JPH09212532A - Semiconductor integrated circuit layout method - Google Patents

Semiconductor integrated circuit layout method

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JPH09212532A
JPH09212532A JP8013705A JP1370596A JPH09212532A JP H09212532 A JPH09212532 A JP H09212532A JP 8013705 A JP8013705 A JP 8013705A JP 1370596 A JP1370596 A JP 1370596A JP H09212532 A JPH09212532 A JP H09212532A
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JP
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placement
cells
arrangement
constraint
divided
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Makoto Tanaka
田中  誠
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To secure the relative accuracy of a device necessary for the characteristic of a circuit. SOLUTION: The maximum unit of cell arrangement, namely the maximum number of cells which can be arranged horizontally, within a given arranging area is obtained (101) and transistor data is divided in matching with the size of the arranging area (102). Then, elements are arranged under the restriction of arranging necessary cells to be in one horizontal line concerning one element, the restriction of arranging balance elements by gathering to be one element and the restriction of arranging at a distance longer than an adjacent cell string without fail though dealing with divided ones respectively to be one element concerning a divided element (103). In addition whether or not arrangement is completed is judged (104), the restrictions are gradually released for rearrangement (105 to 110) and the arranging area is increased (111) sucessively.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータを用
いた半導体集積回路レイアウト方法、特にマスタースラ
イス方式半導体装置におけるレイアウト方法に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit layout method using a computer, and more particularly to a layout method in a master slice type semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野は多品種少
量生産化が顕著であり、開発製造期間の短縮が求められ
ている。そこで、半導体基板上にトランジスタ、容量、
抵抗等の素子形成工程までをあらかじめ準備しておき、
その後必要な配線のみを行なって半導体集積回路を実現
する、いわゆる、マスタースライス方式が採用されてい
る。さらに、開発期間の短縮を図るため、半導体集積回
路の配置配線のレイアウトにはコンピュータを用いるの
が一般的である。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor integrated circuits, there has been a remarkable reduction in the number of products of various types, and there is a demand for shortening the development and manufacturing period. Therefore, transistors, capacitors,
Prepare up to the element formation process such as resistance in advance,
After that, a so-called master slice method is adopted in which only the necessary wiring is performed to realize a semiconductor integrated circuit. Further, in order to shorten the development period, it is general to use a computer for the layout of the layout and wiring of the semiconductor integrated circuit.

【0003】以下、図2および図8を用いて、従来のコ
ンピュータを用いたマスタースライス方式半導体装置の
レイアウト方法について説明する。
A layout method of a master slice type semiconductor device using a conventional computer will be described below with reference to FIGS. 2 and 8.

【0004】図2において、11〜15はトランジスタ
である。そして、各トランジスタ11〜15は図面上で
の以下の座標を持っている。
In FIG. 2, 11 to 15 are transistors. Each of the transistors 11 to 15 has the following coordinates on the drawing.

【0005】トランジスタ11:(x11,y11) トランジスタ12:(x12,y12) トランジスタ13:(x13,y13) トランジスタ14:(x14,y14) トランジスタ15:(x15,y15) ここで、これら座標の位置の値の関係を、以下のとおり
とする。
Transistor 11: (x 11 , y 11 ) Transistor 12: (x 12 , y 12 ) Transistor 13: (x 13 , y 13 ) Transistor 14: (x 14 , y 14 ) Transistor 15: (x 15 , y 15 ) Here, the relationship between the position values of these coordinates is as follows.

【0006】x11<x14<x12<x13<x1514=y15<y11=y12<y13 また、トランジスタ11〜15はマスタースライス上の
トランジスタに相当する素子(セル)を複数個並列に接
続することにより、素子として実現され、それぞれ接続
に必要な個数は、トランジスタ11については2個、同
12については2個、同13については6個、同14に
ついては2個、同15については2個とする。
X 11 <x 14 <x 12 <x 13 <x 15 y 14 = y 15 <y 11 = y 12 <y 13 The transistors 11 to 15 are elements (cells) corresponding to the transistors on the master slice. It is realized as an element by connecting a plurality of transistors in parallel, and the number required for each connection is two for the transistors 11, two for the transistors 12, six for the transistors 13, and two for the transistors 14. , The same 15 will be two.

【0007】図8は従来のマスタースライス方式半導体
装置のレイアウト結果を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a layout result of a conventional master slice type semiconductor device.

【0008】図8において、21〜44はそれぞれマス
タースライス上のセルである。マスタースライス上に割
当配置された回路図上の素子で、対応するものには同じ
符号を付しており、かつ、マスタースライス上では、複
数の素子の組合せで構成されている場合には、回路図上
での符号の後ろにその旨の符号を付してある。たとえ
ば、素子13については6個のセルがマスタースライス
上では必要であるので、図8ではトランジスタ13のマ
スタースライス上の組み合わせ13−1,13−2,1
3−3,13−4,13−5,13−6と記載してい
る。
In FIG. 8, 21 to 44 are cells on the master slice. The elements on the circuit diagram allocated and allocated on the master slice are assigned the same reference numerals, and on the master slice, if they are composed of a combination of a plurality of elements, the circuit A symbol to that effect is added after the symbol in the figure. For example, since 6 cells are required for the element 13 on the master slice, the combination 13-1, 13-2, 1 of the transistor 13 on the master slice is shown in FIG.
It is described as 3-3, 13-4, 13-5, 13-6.

【0009】従来のレイアウト方法は、初期の配置位置
を回路図上での相対位置にもとづいて決定し、重なりが
生じた場合には、素子の移動入れ換えを行ない、配置領
域内で空いているセルが最も少なくなるように配置を繰
り返す。このとき、回路特性を得るため、一つの素子に
ついてそのセルを横一列に配置しなければならない、ま
た、さらに相対精度が必要な素子同士についても前記一
つの素子の場合と同様に横一列に配置しなければならな
かった。
In the conventional layout method, the initial arrangement position is determined based on the relative position on the circuit diagram, and when an overlap occurs, the elements are moved and replaced, and the empty cells in the arrangement area. Repeat the arrangement so that At this time, in order to obtain the circuit characteristics, the cells must be arranged in a row in a row for one element, and elements that require further relative accuracy should be arranged in a row in a row as in the case of the one element. I had to do it.

【0010】配置領域がマスタースライス上のセル21
から同36であるとすると、トランジスタ13は回路図
上で最も大きな値のy座標を持っているので、セル2
1,同25,同29,または同33のうちのいずれかに
初期の配置位置が決定する。同様にx座標の相対的な位
置関係より、トランジスタ13の初期位置はセル29に
決定される。
The arrangement area is a cell 21 on the master slice.
, The transistor 13 has the largest y-coordinate on the circuit diagram.
The initial placement position is determined to be one of 1, 1, 25, 29, or 33. Similarly, the initial position of the transistor 13 is determined to be the cell 29 from the relative positional relationship of the x coordinates.

【0011】トランジスタ13については6個のセルが
必要であり、それが一つの素子であるから、6個のセル
を横一列に配置しなければならない。しかし、現在の配
置領域では、マスタースライス上にセル4個までしか横
に並べて配置できない。そこで、6個のセルが1列で配
置できるように、マスタースライス上にセル37から同
44を新たに配置領域として追加する。これによって、
トランジスタ13はマスタースライス上のセル21,同
25,同29,同33,同37,同41に配置される。
他のトランジスタ11,同12およびトランジスタ1
4,同15についても同様に処理するのであるが、それ
ぞれが相対精度の必要なバランス素子同士であるので、
横一列に配置しなければならない。このような処理の結
果、図8に示した配置結果が得られる。
The transistor 13 requires six cells, and since it is one element, the six cells must be arranged in one horizontal row. However, in the current placement area, only four cells can be placed side by side on the master slice. Therefore, cells 37 to 44 are newly added as arrangement areas on the master slice so that 6 cells can be arranged in one row. by this,
The transistor 13 is arranged in the cells 21, 25, 29, 33, 37 and 41 on the master slice.
Other transistors 11, 12 and transistor 1
4 and 15 are processed in the same manner, but since each is a balance element that requires relative accuracy,
Must be arranged in a horizontal row. As a result of such processing, the placement result shown in FIG. 8 is obtained.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体集積回路レイアウト方法を用いた場
合、回路の特性上、必要な相対精度等については保持す
ることができるものの、レイアウトに無駄が多く、図8
においても、マスタースライス上に存在するセル24,
同28,同32,同36,同38,同39,同40,同
42,同43,同44が使用されない結果となる。
However, when such a conventional semiconductor integrated circuit layout method is used, the necessary relative accuracy and the like can be retained due to the characteristics of the circuit, but the layout is wasteful. , Fig. 8
Also in, the cells 24 existing on the master slice,
28, 32, 36, 38, 39, 40, 42, 43, 44 are not used.

【0013】本発明は、このような従来の方法にあった
問題点を解決しようとするもので、効率のよいレイアウ
トを行ないながら、回路の特性上、必要な相対精度等を
保持することができる半導体集積回路レイアウト方法を
提供することを課題とする。
The present invention is intended to solve the problems in the conventional method as described above, and it is possible to maintain the required relative accuracy and the like in view of the characteristics of the circuit while performing an efficient layout. An object is to provide a semiconductor integrated circuit layout method.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体集積回路レイアウト方法は、与えら
れた配置領域内でセル配置の最大単位、すなわち、横に
並べて配置できる最大セル数を得る工程と、配置領域の
大きさにあわせてトランジスタデータを分割する工程
と、一つの素子については必要なセルを横1列に並べて
配置する制約と、バランス素子についてはまとめて一つ
の素子として扱い配置する制約と、分割された素子につ
いては、分割されたそれぞれを一つの素子として扱う
が、必ず隣接したセル列以上離れて配置する制約と、こ
れらの制約の下に配置する工程と、配置が完了したか否
かを判定する工程と、前記制約を徐々に解除し、配置を
やり直す工程と、配置領域を増加させる工程とを備え、
コンピュータを用いて順次処理することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the semiconductor integrated circuit layout method of the present invention uses the maximum unit of cell arrangement within a given arrangement area, that is, the maximum number of cells that can be arranged side by side. , The step of dividing the transistor data according to the size of the arrangement area, the constraint of arranging the necessary cells in one horizontal row for one element, and the balance element as one element collectively. Regarding the handling and placement constraints and the divided elements, each divided element is treated as one element, but the constraint is to place them at least in adjacent cell columns, and to place them under these constraints. A step of determining whether or not is completed, a step of gradually releasing the constraint and re-arranging, and a step of increasing the arrangement area,
It is characterized by performing sequential processing using a computer.

【0015】これにより、配置領域に合わせた配置形状
を決定でき、また、配置上の制約を順次解除していくの
で、回路特性を保持するためのレイアウト上の制限を定
められた配置領域内で最大限守ることができる。つま
り、効率のよいレイアウトを行ないながら、回路の特性
上、必要な相対精度等を保持することができる。
As a result, the layout shape suitable for the layout area can be determined, and the restrictions on the layout are released one by one, so that the layout restrictions for maintaining the circuit characteristics are set within the layout area. You can protect to the maximum. In other words, it is possible to maintain the required relative accuracy and the like in terms of the characteristics of the circuit while performing an efficient layout.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる半導体集積
回路レイアウト方法の実施の形態について、図面を参照
しながら説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a semiconductor integrated circuit layout method according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1は本発明の一実施の形態における処理
フローを示す図である。図1において、101はセル配
置の最大単位である横に並べて配置できる最大セル数を
得る工程、102は前記最大セル数にもとづき配置する
素子を分割する工程、103は決められた制約を保持し
ながらセルの配置を行なう工程、104は配置が成功し
たか判定する工程、105は相対的な精度が必要な素子
(バランス素子)の配置上の制約を解除する工程、10
6は工程103と同様に配置を行なう工程、107は工
程104と同様に配置が成功したか判定する工程、10
8は個々の素子を配置セル単位まで分割できるように配
置上の制限を解除する工程、109は工程103と同様
に配置を行なう工程、110は工程104と同様に配置
が成功したか判定する工程、111は配置領域を増加さ
せる工程である。
FIG. 1 is a diagram showing a processing flow in one embodiment of the present invention. In FIG. 1, 101 is a step of obtaining the maximum number of cells that can be arranged side by side, which is the maximum unit of cell arrangement, 102 is a step of dividing the elements to be arranged based on the maximum number of cells, and 103 is a fixed constraint. While arranging the cells, 104 is a step of judging whether the arrangement is successful, 105 is a step of releasing restrictions on the arrangement of elements (balance elements) requiring relative accuracy, 10
6 is a step of arranging in the same manner as step 103, 107 is a step of deciding whether or not the arrangement is successful similarly to step 104, 10
8 is a step of releasing restrictions on arrangement so that individual elements can be divided into arrangement cell units, 109 is a step of performing arrangement similar to step 103, and 110 is a step of determining whether or not arrangement is successful similarly to step 104. , 111 is a step of increasing the arrangement area.

【0018】図2はこの実施の形態を説明するための回
路図である。図2において、11〜15はトランジスタ
である。
FIG. 2 is a circuit diagram for explaining this embodiment. In FIG. 2, 11 to 15 are transistors.

【0019】図3は工程103での配置結果を示す図で
あり、21〜32はマスタースライス上のセルである。
FIG. 3 is a diagram showing the placement result in step 103, and 21 to 32 are cells on the master slice.

【0020】マスタースライス上に割当配置された回路
図上の素子に対応するものには同じ符号を付しており、
かつ、マスタースライス上では、複数の素子の組合せで
構成されている場合には、回路図上での符号の後ろに対
応する符号を付してある。たとえば、素子11について
は、4個のセルがマスタースライス上では必要であるの
で、図3ではそれらについてマスタースライス上での組
み合わせ13−1,13−2,13−3,13−4と記
載している。
The elements corresponding to the elements on the circuit diagram allocated and arranged on the master slice are designated by the same reference numerals,
Further, on the master slice, when it is composed of a combination of a plurality of elements, the corresponding reference numeral is added after the reference numeral on the circuit diagram. For example, for the element 11, four cells are required on the master slice, and therefore, they are described as combinations 13-1, 13-2, 13-3, and 13-4 on the master slice in FIG. ing.

【0021】図4は工程106での配置結果を示す図で
ある。図4における符号は図3におけるものと対応させ
て同じ符号を付している。
FIG. 4 is a diagram showing the placement result in step 106. The reference numerals in FIG. 4 correspond to those in FIG. 3 and are given the same reference numerals.

【0022】図5は工程109での配置結果を示す図で
ある。図5における符号は図3と同一である。
FIG. 5 is a diagram showing the placement result in step 109. Reference numerals in FIG. 5 are the same as those in FIG.

【0023】図6は工程106での配置結果の他の例を
示す図である。図6において、21〜32はマスタース
ライス上のセルであり、その他については図3における
ものと対応させて同じ符号を付している。
FIG. 6 is a diagram showing another example of the placement result in step 106. In FIG. 6, reference numerals 21 to 32 are cells on the master slice, and other elements are denoted by the same reference numerals as those in FIG.

【0024】図7は工程109での配置結果の他の例を
示す図である。図7における符号は図6におけるものと
対応させて同じ符号を付している。
FIG. 7 is a diagram showing another example of the placement result in step 109. The reference numerals in FIG. 7 correspond to those in FIG. 6 and are given the same reference numerals.

【0025】まず、図1〜図5を用いて本実施の形態に
ついて説明する。図2において、トランジスタ11,1
2,13,14,15がそれぞれマスタースライス上で
2個,2個,4個,2個,2個のセルの組合せが必要で
あるとする。
First, the present embodiment will be described with reference to FIGS. In FIG. 2, transistors 11 and 1
It is assumed that 2, 13, 14, and 15 require combinations of 2, 2, 4, 2, and 2 cells on the master slice, respectively.

【0026】工程101において、セル配置の最大単
位、すなわち、横に並べて配置できる最大セル数(M)
を得る。これは、配置しようとしている領域のデータを
調べて求める。
In step 101, the maximum unit of cell arrangement, that is, the maximum number of cells that can be arranged side by side (M)
Get. This is obtained by checking the data in the area to be placed.

【0027】図3において配置しようとしている領域
は、マスタースライス上のセル21から同32までの領
域である。この領域の横に並べて配置できる最大セル数
(M)は、3個となる。
The area to be arranged in FIG. 3 is the area from cells 21 to 32 on the master slice. The maximum number of cells (M) that can be arranged side by side in this area is three.

【0028】工程102において、前記最大セル数
(M)個にもとづいて配置する素子を分割する。
In step 102, the elements to be arranged are divided based on the maximum number (M) of cells.

【0029】図2のトランジスタ11,12,14,1
5については、セルがそれぞれ2個ずつ必要であり、最
大セル数(M)である3個より少ないことから、これら
トランジスタ11,12,14,15については、特に
処理を行なわない。
Transistors 11, 12, 14, 1 of FIG.
No. 5 requires two cells each, which is less than the maximum number of cells (M) of three, so that no particular processing is performed on these transistors 11, 12, 14, 15.

【0030】しかし、トランジスタ13については、必
要なセルが4個である。個々の素子に必要なセル数が最
大セル数を超える場合には、分割の処理を行なう。素子
に必要なセルを最大セル数で割算し、その商(Q)個と
余り(R)個を求める。そして、マスタースライス上の
セルをM個必要とする素子をQ個と、マスタースライス
上のセルをR個必要とする素子1個とに素子を分割す
る。トランジスタ13の場合、マスタースライス上のセ
ルを3個必要とする素子1個と、マスタースライス上の
セル1個を必要とする素子1個とに分割される。
However, the transistor 13 requires four cells. If the number of cells required for each element exceeds the maximum number of cells, division processing is performed. The cells required for the element are divided by the maximum number of cells, and the quotient (Q) and the remainder (R) are obtained. Then, the elements are divided into Q elements that require M cells on the master slice and one element that requires R cells on the master slice. The transistor 13 is divided into one element that requires three cells on the master slice and one element that requires one cell on the master slice.

【0031】工程103において配置を行なう。工程1
03においての配置上の制約は、次の項目である。 (a)一つの素子は、必要なセルを横1列に並べて配置
する。 (b)バランス素子は、まとめて一つの素子として扱い
配置する。 (c)分割された素子については、分割されたそれぞれ
を一つの素子として扱うが、必ず隣接したセル列以上離
れて配置することができない。
The placement is performed in step 103. Step 1
The restrictions on the arrangement in 03 are the following items. (A) In one element, necessary cells are arranged in a row in a horizontal row. (B) The balancing elements are collectively treated and arranged as one element. (C) Regarding the divided elements, each of the divided elements is treated as one element, but they cannot be arranged apart from each other by more than adjacent cell rows.

【0032】図3が工程103における配置結果であ
る。初期の位置配置は、回路図上での相対位置にもとづ
いて決定する。重なりが生じた場合には、前述の配置上
の制約の下で素子の移動入れ換えを行ない、配置領域内
で空いているセルが最も少なくなるように配置を繰り返
す。トランジスタ13は、回路図上で最も大きな配置y
座標を持っているので、セル21,25,22のいずれ
かに初期の配置位置が決定される。同様に、x座標の相
対的な位置関係より、トランジスタ13の初期位置がセ
ル29に決定される。
FIG. 3 shows the placement result in step 103. The initial position arrangement is determined based on the relative position on the circuit diagram. When the overlap occurs, the elements are moved and replaced under the above-mentioned restrictions on the arrangement, and the arrangement is repeated so that the number of empty cells in the arrangement region is minimized. The transistor 13 has the largest arrangement y on the circuit diagram.
Since it has the coordinates, the initial arrangement position is determined in any of the cells 21, 25 and 22. Similarly, the initial position of the transistor 13 is determined to be the cell 29 based on the relative positional relationship of the x coordinates.

【0033】トランジスタ13は、工程102で3個の
セルのデータと1個のセルのデータに分割されているの
で、まず、3個のデータを配置する。制約(a)より横
に3つのセルが必要となり、13−1をセル21に、1
3−2をセル25に、13−3をセル29にそれぞれ配
置する。また、制約(c)により、13−4については
隣接したセル列にしか配置できないので、セル22,2
6,30のいずれかにしか配置することができない。こ
こでは、左詰めを原則に配置するものとして、13−4
をセル22に配置する。次にトランジスタ11,12を
配置する。この素子には特性上相対精度が必要なため、
バランス素子として指定されている。そのため、制約
(b)により一つの素子として扱わなければならない。
つまり、横に連続して4個のセルが必要となる。トラン
ジスタ13と同様にして配置を決定すると、図3で示す
ように配置領域をオーバーするため配置ができない。ト
ランジスタ14,15についても同様である。
Since the transistor 13 is divided into the data of three cells and the data of one cell in the step 102, first, three data are arranged. Three cells are required next to the constraint (a), and 13-1 is set to the cell 21 to 1
3-2 is arranged in the cell 25, and 13-3 is arranged in the cell 29. Further, due to the constraint (c), since 13-4 can be arranged only in the adjacent cell column, the cells 22 and 2 can be arranged.
It can only be placed in either 6, 30 or 30. Here, assuming that left-justification is arranged in principle, 13-4
Are placed in the cell 22. Next, the transistors 11 and 12 are arranged. Since this element requires relative accuracy due to its characteristics,
Designated as a balancing element. Therefore, it must be treated as one element due to the constraint (b).
That is, four cells are required in the horizontal direction. If the placement is determined in the same manner as the transistor 13, the placement cannot be performed because the placement area is exceeded as shown in FIG. The same applies to the transistors 14 and 15.

【0034】工程104において、図3の状態がチェッ
クされ、配置領域内で配置ができないことが判明する。
配置ができていないので、工程105へ進む。
In step 104, the condition of FIG. 3 is checked and it is found that the placement is not possible within the placement area.
Since the arrangement is not completed, the process proceeds to step 105.

【0035】工程105では、バランス素子の配置上の
制約を解除する。つまり、工程103における制約
(b)を解除し、かつ、素子毎に分割を可能とする。し
かし、制約(c)の効力があるので、必ず、隣接したセ
ル列以上離れて配置することができない。
In step 105, the restrictions on the arrangement of the balance elements are released. That is, the constraint (b) in step 103 is removed, and the element can be divided. However, because of the effect of the constraint (c), it is inevitable that the adjacent cell rows cannot be arranged apart from each other.

【0036】工程106では、配置領域をオーバーして
いたトランジスタ11,12およびトランジスタ14,
15を中心に、新しい配置制約の下で工程103と同様
の手順により配置を行なう。図4がその配置結果であ
る。図4において、トランジスタ15がどのように移動
しても、配置領域をオーバーしないと配置することがで
きない。
In step 106, the transistors 11, 12 and the transistor 14, which have exceeded the arrangement region,
Placement is performed centering on 15 according to the same procedure as in step 103 under the new placement constraint. FIG. 4 shows the arrangement result. In FIG. 4, no matter how the transistor 15 moves, it cannot be arranged unless it exceeds the arrangement region.

【0037】工程107において、図4に示した状態が
チェックされ、配置領域内で配置ができないことが判明
する。配置ができていないので、工程108へ進む。
In step 107, the state shown in FIG. 4 is checked and it is found that the placement cannot be performed within the placement area. Since the arrangement is not completed, the process proceeds to step 108.

【0038】工程108では、一つの素子の配置上での
制約を解除する。つまり、制約(a)を解除し、かつ、
セル単位まで分割が可能とする。しかし、制約(c)の
効力がいまだにあるので、必ず、隣接したセル列以上離
れて配置することができない。
In step 108, the restriction on the arrangement of one element is released. That is, the constraint (a) is removed, and
It can be divided into cells. However, since the constraint (c) is still in effect, it is inevitable that the adjacent cell rows cannot be arranged apart from each other.

【0039】工程109では、配置領域をオーバーして
いたトランジスタ15を中心に配置を新しい制約の下で
工程103と同様の手順により配置を行なう。図5にそ
の配置結果を示す。
In step 109, the transistor 15 which has exceeded the placement region is placed by the same procedure as in step 103 under the new constraint. FIG. 5 shows the arrangement result.

【0040】工程110では、図5に示した状態がチェ
ックされ、配置完了と判定される。次に、実施の形態の
他の例について図6,図7を用いて説明する。図2にお
いて、トランジスタ11,12,13,14,15がそ
れぞれ、マスタースライス上で2個,2個,6個,2
個,2個のセルの組合せが必要であるとする。第一の実
施の形態と同様に工程101から工程110を順次実行
することにより、配置結果図6を得ることができる。
In step 110, the state shown in FIG. 5 is checked and it is determined that the arrangement is completed. Next, another example of the embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7. In FIG. 2, transistors 11, 12, 13, 14, and 15 are 2, 2, 6, and 2 on the master slice, respectively.
It is assumed that a combination of 1 and 2 cells is required. The arrangement result FIG. 6 can be obtained by sequentially performing the steps 101 to 110 as in the first embodiment.

【0041】工程110では、図6の状態がチェックさ
れ、配置ができないことが判明する。配置ができていな
いので、工程111に進む。
In step 110, the state of FIG. 6 is checked and it is found that the placement is impossible. Since the arrangement is not completed, the process proceeds to step 111.

【0042】工程111では、配置領域の増加を行な
う。工程110で配置できないことが判明したので、こ
のままでは、何度処理を繰り返しても配置はできない。
そこで、配置領域を広げることにする。マスタースライ
ス上のセル33、34、35、36を新たに配置可能な
セルとして登録し、工程101から工程110間での処
理を順次行なう。その結果を図7に示す。
In step 111, the arrangement area is increased. Since it was found in step 110 that the arrangement cannot be performed, the arrangement cannot be performed as it is no matter how many times the processing is repeated.
Therefore, the arrangement area will be expanded. The cells 33, 34, 35, and 36 on the master slice are registered as cells that can be newly arranged, and the processes from step 101 to step 110 are sequentially performed. FIG. 7 shows the result.

【0043】ここで、従来の方法による配置結果である
図8と本発明の第2の実施の形態の配置結果である図7
を比較してみる。トランジスタ13のように、マスター
スライス上のセルが6個必要とされる素子を、あらかじ
め配置領域の大きさに合わせて分割しているため、マス
タースライス上の素子を無駄なく利用できている。ま
た、相対精度が必要なトランジスタ11,12およびト
ランジスタ14,15、すなわちバランス素子もその精
度を保持するのに十分なセル間の距離を保った形状で効
率よく配置ができている。さらに、これらの配置結果を
登録し再使用するスタンダードセル方式の半導体集積回
路においても、全体としての配置形状が矩形に近いた
め、無駄が少なく、非常に利用しやすくなる。
Here, FIG. 8 which is the arrangement result by the conventional method and FIG. 7 which is the arrangement result of the second embodiment of the present invention.
Try to compare. Since the element such as the transistor 13 that requires six cells on the master slice is divided in advance according to the size of the arrangement region, the element on the master slice can be used without waste. Further, the transistors 11 and 12 and the transistors 14 and 15, which require relative accuracy, that is, the balance elements, can be efficiently arranged in a shape in which a sufficient distance between cells is maintained to maintain the accuracy. Further, even in a standard cell type semiconductor integrated circuit in which these layout results are registered and reused, since the layout shape as a whole is close to a rectangle, there is little waste and it is very easy to use.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明は、配置領域の大きさにあわせて
トランジスタデータを分割し、一つの素子については必
要なセルを横1列に並べて配置する制約と、バランス素
子についてはまとめて一つの素子として扱い配置する制
約と、分割された素子については、分割されたそれぞれ
が一つの素子として扱うが、必ず隣接したセル列以上離
れて配置することはできない制約と、これらの制約の下
で順次処理を行ない、配置できなかった場合は、順次制
約を解除し、さらに配置領域が不足しているときには、
必要な領域を徐々に増加させ、配置を繰り返すことによ
り、定められた配置領域内でのコンパクトな配置を可能
とし、かつ、素子またはセル間の配置距離が離れること
による回路特性上の相対精度の悪化を最小限に押えるこ
とができる半導体集積回路レイアウト方法を提供するこ
とができる。
According to the present invention, the transistor data is divided in accordance with the size of the arrangement area, and the constraint that the necessary cells are arranged in one horizontal row for one element and the balance element is collectively set as one element. Regarding the constraint that it is handled as an element and the divided element, each divided element is treated as one element, but it cannot be placed apart from each other by more than adjacent cell rows. If the processing cannot be done and the placement cannot be done, the constraints are released in sequence, and when the placement area is insufficient,
By gradually increasing the required area and repeating the placement, it is possible to achieve a compact placement within the specified placement area, and to improve the relative accuracy of the circuit characteristics due to the placement distance between the elements or cells increasing. A semiconductor integrated circuit layout method capable of suppressing deterioration to a minimum can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかる半導体集積回路レイアウト方法
の実施の形態を説明するための処理フロー図
FIG. 1 is a process flow chart for explaining an embodiment of a semiconductor integrated circuit layout method according to the present invention.

【図2】本発明の実施の形態を説明するための回路図FIG. 2 is a circuit diagram for explaining an embodiment of the present invention.

【図3】図1に示した処理フローにおける工程103で
の配置結果を示す図
FIG. 3 is a diagram showing an arrangement result in step 103 in the processing flow shown in FIG.

【図4】図1に示した処理フローにおける工程106で
の配置結果を示す図
FIG. 4 is a diagram showing an arrangement result in step 106 in the processing flow shown in FIG.

【図5】図1に示した処理フローにおける工程109で
の配置結果を示す図
5 is a diagram showing a placement result in step 109 in the processing flow shown in FIG.

【図6】図1に示した処理フローにおける工程106で
の配置結果の他の例を示す図
FIG. 6 is a diagram showing another example of the placement result in step 106 in the processing flow shown in FIG. 1.

【図7】図1に示した処理フローにおける工程109で
の配置結果の他の例を示す図
FIG. 7 is a diagram showing another example of the placement result in step 109 in the processing flow shown in FIG.

【図8】従来の方法による配置結果を示す図FIG. 8 is a diagram showing an arrangement result by a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11〜15 トランジスタ 11−1,11−2 トランジスタ11のマスタースラ
イス上の組合せ 12−1,12−2 トランジスタ12のマスタースラ
イス上の組合せ 13−1〜13−6 トランジスタ13のマスタースラ
イス上の組合せ 14−1,14−2 トランジスタ14のマスタースラ
イス上の組合せ 15−1,15−2 トランジスタ15のマスタースラ
イス上の組合せ 21〜44 マスタースライス上のセル
11-15 Transistors 11-1, 11-2 Combination on the master slice of the transistor 11 12-1, 12-2 Combination on the master slice of the transistor 12 13-1 to 13-6 Combination on the master slice of the transistor 13 14 -1, 14-2 Combination on the master slice of the transistor 14 15-1, 15-2 Combination on the master slice of the transistor 15 21 to 44 Cell on the master slice

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一つ以上の制約事項の下で配置を行なう
工程と、前記配置が完了したか否かを判定する工程と、
前記判定の結果、配置が完了していない場合には、前記
制約事項を順次解除していく工程と、前記制約事項をす
べて解除しても配置が完了しない場合には、配置領域を
増加させる工程とを備えたことを特徴とする半導体集積
回路レイアウト方法。
1. A step of performing placement under one or more constraints, a step of determining whether the placement is complete,
As a result of the determination, if the placement is not completed, the constraint is sequentially released, and if the placement is not completed even if all the constraints are released, the placement area is increased. And a semiconductor integrated circuit layout method comprising:
【請求項2】 一つの素子については必要なセルを横1
列に並べて配置する制約と、バランス素子についてはま
とめて一つの素子として扱い配置する制約と、分割され
た素子については、分割されたそれぞれが一つの素子と
して扱われるが、必ず隣接したセル列以上離れて配置す
ることはできない制約とを持つことを特徴とする請求項
1記載の半導体集積回路レイアウト方法。
2. The number of cells required for one device is 1
The constraint of arranging them side by side in a row, the constraint of treating balanced elements as a single element and placing them, and the divided element is treated as one element for each divided element. 2. The semiconductor integrated circuit layout method according to claim 1, which has a constraint that they cannot be arranged apart from each other.
【請求項3】 与えられた配置領域の大きさにあわせて
素子を分割する工程と、一つ以上の制約事項の下で配置
を行なう工程と、前記配置が完了したか否かを判定する
工程と、前記判定の結果、配置が完了していない場合に
は、前記制約事項を順次解除していく工程と、前記制約
事項をすべて解除しても配置が完了しない場合には、配
置領域を増加させる工程とを備えたことを特徴とする半
導体集積回路レイアウト方法。
3. A step of dividing an element according to a size of a given placement area, a step of placing the element under one or more restrictions, and a step of determining whether or not the placement is completed. If, as a result of the determination, the placement is not completed, the step of sequentially releasing the restrictions is performed. If the placement is not completed even if all the restrictions are released, the placement area is increased. A method for laying out a semiconductor integrated circuit, comprising:
【請求項4】 一つの素子については必要なセルを横1
列に並べて配置する制約と、バランス素子についてはま
とめて一つの素子として扱い配置する制約と、分割され
た素子については、分割されたそれぞれが一つの素子と
して扱われるが、必ず隣接したセル列以上離れて配置す
ることはできない制約を持つことを特徴とする請求項3
記載の半導体集積回路レイアウト方法。
4. A required cell for one element is a horizontal line.
The constraint of arranging them side by side in a row, the constraint of treating balanced elements as a single element and placing them, and the divided element is treated as one element for each divided element. 4. The structure according to claim 3, which has a constraint that they cannot be arranged apart from each other.
A semiconductor integrated circuit layout method according to claim 1.
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