JPH09200598A - 画素信号補正装置 - Google Patents
画素信号補正装置Info
- Publication number
- JPH09200598A JPH09200598A JP8023102A JP2310296A JPH09200598A JP H09200598 A JPH09200598 A JP H09200598A JP 8023102 A JP8023102 A JP 8023102A JP 2310296 A JP2310296 A JP 2310296A JP H09200598 A JPH09200598 A JP H09200598A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素信号補正用記憶装置の容量が少なくて済
み、特にカメラの焦点検出に適合した画素信号補正装置
を提供する。 【解決手段】 複数の光電変換素子（１）と、光電変換
素子からの出力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換回路
（２）と、複数の光電変換素子の暗時出力の補正量に関
するデータを格納する記憶装置（４）と、Ａ／Ｄ変換回
路（２）の出力信号を補正処理する制御装置（３）とを
具備し、制御装置（３）は、複数の光電変換素子中の特
定の画素に対してのみ、補正処理を行う。
み、特にカメラの焦点検出に適合した画素信号補正装置
を提供する。 【解決手段】 複数の光電変換素子（１）と、光電変換
素子からの出力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換回路
（２）と、複数の光電変換素子の暗時出力の補正量に関
するデータを格納する記憶装置（４）と、Ａ／Ｄ変換回
路（２）の出力信号を補正処理する制御装置（３）とを
具備し、制御装置（３）は、複数の光電変換素子中の特
定の画素に対してのみ、補正処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カメラの焦点検出
に最適な画素信号補正装置に関するものである。
に最適な画素信号補正装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＣＣＤイメージセンサ等の固
体撮像素子が、カメラの焦点検出用に用いられている。
この種の電荷蓄積型センサでは、入射光に関係なく発生
する暗電流成分が、特に被写体が低輝度時においては焦
点検出性能に限界を与えている。即ち、低輝度時には所
定の信号出力を得るためにセンサの蓄積時間を長くする
が、この時の暗時出力成分は蓄積時間に比例して発生
し、暗電流成分と信号成分の比（Ｓ／Ｎ）が低下するか
らである。このため暗電流成分を補償する装置が、例え
ばＵＳＰ５，１３２，８０１に開示されている。
体撮像素子が、カメラの焦点検出用に用いられている。
この種の電荷蓄積型センサでは、入射光に関係なく発生
する暗電流成分が、特に被写体が低輝度時においては焦
点検出性能に限界を与えている。即ち、低輝度時には所
定の信号出力を得るためにセンサの蓄積時間を長くする
が、この時の暗時出力成分は蓄積時間に比例して発生
し、暗電流成分と信号成分の比（Ｓ／Ｎ）が低下するか
らである。このため暗電流成分を補償する装置が、例え
ばＵＳＰ５，１３２，８０１に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この暗
時出力をすべての画素毎に補正すると、受光画素数が多
い場合にはそれだけ補正データを格納しておく半導体記
憶装置（例えばＥＥＰＲＯＭ）の容量が増大することに
なる。
時出力をすべての画素毎に補正すると、受光画素数が多
い場合にはそれだけ補正データを格納しておく半導体記
憶装置（例えばＥＥＰＲＯＭ）の容量が増大することに
なる。
【０００４】図２に示したように、特に一眼レフカメラ
の焦点検出用として、一対の被写体像の出力信号（図３
参照）の相対的なズレ量から撮影レンズのデフォーカス
量を求める応用例においては、Ａ列およびＢ列の画素出
力の絶対黒レベルが必ずしも必要でないので、仮にすべ
ての画素に均一に暗出力が重畳されていたとしても、焦
点検出自体にさほど影響はない（図３（ａ）および
（ｂ）参照）。このような用途では、図３（ｃ）のＢ
列’に示されるように、暗時出力の不均一性がむしろ焦
点検出の障害となる。
の焦点検出用として、一対の被写体像の出力信号（図３
参照）の相対的なズレ量から撮影レンズのデフォーカス
量を求める応用例においては、Ａ列およびＢ列の画素出
力の絶対黒レベルが必ずしも必要でないので、仮にすべ
ての画素に均一に暗出力が重畳されていたとしても、焦
点検出自体にさほど影響はない（図３（ａ）および
（ｂ）参照）。このような用途では、図３（ｃ）のＢ
列’に示されるように、暗時出力の不均一性がむしろ焦
点検出の障害となる。
【０００５】この暗時出力は、熱励起によるものや製造
プロセス的に発生するものは比較的均一に発生するもの
の、半導体ウェハーの欠陥に依存するものなどは局所的
に発生し、かつ経験的にはその発生個数は比較的少ない
のである。
プロセス的に発生するものは比較的均一に発生するもの
の、半導体ウェハーの欠陥に依存するものなどは局所的
に発生し、かつ経験的にはその発生個数は比較的少ない
のである。
【０００６】本発明では以上の点に鑑み、画素信号補正
用記憶装置の容量が少なくて済み、特にカメラの焦点検
出に適合した画素信号補正装置を提供することを目的と
する。
用記憶装置の容量が少なくて済み、特にカメラの焦点検
出に適合した画素信号補正装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の画素信号補正装置は、複数の光電変換素子
（１）と、光電変換素子からの出力信号をＡ／Ｄ変換す
るＡ／Ｄ変換回路（２）と、複数の光電変換素子の暗時
出力の補正量に関するデータを格納する記憶装置（４）
と、Ａ／Ｄ変換回路（２）の出力信号を補正処理する制
御装置（３）とを具備し、制御装置（３）は、複数の光
電変換素子中の特定の画素に対してのみ、補正処理を行
うように構成されている。
に、本発明の画素信号補正装置は、複数の光電変換素子
（１）と、光電変換素子からの出力信号をＡ／Ｄ変換す
るＡ／Ｄ変換回路（２）と、複数の光電変換素子の暗時
出力の補正量に関するデータを格納する記憶装置（４）
と、Ａ／Ｄ変換回路（２）の出力信号を補正処理する制
御装置（３）とを具備し、制御装置（３）は、複数の光
電変換素子中の特定の画素に対してのみ、補正処理を行
うように構成されている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【０００９】図１は、本発明による画素信号補正装置の
一実施例を示すブロック結線図である。
一実施例を示すブロック結線図である。
【００１０】図１において、光電変換素子列１の出力は
Ａ／Ｄ変換回路２に入力され、暗時出力補正処理回路に
供給される。ＥＥＰＲＯＭで代表される半導体記憶回路
４には、補正すべき画素信号を示す画素番号データ４１
ａ〜４３ａと補正に使用される補正データ４１ｂ〜４３
ｂとが、それぞれ一組となって所定の数だけ格納されて
いる。この補正すべき画素番号データ４１ａ〜４３ａと
補正データ４１ｂ〜４３ｂは、暗時出力補正処理回路３
に入力され、マイクロコンピュータ制御により補正され
た信号が、補正画素信号として得られる。
Ａ／Ｄ変換回路２に入力され、暗時出力補正処理回路に
供給される。ＥＥＰＲＯＭで代表される半導体記憶回路
４には、補正すべき画素信号を示す画素番号データ４１
ａ〜４３ａと補正に使用される補正データ４１ｂ〜４３
ｂとが、それぞれ一組となって所定の数だけ格納されて
いる。この補正すべき画素番号データ４１ａ〜４３ａと
補正データ４１ｂ〜４３ｂは、暗時出力補正処理回路３
に入力され、マイクロコンピュータ制御により補正され
た信号が、補正画素信号として得られる。
【００１１】図５は、本発明に基づく画素信号の補正の
方法を示すフローチャートであり、暗時出力補正処理回
路３内のマイクロコンピュータの動作を示している。こ
こでは、光電変換素子列１から得られた画素はＫ個（例
えば１００個）あるが、そのうち画素補正は暗時出力の
大きいほうから５個の光電出力に対して行うものとす
る。
方法を示すフローチャートであり、暗時出力補正処理回
路３内のマイクロコンピュータの動作を示している。こ
こでは、光電変換素子列１から得られた画素はＫ個（例
えば１００個）あるが、そのうち画素補正は暗時出力の
大きいほうから５個の光電出力に対して行うものとす
る。
【００１２】ステップＳ３００において、補正すべき画
素の変数ｋの初期設定を行う。ステップＳ３０１におい
て、ＣＣＤ画素番号ｎの初期設定を行い、ステップＳ３
０２において、ＥＥＰＲＯＭ４からｋ番目に補正すべき
画素番号ｊを取得する。ついでステップＳ３０３におい
て、対応する画素の補正量に関するデータｃ（ｋ）を取
得しておく。ステップＳ３０４において、ＣＣＤの画素
番号ｎをインクリメントし、ステップＳ３０５におい
て、ＣＣＤ番号ｎがｊに等しくなるまでループさせる。
素の変数ｋの初期設定を行う。ステップＳ３０１におい
て、ＣＣＤ画素番号ｎの初期設定を行い、ステップＳ３
０２において、ＥＥＰＲＯＭ４からｋ番目に補正すべき
画素番号ｊを取得する。ついでステップＳ３０３におい
て、対応する画素の補正量に関するデータｃ（ｋ）を取
得しておく。ステップＳ３０４において、ＣＣＤの画素
番号ｎをインクリメントし、ステップＳ３０５におい
て、ＣＣＤ番号ｎがｊに等しくなるまでループさせる。
【００１３】即ち、ｊに等しいｎを捜して、ステップＳ
３０６において、ＣＣＤデータ（ｎ）を補正データｃ
（ｋ）を用いて補正する。ステップＳ３０７において、
補正すべき画素数ｋのカウント値をインクリメントす
る。ステップＳ３０８において、ｋ＝６の判定を行う。
ｋ＝６ならば５個の画素に対して補正を終わったので、
補正終了とする。ｋ＝６でない場合には、補正すべき画
素がまだあるので、ステップＳ３０１に戻り、上記と同
様の処理を繰り返す。
３０６において、ＣＣＤデータ（ｎ）を補正データｃ
（ｋ）を用いて補正する。ステップＳ３０７において、
補正すべき画素数ｋのカウント値をインクリメントす
る。ステップＳ３０８において、ｋ＝６の判定を行う。
ｋ＝６ならば５個の画素に対して補正を終わったので、
補正終了とする。ｋ＝６でない場合には、補正すべき画
素がまだあるので、ステップＳ３０１に戻り、上記と同
様の処理を繰り返す。
【００１４】図６は、補正データの取得手順を示すフロ
ーチャートである。まず、遮光して光電変換素子出力を
得ておく。ステップＳ４００において、カウンタｐの初
期設定を行う。ステップＳ４０１において、画素出力中
で暗時出力の最も大きい画素を検出する。ステップＳ４
０２において、その画素番号と暗時出力データをＥＥＰ
ＲＯＭ４に格納する。ステップＳ４０３において、次の
格納のために、ＥＥＰＲＯＭ４に格納したアドレスを更
新しておく。ステップＳ４０４では、暗時出力を０に置
換する。これは同じところを再度抽出しないためであ
る。ステップＳ４０５において、ｐをインクリメントす
る。ステップＳ４０６において、ｐ＝６に到達したか否
かを判定する。ｐ＝６でない場合にはステップＳ４０１
に戻り、上記の処理を繰り返す。ｐ＝６の場合には、補
正データの取得を終了する。
ーチャートである。まず、遮光して光電変換素子出力を
得ておく。ステップＳ４００において、カウンタｐの初
期設定を行う。ステップＳ４０１において、画素出力中
で暗時出力の最も大きい画素を検出する。ステップＳ４
０２において、その画素番号と暗時出力データをＥＥＰ
ＲＯＭ４に格納する。ステップＳ４０３において、次の
格納のために、ＥＥＰＲＯＭ４に格納したアドレスを更
新しておく。ステップＳ４０４では、暗時出力を０に置
換する。これは同じところを再度抽出しないためであ
る。ステップＳ４０５において、ｐをインクリメントす
る。ステップＳ４０６において、ｐ＝６に到達したか否
かを判定する。ｐ＝６でない場合にはステップＳ４０１
に戻り、上記の処理を繰り返す。ｐ＝６の場合には、補
正データの取得を終了する。
【００１５】なお、上述した実施例では、半導体記憶装
置（ＥＥＰＲＯＭ４）を用いた場合について説明した
が、半導体記憶装置に限らずハードディスクドライブ等
の記憶装置を用いることもできる。
置（ＥＥＰＲＯＭ４）を用いた場合について説明した
が、半導体記憶装置に限らずハードディスクドライブ等
の記憶装置を用いることもできる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明の画素信号補正装
置によれば、複数の光電変換素子中の全画素にわたって
暗時出力の補正処理を行うのではなく、特定の画素に対
してのみ、補正処理を行うようにしたので、補正量を記
憶するための記憶容量が少ないもので済むという効果が
ある。また、必要以上の補正を行わないので、補正時間
も少なくて済むという効果もある。
置によれば、複数の光電変換素子中の全画素にわたって
暗時出力の補正処理を行うのではなく、特定の画素に対
してのみ、補正処理を行うようにしたので、補正量を記
憶するための記憶容量が少ないもので済むという効果が
ある。また、必要以上の補正を行わないので、補正時間
も少なくて済むという効果もある。
【図１】本発明による画素信号補正装置の一実施例を示
すブロック結線図である。
すブロック結線図である。
【図２】本発明による画素信号補正装置の一実施例を示
す正面図である。
す正面図である。
【図３】本発明による画素信号補正装置の一実施例を示
す特性図である。
す特性図である。
【図４】本発明による画素信号補正装置の一実施例を示
す特性図である。
す特性図である。
【図５】本発明による画素信号補正装置の一実施例を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図６】本発明による画素信号補正装置の一実施例を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
１ 光電変換素子列 ２ Ａ／Ｄ変換回路 ３ 暗時出力補正処理回路 ４ ＥＥＰＲＯＭ（半導体記憶回路） ４１ａ 画素番号データ ４１ｂ 補正データ
Claims (3)
- 【請求項１】複数の光電変換素子と、 前記光電変換素子からの出力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／
Ｄ変換回路と、 前記複数の光電変換素子の暗時出力の補正量に関するデ
ータを格納する記憶装置と、 前記Ａ／Ｄ変換回路の出力信号を補正処理する制御装置
とを具備し、 前記制御装置は、前記複数の光電変換素子中の特定の画
素に対してのみ、補正処理を行うことを特徴とする画素
信号補正装置。 - 【請求項２】前記記憶装置には、補正すべき画素を特定
するためのデータと、暗時出力の補正量に関するデータ
とを格納し、 前記制御装置は、前記補正すべき画素を特定するための
データによって特定されたデータを、前記補正量に関す
るデータに基づいて補正することを特徴とする請求項１
に記載の画素信号補正装置。 - 【請求項３】前記特定の画素とは、前記補正量に関する
データの大きい順に所定数の画素であることを特徴とす
る請求項１および請求項２に記載の画素信号補正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8023102A JPH09200598A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 画素信号補正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8023102A JPH09200598A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 画素信号補正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09200598A true JPH09200598A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=12101105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8023102A Pending JPH09200598A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 画素信号補正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09200598A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015179128A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 |
-
1996
- 1996-01-16 JP JP8023102A patent/JPH09200598A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015179128A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 |
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