JPH09214026A - 光半導体装置とその製造方法 - Google Patents
光半導体装置とその製造方法Info
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- JPH09214026A JPH09214026A JP3441496A JP3441496A JPH09214026A JP H09214026 A JPH09214026 A JP H09214026A JP 3441496 A JP3441496 A JP 3441496A JP 3441496 A JP3441496 A JP 3441496A JP H09214026 A JPH09214026 A JP H09214026A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光半導体装置のしきい値を低減し、且つ、そ
の高温動作特性を向上させる。 【解決手段】 レーザ活性層３を有する活性領域２０
と、非活性ＭＦＣ層を有する非活性領域２１とが基板１
の主面に沿って順次に形成されたメサストライプ２２を
有する光半導体装置の構造において、メサストライプ２
２の埋込み層７、８を形成する際に、活性領域２０で
は、埋込み層７、８がメサストライプ２２の側部のみ
に、非活性領域２１では、メサストライプ２２の側部に
加えて、その上面にも形成される。埋込み層７、８を含
む半導体積層がp-n-p-n接合の電流阻止構造を形成する
ので、非活性領域２１では、ＭＦＣ層に電流が流れるこ
とが防止され、レーザとしての電流効率が向上し、その
しきい値が低減する。
の高温動作特性を向上させる。 【解決手段】 レーザ活性層３を有する活性領域２０
と、非活性ＭＦＣ層を有する非活性領域２１とが基板１
の主面に沿って順次に形成されたメサストライプ２２を
有する光半導体装置の構造において、メサストライプ２
２の埋込み層７、８を形成する際に、活性領域２０で
は、埋込み層７、８がメサストライプ２２の側部のみ
に、非活性領域２１では、メサストライプ２２の側部に
加えて、その上面にも形成される。埋込み層７、８を含
む半導体積層がp-n-p-n接合の電流阻止構造を形成する
ので、非活性領域２１では、ＭＦＣ層に電流が流れるこ
とが防止され、レーザとしての電流効率が向上し、その
しきい値が低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信等に用いら
れる光半導体装置及びその製造方法に関し、特に半導体
レーザと光導波路層とがモノリシックに集積化された、
低しきい値、高効率で作動し、高温動作特性にも優れた
光半導体装置及びその製造方法に関する。
れる光半導体装置及びその製造方法に関し、特に半導体
レーザと光導波路層とがモノリシックに集積化された、
低しきい値、高効率で作動し、高温動作特性にも優れた
光半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＦＣ(Mode Field Convertor)付きのレ
ーザ装置（ＬＤ）は、同一基板上に活性領域と非活性導
波路領域とがモノリシックに形成された高機能半導体レ
ーザとして知られている。この形式のＬＤでは、活性領
域において発生したレーザ光のビーム径を、非活性導波
路層を有するＭＦＣ領域で変えることで、光ファイバー
との結合効率を向上させる。
ーザ装置（ＬＤ）は、同一基板上に活性領域と非活性導
波路領域とがモノリシックに形成された高機能半導体レ
ーザとして知られている。この形式のＬＤでは、活性領
域において発生したレーザ光のビーム径を、非活性導波
路層を有するＭＦＣ領域で変えることで、光ファイバー
との結合効率を向上させる。
【０００３】一方、ＢＨ(Buried Heterostructure)型構
造は、一般的に、ＬＤを高性能化し、電流狭窄特性に優
れたＬＤを得るために採用される。図８〜図１０を参照
して、従来の製造方法によってＭＦＣ付きＬＤをＢＨ型
構造に形成する方法の一例を示す。
造は、一般的に、ＬＤを高性能化し、電流狭窄特性に優
れたＬＤを得るために採用される。図８〜図１０を参照
して、従来の製造方法によってＭＦＣ付きＬＤをＢＨ型
構造に形成する方法の一例を示す。
【０００４】まず、ｎ型ＩnＰ基板１上に、活性領域２
０ではレーザ活性層３を含み、ＭＦＣ領域２１ではＭＦ
Ｃ層４を含む構造の半導体多層膜を形成する（図８）。
次いで、半導体多層膜の表面にストライプ構造の誘電体
膜（ストライプ誘電体膜）６を形成し、これをマスクと
した化学エッチングによって半導体多層膜構造から成る
メサストライプ２２を形成する（図９）。引き続き、全
体を液層エピタキシャル成長装置（ＬＰＥ装置）内に導
入し、メサストライプ２２の両側面に、ｐ型ＩnＰ電流
狭窄層７及びｎ型ＩnＰ電流狭窄層８から成る電流阻止
構造を形成する（図１０）。
０ではレーザ活性層３を含み、ＭＦＣ領域２１ではＭＦ
Ｃ層４を含む構造の半導体多層膜を形成する（図８）。
次いで、半導体多層膜の表面にストライプ構造の誘電体
膜（ストライプ誘電体膜）６を形成し、これをマスクと
した化学エッチングによって半導体多層膜構造から成る
メサストライプ２２を形成する（図９）。引き続き、全
体を液層エピタキシャル成長装置（ＬＰＥ装置）内に導
入し、メサストライプ２２の両側面に、ｐ型ＩnＰ電流
狭窄層７及びｎ型ＩnＰ電流狭窄層８から成る電流阻止
構造を形成する（図１０）。
【０００５】次に、ストライプ誘電体膜６を除去し、再
びＬＰＥ装置によって全面に、ｐ型ＩnＰクラッド層９
及びｐ型ＩnＧaＡsＰコンタクト層１０を形成する。次
いで、積層構造の上面及び基板裏面に夫々ｐ電極１１及
びｎ電極１２を形成する（図１１）。このような構造に
より、メサストライプ２２以外の領域には、p-n-p-n接
合からなる電流阻止構造が形成され、メサストライプ２
２に効率良くキャリアが注入される。上記の成長工程
は、ＭＯＣＶＤ法或いはＭＢＥ法を用いても行うことが
できる。
びＬＰＥ装置によって全面に、ｐ型ＩnＰクラッド層９
及びｐ型ＩnＧaＡsＰコンタクト層１０を形成する。次
いで、積層構造の上面及び基板裏面に夫々ｐ電極１１及
びｎ電極１２を形成する（図１１）。このような構造に
より、メサストライプ２２以外の領域には、p-n-p-n接
合からなる電流阻止構造が形成され、メサストライプ２
２に効率良くキャリアが注入される。上記の成長工程
は、ＭＯＣＶＤ法或いはＭＢＥ法を用いても行うことが
できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＬＤ装置で
は、メサストライプ全体にキャリアが注入され、光利得
を持たないＭＦＣ領域にも電流が流れ込む。この電流は
リーク電流（無効電流）となって、レーザ装置の効率を
低下させる。一般に、ＬＤの共振器長、即ち活性領域長
は、数百μｍ程度であるが、ＭＦＣ領域の長さもほぼこ
れと同程度は必要である。このため、ＭＦＣ領域を流れ
る無効電流は無視できない大きさとなり、この形式のＬ
Ｄでは、ＭＦＣを備えることにより発振しきい値電流が
高くなって発光効率が低下し、特に、高温環境下での動
作特性が低下するという欠点があった。
は、メサストライプ全体にキャリアが注入され、光利得
を持たないＭＦＣ領域にも電流が流れ込む。この電流は
リーク電流（無効電流）となって、レーザ装置の効率を
低下させる。一般に、ＬＤの共振器長、即ち活性領域長
は、数百μｍ程度であるが、ＭＦＣ領域の長さもほぼこ
れと同程度は必要である。このため、ＭＦＣ領域を流れ
る無効電流は無視できない大きさとなり、この形式のＬ
Ｄでは、ＭＦＣを備えることにより発振しきい値電流が
高くなって発光効率が低下し、特に、高温環境下での動
作特性が低下するという欠点があった。
【０００７】上記に鑑み、本発明は、優れた電流狭窄構
造を有することにより、低しきい値で発振すると共に高
効率で作動し、特に、高温環境下での動作特性に優れた
光半導体装置及びその製造方法を提供することを目的と
する。
造を有することにより、低しきい値で発振すると共に高
効率で作動し、特に、高温環境下での動作特性に優れた
光半導体装置及びその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光半導体装置は、メサストライプを構成す
るレーザ活性層及び非活性導波路層が基板の主面に沿っ
て順次に形成された光半導体装置において、前記メサス
トライプの側面に形成される埋込み成長層が、前記非活
性導波路層の上面を覆い、該非活性導波路層を流れる電
流を阻止する電流阻止構造の一部を構成することを特徴
とする。
に、本発明の光半導体装置は、メサストライプを構成す
るレーザ活性層及び非活性導波路層が基板の主面に沿っ
て順次に形成された光半導体装置において、前記メサス
トライプの側面に形成される埋込み成長層が、前記非活
性導波路層の上面を覆い、該非活性導波路層を流れる電
流を阻止する電流阻止構造の一部を構成することを特徴
とする。
【０００９】更に本発明の光半導体装置の製造方法は、
レーザ活性層と非活性導波路層とが基板の主面に沿って
順次に形成される光半導体装置を製造する方法におい
て、少なくとも前記レーザ活性層及び非活性層導波路層
を含む半導体層を覆ってストライプ誘電体膜を形成する
工程と、該ストライプ誘電体膜をマスクとして前記レー
ザ活性層及び非活性導波路層を含む半導体層を選択的に
エッチングしてメサストライプを形成する工程と、前記
レーザ活性層上面のストライプ誘電体膜を残して非活性
導波路層上面のストライプ誘電体膜を除去する工程と、
該残されたストライプ誘電体膜上面以外の領域に選択的
に電流阻止層を成長形成する工程とを含むことを特徴と
する。
レーザ活性層と非活性導波路層とが基板の主面に沿って
順次に形成される光半導体装置を製造する方法におい
て、少なくとも前記レーザ活性層及び非活性層導波路層
を含む半導体層を覆ってストライプ誘電体膜を形成する
工程と、該ストライプ誘電体膜をマスクとして前記レー
ザ活性層及び非活性導波路層を含む半導体層を選択的に
エッチングしてメサストライプを形成する工程と、前記
レーザ活性層上面のストライプ誘電体膜を残して非活性
導波路層上面のストライプ誘電体膜を除去する工程と、
該残されたストライプ誘電体膜上面以外の領域に選択的
に電流阻止層を成長形成する工程とを含むことを特徴と
する。
【００１０】ここで、光半導体装置の基板は、面方位が
（１００）または（１００）の近傍にあるＩnＰまたは
ＧaＡsから成り、前記誘電体膜ストライプが＜０１１＞
方向に沿って形成され、前記電流阻止層が２種類の導電
型層から成るＩnＰまたはＡlＧaＡsまたはＩnＧaＰであ
ることが好ましい。
（１００）または（１００）の近傍にあるＩnＰまたは
ＧaＡsから成り、前記誘電体膜ストライプが＜０１１＞
方向に沿って形成され、前記電流阻止層が２種類の導電
型層から成るＩnＰまたはＡlＧaＡsまたはＩnＧaＰであ
ることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい光半導体装置
は、一般に、ＭＦＣ付きのレーザ装置として構成され、
メサストライプを構成する活性領域及びＭＦＣ領域を有
する。メサストライプのＭＦＣ領域では、一般にメサス
トライプ以外の部分に形成される電流狭窄層がＭＦＣ層
の上面を覆うため、メサストライプ以外の領域及びメサ
ストライプのＭＦＣ領域を流れる電流が阻止される。こ
のため、電極からの注入電流はメサストライプの活性領
域のみに流れ、ＭＦＣ領域には流れないので、レーザ発
光に寄与しない電流が低減される。
は、一般に、ＭＦＣ付きのレーザ装置として構成され、
メサストライプを構成する活性領域及びＭＦＣ領域を有
する。メサストライプのＭＦＣ領域では、一般にメサス
トライプ以外の部分に形成される電流狭窄層がＭＦＣ層
の上面を覆うため、メサストライプ以外の領域及びメサ
ストライプのＭＦＣ領域を流れる電流が阻止される。こ
のため、電極からの注入電流はメサストライプの活性領
域のみに流れ、ＭＦＣ領域には流れないので、レーザ発
光に寄与しない電流が低減される。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を更に説明す
る。図１〜図４は、本発明の一実施例の光半導体装置の
製造段階毎の断面を示している。まず、ｎ型ＩnＰ基板
１の主面を成す（１００）面上にｎ型ＩnＰバッファー
層２を形成し、その上面の活性領域２０側にはＭＱＷ活
性層３を、ＭＦＣ領域２１側にはＭＱＷ−ＭＦＣ層４を
夫々形成する。次いで、全体にｐ型ＩnＰクラッド層５
を形成する（図１）。
る。図１〜図４は、本発明の一実施例の光半導体装置の
製造段階毎の断面を示している。まず、ｎ型ＩnＰ基板
１の主面を成す（１００）面上にｎ型ＩnＰバッファー
層２を形成し、その上面の活性領域２０側にはＭＱＷ活
性層３を、ＭＦＣ領域２１側にはＭＱＷ−ＭＦＣ層４を
夫々形成する。次いで、全体にｐ型ＩnＰクラッド層５
を形成する（図１）。
【００１３】引き続き、上記ウエハ上にフォトリソグラ
フィー及びエッチングの手法を用いて＜０１１＞方向に
沿ったＳiＮx膜から成るストライプ誘電体膜（ストライ
プＳiＮx膜）６を形成する。更に、このストライプＳi
Ｎx膜６をマスクにしたエッチングを行ない、ｎ型ＩnＰ
バッファ層２の途中までをエッチングして、活性領域２
０及びＭＦＣ領域２１の双方にまたがったメサストライ
プ２２を形成する（図２）。ストライプＳiＮx膜６を＜
０１１＞方向に形成したことにより、図示のごとく、メ
サストライプ２２は、ストライプＳiＮx膜６から基板１
側に向かって末広がりとなる順メサ構造に形成される。
フィー及びエッチングの手法を用いて＜０１１＞方向に
沿ったＳiＮx膜から成るストライプ誘電体膜（ストライ
プＳiＮx膜）６を形成する。更に、このストライプＳi
Ｎx膜６をマスクにしたエッチングを行ない、ｎ型ＩnＰ
バッファ層２の途中までをエッチングして、活性領域２
０及びＭＦＣ領域２１の双方にまたがったメサストライ
プ２２を形成する（図２）。ストライプＳiＮx膜６を＜
０１１＞方向に形成したことにより、図示のごとく、メ
サストライプ２２は、ストライプＳiＮx膜６から基板１
側に向かって末広がりとなる順メサ構造に形成される。
【００１４】次いで、活性領域２０上のストライプＳi
Ｎx膜６をフォトレジスト膜で覆い、バッファード弗酸
液でエッチングを行なうことにより、ＭＦＣ領域２１上
のストライプＳiＮx膜６のみを除去する（図３）。次
に、このウエハーをＬＰＥ装置に導入し、ストライプＳ
iＮx膜６を選択成長マスクとしたエピタキシャル成長法
により、ｐ型ＩnＰ電流狭窄層７及びｎ型ＩnＰ電流狭窄
層８を、活性領域２０ではメサストライプ２２の両側部
分に、また、ＭＦＣ領域２１ではそれに加えてメサスト
ライプ２２の上面に夫々形成する（図４）。
Ｎx膜６をフォトレジスト膜で覆い、バッファード弗酸
液でエッチングを行なうことにより、ＭＦＣ領域２１上
のストライプＳiＮx膜６のみを除去する（図３）。次
に、このウエハーをＬＰＥ装置に導入し、ストライプＳ
iＮx膜６を選択成長マスクとしたエピタキシャル成長法
により、ｐ型ＩnＰ電流狭窄層７及びｎ型ＩnＰ電流狭窄
層８を、活性領域２０ではメサストライプ２２の両側部
分に、また、ＭＦＣ領域２１ではそれに加えてメサスト
ライプ２２の上面に夫々形成する（図４）。
【００１５】図５及び（ａ）及び（ｂ）は夫々、図４の
段階での断面構造を、図４のＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ’線
で示している。図５（ａ）に示すように、活性領域２０
では、電流狭窄層７及び８がメサストライプの両側部分
にこれを埋め込むように形成され、また、ＭＦＣ領域２
１では、電流狭窄層７及び８が、メサストライプ２２の
両側部分、及び、メサストライプ２２の上面を覆って形
成される。
段階での断面構造を、図４のＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ’線
で示している。図５（ａ）に示すように、活性領域２０
では、電流狭窄層７及び８がメサストライプの両側部分
にこれを埋め込むように形成され、また、ＭＦＣ領域２
１では、電流狭窄層７及び８が、メサストライプ２２の
両側部分、及び、メサストライプ２２の上面を覆って形
成される。
【００１６】次に、活性領域２０のストライプＳiＮx膜
６を除去し、ＬＰＥ法によるエピタキシャル成長によっ
て、ウエハの全面に、ｐ型ＩnＰクラッド層９及びｐ型
ＩnＧaＡsＰコンタクト層１０を順次に形成する。次い
で、積層構造の上面及び基板１の下面に夫々ｐ電極１１
及びｎ電極１２を形成し、図６に示した構造とする。同
図（ａ）及び（ｂ）は夫々、上記で形成されたレーザ装
置を、図５（ａ）及び（ｂ）と同様な断面位置で示して
いる。引き続き、ウエハを（０１１）面で劈開して、個
々のレーザ装置を得る。
６を除去し、ＬＰＥ法によるエピタキシャル成長によっ
て、ウエハの全面に、ｐ型ＩnＰクラッド層９及びｐ型
ＩnＧaＡsＰコンタクト層１０を順次に形成する。次い
で、積層構造の上面及び基板１の下面に夫々ｐ電極１１
及びｎ電極１２を形成し、図６に示した構造とする。同
図（ａ）及び（ｂ）は夫々、上記で形成されたレーザ装
置を、図５（ａ）及び（ｂ）と同様な断面位置で示して
いる。引き続き、ウエハを（０１１）面で劈開して、個
々のレーザ装置を得る。
【００１７】図６（ａ）において、電極１１及び１２間
に順方向電圧を印加すると、メサストライプの活性層３
の部分には順方向の電流が流れ発光再結合が生じる。し
かし、同図（ｂ）から明らかなように、メサストライプ
２２のＭＦＣ領域２１及びメサストライプ２０以外の部
分には、ｐ型ＩnＰクラッド層９、ｎ型電流狭窄層８、
ｐ型電流狭窄層７（ＭＦＣ部分ではこれに加えてｐ型ク
ラッド層５）、及び、ｎ型バッファ層２から成るp-n-p-
n接合が形成され、このp-n-p-n接合のターンオン電圧以
下では電流は殆ど流れない。このため、電極１１及び１
２から注入された電流は、その殆どが活性層３内を流
れ、レーザ発光に有効に利用される。
に順方向電圧を印加すると、メサストライプの活性層３
の部分には順方向の電流が流れ発光再結合が生じる。し
かし、同図（ｂ）から明らかなように、メサストライプ
２２のＭＦＣ領域２１及びメサストライプ２０以外の部
分には、ｐ型ＩnＰクラッド層９、ｎ型電流狭窄層８、
ｐ型電流狭窄層７（ＭＦＣ部分ではこれに加えてｐ型ク
ラッド層５）、及び、ｎ型バッファ層２から成るp-n-p-
n接合が形成され、このp-n-p-n接合のターンオン電圧以
下では電流は殆ど流れない。このため、電極１１及び１
２から注入された電流は、その殆どが活性層３内を流
れ、レーザ発光に有効に利用される。
【００１８】以上のように、本実施例の構造では、メサ
ストライプ以外の領域だけでなく、メサストライプのＭ
ＦＣ領域の上部にも電流阻止層７、８が形成されるた
め、活性領域２０以外に流れるリーク電流を最小限に抑
えることが出来る。これにより、低しきい値及び高効率
で、高温動作特性にも優れた半導体レーザ素子が得られ
る。ここで、上記実施例の製造工程では、従来の工程に
比べて、ＭＦＣ領域のストライプＳiＮx膜６除去のため
のフォトリソグラフィー及びエッチング工程が夫々１工
程ずつ増えるだけであり、工程的にも簡素である。
ストライプ以外の領域だけでなく、メサストライプのＭ
ＦＣ領域の上部にも電流阻止層７、８が形成されるた
め、活性領域２０以外に流れるリーク電流を最小限に抑
えることが出来る。これにより、低しきい値及び高効率
で、高温動作特性にも優れた半導体レーザ素子が得られ
る。ここで、上記実施例の製造工程では、従来の工程に
比べて、ＭＦＣ領域のストライプＳiＮx膜６除去のため
のフォトリソグラフィー及びエッチング工程が夫々１工
程ずつ増えるだけであり、工程的にも簡素である。
【００１９】上記各半導体層の成長は、ＭＯＣＶＤ法や
ＭＢＥ法を用いても行うことができる。また、上記実施
例では、ストライプＳiＮx膜６のＭＦＣ領域２１側の端
部２３がストライプ方向と直交するようにエッチングさ
れた例を示した（図３）。これを図７（ａ）に抜き出し
て平面図で示した。しかし、ストライプＳiＮx膜６のパ
ターニングでは、図７（ｂ）及び（ｃ）に示したよう
に、そのＭＦＣ側の端部２４、２５がストライプ方向に
対して斜め形状になるように、パターニングすることが
出来る。
ＭＢＥ法を用いても行うことができる。また、上記実施
例では、ストライプＳiＮx膜６のＭＦＣ領域２１側の端
部２３がストライプ方向と直交するようにエッチングさ
れた例を示した（図３）。これを図７（ａ）に抜き出し
て平面図で示した。しかし、ストライプＳiＮx膜６のパ
ターニングでは、図７（ｂ）及び（ｃ）に示したよう
に、そのＭＦＣ側の端部２４、２５がストライプ方向に
対して斜め形状になるように、パターニングすることが
出来る。
【００２０】ここで、図７（ａ）に示す例では、図４に
示したように、ＭＦＣ上部の電流狭窄層７及び８の活性
領域２０側の成長端面２６が逆メサ形状になる。即ち、
活性領域２０側にオーバーハングした傾斜の端面２６が
形成される。ストライプＳiＮx膜６の端部が、図７
（ｂ）または（ｃ）に示すように、ストライプ方向に対
して斜めになるように、ＳiＮx膜をパターニングすれ
ば、電流狭窄層７及び８の活性領域２０側の成長端面が
順メサ形状に形成される。
示したように、ＭＦＣ上部の電流狭窄層７及び８の活性
領域２０側の成長端面２６が逆メサ形状になる。即ち、
活性領域２０側にオーバーハングした傾斜の端面２６が
形成される。ストライプＳiＮx膜６の端部が、図７
（ｂ）または（ｃ）に示すように、ストライプ方向に対
して斜めになるように、ＳiＮx膜をパターニングすれ
ば、電流狭窄層７及び８の活性領域２０側の成長端面が
順メサ形状に形成される。
【００２１】電流狭窄層７及び８の成長端面が順メサ構
造または逆メサ構造の何れになるかは、その成長端面が
結晶構造上で何れの方向を向くかで定まり、一般に、＜
０１１＞方向と直交方向を成す端面は逆メサ構造にな
る。このため、図７（ｂ）及び（ｃ）に示すような、ス
トライプＳiＮx膜６の端部２４、２５の傾斜形状が好ま
しい。ここで、成長法として特にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ
法を採用する場合には、逆メサ構造の部分で再成長を行
うと異常成長を起こす場合があり、これは順メサ構造で
は起こり難い。従って、特にこれらの成長方法を採用す
る場合には、斜め形状のパターニングのメリットは大き
い。このようにＳiＮx膜６を斜めにパターニングするこ
とは、フォトリソグラフィーのマスクパターンを変える
ことで容易に行うことが出来る。
造または逆メサ構造の何れになるかは、その成長端面が
結晶構造上で何れの方向を向くかで定まり、一般に、＜
０１１＞方向と直交方向を成す端面は逆メサ構造にな
る。このため、図７（ｂ）及び（ｃ）に示すような、ス
トライプＳiＮx膜６の端部２４、２５の傾斜形状が好ま
しい。ここで、成長法として特にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ
法を採用する場合には、逆メサ構造の部分で再成長を行
うと異常成長を起こす場合があり、これは順メサ構造で
は起こり難い。従って、特にこれらの成長方法を採用す
る場合には、斜め形状のパターニングのメリットは大き
い。このようにＳiＮx膜６を斜めにパターニングするこ
とは、フォトリソグラフィーのマスクパターンを変える
ことで容易に行うことが出来る。
【００２２】以上、本発明をその好適な実施例に基づい
て説明したが、本発明の光半導体装置は、上記実施例の
構成にのみ限定されるものではなく、上記実施例の構成
から種々の修正及び変更を施したものも本発明の範囲に
含まれる。
て説明したが、本発明の光半導体装置は、上記実施例の
構成にのみ限定されるものではなく、上記実施例の構成
から種々の修正及び変更を施したものも本発明の範囲に
含まれる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光半導体
装置及び本発明方法により得られた光半導体装置では、
レーザ活性層以外のメサストライプに流れる電流が電流
狭窄層により抑えられるので、本発明は、その製造工程
数を大幅に増加させることなく、低しきい値かつ高性能
で、高温動作特性にも優れたＬＤ装置を提供した顕著な
効果を奏する。
装置及び本発明方法により得られた光半導体装置では、
レーザ活性層以外のメサストライプに流れる電流が電流
狭窄層により抑えられるので、本発明は、その製造工程
数を大幅に増加させることなく、低しきい値かつ高性能
で、高温動作特性にも優れたＬＤ装置を提供した顕著な
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の光半導体装置の一製造工程
段階での斜視図。
段階での斜視図。
【図２】図１の一実施例の光半導体装置の一製造工程段
階での斜視図。
階での斜視図。
【図３】図１の一実施例の光半導体装置の一製造工程段
階での斜視図。
階での斜視図。
【図４】図１の一実施例の光半導体装置の一製造工程段
階での斜視図。
階での斜視図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は夫々、図４のＡ−Ａ’及び
Ｂ−Ｂ’断面図。
Ｂ−Ｂ’断面図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は夫々、図１の実施例の光半
導体装置の最終工程段階における、図５（ａ）及び
（ｂ）と同様な位置での断面図。
導体装置の最終工程段階における、図５（ａ）及び
（ｂ）と同様な位置での断面図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は夫々、各実施例に対応してス
トライプＳiＮx膜の端面形状を示す平面図。
トライプＳiＮx膜の端面形状を示す平面図。
【図８】従来の光半導体装置の一製造工程段階での斜視
図。
図。
【図９】図８の光半導体装置の一製造工程段階の斜視
図。
図。
【図１０】図８の光半導体装置の一製造工程段階の斜視
図。
図。
【図１１】図８の光半導体装置の一製造工程段階の斜視
図。
図。
１ ｎ−ＩnＰ基板 ２ ｎ−ＩnＰバッファ層 ３ ＭＱＷ活性層 ４ ＭＱＷ−ＭＦＣ層（非活性導波路層） ５ ｐ−ＩnＰクラッド層 ６ 誘電体膜 ７ ｐ−ＩnＰ電流狭窄層 ８ ｎ−ＩnＰ電流狭窄層 ９ ｐ−ＩnＰクラッド層 １０ ｐ−ＩnＧaＡsＰコンタクト層 １１、１２ 電極 ２０ 活性領域 ２１ ＭＦＣ領域 ２２ メサストライプ ２３、２４、２５ ストライプＳiＮx膜の端部 ２６ 電流狭窄層の成長端面
Claims (3)
- 【請求項１】 メサストライプを構成するレーザ活性層
及び非活性導波路層が基板の主面に沿って順次に形成さ
れた光半導体装置において、 前記メサストライプの側面に形成される埋込み成長層
が、前記非活性導波路層の上面を覆い、該非活性導波路
層を流れる電流を阻止する電流阻止構造の一部を構成す
ることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 レーザ活性層と非活性導波路層とが基板
の主面に沿って順次に形成される光半導体装置を製造す
る方法において、 少なくとも前記レーザ活性層及び非活性層導波路層を含
む半導体層を覆ってストライプ誘電体膜を形成する工程
と、該ストライプ誘電体膜をマスクとして前記レーザ活
性層及び非活性導波路層を含む半導体層を選択的にエッ
チングしてメサストライプを形成する工程と、前記レー
ザ活性層上面のストライプ誘電体膜を残して非活性導波
路層上面のストライプ誘電体膜を除去する工程と、該残
されたストライプ誘電体膜上面以外の領域に選択的に電
流阻止層を成長形成する工程とを含むことを特徴とする
光半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板は、面方位が（１００）または
（１００）の近傍にあるＩnＰまたはＧaＡsから成り、
前記誘電体膜ストライプが＜０１１＞方向に沿って形成
され、前記電流阻止層が２種類の導電型層から成るＩn
ＰまたはＡlＧaＡsまたはＩnＧaＰであることを特徴と
する請求項２に記載の光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3441496A JPH09214026A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 光半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3441496A JPH09214026A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 光半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214026A true JPH09214026A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12413547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3441496A Pending JPH09214026A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 光半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09214026A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020038905A (ja) * | 2018-09-04 | 2020-03-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 |
-
1996
- 1996-01-29 JP JP3441496A patent/JPH09214026A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020038905A (ja) * | 2018-09-04 | 2020-03-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A072 | Dismissal of procedure |
Effective date: 20040316 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20041026 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041125 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050421 |