JPH0920561A - 半導体用セラミック焼結体およびその製造方法 - Google Patents
半導体用セラミック焼結体およびその製造方法Info
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- JPH0920561A JPH0920561A JP7165875A JP16587595A JPH0920561A JP H0920561 A JPH0920561 A JP H0920561A JP 7165875 A JP7165875 A JP 7165875A JP 16587595 A JP16587595 A JP 16587595A JP H0920561 A JPH0920561 A JP H0920561A
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- Japan
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- zro
- zro2
- ceramic sintered
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- semiconductor
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ＺｒＯ2 を１モル％以上含有し、さらにはＺｒ
Ｏ2 の安定化材、Ａｌ2Ｏ3 、ＭｇＯ、ＳｉＯ2 、Ａｌ
Ｎ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 のうちの少なくとも１種以上を
含有するセラミック焼結体を製造するにあたり、ＺｒＯ
2 の合成過程またはＺｒＯ2 の合成後に水洗または酸洗
浄工程を経て精製され、または気相法により作製され
た、αカウントが０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下のＺｒＯ2
粉末を用いて作製された、αカウントが０．１ＤＰＨ／
ｃｍ2 以下の半導体用セラミック焼結体を得る。 【効果】ＺｒＯ2 を１モル％以上含有する優れたセラミ
ック焼結体を絶縁基板、粉砕用メディア、サセプタなど
の半導体用の部品として使用できる。
Ｏ2 の安定化材、Ａｌ2Ｏ3 、ＭｇＯ、ＳｉＯ2 、Ａｌ
Ｎ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 のうちの少なくとも１種以上を
含有するセラミック焼結体を製造するにあたり、ＺｒＯ
2 の合成過程またはＺｒＯ2 の合成後に水洗または酸洗
浄工程を経て精製され、または気相法により作製され
た、αカウントが０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下のＺｒＯ2
粉末を用いて作製された、αカウントが０．１ＤＰＨ／
ｃｍ2 以下の半導体用セラミック焼結体を得る。 【効果】ＺｒＯ2 を１モル％以上含有する優れたセラミ
ック焼結体を絶縁基板、粉砕用メディア、サセプタなど
の半導体用の部品として使用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＺｒＯ2 を含有するセ
ラミック焼結体であって、ＩＣを搭載した配線基板や半
導体収納用パッケージなどの半導体装置、または半導体
や半導体関連部品を製造するための粉砕メディア、ウエ
ハセサプタなどの各種製造用部品などに使用される半導
体用セラミック焼結体に関するものである。
ラミック焼結体であって、ＩＣを搭載した配線基板や半
導体収納用パッケージなどの半導体装置、または半導体
や半導体関連部品を製造するための粉砕メディア、ウエ
ハセサプタなどの各種製造用部品などに使用される半導
体用セラミック焼結体に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、Ａｌ2 Ｏ3 などのセラミック焼結体
は、その優れた機械的強度に加え、高電気絶縁性、高耐
薬品性などの優れた特性を有することから、あらゆる分
野において使用されている。その中でも、アルミナ焼結
体は、その高電気絶縁性の点から配線基板や半導体素子
収納用パッケージなどの絶縁基板として多用されてい
る。
は、その優れた機械的強度に加え、高電気絶縁性、高耐
薬品性などの優れた特性を有することから、あらゆる分
野において使用されている。その中でも、アルミナ焼結
体は、その高電気絶縁性の点から配線基板や半導体素子
収納用パッケージなどの絶縁基板として多用されてい
る。
【０００３】一方、ＺｒＯ2 は、Ｙ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯなどの安定化材の添加により部分安定化または安定
化され、セラミック焼結体の中でも高い強度、靱性を有
することから産業機械用部品などに多用されている。
ａＯなどの安定化材の添加により部分安定化または安定
化され、セラミック焼結体の中でも高い強度、靱性を有
することから産業機械用部品などに多用されている。
【０００４】さらに、ＺｒＯ2 は、上記の優れた機械的
特性に加え、それ自体の誘電率が３０とＡｌ2 Ｏ3 など
の１０に比較して高いことから、本出願人は、この高誘
電率を利用し、Ａｌ2 Ｏ3 などに対してＺｒＯ2 を添加
して高誘電率化することにより、配線基板あるいは半導
体素子収納用パッケージにおいてデカップリングコンデ
ンサとして利用することを提案した（特願平５−１７１
８４４号）。
特性に加え、それ自体の誘電率が３０とＡｌ2 Ｏ3 など
の１０に比較して高いことから、本出願人は、この高誘
電率を利用し、Ａｌ2 Ｏ3 などに対してＺｒＯ2 を添加
して高誘電率化することにより、配線基板あるいは半導
体素子収納用パッケージにおいてデカップリングコンデ
ンサとして利用することを提案した（特願平５−１７１
８４４号）。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】ところが、特願平５
−１７１８４４号にて提案したＺｒＯ2 を含有するＡｌ
2Ｏ3 焼結体は、通常使用されるＡｌ2 Ｏ3 焼結体等に
比較して、αカウントが非常に高いという問題があるこ
とがわかった。例えば、ＺｒＯ2 を１モル％含有する系
においてもαカウントは０．１５ＤＰＨ／ｃｍ2 と大き
かった。
−１７１８４４号にて提案したＺｒＯ2 を含有するＡｌ
2Ｏ3 焼結体は、通常使用されるＡｌ2 Ｏ3 焼結体等に
比較して、αカウントが非常に高いという問題があるこ
とがわかった。例えば、ＺｒＯ2 を１モル％含有する系
においてもαカウントは０．１５ＤＰＨ／ｃｍ2 と大き
かった。
【０００６】このように、α線が放出されるセラミック
焼結体を半導体部品などに使用した場合、α線が電荷を
持っているため、ＩＣなどのメモリー情報に影響を与
え、ＩＣが誤動作する等の問題が生じる場合があること
が知られている。
焼結体を半導体部品などに使用した場合、α線が電荷を
持っているため、ＩＣなどのメモリー情報に影響を与
え、ＩＣが誤動作する等の問題が生じる場合があること
が知られている。
【０００７】そこで、本発明者は、かかる系に対してα
カウントが大きくなる原因について調査した結果、他の
金属酸化物に比較してＺｒＯ2 中には非常に多くのウラ
ンやトリウムなどの元素を含んでおり、ＺｒＯ2 を１モ
ル％以上添加しただけで、セラミック全体のαカウント
が大きくなってしまっていることを突き止めた。
カウントが大きくなる原因について調査した結果、他の
金属酸化物に比較してＺｒＯ2 中には非常に多くのウラ
ンやトリウムなどの元素を含んでおり、ＺｒＯ2 を１モ
ル％以上添加しただけで、セラミック全体のαカウント
が大きくなってしまっていることを突き止めた。
【０００８】従って、従来より使用されるＺｒＯ2 原料
を用いたＺｒＯ2 を含有するセラミック焼結体は、半導
体装置や半導体製造用部品などにはほとんど使用できな
いのが現状であった。
を用いたＺｒＯ2 を含有するセラミック焼結体は、半導
体装置や半導体製造用部品などにはほとんど使用できな
いのが現状であった。
【０００９】
【問題点を解決するための手段】そこで、本発明者は、
ＺｒＯ2 原料の製造工程で，水洗あるいは酸洗浄の高純
度化処理がなされて放射性元素が除去された、または気
相法により合成された、αカウントが０．１ＤＰＨ／ｃ
ｍ2 以下のＺｒＯ2 原料を使用した結果、このＺｒＯ2
のみからなる焼結体においても、αカウントが０．１Ｄ
ＰＨ／ｃｍ2 以下まで低減できることを見いだしたもの
である。
ＺｒＯ2 原料の製造工程で，水洗あるいは酸洗浄の高純
度化処理がなされて放射性元素が除去された、または気
相法により合成された、αカウントが０．１ＤＰＨ／ｃ
ｍ2 以下のＺｒＯ2 原料を使用した結果、このＺｒＯ2
のみからなる焼結体においても、αカウントが０．１Ｄ
ＰＨ／ｃｍ2 以下まで低減できることを見いだしたもの
である。
【００１０】即ち、本発明は、ＺｒＯ2 を１モル％以上
含有するセラミック焼結体であって、αカウントが０．
１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下であることを特徴とする半導体用
セラミック焼結体を提供するものであり、特にセラミッ
ク焼結体は、ＺｒＯ2 以外にＡｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ2 、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 およびＺｒＯ2 の安
定化材のうちの少なくとも１種以上を含有するものであ
る。
含有するセラミック焼結体であって、αカウントが０．
１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下であることを特徴とする半導体用
セラミック焼結体を提供するものであり、特にセラミッ
ク焼結体は、ＺｒＯ2 以外にＡｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ2 、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 およびＺｒＯ2 の安
定化材のうちの少なくとも１種以上を含有するものであ
る。
【００１１】また、かかる焼結体を製造する方法とし
て、ＺｒＯ2 を１モル％以上含有するセラミック焼結体
を製造するにあたり、ＺｒＯ2 粉末として、ＺｒＣｌ4
あるいはＺｒＯＣｌ2 を原料とし水洗または酸洗浄工程
を経て作製され、または気相法により作製された、αカ
ウントが０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下のＺｒＯ2 粉末を用
いたことを特徴とするものである。
て、ＺｒＯ2 を１モル％以上含有するセラミック焼結体
を製造するにあたり、ＺｒＯ2 粉末として、ＺｒＣｌ4
あるいはＺｒＯＣｌ2 を原料とし水洗または酸洗浄工程
を経て作製され、または気相法により作製された、αカ
ウントが０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下のＺｒＯ2 粉末を用
いたことを特徴とするものである。
【００１２】以下、本発明を詳述する。本発明のセラミ
ック焼結体は、ＺｒＯ2 を１モル％以上含有するもので
あり、他の成分として、ＺｒＯ2 を安定化させるための
Ｙ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｙｂ2 Ｏ3 などの希土類元素酸化
物、ＭｇＯ、ＣａＯなどの安定化材、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 、ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣなどが挙げられる。
これらの中でも安定化材は、ＺｒＯ2 を安定化させて立
方晶ＺｒＯ2 、または正方晶ＺｒＯ2 としてその機械的
特性、電気的特性、特に誘電率を高める作用をなすため
にその有用性が高いことから添加されることが望まし
い。
ック焼結体は、ＺｒＯ2 を１モル％以上含有するもので
あり、他の成分として、ＺｒＯ2 を安定化させるための
Ｙ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｙｂ2 Ｏ3 などの希土類元素酸化
物、ＭｇＯ、ＣａＯなどの安定化材、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 、ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣなどが挙げられる。
これらの中でも安定化材は、ＺｒＯ2 を安定化させて立
方晶ＺｒＯ2 、または正方晶ＺｒＯ2 としてその機械的
特性、電気的特性、特に誘電率を高める作用をなすため
にその有用性が高いことから添加されることが望まし
い。
【００１３】本発明によれば、従来のセラミック焼結体
においてＺｒＯ2 量を１モル％含有するとαカウントが
０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 を越えてしまい、半導体用として
適さなくなるため、ＺｒＯ2 量を１モル％以上含有する
ようなセラミック焼結体前全般に対して適用させるため
である。
においてＺｒＯ2 量を１モル％含有するとαカウントが
０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 を越えてしまい、半導体用として
適さなくなるため、ＺｒＯ2 量を１モル％以上含有する
ようなセラミック焼結体前全般に対して適用させるため
である。
【００１４】ＺｒＯ2 の量が多くなるほど、αカウント
は徐々に多くなるが、本発明のセラミック焼結体が実質
上ＺｒＯ2 のみからなる焼結体であっても、αカウント
が０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下に制御された焼結体であ
る。
は徐々に多くなるが、本発明のセラミック焼結体が実質
上ＺｒＯ2 のみからなる焼結体であっても、αカウント
が０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下に制御された焼結体であ
る。
【００１５】一般に、ＺｒＯ2 原料は、（１）ジルコ
ン、バデレアイト等の鉱石を酸溶解し、沈殿生成物を焼
成するアルカリ溶融法、（２）上記鉱石を炭素質の超高
温アーク炉で溶解させる電融法、（３）ＺｒＯＣｌ2 ・
８Ｈ2 Ｏを水に溶解し、ＹＣｌ3 溶液等と混合したもの
にＮＨ4 ＯＨを添加し、共沈させたものを仮焼する中和
共沈法、（４）ＺｒＯＣｌ2 ・８Ｈ2 Ｏを水に溶解し、
ＹＣｌ3 溶液等を混合したものを１００℃で加水分解し
たものを仮焼する加水分解法、（５）下記の化１
ン、バデレアイト等の鉱石を酸溶解し、沈殿生成物を焼
成するアルカリ溶融法、（２）上記鉱石を炭素質の超高
温アーク炉で溶解させる電融法、（３）ＺｒＯＣｌ2 ・
８Ｈ2 Ｏを水に溶解し、ＹＣｌ3 溶液等と混合したもの
にＮＨ4 ＯＨを添加し、共沈させたものを仮焼する中和
共沈法、（４）ＺｒＯＣｌ2 ・８Ｈ2 Ｏを水に溶解し、
ＹＣｌ3 溶液等を混合したものを１００℃で加水分解し
たものを仮焼する加水分解法、（５）下記の化１
【００１６】
【化１】
【００１７】に基づき、アルコキシドを合成したのち、
さらに下記化２
さらに下記化２
【００１８】
【化２】
【００１９】に基づき加水分解したものを仮焼するアル
コキシド法、（６）ＺｒＣｌ4 を気化させ、１２００℃
以上のプラズマ中でＯ2 と反応させる気相法などが知ら
れている。
コキシド法、（６）ＺｒＣｌ4 を気化させ、１２００℃
以上のプラズマ中でＯ2 と反応させる気相法などが知ら
れている。
【００２０】本発明では、一般に知られているこれらの
製造方法のうち、（１）乃至（５）により精製されたＺ
ｒＯ2 粉末、またはＹ2 Ｏ3 等の安定化剤が固溶したＺ
ｒＯ2 粉末に対して、ＨＣｌ、Ｈ2 ＳＯ4 、ＨＮＯ3 な
どの酸により洗浄して不純物を除去するか、ＺｒＯ2 粉
末の製造過程で前駆体を水洗するなどの工程を経て高純
度化処理が施された粉末を用いる。この場合、出発原料
として用いられるＺｒＣｌ4 やＺｒＯＣｌ2 はいずれも
９９％以上の高純度品であることが望ましい。
製造方法のうち、（１）乃至（５）により精製されたＺ
ｒＯ2 粉末、またはＹ2 Ｏ3 等の安定化剤が固溶したＺ
ｒＯ2 粉末に対して、ＨＣｌ、Ｈ2 ＳＯ4 、ＨＮＯ3 な
どの酸により洗浄して不純物を除去するか、ＺｒＯ2 粉
末の製造過程で前駆体を水洗するなどの工程を経て高純
度化処理が施された粉末を用いる。この場合、出発原料
として用いられるＺｒＣｌ4 やＺｒＯＣｌ2 はいずれも
９９％以上の高純度品であることが望ましい。
【００２１】また、他のＺｒＯ2 粉末としては、純度９
９％以上のＺｒＣｌ4 を用いて（６）の気相法により製
造された粉末で、ＺｒＯ2 粉末中のウランやトリウムな
どの放射性元素が低減された結果、αカウントを０．１
ＤＨＰ／ｃｍ2 まで低減したＺｒＯ2 粉末を原料として
用いる。
９％以上のＺｒＣｌ4 を用いて（６）の気相法により製
造された粉末で、ＺｒＯ2 粉末中のウランやトリウムな
どの放射性元素が低減された結果、αカウントを０．１
ＤＨＰ／ｃｍ2 まで低減したＺｒＯ2 粉末を原料として
用いる。
【００２２】このセラミック焼結体を製造するにあた
り、ＺｒＯ2 とともに混合される前述したような他の成
分は、放射性元素を含んでいても極めて微量であり、α
カウントを増大させることがないため、ＺｒＯ2 のみの
αカウントを上記の範囲に抑制すれば、焼結体のαカウ
ントは０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下まで低減できる結果、
この焼結体を半導体用として利用できる。
り、ＺｒＯ2 とともに混合される前述したような他の成
分は、放射性元素を含んでいても極めて微量であり、α
カウントを増大させることがないため、ＺｒＯ2 のみの
αカウントを上記の範囲に抑制すれば、焼結体のαカウ
ントは０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下まで低減できる結果、
この焼結体を半導体用として利用できる。
【００２３】例えば、ＩＣを搭載する配線基板や半導体
素子収納用パッケージの絶縁基板としては、安定化Ｚｒ
Ｏ2 （以下、単にＺｒＯ2 と記載する。）を添加するこ
とにより基板の高強度化を図ることができる。具体的に
は、ＺｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −ＺｒＯ2 、ムライト−ＺｒＯ2 、ＡｌＮ−Ｚｒ
Ｏ2 、ＳｉＣ−ＺｒＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 −ＺｒＯ2 、ガラ
ス−ＺｒＯ2 などの焼結体を使用できる。このような基
板として使用する場合には、αカウントを０．０５ＤＨ
Ｐ／ｃｍ2 以下、さらに望ましくは０．０３ＤＨＰ／ｃ
ｍ2 以下とすることが望ましい。
素子収納用パッケージの絶縁基板としては、安定化Ｚｒ
Ｏ2 （以下、単にＺｒＯ2 と記載する。）を添加するこ
とにより基板の高強度化を図ることができる。具体的に
は、ＺｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −ＺｒＯ2 、ムライト−ＺｒＯ2 、ＡｌＮ−Ｚｒ
Ｏ2 、ＳｉＣ−ＺｒＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 −ＺｒＯ2 、ガラ
ス−ＺｒＯ2 などの焼結体を使用できる。このような基
板として使用する場合には、αカウントを０．０５ＤＨ
Ｐ／ｃｍ2 以下、さらに望ましくは０．０３ＤＨＰ／ｃ
ｍ2 以下とすることが望ましい。
【００２４】また、半導体の原料であるＳｉ原料などの
粉砕用メディアや、前述の基板材料を製造する場合の粉
砕メディアとして、ＺｒＯ2 は比重が大きく、摩耗しに
くいことから粉砕効率を高めることができる。この場合
には、ＺｒＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4−ＺｒＯ2 、ＳｉＣ−Ｚｒ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 などの焼結体が好適に用い
られる。
粉砕用メディアや、前述の基板材料を製造する場合の粉
砕メディアとして、ＺｒＯ2 は比重が大きく、摩耗しに
くいことから粉砕効率を高めることができる。この場合
には、ＺｒＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4−ＺｒＯ2 、ＳｉＣ−Ｚｒ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 などの焼結体が好適に用い
られる。
【００２５】その他、半導体製造用部材としては、Ｘ−
Ｙテーブル、キャリアボート、半導体製造用るつぼ、半
導体製造用サセプタや静電チャックとして、ＺｒＯ2 、
ＳｉＣ−ＺｒＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 −ＺｒＯ2 、ＡｌＮ−Ｚ
ｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 、ムライト−ＺｒＯ2 な
どの焼結体を用いることができる。
Ｙテーブル、キャリアボート、半導体製造用るつぼ、半
導体製造用サセプタや静電チャックとして、ＺｒＯ2 、
ＳｉＣ−ＺｒＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 −ＺｒＯ2 、ＡｌＮ−Ｚ
ｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 、ムライト−ＺｒＯ2 な
どの焼結体を用いることができる。
【００２６】
【作用】本発明によれば、ＺｒＯ2 原料として、ＺｒＯ
2 の合成過程またはＺｒＯ2 の合成後に水洗または酸洗
浄工程を経て精製され、または気相法により作製され
た、αカウントが０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下のＺｒＯ2
粉末を用いることにより、ＺｒＯ2 単味あるいはその他
の化合物との複合系においても、αカウントを０．１Ｄ
ＰＨ／ｃｍ2 以下に制御できるために、ＩＣなどの作動
に対して何ら影響を及ぼすことのないセラミック焼結体
を得ることができる。
2 の合成過程またはＺｒＯ2 の合成後に水洗または酸洗
浄工程を経て精製され、または気相法により作製され
た、αカウントが０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下のＺｒＯ2
粉末を用いることにより、ＺｒＯ2 単味あるいはその他
の化合物との複合系においても、αカウントを０．１Ｄ
ＰＨ／ｃｍ2 以下に制御できるために、ＩＣなどの作動
に対して何ら影響を及ぼすことのないセラミック焼結体
を得ることができる。
【００２７】その結果、ＺｒＯ2 を１モル％以上含有す
るセラミック焼結体を、配線基板や半導体素子収納用パ
ッケージ、半導体部品の製造用の粉砕メディア、半導体
製造用部品などの各種の半導体関連部品として使用する
ことができる。
るセラミック焼結体を、配線基板や半導体素子収納用パ
ッケージ、半導体部品の製造用の粉砕メディア、半導体
製造用部品などの各種の半導体関連部品として使用する
ことができる。
【００２８】
【実施例】ＺｒＯ2 原料として、表１のＺｒＯ2 原料を
準備した。なお、プラズマ合成法は、純度９９．９％の
ＺｒＣｌ4 を用いてＺｒＣｌ4 を気化させ、１２００℃
以上のプラズマ中でＯ2 と反応させて作製したＺｒＯ2
粉末である。また、アルコキシド法は、純度９９．９％
のＺｒＣｌ4 を用いて前記化１に基づき、Ｚｒのアルコ
キシドを合成したのち、さらに前記化２に基づき加水分
解したものを仮焼して作製したＺｒＯ2 粉末を得、さら
にＨＣｌ５％液で２４時間洗浄した。さらに，共沈法
は、（３）ＺｒＯＣｌ2 ・８Ｈ2 Ｏを水に溶解し、ＹＣ
ｌ3 溶液等と混合したものにＮＨ4 ＯＨを添加し、共沈
させたものを純水により水洗して高純度化を図った後、
仮焼して作製したものである。
準備した。なお、プラズマ合成法は、純度９９．９％の
ＺｒＣｌ4 を用いてＺｒＣｌ4 を気化させ、１２００℃
以上のプラズマ中でＯ2 と反応させて作製したＺｒＯ2
粉末である。また、アルコキシド法は、純度９９．９％
のＺｒＣｌ4 を用いて前記化１に基づき、Ｚｒのアルコ
キシドを合成したのち、さらに前記化２に基づき加水分
解したものを仮焼して作製したＺｒＯ2 粉末を得、さら
にＨＣｌ５％液で２４時間洗浄した。さらに，共沈法
は、（３）ＺｒＯＣｌ2 ・８Ｈ2 Ｏを水に溶解し、ＹＣ
ｌ3 溶液等と混合したものにＮＨ4 ＯＨを添加し、共沈
させたものを純水により水洗して高純度化を図った後、
仮焼して作製したものである。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１の原料を用いて、純度が９９．９％以
上の各種の化合物を用いて、セラミック焼結体を作製し
た。得られた焼結体に対して、αカウントを測定した。
上の各種の化合物を用いて、セラミック焼結体を作製し
た。得られた焼結体に対して、αカウントを測定した。
【００３１】
【表２】
【００３２】表２に示したように、市販のＺｒＯ2 原料
はいずれもαカウントは１ＤＰＨ／ｃｍ2 を越えるもの
であり、これを用いた各種セラミック焼結体において
も、αカウントは非常に大きく１ＤＰＨ／ｃｍ2 を越え
るものであった。
はいずれもαカウントは１ＤＰＨ／ｃｍ2 を越えるもの
であり、これを用いた各種セラミック焼結体において
も、αカウントは非常に大きく１ＤＰＨ／ｃｍ2 を越え
るものであった。
【００３３】そこで、本発明に基づきαカウントを処理
により低減したＺｒＯ2 原料を用いて作製した焼結体
は、いずれもαカウントは０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下で
あり、これによりいずれの焼結体も半導体用として使用
できることを確認した。
により低減したＺｒＯ2 原料を用いて作製した焼結体
は、いずれもαカウントは０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下で
あり、これによりいずれの焼結体も半導体用として使用
できることを確認した。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、Ｚ
ｒＯ2 を１モル％以上含有するセラミック焼結体におけ
るαカウントを０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下に低減できる
ことからＩＣ等への影響を低減することができる結果、
ＺｒＯ2 の優れた特性を生かしたセラミック焼結体をあ
らゆる半導体用の部品として使用することができる。
ｒＯ2 を１モル％以上含有するセラミック焼結体におけ
るαカウントを０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下に低減できる
ことからＩＣ等への影響を低減することができる結果、
ＺｒＯ2 の優れた特性を生かしたセラミック焼結体をあ
らゆる半導体用の部品として使用することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】ＺｒＯ2 を１モル％以上含有するセラミッ
ク焼結体であって、αカウントが０．１ＤＰＨ／ｃｍ2
以下であることを特徴とする半導体用セラミック焼結
体。 - 【請求項２】ＺｒＯ2 の安定化材、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 のうちの少
なくとも１種以上を含有する請求項１記載の半導体用セ
ラミック焼結体。 - 【請求項３】ＺｒＯ2 を１モル％以上含有するセラミッ
ク焼結体を製造するにあたり、ＺｒＯ2 の合成過程また
はＺｒＯ2 の合成後に水洗または酸洗浄工程を経て精製
され、または気相法により作製された、αカウントが
０．１ＤＰＨ／ｃｍ2 以下のＺｒＯ2 粉末を用いたこと
を特徴とする半導体用セラミック焼結体の製造方法。 - 【請求項４】ＺｒＯ2 の安定化材、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 のうちの少
なくとも１種以上を含有する請求項３記載の半導体用セ
ラミック焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7165875A JPH0920561A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体用セラミック焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7165875A JPH0920561A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体用セラミック焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0920561A true JPH0920561A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15820646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7165875A Pending JPH0920561A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体用セラミック焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0920561A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7255898B2 (en) | 2000-12-29 | 2007-08-14 | Lam Research Corporation | Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof |
| JP2019194351A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-11-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | プラズマ環境にあるチャンバ構成要素のためのＹ２Ｏ３−ＺｒＯ２耐エロージョン性材料 |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP7165875A patent/JPH0920561A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7255898B2 (en) | 2000-12-29 | 2007-08-14 | Lam Research Corporation | Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof |
| JP2019194351A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-11-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | プラズマ環境にあるチャンバ構成要素のためのＹ２Ｏ３−ＺｒＯ２耐エロージョン性材料 |
| US11667577B2 (en) | 2018-03-07 | 2023-06-06 | Applied Materials, Inc. | Y2O3—ZrO2 erosion resistant material for chamber components in plasma environments |
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