JPH09223455A

JPH09223455A - 表面構造制御法およびこれを利用した電子源および平面ディスプレィ

Info

Publication number: JPH09223455A
Application number: JP2880896A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Nagano; 久志永野; Tatsuya Miyake; 竜也三宅; Ichiro Otake; 一郎大嶽; Harubuoe Petetsuku; ハルヴォエペテック
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-02-16
Filing date: 1996-02-16
Publication date: 1997-08-26

Abstract

(57)【要約】【課題】結晶表面を人為的に制御することにより仕事
関数を減少させ、電子放出材料において効率的な電子ビ
ーム発生源の特性や触媒反応効率の制御を可能とするこ
と。【解決手段】基板となる単結晶を傾斜させて切断し、
表面の清浄化を行い表面にステップを形成させ、このス
テップ構造にＢａ等のアルカリ土類金属やＣｓ等のアル
カリ金属の原子３を蒸着等で吸着させアニールや冷却を
加える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶表面を人為的
に制御することで仕事関数を減少させ、電子放出材料に
おける高効率的な電子ビームの発生特性や、触媒材料に
おける高効率な反応の制御を可能とする材料の表面構造
制御法およびこれに対応した電子源に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子銃カソードは仕事関数低減の
ため、さまざまな不純物を混合している。例えば、含浸
形カソードでは下地材料である多孔質のタングステンに
含浸材であるバリウムＢａやカルシュウムＣａを含浸さ
せる。これを加熱することで原子状のバリウムＢａを発
生させ、表面に拡散し酸化バリウムＢａＯ単原子層を形
成する。このＢａＯ単原子層が表面の仕事関数を減少さ
せ、電子が出やすくなり低い動作温度でも十分なエミッ
ションが得られる高輝度カソードとなる。

【０００３】しかしながら、この方法では表面に存在す
る酸化バリウムＢａＯ単原子層は、熱拡散によって内部
からバリウムＢａを供給するために、動作温度、空孔密
度、補給量等のさまざまなパラメータが複雑に関係して
おり、カソード設計の際には十分な最適化が必要にな
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は結晶表
面に人為的に２次元あるいは３次元の構造を形成するこ
とにより仕事関数を減少させ、電子放出材料において効
率的な電子ビーム発生源の特性や触媒反応効率の制御を
可能とする表面構造制御方法とともに、これに対応した
電子源およびその応用装置を提案するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的は、結晶表面を
傾斜させて切断された形に形成し、これによって得られ
る表面のステップ構造を活用することで実現出来る。こ
のステップ部分にバリウムＢａ等のアルカリ土類金属や
セシウムＣｓ等のアルカリ金属を吸着させ、アニール
（昇温）や冷却を加えることで２次元あるは３次元の構
造で規則的なバリウムＢａやセシウムＣｓ等の配列が形
成され、仕事関数を減少させる。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の原理を図１のステップサ
イトに吸着したバリウムＢａ原子の模式図を用いて説明
する。

【０００７】基板となる結晶表面を傾斜させて切断し、
表面の清浄化を行うことで表面にはステップ構造１が形
成される。このときのステップ間隔２は切断する傾斜角
度で変化する。このステップ構造１にＢａ等のアルカリ
土類金属やＣｓ等のアルカリ金属の原子３を蒸着等で吸
着させる。さらに、アニールや冷却を加えることで、バ
リウムＢａは酸化され酸化バリウムＢａＯ単原子層とな
り、ステップサイト４に選択的に吸着する。そして、こ
のＢａＯ単原子はステップ構造のステップ間隔２と同じ
周期で２次元的に長周期構造をとる。このときＢａＯは
正の電気双極子となり仕事関数を減少させるが、長周期
構造がステップサイトに形成されることにより電気双極
子の双極子モーメントの大きさが増大し、それに伴い仕
事関数の減少値も増加する。

【０００８】以下、具体的な実施例について説明する。
ここで、実施例１から４で使用された試料は、バリウム
ＢａまたはセシュウムＣｓを蒸着する前までの準備段階
では、全て同じ手順で行なわれたものであり、以下のよ
うにして得られる。

【０００９】試料の調製の準備段階の具体例直径８〜９mm、厚さ１.５mm、純度９９.９９％のタング
ステンＷの（１１０）単結晶を用いる。この単結晶基板
をそれぞれ[００１]軸方向に０度、３度、６度、９度、
１２度および１５度の角度で傾斜させて切断する。（１
１０）面からの面方位のずれはラウエ写真を撮影し、そ
のスポットから角度を割り出し±０.５度以内に収まっ
ていることを確認した。さらに、試料の傾斜切断面を機
械研磨する。研磨条件は６μmのダイヤモンドペースト
で５時間、３μmで３時間、１μmで１時間行った。次
に、電解研磨を行う。電解研磨は０.５モル／リットル
の水酸化ナトリウムＮａＯＨ溶液中にて８.５Ｖ、１Ａ
の電流を１５秒間通電する。

【００１０】この試料を真空容器内のマニュピレータに
取付け、該真空容器内を超高真空に排気する。到達真空
度は６．６５×１０^-8Ｐａである。次に、加熱によって
試料表面の清浄化を行う。加熱には電子ビーム加熱を用
いた。この際、真空容器内に酸素を供給し、６．６５×
１０^-5Ｐａの酸素雰囲気中において１５００Ｋで２時間
加熱してカーボンＣの除去をした後、最後に酸素の供給
を止め、真空中において２３００Ｋでフラッシング加熱
しＷＯxの除去を行う。この清浄化過程を数回繰り返し
た。

【００１１】この段階で試料を走査トンネル顕微鏡ＳＴ
Ｍで観察したところ、傾斜させて切断したものには、
[００１]軸方向にステップ構造が観察された。さらに、
傾斜角が大きいもの程、ステップ間隔が小さくステップ
密度が大きくなることも明らかになった。

【００１２】このステップ構造に１モノレイヤー程度の
バリウムＢａまたはセシュウムＣｓを蒸着する。蒸着に
はＢａまたはＣｓが含まれたワイヤゲッターを用いた。
これは加熱によりＢａまたはＣｓが発生し蒸発する構造
である。もちろん、ＢａまたはＣｓの蒸着にはＫセルや
蒸着ポートを用いても可能であるが、今回は最も簡単で
あるゲッター材を用いた。試料を真空容器内に収納し、
蒸着開始前に、ゲッター材のガス出しを行った。ガス出
しは、バリユウムＢａの蒸着の場合は４〜５アンペア程
度の電流を３０分以上、セシュウムＣｓの蒸着の場合は
１〜２アンペア程度の電流を３０分以上流して行った。

【００１３】実施例１バリユウムＢａの蒸着は試料温度５００Ｋにおいて、ゲ
ッター材に電流値７.５Ａ、１５分間の通電で行った。
この時の真空度は６．６５×１０^-6Ｐａであった。バリ
ユウムＢａ蒸着後、６．６５×１０^-5ＰａＴｏｒｒの酸
素雰囲気中で１分間酸化させた。この時の試料温度は室
温である。この酸素雰囲気中での酸化処理によって蒸着
で吸着したＢａはＢａＯとなり電気双極子となる。酸化
処理は蒸着中に酸素雰囲気を所定の値に制御することに
よっても実現出来る。

【００１４】酸化処理後のＢａ蒸着試料はアニール及び
冷却を繰り返すことで表面のＢａ被覆率を変化させて仕
事関数の測定を行った。仕事関数の測定にはケルビンプ
ローブ及びオージェ分光装置を使用した。アニールは１
℃／秒の割合で温度が上がるように温度調整器で制御
し、冷却は自然冷却し５００Ｋ以下の温度で測定を行っ
た。

【００１５】図２にアニール温度と仕事関数の変化を示
す。試料は傾斜角度０度と６度の試料である。この図か
ら１０００〜１２００Ｋの温度で仕事関数の減少が観測
された。さらに、０度と６度の試料では、６度の試料の
方が仕事関数の減少値が大きいことも観測された。これ
らの現象は同じ試料において再現性良く示される。

【００１６】さらに傾斜角度を変化させて仕事関数が最
も減少する値を測定した。図３は、各傾斜角度における
仕事関数の変化（減少値）である。その結果、傾斜角度
を６度以上にすることによって著しく仕事関数が減少す
ることが明らかになった。

【００１７】次に、傾斜角０度および傾斜角６度の試料
の表面構造をヘリウム原子線散乱法で調べた。図４、図
５はそれぞれ傾斜角０度、傾斜角６度の試料のヘリウム
原子線散乱の角度分布を示す。試料のアニール温度は１
５００Ｋである。両者を対比して明らかなように、傾斜
角０度の試料では回折ピークは観測されないが、傾斜角
６度の試料では回折ピークが観測され、何らかの構造を
取っていることが明らかになった。さらに、この回折ピ
ークから表面構造モデルを求めたところ、吸着したバリ
ウムＢａ原子が約２５Åの長周期構造を取っていること
が明らかになった。

【００１８】図６はこの長周期構造のモデル図である。
タングステン原子５が構成するタングステン表面に、ス
テップ間隔２でバリウム原子６の線が形成された構造で
ある。この長周期構造の周期と傾斜角６度の試料のステ
ップ間隔が同じ周期であることから、アニールによっ
て、図１で説明したステップ構造１のテラスに吸着した
バリウムＢａがマイグレーションによって移動し、ステ
ップサイト４で長周期構造を形成したものと考えられ
る。さらにステップサイト４に吸着した酸化バリウムＢ
ａＯの電気双極子の大きさが増大することで仕事関数が
従来より減少した。

【００１９】実施例２実施例１の結果を参考に、蒸着中の試料温度を調整する
ことで表面構造を制御した実施例を示す。試料は温度１
０００〜１２００Ｋの温度で加熱保持されて、バリウム
Ｂａを蒸着させた。ゲッター材に電流値６.５Ａ、５分
間通電で行った。この時の真空度は６．６５×１０^-7Ｔ
ｏｒｒであった。Ｂａ蒸着後の試料は約１分間ほど蒸着
時の条件に保持した後に冷却する。これによりテラスに
吸着したＢａはより安定な吸着サイトであるステップサ
イト４に拡散される。そしてこの試料の仕事関数を測定
した。仕事関数の測定にはケルビンプローブ及びオージ
ェ分光装置を使用した。その結果、実施例１と同様に６
度以上の角度で傾斜した試料において仕事関数の減少値
が大きいことが観測された。

【００２０】次に、傾斜角６度の試料の表面構造をヘリ
ウム原子線散乱法で調べたところ、表面のバリウムＢａ
原子が約２５Åの長周期構造を取っていることが明らか
になった。

【００２１】実施例３バリウムＢａの代わりにセシュウムＣｓを用いて実験を
行った。Ｃｓの蒸着は試料温度５００Ｋにおいて、ゲッ
ター材に電流値３Ａ、１５分間通電で行った。この時の
真空度は６．６５×１０^-7Ｐａであった。Ｃｓ蒸着後の
試料は、実施例１と同様に、アニール及び冷却を繰り返
すことで表面のＣｓ被覆率を変化させて仕事関数の測定
を行った。仕事関数の測定にはケルビンプローブ及びオ
ージェ分光装置を使用した。その結果、実施例１と同様
に６度以上の角度で傾斜した試料において仕事関数の減
少値が大きいことが観測された。

【００２２】次に、傾斜角６度の試料の表面構造をヘリ
ウム原子線散乱法で調べたところ、表面のセシュウムＣ
ｓ原子がバリウムＢａの場合と同様にステップサイト４
に吸着して約２５Åの長周期構造を取っていることが明
らかになった。

【００２３】実施例４プローブ顕微鏡の一つである走査
トンネル顕微鏡ＳＴＭを用いて表面構造を制御した実施
例を示す。実施例１で得られた試料を走査トンネル顕微
鏡で観察したところ、ステップサイト４にワイヤー状に
バリウムＢａが吸着していることが明らかになった。

【００２４】次に図７に示すように１個のＢａ原子上に
ＳＴＭ探針７を移動させた後、１．５Ｖの電圧を印加す
ることにより、Ｂａ原子を１個だけ剥ぎ取る。この作業
をＢａ原子１個おきに繰り返すことによりワイヤー状の
ＢａとＢａの間隔を制御する。そして、全体の付着率の
調整及び酸化バリウムＢａＯ双極子同志の相互作用が最
も小さくなる間隔、つまり仕事関数が最も小さくなるよ
うに人為的にＢａの位置を制御した。これにより仕事関
数が従来より減少する結果が得られた。

【００２５】なお、プローブ顕微鏡は、いわゆるＡＦＭ
でも良く、ＡＦＭの探針を導電性のものとして、ＳＴＭ
で行ったと同様に、原子の操作をすれば良い。

【００２６】上記各実施例における酸素処理の効果を図
８で説明する。図８は傾斜角度０度の試料の酸素処理あ
りと処理なしの試料のアニールによる仕事関数の変化を
示したものである。実線は平均値を表している。小さい
丸で示す酸素処理のある場合のデータと、小さい三角で
示す酸素処理のない場合のデータとを対比して明らかな
ように、仕事関数の減少が大きいことがわかる。また、
酸素処理しない場合、アニール温度を高めていくと表面
に単独で吸着しているバリウムＢａは脱離しやすく、仕
事関数の減少が約１３００Ｋ付近で急速に元に戻ってい
る。一方、酸素処理した場合は、酸化バリウムＢａＯの
吸着構造を取っているためバリウムＢａの脱離温度が高
められ、仕事関数は緩やかに変化していることがわか
る。

【００２７】実施例５本発明を利用して電子銃用のカソードを製作した一例を
示す。図９にこの発明のカソードの一般構造を略図で示
す。カソード基板８にはタングステンインゴットから
［００１]軸方向に傾斜角６度に傾斜させて切断したＷ
（１１０）単結晶ウエハーを用いる。このカソード基板
８を機械研磨及び電解研磨を行うことで表面の平坦性を
向上させる。実施例１から４では長時間かけて前処理を
行ったが、複数枚のカソード基板を一度に処理すること
で時間の短縮を行うことができることが確認された。ま
た、基板研磨材の種類も最適化によって時間及び量も最
小で行った。これらのカソード基板８をカソード電流を
伝えるための金属基材９に固定した。この金属基材９の
下にフィラメント１０を配置してカソード基板８ををそ
の作業温度に加熱する働きを持たせている。

【００２８】次に表面を加熱清浄化させるために、この
カソード構造を真空容器内に入れ、超高真空まで排気す
る。フィラメント１０に直流１０Ｖ、３０Ａの通電加熱
を行い、フィラメント１０に負の電圧−１ｋＶの高電圧
を印加しカソード基板８をアース電位にすることで電子
ビームを生成し２００Ｗの電力を投入して加熱する。加
熱は６．６５×１０^-5Ｐａの酸素雰囲気中で１５００Ｋ
で１時間、さらに酸素供給を止め真空中で２３００Ｋで
フラッシング加熱を行う。この作業を数回繰り返した。
これらの作業は複数個同時に行うことで作業時間の短縮
を行った。

【００２９】同じ容器内で加熱清浄化後、すぐにバリウ
ムＢａを蒸着して表面被覆させる。これにより清浄化で
生じたステップ構造を過剰なＢａで保護する意味があ
る。次に、表面のＢａの酸化処理を行いＢａＯ単層膜に
する。さらに加熱清浄化と同様な方法でカソードを１０
００〜１２００Ｋに加熱することで表面のＢａＯのマイ
グレーションさせステップサイトにＢａＯの長周期構造
１１を作製しカソード構造とした。

【００３０】製作したカソード構造の試験を行った。試
験は真空中である。フィラメント１０を使いカソード基
板８を８００Ｋから９００Ｋの温度で加熱し、１０Ｖの
アノード電圧をかけて試験をした。９００Ｋの温度で５
００ｍＡの電子放出電流が得られた。電流密度は５Ａ／
ｃｍ²の高電流密度である。さらに長時間使用しても極
めて安定であった。さらに、酸化バリウムＢａＯが長周
期構造を取った状態でバリウムＢａ以外の原子を被覆
し、ＢａＯの長周期構造１１を安定化させることでさら
なる長寿命化が可能である。また、カソード温度及び表
面被覆材料を最適化することでも高電流密度化が可能で
ある。

【００３１】実施例６薄膜製造技術を用いてカソード電極を製作した一例を示
す。図１０はその構造の略図である。カソード基板８に
はタングステンインゴットから切り出したＷ（１１０）
単結晶ウエハーを用いる。このウエハーを化学エッチン
グあるいはイオンエッチングで傾斜角６度に傾斜させス
テップ構造を表面に形成させる。この基板の裏面にはＡ
ｌ₂Ｏ₃等の絶縁物１２の薄膜を形成する。さらにフォト
マスク等のエッチング技術を用いて絶縁物１２の表面に
フィラメント用のタングステン電極１０を形成する。こ
れはカソード基板をまんべんなく加温できるように、波
形に這わせる等の適宜の形を取りうる。カソード基板の
表面にはＢａＯの単層膜を蒸着等で形成する。これはＢ
ａ単層膜を形成後、酸化させてもよい。このＢａＯ単層
膜に加熱または電子ビームあるいはイオンビーム等を用
いて表面被覆率を変化させて表面マイグレーションを起
こし、ステップサイトにＢａＯの長周期構造１１を形成
する。

【００３２】タングステン電極１０に電流を流すことで
カソード基板８を所定の温度に制御できる。この実施例
では１００ミリアンペアの電子放出電流が得られた。こ
の素子は平面型微小フィールドエミッタとなり平面ディ
スプレィに応用ができる。

【００３３】さらに図１１のようにカソード上部にカバ
ー１３の中空状の空間を形成することで、中空内部を真
空に保ち、ＢａＯを安定な状態にすることが可能とな
る。さらに中空上部にゲート電極１４を形成することも
可能である。ゲート電極１４の電位を制御することで、
放出される電子ビームの強度を制御することができる。
また、タングステン電極や絶縁物には蒸着やＣＶＤ等で
エピタキシャル成長を利用した素子も作製することで性
能の良い物ができることが確認された。

【００３４】実施例７平面ディスプレィに応用した一例を示す。図１２は平面
型ディスプレィの構造の略図である。微細加工技術を用
いてＡｌ₂Ｏ₃等の絶縁体の基板１５にタングステンのカ
ソード電極１６及びゲート電極１７、アノード電極１８
を形成する。特にカソード電極１６には本発明のＢａＯ
の長周期構造１１を形成する。さらにアノード電極１８
上にはＲＧＢの蛍光体１９、２０、２１をそれぞれ形成
させる。これらの電極はガラス２２で封入することで内
部を真空の状態に保つ。カソード電極１６から放出され
た電子ビームはゲート電極１７よって曲げられアノード
電極１８に形成された蛍光体を発光させてそれぞれの色
をだす。どの色を発色させるかは、アノード電極１８の
電圧を制御してカソード電極１６の電子ビームをどのア
ノード電極１８に到達させるかで決定でき、明るさはカ
ソード電極１６の輝度及びゲート電極１７の電位の制御
で制御できる。さらにこの素子をＸＹマトリックス構造
に配置することで平面ディスプレィを作製することがで
きる。特にカソード電極１６に本発明のカソード構造を
取ることで極めて高輝度な電子ビームが低温及び低エネ
ルギーで得られるため、カソード構造の劣化が抑えられ
長寿命な平面ディスプレィとなる。また、エネルギーも
少ないため小電力化が可能である。

【００３５】実施例８平面ディスプレィに応用した他の一例を示す。図１３は
平面型ディスプレィの構造の略図である。微細加工技術
を用いてＡｌ₂Ｏ₃等の絶縁体の基板１５に円柱状の溝を
ほる。この中に蒸着やＣＶＤ等を用いてタングステンの
エピタキシャル薄膜を円錐状に形成させる。この円錐状
のタングステン単結晶には同心円状のステップが形成さ
れる。このステップ部分にＢａＯの長周期構造１１を形
成することで本発明の高輝度なカソード電極１６を製作
することができた。さらに絶縁体の基板１５上にはマト
リックス構造のゲート電極１７を形成し電子ビームを引
き出す構造にしてある。それぞれのカソード電極１６の
上部にはＲＧＢに対応する蛍光体１９、２０、２１が形
成されたアノード電極１８があり引き出された電子ビー
ムで発光させる。この方法ではカソード電極１６を小さ
くすることが可能であり、一画素の発光を複数のカソー
ド電極１６で行うことで輝度をかせぐとともに、一つの
カソード電極１６が不良であっても他のカソード電極１
６でこれを補うように使用できるため、工業的な歩留ま
りの面で有効である。

【００３６】

【発明の効果】本発明によって、結晶表面を人為的に制
御することができ、特にバリウムＢａ等のアルカリ土類
金属やセシュウムＣｓ等のアルカリ金属を選択吸着させ
ることにより、仕事関数を減少させ、効率的に電子を取
り出すことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ステップ面での吸着モデルの一例を示す図。

【図２】アニール温度と仕事関数の変化の一例を示す
図。

【図３】傾斜角度における仕事関数の変化の一例を示す
図。

【図４】傾斜角度０度におけるヘリウム原子線散乱の角
度分布の一例を示す図。

【図５】傾斜角度６度におけるヘリウム原子線散乱の角
度分布の一例を示す図。

【図６】長周期構造のモデルの一例を示す図。

【図７】ＳＴＭによる吸着構造の制御の一例を示す図。

【図８】酸素処理による仕事関数のアニール温度依存性
の一例を示す図。

【図９】本発明の応用例としての電子銃用のカソードの
一例を示す図。

【図１０】本発明の応用例としての薄膜製造技術を用い
たカソード電極の一例を示す図。

【図１１】本発明の応用例としての平面ディスプレィの
一例を示す図。

【図１２】本発明の応用例としての平面ディスプレィの
他の一例を示す図。

【図１３】本発明の応用例としての平面ディスプレィの
他の一例を示す図。

【符号の説明】１−ステップ、２−ステップ間隔、３−原子、４−ステ
ップサイト、５−タングステン原子、６−バリウム原
子、７−ＳＴＭチップ、８−カソード基板、９−金属基
材、１０−フィラメント、１１−ＢａＯの長周期構造、
１２−絶縁物、１３−カバー、１４−ゲート電極、１５
−基板、１６−カソード電極、１７−ゲート電極、１８
−アノード電極、１９−赤の蛍光体、２０−緑の蛍光
体、２１−青の蛍光体、２２−ガラス。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ペテックハルヴォエ埼玉県比企郡鳩山町赤沼2520番地株式会社日立製作所基礎研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の結晶構造を有する材料の結晶表面か
ら所定角度以上傾斜したステップ構造を形成すること、
該ステップ構造のステップサイトに所定の単原子を吸着
させることとよりなることを特徴とする表面構造制御
法。
【請求項２】吸着される原子がアルカリ土類金属あるい
はアルカリ金属である請求項１記載の表面構造制御法。
【請求項３】ステップ構造の持つ角度がアルカリ土類金
属あるいはアルカリ金属の長周期構造を形成するもので
ある請求項１または２記載の表面構造制御方法。
【請求項４】所定の結晶構造を有する材料の結晶表面か
ら所定角度以上傾斜したステップ構造を形成すること、
該材料を所定の温度に制御して該ステップ構造のステッ
プ表面に所定の単原子を吸着させること、吸着後の該材
料を酸素の存在下で所定の温度に昇温後冷却してステッ
プ表面に吸着された所定の単原子を前記ステップサイト
に移動させることとよりなることを特徴とする表面構造
制御法。
【請求項５】前記ステップサイトに吸着された原子をプ
ローブ顕微鏡によって除去または移動させる請求項１な
いし４のいずれかに記載された表面構造制御法。
【請求項６】所定の結晶構造を有する材料の結晶表面か
ら所定角度以上傾斜したステップ構造を形成されるとと
もに該ステップ構造のステップサイトに所定の単原子を
吸着させた部材、該部材の単原子を吸着した面を加熱す
るための手段とよりなる電子源。
【請求項７】前記単原子を吸着した面から電子が放出さ
れる方向に備えられたゲート電極よりなる請求項６記載
の電子源。
【請求項８】絶縁体の基板、該基板上に形成された所定
の結晶構造を有する材料の結晶表面から所定角度以上傾
斜したステップ構造を形成されるとともに該ステップ構
造のステップサイトに所定の単原子を吸着させた部材、
該部材の単原子を吸着した面を加熱するための手段、前
記部材から供給される電子により発光する発光体、前記
部材と前記発光体との間に設けられ前記供給電子の量を
制御するためのゲート電極よりなる平面ディスプレィ。
【請求項９】前記発光体の複数個が一つの表示単位とさ
れる請求項８記載の平面ディスプレィ。