JPH09230055A - エネルギー分散型ｘ線検出装置 - Google Patents
エネルギー分散型ｘ線検出装置Info
- Publication number
- JPH09230055A JPH09230055A JP8034976A JP3497696A JPH09230055A JP H09230055 A JPH09230055 A JP H09230055A JP 8034976 A JP8034976 A JP 8034976A JP 3497696 A JP3497696 A JP 3497696A JP H09230055 A JPH09230055 A JP H09230055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- vacuum chamber
- dewar
- shaped
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 デュア内に液体窒素が導入されず、枠体内
が常温となる場合であっても、半導体素子が劣化せず、
精度の高いＸ線検出が可能となるエネルギー分散型Ｘ線
検出装置を提供する。 【解決手段】 Ｘ線の検出時には、液体窒素デュア５
ｃに液体窒素が導入され、コールドフィンガ１０及びデ
ュア部配管５ｂが共に冷却され、弁体２０は開いた状態
となり、検出部２の真空室６が、デュア部３の真空室７
とが連通されることで、真空室６は高真空に保持され
る。液体窒素デュア５ｃに液体窒素が導入されていない
状態では、検出部２及びデュア部３の真空室６が常温と
なるため、弁体２０は閉じた状態となり、検出部２の真
空室６とデュア部３の真空室７とは完全に隔離され、常
温となることによりガス吸着剤９から脱着したガスは、
真空室６に到達せず、半導体素子１を劣化させることが
ない。
が常温となる場合であっても、半導体素子が劣化せず、
精度の高いＸ線検出が可能となるエネルギー分散型Ｘ線
検出装置を提供する。 【解決手段】 Ｘ線の検出時には、液体窒素デュア５
ｃに液体窒素が導入され、コールドフィンガ１０及びデ
ュア部配管５ｂが共に冷却され、弁体２０は開いた状態
となり、検出部２の真空室６が、デュア部３の真空室７
とが連通されることで、真空室６は高真空に保持され
る。液体窒素デュア５ｃに液体窒素が導入されていない
状態では、検出部２及びデュア部３の真空室６が常温と
なるため、弁体２０は閉じた状態となり、検出部２の真
空室６とデュア部３の真空室７とは完全に隔離され、常
温となることによりガス吸着剤９から脱着したガスは、
真空室６に到達せず、半導体素子１を劣化させることが
ない。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、試料表面から発生
する特性Ｘ線を検出することで、試料の元素分析を行う
エネルギー分散型の蛍光Ｘ線装置や電子線マイクロアナ
ライザーなどに用いられるエネルギー分散型Ｘ線検出装
置に関する。
する特性Ｘ線を検出することで、試料の元素分析を行う
エネルギー分散型の蛍光Ｘ線装置や電子線マイクロアナ
ライザーなどに用いられるエネルギー分散型Ｘ線検出装
置に関する。
【０００２】
【従来技術】電子ビームやＸ線等の照射により試料表面
から発生する特性Ｘ線を検出して元素分析を行うエネル
ギー分散型の蛍光Ｘ線装置や電子線マイクロアナライザ
ーなどの表面分析機器が広く用いられており、特性Ｘ線
の検出にエネルギー分散型Ｘ線検出装置が用いられてい
る。
から発生する特性Ｘ線を検出して元素分析を行うエネル
ギー分散型の蛍光Ｘ線装置や電子線マイクロアナライザ
ーなどの表面分析機器が広く用いられており、特性Ｘ線
の検出にエネルギー分散型Ｘ線検出装置が用いられてい
る。
【０００３】かかるエネルギー分散型Ｘ線検出装置は、
Ｘ線を検知する半導体素子と、この半導体素子を支持す
るいわゆるコールドフィンガと呼ばれる支持部材と、こ
の支持部材を介して半導体素子を冷却する液体窒素など
が入れられたデュアと、半導体素子及び支持部材を真空
に保持する枠体と、ガスを吸着することで枠体内を高真
空に保持するためのガス吸着剤と、を基本的構成として
備えている。
Ｘ線を検知する半導体素子と、この半導体素子を支持す
るいわゆるコールドフィンガと呼ばれる支持部材と、こ
の支持部材を介して半導体素子を冷却する液体窒素など
が入れられたデュアと、半導体素子及び支持部材を真空
に保持する枠体と、ガスを吸着することで枠体内を高真
空に保持するためのガス吸着剤と、を基本的構成として
備えている。
【０００４】そして、かかる半導体素子にＸ線が入射す
るとＸ線の入射エネルギーに応じた信号が得られ、特性
Ｘ線等の検出が可能となる。
るとＸ線の入射エネルギーに応じた信号が得られ、特性
Ｘ線等の検出が可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、デュア
内の液体窒素は蒸発により通常数日でなくなるため、デ
ュア内に液体窒素が導入されず、長時間装置を使用しな
い場合などにおいては、枠体内が常温となり、ガス吸着
剤に吸着されていたガスが脱着し、圧力上昇が生じる。
かかる場合、その脱ガス分子が半導体素子の表面に付着
して表面汚染が起こり、半導体素子が劣化する結果、再
度冷却して枠体内を真空に保持してＸ線を検出しても、
その検出精度に多大な悪影響を及ぼす事態となる。
内の液体窒素は蒸発により通常数日でなくなるため、デ
ュア内に液体窒素が導入されず、長時間装置を使用しな
い場合などにおいては、枠体内が常温となり、ガス吸着
剤に吸着されていたガスが脱着し、圧力上昇が生じる。
かかる場合、その脱ガス分子が半導体素子の表面に付着
して表面汚染が起こり、半導体素子が劣化する結果、再
度冷却して枠体内を真空に保持してＸ線を検出しても、
その検出精度に多大な悪影響を及ぼす事態となる。
【０００６】そこで、本発明はこれらの問題点を解消す
るために創案されたものであって、デュア内に液体窒素
が導入されず、枠体内が常温となる場合であっても、半
導体素子が劣化せず、精度の高いＸ線検出が可能となる
エネルギー分散型Ｘ線検出装置の提供を目的とする。
るために創案されたものであって、デュア内に液体窒素
が導入されず、枠体内が常温となる場合であっても、半
導体素子が劣化せず、精度の高いＸ線検出が可能となる
エネルギー分散型Ｘ線検出装置の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｘ線を検知す
る半導体素子と、この半導体素子を支持する支持部材
と、この支持部材を介して前記半導体素子を冷却する冷
媒部と、前記半導体素子及び前記支持部材を真空に保持
する枠体と、この枠体内のガスを吸着するガス吸着剤
と、を備えたエネルギー分散型Ｘ線検出装置であって、
前記枠体内の前記半導体素子と前記ガス吸着剤との間に
配設され、前記半導体素子の冷却時に開き、前記半導体
素子の非冷却時に閉じることで、非冷却時に前記ガス吸
着剤から前記半導体素子を隔離する弁を備えたことを特
徴とする。
る半導体素子と、この半導体素子を支持する支持部材
と、この支持部材を介して前記半導体素子を冷却する冷
媒部と、前記半導体素子及び前記支持部材を真空に保持
する枠体と、この枠体内のガスを吸着するガス吸着剤
と、を備えたエネルギー分散型Ｘ線検出装置であって、
前記枠体内の前記半導体素子と前記ガス吸着剤との間に
配設され、前記半導体素子の冷却時に開き、前記半導体
素子の非冷却時に閉じることで、非冷却時に前記ガス吸
着剤から前記半導体素子を隔離する弁を備えたことを特
徴とする。
【０００８】前記弁は、前記支持部材または前記枠体に
配設され、熱膨張率が互いに異なる金属材料で形成した
板状部材を常温で接合したバイメタル板状部材と、前記
枠体又は支持部材に配設され、常温時に前記バイメタル
板状部材に接触して前記半導体素子と前記ガス吸着剤と
を隔離する板状支持部材と、から構成されることを特徴
とする。
配設され、熱膨張率が互いに異なる金属材料で形成した
板状部材を常温で接合したバイメタル板状部材と、前記
枠体又は支持部材に配設され、常温時に前記バイメタル
板状部材に接触して前記半導体素子と前記ガス吸着剤と
を隔離する板状支持部材と、から構成されることを特徴
とする。
【０００９】前記板状部材及び板状支持部材をリング形
状に形成したことを特徴とする。
状に形成したことを特徴とする。
【００１０】前記バイメタル板状部材の少なくとも一方
において、両者の接触部にシール材を用いてシール部形
成したことを特徴とする。
において、両者の接触部にシール材を用いてシール部形
成したことを特徴とする。
【００１１】前記シール部は、ポリイミドなどによる樹
脂系のシール材を塗布することで形成されていることを
特徴とする。
脂系のシール材を塗布することで形成されていることを
特徴とする。
【００１２】前記弁は、一端を前記冷媒部に接続され他
端に板状部材を配設し、前記支持部材及び前記枠体に比
べて熱膨張率が十分大きい弾性体と、常温時において、
前記板状部材と接触することで前記半導体素子と前記ガ
ス吸着剤とを隔離するよう、前記支持部材又は枠体に配
設された板状支持部材と、から構成されることを特徴と
する。
端に板状部材を配設し、前記支持部材及び前記枠体に比
べて熱膨張率が十分大きい弾性体と、常温時において、
前記板状部材と接触することで前記半導体素子と前記ガ
ス吸着剤とを隔離するよう、前記支持部材又は枠体に配
設された板状支持部材と、から構成されることを特徴と
する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１〜
図５に基づいて説明する。
図５に基づいて説明する。
【００１４】図１は、本発明にかかるエネルギー分散型
Ｘ線検出装置の全体図を示したもので、Ｘ線を検知する
ための検出部２と、検出部２を冷却するためのデュア部
３からなり、これらは、検出部枠体４ａ、検出部配管４
ｂ、デュア部配管５ｂ、及びデュア部枠体５ａによっ
て、一空間内で真空状態に保持されている。
Ｘ線検出装置の全体図を示したもので、Ｘ線を検知する
ための検出部２と、検出部２を冷却するためのデュア部
３からなり、これらは、検出部枠体４ａ、検出部配管４
ｂ、デュア部配管５ｂ、及びデュア部枠体５ａによっ
て、一空間内で真空状態に保持されている。
【００１５】検出部２には、検出部枠体４ａにＸ線を入
射させるためのＸ線入射窓１１が設けられており、それ
に対向した位置にＸ線を検知する半導体素子１が配設さ
れている。半導体素子１は、入射したＸ線のエネルギー
及び強度に応じた電気信号を出力し、出力された電気信
号は、不図示の信号処理回路で処理され、入射Ｘ線のエ
ネルギー及び強度が算出される。
射させるためのＸ線入射窓１１が設けられており、それ
に対向した位置にＸ線を検知する半導体素子１が配設さ
れている。半導体素子１は、入射したＸ線のエネルギー
及び強度に応じた電気信号を出力し、出力された電気信
号は、不図示の信号処理回路で処理され、入射Ｘ線のエ
ネルギー及び強度が算出される。
【００１６】また、半導体素子１は、液体窒素デュア５
ｃに接続された銅等の金属材料で形成されたコールドフ
ィンガ１０に配設されており、このコールドフィンガ１
０を介して冷却された状態で使用され、そのＸ線検出性
能の向上が図られている。
ｃに接続された銅等の金属材料で形成されたコールドフ
ィンガ１０に配設されており、このコールドフィンガ１
０を介して冷却された状態で使用され、そのＸ線検出性
能の向上が図られている。
【００１７】デュア部３には、液体窒素８を保持する液
体窒素デュア５ｃがデュア部枠体５ａに形成されてお
り、これに接続されたコールドフィンガ１０を介して半
導体素子１を冷却する。また、液体窒素デュア５ｃに
は、デュア部枠体５ａと検出部枠体４ａ内の真空室６、
７をより高真空に保持するためのガス吸着剤９が配設さ
れており、液体窒素デュア５ｃを介して冷却されること
で、そのガス吸着能力が高められている。
体窒素デュア５ｃがデュア部枠体５ａに形成されてお
り、これに接続されたコールドフィンガ１０を介して半
導体素子１を冷却する。また、液体窒素デュア５ｃに
は、デュア部枠体５ａと検出部枠体４ａ内の真空室６、
７をより高真空に保持するためのガス吸着剤９が配設さ
れており、液体窒素デュア５ｃを介して冷却されること
で、そのガス吸着能力が高められている。
【００１８】デュア部配管５ｂ部には、温度に応じて開
閉することで、真空室６と真空室７とを連通させ、或い
は隔離する弁体２０が配設されている。図２は、弁体２
０が閉じた状態を示す詳細図であり、デュア部配管５ｂ
に熱膨張係数が小さい金属材料で形成されたリング状支
持部１２が溶接部１４ａを介して固設されており、さら
に、熱膨張率が大きい金属材料で形成されたリング状板
１３ａとこのリング状板１３ａより熱膨張係数が小さい
金属材料で形成されたリング状板１３ｂとを張り合わせ
たバイメタルリング状板１３が、リング状支持部１２に
固設されている。
閉することで、真空室６と真空室７とを連通させ、或い
は隔離する弁体２０が配設されている。図２は、弁体２
０が閉じた状態を示す詳細図であり、デュア部配管５ｂ
に熱膨張係数が小さい金属材料で形成されたリング状支
持部１２が溶接部１４ａを介して固設されており、さら
に、熱膨張率が大きい金属材料で形成されたリング状板
１３ａとこのリング状板１３ａより熱膨張係数が小さい
金属材料で形成されたリング状板１３ｂとを張り合わせ
たバイメタルリング状板１３が、リング状支持部１２に
固設されている。
【００１９】一方、コールドフィンガ１０には、同じ
く、熱膨張係数が小さい金属材料で形成されたリング状
支持部１６が溶接部１４ｂを介して固設されており、さ
らに、熱膨張率が大きい金属材料で形成されたリング状
板１７ａとこのリング状板１７ａより熱膨張係数が小さ
い金属材料で形成されたリング状板１７ｂとを常温で張
り合わせたバイメタルリング状板１７が、リング状支持
部１６に固設されている。
く、熱膨張係数が小さい金属材料で形成されたリング状
支持部１６が溶接部１４ｂを介して固設されており、さ
らに、熱膨張率が大きい金属材料で形成されたリング状
板１７ａとこのリング状板１７ａより熱膨張係数が小さ
い金属材料で形成されたリング状板１７ｂとを常温で張
り合わせたバイメタルリング状板１７が、リング状支持
部１６に固設されている。
【００２０】バイメタルリング状板１３とバイメタルリ
ング状板１７には、両者の接触部にそれぞれリング状に
ポリイミドなどによる樹脂系のシール材を塗布すること
でシール部１５ａ，１５ｂが形成されており、両者の接
触時にシール性を高め真空室６と真空室７との完全な隔
離を可能としている。
ング状板１７には、両者の接触部にそれぞれリング状に
ポリイミドなどによる樹脂系のシール材を塗布すること
でシール部１５ａ，１５ｂが形成されており、両者の接
触時にシール性を高め真空室６と真空室７との完全な隔
離を可能としている。
【００２１】なお、リング状板１３ａ、１７ａを形成す
る熱膨張率が大きい金属材料と、リング状板１３ｂ、１
７ｂを形成する熱膨張率が小さい金属材料の組合せとし
て、青銅、インバー等、両者の熱膨張率（線膨張率）の
差が１．８×１０-5／Ｋ 程度のものを用いることがで
きる。
る熱膨張率が大きい金属材料と、リング状板１３ｂ、１
７ｂを形成する熱膨張率が小さい金属材料の組合せとし
て、青銅、インバー等、両者の熱膨張率（線膨張率）の
差が１．８×１０-5／Ｋ 程度のものを用いることがで
きる。
【００２２】以上の構成において、Ｘ線の検出時には、
液体窒素デュア５ｃに液体窒素が導入され、コールドフ
ィンガ１０を介してリング状板１７ａ、１７ｂが冷却さ
れ、さらにリング状板１３ｂ、１７ｂが冷却されること
で、図３に示されるように、リング状板１３ａ、１７ａ
とリング状板１３ｂ、１７ｂとの熱収縮率の相違によ
り、バイメタルリング状板１３は検出部２側に反れ、バ
イメタルリング状板１７はデュア部３側に反れるため、
弁体２０は開いた状態となり、検出部２の真空室６が、
デュア部３の真空室７とが連通されることで、真空室６
は高真空に保持される。
液体窒素デュア５ｃに液体窒素が導入され、コールドフ
ィンガ１０を介してリング状板１７ａ、１７ｂが冷却さ
れ、さらにリング状板１３ｂ、１７ｂが冷却されること
で、図３に示されるように、リング状板１３ａ、１７ａ
とリング状板１３ｂ、１７ｂとの熱収縮率の相違によ
り、バイメタルリング状板１３は検出部２側に反れ、バ
イメタルリング状板１７はデュア部３側に反れるため、
弁体２０は開いた状態となり、検出部２の真空室６が、
デュア部３の真空室７とが連通されることで、真空室６
は高真空に保持される。
【００２３】一方、液体窒素デュア５ｃに液体窒素が導
入されいない状態では、検出部２及びデュア部３の真空
室６が常温となる。かかる場合、リング状板１３ａ、１
７ａとリング状板１３ｂ、１７ｂとがそれぞれ接合され
時の温度となるため、両者の熱収縮率に相違が生ぜず、
図２に示されるように、バイメタルリング状板１３とバ
イメタルリング状板１７とはシール部１５ａ，１５ｂに
て接触した状態となり弁体２０は閉じた状態となる。こ
のため、検出部２の真空室６とデュア部３の真空室７と
は完全に隔離され、常温となることによりガス吸着剤９
から脱着したガスは、真空室６に到達せず、半導体素子
１を劣化させることがない。
入されいない状態では、検出部２及びデュア部３の真空
室６が常温となる。かかる場合、リング状板１３ａ、１
７ａとリング状板１３ｂ、１７ｂとがそれぞれ接合され
時の温度となるため、両者の熱収縮率に相違が生ぜず、
図２に示されるように、バイメタルリング状板１３とバ
イメタルリング状板１７とはシール部１５ａ，１５ｂに
て接触した状態となり弁体２０は閉じた状態となる。こ
のため、検出部２の真空室６とデュア部３の真空室７と
は完全に隔離され、常温となることによりガス吸着剤９
から脱着したガスは、真空室６に到達せず、半導体素子
１を劣化させることがない。
【００２４】図２及び図３に示した実施例では、バイメ
タルリング状板をデュア部配管５ｂ及びコールドフィン
ガ１０の両方に設けたが、図４に示されるように、バイ
メタルリング状板１７をコールドフィンガ１０のみに設
け、リング状支持部１２に対して接触及び非接触により
弁の開閉を行わしめるよう構成してもよい。また、同様
に、デュア部配管５ｂ側にのみバイメタルリング状板を
形成してもよいことはいうまでもない。
タルリング状板をデュア部配管５ｂ及びコールドフィン
ガ１０の両方に設けたが、図４に示されるように、バイ
メタルリング状板１７をコールドフィンガ１０のみに設
け、リング状支持部１２に対して接触及び非接触により
弁の開閉を行わしめるよう構成してもよい。また、同様
に、デュア部配管５ｂ側にのみバイメタルリング状板を
形成してもよいことはいうまでもない。
【００２５】図５は、本発明の他の実施例を示してお
り、液体窒素８を保持する液体窒素デュア５ｃに形状記
憶合金や熱膨張係数が大きい金属材料により形成された
バネ２６が接続されており、バネ２６の他端にはＯリン
グ２７がシール材として取り付けられたリング状板２８
が固設されている。また、デュア部配管５ｂ及びコール
ドフィンガ１０には、それぞれリング状の支持体２２及
び２３が常温時にリング状板２８と接触する位置に固設
されている。
り、液体窒素８を保持する液体窒素デュア５ｃに形状記
憶合金や熱膨張係数が大きい金属材料により形成された
バネ２６が接続されており、バネ２６の他端にはＯリン
グ２７がシール材として取り付けられたリング状板２８
が固設されている。また、デュア部配管５ｂ及びコール
ドフィンガ１０には、それぞれリング状の支持体２２及
び２３が常温時にリング状板２８と接触する位置に固設
されている。
【００２６】なお、本実施例では、バネ２６を用いた
が、熱膨張率の大きな弾性体であれば棒状部材をバネ２
６の換わりに用いることも可能である。
が、熱膨張率の大きな弾性体であれば棒状部材をバネ２
６の換わりに用いることも可能である。
【００２７】かかる構成において、液体窒素デュア５ｃ
に液体窒素が導入されている状態では、常温時よりも冷
却されたバネ２６は収縮し、リング状の支持体２２及び
２３とリング状板２８とが非接触となって、弁体２０は
開いた状態となり、検出部２の真空室６が、デュア部３
の真空室７と連通されることで、真空室６は高真空に保
持される。
に液体窒素が導入されている状態では、常温時よりも冷
却されたバネ２６は収縮し、リング状の支持体２２及び
２３とリング状板２８とが非接触となって、弁体２０は
開いた状態となり、検出部２の真空室６が、デュア部３
の真空室７と連通されることで、真空室６は高真空に保
持される。
【００２８】一方、液体窒素デュア５ｃに液体窒素が導
入されいない状態では、検出部２及びデュア部３の真空
室６が常温となるため、リング状の支持体２２及び２３
とリング状板２８とが接触し、弁体２０は閉じた状態と
なる。このため、検出部２の真空室６とデュア部３の真
空室７とは完全に隔離され、ガス吸着剤９から脱着した
ガスが、真空室６に到達せず、半導体素子１を劣化させ
ることがなくなる。
入されいない状態では、検出部２及びデュア部３の真空
室６が常温となるため、リング状の支持体２２及び２３
とリング状板２８とが接触し、弁体２０は閉じた状態と
なる。このため、検出部２の真空室６とデュア部３の真
空室７とは完全に隔離され、ガス吸着剤９から脱着した
ガスが、真空室６に到達せず、半導体素子１を劣化させ
ることがなくなる。
【００２９】なお、上述した一連の実施例では、リング
状板により弁体を構成したが、リング状に限らず、弁機
能を奏するものであれば他の形状を用いてもよいことは
いうまでもない。
状板により弁体を構成したが、リング状に限らず、弁機
能を奏するものであれば他の形状を用いてもよいことは
いうまでもない。
【００３０】また、弁体２０をデュア部配管５ｂに設け
たが、半導体素子１とガス吸着剤９との間であれば、ど
こに設けてもよい。
たが、半導体素子１とガス吸着剤９との間であれば、ど
こに設けてもよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子の冷却時以
外では、弁が閉じるよう構成したため、ガス吸着剤と半
導体素子が完全に隔離されるため、脱ガス分子による半
導体素子の劣化を阻止できる。
外では、弁が閉じるよう構成したため、ガス吸着剤と半
導体素子が完全に隔離されるため、脱ガス分子による半
導体素子の劣化を阻止できる。
【００３２】また、冷却時には、枠体と半導体素子を冷
却するための支持体とが完全に分離されるため、大気中
の熱が枠体を介してかかる支持体に伝導し、半導体素子
の冷却に悪影響を及ぼすといった弊害も生じない。
却するための支持体とが完全に分離されるため、大気中
の熱が枠体を介してかかる支持体に伝導し、半導体素子
の冷却に悪影響を及ぼすといった弊害も生じない。
【図１】本発明の一実施例を示した全体図である。
【図２】本発明にかかる弁体が閉じた状態を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明にかかる弁体が開いた状態を示す図であ
る。
る。
【図４】本発明にかかる弁体の他の実施例を示す図であ
る。
る。
【図５】本発明にかかる弁体の他の実施例を示す図であ
る。
る。
１・・・・半導体素子 ２・・・・検出部 ３・・・・デュア部 ４・・・・検出部配管 ５・・・・デュア部配管 ６・・・・真空室 ７・・・・真空室 ８・・・・液体窒素 ９・・・・ガス吸着剤 １０・・・コールドフィンガ １１・・・Ｘ線検出窓
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｘ線を検知する半導体素子と、この半導
体素子を支持する支持部材と、この支持部材を介して前
記半導体素子を冷却する冷媒部と、前記半導体素子及び
前記支持部材を真空に保持する枠体と、この枠体内のガ
スを吸着するガス吸着剤と、を備えたエネルギー分散型
Ｘ線検出装置において、 前記枠体内の前記半導体素子と前記ガス吸着剤との間に
配設され、前記半導体素子の冷却時に開き、前記半導体
素子の非冷却時に閉じることで、非冷却時に前記ガス吸
着剤から前記半導体素子を隔離する弁を備えたことを特
徴とするエネルギー分散型Ｘ線検出装置。 - 【請求項２】 前記弁は、前記支持部材または前記枠体
に配設され、熱膨張率が互いに異なる金属材料で形成し
た板状部材を常温で接合したバイメタル板状部材と、 前記枠体又は前記支持部材に配設され、常温時に前記バ
イメタル板状部材に接触して前記半導体素子と前記ガス
吸着剤とを隔離する板状支持部材と、 から構成されることを特徴とする請求項１記載のエネル
ギー分散型Ｘ線検出装置。 - 【請求項３】 前記弁は、一端を前記冷媒部に接続され
他端に板状部材を配設し、前記支持部材及び前記枠体に
比べて熱膨張率が十分大きい弾性体と、 常温時において、前記板状部材と接触することで前記半
導体素子と前記ガス吸着剤とを隔離するよう、前記支持
部材又は枠体に配設された板状支持部材と、から構成さ
れることを特徴とする請求項１記載のエネルギー分散型
Ｘ線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8034976A JPH09230055A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | エネルギー分散型ｘ線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8034976A JPH09230055A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | エネルギー分散型ｘ線検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09230055A true JPH09230055A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12429183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8034976A Pending JPH09230055A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | エネルギー分散型ｘ線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09230055A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006242663A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Jeol Ltd | エネルギー分散型ｘ線検出器および試料分析装置 |
| JP2009085630A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 画像検出器及び画像撮影システム |
-
1996
- 1996-02-22 JP JP8034976A patent/JPH09230055A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006242663A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Jeol Ltd | エネルギー分散型ｘ線検出器および試料分析装置 |
| JP4679181B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2011-04-27 | 日本電子株式会社 | エネルギー分散型ｘ線検出器および試料分析装置 |
| JP2009085630A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 画像検出器及び画像撮影システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4681205B2 (ja) | ヘリウムまたは水素のためのセンサを備えた漏洩検出装置のためのテストガスディテクタ | |
| US5921461A (en) | Vacuum package having vacuum-deposited local getter and its preparation | |
| US3609992A (en) | Hermetically sealed box for maintaining a semiconductor radiation detector at a very low temperature | |
| US7781743B2 (en) | Charged particle beam system and method for evacuation of the system | |
| US20070114429A1 (en) | X-ray detector and method | |
| JP2007299753A (ja) | 温度スイッチを備える粒子−光学装置 | |
| US10509369B1 (en) | Method of manufacturing a vapor cell for alkaline-earth-like atoms inside an ultrahigh vacuum chamber | |
| US20080164148A1 (en) | Selective Gas Sensor | |
| US4510758A (en) | Convertible cryostat | |
| US6122919A (en) | Sensor/cooling system with cold finger having recessed end | |
| US5198671A (en) | Apparatus for large area infrared focal plane | |
| US5471844A (en) | High dissipation packaging for cryogenic integrated circuits | |
| JP4679181B2 (ja) | エネルギー分散型ｘ線検出器および試料分析装置 | |
| JPH09230055A (ja) | エネルギー分散型ｘ線検出装置 | |
| GB2322969A (en) | Energy dispersive type semiconductor x-ray detector | |
| JP3985072B2 (ja) | 液面レベルスイッチ | |
| EP0253883B1 (en) | Cryogenically cooled radiation detection apparatus | |
| Piercy et al. | A liquid helium cooled finger for the Siemens electron microscope | |
| JP2011153846A (ja) | Ｘ線検出装置 | |
| JPH11135084A (ja) | 電池用アルミニウム製封口蓋 | |
| JPH10232285A (ja) | Ｘ線分析装置 | |
| CN113970591A (zh) | 一种基于超高真空设备的可联用tpd系统及使用方法 | |
| JP4578829B2 (ja) | 真空用ゲート弁のシールプレートおよびこれに用いられるシール部材 | |
| JPH0749266A (ja) | 赤外線検知器 | |
| Hilton et al. | Superconducting transition-edge microcalorimeters for X-ray microanalysis |