JPH09219397A - 半導体ウエハの処理のための磁気閉じ込めプラズマリアクタ - Google Patents

半導体ウエハの処理のための磁気閉じ込めプラズマリアクタ

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JPH09219397A
JPH09219397A JP9011330A JP1133097A JPH09219397A JP H09219397 A JPH09219397 A JP H09219397A JP 9011330 A JP9011330 A JP 9011330A JP 1133097 A JP1133097 A JP 1133097A JP H09219397 A JPH09219397 A JP H09219397A
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pair
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magnets
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JP9011330A
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Peter K Loewenhardt
ケイ． ロウヴェンハート ピーター
Zeyao In Gerald
ゼヤオ イン ジェラルド
Philip M Salzman
エム． サルツマン フィリップ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 チャンバ壁の開口等を介したプラズマの漏出
を防止する。 【解決手段】 本発明は、プラズマ流動を停止させよう
とする領域又は平面の端から端までに磁場を導入するこ
とにより、チャンバ壁のみに頼らずにチャンバ内でプラ
ズマを閉じ込めるものである。例えば、チャンバ壁に必
要上具備される開口を介してプラズマが漏出又は流出す
ることを防止するため、例えば対立する磁極１対を上記
開口の端と端に配置させることにより、リアクタチャン
バの上記開口への入口に磁場を形成する。この磁場は、
プラズマの壁への漏出を低減するに充分強いものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハのた
めのプラズマリアクタに関し、特に、リアクタの制限さ
れた処理の領域の中で処理プラズマを閉じ込めることに
関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマリアクタ、特に微細な電子集積
回路の製造における半導体ウエハの処理に用いられるタ
イプの高周波（ＲＦ）プラズマリアクタでは、処理チャ
ンバ内において、処理チャンバを画する壁によって、プ
ラズマを半導体ウエハの上方に閉じ込める。このような
アプローチでプラズマ閉じ込めを行うことは、半導体ウ
エハの処理のためプラズマリアクタに用いる場合に、内
在的な問題点をいくつか生じさせる。
【０００３】第１に、プラズマを閉じ込める壁は、プラ
ズマ内のイオンによる攻撃に晒され、典型的には、例え
ばイオン衝突に晒される。この攻撃により、この壁の材
料が消費され、あるいは、ウエハに対して行われるプラ
ズマ処理に相容れない材料をチャンバ壁から導入させ
て、プロセスを汚染してしまう。この相容れない材料と
は、チャンバ壁自身の材料の場合もあり、あるいは、プ
ラズマ処理中にチャンバ壁上に堆積した材料（例えばポ
リマー）が剥がれ落ち又はスパッタされたものの場合も
ある。一例として、チャンバ壁がアルミニウムで行おう
とするプラズマプロセスが二酸化珪素のプラズマエッチ
ングである場合は、チャンバ壁自身の材料がプラズマ中
にスパッタ放出されれば、プロセスと相容れないものと
なり、プロセスの一体性を壊すものとなり得る。
【０００４】第２に、チャンバ壁には何等かの開口が具
備される必要があり、この開口を介して、チャンバから
プラズマが漏出し又は流出してしまう。この漏出等によ
り、開口附近のプラズマ密度が低減することとなり、ウ
エハに行っているプラズマプロセスを狂わせることにも
なる。また、この漏出等により、チャンバ内部より外側
の表面がプラズマによる攻撃を受けるようにもなる。チ
ャンバからプラズマが漏出し得るような開口の一例とし
て、従来から、ウエハをチャンバから出し入れするため
のウエハスリットバルブが、チャンバ側壁に具備され
る。ウエハの出し入れを効率良く行うためには、スリッ
トバルブには障害がないことが必要である。別の例とし
て、ポンプ環が典型的に具備されるが、このポンプ環
は、所望のチャンバ圧力を維持するための真空ポンプに
つながれたウエハペデスタルの下の環状の空間容量のこ
とである。ウエハペデスタル周縁とチャンバ側壁の間の
ギャップを介して、チャンバがポンプ環につながってい
る。ポンプ環にプラズマが流入することにより、プラズ
マがポンプ環の内面や壁に攻撃できるようになる。真空
ポンプによりチャンバ圧力を効果的に調節するために
は、この流入に障害を与えない必要があり、即ち、ペデ
スタルと側壁とのギャップには、障害が存在しない必要
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、チャ
ンバ壁だけに頼らずにチャンバ内部にプラズマを閉じ込
めることにあり、実際的には、チャンバ壁がプラズマを
閉じ込めない領域でプラズマを閉じ込めることにある。
本発明の関連した目的は、チャンバ壁に必要上具備され
る開口を介してプラズマが漏出ないし流出することを防
止することにある。本発明の補足的な目的は、このプラ
ズマ漏出の防止を、半導体ウエハのプラズマ処理を不安
定にさせずに行うことにある。
【０００６】本発明の概説的な目的は、リアクタチャン
バ内部の表面を選択してプラズマから遮蔽することにあ
る。
【０００７】本発明の１つの具体例の特定的な目的は、
ウエハペデスタルとチャンバ側壁の間のギャップの中で
中性電荷ガスの自由な流動を妨げることなく、このギャ
ップの中をプラズマが流動することを防止することによ
り、リアクタポンプ環の内面をプラズマから遮蔽するこ
とにある。
【０００８】本発明の別の具体例の特定的な目的は、チ
ャンバ側壁のウエハスリットバルブの中のプラズマ流動
を防止することを、ウエハスリットバルブを介したウエ
ハの出し入れを妨げずに行うことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマ流動
を停止させようとする領域又は平面の端から端までに磁
場を導入することにより、チャンバ壁のみに頼らずにチ
ャンバ内でプラズマを閉じ込めるものである。例えば、
チャンバ壁に必要上具備される開口を介してプラズマが
漏出又は流出することを防止するため、例えば対立する
磁極１対を上記開口の端と端に配置させることにより、
リアクタチャンバの上記開口への入口に磁場を形成す
る。この磁場は、プラズマの壁への漏出を低減するに充
分強いものである。
【００１０】この磁極が半導体ウエハのプラズマ処理を
不安定にすることを防止するため、対立磁極は閉磁力回
路の一部となっていることが好ましい。具体例の１つで
は、極は、開口の端と端で互いに対面する磁石の対立す
る端部である。好ましい具体例では、対立極は、２つの
別個の磁石であり、各磁極は他の対立する磁極に対面
し、２つの対立する１対の磁極は、中でのプラズマ流動
を停止させようとする開口の端と端とで対面している。
【００１１】概説的には、本発明は、リアクタチャンバ
内部の選択された表面をプラズマから遮蔽することを、
この表面に到達するプラズマが移動する経路の端から端
までに磁場をかけることにより、行うものである。
【００１２】本発明の１つの具体例では、ウエハペデス
タルとチャンバ側壁の間のギャップの中で中性電荷ガス
の自由な流動を妨げることなく、ギャップの端から端ま
でに磁場をかけて、このギャップの中をプラズマが流動
することを防止することにより、リアクタポンプ環の内
面をプラズマから遮蔽する。第１の実施態様に従えば、
この場は、並置された対立円形極を有する１対のリング
磁石により発生し、この対立円形極の１対は、ペデスタ
ル−側壁のギャップの端と端とで対面する。第２の実施
態様に従えば、極は１対のみであり、また、ポンプ環の
全体に伸びるコアにより、２つのリング磁石が１つに合
される。コアには複数のガス通路が具備され、ポンプ環
の中にガスが流動できるようにしている。
【００１３】本発明の別の具体例では、チャンバ側壁の
ウエハスリットバルブの中のプラズマ流動を防止するこ
とを、ウエハスリットバルブを介したウエハの出し入れ
を妨げずに行うことにあり、これは、磁場をバルブのス
リット開口全体にかけることによりなされる。実施態様
の１つに従えば、これは、並置される１対の対立極を有
する馬蹄型の磁石により実現され、この馬蹄型磁石１対
は、バルブのスリット開口の端と端で対立している。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（従来のリアクタ要素）図１に示されるように、半導体
ウエハの処理のためのＲＦプラズマリアクタは、真空チ
ャンバ１０を有しており、これは、円筒状の側壁１２
と、天井部１４と、床面１６とにより閉じられている。
処理しようとする半導体ウエハ２０は、ウエハペデスタ
ル１８により支持される。プラズマ前駆体ガスが、ガス
供給源２４からガスインジェクタ２２を介してチャンバ
１０の中に注入される。プラズマ源電力は、様々な方法
の中の１つによりチャンバ１０に結合している。例え
ば、リアクタは、「ダイオード」の構成を有していても
よく、この場合は、ＲＦ電力が天井部電極２６及びウエ
ハペデスタル１８の全面に印加される。これは、ペデス
タル１８及び天井部電極２６を、２つのＲＦ電力源２
８、３０のいずれか１つづつに接続させることにより実
現される。あるいは、チャンバ側部１２の周りに巻き付
けられた円筒状の側部コイル３２をＲＦ電力源３４に接
続させる。これらに代えて、あるいはこれらに加えて、
頂部コイル３６をＲＦ電力源に接続させてもよい。従来
から行われているように、ウエハペデスタル１８は、独
立に制御可能なそれ自身のＲＦ電力源２８を有していて
もよく、これにより、コイル３２又はコイル３６に印加
するＲＦ電力により決定されるプラズマ密度とは別個
に、ウエハ表面へのイオン衝突エネルギーを制御するこ
とが可能となる。
【００１５】真空ポンプ４０が、床部１６の通路４２を
介して、チャンバ１０に結合される。ウエハペデスタル
１８の周縁と床部１６の間の環状の空間が、ポンプ環４
４を形成し、この中を介して真空ポンプ４０がチャンバ
１０からガスを排出し、チャンバ１０内を所望の圧力に
維持する。ポンプ環４４は、ウエハペデスタル１８の周
縁とチャンバ側壁１４の間の環状のギャップ４６を介し
て、チャンバ１０の内部に結合される。ポンプ４０を効
率良く操業するためには、ギャップ４６には障害物がな
いことが好ましい。
【００１６】従来技術において周知のタイプの、長く太
い開口を有するチャンバ側壁１４のスリットバルブ５０
は、ウエハペデスタル１８に対して装着及び除去する半
導体ウエハ５２の出し入れを可能にする。
【００１７】チャンバ１０内でプラズマを閉じ込める壁
１４及び１２は、プラズマイオンや荷電ラジカルによる
攻撃、典型的には例えばイオン衝突による攻撃を受け
る。この攻撃により、壁１４及び１２の材料を消費し、
あるいは、ウエハ５２に行っているプラズマ処理に壁１
４及び１２からの相容れない材料を導入して、プロセス
を汚染してしまうだろう。この相容れない材料とは、チ
ャンバ壁自身の材料の場合もあり、あるいは、プラズマ
処理中にチャンバ壁上に堆積した材料（例えばポリマ
ー）が剥がれ落ち又はスパッタされたものの場合もあ
る。プラズマがチャンバ壁に到達すれば、ポリマー堆積
物をその上に生じさせることもある。
【００１８】ペデスタル−側壁のギャップ４６及びスリ
ットバルブ開口５０を含めたチャンバ１０の内部からの
開口は、チャンバ１０からプラズマを漏出又は流出させ
る。この漏出は、開口４６及び５０の近くのプラズマ密
度を低減させることがあり、ウエハ５２に行っているプ
ラズマプロセスを狂わせることになる。また、この漏出
等により、チャンバ内部より外側の表面がプラズマによ
る攻撃を受けるようにもなる。ギャップ４６を介してポ
ンプ環４４の中にプラズマが流入することにより、ポン
プ環４４の内面又は壁をプラズマが攻撃できるようにな
る。従って典型的には、設計者は、チャンバ天井部１２
及び側壁１４を構成する材料のみを考慮するだけでな
く、更に、側壁１４の下側部分５６、床部１６及びウエ
ハペデスタル１８の底周縁面５８を含めたポンプ環を形
成する材料も考慮する必要があり、設計を複雑にしてい
る。また、チャンバ１０からのこのようなプラズマの損
失により、プラズマ密度が低減し、又は、ウエハ５２の
上方に所望のプラズマ密度を維持するために更に大きな
プラズマ源電力が必要となる。
【００１９】（磁力による閉じ込め）プラズマがチャン
バ１０からポンプ環の中に流入することを防止するため
に、ギャップ４６の端から端までに、ギャップ４６の面
に垂直で且つギャップ４６の中のガス流れの方向に垂直
な磁場を与える。これは、ギャップ４６の端と端とで対
面する関係で並置される、対立する１対の磁極６０及び
６２を与えることにより行うことが好ましい。図２の具
体例では、磁極６０は、ウエハペデスタル１８の周縁に
配置される磁石６４のＮ極であり、磁極６２は、側壁１
４の内面に隣接する磁石６６のＳ極である。図２の具体
例は、開磁力回路と考えることができ、何故なら、図２
の戻り磁束線６８は図示の如く外向きに放射されるから
である。
【００２０】スリットバルブ開口５０を介してチャンバ
１０からプラズマ流入することを防止するために、スリ
ットバルブ開口５０の端から端までに、スリットバルブ
開口５０の面に垂直で且つスリットバルブ開口５０の中
のガス流れの方向に垂直な磁場を与える。これは、スリ
ットバルブ開口５０の端と端とで対面する関係で並置さ
れる、対立する１対の磁極７０及び７２を与えることに
より行うことが好ましい。図３の具体例では、磁極７０
は、スリットバルブ開口５０の底部エッジ全体に伸びる
磁石７４のＮ極であり、磁極７２は、スリットバルブ開
口５０の頂部エッジに沿って伸びる磁石７６のＳ極であ
る。図３の具体例は、開磁力回路と考えることができ、
何故なら、図３の戻り磁束線７８は図示の如く外向きに
放射されるからである。磁束線６８（図２）及び磁束線
７８（図３）の戻り線に関して生じ得る問題は、戻り磁
束線の一部がウエハ５２の近くまで伸びて、その結果ウ
エハ５２のプラズマ処理を壊しあるいは不安定にする問
題である。このような問題を最小にし又はなくすために
は、閉磁力回路（戻り磁束線がチャンバの中まで伸びな
い磁力回路）を用いて、対立する磁極の対６０、６２及
び７０、７２を与えることである。例えば、図４及び５
の具体例では、ギャップの端と端の対立する磁極６０、
６２はそれぞれ、ウエハペデスタル１８と同心の馬蹄リ
ング磁石８０、８２のそれぞれの極である。馬蹄リング
磁石８０は、Ｎ極６０とＳ極８１を有しており、馬蹄リ
ング磁石８２は、Ｓ極６２とＮ極８３を有している。内
側の馬蹄リング磁石８０の極６０、８１は、磁力円筒コ
ア環８５により、内側の半径のところで接続される環で
ある。同様に、外側馬蹄リング磁石８２の極６２、８３
は、磁力円筒コア環８６により、外側の半径のところで
接続される環である。内側及び外側の馬蹄リング磁石８
０、８２から成る磁力回路は閉磁力回路であり、何故な
ら、対立する極の対６０、６２及び８１、８３の間の磁
束線は、極同士の間で直線であり、且つ、概略的には外
向きに曲っておらず、少なくとも図２及び図３の戻り磁
束線６８、７８は外向きには曲っていない。
【００２１】図４（ａ）、（ｂ）及び図６の具体例で
は、スリットバルブ開口５０の端と端の対立する磁極７
０、７２は、それぞれの長い馬蹄磁石９０、９２のそれ
ぞれの極であり、これはスリットバルブ開口５０の長さ
に沿って伸びている。長い馬蹄磁石９０は、スリットバ
ルブ開口５０の頂部境界に沿って伸び、他の馬蹄磁石は
スリットバルブ開口５０の底部エッジに沿って伸びてい
る。
【００２２】図４の閉磁石の具体例の利点は、プラズマ
を閉じ込める磁場が、ウエハ表面へのプラズマ処理を妨
害しにくいことである。
【００２３】図７及び図８の具体例では、馬蹄リング磁
石８０、８２がＮ極６０とＳ極６２を有する単一の馬蹄
リング磁石９４を構成するように、２つの馬蹄リング磁
石８０、８２の下側の環８１、８３が、磁石コア環９６
により合わされ、１つの環となっている。コア環９６
は、ポンプ環４４全体に伸びており、また、珪素酸化物
等の保護コーティングにより保護されてもよい。ポンプ
環４４の中をガスが通過できるようにするため、コア環
９６は自身を貫通する複数の穴１００を有している。
【００２４】本発明の利点は、プラズマイオンがポンプ
環４４から排除されることにある。これは、ポンプ環の
内面を形成にはあらゆる都合のよい材料を用いることが
でき、プラズマイオンによる攻撃の影響の大きさや、ウ
エハに行うプラズマプロセスのスパッタ副生成物の適合
性を考慮しなくてもよいという利点がある。また、プラ
ズマイオンがポンプ環を介して失われることによりプラ
ズマ密度が減少することが、排除される。別の利点は、
チャンバ１０の内部でプラズマをウエハの上方に閉じ込
めつつも、ペデスタル−側壁のギャップ４６の中のガス
フローを妨害しないことである。更に、プラズマをより
小さな容量（即ち、チャンバ１０のウエハ５２の真上の
部分）に閉じ込めることにより、ウエハ５２上方のプラ
ズマ密度が高められる。更なる利点としては、プラズマ
イオンがスリットバルブ開口５０の中から出ることを停
止することにより、ウエハ５２のスリットバルブ開口５
０に隣接する部分の上方のプラズマ密度が損失すること
が防止されることである。
【００２５】一例においては、磁極対６０、６２のそれ
ぞれは、５ｃｍのギャップ４６の端から端までの距離に
対して、２０ガウスの強度を有しており、磁極対７０、
７２のそれぞれは、２ｃｍのスリットバルブ開口５０の
幅に対して、２０ガウスの強度を有している。
【００２６】ここまでは、プラズマ閉じ込め磁石は、チ
ャンバ壁又はウエハペデスタル内部又は保護層内部にお
いて少なくとも部分的に保護されることにより、プラズ
マイオン及び処理ガスによる攻撃から保護される、好ま
しい具体例に関して、本発明を説明してきた。具体例
（例えば図６の具体例）によっては、磁石全体はチャン
バの外側に配置されてもよい。あるいは、リアクタの設
計者が、プラズマを磁石と相互作用させようとする場合
に、磁石はチャンバの内部に配置されプラズマと直接接
触させてもよいが、これは好ましいものではないだろ
う。
【００２７】好ましい具体例を参照して具体的に本発明
を詳細に説明してきたが、本発明の範囲から外れること
なく変形や修正を行うことができることが理解されるだ
ろう。
【００２８】
【発明の効果】以上詳細に説明してきたように、本発明
によれば、プラズマ流動を停止させようとする領域又は
平面の端から端までに磁場を導入することにより、チャ
ンバ壁のみに頼らずにチャンバ内でプラズマを閉じ込め
ることができるようになる。
【００２９】従って、チャンバ壁の開口等を介したプラ
ズマの漏出が防止され、更に、このプラズマ漏出の防止
を、半導体ウエハのプラズマ処理を不安定にさせずに行
うことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】開磁力回路を用いる本発明の第１の具体例に従
ったプラズマリアクタの破断側面図である。
【図２】磁力閉じ込め装置のペデスタル−側壁のギャッ
プ附近の拡大図である。
【図３】磁力閉じ込め装置のウエハスリットバルブ附近
の拡大図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、１対の対立磁石を有する
閉磁力回路を用いる本発明の好ましい具体例に従ったプ
ラズマリアクタの対応する側面図である。
【図５】ペデスタル−側壁のギャップの端と端とに並置
される１対の対立リング磁石の斜視図である。
【図６】ウエハスリットバルブの端と端とに並置される
１対の対立磁石の斜視図である。
【図７】閉磁力回路が単一の磁石でありその対立極がペ
デスタル−側壁のギャップの端と端に並置されポンプ環
の全体に伸びるコアにより合される、プラズマリアクタ
の破断側面図である。
【図８】図７の単一磁石の上面図であり、磁石の対立し
あう極をつなげるコアを貫通するガス流動穴を示す図で
ある。
【符号の説明】
１０…真空チャンバ、１２…側壁、１４…天井部、１６
…床面、１８…ウエハペデスタル、２０…半導体ウエ
ハ、２２…ガスインジェクタ、２４…ガス供給源、２６
…天井部電極、２８，３０…ＲＦ電力源、３２…側部コ
イル、３４…ＲＦ電力源、３６…頂部コイル、４０…真
空ポンプ、４２…通路、４４…ポンプ環、４６…ギャッ
プ、５０…スリットバルブ、５２…半導体ウエハ、５６
…側壁下側部分、５８…ウエハペデスタル底周縁面、６
０，６２…磁極、６４，６６…磁石、６８…磁束線、７
０，７２…磁極、７４，７６…磁石、７８…磁束線、８
０，８２…馬蹄リング磁石、８１…Ｓ極、８３…Ｎ極、
８５，８６…磁力円筒コア環、９０、９２…馬蹄磁石、
９６…磁石コア環、１００…穴。
フロントページの続き (72)発明者 ジェラルド ゼヤオ イン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サニーヴェール， モース アヴェニュー 1063， ナンバー17−205 (72)発明者 フィリップ エム． サルツマン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フェアグレン ドライヴ 2282

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウエハの処理のためのＲＦプラズ
    マリアクタであって、 チャンバ壁に囲まれたリアクタチャンバと、 前記チャンバへプラズマ前駆体ガスを提供するためのガ
    ス流入部と、 ＲＦ電力源と、 前記チャンバに近接し、前記チャンバ内にＲＦ電力源を
    結合するために前記ＲＦ電力源に接続される、ＲＦカプ
    ラと、 前記リアクタ内で処理しようとする半導体ウエハを支持
    するための、前記チャンバ内のウエハペデスタルと、 前記チャンバの周縁の一部に隣接するポンプ環であっ
    て、前記ポンプ環は前記ペデスタルと前記チャンバの間
    の外周ギャップを介して前記チャンバに結合される、前
    記ポンプ環と、 前記ポンプ環に結合される真空ポンプと、 前記ギャップの対向する側のそれぞれに配置される、反
    対の磁極を有する第１の磁極対であって、前記磁極は、
    前記チャンバ内のプラズマイオンが前記ギャップを通っ
    て前記ポンプ環に到達することを防止するに充分な磁力
    強度を有する、前記磁極対とを備えるリアクタ。
  2. 【請求項２】 前記磁極対のそれぞれが、前記ギャップ
    の前記対向する側のそれぞれにある１対の磁石に備えら
    れる請求項１に記載のリアクタ。
  3. 【請求項３】 前記１対の磁石のそれぞれ一方の極が、
    それぞれの磁石に沿った方向で対面し、前記１対の磁石
    が、端と端が向合うように配向される請求項２に記載の
    リアクタ。
  4. 【請求項４】 前記磁石が、側部と側部が向合うように
    配向され、一方の磁石のそれぞれの極が他方の磁石の反
    対の極と面する請求項２に記載のリアクタ。
  5. 【請求項５】 前記１対の磁石の前記第１の磁極対が、
    前記ギャップの端と端とで互いに対向し、前記磁極の残
    りの磁極が前記ポンプ環の端と端とで互いに対向する請
    求項４に記載のリアクタ。
  6. 【請求項６】 前記１対の磁石のそれぞれが、馬蹄型磁
    石である請求項４に記載のリアクタ。
  7. 【請求項７】（ａ）前記１対の磁石のうちの第１の磁石
    が、（１）前記ウエハペデスタルと同心であり、且つ、
    内部上端と内部底端とを有する、内部円筒状コアと、
    （２）前記内部上端と前記内部底端のそれぞれから放射
    方向外向きに伸びる１対の内側環であって、前記第１の
    磁石の極のそれぞれが前記１対の内側環にそれぞれ備え
    られる、前記内側環と、を備え、 （ｂ）前記１対の磁石のうちの第２の磁石が、（１）前
    記内部円筒状コアと同心で且つこれを包囲し、且つ、外
    部上端と外部底端とを有する、外部円筒状コアと、
    （２）前記外部上端と前記外部底端のそれぞれから放射
    方向内向きに伸びる１対の外側環であって、前記第２の
    磁石の極のそれぞれが前記１対の外側環の中にそれぞれ
    備えられる、前記外側環とを備える、請求項６に記載の
    リアクタ。
  8. 【請求項８】 単一の磁石を備え、前記磁極対は前記単
    一の磁石に備えられ、前記単一磁石は前記磁極対を接続
    するコアを備える請求項１に記載のリアクタ。
  9. 【請求項９】 前記コアが前記ポンプ環の中を伸びる請
    求項８に記載のリアクタ。
  10. 【請求項１０】 前記ポンプ環の中にガスを流動するた
    めの通路を、前記コアの中に更に備える請求項９に記載
    のリアクタ。
  11. 【請求項１１】 前記コアの一部に保護コーティングを
    更に備える請求項９に記載のリアクタ。
  12. 【請求項１２】対立する側を有する、前記チャンバ壁の
    スリットバルブ開口と、 １対のバルブ磁石であって、前記バルブ磁石それぞれの
    極の一方が、前記スリットバルブ開口の対立する側のそ
    れぞれに沿って配置され、前記スリットバルブ開口の対
    立する側に沿って配置される前記極が、反対の磁極を有
    する、前記バルブ磁石とを更に備える請求項１に記載の
    リアクタ。
  13. 【請求項１３】 ２つの磁石における１つの磁極対だけ
    が相互に面するように、前記１対のバルブ磁石が相互
    に、端と端が向合うように配置される請求項１２に記載
    のリアクタ。
  14. 【請求項１４】 前記１対のバルブ磁石が、側部と側部
    が向合うように配置されて、前記バルブ磁石のそれぞれ
    の極が他方のバルブ磁石の反対の極と向合う請求項１２
    に記載のリアクタ。
  15. 【請求項１５】 ２つのバルブ磁石の対面する極の第１
    の対が、ステップバルブ開口の端と端にあって互いに面
    し、前記２つのバルブ磁石の対面する極の第２の対が、
    前記スリットバルブ開口から放射方向外向きに移動した
    配置で互いに面する請求項１４に記載のリアクタ。
  16. 【請求項１６】 前記対面する極が、半導体ウエハが通
    行するに充分なギャップによって隔てられる請求項１５
    に記載のリアクタ。
  17. 【請求項１７】 前記バルブ磁石が馬蹄型磁石である請
    求項１４に記載のリアクタ。
  18. 【請求項１８】 半導体ウエハの処理のためのＲＦプラ
    ズマリアクタであって、 チャンバ壁に囲まれたリアクタチャンバと、 前記チャンバへプラズマ前駆体ガスを提供するためのガ
    ス流入部と、 ＲＦ電力源と、 前記チャンバに近接し、前記チャンバ内にＲＦ電力源を
    結合するために前記ＲＦ電力源に接続される、ＲＦカプ
    ラと、 前記リアクタ内で処理しようとする半導体ウエハを支持
    するための、前記チャンバ内のウエハペデスタルと、 前記チャンバにウエハを出し入れさせる、チャンバ壁に
    具備されたスリットバルブ開口であって、前記スリット
    バルブ開口は前記開口を画する対立する側を有する、前
    記スリットバルブ開口と、 １対のバルブ磁石であって、前記バルブ磁石それぞれの
    極の一方が、前記スリットバルブ開口の対立する側のそ
    れぞれに沿って配置され、前記スリットバルブ開口の対
    立する側に沿って配置される前記極が、反対の磁極を有
    する、前記バルブ磁石とを備えるリアクタ。
  19. 【請求項１９】 ２つの磁石における１つの磁極対だけ
    が相互に面するように、前記１対のバルブ磁石が相互
    に、端と端が向合うように配置される請求項１８に記載
    のリアクタ。
  20. 【請求項２０】 前記１対のバルブ磁石が、側部と側部
    が向合うように配置されて、前記バルブ磁石のそれぞれ
    の極が他方のバルブ磁石の反対の極と向合う請求項１２
    に記載のリアクタ。
  21. 【請求項２１】 ２つのバルブ磁石の対面する極の第１
    の対が、ステップバルブ開口の端と端にあって互いに面
    し、前記２つのバルブ磁石の対面する極の第２の対が、
    前記スリットバルブ開口から放射方向外向きに移動した
    配置で互いに面する請求項２０に記載のリアクタ。
  22. 【請求項２２】 前記対面する極が、半導体ウエハが通
    行するに充分なギャップによって隔てられる請求項２１
    に記載のリアクタ。
  23. 【請求項２３】 前記バルブ磁石が馬蹄型磁石である請
    求項２０に記載のリアクタ。
  24. 【請求項２４】 半導体ウエハの処理のためのＲＦプラ
    ズマリアクタであって、 チャンバ壁に囲まれたリアクタチャンバと、 前記チャンバへプラズマ前駆体ガスを提供するためのガ
    ス流入部と、 ＲＦ電力源と、 前記チャンバに近接し、前記チャンバ内にＲＦ電力源を
    結合するために前記ＲＦ電力源に接続される、ＲＦカプ
    ラと、 前記リアクタ内で処理しようとする半導体ウエハを支持
    するための、前記チャンバ内のウエハペデスタルであっ
    て、前記ウエハペデスタルは、前記チャンバを、上側の
    処理部分と下側の部分とに隔て、前記下側の部分は、前
    記上側の部分と前記下側の部分の間にガスを流すため
    の、前記ウエハペデスタルと前記チャンバ壁の間のギャ
    ップによって隔てられる、前記ウエハペデスタルと、 前記ギャップの対向する側のそれぞれに配置される、反
    対の磁極を有する第１の磁極対であって、前記磁極は、
    前記上側処理部分内のプラズマイオンを閉じ込めるに充
    分な磁力強度を有する、前記磁極対とを備えるリアク
    タ。
  25. 【請求項２５】 前記磁極対のそれぞれが、前記ギャッ
    プの前記対向する側のそれぞれにある１対の磁石に備え
    られる請求項２４に記載のリアクタ。
  26. 【請求項２６】 前記１対の磁石のそれぞれ一方の極
    が、それぞれの磁石に沿った方向で対面し、前記１対の
    磁石が、端と端が向合うように配向される請求項２５に
    記載のリアクタ。
  27. 【請求項２７】 前記磁石が、側部と側部が向合うよう
    に配向され、一方の磁石のそれぞれの極が他方の磁石の
    反対の極と面する請求項２５に記載のリアクタ。
  28. 【請求項２８】 前記１対の磁石の前記第１の磁極対
    が、前記ギャップの端と端とで互いに対向し、前記磁極
    の残りの磁極が前記チャンバの前記下側部分の端と端と
    で互いに対向する請求項２７に記載のリアクタ。
  29. 【請求項２９】 前記１対の磁石のそれぞれが馬蹄型磁
    石である請求項２７に記載のリアクタ。
  30. 【請求項３０】（ａ）前記１対の磁石のうちの第１の磁
    石が、（１）前記ウエハペデスタルと同心であり、且
    つ、内部上端と内部底端とを有する、内部円筒状コア
    と、（２）前記内部上端と前記内部底端のそれぞれから
    放射方向外向きに伸びる１対の内側環であって、前記第
    １の磁石の極のそれぞれが前記１対の内側環にそれぞれ
    備えられる、前記内側環と、を備え、 （ｂ）前記１対の磁石のうちの第２の磁石が、（１）前
    記内部円筒状コアと同心で且つこれを包囲し、且つ、外
    部上端と外部底端とを有する、外部円筒状コアと、
    （２）前記外部上端と前記外部底端のそれぞれから放射
    方向内向きに伸びる１対の外側環であって、前記第２の
    磁石の極のそれぞれが前記１対の外側環の中にそれぞれ
    備えられる、前記外側環とを備える、請求項２７に記載
    のリアクタ。
  31. 【請求項３１】 単一の磁石を備え、前記磁極対は前記
    単一の磁石に備えられ、前記単一磁石は前記磁極対を接
    続するコアを備える請求項２４に記載のリアクタ。
  32. 【請求項３２】 前記コアが前記チャンバの前記下側部
    分の中を伸びる請求項３１に記載のリアクタ。
  33. 【請求項３３】 前記チャンバの前記下側部分の中での
    ガス流動を可能にするためのガス通路を前記コアの中に
    更に有する請求項３２に記載のリアクタ。
  34. 【請求項３４】 前記コアの一部の周りに保護コーティ
    ングを更に備える請求項３２に記載のリアクタ。
  35. 【請求項３５】 防止しない限りプラズマがその中を流
    れることができる開口を有するＲＦプラズマリアクタの
    内部でプラズマを閉じ込める方法であって、 プラズマイオンを前記開口の中に通過させない程度に充
    分強い磁界を、前記開口の端から端までに作用させるス
    テップを有する方法。
  36. 【請求項３６】 前記プラズマリアクタが、そこにプラ
    ズマを閉じ込めようとする上側の処理部分と、下側の処
    理部分とを備え、前記開口が、前記上側処理部分と前記
    下側処理部分との間の通路を備える請求項３５に記載の
    方法。
  37. 【請求項３７】 前記開口が、前記リアクタのウエハス
    リットバルブを備える請求項３５に記載の方法。
JP9011330A 1996-01-24 1997-01-24 半導体ウエハの処理のための磁気閉じ込めプラズマリアクタ Withdrawn JPH09219397A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003514386A (ja) * 1999-11-15 2003-04-15 ラム リサーチ コーポレーション プラズマの体積を制御する方法及び装置

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6471822B1 (en) * 1996-01-24 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Magnetically enhanced inductively coupled plasma reactor with magnetically confined plasma
TW303480B (en) 1996-01-24 1997-04-21 Applied Materials Inc Magnetically confined plasma reactor for processing a semiconductor wafer
AU1606101A (en) * 1999-11-15 2001-05-30 Lam Research Corporation Materials and gas chemistries for processing systems
US6341574B1 (en) 1999-11-15 2002-01-29 Lam Research Corporation Plasma processing systems
US20020069970A1 (en) * 2000-03-07 2002-06-13 Applied Materials, Inc. Temperature controlled semiconductor processing chamber liner
US8617351B2 (en) * 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
US20070048882A1 (en) * 2000-03-17 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Method to reduce plasma-induced charging damage
US8048806B2 (en) * 2000-03-17 2011-11-01 Applied Materials, Inc. Methods to avoid unstable plasma states during a process transition
US6863835B1 (en) 2000-04-25 2005-03-08 James D. Carducci Magnetic barrier for plasma in chamber exhaust
US6562189B1 (en) * 2000-05-19 2003-05-13 Applied Materials Inc. Plasma reactor with a tri-magnet plasma confinement apparatus
WO2003005406A1 (en) * 2001-07-03 2003-01-16 Tokyo Electron Limited Plasma pump with inter-stage plasma source
US7374636B2 (en) * 2001-07-06 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor
JP4009087B2 (ja) 2001-07-06 2007-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置における磁気発生装置、半導体製造装置および磁場強度制御方法
US20040129218A1 (en) * 2001-12-07 2004-07-08 Toshiki Takahashi Exhaust ring mechanism and plasma processing apparatus using the same
JP4392852B2 (ja) * 2001-12-07 2010-01-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置に用いられる排気リング機構及びプラズマ処理装置
US6746566B1 (en) * 2001-12-11 2004-06-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Transverse magnetic field voltage isolator
JP4330315B2 (ja) 2002-03-29 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
US7458335B1 (en) 2002-10-10 2008-12-02 Applied Materials, Inc. Uniform magnetically enhanced reactive ion etching using nested electromagnetic coils
US7059268B2 (en) * 2002-12-20 2006-06-13 Tokyo Electron Limited Method, apparatus and magnet assembly for enhancing and localizing a capacitively coupled plasma
US7422654B2 (en) * 2003-02-14 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor
US7294224B2 (en) * 2003-12-01 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Magnet assembly for plasma containment
MX344139B (es) 2004-06-14 2016-12-07 Pratt & Whitney Line Maintenance Services Inc Sistema y dispositivos para recolectar y tratar agua residual de lavado de un motor.
US7394339B1 (en) 2004-06-30 2008-07-01 Kla-Tencor Technologies Corporation Transverse magnetic field voltage isolator
KR20060098235A (ko) * 2005-03-11 2006-09-18 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
US7651587B2 (en) * 2005-08-11 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Two-piece dome with separate RF coils for inductively coupled plasma reactors
US8444926B2 (en) * 2007-01-30 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Processing chamber with heated chamber liner
DE102008019629A1 (de) * 2008-04-18 2009-10-29 Multivac Sepp Haggenmüller Gmbh & Co. Kg Verpackungsmaschine und Verfahren zum Verpacken von Produkten in Beuteln
JP5102706B2 (ja) * 2008-06-23 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及び基板処理装置
MX345403B (es) 2009-05-13 2017-01-30 Sio2 Medical Products Inc Revestimiento por pecvd utilizando un precursor organosilícico.
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
UA87745U (uk) * 2010-07-30 2014-02-25 Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины Плазмовий реактор з магнітною системою
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
CN102915902B (zh) * 2011-08-02 2015-11-25 中微半导体设备(上海)有限公司 一种电容耦合式的等离子体处理装置及其基片加工方法
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
EP2776603B1 (en) 2011-11-11 2019-03-06 SiO2 Medical Products, Inc. PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS
CA2887352A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
EP2914762B1 (en) 2012-11-01 2020-05-13 SiO2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
WO2014085348A2 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
KR102472240B1 (ko) 2013-03-11 2022-11-30 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 코팅된 패키징
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
WO2014144926A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Sio2 Medical Products, Inc. Coating method
US11066745B2 (en) 2014-03-28 2021-07-20 Sio2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
US11077233B2 (en) 2015-08-18 2021-08-03 Sio2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
US11037765B2 (en) * 2018-07-03 2021-06-15 Tokyo Electron Limited Resonant structure for electron cyclotron resonant (ECR) plasma ionization
US20220102119A1 (en) * 2020-09-25 2022-03-31 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56131374A (en) * 1980-03-19 1981-10-14 Nippon Bakuga Kogyo Kk Preparation of ptisan drink
US4438723A (en) * 1981-09-28 1984-03-27 Energy Conversion Devices, Inc. Multiple chamber deposition and isolation system and method
US4440107A (en) * 1982-07-12 1984-04-03 Energy Conversion Devices, Inc. Magnetic apparatus for reducing substrate warpage
US4483737A (en) * 1983-01-31 1984-11-20 University Of Cincinnati Method and apparatus for plasma etching a substrate
KR910000508B1 (ko) 1984-08-31 1991-01-26 니찌덴 아넬바 가부시끼가이샤 동적자계를 이용한 방전 반응장치
CA1247757A (en) 1985-05-03 1988-12-28 The Australian National University Method and apparatus for producing large volume magnetoplasmas
JPH0812856B2 (ja) * 1986-01-17 1996-02-07 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法および装置
US4721891A (en) * 1986-04-17 1988-01-26 The Regents Of The University Of California Axial flow plasma shutter
US4842707A (en) * 1986-06-23 1989-06-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Dry process apparatus
EP0252755A1 (en) 1986-07-11 1988-01-13 Unvala Limited Chemical vapour deposition
US5032205A (en) * 1989-05-05 1991-07-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Plasma etching apparatus with surface magnetic fields
US5091049A (en) 1989-06-13 1992-02-25 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5122251A (en) 1989-06-13 1992-06-16 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US4990229A (en) 1989-06-13 1991-02-05 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5421891A (en) 1989-06-13 1995-06-06 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5429070A (en) 1989-06-13 1995-07-04 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5556501A (en) 1989-10-03 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor
JPH03123022A (ja) * 1989-10-05 1991-05-24 Toshiba Corp プラズマ成膜装置
JP3033104B2 (ja) * 1989-11-17 2000-04-17 ソニー株式会社 エッチング方法
US5178739A (en) * 1990-10-31 1993-01-12 International Business Machines Corporation Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes
DE69105941T2 (de) * 1991-01-25 1995-05-04 Shibaura Eng Works Ltd Zerstäubungsvorrichtung.
US5198725A (en) * 1991-07-12 1993-03-30 Lam Research Corporation Method of producing flat ecr layer in microwave plasma device and apparatus therefor
US5224441A (en) * 1991-09-27 1993-07-06 The Boc Group, Inc. Apparatus for rapid plasma treatments and method
EP0537950B1 (en) * 1991-10-17 1997-04-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor
JP2972477B2 (ja) * 1993-01-27 1999-11-08 日本電気株式会社 Ｒｆ・ｅｃｒプラズマエッチング装置
JPH0722389A (ja) * 1993-06-18 1995-01-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US5484485A (en) * 1993-10-29 1996-01-16 Chapman; Robert A. Plasma reactor with magnet for protecting an electrostatic chuck from the plasma
JP3365067B2 (ja) 1994-02-10 2003-01-08 ソニー株式会社 プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法
TW299559B (ja) 1994-04-20 1997-03-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP3210207B2 (ja) * 1994-04-20 2001-09-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TW303480B (en) 1996-01-24 1997-04-21 Applied Materials Inc Magnetically confined plasma reactor for processing a semiconductor wafer
US6054013A (en) 1996-02-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density
US6189484B1 (en) 1999-03-05 2001-02-20 Applied Materials Inc. Plasma reactor having a helicon wave high density plasma source
US6077040A (en) * 1998-05-01 2000-06-20 United Technologies Corporation Control system for blades for a variable pitch propeller

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003514386A (ja) * 1999-11-15 2003-04-15 ラム リサーチ コーポレーション プラズマの体積を制御する方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
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