JPH09222594A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH09222594A JPH09222594A JP2827396A JP2827396A JPH09222594A JP H09222594 A JPH09222594 A JP H09222594A JP 2827396 A JP2827396 A JP 2827396A JP 2827396 A JP2827396 A JP 2827396A JP H09222594 A JPH09222594 A JP H09222594A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高分子分散型液晶表示素子の製造歩留まりを向
上させる。 【解決手段】透明電極が形成された一対の基板間に少な
くともネマチック液晶と光エネルギー又は熱エネルギー
によって高分子化する有機単分子物質が充填されてなる
液晶表示素子を製造する液晶表示素子の製造方法におい
て、前記一対の基板に対する各種加工工程を実施した後
に高分子化の反応工程を実施した。
上させる。 【解決手段】透明電極が形成された一対の基板間に少な
くともネマチック液晶と光エネルギー又は熱エネルギー
によって高分子化する有機単分子物質が充填されてなる
液晶表示素子を製造する液晶表示素子の製造方法におい
て、前記一対の基板に対する各種加工工程を実施した後
に高分子化の反応工程を実施した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子の製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、偏光板が不要なため明るい表示が
可能な高分子分散型液晶表示素子が注目されている。例
えば、ＮＣＡＰ（Ｎｅｍａｔｉｃ Ｃｕｒｖｉｌｉｎｅ
ａｒＡｌｉｎｅｄ Ｐｈａｓｅ）は高分子中にマイクロ
カプセル化した液晶を分散させたものである。あるいは
ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉ−ｃ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）は液晶連続層中に編目状高
分子を形成したものである。
可能な高分子分散型液晶表示素子が注目されている。例
えば、ＮＣＡＰ（Ｎｅｍａｔｉｃ Ｃｕｒｖｉｌｉｎｅ
ａｒＡｌｉｎｅｄ Ｐｈａｓｅ）は高分子中にマイクロ
カプセル化した液晶を分散させたものである。あるいは
ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉ−ｃ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）は液晶連続層中に編目状高
分子を形成したものである。
【０００３】これらの高分子分散型液晶表示素子は該表
示素子を構成する基板に対する各種加工を実施する工程
において基板方向の応力が加わることによって高分子が
変形したり液晶分子の配向が乱れたりして発生したヘイ
ズ（入射光が液晶層と高分子層との屈折率の違いにより
散乱することによって生じる白濁状態）が残留してしま
い表示素子として不良品になってしまうという問題があ
った。
示素子を構成する基板に対する各種加工を実施する工程
において基板方向の応力が加わることによって高分子が
変形したり液晶分子の配向が乱れたりして発生したヘイ
ズ（入射光が液晶層と高分子層との屈折率の違いにより
散乱することによって生じる白濁状態）が残留してしま
い表示素子として不良品になってしまうという問題があ
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明はこの様
な問題を解決するもので、その目的とするところは高分
子分散型液晶表示素子表示を製造する過程においてたと
え応力が加わってもヘイズが発生することを防ぎ、高分
子分散型液晶表示素子を高歩留まりで製造することが可
能な製造方法置を提供することにある。
な問題を解決するもので、その目的とするところは高分
子分散型液晶表示素子表示を製造する過程においてたと
え応力が加わってもヘイズが発生することを防ぎ、高分
子分散型液晶表示素子を高歩留まりで製造することが可
能な製造方法置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子の
製造方法は，電極が形成された一対の基板間に少なくと
もネマチック液晶と有機単分子物質とが少なくとも充填
されている液晶表示素子を製造するための液晶表示素子
の製造方法において、前記一対の基板に対する各種加工
工程を実施した後に、高分子化の反応工程を実施するこ
とを特徴とする。
製造方法は，電極が形成された一対の基板間に少なくと
もネマチック液晶と有機単分子物質とが少なくとも充填
されている液晶表示素子を製造するための液晶表示素子
の製造方法において、前記一対の基板に対する各種加工
工程を実施した後に、高分子化の反応工程を実施するこ
とを特徴とする。
【０００６】また、本発明の液晶表示素子の製造方法
は、そのような液晶表示素子の製造方法において、基板
の少なくとも一端を切断する工程を実施した後に、光エ
ネルギー又は熱エネルギーによって高分子化の反応工程
を実施することを特徴とする。
は、そのような液晶表示素子の製造方法において、基板
の少なくとも一端を切断する工程を実施した後に、光エ
ネルギー又は熱エネルギーによって高分子化の反応工程
を実施することを特徴とする。
【０００７】さらに、本発明の液晶表示素子の製造方法
は、そのような液晶表示素子の製造方法において、基板
の少なくとも一部に穴をあける工程を実施した後に、光
エネルギー又は熱エネルギーによって高分子化の反応工
程を実施するこを特徴とする。
は、そのような液晶表示素子の製造方法において、基板
の少なくとも一部に穴をあける工程を実施した後に、光
エネルギー又は熱エネルギーによって高分子化の反応工
程を実施するこを特徴とする。
【０００８】さらにまた、本発明の液晶表示素子の製造
方法は、そのような液晶表示素子の製造方法において、
基板の少なくとも一面にフィルム状のシートを貼り付け
る工程を実施した後に、光エネルギー又は熱エネルギー
によって高分子化の反応工程を実施することを特徴とす
る。
方法は、そのような液晶表示素子の製造方法において、
基板の少なくとも一面にフィルム状のシートを貼り付け
る工程を実施した後に、光エネルギー又は熱エネルギー
によって高分子化の反応工程を実施することを特徴とす
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明による高分子分散型液晶表
示素子の製造方法は該表示素子を構成する基板に対する
各種加工を実施した後、光エネルギーあるいは熱エネル
ギーによって高分子化の反応工程を実施する。つまり基
板方向の応力が加わるような各種加工を実施した後に高
分子化の反応工程を実施するという順番をとることによ
って応力によって発生するヘイズの発生を防止し、高分
子分散型液晶表示素子の製造歩留まりを向上させるもの
である。
示素子の製造方法は該表示素子を構成する基板に対する
各種加工を実施した後、光エネルギーあるいは熱エネル
ギーによって高分子化の反応工程を実施する。つまり基
板方向の応力が加わるような各種加工を実施した後に高
分子化の反応工程を実施するという順番をとることによ
って応力によって発生するヘイズの発生を防止し、高分
子分散型液晶表示素子の製造歩留まりを向上させるもの
である。
【００１０】［実施例１］本発明による高分子分散型液
晶表示素子の製造方法の工程流れを図１に示す。図１に
おいて、ガラスセルの端面を切断する（一般的にコーナ
ーカットと呼ばれている）場合、該切断加工を実施して
その後の洗浄等の必要な処理を実施した後、光重合反応
を起こして高分子化の反応工程を実施する。このような
順序で高分子分散型液晶表示素子を製作することによ
り、コーナーカット時に基板方向の応力が加わって配向
状態が一時的に乱れても重合反応前の液体状態であるた
めすぐに正常な状態に復帰してヘイズが発生することは
ない。
晶表示素子の製造方法の工程流れを図１に示す。図１に
おいて、ガラスセルの端面を切断する（一般的にコーナ
ーカットと呼ばれている）場合、該切断加工を実施して
その後の洗浄等の必要な処理を実施した後、光重合反応
を起こして高分子化の反応工程を実施する。このような
順序で高分子分散型液晶表示素子を製作することによ
り、コーナーカット時に基板方向の応力が加わって配向
状態が一時的に乱れても重合反応前の液体状態であるた
めすぐに正常な状態に復帰してヘイズが発生することは
ない。
【００１１】［実施例２］本発明による高分子分散型液
晶表示素子の製造方法の工程流れ図を図２に示す。図２
において、ガラスセルの一部、例えば中央部に直径２ｍ
ｍの円形状の穴を開ける場合、該穴開け加工を実施して
その後の洗浄等の必要な処理を実施した後、熱重合反応
を起こして高分子化の反応工程を実施する。このような
順序で高分子分散型液晶表示素子を製作することによ
り、穴開け時に基板方向の応力が加わって配向状態が一
時的に乱れても重合反応前の液体状態であるためすぐに
正常な状態に復帰してヘイズが発生することはない。
晶表示素子の製造方法の工程流れ図を図２に示す。図２
において、ガラスセルの一部、例えば中央部に直径２ｍ
ｍの円形状の穴を開ける場合、該穴開け加工を実施して
その後の洗浄等の必要な処理を実施した後、熱重合反応
を起こして高分子化の反応工程を実施する。このような
順序で高分子分散型液晶表示素子を製作することによ
り、穴開け時に基板方向の応力が加わって配向状態が一
時的に乱れても重合反応前の液体状態であるためすぐに
正常な状態に復帰してヘイズが発生することはない。
【００１２】［実施例３］本発明による高分子分散型液
晶表示素子の製造方法の工程流れ図を図３に示す。図３
において、ガラス基板の一面、例えば上基板の上部に透
明な紫外線カットフィルターを貼り付ける場合、貼り付
け工程を実施した後加温しながら光重合反応を起こして
高分子化の反応工程を実施する。このような順序で高分
子分散型液晶表示素子を作成することにより、紫外線カ
ットフィルターを貼り付け時に基板方向の応力が加わっ
て配向状態が一時的に乱れても重合反応前の液体状態で
あるためすぐ正常な状態に復帰してヘイズが発生するこ
とはない。
晶表示素子の製造方法の工程流れ図を図３に示す。図３
において、ガラス基板の一面、例えば上基板の上部に透
明な紫外線カットフィルターを貼り付ける場合、貼り付
け工程を実施した後加温しながら光重合反応を起こして
高分子化の反応工程を実施する。このような順序で高分
子分散型液晶表示素子を作成することにより、紫外線カ
ットフィルターを貼り付け時に基板方向の応力が加わっ
て配向状態が一時的に乱れても重合反応前の液体状態で
あるためすぐ正常な状態に復帰してヘイズが発生するこ
とはない。
【００１３】［実施例４］図４に示すように厚さ０．４
ｍｍの透明電極付きガラス基板を使用して３０ｍｍ角の
正方形の形状のセルを構成し、一対の基板間の距離を５
μｍに設定してその間に複屈折の異方性が０．２５のネ
マチック液晶とトリフェニール系のモノマーを重量比で
１００：５の割合で調合した液晶を注入・封止した。な
お上下ガラス基板には水平配向処理が施されている。こ
の状態で４隅を等辺が１０ｍｍの二等辺三角形に切断し
コーナーカット部１を形成した。次に中央部に直径２ｍ
ｍの円形状の穴２を開けた。そして紫外線カットフィル
ター３を上基板に貼り付けた後、５０℃に加温しながら
下基板側から１０ｍＷ／ｃｍ２の照度で紫外線を照射し
て光重合反応を起こして高分子化の反応工程を実施し
た。このような工程順序でヘイズの発生が存在しないウ
ォッチ用表示の高分子分散型液晶表示素子を９０％とい
う高歩留まりで製作することができた。
ｍｍの透明電極付きガラス基板を使用して３０ｍｍ角の
正方形の形状のセルを構成し、一対の基板間の距離を５
μｍに設定してその間に複屈折の異方性が０．２５のネ
マチック液晶とトリフェニール系のモノマーを重量比で
１００：５の割合で調合した液晶を注入・封止した。な
お上下ガラス基板には水平配向処理が施されている。こ
の状態で４隅を等辺が１０ｍｍの二等辺三角形に切断し
コーナーカット部１を形成した。次に中央部に直径２ｍ
ｍの円形状の穴２を開けた。そして紫外線カットフィル
ター３を上基板に貼り付けた後、５０℃に加温しながら
下基板側から１０ｍＷ／ｃｍ２の照度で紫外線を照射し
て光重合反応を起こして高分子化の反応工程を実施し
た。このような工程順序でヘイズの発生が存在しないウ
ォッチ用表示の高分子分散型液晶表示素子を９０％とい
う高歩留まりで製作することができた。
【００１４】
【比較例】比較例として図５のような工程流れでコーナ
ーカット加工を実施した場合、つまり該加工を実施する
前に高分子化の反応工程を実施した場合は該加工時に加
わる応力によってヘイズが発生してしまい、約５０％が
不良品になってしまった。特にガラスの厚さが０．５ｍ
ｍ以下の薄いガラスを使用した場合ほど応力による基板
の変形が大きく歩留まりが低くなってしまう。
ーカット加工を実施した場合、つまり該加工を実施する
前に高分子化の反応工程を実施した場合は該加工時に加
わる応力によってヘイズが発生してしまい、約５０％が
不良品になってしまった。特にガラスの厚さが０．５ｍ
ｍ以下の薄いガラスを使用した場合ほど応力による基板
の変形が大きく歩留まりが低くなってしまう。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、偏光
板が不要なため明るい表示が可能である高分子分散型液
晶表示素子を製造する場合にヘイズの発生による歩留ま
り低下を抑えることができるという効果がある。
板が不要なため明るい表示が可能である高分子分散型液
晶表示素子を製造する場合にヘイズの発生による歩留ま
り低下を抑えることができるという効果がある。
【図１】本発明の液晶表示素子の製造工程順序を示す
図。
図。
【図２】本発明の液晶表示素子の製造工程順序を示す
図。
図。
【図３】本発明の液晶表示素子の製造工程順序を示す
図。
図。
【図４】本発明のウォッチ用表示の高分子分散型液晶表
示素子の構造を示す図。
示素子の構造を示す図。
【図５】比較例の液晶表示素子の製造工程順序を示す
図。
図。
１．コーナーカット部 ２．時針用穴 ３．紫外線カットフィルター
Claims (4)
- 【請求項１】電極が形成された一対の基板間に少なくと
もネマチック液晶と有機単分子物質とが少なくとも充填
されている液晶表示素子を製造するための液晶表示素子
の製造方法において、 前記一対の基板に対する各種加工工程を実施した後に、
高分子化の反応工程を実施することを特徴とする液晶表
示素子の製造方法。 - 【請求項２】請求項１の液晶表示素子の製造方法におい
て、 基板の少なくとも一端を切断する工程を実施した後に、
光エネルギー又は熱エネルギーによって高分子化の反応
工程を実施することを特徴とする液晶表示素子の製造方
法。 - 【請求項３】請求項１の液晶表示素子の製造方法におい
て、 基板の少なくとも一部に穴をあける工程を実施した後
に、光エネルギー又は熱エネルギーによって高分子化の
反応工程を実施するこを特徴とする液晶表示素子の製造
方法。 - 【請求項４】請求項１の液晶表示素子の製造方法におい
て、 基板の少なくとも一面にフィルム状のシートを貼り付け
る工程を実施した後に、光エネルギー又は熱エネルギー
によって高分子化の反応工程を実施することを特徴とす
る液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2827396A JPH09222594A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2827396A JPH09222594A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09222594A true JPH09222594A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12243988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2827396A Pending JPH09222594A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09222594A (ja) |
-
1996
- 1996-02-15 JP JP2827396A patent/JPH09222594A/ja active Pending
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