JPH09204772A - デュアルポート型画像用半導体記憶装置 - Google Patents

デュアルポート型画像用半導体記憶装置

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JPH09204772A
JPH09204772A JP1405696A JP1405696A JPH09204772A JP H09204772 A JPH09204772 A JP H09204772A JP 1405696 A JP1405696 A JP 1405696A JP 1405696 A JP1405696 A JP 1405696A JP H09204772 A JPH09204772 A JP H09204772A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】描画性能の向上をはかると共に、描画性能を低
下させることなくデータの退避やデータの移動ができる
ようにする。 【解決手段】メモリセルアレイ部1の下位側及び上位側
のカラムアドレスそれぞれと対応して第1及び第2の下
位側トランスファゲートTGa1,TGa2及び下位側
データレジスタDRa1,DRa2並びに上位側トラン
スファゲートTGb1,TGb2及び上位側データレジ
スタDRb1,DRb2を設ける。第1及び第2のうち
の一方の下位側及び上位側のトランスファゲート(例え
ばTGa1,TGb1)とデータレジスタ(DRa1,
DRb1)とによりメモリセルアレイ部1とのデータ転
送を行い、他方で外部回路とのデータの入出力を行うよ
うに制御し、かつバイナリバウンダリジャンプ機能の制
御を行うシリアルアドレス制御部23及びタイルマップ
制御部24を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はデュアルポート型画
像用半導体記憶装置に関し、特に複数のトランスファゲ
ート及びシリアルレジスタを有するデュアルポート型画
像用半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のデュアルポート型画像用半導体記
憶装置においては、上位カラム(列)側及び下位カラム
側それぞれに1組づつのトランスファゲートとデータレ
ジスタとを有し、データ入出力中の上位カラム(0〜2
55番地)(または下位カラム(256〜511番
地))のシリアルポートにはメモリセルアレイ部との間
でデータを転送できない代わりに、データ入出力してい
ない状態の下位カラム(または上位カラム)のシリアル
ポートには、データ出力中のカラム側とは無関係にメモ
リセルアレイ部との間でデータを転送できる、スプリッ
トデータ転送機能を有していた。また、クロック信号の
入力によりデータの出力を行うシリアルポートにおい
て、内部のアドレス空間をn(nは10進数で2のべき
乗の値)等分し、その分割したアドレスポイントで上位
カラム(または下位カラム)から下位カラム(または上
位カラム)にアクセスポイントを飛ばすことのできるバ
イナリバウンダリジャンプ機能を有していた。
【0003】これら2つの機能により、上位システムの
画面表示におけるアドレス管理方法の一つであるタイル
マップ技法を実現できる。
【0004】一般的なCRT表示装置における画面表示
時のアドレス管理方法はスキャンラインマップ法といわ
れ、CRT表示画面のスキャンラインとデュアルポート
型画像用半導体記憶装置のロウ(行)アドレスとを1対
1もしくは1対複数に対応させ、同一スキャンライン上
にできるだけ多くのデュアルポート型画像用半導体記憶
装置のロウアドレス上のデータを並べるようにする方法
がとられている。しかし、この方法では、画素データの
書き換えが発生した際、スキャンライン方向の書き換え
は、デュアルポート型画像用半導体記憶装置の高速ペー
ジモードアクセスやそれに類する同一ロウアドレス上の
データを連続してアクセスするアクセス方法により高速
に行えるが、スキャンラインに対して垂直方向の書き換
えが発生した際は、高速ページモードアクセスやそれに
類する同一ロウアドレス上のデータを連続してアクセス
するアクセス方法が使用できず、完全なランダムアクセ
スとなる。このランダムアクセス時は、各サイクルにデ
ュアルポート型画像用半導体記憶装置固有のワード線の
プリチャージ時間が必要となるため、画素データの書き
換え性能(以下描画性能とする)は、スキャンライン方
向のそれと比較し著しく低下する。
【0005】この描画性能の低下を防ぐ方法が、画面表
示におけるアドレス管理方法の一つであるタイルマップ
技法である。このタイルマップ技法を、従来の128K
ワード×8ビット構成の2Mビットのデュアルポート型
画像用半導体記憶装置を用い、1024×768ドット
の72HzノーインタレスのCRT表示装置に256色
で表示する場合を例に考える。
【0006】このCRT表示装置に使用されるデュアル
ポート型画像用半導体記憶装置の一例を図3に示す。な
お、図3には示されていないが、ロウアドレス及びカラ
ムアドレスにより指定される1つのアドレスには8ビッ
ト1ワード分のデータが記憶され、この1ワード分のデ
ータを基本単位として同時,並列に転送,授受,入出力
される。
【0007】このデュアルポート型画像用半導体記憶装
置100は、所定のビット数(256×8ビット)のデ
ータを1単位とする2単位のデータを同一行の下位側
(0〜255番地)及び上位側(256〜511番地)
のカラムアドレスに対応して記憶する複数行を含み選択
された行に対し2単位のデータの読出し,書込みを行う
メモリセルアレイ部1と、ロウアドレス信号に従ってメ
モリセルアレイ部1の複数行のうちの1行を選択するロ
ウアドレスバッファ回路2及びロウアドレスデコーダ3
と、カラムアドレス信号を取込んで出力するカラムアド
レスバッファ回路4と、RAMポートを構成する入力バ
ッファ回路11,入力データ制御部12,出力バッファ
回路13,カラムアドレスデコーダ14及びセンス増幅
回路15と、カラムアドレスバッファ回路4からのカラ
ムアドレス信号を取込みストップアドレスAsp及びス
タートアドレスAstを設定し出力するStopレジス
タ21及びTAPレジスタ22と、メモリセルアレイ部
1の下位側のカラムアドレスと対応して設けられ所定の
タイミングで選択された行の上記下位側のカラムアドレ
スとの間でデータの転送,授受を行う下位側トランスフ
ァゲートTGa及び下位側データレジスタDRaと、メ
モリセルアレイ部1の上位側のカラムアドレスと対応し
て設けられ所定のタイミングで選択された行の上記上位
側のカラムアドレスとの間でデータの転送,授受を行う
上位側トランスファゲートTGb及び上位側データレジ
スタDRbと、下位側データレジスタDRa及び上位側
データレジスタDRbとの間のデータの授受並びにシリ
アル出力バッファ回路27及びシリアル入力バッファ回
路28を介して外部回路との間でシリアルデータの入出
力を行うシリアルポート・カラムデコーダ25及びシリ
アルポート・IOバス回路26と、ストップアドレスA
sp及びスタートアドレスAstに応じ、またシリアル
クロック信号SCKに同期してシリアルポート・カラム
デコーダ25及びシリアルポート・IOバス回路26に
よるシリアルデータの入出力制御、及び下位側及び上位
側のカラムアドレス間のアクセスポイントのジャンプ動
作制御を行うシリアルアドレス制御部23xとを有する
構成となっている。
【0008】このデュアルポート型画像用半導体記憶装
置100を4個使用し、図4に示すような上位システム
のCRT表示システムを構成する。図5(A)〜(C)
に示すように、CRT表示部300のCRT表示画面3
01を形成する画素を、水平方向に64ドット、垂直方
向に16ラインをもつタイルの複数行(48行),複数
列(16列)に区分し、図6に示すように、タイルTI
の1つと対応するデータをメモリセルアレイ部1の1行
の下位側及び上位側のカラムアドレスのうちの一方の1
単位のデータと対応させる。また、64ドット(4×1
6ドット)×16ラインのタイルTIにマッピングする
ため、512カラム分のデータを16カラム毎(1つの
タイルTIの1ライン分)に区切り、4個のデュアルポ
ート型画像用半導体記憶装置100−1〜100〜4の
16カラム×16の1行の下位側又は上位側のカラムア
ドレスのデータを対応させる。16カラム毎の区切りを
Stopレジスタ21からのストップアドレスAspで
行うことによりバイナリバウンダリジャンプ機能が実行
される。
【0009】このような対応関係により、各タイルTI
の同一スキャンライン上の互いに対応する位置の4ドッ
トと対応するデュアルポート型画像用半導体記憶装置1
00−1〜100−4のアドレス(A8,A7〜A0)
は、下位側8ビット(A7〜A0)が同一アドレスとな
る。例えば、図5(B),(C)に示すように、最上段
のラインの左端のアドレスの下位側8ビットは全てのタ
イルで(0000,0000)、最下段の左端では(1
111,0000)となる。
【0010】このように、個々のタイルTIは、すべて
デュアルポート型画像用半導体記憶装置の同一ロウアド
レス上のデータにより成り立っているため、描画の際は
縦横斜めいずれの方向にも高速ページモードアクセスや
それに類する同一ロウアドレス上のデータを連続してア
クセスするアクセス方法が使用でき、どの方向にも均一
で高速な描画を実現していた。
【0011】さらに、このデュアルポート型画像用半導
体記憶装置100はシリアルポートから入力されるシリ
アルデータをメモリセルアレイ部1へ転送するため、ラ
イトデータ転送が可能であるが、このタイルマップ技法
の際は、ライトデータ転送とリードデータ転送を組み合
わせ、あるタイルにあたるロウアドレス上のデータをメ
モリセルアレイ部1からシリアルポートのデータレジス
タにリードデータ転送し、その後ライトデータ転送を用
いてタイル内のすべてのデータを、あるロウアドレス上
のメモリセルに転送することにより、ある表示空間(オ
ンスクリーン)もしくは非表示空間(オフスクリーン)
に複写、移動することができる。
【0012】なお、ストップアドレスはCASビフォー
RASリフレッシュサイクル時のアドレスA0〜A7の
信号レベルの組み合わせにより定義し、スタートアドレ
スはデータ転送サイクルのカラムアドレスA0〜A7に
より定義している。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】この従来のデュアルポ
ート型画像用半導体記憶装置では、タイルマップ技法に
より、1ラインずつ描画して1フィールド分の表示を行
う場合、下位カラム,上位カラムが切り換る度にデータ
転送が必要となり、1ラインにつき16回のデータ転送
サイクルが必要となるので、1フィールドのライン数が
768ラインであることから16(回/ライン)×76
8(ライン)=12288(回)のデータ転送サイクル
が必要となる。これを時間に換算すると、デュアルポー
ト型画像用半導体記憶装置の通常のRASサイクルが約
140nsであることから、1回のデータ転送サイクル
につき140ns占有することになる。よって1フィー
ルドの画面表示に要するこの占有時間は、12288
(回/フィールド)×140(ns)=1.7(ms/
フィールド)となる。72HzのノーインタレスCRT
の1フィールド表示に要する時間は約13msであるの
で、その約13%もの間リードデータ転送サイクルだけ
で占有することになり、描画効率がスキャンラインマッ
プ技法と比較して低下するという問題があった。この表
示に要する時間はCRTの表示ドット数の増加と、CR
Tのリフレッシュレートの増加に比例して増加する。
【0014】また、CRT表示画面上に表示されていな
いオフスクリーン部分に対するタイル上のデータを退避
する場合や、オンスクリーンへのタイル上のデータ移動
にシリアルポートのデータレジスタを利用し、元のロウ
アドレス上のデータをデータレジスタにリードデータ転
送し、その後すぐにデータレジスタから複写したい先の
ロウアドレス上のメモリセルへデータをライトデータ転
送することで実現する場合には、シリアルポートのデー
タ入出力動作を停止してから実行せねばならないため、
表示期間中に以上の動作ができず描画サイクルを占有し
描画性能を低下させるといった問題があった。
【0015】本発明の目的は、描画性能の向上をはかる
と共に、描画性能を低下させることなくデータの退避や
データの移動ができるデュアルポート型画像要半導体記
憶装置を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明のデュアルポート
型画像用半導体記憶装置は、所定のビット数のデータを
1単位とする2単位のデータを同一行の下位側及び上位
側の列アドレスに対応して記憶する複数行を含み選択さ
れた行に対し前記2単位のデータの読出し,書込みを行
うメモリセルアレイ部と、このメモリセルアレイ部の下
位側の列アドレスと対応して設けられ選択された行の前
記下位側の列アドレスとの間でそれぞれ所定のタイミン
グでデータの転送,授受を行う第1及び第2の下位側の
トランスファゲート及びデータレジスタと、前記メモリ
セルアレイ部の上位側の列アドレスと対応して設けられ
選択された行の前記上位側の列アドレスとの間でそれぞ
れ所定のタイミングでデータの転送,授受を行う第1及
び第2の上位側のトランスファゲート及びデータレジス
タと、前記第1及び第2の下位側及び上位側のデータレ
ジスタとの間のデータの授受並びに外部回路との間のシ
リアルデータの入出力を行うIOバス回路及び列デコー
ダとを備え、前記第1及び第2のうちの一方の下位側及
び上位側のトランスファゲート及びデータレジスタによ
り前記メモリセルアレイ部とのデータの転送,授受を行
う共に他方の下位側及び上位側のデータレジスタ並びに
前記IOバス回路及び列デコーダにより外部回路とのシ
リアルデータの入出力を行うようにし、かつスタートア
ドレス及びストップアドレスに応じて前記下位側及び上
位側の列アドレス間のアクスセポイントのジャンプ動作
を行うようにして構成され、また、上位システムのCR
T表示画面を形成する複数の画素を、水平方向に所定ド
ット数、垂直方向に所定ライン数をもつタイルの複数
行,複数列に区分し、前記タイルの1つと対応するデー
タをメモリセルアレイ部の1行の下位側及び上位側の列
アドレスのうちの一方の1単位のデータと対応するよう
にして構成される。
【0017】また、シリアルポート選択信号及びデータ
転送要求信号に従って第1及び第2のうちの一方の下位
側及び上位側のトランスファゲート及びデータレジスタ
とメモリセルアレイ部との間のデータの転送,授受動作
を制御し、スタートアドレス及びストップアドレスに応
じかつシリアルクロック信号に同期して前記第1及び第
2のうちの他方の下位側及び上位側のデータレジスタと
外部回路との間のデータのパラレル・シリアル,シリア
ル・パラレル変換動作及びデータの授受,入出力動作を
制御し、前記スタートアドレス及びストップアドレスに
応じて下位側及び上位側の列アドレス間のアクセスポイ
ントのジャンプ動作を制御するタイルマップ制御部及び
シリアルアドレス制御部を有している。
【0018】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
【0019】図1は本発明の一実施の形態を示すブロッ
ク図である。
【0020】この実施の形態において、メモリセルアレ
イ部1,ロウアドレスバッファ回路2,ロウアドレスデ
コーダ3及びカラムアドレスバッファ回路4等のシリア
ルポート及びRAMポート共用部分、及び入力バッファ
回路11からセンス増幅回路15までのRAMポート部
分は、図3に示された従来のデュアルポート型画像用半
導体記憶装置(以下従来例という)と同様であり、シリ
アルポート部分が従来例と相違している。
【0021】この実施の形態のシリアルポート部分は、
メモリセルアレイ部1の下位側のカラムアドレス(0〜
255)と対応して設けられ選択された行のこの下位側
のカラムアドレスとの間でそれぞれ所定のタイミングで
データの転送,授受を行う第1の下位側トランスファゲ
ートTGa1及び下位側データレジスタDRa1並びに
第2の下位側トランスファゲートTGa2及び下位側デ
ータレジスタDRa2と、メモリセルアレイ部1の上位
側のカラムアドレス(256〜511)と対応して設け
られ選択された行のこの上位側のカラムアドレスとの間
でそれぞれ所定のタイミングでデータの転送,授受を行
う第1の上位側トランスファゲートTGb1及び上位側
データレジスタDRb1並びに第2の上位側トランスフ
ァゲートTGb2及び上位側データレジスタDRb2
と、第1及び第2の下位側データレジスタDRa1,D
Ra2及び上位側レジスタDRb1,DRb2との間の
データの授受,並びに外部回路との間のシリアルデータ
の入出力をシリアル出力バッファ回路27及びシリアル
入力バッファ回路28を介して行うシリアルポート・カ
ラムデコーダ25及びシリアルポート・IOバス回路2
6と、カラムアドレスバッファ回路4からのカラムアド
レス信号を取込みストップアドレスAsp及びスタート
アドレスAstを設定し出力するStopレジスタ21
及びTAPレジスタ22と、シリアルポート選択信号S
PS,データ転送要求信号DTR,シリアルクロック信
号SCK,ストップアドレスAsp及びスタートアドレ
スAstに従って第1,第2の下位側トランスファゲー
トTGa1,TGa2及び上位側トランスファゲートT
Gb1,TGb2、第1,第2の下位側データレジスタ
DRa1,DRa2及び上位側データレジスタDRb
1,DRb2、並びにシリアルポート・カラムデコーダ
25及びシリアルポート・IOバス回路26の動作を制
御するシリアルアドレス制御部23及びタイルマップ制
御部24とを有する構成となっている。
【0022】なお、シリアルアドレス制御部23及びタ
イルマップ制御部24は、第1及び第2のうちの一方の
下位側トランスファゲート(例えばTGa1),上位側
トランスファゲート(TG1)及び下位側データレジス
タ(DRa1),上位側データレジスタ(DRb1)に
よりメモリセルアレイ部1とのデータの転送,授受を行
うと共に、他方の下位側データレジスタ(DRa2),
上位側データレジスタ(DRb2)及びシリアルポート
・カラムデコーダ25,シリアルポート・IOバス回路
26により外部回路とのシリアルデータの入出力を行
い、かつ、スタートアドレスAst及びストップアドレ
スAspに応じて下位側及び上位側のカラムアドレス間
のアクセスポイントのジャンプ動作を行うように制御す
る。
【0023】タイルマップ制御部24は、シリアルポー
ト選択信号SPSを受け第1,第2のうちのどちらか一
方の下位側,上位側のデータレジスタからデータを出力
し、他方のデータレジスタにデータを転送するか等を決
定する。また、スタートアドレスをTAPレジスタ22
から受け取り、新しくスタートアドレスデータを書き換
えない限り、第1,第2のうちの一方のデータレジスタ
の下位側と上位側との間のアクセスポイントのジャンプ
において、TAPレジスタ22の値がそのまま使われ
る。
【0024】例えば、第1の下位側データレジスタDR
a1のストップアドレスでアクセスポイントがジャンプ
し、第1の上位側データレジスタDRb1のスタートア
ドレスの位置にアクセスが飛ぶ場合、下位側のストップ
アドレスの位置にアクセスが移る以前に、タイルマップ
制御部24はその時点で既にTAPレジスタ22に格納
されているアドレスを上位側のスタートアドレスとして
認識し、外部からのデータ転送リクエストがなくても、
ストップアドレスデータを参照し、シリアルクロック信
号SCKによりアドレスをカウントしているシリアルア
ドレス制御部23からの、ストップアドレスでのアクセ
スジャンプ要求信号TJRを受け、タイルマップ制御部
24は、内部で下位側上位側へのアクセスのジャンプを
行う。
【0025】この2組のトランスファゲートとデータレ
ジスタにより、従来例では不可能であった、データ入出
力中の上位側または下位側のカラムのシリアルポートに
もデータ表示に必要なデータがあらかじめデータ入出力
をしていないデータレジスタに転送できる。これによ
り、第1のデータレジスタの下位側から上位側のデータ
入出力を実行しているあいだに第2のデータレジスタの
下位側および上位側に、現在第1のデータレジスタから
表示している画面のタイルの次に並ぶタイル上のデータ
を転送できる。また、第2のデータレジスタへのリード
データ転送の際、外部からのデータ転送要求信号DTR
及びカラムアドレス入力により、TAPレジスタ22
に、下位側のデータレジスタ(DRa2)のスタートア
ドレスが格納され、第1のデータレジスタ1のストップ
アドレスでスタートアドレスにアクセスが飛ぶようタイ
ルマップ制御部24が制御する。
【0026】図2はこの実施の形態のシリアルポート部
分の主要部の1ビット分の読出し回路系(データ出力
系)の一例を示す回路図である。なお、書込み回路系
(データ入力系)の回路も同様に構成することができ
る。
【0027】DフリップフロップFFのQ出力により第
1,第2のうちのどちらのトランスファゲート及びデー
タレジスタが読出し(出力)可能で、どちらのトランス
ファゲート及びデータレジスタへならデータが転送が可
能かをシリアルポートアクティブモード信号SPAによ
り認識ができる。この信号の反転信号をシリアルポート
選択信号SPSとして入力すると、外部からのデータ転
送要求信号DTRを受け、リードデータ転送する際に次
に転送可能な第1もしくは第2のトランスファゲートの
開閉を制御することができる。
【0028】さらに、このシリアルポートアクティブモ
ード信号SPAにより第1,第2のうちのどちらのトラ
ンスファゲート及びデータレジスタがデータ入出力中で
あるかを検出することで、データ入出力をしていないト
ランスァゲート及びデータレジスタを使って、CRT表
示画面上に表示されていないオフスクリーン部分に対す
るタイル上のデータの退避や、オンスクリーンへのタイ
ル上のデータ移動がリードデータ転送とライトデータ転
送の組み合わせで実現できる。これは、一方のデータレ
ジスタがデータ入出力の際にも、他方のデータレジスタ
は無関係にリードデータ転送/ライトデータ転送を行え
るため実現できるものである。
【0029】また、この実施の形態においては、1回の
リードデータ転送サイクルで同一スキャンライン上にあ
る隣接する2つのタイルのデータを同一サイクル内に転
送できるため、1024×768ドットの72Hzノー
インタレスCRT表示を行う場合、1フィールド表示に
必要なリードデータ転送サイクルが従来例の1/2つま
り6288回となるので、リードデータ転送に要する時
間は、0.88(ms/フィールド)に短縮される。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、メモリセ
ルアレイ部の下位側及び上位側の列アドレスそれぞれと
対応して2組のトランスファゲート及びデータレジスタ
を設け、一方の組の下位側及び上位側のトランスファゲ
ート及びデータレジスタによりメモリセルアレイ部との
間のデータ転送を行い他方の組の下位側及び上位側のデ
ータレジスタにより外部回路との間の下位側及び上位側
のデータレジスタにより外部回路との間のデータの入出
力を行う構成とすることにより、1回のリードデータ転
送サイクルで同一スキャンライン上の隣接する2つのタ
イルのデータを同一サイクル内で転送できるので、リー
ドデータ転送サイクルを従来例の1/2にすることがで
きて描画性能を向上させることができ、一方の組のデー
タレジスタがデータ入出力の際にも、他方の組は無関係
にリードデータ転送/ライトデータ転送を行えるため、
CRT表示画面上に表示されていないオフスクリーン部
分に対するタイル上のデータの退避や、オンスクリーン
へのタイル上のデータ移動がリードデータ転送サイクル
とライトデータ転送サイクルの組み合わせで、シリアル
ポートの動作を停止することなしに実現でき、また、こ
うした動作が、データ転送サイクル2回(これはランダ
ムポートのランダムアクセスサイクル2回に四敵)と同
等の時間でできるため、描画性能をさらに高めることが
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を示すブロック図であ
る。
【図2】図1に示された実施の形態の主要部分の読出し
回路系の1ビット分の具体的な回路例を示す回路図であ
る。
【図3】従来のデュアルポート型画像用半導体記憶装置
の一例を示すブロック図である。
【図4】図3に示されたデュアルポート型画像用半導体
記憶装置を使用した上位システムのブロック図である。
【図5】図4に示された上位システムのCRT表示画面
の画素データとデュアルポート型画像用半導体記憶装置
のデータとの関連づけを説明するためのCRT表示画面
の画素配置図である。
【図6】図4に示された上位システムのCRT表示画面
上のタイルのデータとデュアルポート型画像用半導体記
憶装置の記憶領域との対応関係を示すメモリマップであ
る。
【符号の説明】
1 メモリセルアレイ部 2 ロウアドレスバッファ回路 3 ロウアドレスデコーダ 4 カラムアドレスバッファ回路 21 Stopレジスタ 22 TAPレジスタ 23,23x シリアルアドレス制御部 24 タイルマップ制御部 25 シリアルポート・カラムデコーダ 26 シリアルポート・IOバス回路 DRa,DRa1,DRa2 下位側データレジスタ DRb,DRb1,DRb2 上位側データレジスタ TGa,TGa1,TGa2 下位側トランスファゲ
ート TGb,TGb1,TGb2 上位側トランスファゲ
ート TI タイル

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定のビット数のデータを1単位とする
    2単位のデータを同一行の下位側及び上位側の列アドレ
    スに対応して記憶する複数行を含み選択された行に対し
    前記2単位のデータの読出し,書込みを行うメモリセル
    アレイ部と、このメモリセルアレイ部の下位側の列アド
    レスと対応して設けられ選択された行の前記下位側の列
    アドレスとの間でそれぞれ所定のタイミングでデータの
    転送,授受を行う第1及び第2の下位側のトランスファ
    ゲート及びデータレジスタと、前記メモリセルアレイ部
    の上位側の列アドレスと対応して設けられ選択された行
    の前記上位側の列アドレスとの間でそれぞれ所定のタイ
    ミングでデータの転送,授受を行う第1及び第2の上位
    側のトランスファゲート及びデータレジスタと、前記第
    1及び第2の下位側及び上位側のデータレジスタとの間
    のデータの授受並びに外部回路との間のシリアルデータ
    の入出力を行うIOバス回路及び列デコーダとを備え、
    前記第1及び第2のうちの一方の下位側及び上位側のト
    ランスファゲート及びデータレジスタにより前記メモリ
    セルアレイ部とのデータの転送,授受を行う共に他方の
    下位側及び上位側のデータレジスタ並びに前記IOバス
    回路及び列デコーダにより外部回路とのシリアルデータ
    の入出力を行うようにし、かつスタートアドレス及びス
    トップアドレスに応じて前記下位側及び上位側の列アド
    レス間のアクスセポイントのジャンプ動作を行うように
    したことを特徴とするデュアルポート型画像用半導体記
    憶装置。
  2. 【請求項2】 上位システムのCRT表示画面を形成す
    る複数の画素を、水平方向に所定ドット数、垂直方向に
    所定ライン数をもつタイルの複数行,複数列に区分し、
    前記タイルの1つと対応するデータをメモリセルアレイ
    部の1行の下位側及び上位側の列アドレスのうちの一方
    の1単位のデータと対応するようにした請求項1記載デ
    ュアルポート型画像用半導体記憶装置。
  3. 【請求項3】 シリアルポート選択信号及びデータ転送
    要求信号に従って第1及び第2のうちの一方の下位側及
    び上位側のトランスファゲート及びデータレジスタとメ
    モリセルアレイ部との間のデータの転送,授受動作を制
    御し、スタートアドレス及びストップアドレスに応じか
    つシリアルクロック信号に同期して前記第1及び第2の
    うちの他方の下位側及び上位側のデータレジスタと外部
    回路との間のデータのパラレル・シリアル,シリアル・
    パラレル変換動作及びデータの授受,入出力動作を制御
    し、前記スタートアドレス及びストップアドレスに応じ
    て下位側及び上位側の列アドレス間のアクセスポイント
    のジャンプ動作を制御するタイルマップ制御部及びシリ
    アルアドレス制御部を有する請求項1記載のデュアルポ
    ート型画像用半導体記憶装置。
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JP2004192694A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置

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