するように設けられており、 前記重畳領域内に位置する前記絶縁膜の前記凹凸状表面
の凹部の高さは、前記反射領域内の前記重畳領域以外の
領域に形成された前記凹凸状表面の凹部の高さよりも高
い、液晶表示装置。
1. A display device comprising a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate, and displaying a plurality of picture element regions in a reflection mode. And a switching element electrically connected to a scanning line and a signal line disposed to intersect the scanning line for each of the plurality of pixel regions. And an insulating film that covers the switching element and has an uneven surface, and a reflective electrode provided on the uneven surface of the insulating film and electrically connected to the switching element. A first overlapping region overlapping with a region where the signal line and the scanning line intersect with each other, and a second overlapping region including at least one of a second overlapping region overlapping with the switching element. In the superimposed area A height of a concave portion of the concave-convex surface of the insulating film located in the reflective region is higher than a concave portion of the concave-convex surface formed in a region other than the overlapping region in the reflection region.
【請求項2】 前記反射電極は、前記第1重畳領域以外
の領域において、前記信号配線および前記走査配線の少
なくとも一方と重畳する、第3重畳領域をさらに形成す
るように設けられており、前記第3重畳領域内に位置す
る前記絶縁膜の表面は凹凸状に形成されている、請求項
1に記載の液晶表示装置。
2. The reflection electrode is provided so as to further form a third overlap region that overlaps with at least one of the signal wiring and the scan wiring in a region other than the first overlap region. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a surface of the insulating film located in the third overlapping region is formed in an uneven shape.
【請求項3】 第1基板と、第2基板と、前記第1基板
と前記第2基板との間に設けられた液晶層とを有し、複
数の絵素領域のそれぞれに反射モードで表示を行う反射
領域を有し、 前記複数の絵素領域毎に、前記第1基板は、走査配線と
前記走査配線に交差するように配設された信号配線とに
電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチ
ング素子を覆い、凹凸状表面を有する絶縁膜と、前記絶
縁膜の前記凹凸状表面に設けられ、前記スイッチング素
子に電気的に接続された反射電極とを有し、 前記反射電極は、前記信号配線と前記走査配線とが互い
に交差する領域と重畳する第1重畳領域、前記スイッチ
ング素子と重畳する第2重畳領域、および、前記第1重
畳領域以外の領域において、前記信号配線および前記走
査配線の少なくとも一方と重畳する第3重畳領域を形成
するように設けられており、 前記第1重畳領域内および前記第2重畳領域内に位置す
る前記絶縁膜の表面は平坦に形成されているとともに、
前記第3重畳領域内に位置する前記絶縁膜の表面は凹凸
状に形成されており、 前記第1重畳領域内および前記第2重畳領域内に位置す
る前記絶縁膜の前記表面の高さは、前記反射領域内の前
記第1重畳領域と前記第2重畳領域とを除く領域に形成
された前記凹凸状表面の平均高さよりも高い、液晶表示
装置。
3. A display device comprising a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate, and displaying in a reflection mode on each of a plurality of picture element regions. And a switching element electrically connected to a scanning line and a signal line disposed to intersect with the scanning line for each of the plurality of pixel regions. And an insulating film that covers the switching element and has an uneven surface, and a reflective electrode provided on the uneven surface of the insulating film and electrically connected to the switching element. A first overlapping region overlapping a region where the signal line and the scanning line intersect each other, a second overlapping region overlapping with the switching element, and a region other than the first overlapping region. Less scanning wiring Is also provided so as to form a third overlapping area overlapping with one, together with the surface of the insulating film located on the first overlapping region and the second superimposed region is flat,
The surface of the insulating film located in the third overlapping region is formed in an uneven shape, and the height of the surface of the insulating film located in the first overlapping region and the second overlapping region is: The liquid crystal display device, wherein the height is higher than the average height of the uneven surface formed in a region other than the first overlap region and the second overlap region in the reflection region.
【請求項4】 前記複数の絵素領域のそれぞれは、透過
モードで表示を行う透過領域を有する請求項1から3の
いずれかに記載の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein each of the plurality of picture element regions has a transmission region for performing display in a transmission mode.
【請求項5】 第1基板と、第2基板と、前記第1基板
と前記第2基板との間に設けられた液晶層とを有し、複
数の絵素領域のそれぞれに反射モードで表示を行う反射
領域を有する、液晶表示装置の製造方法であって、 (a)複数の走査配線と、前記複数の走査配線に交差す
る複数の信号配線と、前記走査配線と前記信号配線とに
電気的に接続された複数のスイッチング素子とが形成さ
れた第1基板を用意する工程と、 (b)前記第1基板上に、感光性樹脂を用いて前記スイ
ッチング素子を覆う絶縁膜を形成し、フォトリソグラフ
ィプロセスによって前記絶縁膜に複数の凸部群を形成す
る工程と、 (c)前記絶縁膜上に、反射電極が、前記信号配線と前
記走査配線とが互いに交差する領域と重畳する第1重畳
領域、および、前記スイッチング素子と重畳する第2重
畳領域の少なくとも一方を含む重畳領域を形成するよう
に、前記反射電極を設ける工程と、 を包含し、 前記工程(b)において用いるフォトマスクは、 所定の第1光強度分布を生成する第1フォトマスクパタ
ーンが形成された第1領域と、前記第1光強度分布とは
異なる所定の第2光強度分布を生成する第2フォトマス
クパターンが形成された第2領域とを有し、 前記フォトマスクを用いたフォトリソグラフィプロセス
によって、前記絶縁膜に形成される前記複数の凸部群
は、 重畳領域となる領域を含む第1パターニング領域内に位
置する前記絶縁膜に、前記第1フォトマスクパターンに
応じた複数の凸部が形成されてなる第1凸部群と、反射
領域となる領域内の前記第1パターニング領域を除く第
2パターニング領域内に位置する前記絶縁膜に、前記第
2フォトマスクパターンに応じた複数の凸部が形成され
てなる第2凸部群とを有し、 前記第1凸部群に含まれる複数の凸部の中心間距離は、
前記第2凸部群に含まれる複数の凸部の中心間距離より
も短い、液晶表示装置の製造方法。
5. A display device comprising a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate, and displaying in a reflection mode on each of a plurality of picture element regions. (A) a plurality of scanning wirings, a plurality of signal wirings intersecting the plurality of scanning wirings, and an electrical connection between the scanning wirings and the signal wirings. Preparing a first substrate on which a plurality of switching elements connected in series are formed; and (b) forming an insulating film on the first substrate using a photosensitive resin to cover the switching elements; Forming a plurality of convex groups on the insulating film by a photolithography process; and (c) forming a first electrode on the insulating film where a reflective electrode overlaps a region where the signal wiring and the scanning wiring intersect each other. Superimposition area and the switching Providing the reflective electrode so as to form an overlap region including at least one of a second overlap region overlapping the element. The photomask used in the step (b) has a predetermined first light intensity. A first region in which a first photomask pattern for generating a distribution is formed, and a second region in which a second photomask pattern for generating a predetermined second light intensity distribution different from the first light intensity distribution is formed. A plurality of convex groups formed on the insulating film by a photolithography process using the photomask, the insulating film located in a first patterning region including a region to be an overlapping region; A first projection group formed by forming a plurality of projections corresponding to the first photomask pattern, and a second patterning excluding the first patterning region in a region to be a reflection region A second protrusion group formed by forming a plurality of protrusions corresponding to the second photomask pattern on the insulating film located in the region; and a plurality of protrusions included in the first protrusion group. The center distance of
A method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein the distance between the centers of the plurality of protrusions included in the second protrusion group is shorter than the center distance.
【請求項6】 前記複数の凸部群を、熱処理を行うこと
によって変形させて、前記絶縁膜の表面をなだらかな凹
凸状に形成する工程をさらに包含する、請求項5に記載
の液晶表示装置の製造方法。
6. The liquid crystal display device according to claim 5, further comprising a step of deforming the plurality of convex groups by performing a heat treatment to form the surface of the insulating film into a smooth uneven shape. Manufacturing method.
【請求項7】 前記絶縁膜のなだらかな凹凸状に形成さ
れた前記表面に、更なる絶縁膜を形成する請求項6に記
載の液晶表示装置の製造方法。
7. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 6, wherein an additional insulating film is formed on the surface of the insulating film which is formed in a gentle uneven shape.
【請求項8】 前記フォトマスクは、透過部と遮光部と
を有し、前記透過部および前記遮光部のうち、一方は島
状に形成されており、他方は海状に形成されている、請
求項5から7に記載の液晶表示装置の製造方法。
8. The photomask has a transmission part and a light shielding part, one of the transmission part and the light shielding part is formed in an island shape, and the other is formed in a sea shape. A method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 5.
【請求項9】 前記透過部および前記遮光部のうち、島
状に形成されている前記一方は、前記第1領域に含まれ
る複数の第1島状部と、前記第2領域に含まれる複数の
第2島状部とを有し、 前記複数の第1島状部は、中心間距離が6μm以下に形
成されており、前記複数の第2島状部は、中心間距離が
6μm以上に形成されている、請求項8に記載の液晶表
示装置の製造方法。
9. One of the transmissive portion and the light-shielding portion, which is formed in an island shape, includes a plurality of first island portions included in the first region and a plurality of first island portions included in the second region. The plurality of first islands are formed with a center distance of 6 μm or less, and the plurality of second islands are formed with a center distance of 6 μm or more. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 8, wherein the liquid crystal display device is formed.
【請求項10】 第1基板と、第2基板と、前記第1基
板と前記第2基板との間に設けられた液晶層とを有し、
前記第1基板上に形成された反射層を有し、前記反射層
は、入射光を散乱させるための凹凸状表面を有する、液
晶表示装置の製造方法であって、 第1基板上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜に複数の凸部を形成する工程であって、前記
複数の凸部が第1の密度で形成される第1領域と第2の
密度で形成される第2領域とを形成することによって、
前記第1領域と前記第2領域の平均膜厚を互いに異なら
せる工程と、 前記絶縁膜上に反射膜を堆積することによって、前記絶
縁膜の前記複数の凸部に応じた凹凸状表面を有する反射
層を形成する工程と、を包含する液晶表示装置の製造方
法。
10. A semiconductor device comprising: a first substrate; a second substrate; and a liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate.
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a reflective layer formed on the first substrate, wherein the reflective layer has an uneven surface for scattering incident light, wherein an insulating film is formed on the first substrate. Forming a plurality of protrusions on the insulating film, wherein the plurality of protrusions are formed at a first region formed at a first density and a second region formed at a second density. By forming a region with
A step of making the average film thickness of the first region and the average film thickness of the second region different from each other; and depositing a reflective film on the insulating film to have an uneven surface corresponding to the plurality of convex portions of the insulating film. Forming a reflective layer.
JP2000217583A 2000-07-18 2000-07-18 Liquid crystal display device and method of manufacturing the same Pending JP2002031797A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000217583A JP2002031797A (en) 2000-07-18 2000-07-18 Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000217583A JP2002031797A (en) 2000-07-18 2000-07-18 Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002031797A true JP2002031797A (en) 2002-01-31

Family

ID=18712666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000217583A Pending JP2002031797A (en) 2000-07-18 2000-07-18 Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002031797A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002333608A (en) * 2001-05-09 2002-11-22 Toshiba Corp Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
WO2004055587A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device having a patterned dielectric layer
JP2006220922A (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Sony Corp Display device and method for manufacturing the same
KR100769190B1 (en) * 2003-06-30 2007-10-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Multi-domain liquid crystal display device and method of the same
KR100924748B1 (en) * 2002-09-19 2009-11-05 엘지디스플레이 주식회사 Reflective liquid crystal display and fabrication method of the same
CN112740308A (en) * 2018-09-28 2021-04-30 夏普株式会社 Display device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002333608A (en) * 2001-05-09 2002-11-22 Toshiba Corp Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
KR100924748B1 (en) * 2002-09-19 2009-11-05 엘지디스플레이 주식회사 Reflective liquid crystal display and fabrication method of the same
WO2004055587A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device having a patterned dielectric layer
US7145615B2 (en) 2002-12-13 2006-12-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Reflective LCD having first pattern and second pattern different from each other
KR100936905B1 (en) * 2002-12-13 2010-01-15 삼성전자주식회사 Liquid crystal display apparatus and methode for manufacturing thereof
KR100769190B1 (en) * 2003-06-30 2007-10-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Multi-domain liquid crystal display device and method of the same
JP2006220922A (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Sony Corp Display device and method for manufacturing the same
CN112740308A (en) * 2018-09-28 2021-04-30 夏普株式会社 Display device
CN112740308B (en) * 2018-09-28 2022-12-06 夏普株式会社 Display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3270821B2 (en) Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR0175225B1 (en) Reflection type liquid crystal display device and its manufacturing method
JP3391717B2 (en) Reflective liquid crystal display
JP3394926B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2003186031A (en) Semi-transmission and reflection type electro-optical device, electronic equipment, and manufacturing method for the semi-transmission and reflection type electro- optical device
JP3284187B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP3471246B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2000122094A (en) Reflection type liquid crystal display device
JP3564358B2 (en) Liquid crystal display
JP2007114770A (en) Array substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display device having the same
JP3394925B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2002031797A (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
TW200302939A (en) Reflection type electro-optic device and electronic machine
JP2003098537A (en) Electrooptic device, its manufacturing method, and electronic equipment
JP4154880B2 (en) Electro-optical device and manufacturing method thereof
KR101131608B1 (en) array substrate for transflective liquid crystal display device and fabrication method therof
JP2006220907A (en) Method for manufacturing electrooptical device
JP2000214475A (en) Liquid crystal display device
US20070153149A1 (en) Tft substrate, liquid crystal display panel, and methods for manufacturing the same
JP3931599B2 (en) Reflector manufacturing method and liquid crystal display device manufacturing method
JP4360068B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP2003084302A (en) Liquid crystal display device
JP4400027B2 (en) Transflective / reflective electro-optical device and electronic apparatus using the same
JP3575764B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2002229048A (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same