JPH09199882A - 温度制御装置 - Google Patents

温度制御装置

Info

Publication number
JPH09199882A
JPH09199882A JP2734996A JP2734996A JPH09199882A JP H09199882 A JPH09199882 A JP H09199882A JP 2734996 A JP2734996 A JP 2734996A JP 2734996 A JP2734996 A JP 2734996A JP H09199882 A JPH09199882 A JP H09199882A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic circuit
temperature
heat sink
circuit device
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2734996A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Koizumi
浩 小泉
Fumio Otomo
文夫 大友
Masayuki Momiuchi
正幸 籾内
Masahiro Oishi
政裕 大石
Yoshiaki Goto
義明 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Topcon Corp
Original Assignee
Topcon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Topcon Corp filed Critical Topcon Corp
Priority to JP2734996A priority Critical patent/JPH09199882A/ja
Publication of JPH09199882A publication Critical patent/JPH09199882A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0092—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element

Landscapes

  • Lasers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 ［目的］ 本発明は、電子回路装置の温度制御装置に係
わり、特に、レーザー装置の温度制御装置に最適なＴＥ
Ｃ（電子冷凍素子）を備えた温度制御装置を提供するこ
とを目的とする。 ［構成］ 本発明は、作動時に発熱を伴う電子回路装置
の温度制御を行うための温度制御装置であって、温度セ
ンサーを電子回路装置に取付け、ヒートシンク手段が、
電子回路装置から生じる発熱を放熱し、第１の調整手段
が、ヒートシンク手段と電子回路装置との伝熱接触面を
可変することにより、伝熱量を調整し、制御手段が、温
度センサーからの出力信号に基づき、第１の調整手段を
制御する様になっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路装置の温
度制御装置に係わり、特に、レーザー装置の温度制御装
置に最適なＴＥＣ（電子冷凍素子）を備えた温度制御装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体レーザーを使用したレー
ザー発振装置が存在しており、多方面に応用されてい
た。
【０００３】昨今では、レーザー技術の飛躍的進歩によ
り、商用電源を使用するレーザー発振装置のみならず、
測量機等の様に、電池駆動により屋外で使用するレーザ
ー発振装置も多用されている。
【０００４】半導体レーザーは長寿命化を図るために、
作動時に温度制御を図る必要がある。特に、第２次高調
波を利用した固体レーザーは、励起用の半導体レーザー
は、長寿命化を図るのみならず、半導体レーザーの発振
波長を、Ｎｄ：ＹＡＧ等のレーザー結晶の吸収波長帯に
整合させる必要があり、更に、ＫＴＰ等の第２高調波発
生（ＳＨＧ）結晶の高調波発生の発生効率を向上させる
ためにも、作動時の温度制御が不可欠である。
【０００５】通常、この温度制御には、充分な大きさを
有するヒートシンクとＴＥＣ（電子冷凍素子）が用いら
れており、半導体レーザーとＴＥＣ（電子冷凍素子）と
ヒートシンクとを互いに密着させ、熱伝導が良好な状態
に保持した上で、ビス止め、或いは、ハンダ付け等の固
定手段により固定されている。
【０００６】図１７は、従来の半導体レーザー励起型第
２高調波固体レーザー１００００を示すもので、半導体
レーザー１０００と、Ｎｄ：ＹＡＧ等のレーザー結晶２
０００と、ＫＴＰ、ＫＤＰ、ＡＤＰ等の第２高調波発生
（ＳＨＧ）結晶３０００と、出力ミラー４０００と、Ｔ
ＥＣ（電子冷凍素子）５０００と、ヒートシンク６００
０とから構成されている。
【０００７】レーザー結晶２０００は、負温度の媒質で
あり、光の増幅を行うためのものである。このレーザー
結晶２０００には、Ｎｄ3+ イオンをドープしたＹＡＧ
（イットリウム アルミニウム ガーネット）等が採用
される。ＹＡＧは、９４６ｎｍ、１０６４ｎｍ、１３１
９ｎｍ等の発振線を有している。
【０００８】レーザー結晶２０００はＹＡＧに限ること
なく、発振線が１０６４ｎｍの（Ｎｄ：ＹＶＯ4 ）や、
発振線が７００〜９００ｎｍの（Ｔｉ：Ｓａｐｐｈｉｒ
ｅ）等を使用することができる。
【０００９】出力ミラー４０００は、レーザー結晶２０
００に対向する様に構成されており、出力ミラー４００
０のレーザー結晶２０００側は、適宜の半径を有する凹
面球面鏡の形状に加工されている。
【００１０】以上の様に、半導体レーザー１０００から
の光束をレーザー結晶２０００にポンピングすると、レ
ーザー結晶２０００と、出力ミラー４０００との間で光
が往復し、光を長時間閉じ込めることができるので、光
を共振させて増幅させることができる。
【００１１】そして半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー１００００は、レーザー結晶２０００と、出
力ミラー４０００との間の光共振器内に非線形光学媒質
であるＫＴＰ、ＫＤＰ、ＡＤＰ等の第２高調波発生（Ｓ
ＨＧ）結晶３０００が挿入されている。
【００１２】ここで、非線形光学効果を簡潔に説明す
る。
【００１３】物質に電界が加わると電気分極が生じる。
この電界が小さい場合には、分極は電界に比例するが、
レーザー光の様に強力なコヒーレント光の場合には、電
界と分極の間の比例関係が崩れ、電界の２乗、３乗に比
例する非線形的な分極成分が卓越してくる。
【００１４】従って、第２高調波発生（ＳＨＧ）結晶３
０００中においては、光波によって発生する分極には、
光波電界の２乗に比例する成分が含まれており、この非
線形分極により、異なった周波数の光波間に結合が生
じ、光周波数を２倍にする高調波が発生する。この第２
次高調波発生（ＳＨＧ）は、ＳＥＣＯＮＤ ＨＡＲＭＯ
ＮＩＣ ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮと呼ばれている。
【００１５】本半導体レーザー励起型第２高調波固体レ
ーザー１００００は、第２高調波発生（ＳＨＧ）結晶３
０００を、レーザー結晶２０００と出力ミラー４０００
とから構成された光共振器内に挿入されているので、内
部型ＳＨＧと呼ばれており、変換出力は、基本波光電力
の２乗に比例するので、光共振器内の大きな光強度を直
接利用できる。
【００１６】第２高調波発生（ＳＨＧ）結晶３０００
は、例えば、ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4リン酸チタニル カ
リウム）やＢＢＯ（βーＢａＢ2Ｏ4 β型ホウ酸リチウ
ム）、ＬＢＯ（ＬｉＢ3Ｏ5 トリホウ酸リチウム）等が
使用され、主に、１０６４ｎｍから５３２ｎｍに変換さ
れる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記半
導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー１００００
の温度制御は、ＴＥＣ（電子冷凍素子）５０００とヒー
トシンク６０００とにより実現されている。
【００１８】ＴＥＣ（電子冷凍素子）５０００は、冷
却、加温が可能な素子であるが、その消費電力は、作動
させる温度差の略２乗に比例して増大するという問題点
がある。即ち、半導体レーザー励起型第２高調波固体レ
ーザー１００００の作動最適温度と、外気温或いはヒー
トシンク６０００の温度との差の略２乗に比例して消費
電力が増加することになる。
【００１９】また、半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー１００００の規模や、発熱量、使用環境（最
適作動温度と外気温との温度差）により、必要とされる
ＴＥＣ（電子冷凍素子）５０００の能力が決定され、そ
の消費電力も異なるが、例えば、２００ｍＷの半導体レ
ーザー１０００でポンピングする半導体レーザー励起型
第２高調波固体レーザー１００００では、最適作動温度
と外気温との温度差を２０℃とすれば、ＴＥＣ（電子冷
凍素子）５０００の消費電力は１Ｗ程度となる。
【００２０】この１Ｗ程度の消費電力は、室内で使用す
る機器や、商用電力等の大容量の電源が用意できる場合
では、特に問題となる電力量ではないが、主に屋外で使
用する測量機や、土木、建築現場等で使用されるレーザ
ー指準器等では、消費電力を無視することができず、内
蔵バッテリーで長時間連続使用する場合や、屋外等の比
較的悪条件のもとで使用する場合には、使用可能時間が
短縮化してしまうという問題点があった。特に、半導体
レーザー励起型第２高調波固体レーザー１００００の最
適作動温度と、外気温との温度差が３０℃以上にも及ぶ
悪条件のもとでは、極端に使用可能時間が短くなるとい
う深刻な問題点があった。
【００２１】そして、半導体レーザーの最適作動温度を
２５℃とすると、上記２００ｍＷ出力の半導体レーザー
では、１Ｗ程度の発熱量があるため、使用環境温度０℃
程度までは、ＴＥＣによる加熱なしに適温まで上昇を期
待できそうであるが、ＴＥＣ（電子冷凍素子）５０００
を介してヒートシンク６０００から放熱され、冷却され
てしまうので、ＴＥＣ（電子冷凍素子）５０００による
加熱が必要となる。
【００２２】従って、低温環境下ではＴＥＣ（電子冷凍
素子）５０００と半導体レーザー励起型第２高調波固体
レーザー１００００との間を分離可能とするか、或い
は、ＴＥＣ（電子冷凍素子）５０００とヒートシンク６
０００とを分離可能とし、ヒートシンク６０００からの
放熱を防止すれば、ＴＥＣ（電子冷凍素子）５０００で
の加熱が不要となり、省電力化を図ることができる。
【００２３】半導体レーザー励起型第２高調波固体レー
ザー１００００の最適作業温度は、温度幅があるので、
ＴＥＣ（電子冷凍素子）５０００を連続作動させず、間
欠動作させることにより省電力化を図ることができる
が、ＴＥＣ（電子冷凍素子）５０００及びヒートシンク
６０００を介しての放熱、或いは加熱を無視することが
できず、実質的にＴＥＣ（電子冷凍素子）５０００の駆
動を停止する時間を得ることができないので、省電力化
を実現することができない。
【００２４】ヒートシンク６０００を分離した時のレー
ザーキャビティ９０００の熱時定数は、ＴＥＣ（電子冷
凍素子）５０００とヒートシンク６０００とが一体とな
っている場合の数倍となるので、ＴＥＣ（電子冷凍素
子）５０００の作動の停止中は、ＴＥＣ（電子冷凍素
子）５０００とレーザー結晶２０００の間、或いは、Ｔ
ＥＣ（電子冷凍素子）５０００とレーザーキャビティ９
０００の間で分離して、ヒートシンク６０００を介して
の放熱或いは加熱を防止すれば、ＴＥＣ（電子冷凍素
子）５０００の作動の停止時間を長期化することがで
き、省電力を実現することができる。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
案出されたもので、作動時に発熱を伴う電子回路装置の
温度制御を行うための温度制御装置であって、該電子回
路装置に取り付けられた温度センサーと、前記電子回路
装置から生じる発熱を放熱するためのヒートシンク手段
と、このヒートシンク手段と前記電子回路装置との伝熱
接触面を可変することにより、伝熱量を調整するための
第１の調整手段と、前記温度センサーからの出力信号に
基づき、前記第１の調整手段を制御するための制御手段
とから構成されている。
【００２６】また本発明は、作動時に発熱を伴う電子回
路装置の温度制御を行うための温度制御装置であって、
該電子回路装置に取り付けられた温度センサーと、前記
電子回路装置から生じる発熱を放熱するためのヒートシ
ンク手段と、前記電子回路装置と該ヒートシンク手段と
の間に設けられた中間伝熱部材と、この中間伝熱部材の
伝熱量を調整するための第２の調整手段と、前記温度セ
ンサーからの出力信号に基づき、前記第２の調整手段を
制御するための制御手段とから構成されている。
【００２７】更に本発明は、中間伝熱部材が、伝熱接触
面積を移動可変とするための移動部材から構成され、第
２の調整手段は、前記移動部材を移動可変することによ
り、伝熱量を調整する手段とすることもできる。
【００２８】そして本発明の中間伝熱部材は、前記電子
回路装置と前記ヒートシンク手段との間に設けられた流
動体であって、第２の調整手段は、前記流動体を流動さ
せることにより、伝熱量を調整する手段とすることもで
きる。
【００２９】また本発明は、第２の調整手段が、前記電
子回路装置と前記ヒートシンク手段とを、中間伝熱部材
を用いて、熱的に接合又は解離させる手段とすることも
できる。
【００３０】更に本発明は、電子回路装置とヒートシン
ク手段の少なくとも１方には、加熱と冷却が可能なＴＥ
Ｃ（電子冷凍素子）が取り付けられており、制御手段
が、第１の制御手段又は第２の制御手段の何れかと共
に、温度制御を行う構成にすることもできる。
【００３１】そして本発明は、電子回路装置がレーザー
発振装置であり、前記温度センサーに代えて、前記レー
ザー発振装置のモニター光を受光するための受光センサ
ーを備えており、制御手段が、前記受光センサーからの
出力信号に基づき、制御を行う構成にすることもでき
る。
【００３２】また本発明は、作動時に発熱を伴う電子回
路装置の温度制御を行うための温度制御装置であって、
前記電子回路装置から生じる発熱を放熱するためのヒー
トシンク手段と、このヒートシンク手段と前記電子回路
装置との伝熱接触面を可変することにより、伝熱量を調
整するための第１の調整手段とからなり、この第１の調
整手段は、前記電子回路装置と前記ヒートシンク手段の
少なくとも１方に取り付けられた熱能動部材から構成す
ることもできる。
【００３３】更に本発明は、作動時に発熱を伴う電子回
路装置の温度制御を行うための温度制御装置であって、
前記電子回路装置から生じる発熱を放熱するためのヒー
トシンク手段と、前記電子回路装置と該ヒートシンク手
段との間に設けられた中間伝熱部材と、この中間伝熱部
材の伝熱量を調整するための第２の調整手段と、この第
２の調整手段は、前記電子回路装置と前記ヒートシンク
手段の少なくとも１方に取り付けられた熱能動部材から
構成することもできる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以上の様に構成された本発明は、
作動時に発熱を伴う電子回路装置の温度制御を行うため
の温度制御装置であって、温度センサーを電子回路装置
に取付け、ヒートシンク手段が、電子回路装置から生じ
る発熱を放熱し、第１の調整手段が、ヒートシンク手段
と電子回路装置との伝熱接触面を可変することにより、
伝熱量を調整し、制御手段が、温度センサーからの出力
信号に基づき、第１の調整手段を制御する様になってい
る。
【００３５】また本発明は、温度センサーを電子回路装
置に取付け、ヒートシンク手段が、電子回路装置から生
じる発熱を放熱し、電子回路装置とヒートシンク手段と
の間に中間伝熱部材を設け、第２の調整手段が、中間伝
熱部材の伝熱量を調整し、制御手段が、温度センサーか
らの出力信号に基づき、第２の調整手段を制御する様に
なっている。
【００３６】更に本発明は、中間伝熱部材を、伝熱接触
面積を移動可変とするための移動部材から構成し、第２
の調整手段が、移動部材を移動可変することにより、伝
熱量を調整する様にすることもできる。
【００３７】そして本発明の中間伝熱部材を、電子回路
装置とヒートシンク手段との間に設けられた流動体と
し、第２の調整手段が、流動体を流動させることによ
り、伝熱量を調整する様にすることもできる。
【００３８】また本発明は、第２の調整手段が、電子回
路装置とヒートシンク手段とを、中間伝熱部材を用い
て、熱的に接合又は解離させることもできる。
【００３９】更に本発明は、電子回路装置とヒートシン
ク手段の少なくとも１方に対して、加熱と冷却が可能な
ＴＥＣ（電子冷凍素子）を取り付け、制御手段が、第１
の制御手段又は第２の制御手段の何れかと共に、温度制
御を行う様にすることもできる。
【００４０】そして本発明は、電子回路装置がレーザー
発振装置であり、温度センサーに代えて、レーザー発振
装置のモニター光を受光するための受光センサーを備え
ており、制御手段が、受光センサーからの出力信号に基
づき、制御を行う様にすることもできる。
【００４１】また本発明は、ヒートシンク手段が、電子
回路装置から生じる発熱を放熱し、第１の調整手段が、
ヒートシンク手段と電子回路装置との伝熱接触面を可変
することにより、伝熱量を調整し、この第１の調整手段
を、電子回路装置とヒートシンク手段の少なくとも１方
に取り付けられた熱能動部材とすることもできる。
【００４２】更に本発明は、ヒートシンク手段が、電子
回路装置から生じる発熱を放熱し、電子回路装置とヒー
トシンク手段との間に中間伝熱部材を設け、第２の調整
手段が、中間伝熱部材の伝熱量を調整する様になってお
り、第２の調整手段は、電子回路装置とヒートシンク手
段の少なくとも１方に取り付けられた熱能動部材とする
こともできる。
【００４３】
【実施例】
【００４４】本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
【００４５】「第１実施例」
【００４６】図１は、本実施例の温度制御装置１００を
示すものであり、半導体レーザー励起型第２高調波固体
レーザー２００の温度制御を行うためのものである。
【００４７】温度制御装置１００は、温度検出手段１０
と、上下動駆動手段２０ａと、ヒートシンク４０と、制
御手段５０とから構成されている。
【００４８】この温度制御装置１００は、半導体レーザ
ー励起型第２高調波固体レーザー２００の温度制御を行
うためのものであり、上下動駆動手段２０ａの上部に半
導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００を載
置する様になっている。
【００４９】温度検出手段１０は、半導体レーザー励起
型第２高調波固体レーザー２００の所定の位置の温度を
検出するためのものである。本実施例の温度検出手段１
０には、サーミスタを採用しているが、温度を検出する
ことができる検出素子であれば何れのものを使用するこ
とができる。
【００５０】上下動駆動手段２０ａは、半導体レーザー
励起型第２高調波固体レーザー２００を上下動させるた
めのもので、載置台２１と、この載置台２１を支持する
ためのガイド支柱２２と、載置台２１を上下方向に移動
可能とさせるための駆動機構２３とから構成されてい
る。本実施例の駆動機構２３は、ガイド支柱に形成され
たソレノイドが採用されており、載置台２１を直接、上
下方向に移動させる構成となっている。なお、駆動機構
２３は、ソレノイドに限ることなく、ロータリーソレノ
イドとリンク機構、モータとラックアンドピニオンから
なる歯車機構等を採用することもできる。
【００５１】載置台２１は、半導体レーザー励起型第２
高調波固体レーザー２００を載置するためのものであ
る。ガイド支柱２２は熱伝導率の低いものが好ましく、
本実施例では、合成樹脂等の高分子材料が使用されてい
る。
【００５２】ヒートシンク４０は、放熱を行うためのも
のであり、本実施例では、ベース上にヒートシンク４０
を形成している。
【００５３】図２は、本実施例の温度制御装置１００の
電気的構成を示すもので、温度検出手段１０と、上下動
駆動手段２０ａと、制御手段５０と、記憶手段６０とか
ら構成されている。
【００５４】記憶手段６０は、制御手段５０の制御方法
を定めるデータが記憶するためのものである。
【００５５】従って、温度検出手段１０が半導体レーザ
ー励起型第２高調波固体レーザー２００の温度を検出す
ると、その温度データを制御手段５０に送出し、制御手
段５０は、記憶手段６０に記憶されている制御法に従
い、半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２０
０を冷却するか否かを判断する。
【００５６】ここで制御手段５０が冷却すべきと判断し
た場合には、上下動駆動手段２０ａを駆動して半導体レ
ーザー励起型第２高調波固体レーザー２００を下方に移
動させる。そして、半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー２００が、ヒートシンク４０に当設すれば、
半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００か
らの発熱をヒートシンク４０を介して放熱させ、半導体
レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００を冷却す
ることができる。
【００５７】また、冷却後の半導体レーザー励起型第２
高調波固体レーザー２００の温度を温度検出手段１０が
検出すると、この温度データに基づき、制御手段５０
が、冷却動作を中止するか否かを判断し、冷却を中止す
ると判断した場合には、上下動駆動手段２０ａを駆動し
て半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００
を上方に移動させる。この結果、ヒートシンク４０を介
しての放熱が中止されるので、半導体レーザー励起型第
２高調波固体レーザー２００の冷却動作は中止される。
【００５８】「第２実施例」
【００５９】なお上記第１実施例は、半導体レーザー励
起型第２高調波固体レーザー２００を、上下動駆動手段
２０ａにより上下に移動させているが、本第２実施例の
温度制御装置１０１は、図３に示す様に、半導体レーザ
ー励起型第２高調波固体レーザー２００とヒートシンク
４０とを当設可能に構成し、上下動駆動手段２０ａに代
えて、左右方向駆動手段２０ｂを採用している。なお本
第２実施例の左右方向駆動手段２０ｂは、上下動駆動手
段２０ａと同様に、ソレノイドが採用されているが、水
平方向に配置されたソレノイドに限ることなく、ロータ
リーソレノイドとリンク機構、モータとラックアンドピ
ニオン等の歯車機構を採用することができる。
【００６０】図４は、本第２実施例の温度制御装置１０
１の電気的構成を示すもので、温度検出手段１０と、左
右方向駆動手段２１ｂと、制御手段５０と、記憶手段６
０とから構成されている。
【００６１】従って、温度検出手段１０が半導体レーザ
ー励起型第２高調波固体レーザー２００の温度を検出
し、制御手段５０が、半導体レーザー励起型第２高調波
固体レーザー２００を冷却すべきと判断した場合には、
左右方向駆動手段２０ｂを駆動する。即ち、半導体レー
ザー励起型第２高調波固体レーザー２００とヒートシン
ク４０とが、互いに対向する位置になる様に、左右方向
駆動手段２０ｂは、半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー２００を水平方向に移動させる。
【００６２】また、温度検出手段１０が半導体レーザー
励起型第２高調波固体レーザー２００の温度を検出し、
制御手段５０が、半導体レーザー励起型第２高調波固体
レーザー２００を冷却すべきでないと判断した場合に
は、半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２０
０を水平方向に移動させ、ヒートシンク４０と対向する
位置から離間させる様になっている。
【００６３】なお、温度検出手段１０は温度センサーに
該当し、左右方向駆動手段２０ｂは第１の調整手段に該
当するものである。即ち、左右方向駆動手段２０ｂは、
半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００と
ヒートシンク４０との伝熱接触面を可変させるためのも
のである。その他の構成及び作用等は、第１実施例と同
様であるから、説明を省略する。
【００６４】「第３実施例」
【００６５】図５は、本第３実施例の温度制御装置１０
２を示すものであり、温度検出手段１０と、上下動駆動
手段２０ａと、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と、ヒート
シンク４０と、制御手段５０とから構成されている。
【００６６】この温度制御装置１０２は、半導体レーザ
ー励起型第２高調波固体レーザー２００の温度制御を行
うためのものであり、上下動駆動手段２０ａの上部に半
導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００を載
置する様になっている。
【００６７】ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０は、半導体レ
ーザー励起型第２高調波固体レーザー２００に対して、
冷却又は加温するためのもので、本実施例ではペルチェ
素子が採用されている。ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０
は、ペルチェ素子に限ることなく、電気的に、冷却動作
と加温動作を切り替えることのできる素子であれば、何
れの素子を採用することができる。
【００６８】ヒートシンク４０は、放熱を行うためのも
のであり、本実施例では、ベース上にヒートシンク４０
を形成し、このヒートシンク４０上にＴＥＣ（電子冷凍
素子）３０を載置している。
【００６９】図６は、本第３実施例の温度制御装置１０
２の電気的構成を示すもので、温度検出手段１０と、上
下動駆動手段２０ａと、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０
と、制御手段５０と、記憶手段６０とから構成されてい
る。
【００７０】記憶手段６０は、制御手段５０の制御方法
を定めるデータが記憶するためのものである。
【００７１】従って、温度検出手段１０が温度を検出す
ると、その温度データを制御手段５０に送出し、制御手
段５０は、記憶手段６０に記憶されている制御法に従
い、半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２０
０を加温するべきか、冷却すべきかを判断する。
【００７２】そして制御手段５０は、加熱すべきと判断
した場合には、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を加熱作動
させると共に、上下動駆動手段２０ａを駆動して半導体
レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００を下方に
移動し、ヒートシンク４０に当接させる。
【００７３】更に制御手段５０が、冷却すべきと判断し
た場合には、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を冷却作動さ
せると共に、上下動駆動手段２０ａを駆動して半導体レ
ーザー励起型第２高調波固体レーザー２００を下方に移
動し、ヒートシンク４０に当接させる。なお、ＴＥＣ
（電子冷凍素子）３０と半導体レーザー励起型第２高調
波固体レーザー２００との間隔が狭くなれば、冷却効率
が高くなる。
【００７４】また、僅かに冷却する必要がある場合に
は、制御手段５０は、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０の作
動を停止させると共に、上下動駆動手段２０ａを駆動し
て半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００
を下方に移動させて、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と当
設させる。従って、半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー２００からの発熱を、ＴＥＣ（電子冷凍素
子）３０を介してヒートシンク４０から放熱させること
ができる。
【００７５】例えば、半導体レーザー励起型第２高調波
固体レーザー２００と、ヒートシンク４０、ＴＥＣ３０
の外気温における関係は、半導体レーザー励起型第２高
調波固体レーザー２００の最適温度を２５℃とし、自己
発熱を考慮して外気温度を０℃〜１５℃程度を最適とす
れば、外気温０℃〜１５℃では当接させない。そして、
１５℃〜２５℃の場合には、当接させて放熱させる。０
℃以下及び２０℃以上では、当接させてＴＥＣ３０によ
り加熱及び冷却する。しかしながら、この場合において
も制御は、温度検出手段１０からの出力信号による。そ
して本第３実施例は、制御手段５０が、ＴＥＣ（電子冷
凍素子）３０と上下動駆動手段２０ａとを同期させて駆
動することもできる。
【００７６】その他の構成及び作用等は、第１実施例〜
第２実施例と同様であるから、説明を省略する。
【００７７】「第４実施例」
【００７８】なお上記第３実施例は、半導体レーザー励
起型第２高調波固体レーザー２００を、上下動駆動手段
２０ａにより上下に移動させているが、本第４実施例の
温度制御装置１０３は、図７に示す様に、ＴＥＣ（電子
冷凍素子）３０とヒートシンク４０とを当設可能に構成
し、上下動駆動手段２０ａに代えて、左右方向駆動手段
２０ｂを採用している。
【００７９】図８は、本第４実施例の温度制御装置１０
３の電気的構成を示すもので、温度検出手段１０と、左
右方向駆動手段２０ｂと、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０
と、制御手段５０と、記憶手段６０とから構成されてい
る。
【００８０】従って、温度検出手段１０が温度を検出す
ると、その温度データを制御手段５０に送出し、制御手
段５０は、記憶手段６０に記憶されている制御法に従
い、半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２０
０を加温するべきか、冷却すべきかを判断する。
【００８１】そして制御手段５０は、加熱すべきと判断
した場合には、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を加熱作動
させると共に、左右方向駆動手段２０ｂを駆動する。
【００８２】即ち、半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー２００とＴＥＣ（電子冷凍素子）３０とが、
互いに対向する位置になる様に、左右方向駆動手段２０
ｂは、半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２
００を水平方向に移動させる。
【００８３】なお、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と半導
体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００とは、
互いに対向している面積が広い程、加熱効率が高くな
る。従って制御手段５０は、温度検出手段１０が検出し
た温度データに基づいて、左右方向駆動手段２０ｂを駆
動し、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と半導体レーザー励
起型第２高調波固体レーザー２００とが、互いに対向し
ている面積を調整することができ、加熱及び冷却効率を
調整することができる。
【００８４】更に制御手段５０が、冷却すべきと判断し
た場合には、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を冷却作動さ
せると共に、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と半導体レー
ザー励起型第２高調波固体レーザー２００とが、互いに
対向する位置となる様に、左右方向駆動手段２０ｂを駆
動する。そして加熱動作と同様に、ＴＥＣ（電子冷凍素
子）３０と半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザ
ー２００とが、互いに対向している面積を調整すること
により、冷却効率を調整することができる。
【００８５】また、僅かに冷却する必要がある場合に
は、制御手段５０は、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０の作
動を停止させると共に、左右方向駆動手段２０ｂを駆動
させる。即ち、半導体レーザー励起型第２高調波固体レ
ーザー２００と、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０とを対向
する位置で当設させることにより、半導体レーザー励起
型第２高調波固体レーザー２００からの発熱を、ＴＥＣ
（電子冷凍素子）３０を介してヒートシンク４０から放
熱させることができる。
【００８６】そして本第４実施例は、制御手段５０が、
ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と左右方向駆動手段２０ｂ
とを同期させて駆動することもできる。
【００８７】その他の構成及び作用等は、第１実施例〜
第３実施例と同様であるから、説明を省略する。
【００８８】「第５実施例」
【００８９】第５実施例の温度制御装置１０４は、図９
に示す様に、温度検出手段１０と、左右方向駆動手段２
０ｂと、金属部材２５と、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０
と、ヒートシンク４０と、制御手段５０とから構成され
ている。
【００９０】本第５実施例は、ヒートシンク４０上にＴ
ＥＣ（電子冷凍素子）３０を形成し、このＴＥＣ（電子
冷凍素子）３０上に、適宜の隙間を挟んで、半導体レー
ザー励起型第２高調波固体レーザー２００を配置してい
る。本第３実施例では、半導体レーザー励起型第２高調
波固体レーザー２００を、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０
に対して斜めに配置しており、半導体レーザー励起型第
２高調波固体レーザー２００とＴＥＣ（電子冷凍素子）
３０との間隔が変化する様な空間が形成されている。
【００９１】この空間には、斜面を有するくさび状の金
属部材２５を挿入可能に構成されており、金属部材２５
は、左右方向駆動手段２０ｂに連結されている。
【００９２】金属部材２５は、熱伝導率が高く、比熱の
低い金属が好ましく、例えば、銅や、銅合金を使用する
ことができる。
【００９３】そして本第５実施例の温度制御装置１０４
の電気的構成は、図８に示す第４実施例と同様な構成で
ある。
【００９４】従って、温度検出手段１０が温度を検出す
ると、その温度データを制御手段５０に送出し、制御手
段５０は、記憶手段６０に記憶されている制御法に従
い、半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２０
０を加温するべきか、冷却すべきかを判断する。
【００９５】そして制御手段５０は、加熱すべきと判断
した場合には、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を加熱作動
させると共に、左右方向駆動手段２０ｂを駆動する。
【００９６】即ち、半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー２００とＴＥＣ（電子冷凍素子）３０との間
に形成された空間に対して、金属部材２５を挿入する。
金属部材２５は熱伝導率が高いため、ＴＥＣ（電子冷凍
素子）３０からの熱を、金属部材２５を介して半導体レ
ーザー励起型第２高調波固体レーザー２００に伝達させ
ることができ、半導体レーザー励起型第２高調波固体レ
ーザー２００を加熱することができる。
【００９７】ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を冷却に切り
替えれば、同様に、半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー２００を冷却することができる。
【００９８】本第５実施例は、半導体レーザー励起型第
２高調波固体レーザー２００が固定されているので、光
軸が移動する心配がないという効果がある。
【００９９】そして本第５実施例は、制御手段５０が、
ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と左右方向駆動手段２０ｂ
とを同期させて駆動することもできる。
【０１００】なお、金属部材２５は中間伝熱部材に該当
し、左右方向駆動手段２０ｂは第２の調整手段に該当す
る。
【０１０１】その他の構成及び作用等は、第１実施例〜
第４実施例と同様であるから、説明を省略する。
【０１０２】「第５実施例の変形例」
【０１０３】本第５実施例では、ＴＥＣ（電子冷凍素
子）３０による強制冷却、強制加熱を行っているが、Ｔ
ＥＣ（電子冷凍素子）３０を省略することもできる。
【０１０４】この場合には、半導体レーザー励起型第２
高調波固体レーザー２００からの発熱を金属部材２５を
介して、ヒートシンク４０から放熱することができる。
【０１０５】なお本第５実施例の変形例の電気的構成
は、図４に示す第２実施例と同様な構成である。
【０１０６】その他の構成及び作用等は、第１実施例〜
第５実施例と同様であるから、説明を省略する。
【０１０７】「第６実施例」
【０１０８】第６実施例の温度制御装置１０５は、図１
０に示す様に、温度検出手段１０と、左右方向駆動手段
２０ｂと、金属部材２５と、ヒートシンク４０と、制御
手段５０とから構成されている。
【０１０９】本第６実施例は、ヒートシンク４０上に、
適宜の隙間を挟んで、半導体レーザー励起型第２高調波
固体レーザー２００を配置している。本第６実施例で
は、半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２０
０とヒートシンク４０との間の間隔は、略同一となって
おり、略同一厚みを有する金属部材２６が挿入可能に構
成されている。
【０１１０】金属部材２６は、左右方向駆動手段２０ｂ
に連結されており、挿入量を制御可能に構成されてい
る。なお本第６実施例の左右方向駆動手段２０ｂには、
パルスモータが採用されている。
【０１１１】また本第６実施例の金属部材２６と半導体
レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００及びヒー
トシンク４０との間の隙間は、僅かの高さの隙間となっ
ているが、熱伝導率を向上させるために、熱伝導率のよ
いグリース等を隙間に塗布している。
【０１１２】更に、半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー２００を上下動駆動手段により上下動可能に
構成し、金属部材２６を左右方向駆動手段２０ｂにより
移動させる時のみ、半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー２００を上方に移動させ、半導体レーザー励
起型第２高調波固体レーザー２００とヒートシンク４０
との間の隙間を広げる構成にすることもできる。そして
金属部材２６の移動が終了した後、半導体レーザー励起
型第２高調波固体レーザー２００を下方に移動させ、隙
間を狭める構成にすることもできる。
【０１１３】なお本第６実施例の電気的構成は、図４に
示す第２実施例と同様な構成である。
【０１１４】そして、金属部材２６の挿入量を調整する
ことで、冷却効率を可変させることができ、半導体レー
ザー励起型第２高調波固体レーザー２００の温度調整を
行うことができる。
【０１１５】なお、金属部材２６は中間伝熱部材に該当
し、左右方向駆動手段２０ｂは第２の調整手段に該当す
る。
【０１１６】また基本的な動作は、第５実施例の変形例
と同様であるから、説明を省略する。
【０１１７】その他の構成及び作用等は、第１実施例〜
第５実施例と同様であるから、説明を省略する。
【０１１８】「第７実施例」
【０１１９】第７実施例の温度制御装置１０６は、図１
１に示す様に、温度検出手段１０と、ＴＥＣ（電子冷凍
素子）３０と、ヒートシンク４０と、制御手段５０と、
熱交換器７０と、パイプ７５と、ポンプ８０とから構成
されている。
【０１２０】熱交換器７０は、第１の熱交換器７１と第
２の熱交換器７２とから構成されており、ＴＥＣ（電子
冷凍素子）３０とヒートシンク４０との間で、熱の伝達
を行うためのものである。
【０１２１】パイプ７５は、熱交換器７０の作動流体を
輸送するためのものであり、ポンプ８０は、作動流体を
パイプ７５を介して熱交換器７０内に循環させるための
ものである。
【０１２２】本第７実施例の温度制御装置１０６は、ヒ
ートシンク４０上に第１の熱交換器７１を配置し、第２
の熱交換器７２上にＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を設
け、このＴＥＣ（電子冷凍素子）３０上に半導体レーザ
ー励起型第２高調波固体レーザー２００を配置してい
る。
【０１２３】第１の熱交換器７１と第２の熱交換器７２
とを、パイプ７５で連結し、ポンプ８０で作動流体を循
環可能に構成している。
【０１２４】そして本第７実施例の温度制御装置１０６
の電気的構成は、図１２に示す様に、温度検出手段１０
と、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と、制御手段５０と、
記憶手段６０と、ポンプ駆動手段９０とから構成されて
いる。
【０１２５】制御手段５０が、冷却すべきと判断した場
合には、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を冷却動作させる
と共に、ポンプ駆動手段９０を駆動する。
【０１２６】即ち、ポンプ駆動手段９０はポンプ８０を
駆動し、作動流体を、第１の熱交換器７１と第２の熱交
換器７２との間で循環させる。この結果、ＴＥＣ（電子
冷凍素子）３０の熱は、第２の熱交換器７２で吸収さ
れ、第１の熱交換器７１で放熱される。第１の熱交換器
７１から放熱された熱は、ヒートシンク４０より大気に
放出される。
【０１２７】そして、制御手段５０がポンプ８０の出力
を調整することにより、作動流体の流量を変化させるこ
とができ、冷却又は加熱効率を調整することができる。
【０１２８】従って、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０の冷
却効率を飛躍的に向上させることができる。また、僅か
の温度を冷却する場合には、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３
０の動作を停止させ、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を介
して半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２０
０の発熱を熱交換器７０を介して、ヒートシンク４０か
ら放出させることができる。
【０１２９】更に、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を加熱
動作させれば、半導体レーザー励起型第２高調波固体レ
ーザー２００を加熱させることもできる。
【０１３０】また本第７実施例は、半導体レーザー励起
型第２高調波固体レーザー２００とヒートシンク４０と
を離して配置することができるので、レイアウトに自由
度が広がるという効果がある。更に、機械的な駆動部が
少ないので、振動、騒音、信頼性にも有利であるという
効果がある。
【０１３１】そして本第７実施例は、制御手段５０が、
ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０とポンプ駆動手段９０とを
同期させて駆動することもできる。
【０１３２】その他の構成及び作用等は、第１実施例〜
第６実施例と同様であるから、説明を省略する。
【０１３３】「第７実施例の変形例」
【０１３４】本第７実施例では、ＴＥＣ（電子冷凍素
子）３０による強制冷却、強制加熱を行っているが、Ｔ
ＥＣ（電子冷凍素子）３０を省略することもできる。
【０１３５】この場合には、半導体レーザー励起型第２
高調波固体レーザー２００からの発熱を熱交換器７０を
介して、ヒートシンク４０から放熱することができる。
【０１３６】その他の構成及び作用等は、第７実施例と
同様であるから、説明を省略する。
【０１３７】「第８実施例」
【０１３８】第８実施例の温度制御装置１０７は、図１
３に示す様に、温度検出手段１０と、ＴＥＣ（電子冷凍
素子）３０と、ヒートシンク４０と、制御手段５０と、
水銀室９５と、水銀封入手段９６とから構成されてい
る。
【０１３９】水銀室９５は、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３
０と半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２０
０とを熱的に遮断又は、連結させるためのものであり、
水銀を水銀室９５に満たすことにより、熱的に連結する
ことができる。また、水銀室９５から水銀を除去すれ
ば、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と半導体レーザー励起
型第２高調波固体レーザー２００とを熱的に遮断するこ
とができる。
【０１４０】水銀充填手段９６は、水銀室９５に水銀を
充填したり、排出したりするためのものである。本第８
実施例では水銀充填手段９６には、シリンダ手段を採用
しているが、シリンダ手段に限ることなく、水銀室９５
に水銀を充填したり、排出したりすることができる手段
であれば、何れの手段を採用することができる。
【０１４１】本第８実施例は、ヒートシンク４０上にＴ
ＥＣ（電子冷凍素子）３０を配置し、このＴＥＣ（電子
冷凍素子）３０の上に水銀室９５を形成し、この水銀室
９５の上に半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザ
ー２００を配置している。
【０１４２】そして本第８実施例の温度制御装置１０７
の電気的構成は、図１４に示す様に、温度検出手段１０
と、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と、制御手段５０と、
記憶手段６０と、水銀充填駆動手段９７とから構成され
ている。
【０１４３】制御手段５０が、冷却又は加熱すべきと判
断した場合には、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を冷却又
は加熱動作させると共に、水銀充填駆動手段９７を駆動
する。
【０１４４】即ち、水銀充填駆動手段９７は、水銀充填
手段９６を駆動し、水銀を水銀室９５に充填することに
より、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と半導体レーザー励
起型第２高調波固体レーザー２００とを熱的に連結す
る。そして、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０を冷却又は加
熱することにより、半導体レーザー励起型第２高調波固
体レーザー２００を冷却又は加熱することができる。
【０１４５】また、僅かの温度を冷却する場合には、Ｔ
ＥＣ（電子冷凍素子）３０の動作を停止させ、ＴＥＣ
（電子冷凍素子）３０を介して、半導体レーザー励起型
第２高調波固体レーザー２００の発熱を、ヒートシンク
４０から放出させることができる。
【０１４６】そして制御手段５０が、冷却又は加熱を停
止すべきと判断した場合には、水銀充填手段９６を駆動
して、水銀を水銀室９５から排出することにより、ＴＥ
Ｃ（電子冷凍素子）３０と半導体レーザー励起型第２高
調波固体レーザー２００とを熱的に遮断することができ
る。
【０１４７】なお本第８実施例は、水銀に限定されるも
のではなく、熱伝導率が高ければ、他の流体を使用する
こともできる。
【０１４８】そして本第８実施例は、制御手段５０が、
ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０と水銀充填駆動手段９７と
を同期させて駆動することもできる。
【０１４９】また、水銀は流体物に該当し、水銀充填駆
動手段９７は第２の調整手段に該当するものである。
【０１５０】その他の構成及び作用等は、第１実施例〜
第７実施例と同様であるから、説明を省略する。
【０１５１】「第８実施例の変形例」
【０１５２】本第８実施例では、ＴＥＣ（電子冷凍素
子）３０による強制冷却、強制加熱を行っているが、Ｔ
ＥＣ（電子冷凍素子）３０を省略することもできる。
【０１５３】この場合には、半導体レーザー励起型第２
高調波固体レーザー２００からの発熱を水銀室９５を介
して、ヒートシンク４０から放熱することができる。
【０１５４】その他の構成及び作用等は、第８実施例と
同様であるから、説明を省略する。
【０１５５】「第９実施例」
【０１５６】第９実施例の温度制御装置１０８は、図１
５に示す様に、温度検出手段１０と、バイメタル部材９
９と、金属部材２５と、ＴＥＣ（電子冷凍素子）３０
と、ヒートシンク４０と、制御手段５０とから構成され
ている。
【０１５７】本第９実施例では、図９に示された第５実
施例が、左右方向駆動手段２０ｂにより金属部材２５の
移動制御を実施していたのに対して、本第９実施例で
は、左右方向駆動手段２０ｂに代えて、バイメタル部材
９９を採用したものである。
【０１５８】即ち、バイメタル部材９９の熱変形によ
り、金属部材２５を移動制御するものである。金属部材
２５に凹部を設けることにより、半導体レーザー励起型
第２高調波固体レーザー２００と、ＴＥＣ３０、ヒート
シンク４０との当接をバイメタルにより調整できる。例
えば、図１５の金属部分２５で外気温が高い、又は低い
場合には、左、又は右に移動する当接が必要のない外気
温では、凹部に位置する様になっている。なお、これは
１つの例であって、他の熱能動素子に変えることもでき
る。
【０１５９】従って本第９実施例は、金属部材２５の移
動制御を、制御手段５０を利用した電気的制御によるこ
となく、機械的に制御するものである。
【０１６０】温度検出手段１０と制御手段５０とで、Ｔ
ＥＣ（電子冷凍素子）３０のみを制御する様に構成され
ている。
【０１６１】以上の様に構成された本第９実施例では、
金属部材２５の移動制御を機械的に実施しているので、
省電力効果が大きいという効果がある。
【０１６２】またバイメタル部材９９は、熱能動部材に
該当するものであり、第２の調整手段にも該当する。そ
して金属部材２５は、中間伝熱部材に該当する。
【０１６３】その他の構成及び作用等は、第５実施例と
同様であるから、説明を省略する。
【０１６４】「第８実施例の変形例」
【０１６５】更に図１６に示す様に、第２実施例（図
３）の左右方向駆動手段２１ｂに代えて、バイメタル部
材９９を採用することもできる。
【０１６６】この場合の温度制御装置１０８は、バイメ
タル部材９９と、金属部材２６と、ヒートシンク４０と
から構成されている。
【０１６７】バイメタル部材９９により、ヒートシンク
４０と半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２
００の伝熱接触面を可変させる様に構成されている。
【０１６８】またバイメタル部材９９は、熱能動部材に
該当するものであり、第１の調整手段にも該当する。そ
して金属部材２６は、中間伝熱部材に該当する。
【０１６９】その他の構成及び作用等は、第８実施例と
同様であるから、説明を省略する。
【０１７０】なお、本第１実施例から第９実施例では、
半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー２００で
説明しているが、何れのレーザー装置に応用することが
できる。
【０１７１】そして温度センサーである温度検出手段１
０に代えて、レーザー装置のモニター光を受光するため
の受光センサーを採用することもでき、制御手段５０
が、受光センサーからの出力信号に基づき、制御を行う
こともできる。
【０１７２】即ち、温度データと関係のあるモニター光
を利用することにより、温度制御を行うこともできる。
【０１７３】
【効果】以上の様に構成された本発明は、作動時に発熱
を伴う電子回路装置の温度制御を行うための温度制御装
置であって、該電子回路装置に取り付けられた温度セン
サーと、前記電子回路装置から生じる発熱を放熱するた
めのヒートシンク手段と、このヒートシンク手段と前記
電子回路装置との伝熱接触面を可変することにより、伝
熱量を調整するための第１の調整手段と、前記温度セン
サーからの出力信号に基づき、前記第１の調整手段を制
御するための制御手段とからなるので、温度制御の省電
力化を図ることができるという卓越した効果がある。
【０１７４】また本発明は、電子回路装置に取り付けら
れた温度センサーと、前記電子回路装置から生じる発熱
を放熱するためのヒートシンク手段と、前記電子回路装
置と該ヒートシンク手段との間に設けられた中間伝熱部
材と、この中間伝熱部材の伝熱量を調整するための第２
の調整手段と、前記温度センサーからの出力信号に基づ
き、前記第２の調整手段を制御するための制御手段とか
らなるので、効率的かつ省電力な温度制御を行うことが
でき、電子回路の電池駆動可能時間を増大させることが
できるという効果がある。
【０１７５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の温度制御装置１００を示
す図である。
【図２】本発明の第１実施例の温度制御装置１００の電
気的構成を示す図である。
【図３】第２実施例の温度制御装置１０１を示す図であ
る。
【図４】第２実施例の温度制御装置１０１の電気的構成
を示す図である。
【図５】第３実施例の温度制御装置１０２を示す図であ
る。
【図６】第３実施例の温度制御装置１０２の電気的構成
を示す図である。
【図７】第４実施例の温度制御装置１０３を示す図であ
る。
【図８】第４実施例の温度制御装置１０３の電気的構成
を示す図である。
【図９】第５実施例の温度制御装置１０４を示す図であ
る。
【図１０】第６実施例の温度制御装置１０５を示す図で
ある。
【図１１】第７実施例の温度制御装置１０６を示す図で
ある。
【図１２】第７実施例の温度制御装置１０６の電気的構
成を示す図である。
【図１３】第８実施例の温度制御装置１０７を示す図で
ある。
【図１４】第８実施例の温度制御装置１０７の電気的構
成を示す図である。
【図１５】第９実施例の温度制御装置１０８を示す図で
ある。
【図１６】第９実施例の温度制御装置１０８を示す図で
ある。
【図１７】従来技術を説明する図である。
【符号の説明】 １００ 温度制御装置 １０１ 第２実施例の温度制御装置 １０２ 第３実施例の温度制御装置 １０３ 第４実施例の温度制御装置 １０４ 第５実施例の温度制御装置 １０５ 第６実施例の温度制御装置 １０６ 第７実施例の温度制御装置 １０７ 第８実施例の温度制御装置 １０８ 第９実施例の温度制御装置 １０ 温度検出手段 ２０ａ 上下動駆動手段 ２０ｂ 左右方向駆動手段 ２１ 載置台 ２２ ガイド支柱 ２３ 駆動機構 ２５ 金属部材 ２６ 金属部材 ３０ ＴＥＣ（電子冷凍素子） ４０ ヒートシンク ５０ 制御手段 ６０ 記憶手段 ７０ 熱交換器 ７１ 第１の熱交換器 ７２ 第２の熱交換器 ７５ パイプ ８０ ポンプ ９０ ポンプ駆動手段 ９５ 水銀室 ９６ 水銀封入手段 ９７ 水銀充填駆動手段 ９９ バイメタル部材 ２００ 半導体レーザー励起型第２高調波固体レーザー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/133 Ｈ０１Ｓ 3/16 // Ｈ０１Ｓ 3/109 3/04 Ｌ 3/16 3/094 Ｓ (72)発明者 大石 政裕 東京都板橋区蓮沼町75番１号 株式会社ト プコン内 (72)発明者 後藤 義明 東京都板橋区蓮沼町75番１号 株式会社ト プコン内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 作動時に発熱を伴う電子回路装置の温度
    制御を行うための温度制御装置であって、該電子回路装
    置に取り付けられた温度センサーと、前記電子回路装置
    から生じる発熱を放熱するためのヒートシンク手段と、
    このヒートシンク手段と前記電子回路装置との伝熱接触
    面を可変することにより、伝熱量を調整するための第１
    の調整手段と、前記温度センサーからの出力信号に基づ
    き、前記第１の調整手段を制御するための制御手段とか
    らなる温度制御装置。
  2. 【請求項２】 作動時に発熱を伴う電子回路装置の温度
    制御を行うための温度制御装置であって、該電子回路装
    置に取り付けられた温度センサーと、前記電子回路装置
    から生じる発熱を放熱するためのヒートシンク手段と、
    前記電子回路装置と該ヒートシンク手段との間に設けら
    れた中間伝熱部材と、この中間伝熱部材の伝熱量を調整
    するための第２の調整手段と、前記温度センサーからの
    出力信号に基づき、前記第２の調整手段を制御するため
    の制御手段とからなる温度制御装置。
  3. 【請求項３】 中間伝熱部材は、伝熱接触面積を移動可
    変とするための移動部材とから構成され、第２の調整手
    段は、前記移動部材を移動可変することにより、伝熱量
    を調整する請求項２記載の温度制御装置。
  4. 【請求項４】 中間伝熱部材は、前記電子回路装置と前
    記ヒートシンク手段との間に設けられた流動体であっ
    て、第２の調整手段は、前記流動体を流動させることに
    より、伝熱量を調整する請求項２記載の温度制御装置。
  5. 【請求項５】 第２の調整手段は、前記電子回路装置と
    前記ヒートシンク手段とを、中間伝熱部材を用いて、熱
    的に接合又は解離させる請求項２記載の温度制御装置。
  6. 【請求項６】 電子回路装置とヒートシンク手段の少な
    くとも１方には、加熱と冷却が可能なＴＥＣ（電子冷凍
    素子）が取り付けられており、制御手段が、第１の制御
    手段又は第２の制御手段の何れかと共に、温度制御を行
    う請求項１又は２記載の温度制御装置。
  7. 【請求項７】 電子回路装置がレーザー発振装置であ
    り、前記温度センサーに代えて、前記レーザー発振装置
    のモニター光を受光するための受光センサーを備えてお
    り、制御手段が、前記受光センサーからの出力信号に基
    づき、制御を行う請求項１〜６記載の温度制御装置。
  8. 【請求項８】 作動時に発熱を伴う電子回路装置の温度
    制御を行うための温度制御装置であって、前記電子回路
    装置から生じる発熱を放熱するためのヒートシンク手段
    と、このヒートシンク手段と前記電子回路装置との伝熱
    接触面を可変することにより、伝熱量を調整するための
    第１の調整手段とからなり、この第１の調整手段は、前
    記電子回路装置と前記ヒートシンク手段の少なくとも１
    方に取り付けられた熱能動部材からなる温度制御装置。
  9. 【請求項９】 作動時に発熱を伴う電子回路装置の温度
    制御を行うための温度制御装置であって、前記電子回路
    装置から生じる発熱を放熱するためのヒートシンク手段
    と、前記電子回路装置と該ヒートシンク手段との間に設
    けられた中間伝熱部材と、この中間伝熱部材の伝熱量を
    調整するための第２の調整手段と、この第２の調整手段
    は、前記電子回路装置と前記ヒートシンク手段の少なく
    とも１方に取り付けられた熱能動部材からなる温度制御
    装置。
JP2734996A 1996-01-22 1996-01-22 温度制御装置 Pending JPH09199882A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2734996A JPH09199882A (ja) 1996-01-22 1996-01-22 温度制御装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2734996A JPH09199882A (ja) 1996-01-22 1996-01-22 温度制御装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09199882A true JPH09199882A (ja) 1997-07-31

Family

ID=12218570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2734996A Pending JPH09199882A (ja) 1996-01-22 1996-01-22 温度制御装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09199882A (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1009079A1 (de) * 1998-11-13 2000-06-14 Contraves Space AG Vorrichtung zur Begrenzung der Temperatur einer Lichtwellen emittierenden Laser-Diode
GB2365209A (en) * 2000-07-22 2002-02-13 Bae Sys Electronics Ltd Thermal sensing apparatus with reset means involving intermittently providing thermal path between a detector and a thermal sink
US6525934B1 (en) 1999-04-15 2003-02-25 International Business Machines Corporation Thermal controller for computer, thermal control method for computer and computer equipped with thermal controller
JP2005114298A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Citizen Watch Co Ltd 温度調節装置
JP2008037357A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Shin Caterpillar Mitsubishi Ltd 車両のバッテリ温度調整装置
JP2008177448A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザの冷却装置及び冷却方法
CN100452571C (zh) * 2006-12-13 2009-01-14 中国科学院上海光学精密机械研究所 倍频晶体温度梯度补偿法控温装置
JP2009086269A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 投写型映像表示装置
JP2011107502A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Yokogawa Electric Corp 位相調節器
KR20140010422A (ko) * 2011-04-05 2014-01-24 마이크로소프트 코포레이션 열 관리 시스템
CN110177446A (zh) * 2019-05-28 2019-08-27 珠海格力电器股份有限公司 散热器控制方法、变频器组件、家用电器及计算机可读存储介质
CN110915060A (zh) * 2018-02-07 2020-03-24 株式会社Lg化学 用于电池温度控制的设备和方法
CN113972556A (zh) * 2021-09-26 2022-01-25 光惠（上海）激光科技有限公司 一种激光器的温度调节装置
CN114209486A (zh) * 2021-11-04 2022-03-22 海杰亚（北京）医疗器械有限公司 一种冷热复合式止痒装置
CN114253218A (zh) * 2021-12-16 2022-03-29 佛山市桑尼新能源科技有限公司 一种焊接机的控制方法以及焊接机
CN114498256A (zh) * 2021-12-19 2022-05-13 光惠（上海）激光科技有限公司 一种端面泵浦激光器的散热装置

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1009079A1 (de) * 1998-11-13 2000-06-14 Contraves Space AG Vorrichtung zur Begrenzung der Temperatur einer Lichtwellen emittierenden Laser-Diode
US6525934B1 (en) 1999-04-15 2003-02-25 International Business Machines Corporation Thermal controller for computer, thermal control method for computer and computer equipped with thermal controller
GB2365209A (en) * 2000-07-22 2002-02-13 Bae Sys Electronics Ltd Thermal sensing apparatus with reset means involving intermittently providing thermal path between a detector and a thermal sink
JP2005114298A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Citizen Watch Co Ltd 温度調節装置
JP2008037357A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Shin Caterpillar Mitsubishi Ltd 車両のバッテリ温度調整装置
CN100452571C (zh) * 2006-12-13 2009-01-14 中国科学院上海光学精密机械研究所 倍频晶体温度梯度补偿法控温装置
JP2008177448A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザの冷却装置及び冷却方法
JP2009086269A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 投写型映像表示装置
JP2011107502A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Yokogawa Electric Corp 位相調節器
KR20140010422A (ko) * 2011-04-05 2014-01-24 마이크로소프트 코포레이션 열 관리 시스템
JP2014514657A (ja) * 2011-04-05 2014-06-19 マイクロソフト コーポレーション 熱管理システム
CN110915060A (zh) * 2018-02-07 2020-03-24 株式会社Lg化学 用于电池温度控制的设备和方法
CN110915060B (zh) * 2018-02-07 2023-04-18 株式会社Lg新能源 用于电池温度控制的设备和方法
JP2020524883A (ja) * 2018-02-07 2020-08-20 エルジー・ケム・リミテッド バッテリーの温度を調節するための装置及び方法
US11289753B2 (en) 2018-02-07 2022-03-29 Lg Energy Solution, Ltd. Apparatus and method for battery temperature control
EP3671944A4 (en) * 2018-02-07 2021-01-06 Lg Chem, Ltd. BATTERY TEMPERATURE CONTROL DEVICE AND METHOD
CN110177446B (zh) * 2019-05-28 2020-08-25 珠海格力电器股份有限公司 散热器控制方法、变频器组件、家用电器及计算机可读存储介质
CN110177446A (zh) * 2019-05-28 2019-08-27 珠海格力电器股份有限公司 散热器控制方法、变频器组件、家用电器及计算机可读存储介质
CN113972556A (zh) * 2021-09-26 2022-01-25 光惠（上海）激光科技有限公司 一种激光器的温度调节装置
CN114209486A (zh) * 2021-11-04 2022-03-22 海杰亚（北京）医疗器械有限公司 一种冷热复合式止痒装置
CN114209486B (zh) * 2021-11-04 2024-07-16 海杰亚（北京）医疗器械有限公司 一种冷热复合式止痒装置
CN114253218A (zh) * 2021-12-16 2022-03-29 佛山市桑尼新能源科技有限公司 一种焊接机的控制方法以及焊接机
CN114253218B (zh) * 2021-12-16 2024-04-30 佛山市桑尼新能源科技有限公司 一种焊接机的控制方法以及焊接机
CN114498256A (zh) * 2021-12-19 2022-05-13 光惠（上海）激光科技有限公司 一种端面泵浦激光器的散热装置
CN114498256B (zh) * 2021-12-19 2024-08-09 光惠（上海）激光科技有限公司 一种端面泵浦激光器的散热装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09199882A (ja) 温度制御装置
US6570895B2 (en) Laser system using phase change material for thermal control
EP0318199A2 (en) Generation of coherent optical radiation by optical mixing
US6351478B1 (en) Passively cooled solid-state laser
US20060245460A1 (en) Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays pumped solid-state lasers
EP0557182A1 (en) Laser light beam generating apparatus
JP4262525B2 (ja) 光学結晶ホルダ、固体レーザ装置、及び光学結晶の固定方法
CN105024266A (zh) 无tec恒温小型风冷重频dpl激光器
JP3716355B2 (ja) レーザー装置及びレーザー装置制御方法
US7039081B2 (en) Cooling device for an optical crystal, or laser crystal
Wang et al. Efficient self-frequency doubling of Nd: GdCOB crystal by type-I phase matching out of its principal planes
EP0743726B1 (en) Laser oscillating apparatus
US5982792A (en) Solid-state laser device
CN102820605A (zh) 高功率小型激光器封装
JP3398967B2 (ja) レーザ光発生装置
JP4244158B2 (ja) レーザ加工装置およびその冷却方法
US5675604A (en) Portable pumped laser system
JPH08186205A (ja) 温度制御装置及び方法
JPH06152014A (ja) レーザ光発生装置
US20050259704A1 (en) Laser oscillation device
JP3121920U (ja) レーザポインタ
EP1618633B1 (en) Laser apparatus for generating a visible laser beam
JP2012033818A (ja) 半導体レーザー励起固体レーザー装置
JP2008145896A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザを用いたレーザポインタ
JP5349757B2 (ja) 固体レーザー発振装置