JPH09213617A - 半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方法Info
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- JPH09213617A JPH09213617A JP3736796A JP3736796A JPH09213617A JP H09213617 A JPH09213617 A JP H09213617A JP 3736796 A JP3736796 A JP 3736796A JP 3736796 A JP3736796 A JP 3736796A JP H09213617 A JPH09213617 A JP H09213617A
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- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、作業工程数を増やすことなく基板に
悪影響を与えずに、基板表面に残存している有機化合物
を容易に除去する。 【解決手段】本発明は、配線材料を用いて成膜加工した
基板が処理室内に配置され、当該処理室内で上記基板表
面の有機化合物をアミン系の有機系剥離剤により酸化反
応させて炭酸ガス又は水蒸気として剥離除去された基板
を純水で洗浄した後、基板表面に除去しきれずに残存し
ている有機化合物と化学反応する反応ガスを基板に供給
し、化学反応させて当該有機化合物を除去する。
悪影響を与えずに、基板表面に残存している有機化合物
を容易に除去する。 【解決手段】本発明は、配線材料を用いて成膜加工した
基板が処理室内に配置され、当該処理室内で上記基板表
面の有機化合物をアミン系の有機系剥離剤により酸化反
応させて炭酸ガス又は水蒸気として剥離除去された基板
を純水で洗浄した後、基板表面に除去しきれずに残存し
ている有機化合物と化学反応する反応ガスを基板に供給
し、化学反応させて当該有機化合物を除去する。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 発明の実施の形態（図１） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置及
び半導体製造装置の洗浄方法に関し、例えば成膜工程後
の基板表面に付着している有機化合物を除去する際に用
いられる半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方法
に適用して好適なものである。
び半導体製造装置の洗浄方法に関し、例えば成膜工程後
の基板表面に付着している有機化合物を除去する際に用
いられる半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方法
に適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、半導体製造装置における製造過程
においては、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）等の配
線材料を用いてＣＶＤ(chemical vapor deposition) 法
等の成膜法によつて基板上に導体パターンを成膜してい
る。この種の半導体製造装置では、ＡｌやＣｕで成膜し
た後、導体パターンをレジストでマスクし、導体パター
ン以外の部分をエツチングすることにより導体パターン
だけを残すようにしている。
においては、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）等の配
線材料を用いてＣＶＤ(chemical vapor deposition) 法
等の成膜法によつて基板上に導体パターンを成膜してい
る。この種の半導体製造装置では、ＡｌやＣｕで成膜し
た後、導体パターンをレジストでマスクし、導体パター
ン以外の部分をエツチングすることにより導体パターン
だけを残すようにしている。
【０００４】そして半導体製造装置は、エツチング後に
導体パターンをマスクしたレジスト（有機化合物）をア
ミン系の液体でなる有機系剥離剤で酸化し、炭酸ガス又
は水蒸気として剥離することにより、基板表面から有機
化合物を除去するようにしている。ところが、この基板
表面上には、有機化合物が除去しきれずに残存してしま
つている。
導体パターンをマスクしたレジスト（有機化合物）をア
ミン系の液体でなる有機系剥離剤で酸化し、炭酸ガス又
は水蒸気として剥離することにより、基板表面から有機
化合物を除去するようにしている。ところが、この基板
表面上には、有機化合物が除去しきれずに残存してしま
つている。
【０００５】このため半導体製造装置では、アミン系の
液体でなる有機系剥離剤による有機化合物の除去処理後
にアツシング装置にて、Ｏ2 （酸素）を反応ガスとして
用いたプラズマアツシング処理を施している。ところ
が、まだ基板表面上には有機化合物が残存しており、さ
らに別に設けられた装置にてＯ2 又はＮ2 （窒素）を反
応ガスとして用いたプラズマアツシング処理を施すこと
により、基板表面上に残存していた有機化合物をほぼ完
全に除去するようにしている。
液体でなる有機系剥離剤による有機化合物の除去処理後
にアツシング装置にて、Ｏ2 （酸素）を反応ガスとして
用いたプラズマアツシング処理を施している。ところ
が、まだ基板表面上には有機化合物が残存しており、さ
らに別に設けられた装置にてＯ2 又はＮ2 （窒素）を反
応ガスとして用いたプラズマアツシング処理を施すこと
により、基板表面上に残存していた有機化合物をほぼ完
全に除去するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
半導体製造装置においては、有機系剥離剤による有機化
合物の除去処理だけでは、基板表面上の有機化合物を完
全に除去しきれないので、後工程での例えばＯ3 （オゾ
ン）とＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Si(OC2H5)4）
を用いたSiO2膜（シリコン酸化膜）の成膜時に下地依存
性を発生させてしまうという問題があつた。
半導体製造装置においては、有機系剥離剤による有機化
合物の除去処理だけでは、基板表面上の有機化合物を完
全に除去しきれないので、後工程での例えばＯ3 （オゾ
ン）とＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Si(OC2H5)4）
を用いたSiO2膜（シリコン酸化膜）の成膜時に下地依存
性を発生させてしまうという問題があつた。
【０００７】また半導体製造装置では、有機系剥離剤に
よる有機化合物の除去処理後に、アツシング装置にてＯ
2 を反応ガスとして用いたプラズマアツシング処理を施
していることにより作業工程数が増えると共に、プラズ
マアツシング処理により高いエネルギーを基板に与える
ことでＩＣ自体の特性を劣化させるという問題があつ
た。
よる有機化合物の除去処理後に、アツシング装置にてＯ
2 を反応ガスとして用いたプラズマアツシング処理を施
していることにより作業工程数が増えると共に、プラズ
マアツシング処理により高いエネルギーを基板に与える
ことでＩＣ自体の特性を劣化させるという問題があつ
た。
【０００８】また半導体製造装置では、さらに別に設け
られた装置にてＯ2 又はＮ2 を反応ガスとして用いたプ
ラズマアツシング処理を施していることにより、さらに
作業工程数が増えると共に、プラズマアツシング処理に
よるＩＣ自体の特性をさらに劣化させるという問題があ
つた。
られた装置にてＯ2 又はＮ2 を反応ガスとして用いたプ
ラズマアツシング処理を施していることにより、さらに
作業工程数が増えると共に、プラズマアツシング処理に
よるＩＣ自体の特性をさらに劣化させるという問題があ
つた。
【０００９】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、作業工程数を増やすことなく基板に悪影響を与えず
に、基板表面に残存している有機化合物を容易に除去し
得る半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方法を提
案しようとするものである。
で、作業工程数を増やすことなく基板に悪影響を与えず
に、基板表面に残存している有機化合物を容易に除去し
得る半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方法を提
案しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、配線材料を用いて成膜加工した基
板が配置され、当該基板表面の有機化合物をアミン系の
有機系剥離剤により酸化反応させて炭酸ガス又は水蒸気
として剥離除去する処理室と、アミン系の有機系剥離剤
を処理室内に供給する薬液供給手段と、基板表面を洗浄
する純水を処理室内に供給する純水供給手段と、基板表
面の有機化合物と化学反応させて当該有機化合物を除去
する反応ガスを処理室内に供給するガス供給手段と、薬
液供給手段、純水供給手段及びガス供給手段が上記処理
室内に供給する流量及びタイミングを制御する制御手段
とを設ける。
め本発明においては、配線材料を用いて成膜加工した基
板が配置され、当該基板表面の有機化合物をアミン系の
有機系剥離剤により酸化反応させて炭酸ガス又は水蒸気
として剥離除去する処理室と、アミン系の有機系剥離剤
を処理室内に供給する薬液供給手段と、基板表面を洗浄
する純水を処理室内に供給する純水供給手段と、基板表
面の有機化合物と化学反応させて当該有機化合物を除去
する反応ガスを処理室内に供給するガス供給手段と、薬
液供給手段、純水供給手段及びガス供給手段が上記処理
室内に供給する流量及びタイミングを制御する制御手段
とを設ける。
【００１１】配線材料を用いて成膜加工した基板が処理
室内に配置され、当該処理室内で上記基板表面の有機化
合物をアミン系の有機系剥離剤により酸化反応させて炭
酸ガス又は水蒸気として剥離除去された基板を純水で洗
浄した後、基板表面に除去しきれずに残存している有機
化合物と化学反応する反応ガスを基板に供給し、化学反
応により有機化合物を除去することができる。
室内に配置され、当該処理室内で上記基板表面の有機化
合物をアミン系の有機系剥離剤により酸化反応させて炭
酸ガス又は水蒸気として剥離除去された基板を純水で洗
浄した後、基板表面に除去しきれずに残存している有機
化合物と化学反応する反応ガスを基板に供給し、化学反
応により有機化合物を除去することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１３】図１においては、本発明による半導体製造
装置１の全体構成を示す。この半導体製造装置１は、Ａ
ｌやＣｕにより成膜した基板（以下、これをウエハと呼
ぶ）２の表面に残存している有機化合物を除去して洗浄
する処理室３が設けられた洗浄部４、この洗浄部４の処
理室３でウエハ２の有機化合物と酸化反応させて剥離除
去するアミン系の液体でなる有機系剥離剤を供給管５を
介して供給する薬液供給部６、処理室３に供給管７を介
して純水を供給する純水供給部８、オゾンジエネレータ
９によりＯ2 （酸素）から生成した反応ガスとしてのＯ
3 （オゾン）を供給管１０を介して処理室３に供給する
ガス供給部１１、薬液供給部６、純水供給部８及びガス
供給部１１が処理室３に供給する流量及びタイミングを
制御する制御部１２、洗浄に使用した使用済薬液を薬液
供給部６に回収するための回収管１３、回収された使用
済薬液を再利用するために回収管１３に設けられた薬液
フイルタ１４から構成されている。
装置１の全体構成を示す。この半導体製造装置１は、Ａ
ｌやＣｕにより成膜した基板（以下、これをウエハと呼
ぶ）２の表面に残存している有機化合物を除去して洗浄
する処理室３が設けられた洗浄部４、この洗浄部４の処
理室３でウエハ２の有機化合物と酸化反応させて剥離除
去するアミン系の液体でなる有機系剥離剤を供給管５を
介して供給する薬液供給部６、処理室３に供給管７を介
して純水を供給する純水供給部８、オゾンジエネレータ
９によりＯ2 （酸素）から生成した反応ガスとしてのＯ
3 （オゾン）を供給管１０を介して処理室３に供給する
ガス供給部１１、薬液供給部６、純水供給部８及びガス
供給部１１が処理室３に供給する流量及びタイミングを
制御する制御部１２、洗浄に使用した使用済薬液を薬液
供給部６に回収するための回収管１３、回収された使用
済薬液を再利用するために回収管１３に設けられた薬液
フイルタ１４から構成されている。
【００１４】また半導体製造装置１は、薬液供給部６、
純水供給部８及びガス供給部１１から供給される有機系
剥離剤、純水、Ｏ3 を各供給管５、７及び１０の先端部
に設けられた各ノズル１５を介して処理室３内のウエハ
２に噴射するようになされている。また処理室３には、
カセツト取付金具１６の固定された回転板１７が設けら
れている。半導体製造装置１では、奥行き方向にウエハ
２が複数収納されたカセツト１８をカセツト取付金具１
６に取り付け、矢印に示す方向（時計回り）に回転板１
７を回転させるようになされている。
純水供給部８及びガス供給部１１から供給される有機系
剥離剤、純水、Ｏ3 を各供給管５、７及び１０の先端部
に設けられた各ノズル１５を介して処理室３内のウエハ
２に噴射するようになされている。また処理室３には、
カセツト取付金具１６の固定された回転板１７が設けら
れている。半導体製造装置１では、奥行き方向にウエハ
２が複数収納されたカセツト１８をカセツト取付金具１
６に取り付け、矢印に示す方向（時計回り）に回転板１
７を回転させるようになされている。
【００１５】ここでカセツト１８は、上下方向に口が空
いた形状に形成されており、複数のウエハ２が奥行き方
向に並べて収納されている。このカセツト１８に収納さ
れているウエハ２は、回転板１７が回転した場合におい
ても遠心力によりカセツト１８から落ちないようになさ
れている。従つて、半導体製造装置１では回転板１７を
回転させながらウエハ２の表面全面に亘つて有機系剥離
剤、純水、Ｏ3 を制御部１２の制御によるタイミングで
噴射する。
いた形状に形成されており、複数のウエハ２が奥行き方
向に並べて収納されている。このカセツト１８に収納さ
れているウエハ２は、回転板１７が回転した場合におい
ても遠心力によりカセツト１８から落ちないようになさ
れている。従つて、半導体製造装置１では回転板１７を
回転させながらウエハ２の表面全面に亘つて有機系剥離
剤、純水、Ｏ3 を制御部１２の制御によるタイミングで
噴射する。
【００１６】以上の構成において、半導体製造装置１で
は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料を用いて成膜した後のウエ
ハ２をカセツト１８に複数収納し、このカセツト１８を
カセツト取付金具１６に取り付ける。そして半導体製造
装置１は、有機系剥離剤であるアミン系の薬液を制御部
１２の制御により薬液供給部６で流量調整しながら供給
管５、ノズル１５を介して処理室３内で回転中のウエハ
２の表面に噴射して酸化反応させることにより有機化合
物を除去する。次に半導体製造装置１は、純水を制御部
１２の制御により純水供給部８で流量調整しながら供給
管７、ノズル１５を介して処理室３内で回転中のウエハ
２の表面に噴射して表面を洗浄する。
は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料を用いて成膜した後のウエ
ハ２をカセツト１８に複数収納し、このカセツト１８を
カセツト取付金具１６に取り付ける。そして半導体製造
装置１は、有機系剥離剤であるアミン系の薬液を制御部
１２の制御により薬液供給部６で流量調整しながら供給
管５、ノズル１５を介して処理室３内で回転中のウエハ
２の表面に噴射して酸化反応させることにより有機化合
物を除去する。次に半導体製造装置１は、純水を制御部
１２の制御により純水供給部８で流量調整しながら供給
管７、ノズル１５を介して処理室３内で回転中のウエハ
２の表面に噴射して表面を洗浄する。
【００１７】次に、半導体製造装置１では、純水により
ウエハ２の表面を洗浄した後、オゾンジエネレータ９か
ら供給されるＯ3 を制御部１２の制御によりガス供給部
１１で流量調整して供給管１０、ノズル１５を介して処
理室３内に噴射する。これにより半導体製造装置１で
は、ウエハ２の表面に残存している有機化合物とＯ3 を
化学反応させ、CO2(二酸化炭素) に変化させて除去す
る。ちなみにＯ3 は、カーボン等の有機化合物と反応性
が良く、Ｏ2 は有機化合物と反応性が良くない。
ウエハ２の表面を洗浄した後、オゾンジエネレータ９か
ら供給されるＯ3 を制御部１２の制御によりガス供給部
１１で流量調整して供給管１０、ノズル１５を介して処
理室３内に噴射する。これにより半導体製造装置１で
は、ウエハ２の表面に残存している有機化合物とＯ3 を
化学反応させ、CO2(二酸化炭素) に変化させて除去す
る。ちなみにＯ3 は、カーボン等の有機化合物と反応性
が良く、Ｏ2 は有機化合物と反応性が良くない。
【００１８】最後に半導体製造装置１では、Ｏ3 により
有機化合物を除去処理した後に、使用済のアミン系の薬
液を回収管１３で回収し、回収された使用済薬液を薬液
フイルタ１４を介して再利用するために薬液供給部６に
戻して次の処理に備える。
有機化合物を除去処理した後に、使用済のアミン系の薬
液を回収管１３で回収し、回収された使用済薬液を薬液
フイルタ１４を介して再利用するために薬液供給部６に
戻して次の処理に備える。
【００１９】以上の構成によれば、半導体製造装置１で
は、同一装置内でＯ3 を反応ガスとして用いて化学反応
によつて有機化合物を除去するようにしたことにより、
作業工程数を減らすことができ、アツシング装置にて行
われていたプラズマアツシング処理によるウエハ２自体
の劣化を防止することができる。
は、同一装置内でＯ3 を反応ガスとして用いて化学反応
によつて有機化合物を除去するようにしたことにより、
作業工程数を減らすことができ、アツシング装置にて行
われていたプラズマアツシング処理によるウエハ２自体
の劣化を防止することができる。
【００２０】また半導体製造装置１では、同一装置内で
Ｏ3 を用いて有機化合物を完全に除去するようにしたこ
とにより、後工程でのＯ3 とＴＥＯＳを用いたSiO2膜の
成膜時に発生していた下地依存性を抑制することができ
る。
Ｏ3 を用いて有機化合物を完全に除去するようにしたこ
とにより、後工程でのＯ3 とＴＥＯＳを用いたSiO2膜の
成膜時に発生していた下地依存性を抑制することができ
る。
【００２１】なお上述の実施例においては、Ｏ3 を単独
でウエハ２に噴射して化学反応させるようにした場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、有機系剥離剤
としてのアミン系の薬液とＯ3 とを同時に供給し、薬液
とＯ3 とを混合してウエハ２に噴射して化学反応させる
ようにしても良い。この場合にも、上述の実施例と同様
の効果を得ることができる。
でウエハ２に噴射して化学反応させるようにした場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、有機系剥離剤
としてのアミン系の薬液とＯ3 とを同時に供給し、薬液
とＯ3 とを混合してウエハ２に噴射して化学反応させる
ようにしても良い。この場合にも、上述の実施例と同様
の効果を得ることができる。
【００２２】また上述の実施例においては、Ｏ3 を単独
でウエハ２に噴射して化学反応させるようにした場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、純水とＯ3 と
を同時に供給し、純水とＯ3 とを混合してウエハ２に噴
射して化学反応させるようにしても良い。この場合に
も、上述の実施例と同様の効果を得ることができる。
でウエハ２に噴射して化学反応させるようにした場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、純水とＯ3 と
を同時に供給し、純水とＯ3 とを混合してウエハ２に噴
射して化学反応させるようにしても良い。この場合に
も、上述の実施例と同様の効果を得ることができる。
【００２３】さらに上述の実施例においては、複数のウ
エハ２を同時に処理するようにしたバツチ式の半導体製
造装置１について述べたが、本発明はこれに限らず、ウ
エハ２を１枚ずつ処理する枚葉式の半導体製造装置や、
ウエハ２をコンベアで搬送して連続して処理する連続式
の半導体製造装置に用いるようにしても良い。
エハ２を同時に処理するようにしたバツチ式の半導体製
造装置１について述べたが、本発明はこれに限らず、ウ
エハ２を１枚ずつ処理する枚葉式の半導体製造装置や、
ウエハ２をコンベアで搬送して連続して処理する連続式
の半導体製造装置に用いるようにしても良い。
【００２４】さらに上述の実施例においては、有機化合
物と化学反応させる反応ガスとしてＯ3 を用いるように
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、カ
ーボンと反応し易く有機化合物を除去できるものであれ
ば、他の種々の反応ガスを用いるようにしても良い。
物と化学反応させる反応ガスとしてＯ3 を用いるように
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、カ
ーボンと反応し易く有機化合物を除去できるものであれ
ば、他の種々の反応ガスを用いるようにしても良い。
【００２５】さらに上述の実施例においては、回転板１
７によりウエハ２を回転させるようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、他の噴射方法により
ウエハ２の表面全面に亘つて噴射できれば回転させなく
ても良い。
７によりウエハ２を回転させるようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、他の噴射方法により
ウエハ２の表面全面に亘つて噴射できれば回転させなく
ても良い。
【００２６】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、配線材料
を用いて成膜加工した基板が処理室内に配置され、当該
処理室内で上記基板表面の有機化合物をアミン系の有機
系剥離剤により酸化反応させて炭酸ガス又は水蒸気とし
て剥離除去された基板を純水で洗浄した後、基板表面に
除去しきれずに残存している有機化合物と化学反応する
反応ガスを基板に供給し、化学反応により有機化合物を
除去し得る半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方
法を実現できる。
を用いて成膜加工した基板が処理室内に配置され、当該
処理室内で上記基板表面の有機化合物をアミン系の有機
系剥離剤により酸化反応させて炭酸ガス又は水蒸気とし
て剥離除去された基板を純水で洗浄した後、基板表面に
除去しきれずに残存している有機化合物と化学反応する
反応ガスを基板に供給し、化学反応により有機化合物を
除去し得る半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方
法を実現できる。
【図１】本発明の一実施例による半導体製造装置の構成
を示す略線図である。
を示す略線図である。
１……半導体製造装置、２……ウエハ、３……処理室、
４……洗浄部、５、７、１０……供給管、６……薬液供
給部、８……純水供給部、９……オゾンジエネレータ、
１１……ガス供給部、１２……制御部、１３……回収
管、１４……薬液フイルタ、１５……ノズル、１６……
カセツト固定金具、１７……回転板、１８……カセツ
ト。
４……洗浄部、５、７、１０……供給管、６……薬液供
給部、８……純水供給部、９……オゾンジエネレータ、
１１……ガス供給部、１２……制御部、１３……回収
管、１４……薬液フイルタ、１５……ノズル、１６……
カセツト固定金具、１７……回転板、１８……カセツ
ト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｂ
Claims (14)
- 【請求項１】配線材料を用いて成膜加工した基板が配置
され、当該基板表面の有機化合物をアミン系の有機系剥
離剤により酸化反応させて炭酸ガス又は水蒸気として剥
離除去する処理室と、 上記アミン系の有機系剥離剤を上記処理室内に供給する
薬液供給手段と、 上記基板表面を洗浄する純水を上記処理室内に供給する
純水供給手段と、 上記基板表面の上記有機化合物と化学反応させて当該有
機化合物を除去する反応ガスを上記処理室内に供給する
ガス供給手段と、 上記薬液供給手段、上記純水供給手段及び上記ガス供給
手段が上記処理室内に供給する流量及びタイミングを制
御する制御手段とを具えることを特徴とする半導体製造
装置。 - 【請求項２】上記反応ガスは、オゾンでなることを特徴
とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】上記制御手段は、上記薬液供給手段から供
給する上記アミン系の有機系剥離剤と上記ガス供給手段
から供給する上記反応ガスとを同時に上記処理室内に供
給することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項４】上記反応ガスは、オゾンでなることを特徴
とする請求項３に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】上記制御手段は、上記純水供給手段から供
給する上記純水と上記ガス供給手段から供給する上記反
応ガスとを同時に上記処理室内に供給することを特徴と
する請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】上記反応ガスは、オゾンでなることを特徴
とする請求項５に記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】上記制御手段は、上記ガス供給手段から供
給する上記反応ガスだけを上記処理室内に供給すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項８】上記反応ガスは、オゾンでなることを特徴
とする請求項７に記載の半導体製造装置。 - 【請求項９】配線材料を用いて成膜加工した基板が処理
室内に配置され、当該処理室内で上記基板表面の有機化
合物をアミン系の有機系剥離剤により酸化反応させて炭
酸ガス又は水蒸気として剥離除去する半導体製造装置の
洗浄方法において、 上記アミン系の有機系剥離剤により上記有機化合物が剥
離除去された上記基板を純水で洗浄した後、上記基板表
面に除去しきれずに残存している上記有機化合物と化学
反応する反応ガスを上記基板に供給し、化学反応により
上記有機化合物を除去することを特徴とする半導体製造
装置の洗浄方法。 - 【請求項１０】上記反応ガスは、オゾンでなることを特
徴とする請求項９に記載の半導体製造装置の洗浄方法。 - 【請求項１１】配線材料を用いて成膜加工した基板が処
理室内に配置され、当該処理室内で上記基板表面の有機
化合物をアミン系の有機系剥離剤により酸化反応させて
炭酸ガス又は水蒸気として剥離除去する半導体製造装置
の洗浄方法において、 上記基板表面に除去しきれずに残存している上記有機化
合物と化学反応する反応ガスと上記アミン系の有機系剥
離剤とを混合してなる混合ガスを上記処理室内に供給
し、化学反応により上記有機化合物を除去することを特
徴とする半導体製造装置の洗浄方法。 - 【請求項１２】上記反応ガスは、オゾンでなることを特
徴とする請求項１１に記載の半導体製造装置の洗浄方
法。 - 【請求項１３】配線材料を用いて成膜加工した基板が処
理室内に配置され、当該処理室内で上記基板表面の有機
化合物をアミン系の有機系剥離剤により酸化反応させて
炭酸ガス又は水蒸気として剥離除去する半導体製造装置
の洗浄方法において、 上記基板表面に除去しきれずに残存している上記有機化
合物と化学反応する反応ガスと上記基板表面を洗浄する
純水とを混合してなる混合ガスを上記処理室内に供給
し、化学反応により上記有機化合物を除去することを特
徴とする半導体製造装置の洗浄方法。 - 【請求項１４】上記反応ガスは、オゾンでなることを特
徴とする請求項１３に記載の半導体製造装置の洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3736796A JPH09213617A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3736796A JPH09213617A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213617A true JPH09213617A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12495564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3736796A Pending JPH09213617A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213617A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000030164A1 (fr) * | 1998-11-12 | 2000-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede d'elimination d'un film de photoresine |
| JP2000286220A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR20010066610A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 황인길 | 습식공정장치의 오존점검장치 |
| US6715944B2 (en) | 1998-11-12 | 2004-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for removing photoresist film |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP3736796A patent/JPH09213617A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000030164A1 (fr) * | 1998-11-12 | 2000-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede d'elimination d'un film de photoresine |
| EP1063685A1 (en) * | 1998-11-12 | 2000-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photoresist film removing method and device therefor |
| US6517999B1 (en) | 1998-11-12 | 2003-02-11 | Shimada Rika Kougyo Kabushiki Kaisha | Method of removing photoresist film |
| US6715944B2 (en) | 1998-11-12 | 2004-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for removing photoresist film |
| EP1063685A4 (en) * | 1998-11-12 | 2004-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | DEVICE AND METHOD FOR REMOVING A PHOTO PAINT LAYER |
| JP2000286220A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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