JP3938680B2 - LIQUID CRYSTAL DISPLAY SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME - Google Patents

LIQUID CRYSTAL DISPLAY SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME Download PDF

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Description

【発明の属する技術分野】
本発明は、パーソナルコンピュータ(PC)やワードプロセッサ等の表示部に用いられる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【0001】
【従来の技術】
従来の液晶表示装置は、所定のセルギャップを保持するために、基板間に分散して配置されたほぼ同一粒径のプラスチックビーズ等の球状スペーサを有している。しかし、両基板を貼り合わせる前に球状スペーサを一方の基板上に散布する際、基板全面に均一に分布させるのは困難である。球状スペーサが均一に分布していない液晶表示装置は、基板面が加圧された際にセルギャップの変動が生じやすい。
【0002】
これに対して、特開昭56−140324号公報、特開昭63−82405号公報、特開平4−93924号公報、及び特開平5−196946号公報等には、カラーフィルタ(CF)基板上の画素領域端部にCF樹脂層を複数積層し、柱状スペーサを形成する方法が開示されている。
【0003】
図67は、従来のMVA(Multi−domain Vertical Alignment)モードの液晶表示装置のCF基板の構成を赤(R)、緑(G)の2画素について示している。また、図68は、図67のW−W線で切断したCF基板の断面を示している。図67及び図68に示すように、ガラス基板104上には、画素領域端部を遮光する遮光膜(BM)102が形成されている。BM102で画定された各画素領域には、CF樹脂層R、Gがそれぞれ形成されている。CF樹脂層R、G上には、液晶の配向を規制する線状の突起(土手)108が画素領域端辺に対して斜めに形成されている。R、Gの画素間の間隙部には柱状スペーサ106が形成されている。
【0004】
図69は、図67のX−X線で切断した柱状スペーサ106近傍の断面を示している。なお、図69では突起108の図示は省略している。図69に示すように、柱状スペーサ106は、BM102上に順に積層されたCF樹脂層R、G、青(B)、共通電極110及びレジスト層109で形成されている。
【0005】
次に、従来のCF基板の製造方法について説明する。図70は従来のCF基板の製造工程を示しており、図71は図70のY−Y線で切断した断面を示している。また、図72は、図70のZ−Z線で切断した断面を示している。まず、図70及び図71に示すように、ガラス基板104上にクロム(Cr)等を全面に成膜してパターニングし、BM102を形成する。次に、赤色の顔料が分散された感光性レジスト(以下「Rレジスト」という)を全面に塗布してパターニングし、Rを表示する画素領域及び柱状スペーサ106形成領域にCF樹脂層Rを形成する。同様に、Gを表示する画素領域及び柱状スペーサ106形成領域にCF樹脂層Gを形成し、Bを表示する画素領域(図示せず)及び柱状スペーサ106形成領域にCF樹脂層Bを形成する。図71に示すように、各CF樹脂層R、G、Bは、BM102の幅の1/3程度がBM102に重なっており、CF樹脂層R、G間には深さ1〜2μmの溝状の隙間が生じている隙間部112が形成されている。図72に示すように、柱状スペーサ形成領域106’には、CF樹脂層R、G、Bがこの順に積層されている。
【0006】
次に、ITO(Indium Tin Oxide)等をCF樹脂層R、G、B上の全面に成膜して共通電極110を形成する。次に、ポジ型ノボラック系レジストを全面に塗布してパターニングし、突起108とレジスト層109を同時に形成し、図67乃至図69に示すCF基板が完成する。
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
図70及び図71に示すように、従来のCF基板は、CF樹脂層R、Gを順次形成すると、柱状スペーサ形成領域106’に隣接してCF樹脂層R、G間に深さ1〜2μmの隙間部112が形成される。このため、CF樹脂層R、G上の全面に青色の顔料が分散された感光性レジスト(以下「Bレジスト」という)を塗布すると、Bレジストのレベリング(平坦化)作用により、相対的に高さの高い柱状スペーサ形成領域106’から隙間部102にBレジストが流れ込む。その結果、柱状スペーサ形成領域106’のCF樹脂層Bが薄い膜厚で形成されてしまう。同様の理由で、柱状スペーサ形成領域106’のレジスト層109も薄い膜厚で形成されてしまう。したがって、所望のセルギャップが得られる柱状スペーサ106を形成するためには、CF樹脂層R、G、B等を厚膜化しなければならないという問題が生じている。
【0008】
特開平10−104639号公報には、柱状スペーサの周囲に、最初あるいは2番目に形成するCF樹脂層により堰を作成し、当該堰によってレジストの流れ込みをせき止めて柱状スペーサの高さを高くする方法が開示されている。しかし上記の方法では、柱状スペーサ及びその周囲に配置される堰をともにBM上に形成する必要がある。このため、BMの幅が狭いと、堰がある分だけ柱状スペーサの太さは短くならざるを得ず、パネルの指押し等に対抗できる圧縮強度を得ることができなくなるおそれが生じる。柱状スペーサの太さを稼ぐためにはBM外にはみ出して形成せざるを得ず、この場合には開口率が低下してしまうという問題が生じる。
【0009】
本発明の目的は、所望のセルギャップが容易に得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、輝度の高い液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、前記基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域と、セルギャップを保持するために前記画素領域端部に配置された柱状スペーサと、前記画素領域に形成されるとともに、少なくとも前記柱状スペーサの周囲で、隣接する前記画素領域間に隙間が生じないように形成された複数のカラーフィルタ樹脂層とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
【0011】
【発明の実施の形態】
〔第1の実施の形態〕
本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図1乃至図44を用いて説明する。本実施の形態では、柱状スペーサの周囲に隙間部を形成しないようにすることで、CF樹脂層及びレジスト層が柱状スペーサ形成領域から流れ出すのを防いでいる。また、本実施の形態では、CF樹脂層及びレジスト層を減圧乾燥させることにより、当該CF樹脂層及びレジスト層が柱状スペーサ形成領域から流れ出すのを防いでいる。以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について実施例1−1乃至1−6を用いてより具体的に説明する。
【0012】
(実施例1−1)
まず、実施例1−1による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図1乃至図14を用いて説明する。図1は、本実施例による液晶表示装置の概略構成を示している。液晶表示装置は、薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)等が形成されたTFT基板2とカラーフィルタ(CF;Color Filter)等が形成されたCF基板4とを対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封入した構造を有している。
【0013】
図2は、TFT基板2上に形成された素子の等価回路を示している。TFT基板2上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン6が互いに平行に複数形成され、それらにほぼ直角に交差して図中上下方向に延びるドレインバスライン8が互いに平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン6とドレインバスライン8とで囲まれた各領域が、TFT基板2側の画素領域となる。各画素領域にはTFT10と画素電極12が形成されている。各TFT10のドレイン電極は隣接するドレインバスライン8に接続され、ゲート電極は隣接するゲートバスライン6に接続され、ソース電極は画素電極12に接続されている。各画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン6と平行に蓄積容量バスライン14が形成されている。これらのTFT10や画素電極12、各バスライン6、8、14は、フォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【0014】
一方、図示は省略しているが、CF基板4上には、CF基板4側の画素領域を画定するBMが形成されている。また、CF基板4側の各画素領域には、CF樹脂層R、G、Bのいずれかが形成されている。
【0015】
図1に戻り、液晶を封止してCF基板4と対向配置されたTFT基板2には、複数のゲートバスライン6を駆動するドライバICが実装されたゲート駆動回路16と、複数のドレインバスライン8を駆動するドライバICが実装されたドレイン駆動回路18とが設けられている。これらの駆動回路16、18は、制御回路20から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン6あるいはドレインバスライン8に出力するようになっている。TFT基板2の素子形成面と反対側の基板面には偏光板22が配置され、偏光板22のTFT基板2と反対側の面にはバックライトユニット24が取り付けられている。CF基板4のCF形成面と反対側の面には、偏光板22とクロスニコルに配置された偏光板26が貼り付けられている。
【0016】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の構成について説明する。図3は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をR、Gの2画素について示している。図4は、図3に示すA−A線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図3及び図4に示すように、CF基板4は、ガラス基板28上に低反射Cr等からなるBM30を有している。BM30上には、CF樹脂層R、Gが、CF樹脂層Rの図中右端辺とCF樹脂層Gの図中左端辺とが接するように形成されている。このため、CF樹脂層R、G間には図67及び図68に示すような隙間部112が形成されない。CF樹脂層R、G上には液晶の配向を規制する線状の突起32が形成されている。画素領域間(図3では中央)には柱状スペーサ34が形成されている。なお、図4では、CF樹脂層R、G上に形成された共通電極40の図示は省略している。
【0017】
図5は、図3に示すB−B線で切断した柱状スペーサ34近傍の構成を示す断面図である。図5に示すように、柱状スペーサ34は、BM30上に順に積層されたCF樹脂層R、G、Bと、その上層に形成されたレジスト層33等で構成されている。レジスト層33は突起32と同一の形成材料で形成されている。
【0018】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について、図6乃至図14を用いて説明する。図6乃至図12は、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図であり、図4と同一の断面を示している。まず、図6に示すように、透明なガラス基板28上に、例えば低反射Crを全面に成膜し、低反射Cr膜31を形成する。次に、図7に示すように、例えばポジ型ノボラック系レジストを低反射Cr膜31上の全面に塗布してプリベークし、例えば膜厚1.2μmのレジスト層36を形成する。次に、図8に示すように、露光用マスク(フォトマスク)38を用いてレジスト層36を露光する。次に、図9に示すように、露光されたレジスト層36を現像してポストベークし、レジストパターン37を形成する。次に、図10に示すように、レジストパターン37をエッチングマスクとして用いてエッチングする。次に、図11に示すように、レジストパターン37を剥離してBM30を形成する。
【0019】
次に、BM30が形成されたガラス基板28上の全面に、例えば感光性顔料分散型のRレジストを膜厚1.5μmに塗布する。続いて、塗布直後のRレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図12及び図13に示すようにRの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Rを形成する。CF樹脂層Rは、BM30の幅の1/2程度がBM30に重なるように形成される。
【0020】
次に、CF樹脂層Rと同様の工程で、Gの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Gを形成する。CF樹脂層Gは、CF樹脂層Gの左端辺がCF樹脂層Rの右端辺に接するように形成される。したがって、両端辺の間には図67及び図68に示す隙間部112が形成されない。次に、CF樹脂層R、Gと同様の工程で、Bの画素領域(図示せず)と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Bを形成する。
【0021】
図14は、図13のC−C線で切断した柱状スペーサ形成領域34’近傍の構成を示す断面図である。図14に示すように、BM30上の柱状スペーサ形成領域34’には、CF樹脂層R、G、Bがこの順に積層されている。
【0022】
次に、ITO等を全面に成膜し、例えば膜厚150nmの共通電極40を形成する。次に、共通電極40上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを1.5μmの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。続いて、塗布直後の当該レジスト層を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起32と柱状スペーサ34のレジスト層33とを同時に形成する。以上の工程を経て、図3及び図4に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のCF基板4が完成する。
【0023】
本実施例の液晶表示装置用基板の製造方法によれば、図67及び図68に示す従来のCF基板の隙間部112は形成されない。このため、CF樹脂層Bやレジスト層33が柱状スペーサ形成領域34’から隙間部112に流れ込むことがないので、CF樹脂層Bやレジスト層33のレベリング性を低下させることができる。また、本実施例によれば、柱状スペーサを構成するCF樹脂層R、G、B及びレジスト層33を塗布直後に減圧乾燥させているため、CF樹脂層R、G、B及びレジスト層33のレベリング性を低下させることができる。したがって、所望の高さの柱状スペーサ34を形成することができる。
【0024】
(実施例1−2)
次に、実施例1−2による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図15及び図16を用いて説明する。図15は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をR、Gの2画素について示している。なお、図3に示す実施例1−1による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。図15に示すように、CF基板4は、柱状スペーサ34から距離L(例えば50μm)の範囲内のみに、CF樹脂層Rの右端辺とCF樹脂層Gの左端辺とが接する実施例1−1と同様の構造が形成されている。すなわち、CF樹脂層R、G間の隙間部42は、柱状スペーサ34から距離Lの範囲内では形成されていない。
【0025】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図16を用いて説明する。まず、図6乃至図11に示す実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法と同様の工程でBM30を形成する。次に、BM30が形成されたガラス基板28上の全面に、例えば感光性顔料分散型のRレジストを1.5μmの膜厚に塗布する。続いて、塗布直後のRレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図16に示すようにRの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Rを形成する。CF樹脂層Rは、柱状スペーサ形成領域34’から距離Lの範囲内で、BM30の幅の1/2程度がBM30に重なるように形成され、当該範囲外の隙間部42では、BM30の幅の1/3程度がBM30に重なるように形成される。
【0026】
次に、CF樹脂層Rと同様の工程で、図16に示すようなGの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Gを形成する。このとき、柱状スペーサ形成領域34’から距離Lの範囲内で、CF樹脂層Gの左端辺とCF樹脂層Rの右端辺との間には、図67及び図68に示す隙間部112が形成されないようにする。次に、CF樹脂層R、Gと同様の工程で、Bの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Bを形成する。
【0027】
次に、ITO等を全面に成膜し、例えば膜厚150nmの共通電極40を形成する。次に、共通電極40上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを1.5μmの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。続いて、塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起32と柱状スペーサ34のレジスト層33とを同時に形成する。以上の工程を経て、図15に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のCF基板4が完成する。
【0028】
本実施例によれば、上記実施例1−1と同様の効果を奏することができる。また、柱状スペーサ34周辺のみで、例えばCF樹脂層R右端辺とCF樹脂層G左端辺とが接するようにすればよいため、CF樹脂層R、G、Bの形成が上記実施例1−1に比較して容易になる。
【0029】
(実施例1−3)
次に、実施例1−3による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図17乃至図22を用いて説明する。図17は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をR、Gの2画素について示している。図18は、図17のD−D線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。なお、図3に示す実施例1−1による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。図17及び図18に示すように、BM30上には、BM30をパターニングする際に用いられた例えば膜厚1.2μmのポジ型ノボラック系のレジストパターン37が、剥離されずに残存している。CF樹脂層RはBM30の幅(レジストパターン37の幅)の1/3程度がレジストパターン37に重なるように形成されており、CF樹脂層GはBM30の幅の1/3程度がレジストパターン37に重なるように形成されている。
【0030】
図19は、図17に示すE−E線で切断した柱状スペーサ34近傍の構成を示す断面図である。図19に示すように、柱状スペーサ34は、BM30上に順に積層されたレジストパターン37、CF樹脂層R、G、B、共通電極40及びレジスト層33で構成されている。レジスト層33は突起32と同一の形成材料で形成されている。
【0031】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図20乃至図22を用いて説明する。図20は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図であり、図21は図20のF−F線で切断した断面を示す工程断面図である。まず、図6乃至図10に示す工程により、ガラス基板28上にBM30を形成する。次に、BM30上のレジストパターン37を剥離せずに、ガラス基板28上の全面に、例えば感光性顔料分散型のRレジストを1.5μmの膜厚に塗布する。続いて、塗布直後のRレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図20及び図21に示すようなRの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Rを形成する。CF樹脂層Rは、BM30の幅の1/3程度がレジストパターン37に重なるように形成される。
【0032】
次に、CF樹脂層Rと同様の工程で、Gの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Gを形成する。CF樹脂層Gは、BM30の幅の1/3程度がレジストパターン37に重なるように形成される。次に、CF樹脂層R、Gと同様の工程で、Bの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Bを形成する。
【0033】
図22は、図20のG−G線で切断した柱状スペーサ形成領域34’近傍の構成を示す断面図である。図22に示すように、BM30上の柱状スペーサ形成領域34’には、レジストパターン37、CF樹脂層R、G、Bがこの順に積層される。
【0034】
次に、ITO等を全面に成膜し、例えば膜厚150nmの共通電極40を形成する。次に、共通電極40上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを1.5μmの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。続いて、塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起32と柱状スペーサ34のレジスト層33とを同時に形成する。以上の工程を経て、図17及び図18に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のCF基板4が完成する。
【0035】
本実施例によれば、上記実施例1−1と同様の効果を奏することができる。また、例えばCF樹脂層R右端辺とCF樹脂層G左端辺との間に隙間が生じないようにCF樹脂層R、Gを形成する必要がないため、CF樹脂層R、G、Bの形成が上記実施例1−1に比較して容易になる。さらに、BM30をパターニングする際に用いたレジストパターン37を剥離せずに残存させているため、レジストパターン37の剥離工程が不要になり上記実施例1−1に比較して製造工程を簡略化できる。
【0036】
(実施例1−4)
次に、実施例1−4による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図23乃至図30を用いて説明する。図23は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をR、Gの2画素について示している。図24は、図23のI−I線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。なお、図3に示す実施例1−1による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。図23及び図24に示すように、BM30上には、BM30をパターニングする際に用いられた例えば膜厚1.2μmのポジ型ノボラック系のレジストパターン37が、剥離されずに残存している。また、CF樹脂層R、Gは、CF樹脂層Rの図中右端辺とCF樹脂層Gの図中左端辺との間に隙間が生じないように形成されている。このため、CF樹脂層R、G間には図67及び図68に示す隙間部112が形成されない。
【0037】
図25は、図23に示すJ−J線で切断した柱状スペーサ34近傍の構成を示す断面図である。図25に示すように、柱状スペーサ34は、BM30上に順に積層されたレジストパターン37、CF樹脂層R、G、B、共通電極40及びレジスト層33で構成されている。レジスト層33は突起32と同一の形成材料で形成されている。
【0038】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図26乃至図28を用いて説明する。図26は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図であり、図27は図26のK−K線で切断した断面を示す工程断面図である。まず、図6乃至図10に示す工程により、ガラス基板28上にBM30を形成する。次に、BM30上のレジストパターン37を剥離せずに、ガラス基板28上の全面に、例えば感光性顔料分散型のRレジストを1.5μmの膜厚に塗布する。続いて、塗布直後のRレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図26及び図27に示すようにRの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Rを形成する。CF樹脂層Rは、BM30の幅の1/2程度がレジストパターン37に重なるように形成される。
【0039】
次に、CF樹脂層Rと同様の工程で、Gの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Gを形成する。CF樹脂層Gは、BM30の幅の1/2程度がレジストパターン37に重なり、CF樹脂層Gの左端辺とCF樹脂層Rの右端辺との間に隙間が生じないように形成される。次に、CF樹脂層R、Gと同様の工程で、Bの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Bを形成する。
【0040】
図28は、図26のL−L線で切断した柱状スペーサ形成領域34’近傍の構成を示す断面図である。図28に示すように、BM30上の柱状スペーサ形成領域34’には、レジストパターン37、CF樹脂層R、G、Bがこの順に積層されている。
【0041】
次に、ITO等を全面に成膜し、例えば膜厚150nmの共通電極40を形成する。次に、共通電極40上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを1.5μmの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。続いて、塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起32と柱状スペーサ34のレジスト層33とを同時に形成する。以上の工程を経て、図23及び図24に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のCF基板4が完成する。
【0042】
本実施例によれば、上記実施例1−1と同様の効果を奏することができる。また、BM30をパターニングする際に用いたレジストパターン37を剥離せずに残存させているため、レジストパターン37の剥離工程が不要になり、上記実施例1−1に比較して製造工程を簡略化できる。
【0043】
図29は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示している。図29に示すように、本変形例では、BM30及びその上層に残存するレジストパターン37に代えて、例えば膜厚1.2μm程度の樹脂BM44が形成されている。
【0044】
本変形例の液晶表示装置用基板の製造方法について図30を用いて簡単に説明する。まず、ガラス基板28上の全面に黒色樹脂層を塗布してパターニングし、樹脂BM44を形成する。次に、ガラス基板28上の全面に、例えば感光性顔料分散型のRレジストを1.5μmの膜厚に塗布してパターニングし、図30に示すようにRの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Rを形成する。次に、CF樹脂層Rと同様の工程で、Gの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Gを形成し、Bの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Bを形成する。その後、上記実施の形態と同様の工程を経て本変形例による液晶表示装置用基板が完成する。本変形例によっても上記実施例1−4と同様の効果を奏することができる。
【0045】
(実施例1−5)
次に、実施例1−5による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図31乃至図36を用いて説明する。図31は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をB、Rの2画素について示している。図32は、図31のM−M線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。なお、図3に示す実施例1−1による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。図31及び図32に示すように、本実施例による液晶表示装置用基板は、各画素領域端部に、CF樹脂層R、G、Bのいずれか2層を積層して形成された色重ねBM46を有している。
【0046】
図33は、図31に示すN−N線で切断した柱状スペーサ34近傍の構成を示す断面図である。図33に示すように、柱状スペーサ34は、順に積層されたCF樹脂層B、R、G、共通電極40及びレジスト層33で構成されている。レジスト層33は突起32と同一の形成材料で形成されている。
【0047】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図34及び図35を用いて説明する。図34は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図であり、図35は図34のO−O線で切断した断面を示す工程断面図である。まず、ガラス基板28上に、例えば感光性顔料分散型のBレジストを膜厚1.5μmに塗布する。続いて、塗布直後のBレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図34及び図35に示すように、Bの画素領域、柱状スペーサ形成領域34’及び所定の色重ねBM46形成領域にCF樹脂層Bを形成する。次に、CF樹脂層Bと同様の工程で、CF樹脂層R、Gをこの順に形成する。図35に示すように、画素領域端部には、CF樹脂層R、G、Bのいずれかが2層積層された色重ねBM46が形成される。
【0048】
図36は、図34のP−P線で切断した柱状スペーサ形成領域34’近傍の構成を示す断面図である。図36に示すように、柱状スペーサ形成領域34’には、CF樹脂層B、R、Gがこの順に積層されている。
【0049】
次に、ITO等を全面に成膜し、例えば膜厚150nmの共通電極40を形成する。次に、共通電極40上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを1.5μmの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。続いて塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起32と柱状スペーサ34のレジスト層33とを同時に形成する。以上の工程を経て、図31及び図32に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のCF基板4が完成する。
【0050】
本実施例によれば、上記実施例1−1と同様の効果を奏することができる。また、例えばCF樹脂層R、Gを画素領域端部で積層して形成すればよいため、CF樹脂層R、G、Bの形成が上記実施例1−1に比較して容易になる。
【0051】
(実施例1−6)
次に、実施例1−6による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図37乃至図42を用いて説明する。図37は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をR、Bの2画素について示している。図38は、図37のQ−Q線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。なお、図3に示す実施例1−1による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
【0052】
図37及び図38に示すように、TFT基板2は、ガラス基板29上に形成された図中左右方向に延びるゲートバスライン6を有している。また、ゲートバスライン6にゲート絶縁膜66を介して交差して図中上下方向に延びるドレインバスライン8が形成されている。両バスライン6、8により、画素領域が画定されている。画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン6に平行な蓄積容量バスライン14が画素領域を横断して形成されている。ゲートバスライン6とドレインバスライン8との交差位置近傍には画素領域毎に図2に示したTFT10(図37では図示せず)が形成されている。
【0053】
TFT基板2には、CF樹脂層R、G、Bが画素領域毎に形成されている(CF−on−TFT構造)。CF樹脂層R、G、B上には、液晶の配向を規制する線状の突起32が画素領域端辺に対して斜めに形成されている。
【0054】
図39は、図37に示すR−R線で切断した柱状スペーサ34近傍の構成を示す断面図である。図39に示すように、柱状スペーサ34は、順に積層されたCF樹脂層B、R、Gと、その上層に形成されたレジスト層33等で構成されている。レジスト層33は突起32と同一の形成材料で形成されている。
【0055】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図40乃至図42を用いて説明する。図40は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図であり、図41は図40のS−S線で切断した断面を示す工程断面図である。まず、ガラス基板29上に、ゲートバスライン6及び蓄積容量バスライン14、ゲート絶縁膜66、ドレインバスライン8を順に形成する。
【0056】
次に、基板全面に例えば感光性顔料分散型のBレジストを1.5μmの膜厚に塗布する。続いて、塗布直後のBレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図40及び図41に示すようなBの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Bを形成する。CF樹脂層Bは、ドレインバスライン8の幅の1/2程度がドレインバスライン8に重なるように形成される。
【0057】
次に、CF樹脂層Bと同様の工程で、Rの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Rを形成する。CF樹脂層Rは、右端辺がCF樹脂層Bの左端辺に接するように形成される。したがって、両端辺の間には図67及び図68に示すような隙間部112が形成されない。次に、CF樹脂層B、Rと同様の工程で、Gの画素領域と柱状スペーサ形成領域34’とにCF樹脂層Gを形成する。
【0058】
図42は、図40のT−T線で切断した柱状スペーサ形成領域34’近傍の構成を示す断面図である。図42に示すように、柱状スペーサ形成領域34’には、CF樹脂層B、R、Gがこの順に積層されている。
【0059】
次に、ITO等を全面に成膜してパターニングし、画素電極12を形成する。次に、画素電極12上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを1.5μmの膜厚に塗布してレジスト層を形成し、減圧乾燥により当該レジスト層を強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起32と柱状スペーサ34のレジスト層33とを同時に形成する。以上の工程を経て、図37及び図38に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のTFT基板2が完成する。
【0060】
本実施例によれば、CF−on−TFT構造のTFT基板2であっても、上記実施例1−1と同様の効果を奏することができる。
【0061】
以下、本実施の形態による液晶装置用基板を用いた場合の効果について具体的に説明する。図43及び図44は、本実施の形態の各実施例による液晶表示装置用基板の効果を説明する図である。
【0062】
図43は、本実施の形態の実施例1−1乃至1−6による液晶表示装置用基板の製造方法において、CF樹脂層R、G、Bを3層積層した場合の各柱状スペーサ形成領域34’に形成される構造物の高さを示している。横軸は構造物を形成する各実施例を表しており、縦軸は構造物の高さ(μm)を表している。また、図中の破線は、図72に示す従来の柱状スペーサ形成領域106’の構造物の高さhb’(1.70μm)を表している。図43に示すように、図14に示した実施例1−1での構造物の高さh1’は従来の構造物の高さhb’より0.18μm高い1.88μmであり、図示は省略した実施例1−2での構造物の高さh2’は従来の構造物の高さhb’より0.10μm高い1.80μmである。また、図22に示した実施例1−3での構造物の高さh3’は従来の構造物の高さhb’より0.60μm高い2.30μmであり、図28に示した実施例1−4での構造物の高さh4’は従来の構造物の高さhb’より0.65μm高い2.35μmである。図36に示した実施例1−5での構造物の高さh5’は従来の構造物の高さhb’より0.08μm高い1.78μmであり、図42に示した実施例1−6での構造物の高さh6’は従来の構造物の高さhb’より0.08μm高い1.78μmである。
【0063】
すなわち、最も顕著な効果を有する実施例1−4の構造物の高さh4’は、従来の構造物の高さhb’より0.65μm高く形成でき、最も効果の小さい実施例1−5及び実施例1−6の構造物の高さh5’、h6’においても、従来の構造物の高さhb’よりも0.08μm高く形成できる。
【0064】
図44は、本実施例1−1乃至1−6による液晶表示装置用基板の各柱状スペーサ34の高さを示している。横軸は柱状スペーサ34を形成する各実施例を表しており、縦軸は柱状スペーサ34の高さ(μm)を表している。また、図中の破線は、図69に示す従来の柱状スペーサ106の高さhb(2.45μm)を表している。図44に示すように、図5に示した実施例1−1での柱状スペーサ34の高さh1は従来の柱状スペーサ106の高さhbより0.20μm高い2.65μmであり、図示は省略した実施例1−2での柱状スペーサ34の高さh2は従来の柱状スペーサ106の高さhbより0.10μm高い2.55μmである。また、図19に示した実施例1−3での柱状スペーサ34の高さh3は従来の柱状スペーサ106の高さhbより0.60μm高い3.05μmであり、図25に示した実施例1−4での柱状スペーサ34の高さh4は従来の柱状スペーサ106の高さhbより0.65μm高い3.10μmである。図33に示した実施例1−5での柱状スペーサ34の高さh5は従来の柱状スペーサ106の高さhbより0.10μm高い2.55μmであり、図39に示した実施例1−6での柱状スペーサ34の高さh6は従来の柱状スペーサ106の高さhbより0.10μm高い2.55μmである。
【0065】
すなわち、最も顕著な効果を有する実施例1−4の柱状スペーサ34の高さh4は、従来の柱状スペーサ106の高さhbより0.65μm高く形成でき、最も効果の小さい実施例1−5及び実施例1−6の柱状スペーサ34の高さh5、h6においても、従来の柱状スペーサ106の高さhbよりも0.10μm高く形成できる。
【0066】
本実施の形態では、MVAモードの液晶表示装置を例に挙げて説明したが、他のモードの液晶表示装置にも適用できる。ただし、例えばTNモードの液晶表示装置には、液晶の配向を規制する突起32が形成されないため、本実施の形態による液晶表示装置用基板の柱状スペーサ34のように最上層のレジスト層33が形成されない。このため、柱状スペーサ34の最上層になる共通電極40と、対向する基板の画素電極12とが短絡しないようにする必要がある。
【0067】
また、柱状スペーサ34を構成するCF樹脂層R、G、B、樹脂BM44、レジスト層33等の各樹脂層の膜厚(高さ)は、変更することができる。各樹脂層の膜厚を変更することにより柱状スペーサ34の高さを調整できるため、所望のセルギャップを得ることができる。
【0068】
以上説明したように、本実施の形態によれば、所望のセルギャップを容易に得ることができる。
【0069】
〔第2の実施の形態〕
本発明の第2の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図45乃至図66を用いて説明する。
液晶表示装置のセルギャップは、基板に散布された球状スペーサ等により保持されている。しかし、表示画素領域内に球状スペーサがあると、球状スペーサ周囲で光漏れや配向不良(ドメイン)が発生し、液晶表示装置の表示品質が低下する。このため、これに代わる技術として、感光性樹脂をフォトリソグラフィ法でパターニングすることにより、基板上の任意の位置に柱状スペーサを形成する方法が用いられている。BMにより遮光された遮光部のみに柱状スペーサを形成することによって上記のような問題が解決される。また、スピンコート法等により樹脂を均一の膜厚に塗布できるため、高さ精度に優れた柱状スペーサが形成できる。このため、柱状スペーサが用いられた液晶表示装置では、均一で高精度なセルギャップが得られる。柱状スペーサの形成材料の一つに光硬化性のアクリル樹脂系ネガ型感光性レジストがある。
【0070】
図45は、CF基板4側に柱状スペーサ70が形成された液晶表示装置の断面を示している。図45に示すように、液晶表示装置は、CF基板4とTFT基板2とを貼り合わせ、両基板間に液晶LCを封入して形成されている。CF基板4は、ガラス基板28上に画素領域端部を遮光するBM30を有している。各画素領域には、CF樹脂層R、G、Bが形成されている。CF樹脂層R、G、B上の全面には共通電極40が形成されている。
【0071】
一方、TFT基板2は、ガラス基板29上の各画素領域に形成された画素電極12を有している。CF基板4のBM30上には、CF基板4とTFT基板2との間のセルギャップを保持するための柱状スペーサ70が形成されている。
【0072】
CF基板4は、例えば以下のようにして製造される。図46及び図47は、CF基板4の製造工程を示す工程断面図である。まず、ガラス基板28上にCr等を成膜してパターニングし、BM30を形成する。次いで、例えば顔料分散型ネガ型感光性アクリルレジストを塗布してパターニングし、CF樹脂層R、G、Bをストライプ状に形成する。次に、CF樹脂層R、G、B上の全面にITO等の透明導電膜を成膜して共通電極40を形成する。
【0073】
次に、ネガ型感光性アクリルレジストを所望のセルギャップに基づいた膜厚で塗布してレジスト層48を形成し、90℃程度でプリベークしてレジスト層48を乾燥させる。次に、図46に示すように、大型の露光用マスク38を用いたプロキシミティ方式の露光により、レジスト層48をCF基板4表面側(図中上方)からの紫外線で一括露光する。その後現像し、220℃程度で焼成することにより、図47に示すようなCF基板4上の所望の位置及び高さに形成された柱状スペーサ70が完成する。
【0074】
柱状スペーサ70は通常、基板面に垂直方向に見て、CF基板4上のBM30あるいはTFT基板2上の金属配線等に重なる位置、すなわち表示領域外に形成される。これにより、柱状スペーサ70の周囲に生じる液晶の配向不良領域は遮光されるため、表示品質の低下を防止することができる。ところで、近年の液晶表示用装置の高精細でかつ開口率を高めたパターン設計により、BM30や金属配線の線幅はますます微細化してきている。このため、柱状スペーサ70をBM30や金属配線に重なる位置に形成するには、柱状スペーサ70の寸法を小さくする必要がある。
【0075】
しかしながら、プロキシミティ方式の露光でネガ型感光性レジストを用いた場合の解像度は、露光ギャップにより異なるが通常10μm程度である。例えば、幅15μmの柱状スペーサ70を形成する場合、CF基板4と露光用マスク38の位置合わせ精度を考慮すると線幅20μm以上のBM30上に形成する必要がある。ステッパ(投影露光装置)を用いることにより解像度を10μm以下にすることも可能であるが、タクトが長くなり生産性が低下してしまうという問題が生じる。本実施の形態の目的は、高精細でかつ開口率を高めたパターン設計がされていても、柱状スペーサを容易に形成できる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【0076】
本実施の形態では、BM30に開口部を設け、BM30上に塗布した光硬化性を有するネガ型レジストを背面露光により露光して、柱状スペーサ70を自己整合的に形成する。こうすることにより、CF基板4と露光用マスク38との位置合わせが不要になり、またコンタクト方式の露光と同程度の解像度が得られる。このため、狭い線幅のBM30が形成されていても、当該BM30上に柱状スペーサ70を形成できる。
【0077】
以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について実施例2−1及び2−2を用いてより具体的に説明する。
(実施例2−1)
まず、実施例2−1による液晶表示装置用基板及び及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図48乃至図57を用いて説明する。図48は、本実施例による液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。図48に示すように、液晶表示装置は、CF基板4とTFT基板2とを貼り合わせ、両基板間に液晶LCを封入して形成されている。CF基板4は、ガラス基板28上に画素領域端部を遮光するBM50を有している。BM50は、少なくともネガ型感光性レジストの感光波長を透過する開口部52を有している。各画素領域には、CF樹脂層R、G、Bが形成されている。CF樹脂層R、G、B上には共通電極40が形成されている。
【0078】
一方、TFT基板2は、ガラス基板29上に、各画素領域に形成された画素電極12を有している。BM50の開口部52上には、CF基板4とTFT基板2との間のセルギャップを保持するための柱状スペーサ70が形成されている。
【0079】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の製造方法について図49乃至図55を用いて説明する。図49、図51及び図54は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示しており、図50、図52、図53及び図55は図49のa−a線で切断した断面を示す工程断面図である。
【0080】
まず、ガラス基板28上の全面にCrを成膜して、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、図49及び図50に示すように開口部52を有するBM50を形成する。次に、図51及び図52に示すように、顔料分散型ネガ型感光性アクリルレジスト等のRレジストを塗布してパターニングし、CF樹脂層Rを形成する。続いて同様に、CF樹脂層G、Bを形成する。このとき、BM50の開口部52にはCF樹脂層R、G、Bが形成されないようにする。次に、ITO等の透明導電膜を成膜して共通電極40を形成する。
【0081】
次に、共通電極40上の全面に、ネガ型感光性アクリルレジストを塗布してプリベークし、ネガレジスト層54を形成する。次に、図53に示すように、高圧水銀ランプ(図示せず)によって紫外線を基板裏面(図中下方)から照射する。次に、感光したネガレジスト層54を現像すると、図54及び図55に示すように、開口部52上に柱状スペーサ70が形成される。次いでクリーンオーブンを用いて220℃で焼成する。
【0082】
以上の工程で製造されたCF基板4と、対向して配置されるTFT基板2との対向面に液晶の配向を制御する配向膜(図示せず)を形成し、両基板間に液晶LCを封入して偏光板(図示せず)を貼付し、図48に示す液晶表示用装置が完成する。
【0083】
本実施例では、BM30に開口部52を設け、ネガ型感光性レジストを背面露光により露光して柱状スペーサ70を自己整合的に形成している。このため、CF基板4と露光用マスク38との位置合わせが不要である。プロキシミティ方式の露光と同等以上のタクトで露光処理を行うことができ、またコンタクト方式の露光と同程度の解像度で、位置精度の高い柱状スペーサ70が得られる。したがって、高精細でかつ開口率を高めたBM30のパターン設計がされていても、当該BM30上に柱状スペーサ70を容易に形成できる。
【0084】
図56は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す断面図である。図56に示すように、本変形例の液晶表示装置用基板は、Crで形成されたBM50に代えて黒色樹脂で形成された樹脂BM56を有している。BM50より樹脂BM56の方がより厚い膜厚を有しているので、柱状スペーサ70と開口部52の内壁面72との接触面積が増加する。このため、配向膜をラビングする際に基板面方向に力が加えられても、柱状スペーサ70を剥がれ難くすることができる。
【0085】
なお、本実施例の構造では、柱状スペーサ70が透明なネガ型感光性レジストで形成されると、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置では開口部52から光が透過して、表示画面のコントラストが低下してしまう。これを防止するため、柱状スペーサ70の形成材料として焼成後の光透過率の低い着色ネガ型レジスト等を用いれば光漏れを抑えることができる。また、図57に示すように、透明なネガ型レジストを用いても、TFT基板2側で柱状スペーサ70と重なる領域にバスライン等の金属配線58やBMを形成するようにすれば光漏れを防ぐことができる。ノーマリーブラックモードの液晶表示装置では、画素領域端部からの光漏れがないため、柱状スペーサ70を透明なネガ型レジストで形成してもよい。
【0086】
(実施例2−2)
次に、実施例2−2による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図58乃至図66を用いて説明する。図58は、本実施例による液晶表示装置用基板の概略構成を示す断面図である。図58(a)はTFT基板2の蓄積容量バスライン14上に形成された柱状スペーサ35の構成を示しており、図58(b)はTFT基板2の蓄積容量バスライン14上に形成された他の柱状スペーサ35’の構成を示している。本実施例によるTFT基板2は、CF−on―TFT構造を有している。図58(a)、(b)に示すように、TFT基板2は、ガラス基板28表面からの高さが互いに異なる柱状スペーサ35、35’を有している。
【0087】
図58(a)に示すように、TFT基板2は、ガラス基板28上に形成された蓄積容量バスライン14を有している。蓄積容量バスライン14は、柱状スペーサ35の形成領域近傍に開口部53’を有している。蓄積容量バスライン14上にはゲート絶縁膜66が形成されている。ゲート絶縁膜66上には、ドレインバスライン8と蓄積容量電極60とが形成されている。蓄積容量電極60上には、CF樹脂層R、G、Bが形成されている。蓄積容量電極60及びCF樹脂層R、G、Bは、柱状スペーサ35の形成領域近傍に開口部53を有している。CF樹脂層R、G、B上には、平坦化膜68が形成されている。平坦化膜68は、開口部53上で開口されている。平坦化膜68上及び開口部53を介したゲート絶縁膜66上には画素電極12が形成されている。開口部53の画素電極12上には柱状スペーサ35が形成されている。
【0088】
一方、図58(b)に示すように、他の柱状スペーサ35’の形成領域では、柱状スペーサ35の形成領域と異なり、平坦化膜68が開口部53上で開口されていない。このため、柱状スペーサ35、35’の各底面は、ガラス基板28表面からの高さが互いに異なっている。
【0089】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図59乃至図66を用いて説明する。図59、図61及び図63は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図であり、図60、図62、図64乃至図66は図59のb−b線で切断した断面を示す工程断面図である。
【0090】
まず、図59及び図60に示すように、ガラス基板28上の全面にCr、Al等を成膜してパターニングし、開口部53’を有する蓄積容量バスライン14とゲートバスライン6とを形成する。
【0091】
次に、基板全面にシリコン窒化膜(SiN)、アモルファスシリコン(a−Si)及びSiNを連続成膜し、上層のSiNをパターニングしてチャネル保護膜を形成する。次に、図61及び図62に示すように、例えばAl、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)を成膜して、a−Siと下層のSiNとともにパターニングし、開口部53’上に開口部53が位置する蓄積容量電極60を形成する。同時に、ドレインバスライン8、ドレイン電極62及びソース電極64を形成する。
【0092】
次に、図63及び図64に示すように、例えば顔料分散型ネガ型感光性レジストを全面に塗布してパターニングし、開口部53上で開口されたCF樹脂層Rを形成する。続いて同様の工程で、開口部53上で開口されたCF樹脂層G、Bをそれぞれ形成する。CF樹脂層R、G、Bは、図63中上下方向にストライプ状に延びて形成される。
【0093】
次に、図65(a)、(b)に示すように、例えば透明アクリルレジストを全面に塗布して平坦化膜68を形成する。次に、図65(a)に示すように、平坦化膜68は、所定のコンタクトホール(図示せず)を開口するとともに、任意の開口部53の上方を開口する。次に、ITO等の透明導電膜を成膜してパターニングし、画素電極12を形成する。
【0094】
次に、図66(a)、(b)に示すように、ネガ型感光性レジストを全面に塗布してネガレジスト層55を形成する。このとき、開口部53上で平坦化膜68が開口された領域と他の領域とでは、ネガレジスト層55のガラス基板28表面からの高さが異なっている。次に、プリベークによりネガレジスト層55を乾燥させた後、当該ネガレジスト層55が感光する紫外線を基板裏面(図中下方)から照射する。ゲートバスライン6、ドレインバスライン8、蓄積容量バスライン14及びCF樹脂層R、G、B等が遮光層となり紫外線を反射あるいは吸収するため、これらの金属層やCF樹脂層R、G、Bの上層のネガレジスト層55は感光しない。一方、下層に金属層やCF樹脂層R、G、Bが形成されていない開口部53上のネガレジスト層55は、基板裏面より照射された紫外線により感光する。現像処理後、220℃程度のポストベークで焼成して、柱状スペーサ35、35’を形成する。以上の工程を経て、図58(a)、(b)に示すTFT基板2が完成する。
【0095】
本実施例では、ガラス基板28表面からの高さの異なる柱状スペーサ35、35’を任意の位置に任意の配置密度で同時に形成することができる。本実施例によるTFT基板2を用いて形成された液晶表示パネルは、通常は高さの高い方の柱状スペーサ35’がセルギャップを保持しているが、液晶表示パネルのパネル表面が加圧されてセルギャップが狭くなると高さの低い方の柱状スペーサ35もセルギャップを保持するようになる。このため、本実施例による液晶表示装置用基板は、実施例2−1と同様の効果を奏することができるとともに、耐加圧性が向上する。
【0096】
また、液晶表示パネル周囲の温度が低下すると、液晶が収縮して体積が減少する。従来の液晶表示装置では、同一高さの柱状スペーサが高い配置密度で形成されているため、セルギャップ内の容積を減少させるのは困難である。このため、セルギャップ内の圧力が低下して低温発泡が生じやすくなる。これに対し、本実施例の液晶表示装置では、任意の配置密度で形成された高さの高い柱状スペーサ35’のみでセルギャップを維持しており、通常時において、高さの低い柱状スペーサ35は対向基板面に接触していない。温度低下等により液晶体積が減少すると、パネル基板面の一部が高さの低い柱状スペーサ35の位置まで降りてきてセルギャップ内の容積を減少させることができる。こうすることにより、低温発泡の発生を抑制することができる。
【0097】
また、本実施例では、柱状スペーサ35、35’がCF樹脂層R、G、B上に形成されていない。このため、CF樹脂層R、G、Bの形成材料は、柱状スペーサ35、35’の形成材料のようにパネル表面の指押し等に対抗できるだけの圧縮強度を必要としないので、その分、材料の選定が容易になる。
【0098】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
(付記1)
対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、
前記基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域と、
セルギャップを保持するために前記画素領域端部に配置された柱状スペーサと、
前記画素領域に形成されるとともに、少なくとも前記柱状スペーサの周囲で、隣接する前記画素領域間に隙間が生じないように形成された複数のカラーフィルタ樹脂層と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【0099】
(付記2)
付記1記載の液晶表示装置用基板において、
前記柱状スペーサは、前記カラーフィルタ樹脂層を複数積層して形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0100】
(付記3)
付記1又は2に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数のカラーフィルタ樹脂層は、隣接する前記画素領域間で互いの端辺が接するように形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0101】
(付記4)
付記1又は2に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数のカラーフィルタ樹脂層は、隣接する前記画素領域間で積層されて形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0102】
(付記5)
付記1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記カラーフィルタ樹脂層上に形成され、前記液晶を配向規制する線状の突起をさらに有し、
前記柱状スペーサは、前記突起の形成層を有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0103】
(付記6)
付記1乃至5のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素領域端部を遮光する遮光膜をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0104】
(付記7)
付記6記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光膜は、金属で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0105】
(付記8)
付記7記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光膜の上層には、当該遮光膜をパターニングする際に用いられたレジスト層が残存していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0106】
(付記9)
付記6記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光膜は、黒色樹脂で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0107】
(付記10)
基板上の第1の画素領域及び柱状スペーサ形成領域に第1のカラーフィルタ樹脂層を形成し、
前記第1の画素領域に隣接する第2の画素領域及び前記柱状スペーサ形成領域に、少なくとも前記柱状スペーサ形成領域の周囲で前記第1のカラーフィルタ樹脂層との間に隙間が生じないように第2のカラーフィルタ樹脂層を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【0108】
(付記11)
付記10記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記第2のカラーフィルタ樹脂層は、端辺が前記第1のカラーフィルタ樹脂層の端辺に接するように形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【0109】
(付記12)
付記10又は11に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記画素領域を画定するための遮光膜形成層を前記基板上に成膜し、
前記遮光膜形成層上にレジストを塗布し、
前記レジストをパターニングしてレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記遮光膜形成層をエッチングして遮光膜を形成し、
前記レジストパターン上に前記カラーフィルタ樹脂層を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【0110】
(付記13)
付記10乃至12のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記カラーフィルタ樹脂層は減圧乾燥されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【0111】
(付記14)
基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域と、
前記画素領域端部に形成され、所定の領域で開口された複数の開口部を有する遮光層と、
セルギャップを保持するために前記複数の開口部に配置され、光硬化性レジストで形成された複数の柱状スペーサと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【0112】
(付記15)
付記14記載の液晶表示装置用基板において、
前記光硬化性レジストは着色レジストであること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0113】
(付記16)
付記14又は15に記載の液晶表示装置用基板において、
前記開口部は、少なくとも前記光硬化性レジストの感光波長を有する光を透過させること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0114】
(付記17)
付記14乃至16のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の柱状スペーサは、複数の異なる高さで形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0115】
(付記18)
一対の基板と、前記一対の基板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記基板の一方に、付記1乃至9又は付記14乃至17のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。
【0116】
(付記19)
複数の開口部を有する遮光層を基板上に形成する工程と、
前記遮光層上に光硬化性レジストを塗布する工程と、
前記光硬化性レジストを前記基板の裏面から露光して、前記開口部上に柱状スペーサを自己整合的に形成する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【0117】
(付記20)
付記19記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
複数の高さの前記柱状スペーサを同時に形成するために、前記複数の開口部上において前記基板面からの高さが異なる前記光硬化性レジスト表面を形成する工程をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【0118】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、所望のセルギャップが容易に得られる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置の構成を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置のTFT基板側の構成を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図6】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図7】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図8】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図9】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図10】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図11】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図12】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図13】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図14】本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図15】本発明の第1の実施の形態の実施例1−2による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図16】本発明の第1の実施の形態の実施例1−2による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図17】本発明の第1の実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図18】本発明の第1の実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図19】本発明の第1の実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図20】本発明の第1の実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図21】本発明の第1の実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置用基板の製造方法を示す断面図である。
【図22】本発明の第1の実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置用基板の製造方法を示す断面図である。
【図23】本発明の第1の実施の形態の実施例1−4による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図24】本発明の第1の実施の形態の実施例1−4による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図25】本発明の第1の実施の形態の実施例1−4による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図26】本発明の第1の実施の形態の実施例1−4による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図27】本発明の第1の実施の形態の実施例1−4による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図28】本発明の第1の実施の形態の実施例1−4による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図29】本発明の第1の実施の形態の実施例1−4による液晶表示装置用基板の変形例の構成を示す断面図である。
【図30】本発明の第1の実施の形態の実施例1−4による液晶表示装置用基板の変形例の製造方法を示す断面図である。
【図31】本発明の第1の実施の形態の実施例1−5による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図32】本発明の第1の実施の形態の実施例1−5による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図33】本発明の第1の実施の形態の実施例1−5による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図34】本発明の第1の実施の形態の実施例1−5による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図35】本発明の第1の実施の形態の実施例1−5による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図36】本発明の第1の実施の形態の実施例1−5による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図37】本発明の第1の実施の形態の実施例1−6による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図38】本発明の第1の実施の形態の実施例1−6による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図39】本発明の第1の実施の形態の実施例1−6による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図40】本発明の第1の実施の形態の実施例1−6による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図41】本発明の第1の実施の形態の実施例1−6による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図42】本発明の第1の実施の形態の実施例1−6による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図43】本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板の効果を説明する図である。
【図44】本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板の効果を説明する図である。
【図45】本発明の第2の実施の形態の前提となる従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図46】本発明の第2の実施の形態の前提となる従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図47】本発明の第2の実施の形態の前提となる従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図48】本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図49】本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図50】本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図51】本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図52】本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図53】本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図54】本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図55】本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図56】本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置用基板の変形例を示す図である。
【図57】本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置用基板の変形例を示す図である。
【図58】本発明の第2の実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図59】本発明の第2の実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図60】本発明の第2の実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図61】本発明の第2の実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図62】本発明の第2の実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図63】本発明の第2の実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図64】本発明の第2の実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図65】本発明の第2の実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図66】本発明の第2の実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図67】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図68】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図69】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図70】従来の液晶表示装置用基板の製造工程を示す図である。
【図71】従来の液晶表示装置用基板の製造工程を示す断面図である。
【図72】従来の液晶表示装置用基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
2 TFT基板
4 CF基板
6 ゲートバスライン
8 ドレインバスライン
10 TFT
12 画素電極
14 蓄積容量バスライン
16 ゲート駆動回路
18 ドレイン駆動回路
20 制御回路
22、26 偏光板
24 バックライトユニット
28、29 ガラス基板
30、50 BM
31 低反射Cr膜
32 突起
33、36、48 レジスト層
34、35、70 柱状スペーサ
34’ 柱状スペーサ形成領域
37 レジストパターン
38 露光用マスク
40 共通電極
42 隙間部
44、56 樹脂BM
46 色重ねBM
52、53 開口部
54、55 ネガレジスト層
58 金属配線
60 蓄積容量電極
62 ドレイン電極
64 ソース電極
66 ゲート絶縁膜
68 平坦化膜
72 内壁面
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate for a liquid crystal display device used in a display unit such as a personal computer (PC) or a word processor, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same.
[0001]
[Prior art]
A conventional liquid crystal display device has spherical spacers such as plastic beads having substantially the same particle diameter, which are distributed between substrates in order to maintain a predetermined cell gap. However, when the spherical spacers are dispersed on one substrate before the two substrates are bonded together, it is difficult to uniformly distribute the entire substrate. In the liquid crystal display device in which the spherical spacers are not uniformly distributed, the cell gap is likely to change when the substrate surface is pressurized.
[0002]
On the other hand, JP-A-56-140324, JP-A-63-82405, JP-A-4-93924, JP-A-5-196946 and the like disclose a color filter (CF) substrate. Discloses a method of forming a columnar spacer by laminating a plurality of CF resin layers at the end of the pixel region.
[0003]
FIG. 67 shows the configuration of a CF substrate of a conventional MVA (Multi-domain Vertical Alignment) mode liquid crystal display device for two pixels of red (R) and green (G). FIG. 68 shows a cross section of the CF substrate cut along the line WW in FIG. As shown in FIGS. 67 and 68, a light-shielding film (BM) 102 that shields the pixel region end is formed on the glass substrate 104. CF resin layers R and G are formed in each pixel region defined by the BM 102. On the CF resin layers R and G, linear protrusions (banks) 108 that regulate the alignment of the liquid crystal are formed obliquely with respect to the edge of the pixel region. Columnar spacers 106 are formed in the gaps between the R and G pixels.
[0004]
FIG. 69 shows a cross section in the vicinity of the columnar spacer 106 cut along line XX in FIG. In FIG. 69, the protrusion 108 is not shown. As shown in FIG. 69, the columnar spacer 106 is formed of CF resin layers R, G, blue (B), a common electrode 110, and a resist layer 109, which are sequentially stacked on the BM 102.
[0005]
Next, a conventional method for manufacturing a CF substrate will be described. FIG. 70 shows a manufacturing process of a conventional CF substrate, and FIG. 71 shows a cross section taken along line YY of FIG. 72 shows a cross section taken along line ZZ of FIG. First, as shown in FIGS. 70 and 71, chromium (Cr) or the like is formed on the entire surface of the glass substrate 104 and patterned to form the BM 102. Next, a photosensitive resist in which a red pigment is dispersed (hereinafter referred to as “R resist”) is applied and patterned on the entire surface, and a CF resin layer R is formed in a pixel region for displaying R and a columnar spacer 106 formation region. . Similarly, the CF resin layer G is formed in the pixel region for displaying G and the columnar spacer 106 formation region, and the CF resin layer B is formed in the pixel region (not shown) for displaying B and the columnar spacer 106 formation region. As shown in FIG. 71, each CF resin layer R, G, B has a groove shape with a depth of 1 to 2 μm between the CF resin layers R, G, with about 1/3 of the width of the BM 102 overlapping the BM 102. A gap 112 is formed in which a gap is generated. As shown in FIG. 72, CF resin layers R, G, and B are laminated in this order in the columnar spacer formation region 106 ′.
[0006]
Next, ITO (Indium Tin Oxide) or the like is formed on the entire surface of the CF resin layers R, G, and B to form the common electrode 110. Next, a positive novolac resist is applied to the entire surface and patterned to form the protrusions 108 and the resist layer 109 at the same time, thereby completing the CF substrate shown in FIGS.
[Problems to be solved by the invention]
[0007]
As shown in FIGS. 70 and 71, in the conventional CF substrate, when the CF resin layers R and G are sequentially formed, the depth between the CF resin layers R and G is 1-2 μm adjacent to the columnar spacer formation region 106 ′. The gap portion 112 is formed. Therefore, when a photosensitive resist in which a blue pigment is dispersed (hereinafter referred to as “B resist”) is applied to the entire surface of the CF resin layers R and G, the leveling (planarization) action of the B resist causes a relatively high level. The B resist flows into the gap 102 from the tall columnar spacer formation region 106 ′. As a result, the CF resin layer B in the columnar spacer formation region 106 ′ is formed with a thin film thickness. For the same reason, the resist layer 109 in the columnar spacer formation region 106 ′ is also formed with a thin film thickness. Therefore, in order to form the columnar spacer 106 with which a desired cell gap can be obtained, there is a problem that the CF resin layers R, G, B, etc. must be thickened.
[0008]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-104639 discloses a method in which a dam is created around the columnar spacer by the first or second CF resin layer, and resist flow is blocked by the dam to increase the height of the columnar spacer. Is disclosed. However, in the above method, it is necessary to form both the columnar spacer and the weir arranged around the columnar spacer on the BM. For this reason, if the width of the BM is narrow, the thickness of the columnar spacer has to be shortened by the amount of the weir, and there is a risk that the compression strength that can resist finger pressing on the panel cannot be obtained. In order to increase the thickness of the columnar spacer, it must be formed outside the BM. In this case, there is a problem that the aperture ratio decreases.
[0009]
An object of the present invention is to provide a substrate for a liquid crystal display device, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same, in which a desired cell gap can be easily obtained.
Another object of the present invention is to provide a substrate for a liquid crystal display device with high brightness, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The object is to place a liquid crystal together with a counter substrate arranged opposite to each other, a plurality of pixel regions arranged in a matrix on the substrate, and an end of the pixel region to maintain a cell gap Columnar spacers, and a plurality of color filter resin layers formed in the pixel region and formed at least around the columnar spacers so that no gaps are formed between the adjacent pixel regions. This is achieved by the liquid crystal display device substrate.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[First Embodiment]
A substrate for a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS. In this embodiment, the CF resin layer and the resist layer are prevented from flowing out from the columnar spacer formation region by not forming a gap around the columnar spacer. In the present embodiment, the CF resin layer and the resist layer are dried under reduced pressure to prevent the CF resin layer and the resist layer from flowing out of the columnar spacer formation region. Hereinafter, the substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment, the liquid crystal display device including the substrate, and the manufacturing method thereof will be described more specifically with reference to Examples 1-1 to 1-6.
[0012]
(Example 1-1)
First, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-1, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a schematic configuration of the liquid crystal display device according to this embodiment. In the liquid crystal display device, a TFT substrate 2 on which a thin film transistor (TFT) or the like is formed and a CF substrate 4 on which a color filter (CF) or the like is formed are bonded to each other, and a liquid crystal is interposed therebetween. It has an enclosed structure.
[0013]
FIG. 2 shows an equivalent circuit of elements formed on the TFT substrate 2. On the TFT substrate 2, a plurality of gate bus lines 6 extending in the left-right direction in the drawing are formed in parallel with each other, and a plurality of drain bus lines 8 extending in the vertical direction in the drawing so as to intersect with each other at substantially right angles are formed in parallel to each other. ing. Each region surrounded by the plurality of gate bus lines 6 and drain bus lines 8 is a pixel region on the TFT substrate 2 side. A TFT 10 and a pixel electrode 12 are formed in each pixel region. The drain electrode of each TFT 10 is connected to the adjacent drain bus line 8, the gate electrode is connected to the adjacent gate bus line 6, and the source electrode is connected to the pixel electrode 12. A storage capacitor bus line 14 is formed substantially in the center of each pixel region in parallel with the gate bus line 6. These TFT 10, pixel electrode 12, and each bus line 6, 8, 14 are formed by a photolithography process, and are formed by repeating a series of semiconductor processes of “film formation → resist application → exposure → development → etching → resist peeling”. Is done.
[0014]
On the other hand, although not shown, a BM that defines a pixel region on the CF substrate 4 side is formed on the CF substrate 4. One of the CF resin layers R, G, and B is formed in each pixel region on the CF substrate 4 side.
[0015]
Returning to FIG. 1, the TFT substrate 2 sealed with the liquid crystal and disposed opposite to the CF substrate 4 has a gate drive circuit 16 on which a driver IC for driving a plurality of gate bus lines 6 is mounted, and a plurality of drain buses. A drain driving circuit 18 on which a driver IC for driving the line 8 is mounted is provided. The drive circuits 16 and 18 are configured to output a scanning signal and a data signal to a predetermined gate bus line 6 or drain bus line 8 based on a predetermined signal output from the control circuit 20. A polarizing plate 22 is disposed on the substrate surface opposite to the element formation surface of the TFT substrate 2, and a backlight unit 24 is attached to the surface of the polarizing plate 22 opposite to the TFT substrate 2. On the surface of the CF substrate 4 opposite to the CF forming surface, a polarizing plate 26 disposed in crossed Nicols with the polarizing plate 22 is attached.
[0016]
Next, the configuration of the liquid crystal display device substrate according to the present embodiment will be described. FIG. 3 shows the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment for two pixels of R and G. 4 is a cross-sectional view of the substrate for a liquid crystal display device taken along line AA shown in FIG. As shown in FIGS. 3 and 4, the CF substrate 4 has a BM 30 made of low-reflection Cr or the like on a glass substrate 28. On the BM 30, the CF resin layers R and G are formed so that the right end side of the CF resin layer R in the drawing and the left end side of the CF resin layer G in the drawing contact each other. For this reason, a gap 112 as shown in FIGS. 67 and 68 is not formed between the CF resin layers R and G. On the CF resin layers R and G, linear protrusions 32 for regulating the alignment of the liquid crystal are formed. Columnar spacers 34 are formed between the pixel regions (center in FIG. 3). In FIG. 4, the common electrode 40 formed on the CF resin layers R and G is not shown.
[0017]
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the columnar spacer 34 cut along the line BB shown in FIG. As shown in FIG. 5, the columnar spacer 34 is composed of CF resin layers R, G, and B sequentially stacked on the BM 30, a resist layer 33 formed on the upper layer, and the like. The resist layer 33 is formed of the same material as that of the protrusions 32.
[0018]
Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 6 to 12 are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment, and show the same cross section as FIG. First, as shown in FIG. 6, for example, a low reflection Cr film is formed on the entire surface of a transparent glass substrate 28 to form a low reflection Cr film 31. Next, as shown in FIG. 7, for example, a positive novolak resist is applied to the entire surface of the low-reflection Cr film 31 and prebaked to form a resist layer 36 having a thickness of 1.2 μm, for example. Next, as shown in FIG. 8, the resist layer 36 is exposed using an exposure mask (photomask) 38. Next, as shown in FIG. 9, the exposed resist layer 36 is developed and post-baked to form a resist pattern 37. Next, as shown in FIG. 10, etching is performed using the resist pattern 37 as an etching mask. Next, as shown in FIG. 11, the resist pattern 37 is removed to form the BM 30.
[0019]
Next, for example, a photosensitive pigment dispersion type R resist is applied to a film thickness of 1.5 μm on the entire surface of the glass substrate 28 on which the BM 30 is formed. Subsequently, the R resist immediately after coating is forcibly dried by vacuum drying. Thereafter, pre-baking and patterning are performed, and a CF resin layer R is formed in the R pixel region and the columnar spacer formation region 34 'as shown in FIGS. The CF resin layer R is formed so that about ½ of the width of the BM 30 overlaps the BM 30.
[0020]
Next, in the same process as the CF resin layer R, the CF resin layer G is formed in the G pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′. The CF resin layer G is formed so that the left end side of the CF resin layer G is in contact with the right end side of the CF resin layer R. Therefore, the gap portion 112 shown in FIGS. 67 and 68 is not formed between both ends. Next, in the same process as the CF resin layers R and G, the CF resin layer B is formed in the B pixel region (not shown) and the columnar spacer formation region 34 ′.
[0021]
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the columnar spacer formation region 34 ′ cut along the line CC in FIG. As shown in FIG. 14, CF resin layers R, G, and B are laminated in this order in the columnar spacer formation region 34 ′ on the BM 30.
[0022]
Next, ITO or the like is formed on the entire surface, and the common electrode 40 having a thickness of 150 nm, for example, is formed. Next, on the entire surface of the common electrode 40, for example, a positive novolac resist is applied to a thickness of 1.5 μm to form a resist layer. Subsequently, the resist layer immediately after coating is forcibly dried by vacuum drying. Thereafter, pre-baking and patterning are performed to simultaneously form the protrusion 32 and the resist layer 33 of the columnar spacer 34. Through the above steps, the CF substrate 4 of the substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment as shown in FIGS. 3 and 4 is completed.
[0023]
According to the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device of the present embodiment, the gap portion 112 of the conventional CF substrate shown in FIGS. 67 and 68 is not formed. For this reason, since the CF resin layer B and the resist layer 33 do not flow from the columnar spacer formation region 34 ′ into the gap 112, the leveling property of the CF resin layer B and the resist layer 33 can be lowered. In addition, according to the present embodiment, the CF resin layers R, G, B and the resist layer 33 constituting the columnar spacers are dried under reduced pressure immediately after application, so that the CF resin layers R, G, B, and the resist layer 33 are formed. Leveling properties can be reduced. Therefore, the columnar spacer 34 having a desired height can be formed.
[0024]
(Example 1-2)
Next, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-2 and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS. FIG. 15 shows the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to this example with respect to two pixels of R and G. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the component which has the same function effect | action as the component of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 shown in FIG. 3, and the description is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 15, in the CF substrate 4, the right end side of the CF resin layer R and the left end side of the CF resin layer G are in contact with each other only within a distance L (for example, 50 μm) from the columnar spacer 34. 1 is formed. That is, the gap 42 between the CF resin layers R and G is not formed within the distance L from the columnar spacer 34.
[0025]
Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. First, the BM 30 is formed in the same process as the manufacturing method of the substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-1 shown in FIGS. Next, for example, a photosensitive pigment dispersion type R resist is applied to a thickness of 1.5 μm on the entire surface of the glass substrate 28 on which the BM 30 is formed. Subsequently, the R resist immediately after coating is forcibly dried by vacuum drying. Thereafter, pre-baking and patterning are performed, and a CF resin layer R is formed in the R pixel region and the columnar spacer formation region 34 'as shown in FIG. The CF resin layer R is formed such that about ½ of the width of the BM 30 overlaps the BM 30 within a distance L from the columnar spacer formation region 34 ′. In the gap portion 42 outside the range, the width of the BM 30 is About 1/3 is formed so as to overlap with BM30.
[0026]
Next, in the same process as the CF resin layer R, the CF resin layer G is formed in the G pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′ as shown in FIG. At this time, a gap 112 shown in FIGS. 67 and 68 is formed between the left end side of the CF resin layer G and the right end side of the CF resin layer R within a distance L from the columnar spacer formation region 34 ′. Do not be. Next, the CF resin layer B is formed in the B pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′ in the same process as the CF resin layers R and G.
[0027]
Next, ITO or the like is formed on the entire surface, and the common electrode 40 having a thickness of 150 nm, for example, is formed. Next, on the entire surface of the common electrode 40, for example, a positive novolac resist is applied to a thickness of 1.5 μm to form a resist layer. Subsequently, the resist layer immediately after coating is forcibly dried by vacuum drying. Thereafter, pre-baking and patterning are performed to simultaneously form the protrusion 32 and the resist layer 33 of the columnar spacer 34. Through the above steps, the CF substrate 4 of the substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment as shown in FIG. 15 is completed.
[0028]
According to the present embodiment, the same effects as those of the embodiment 1-1 can be obtained. Further, since the right end side of the CF resin layer R and the left end side of the CF resin layer G only need to be in contact with each other only around the columnar spacer 34, the formation of the CF resin layers R, G, and B is performed in Example 1-1. Compared to easier.
[0029]
(Example 1-3)
Next, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-3 and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS. FIG. 17 shows the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to this example with respect to two R and G pixels. 18 is a cross-sectional view of the substrate for a liquid crystal display device taken along line DD in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the component which has the same function effect | action as the component of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 shown in FIG. 3, and the description is abbreviate | omitted. As shown in FIGS. 17 and 18, for example, a positive novolak resist pattern 37 having a film thickness of 1.2 μm used when patterning the BM 30 remains on the BM 30 without being peeled off. The CF resin layer R is formed so that about 1/3 of the width of the BM 30 (width of the resist pattern 37) overlaps the resist pattern 37, and the CF resin layer G has about 1/3 of the width of the BM 30. It is formed so as to overlap.
[0030]
FIG. 19 is a cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the columnar spacer 34 cut along the line EE shown in FIG. As illustrated in FIG. 19, the columnar spacer 34 includes a resist pattern 37, CF resin layers R, G, and B, a common electrode 40, and a resist layer 33 that are sequentially stacked on the BM 30. The resist layer 33 is formed of the same material as that of the protrusions 32.
[0031]
Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 20 is a diagram showing a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to this example, and FIG. 21 is a process sectional view showing a section cut along the line FF in FIG. First, the BM 30 is formed on the glass substrate 28 by the steps shown in FIGS. Next, without peeling off the resist pattern 37 on the BM 30, for example, a photosensitive pigment dispersion type R resist is applied to a thickness of 1.5 μm on the entire surface of the glass substrate 28. Subsequently, the R resist immediately after coating is forcibly dried by vacuum drying. Thereafter, pre-baking and patterning are performed, and a CF resin layer R is formed in the R pixel region and the columnar spacer formation region 34 'as shown in FIGS. The CF resin layer R is formed so that about 1/3 of the width of the BM 30 overlaps the resist pattern 37.
[0032]
Next, in the same process as the CF resin layer R, the CF resin layer G is formed in the G pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′. The CF resin layer G is formed so that about 1/3 of the width of the BM 30 overlaps the resist pattern 37. Next, the CF resin layer B is formed in the B pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′ in the same process as the CF resin layers R and G.
[0033]
FIG. 22 is a cross-sectional view showing the configuration in the vicinity of the columnar spacer formation region 34 ′ cut along the line GG in FIG. As shown in FIG. 22, a resist pattern 37 and CF resin layers R, G, and B are laminated in this order in the columnar spacer formation region 34 ′ on the BM 30.
[0034]
Next, ITO or the like is formed on the entire surface, and the common electrode 40 having a thickness of 150 nm, for example, is formed. Next, on the entire surface of the common electrode 40, for example, a positive novolac resist is applied to a thickness of 1.5 μm to form a resist layer. Subsequently, the resist layer immediately after coating is forcibly dried by vacuum drying. Thereafter, pre-baking and patterning are performed to simultaneously form the protrusion 32 and the resist layer 33 of the columnar spacer 34. Through the above steps, the CF substrate 4 of the substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment as shown in FIGS. 17 and 18 is completed.
[0035]
According to the present embodiment, the same effects as those of the embodiment 1-1 can be obtained. Further, for example, since it is not necessary to form the CF resin layers R and G so that no gap is generated between the right end side of the CF resin layer R and the left end side of the CF resin layer G, formation of the CF resin layers R, G, and B is possible. However, it becomes easier compared with Example 1-1. Furthermore, since the resist pattern 37 used when patterning the BM 30 is left without being peeled off, the resist pattern 37 is not required to be peeled off, and the manufacturing process can be simplified as compared with the embodiment 1-1. .
[0036]
(Example 1-4)
Next, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-4 and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS. FIG. 23 shows the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to this example for two pixels of R and G. 24 is a cross-sectional view of the substrate for a liquid crystal display device taken along line II in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the component which has the same function effect | action as the component of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 shown in FIG. 3, and the description is abbreviate | omitted. As shown in FIGS. 23 and 24, a positive novolak resist pattern 37 having a film thickness of 1.2 μm, for example, used for patterning the BM 30 remains on the BM 30 without being peeled off. The CF resin layers R and G are formed so that no gap is formed between the right end side of the CF resin layer R in the drawing and the left end side of the CF resin layer G in the drawing. For this reason, the gap 112 shown in FIGS. 67 and 68 is not formed between the CF resin layers R and G.
[0037]
25 is a cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the columnar spacer 34 cut along the line JJ shown in FIG. As shown in FIG. 25, the columnar spacer 34 includes a resist pattern 37, CF resin layers R, G, and B, a common electrode 40, and a resist layer 33 that are sequentially stacked on the BM 30. The resist layer 33 is formed of the same material as that of the protrusions 32.
[0038]
Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 26 is a diagram showing a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to this example, and FIG. 27 is a process sectional view showing a section taken along the line KK of FIG. First, the BM 30 is formed on the glass substrate 28 by the steps shown in FIGS. Next, without peeling off the resist pattern 37 on the BM 30, for example, a photosensitive pigment dispersion type R resist is applied to a thickness of 1.5 μm on the entire surface of the glass substrate 28. Subsequently, the R resist immediately after coating is forcibly dried by vacuum drying. Thereafter, pre-baking and patterning are performed, and as shown in FIGS. 26 and 27, a CF resin layer R is formed in the R pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′. The CF resin layer R is formed so that about ½ of the width of the BM 30 overlaps the resist pattern 37.
[0039]
Next, in the same process as the CF resin layer R, the CF resin layer G is formed in the G pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′. The CF resin layer G is formed so that about ½ of the width of the BM 30 overlaps the resist pattern 37 and no gap is formed between the left end side of the CF resin layer G and the right end side of the CF resin layer R. Next, the CF resin layer B is formed in the B pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′ in the same process as the CF resin layers R and G.
[0040]
FIG. 28 is a cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the columnar spacer formation region 34 ′ cut along the line LL in FIG. As shown in FIG. 28, a resist pattern 37 and CF resin layers R, G, and B are laminated in this order in the columnar spacer formation region 34 ′ on the BM 30.
[0041]
Next, ITO or the like is formed on the entire surface, and the common electrode 40 having a thickness of 150 nm, for example, is formed. Next, on the entire surface of the common electrode 40, for example, a positive novolac resist is applied to a thickness of 1.5 μm to form a resist layer. Subsequently, the resist layer immediately after coating is forcibly dried by vacuum drying. Thereafter, pre-baking and patterning are performed to simultaneously form the protrusion 32 and the resist layer 33 of the columnar spacer 34. Through the above steps, the CF substrate 4 of the substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment as shown in FIGS. 23 and 24 is completed.
[0042]
According to the present embodiment, the same effects as those of the embodiment 1-1 can be obtained. Further, since the resist pattern 37 used for patterning the BM 30 is left without being peeled off, the resist pattern 37 is not required to be peeled off, and the manufacturing process is simplified as compared with the embodiment 1-1. it can.
[0043]
FIG. 29 shows a modification of the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to this embodiment. As shown in FIG. 29, in this modification, a resin BM44 having a film thickness of, for example, about 1.2 μm is formed in place of the BM30 and the resist pattern 37 remaining in the upper layer.
[0044]
A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to this modification will be briefly described with reference to FIG. First, a black resin layer is applied to the entire surface of the glass substrate 28 and patterned to form a resin BM44. Next, for example, a photosensitive pigment-dispersed R resist is applied to a thickness of 1.5 μm and patterned on the entire surface of the glass substrate 28, and as shown in FIG. 30, the R pixel region and the columnar spacer formation region 34 are formed. A CF resin layer R is formed at the same time. Next, in the same process as the CF resin layer R, the CF resin layer G is formed in the G pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′, and the CF resin layer is formed in the B pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′. B is formed. Thereafter, the liquid crystal display substrate according to the present modification is completed through the same steps as in the above embodiment. Also according to this modification, the same effects as those of the first to fourth embodiments can be obtained.
[0045]
(Example 1-5)
Next, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-5 and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS. FIG. 31 shows the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to this example with respect to two pixels of B and R. 32 is a cross-sectional view of the substrate for a liquid crystal display device taken along line MM in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the component which has the same function action as the component of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 shown in FIG. 3, and the description is abbreviate | omitted. As shown in FIGS. 31 and 32, the substrate for a liquid crystal display device according to this example is a color overlay formed by laminating any two layers of CF resin layers R, G, and B at the end of each pixel region. It has BM46.
[0046]
FIG. 33 is a cross-sectional view showing the configuration in the vicinity of the columnar spacer 34 cut along the line NN shown in FIG. As shown in FIG. 33, the columnar spacer 34 is composed of CF resin layers B, R, and G, a common electrode 40, and a resist layer 33 that are sequentially stacked. The resist layer 33 is formed of the same material as that of the protrusions 32.
[0047]
Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 34 is a diagram showing a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to this example, and FIG. 35 is a process sectional view showing a section cut along the line OO in FIG. First, on the glass substrate 28, for example, a photosensitive pigment dispersed B resist is applied to a film thickness of 1.5 μm. Subsequently, the B resist immediately after coating is forcibly dried by drying under reduced pressure. Thereafter, prebaking and patterning are performed, and as shown in FIGS. 34 and 35, a CF resin layer B is formed in the B pixel region, the columnar spacer formation region 34 ′, and the predetermined color overlap BM46 formation region. Next, CF resin layers R and G are formed in this order in the same process as the CF resin layer B. As shown in FIG. 35, a color overlap BM 46 in which two CF resin layers R, G, and B are stacked is formed at the end of the pixel region.
[0048]
FIG. 36 is a cross-sectional view showing the configuration in the vicinity of the columnar spacer formation region 34 ′ cut along the line PP in FIG. As shown in FIG. 36, CF resin layers B, R, and G are laminated in this order in the columnar spacer formation region 34 ′.
[0049]
Next, ITO or the like is formed on the entire surface, and the common electrode 40 having a thickness of, for example, 150 nm is formed. Next, on the entire surface of the common electrode 40, for example, a positive novolac resist is applied to a thickness of 1.5 μm to form a resist layer. Subsequently, the resist layer immediately after coating is forcibly dried by vacuum drying. Thereafter, pre-baking and patterning are performed, and the protrusion 32 and the resist layer 33 of the columnar spacer 34 are formed simultaneously. Through the above steps, the CF substrate 4 of the substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment as shown in FIGS. 31 and 32 is completed.
[0050]
According to the present embodiment, the same effects as those of the embodiment 1-1 can be obtained. Further, for example, since the CF resin layers R and G may be formed by laminating at the end of the pixel region, the formation of the CF resin layers R, G, and B is facilitated as compared with the embodiment 1-1.
[0051]
(Example 1-6)
Next, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-6 and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS. FIG. 37 shows the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment for two pixels of R and B. FIG. 38 is a cross-sectional view of the substrate for a liquid crystal display device taken along line QQ in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the component which has the same function action as the component of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 shown in FIG. 3, and the description is abbreviate | omitted.
[0052]
As shown in FIGS. 37 and 38, the TFT substrate 2 has a gate bus line 6 formed on a glass substrate 29 and extending in the left-right direction in the drawing. In addition, a drain bus line 8 extending in the vertical direction in the figure is formed crossing the gate bus line 6 via a gate insulating film 66. A pixel region is defined by both bus lines 6 and 8. A storage capacitor bus line 14 parallel to the gate bus line 6 is formed substantially across the pixel region in the center of the pixel region. A TFT 10 (not shown in FIG. 37) shown in FIG. 2 is formed for each pixel region in the vicinity of the intersection position of the gate bus line 6 and the drain bus line 8.
[0053]
On the TFT substrate 2, CF resin layers R, G, and B are formed for each pixel region (CF-on-TFT structure). On the CF resin layers R, G, and B, linear protrusions 32 that regulate the alignment of the liquid crystal are formed obliquely with respect to the edge of the pixel region.
[0054]
FIG. 39 is a cross-sectional view showing the configuration in the vicinity of the columnar spacer 34 cut along the line RR shown in FIG. As shown in FIG. 39, the columnar spacer 34 is composed of CF resin layers B, R, and G stacked in order, a resist layer 33 formed thereon. The resist layer 33 is formed of the same material as that of the protrusions 32.
[0055]
Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 40 is a diagram showing a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to this example, and FIG. 41 is a process sectional view showing a section cut along the line SS in FIG. First, the gate bus line 6, the storage capacitor bus line 14, the gate insulating film 66, and the drain bus line 8 are sequentially formed on the glass substrate 29.
[0056]
Next, for example, a photosensitive pigment dispersion type B resist is applied to the entire surface of the substrate to a thickness of 1.5 μm. Subsequently, the B resist immediately after coating is forcibly dried by drying under reduced pressure. Thereafter, pre-baking and patterning are performed, and a CF resin layer B is formed in the B pixel region and the columnar spacer formation region 34 'as shown in FIGS. The CF resin layer B is formed so that about 1/2 of the width of the drain bus line 8 overlaps the drain bus line 8.
[0057]
Next, in the same process as the CF resin layer B, the CF resin layer R is formed in the R pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′. The CF resin layer R is formed so that the right end side is in contact with the left end side of the CF resin layer B. Therefore, the gap portion 112 as shown in FIGS. 67 and 68 is not formed between both ends. Next, the CF resin layer G is formed in the G pixel region and the columnar spacer formation region 34 ′ in the same process as the CF resin layers B and R.
[0058]
42 is a cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the columnar spacer formation region 34 ′ cut along the line TT in FIG. As shown in FIG. 42, CF resin layers B, R, and G are laminated in this order in the columnar spacer formation region 34 ′.
[0059]
Next, ITO or the like is formed on the entire surface and patterned to form the pixel electrode 12. Next, on the entire surface of the pixel electrode 12, for example, a positive novolak resist is applied to a thickness of 1.5 μm to form a resist layer, and the resist layer is forcibly dried by drying under reduced pressure. Thereafter, pre-baking and patterning are performed to simultaneously form the protrusion 32 and the resist layer 33 of the columnar spacer 34. Through the above steps, the TFT substrate 2 of the substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment as shown in FIGS. 37 and 38 is completed.
[0060]
According to this example, even with the TFT substrate 2 having a CF-on-TFT structure, the same effects as those of Example 1-1 can be obtained.
[0061]
Hereinafter, the effect when the liquid crystal device substrate according to the present embodiment is used will be described in detail. 43 and 44 are diagrams for explaining the effects of the substrate for a liquid crystal display device according to each example of the present embodiment.
[0062]
FIG. 43 shows each columnar spacer formation region 34 when three CF resin layers R, G, and B are stacked in the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to Examples 1-1 to 1-6 of the present embodiment. 'Indicates the height of the structure to be formed. The horizontal axis represents each example for forming a structure, and the vertical axis represents the height (μm) of the structure. The broken line in the figure represents the height hb ′ (1.70 μm) of the structure of the conventional columnar spacer forming region 106 ′ shown in FIG. As shown in FIG. 43, the height h1 ′ of the structure in Example 1-1 shown in FIG. 14 is 1.88 μm, which is 0.18 μm higher than the height hb ′ of the conventional structure, and is not shown. The height h2 ′ of the structure in Example 1-2 is 1.80 μm, which is 0.10 μm higher than the height hb ′ of the conventional structure. Further, the height h3 ′ of the structure in Example 1-3 shown in FIG. 22 is 2.30 μm, which is 0.60 μm higher than the height hb ′ of the conventional structure, and Example 1 shown in FIG. The height h4 ′ of the structure at −4 is 2.35 μm, which is 0.65 μm higher than the height hb ′ of the conventional structure. The height h5 ′ of the structure in Example 1-5 shown in FIG. 36 is 1.78 μm, which is 0.08 μm higher than the height hb ′ of the conventional structure, and Example 1-6 shown in FIG. The height h6 ′ of the structure is 1.78 μm, which is 0.08 μm higher than the height hb ′ of the conventional structure.
[0063]
That is, the height h4 ′ of the structure of Example 1-4 having the most remarkable effect can be formed 0.65 μm higher than the height hb ′ of the conventional structure, and the least effective Examples 1-5 and Also in the heights h5 ′ and h6 ′ of the structure of Example 1-6, it can be formed 0.08 μm higher than the height hb ′ of the conventional structure.
[0064]
FIG. 44 shows the height of each columnar spacer 34 of the substrate for a liquid crystal display device according to Examples 1-1 to 1-6. The horizontal axis represents each example in which the columnar spacer 34 is formed, and the vertical axis represents the height (μm) of the columnar spacer 34. Moreover, the broken line in the figure represents the height hb (2.45 μm) of the conventional columnar spacer 106 shown in FIG. As shown in FIG. 44, the height h1 of the columnar spacer 34 in Example 1-1 shown in FIG. 5 is 2.65 μm, which is 0.20 μm higher than the height hb of the conventional columnar spacer 106, and is not shown. The height h2 of the columnar spacer 34 in Example 1-2 is 2.55 μm, which is 0.10 μm higher than the height hb of the conventional columnar spacer 106. Further, the height h3 of the columnar spacer 34 in Example 1-3 shown in FIG. 19 is 3.05 μm, which is 0.60 μm higher than the height hb of the conventional columnar spacer 106, and Example 1 shown in FIG. The height h4 of the columnar spacer 34 at −4 is 3.10 μm, which is 0.65 μm higher than the height hb of the conventional columnar spacer 106. The height h5 of the columnar spacer 34 in Example 1-5 shown in FIG. 33 is 2.55 μm, which is 0.10 μm higher than the height hb of the conventional columnar spacer 106, and Example 1-6 shown in FIG. The height h6 of the columnar spacer 34 is 2.55 μm, which is 0.10 μm higher than the height hb of the conventional columnar spacer 106.
[0065]
That is, the height h4 of the columnar spacer 34 of Example 1-4, which has the most remarkable effect, can be formed 0.65 μm higher than the height hb of the conventional columnar spacer 106, and the least effective example 1-5 and Also in the heights h5 and h6 of the columnar spacers 34 of Example 1-6, they can be formed 0.10 μm higher than the height hb of the conventional columnar spacer 106.
[0066]
In this embodiment, the MVA mode liquid crystal display device is described as an example, but the present invention can also be applied to other mode liquid crystal display devices. However, for example, in the TN mode liquid crystal display device, the protrusions 32 for regulating the alignment of the liquid crystal are not formed, and therefore the uppermost resist layer 33 is formed like the columnar spacer 34 of the liquid crystal display device substrate according to the present embodiment. Not. For this reason, it is necessary to prevent the common electrode 40 which is the uppermost layer of the columnar spacer 34 and the pixel electrode 12 on the opposite substrate from being short-circuited.
[0067]
Further, the film thickness (height) of each resin layer such as the CF resin layers R, G, B, the resin BM 44, the resist layer 33 and the like constituting the columnar spacer 34 can be changed. Since the height of the columnar spacer 34 can be adjusted by changing the film thickness of each resin layer, a desired cell gap can be obtained.
[0068]
As described above, according to the present embodiment, a desired cell gap can be easily obtained.
[0069]
[Second Embodiment]
A substrate for a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS.
The cell gap of the liquid crystal display device is held by spherical spacers or the like dispersed on the substrate. However, if there is a spherical spacer in the display pixel region, light leakage or alignment failure (domain) occurs around the spherical spacer, which degrades the display quality of the liquid crystal display device. For this reason, as an alternative technique, a method of forming a columnar spacer at an arbitrary position on the substrate by patterning a photosensitive resin by a photolithography method is used. The above-described problem can be solved by forming the columnar spacers only in the light-shielding portions shielded by the BM. In addition, since the resin can be applied with a uniform film thickness by spin coating or the like, a columnar spacer with excellent height accuracy can be formed. For this reason, in a liquid crystal display device using columnar spacers, a uniform and highly accurate cell gap can be obtained. One of the forming materials for the columnar spacer is a photocurable acrylic resin negative photosensitive resist.
[0070]
FIG. 45 shows a cross section of a liquid crystal display device in which columnar spacers 70 are formed on the CF substrate 4 side. As shown in FIG. 45, the liquid crystal display device is formed by bonding a CF substrate 4 and a TFT substrate 2 and enclosing a liquid crystal LC between the substrates. The CF substrate 4 has a BM 30 that shields the end of the pixel region on the glass substrate 28. CF resin layers R, G, and B are formed in each pixel region. A common electrode 40 is formed on the entire surface of the CF resin layers R, G, and B.
[0071]
On the other hand, the TFT substrate 2 has pixel electrodes 12 formed in each pixel region on the glass substrate 29. A columnar spacer 70 is formed on the BM 30 of the CF substrate 4 to maintain a cell gap between the CF substrate 4 and the TFT substrate 2.
[0072]
The CF substrate 4 is manufactured as follows, for example. 46 and 47 are process cross-sectional views illustrating the process for manufacturing the CF substrate 4. First, Cr or the like is formed on the glass substrate 28 and patterned to form the BM 30. Next, for example, a pigment-dispersed negative photosensitive acrylic resist is applied and patterned to form CF resin layers R, G, and B in stripes. Next, a transparent conductive film such as ITO is formed on the entire surface of the CF resin layers R, G, and B to form the common electrode 40.
[0073]
Next, a negative photosensitive acrylic resist is applied with a film thickness based on a desired cell gap to form a resist layer 48, and pre-baked at about 90 ° C. to dry the resist layer 48. Next, as shown in FIG. 46, the resist layer 48 is collectively exposed to ultraviolet rays from the surface of the CF substrate 4 (upper side in the drawing) by proximity-type exposure using a large exposure mask 38. Thereafter, development and baking at about 220 ° C. complete a columnar spacer 70 formed at a desired position and height on the CF substrate 4 as shown in FIG.
[0074]
The columnar spacer 70 is usually formed at a position overlapping the BM 30 on the CF substrate 4 or the metal wiring on the TFT substrate 2 when viewed in the direction perpendicular to the substrate surface, that is, outside the display area. Thereby, the alignment defect region of the liquid crystal generated around the columnar spacer 70 is shielded from light, so that the display quality can be prevented from deteriorating. By the way, the line widths of the BM 30 and the metal wiring are becoming increasingly finer due to the recent high-definition and high aperture pattern design of liquid crystal display devices. For this reason, in order to form the columnar spacer 70 at a position overlapping the BM 30 or the metal wiring, it is necessary to reduce the size of the columnar spacer 70.
[0075]
However, the resolution when a negative photosensitive resist is used in proximity type exposure is usually about 10 μm, although it varies depending on the exposure gap. For example, when the columnar spacer 70 having a width of 15 μm is formed, it is necessary to form it on the BM 30 having a line width of 20 μm or more in consideration of the alignment accuracy between the CF substrate 4 and the exposure mask 38. Although it is possible to reduce the resolution to 10 μm or less by using a stepper (projection exposure apparatus), there arises a problem that the tact becomes long and the productivity is lowered. An object of the present embodiment is to provide a substrate for a liquid crystal display device capable of easily forming a columnar spacer, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same, even when a pattern design with high definition and an increased aperture ratio is performed. It is to provide.
[0076]
In the present embodiment, an opening is provided in the BM 30, and a photocurable negative resist applied on the BM 30 is exposed by back exposure to form the columnar spacer 70 in a self-aligning manner. By doing so, alignment between the CF substrate 4 and the exposure mask 38 becomes unnecessary, and a resolution comparable to that of contact-type exposure can be obtained. For this reason, even if the BM 30 having a narrow line width is formed, the columnar spacer 70 can be formed on the BM 30.
[0077]
Hereinafter, the substrate for the liquid crystal display device according to the present embodiment, the liquid crystal display device including the substrate, and the manufacturing method thereof will be described more specifically with reference to Examples 2-1 and 2-2.
(Example 2-1)
First, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 2-1, a liquid crystal display device including the same, and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS. FIG. 48 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the liquid crystal display device according to the present embodiment. As shown in FIG. 48, the liquid crystal display device is formed by bonding a CF substrate 4 and a TFT substrate 2 and enclosing a liquid crystal LC between the substrates. The CF substrate 4 has a BM 50 that shields the edge of the pixel region on the glass substrate 28. The BM 50 has an opening 52 that transmits at least the photosensitive wavelength of the negative photosensitive resist. CF resin layers R, G, and B are formed in each pixel region. A common electrode 40 is formed on the CF resin layers R, G, and B.
[0078]
On the other hand, the TFT substrate 2 has a pixel electrode 12 formed in each pixel region on a glass substrate 29. A columnar spacer 70 for holding a cell gap between the CF substrate 4 and the TFT substrate 2 is formed on the opening 52 of the BM 50.
[0079]
Next, a substrate for a liquid crystal display device according to this embodiment and a method for manufacturing a liquid crystal display device including the same will be described with reference to FIGS. 49, 51 and 54 show a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to this example. FIGS. 50, 52, 53 and 55 are cross-sectional views taken along the line aa in FIG. It is process sectional drawing shown.
[0080]
First, Cr is formed on the entire surface of the glass substrate 28 and patterned by using a photolithography method to form a BM 50 having an opening 52 as shown in FIGS. Next, as shown in FIGS. 51 and 52, an R resist such as a pigment-dispersed negative photosensitive acrylic resist is applied and patterned to form a CF resin layer R. Subsequently, similarly, CF resin layers G and B are formed. At this time, the CF resin layers R, G, and B are not formed in the opening 52 of the BM 50. Next, a transparent conductive film such as ITO is formed to form the common electrode 40.
[0081]
Next, a negative photosensitive acrylic resist is applied to the entire surface of the common electrode 40 and prebaked to form a negative resist layer 54. Next, as shown in FIG. 53, ultraviolet rays are irradiated from the back surface of the substrate (downward in the drawing) by a high pressure mercury lamp (not shown). Next, when the exposed negative resist layer 54 is developed, columnar spacers 70 are formed on the openings 52 as shown in FIGS. Next, it is baked at 220 ° C. using a clean oven.
[0082]
An alignment film (not shown) for controlling the alignment of the liquid crystal is formed on the opposing surface of the CF substrate 4 manufactured in the above process and the TFT substrate 2 disposed so as to face each other. The liquid crystal display device shown in FIG. 48 is completed by sealing and attaching a polarizing plate (not shown).
[0083]
In this embodiment, an opening 52 is provided in the BM 30, and the negative photosensitive resist is exposed by back exposure to form the columnar spacers 70 in a self-aligning manner. For this reason, alignment between the CF substrate 4 and the exposure mask 38 is unnecessary. The exposure process can be performed with a tact equivalent to or higher than that of the proximity type exposure, and the columnar spacer 70 with high positional accuracy can be obtained with the same resolution as the contact type exposure. Therefore, even if the pattern design of the BM 30 with high definition and high aperture ratio is performed, the columnar spacer 70 can be easily formed on the BM 30.
[0084]
FIG. 56 is a cross-sectional view showing a modification of the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to this example. As shown in FIG. 56, the substrate for a liquid crystal display device according to this modification has a resin BM56 formed of a black resin instead of the BM50 formed of Cr. Since the resin BM56 has a thicker film thickness than the BM50, the contact area between the columnar spacer 70 and the inner wall surface 72 of the opening 52 increases. For this reason, even when a force is applied in the substrate surface direction when rubbing the alignment film, the columnar spacer 70 can be made difficult to peel off.
[0085]
In the structure of this embodiment, when the columnar spacers 70 are formed of a transparent negative photosensitive resist, in the normally white mode liquid crystal display device, light is transmitted from the opening 52 and the contrast of the display screen is increased. It will decline. In order to prevent this, light leakage can be suppressed by using a colored negative resist having a low light transmittance after firing as a material for forming the columnar spacer 70. As shown in FIG. 57, even if a transparent negative resist is used, light leakage can be prevented by forming a metal wiring 58 such as a bus line or a BM in a region overlapping the columnar spacer 70 on the TFT substrate 2 side. Can be prevented. In the normally black mode liquid crystal display device, since there is no light leakage from the end of the pixel region, the columnar spacer 70 may be formed of a transparent negative resist.
[0086]
(Example 2-2)
Next, a liquid crystal display substrate and a method for manufacturing the same according to Example 2-2 will be described with reference to FIGS. FIG. 58 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to this example. 58A shows the configuration of the columnar spacer 35 formed on the storage capacitor bus line 14 of the TFT substrate 2, and FIG. 58B shows the configuration of the column capacitor 35 formed on the storage capacitor bus line 14 of the TFT substrate 2. The structure of the other columnar spacer 35 'is shown. The TFT substrate 2 according to this embodiment has a CF-on-TFT structure. As shown in FIGS. 58A and 58B, the TFT substrate 2 has columnar spacers 35 and 35 ′ having different heights from the surface of the glass substrate 28.
[0087]
As shown in FIG. 58A, the TFT substrate 2 has a storage capacitor bus line 14 formed on a glass substrate 28. The storage capacitor bus line 14 has an opening 53 ′ in the vicinity of the region where the columnar spacer 35 is formed. A gate insulating film 66 is formed on the storage capacitor bus line 14. On the gate insulating film 66, the drain bus line 8 and the storage capacitor electrode 60 are formed. CF resin layers R, G, and B are formed on the storage capacitor electrode 60. The storage capacitor electrode 60 and the CF resin layers R, G, B have an opening 53 in the vicinity of the formation region of the columnar spacer 35. A planarizing film 68 is formed on the CF resin layers R, G, and B. The planarizing film 68 is opened on the opening 53. The pixel electrode 12 is formed on the planarizing film 68 and on the gate insulating film 66 through the opening 53. A columnar spacer 35 is formed on the pixel electrode 12 in the opening 53.
[0088]
On the other hand, as shown in FIG. 58B, in the formation region of the other columnar spacers 35 ′, unlike the formation region of the columnar spacers 35, the planarizing film 68 is not opened on the opening 53. For this reason, the bottom surfaces of the columnar spacers 35 and 35 ′ are different from each other in height from the surface of the glass substrate 28.
[0089]
Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 59, 61, and 63 are views showing a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment. FIGS. 60, 62, and 64 to 66 are cross sections taken along line bb in FIG. It is process sectional drawing which shows these.
[0090]
First, as shown in FIGS. 59 and 60, Cr, Al, etc. are formed on the entire surface of the glass substrate 28 and patterned to form the storage capacitor bus line 14 and the gate bus line 6 having the opening 53 ′. To do.
[0091]
Next, a silicon nitride film (SiN), amorphous silicon (a-Si), and SiN are continuously formed on the entire surface of the substrate, and a channel protective film is formed by patterning the upper SiN. Next, as shown in FIGS. 61 and 62, for example, Al, titanium (Ti), and molybdenum (Mo) are formed and patterned together with a-Si and underlying SiN, and an opening is formed on the opening 53 ′. A storage capacitor electrode 60 in which 53 is located is formed. At the same time, the drain bus line 8, the drain electrode 62, and the source electrode 64 are formed.
[0092]
Next, as shown in FIGS. 63 and 64, for example, a pigment-dispersed negative photosensitive resist is applied and patterned on the entire surface to form a CF resin layer R opened on the opening 53. Subsequently, CF resin layers G and B opened on the opening 53 are formed in the same process. The CF resin layers R, G and B are formed to extend in the vertical direction in FIG.
[0093]
Next, as shown in FIGS. 65A and 65B, for example, a transparent acrylic resist is applied to the entire surface to form a planarizing film 68. Next, as shown in FIG. 65A, the planarization film 68 opens a predetermined contact hole (not shown) and opens an arbitrary opening 53. Next, a transparent conductive film such as ITO is formed and patterned to form the pixel electrode 12.
[0094]
Next, as shown in FIGS. 66A and 66B, a negative photosensitive resist is applied to the entire surface to form a negative resist layer 55. At this time, the height of the negative resist layer 55 from the surface of the glass substrate 28 differs between the region where the planarization film 68 is opened on the opening 53 and the other regions. Next, after the negative resist layer 55 is dried by pre-baking, ultraviolet rays that are exposed to the negative resist layer 55 are irradiated from the back surface of the substrate (downward in the drawing). Since the gate bus line 6, the drain bus line 8, the storage capacitor bus line 14, and the CF resin layers R, G, B, etc. serve as a light shielding layer and reflect or absorb ultraviolet rays, these metal layers and CF resin layers R, G, B The upper negative resist layer 55 is not exposed to light. On the other hand, the negative resist layer 55 on the opening 53 where the metal layer and the CF resin layers R, G, and B are not formed in the lower layer is exposed to ultraviolet rays irradiated from the back surface of the substrate. After the development processing, the columnar spacers 35 and 35 ′ are formed by baking by post-baking at about 220 ° C. Through the above steps, the TFT substrate 2 shown in FIGS. 58A and 58B is completed.
[0095]
In the present embodiment, the columnar spacers 35 and 35 ′ having different heights from the surface of the glass substrate 28 can be simultaneously formed at an arbitrary position and at an arbitrary arrangement density. In the liquid crystal display panel formed using the TFT substrate 2 according to the present embodiment, the columnar spacer 35 ′ having the higher height usually holds the cell gap, but the panel surface of the liquid crystal display panel is pressurized. When the cell gap becomes narrower, the columnar spacer 35 having a lower height also holds the cell gap. For this reason, the substrate for a liquid crystal display device according to this example can achieve the same effects as those of Example 2-1, and the pressure resistance is improved.
[0096]
Further, when the temperature around the liquid crystal display panel decreases, the liquid crystal contracts and the volume decreases. In the conventional liquid crystal display device, columnar spacers having the same height are formed with a high arrangement density, so it is difficult to reduce the volume in the cell gap. For this reason, the pressure in a cell gap falls and it becomes easy to produce low temperature foaming. On the other hand, in the liquid crystal display device of the present embodiment, the cell gap is maintained only by the high columnar spacers 35 ′ formed at an arbitrary arrangement density, and the columnar spacers 35 having a low height are normal. Is not in contact with the counter substrate surface. When the liquid crystal volume decreases due to a temperature drop or the like, a part of the panel substrate surface descends to the position of the columnar spacer 35 having a low height, and the volume in the cell gap can be reduced. By carrying out like this, generation | occurrence | production of low temperature foaming can be suppressed.
[0097]
In this embodiment, the columnar spacers 35 and 35 ′ are not formed on the CF resin layers R, G, and B. For this reason, the material for forming the CF resin layers R, G, and B does not require compressive strength that can resist finger pressing on the panel surface unlike the material for forming the columnar spacers 35 and 35 '. It becomes easy to select.
[0098]
The substrate for a liquid crystal display device according to the embodiment described above, a method for manufacturing the same, and a liquid crystal display device including the substrate are summarized as follows.
(Appendix 1)
A substrate that sandwiches the liquid crystal together with the opposing substrate disposed oppositely;
A plurality of pixel regions arranged in a matrix on the substrate;
Columnar spacers arranged at the end of the pixel region to maintain a cell gap;
A plurality of color filter resin layers formed in the pixel region and formed so as not to cause a gap between adjacent pixel regions at least around the columnar spacer;
A substrate for a liquid crystal display device, comprising:
[0099]
(Appendix 2)
In the substrate for a liquid crystal display device according to appendix 1,
The columnar spacer is formed by laminating a plurality of the color filter resin layers.
A substrate for a liquid crystal display device.
[0100]
(Appendix 3)
In the substrate for a liquid crystal display device according to appendix 1 or 2,
The plurality of color filter resin layers are formed such that the edges of the color filter resin layers are in contact with each other between the adjacent pixel regions.
A substrate for a liquid crystal display device.
[0101]
(Appendix 4)
In the substrate for a liquid crystal display device according to appendix 1 or 2,
The plurality of color filter resin layers are formed by being stacked between adjacent pixel regions.
A substrate for a liquid crystal display device.
[0102]
(Appendix 5)
The substrate for a liquid crystal display device according to any one of appendices 1 to 4,
A linear protrusion that is formed on the color filter resin layer and regulates alignment of the liquid crystal;
The columnar spacer has a formation layer of the protrusion.
A substrate for a liquid crystal display device.
[0103]
(Appendix 6)
The substrate for a liquid crystal display device according to any one of appendices 1 to 5,
A light-shielding film that shields light from the edge of the pixel region;
A substrate for a liquid crystal display device.
[0104]
(Appendix 7)
In the substrate for liquid crystal display device according to appendix 6,
The light shielding film is made of metal.
A substrate for a liquid crystal display device.
[0105]
(Appendix 8)
In the substrate for liquid crystal display device according to appendix 7,
The resist layer used when patterning the light shielding film remains on the light shielding film.
A substrate for a liquid crystal display device.
[0106]
(Appendix 9)
In the substrate for liquid crystal display device according to appendix 6,
The light shielding film is formed of a black resin.
A substrate for a liquid crystal display device.
[0107]
(Appendix 10)
Forming a first color filter resin layer in the first pixel region and the columnar spacer formation region on the substrate;
The second pixel region adjacent to the first pixel region and the columnar spacer formation region are formed so that no gap is formed between the first color filter resin layer and at least around the columnar spacer formation region. Forming the color filter resin layer 2
A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device.
[0108]
(Appendix 11)
In the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to appendix 10,
The second color filter resin layer is formed so that an end side thereof is in contact with an end side of the first color filter resin layer.
A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device.
[0109]
(Appendix 12)
In the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to appendix 10 or 11,
A light shielding film forming layer for defining the pixel region is formed on the substrate;
A resist is applied on the light shielding film forming layer,
Patterning the resist to form a resist pattern;
Etching the light shielding film forming layer using the resist pattern as an etching mask to form a light shielding film,
Forming the color filter resin layer on the resist pattern;
A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device.
[0110]
(Appendix 13)
In the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to any one of appendices 10 to 12,
The color filter resin layer is dried under reduced pressure.
A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device.
[0111]
(Appendix 14)
A plurality of pixel regions arranged in a matrix on the substrate;
A light shielding layer formed at an end of the pixel region and having a plurality of openings opened in a predetermined region;
A plurality of columnar spacers disposed in the plurality of openings to form a cell gap and formed of a photocurable resist;
A substrate for a liquid crystal display device, comprising:
[0112]
(Appendix 15)
In the substrate for liquid crystal display device according to appendix 14,
The photo-curable resist is a colored resist
A substrate for a liquid crystal display device.
[0113]
(Appendix 16)
In the liquid crystal display substrate according to appendix 14 or 15,
The opening transmits at least light having a photosensitive wavelength of the photocurable resist.
A substrate for a liquid crystal display device.
[0114]
(Appendix 17)
The substrate for a liquid crystal display device according to any one of appendices 14 to 16,
The plurality of columnar spacers are formed at a plurality of different heights.
A substrate for a liquid crystal display device.
[0115]
(Appendix 18)
A liquid crystal display device having a pair of substrates and a liquid crystal sealed between the pair of substrates,
The substrate for a liquid crystal display device according to any one of appendices 1 to 9 or appendixes 14 to 17 is used for one of the substrates.
A liquid crystal display device.
[0116]
(Appendix 19)
Forming a light shielding layer having a plurality of openings on the substrate;
Applying a photocurable resist on the light shielding layer;
Exposing the photocurable resist from the back surface of the substrate to form a columnar spacer in a self-aligned manner on the opening; and
A method for producing a substrate for a liquid crystal display device, comprising:
[0117]
(Appendix 20)
In the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to appendix 19,
In order to simultaneously form the columnar spacers having a plurality of heights, the method further includes the step of forming the photocurable resist surface having different heights from the substrate surface on the plurality of openings.
A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device.
[0118]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a liquid crystal display device in which a desired cell gap can be easily obtained can be realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration on the TFT substrate side of the liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the present invention;
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal display device substrate according to Example 1-1 of the first embodiment of the present invention;
4 is a cross-sectional view showing a configuration of a liquid crystal display device substrate according to Example 1-1 of the first embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of a liquid crystal display device substrate according to Example 1-1 of the first embodiment of the present invention;
6 is a process cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the invention; FIG.
7 is a process sectional view showing the method for manufacturing the substrate for liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the invention; FIG.
8 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the invention; FIG.
FIG. 9 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the invention;
FIG. 10 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the invention;
FIG. 11 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the invention;
FIG. 12 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the invention;
FIG. 13 is a process cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the invention;
FIG. 14 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for liquid crystal display device according to Example 1-1 of the first embodiment of the invention;
FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal display device substrate according to Example 1-2 of the first embodiment of the present invention;
FIG. 16 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for liquid crystal display device according to Example 1-2 of the first embodiment of the invention;
FIG. 17 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal display device substrate according to Example 1-3 of the first embodiment of the present invention;
18 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-3 of the first embodiment of the present invention. FIG.
19 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-3 of the first embodiment of the present invention. FIG.
20 is a diagram showing a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-3 of the first embodiment of the invention. FIG.
FIG. 21 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the liquid crystal display device substrate according to Example 1-3 of the first embodiment of the present invention;
22 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the liquid crystal display device substrate according to Example 1-3 of the first embodiment of the invention; FIG.
FIG. 23 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal display device substrate according to Example 1-4 of the first embodiment of the present invention;
24 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-4 of the first mode for carrying out the invention; FIG.
FIG. 25 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-4 of the first mode for carrying out the invention;
FIG. 26 is a process cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the substrate for the liquid crystal display device according to Example 1-4 of the first embodiment of the invention;
FIG. 27 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for liquid crystal display device according to Example 1-4 of the first embodiment of the invention;
FIG. 28 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 1-4 of the first embodiment of the invention;
FIG. 29 is a cross-sectional view showing a configuration of a modification of the substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-4 of the first embodiment of the present invention;
30 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a modification of the substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-4 of the first embodiment of the invention. FIG.
FIG. 31 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal display substrate according to Example 1-5 of the first embodiment of the present invention;
FIG. 32 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-5 of the first embodiment of the present invention;
33 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-5 of the first embodiment of the present invention; FIG.
34 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 1-5 of the first embodiment of the invention; FIG.
FIG. 35 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 1-5 of the first embodiment of the invention;
FIG. 36 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 1-5 of the first embodiment of the invention;
FIG. 37 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal display substrate according to Example 1-6 of the first embodiment of the present invention;
FIG. 38 is a cross sectional view showing the structure of the substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-6 of the first embodiment of the present invention;
FIG. 39 is a cross sectional view showing the structure of the substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-6 of the first embodiment of the present invention;
40 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for liquid crystal display device according to Example 1-6 of the first embodiment of the present invention; FIG.
41 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 1-6 of the first embodiment of the invention; FIG.
42 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 1-6 of the first embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 43 is a diagram for explaining the effect of the substrate for liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 44 is a diagram for explaining the effect of the substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 45 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional liquid crystal display device which is a premise of the second embodiment of the present invention.
FIG. 46 is a process cross-sectional view illustrating a conventional method for manufacturing a substrate for liquid crystal display device, which is a premise of a second embodiment of the present invention.
FIG. 47 is a process cross-sectional view illustrating a conventional method for manufacturing a substrate for liquid crystal display device, which is a premise of a second embodiment of the present invention.
48 is a cross-sectional view showing a configuration of a liquid crystal display device according to Example 2-1 of the second embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 49 is a diagram showing a method for manufacturing the substrate for liquid crystal display device according to Example 2-1 of the second embodiment of the present invention;
50 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 2-1 of the second embodiment of the invention; FIG.
FIG. 51 is a diagram showing a method for manufacturing the substrate for liquid crystal display device according to Example 2-1 of the second embodiment of the present invention;
52 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 2-1 of the second embodiment of the invention; FIG.
53 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 2-1 of the second embodiment of the invention; FIG.
FIG. 54 is a diagram showing a method for manufacturing the substrate for liquid crystal display device according to Example 2-1 of the second embodiment of the present invention;
FIG. 55 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 2-1 of the second embodiment of the invention;
FIG. 56 is a diagram showing a modification of the substrate for a liquid crystal display device according to Example 2-1 of the second embodiment of the present invention;
FIG. 57 is a diagram showing a modification of the substrate for a liquid crystal display device according to Example 2-1 of the second embodiment of the present invention;
FIG. 58 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate for a liquid crystal display device according to Example 2-2 of the second embodiment of the present invention;
FIG. 59 is a diagram showing a method of manufacturing the liquid crystal display device substrate according to Example 2-2 of the second embodiment of the present invention;
60 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 2-2 of the second embodiment of the invention; FIG.
FIG. 61 is a diagram showing a method for manufacturing the substrate for a liquid crystal display device according to Example 2-2 of the second embodiment of the present invention;
FIG. 62 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 2-2 of the second embodiment of the invention;
FIG. 63 is a diagram showing the method of manufacturing the liquid crystal display device substrate according to Example 2-2 of the second embodiment of the present invention;
FIG. 64 is a process sectional view illustrating the method for manufacturing the substrate for liquid crystal display device according to example 2-2 of the second embodiment of the invention;
FIG. 65 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 2-2 of the second embodiment of the invention;
66 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the substrate for the liquid crystal display device according to Example 2-2 of the second embodiment of the invention; FIG.
FIG. 67 is a diagram illustrating a configuration of a conventional substrate for a liquid crystal display device.
FIG. 68 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional substrate for a liquid crystal display device.
FIG. 69 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional substrate for a liquid crystal display device.
FIG. 70 is a diagram showing a manufacturing process of a conventional substrate for a liquid crystal display device.
FIG. 71 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional substrate for a liquid crystal display device.
FIG. 72 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional substrate for a liquid crystal display device.
[Explanation of symbols]
2 TFT substrate
4 CF substrate
6 Gate bus line
8 Drain bus line
10 TFT
12 pixel electrodes
14 Storage capacity bus line
16 Gate drive circuit
18 Drain drive circuit
20 Control circuit
22, 26 Polarizing plate
24 Backlight unit
28, 29 Glass substrate
30, 50 BM
31 Low reflection Cr film
32 Protrusions
33, 36, 48 Resist layer
34, 35, 70 Columnar spacer
34 'Columnar spacer formation region
37 resist pattern
38 Mask for exposure
40 Common electrode
42 Clearance
44, 56 Resin BM
46 color overlay BM
52, 53 opening
54, 55 Negative resist layer
58 Metal wiring
60 Storage capacitor electrode
62 Drain electrode
64 source electrode
66 Gate insulation film
68 Planarization film
72 inner wall

Claims (3)

基板上の第1の画素領域及び柱状スペーサ形成領域に第1のカラーフィルタ樹脂層を形成し、
前記第1の画素領域に隣接する第2の画素領域及び前記柱状スペーサ形成領域に、少なくとも前記柱状スペーサ形成領域の周囲で前記第1のカラーフィルタ樹脂層との間に隙間が生じないように第2のカラーフィルタ樹脂層を形成し、
前記画素領域を画定するための遮光膜形成層を前記基板上に成膜し、
前記遮光膜形成層上にレジストを塗布し、
前記レジストをパターニングしてレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記遮光膜形成層をエッチングして遮光膜を形成し、
前記レジストパターン上に前記カラーフィルタ樹脂層を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
Forming a first color filter resin layer in the first pixel region and the columnar spacer formation region on the substrate;
The second pixel region adjacent to the first pixel region and the columnar spacer formation region are formed so that no gap is formed between the first color filter resin layer and at least around the columnar spacer formation region. 2 color filter resin layers are formed ,
A light shielding film forming layer for defining the pixel region is formed on the substrate;
A resist is applied on the light shielding film forming layer,
Patterning the resist to form a resist pattern;
Etching the light shielding film forming layer using the resist pattern as an etching mask to form a light shielding film,
A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device , wherein the color filter resin layer is formed on the resist pattern .
請求項記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記第2のカラーフィルタ樹脂層は、端辺が前記第1のカラーフィルタ樹脂層の端辺に接するように形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
The manufacturing method of the liquid crystal display device substrate according to claim 1,
The method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, wherein the second color filter resin layer is formed so that an end side thereof is in contact with an end side of the first color filter resin layer.
請求項1又は2に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記カラーフィルタ樹脂層は減圧乾燥されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
In the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal display devices of Claim 1 or 2 ,
The method for producing a substrate for a liquid crystal display device, wherein the color filter resin layer is dried under reduced pressure.
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