JPH09199736A - 光センサモジュール - Google Patents
光センサモジュールInfo
- Publication number
- JPH09199736A JPH09199736A JP8021653A JP2165396A JPH09199736A JP H09199736 A JPH09199736 A JP H09199736A JP 8021653 A JP8021653 A JP 8021653A JP 2165396 A JP2165396 A JP 2165396A JP H09199736 A JPH09199736 A JP H09199736A
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- Japan
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- integrated circuit
- receiving element
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装面積を低減して小型化を図ることの可能
な、受光素子と集積回路とを一体化した光センサモジュ
ールを提供する。 【解決手段】 受光部２を備えた受光素子１と、該受光
素子１の駆動用又は出力信号処理用の集積回路４とを備
え、集積回路４には前記受光素子１の受光部２より大き
な開口部５を設け、集積回路４の開口部５に受光素子１
の受光部２が位置するように、集積回路４と受光素子１
とを積み重ね、受光素子１に形成した電極３と集積回路
４に形成した電極６とを接続して、一体化した光センサ
モジュールを構成する。
な、受光素子と集積回路とを一体化した光センサモジュ
ールを提供する。 【解決手段】 受光部２を備えた受光素子１と、該受光
素子１の駆動用又は出力信号処理用の集積回路４とを備
え、集積回路４には前記受光素子１の受光部２より大き
な開口部５を設け、集積回路４の開口部５に受光素子１
の受光部２が位置するように、集積回路４と受光素子１
とを積み重ね、受光素子１に形成した電極３と集積回路
４に形成した電極６とを接続して、一体化した光センサ
モジュールを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フォトダイオー
ド、イメージセンサ等の受光素子と該受光素子の駆動用
もしくは出力信号処理用の集積回路とを一体化した光セ
ンサモジュールに関する。
ド、イメージセンサ等の受光素子と該受光素子の駆動用
もしくは出力信号処理用の集積回路とを一体化した光セ
ンサモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光センサモジュールにおいて、受
光素子と該受光素子からの出力信号に対する信号処理用
の集積回路の一体化構成については、例えば実開昭６３
−６５２５８号には、図５に示すような構成のものが開
示されている。すなわち、図５において、101 は基板
で、該基板101 の面上には、受光素子102 と集積回路10
3が搭載されており、更に基板101 の同一面上には受光
素子102 及び集積回路103を別個に取り囲むように枠104
が搭載されている。そして、該枠104 内の受光素子102
の収容部には、透明樹脂105 が、また集積回路103 の
収容部には集積回路103 への光の入射を防ぐため、遮光
性樹脂106 が充填されており、枠104 は、これらの透明
樹脂105 及び遮光性樹脂106 が横方向へ流れ出すのを防
いでいる。
光素子と該受光素子からの出力信号に対する信号処理用
の集積回路の一体化構成については、例えば実開昭６３
−６５２５８号には、図５に示すような構成のものが開
示されている。すなわち、図５において、101 は基板
で、該基板101 の面上には、受光素子102 と集積回路10
3が搭載されており、更に基板101 の同一面上には受光
素子102 及び集積回路103を別個に取り囲むように枠104
が搭載されている。そして、該枠104 内の受光素子102
の収容部には、透明樹脂105 が、また集積回路103 の
収容部には集積回路103 への光の入射を防ぐため、遮光
性樹脂106 が充填されており、枠104 は、これらの透明
樹脂105 及び遮光性樹脂106 が横方向へ流れ出すのを防
いでいる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
構成の光センサモジュールにおいては、受光素子と集積
回路が同一基板上に横方向に並ぶように配置されている
ため、受光素子の受光面側から見たときの実装面積が増
大してしまうという問題点がある。
構成の光センサモジュールにおいては、受光素子と集積
回路が同一基板上に横方向に並ぶように配置されている
ため、受光素子の受光面側から見たときの実装面積が増
大してしまうという問題点がある。
【０００４】本発明は、従来の光センサモジュールにお
ける上記問題点を解消するためになされたもので、請求
項１記載の発明は、実装面積を低減して小型化を図るこ
との可能な、受光素子と集積回路とを一体化した光セン
サモジュールを提供することを目的とする。また請求項
２記載の発明は、受光素子のサイズが集積回路のサイズ
よりも大きいときに好適な小型化を図った光センサモジ
ュールを提供することを目的とする。また請求項３記載
の発明は、集積回路のサイズが受光素子のサイズよりも
大きいときに好適な小型化を図った光センサモジュール
を提供することを目的とする。
ける上記問題点を解消するためになされたもので、請求
項１記載の発明は、実装面積を低減して小型化を図るこ
との可能な、受光素子と集積回路とを一体化した光セン
サモジュールを提供することを目的とする。また請求項
２記載の発明は、受光素子のサイズが集積回路のサイズ
よりも大きいときに好適な小型化を図った光センサモジ
ュールを提供することを目的とする。また請求項３記載
の発明は、集積回路のサイズが受光素子のサイズよりも
大きいときに好適な小型化を図った光センサモジュール
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１記載の発明は、図１の（Ａ）の概念図に示
すように、受光部２を含む受光素子１には、その表面に
電極３が形成されている。また図１の（Ｂ）に示すよう
に、前記受光素子１の駆動用又は該受光素子１の出力信
号処理用の集積回路４には、その一部に前記受光素子１
の受光部２より大きく開口された開口部５と、電極６と
が形成されている。そして、集積回路４の開口部５の中
に受光素子１の受光部２が位置するように、集積回路４
と受光素子１とを重ね合わせ、受光素子１に形成されて
いる電極３と集積回路４に形成されている電極６とを接
続して、光センサモジュールを構成する。なお図１の
（Ａ），（Ｂ）において、７は回路形成部、８は半導
体、９は透明部材を示している。
め、請求項１記載の発明は、図１の（Ａ）の概念図に示
すように、受光部２を含む受光素子１には、その表面に
電極３が形成されている。また図１の（Ｂ）に示すよう
に、前記受光素子１の駆動用又は該受光素子１の出力信
号処理用の集積回路４には、その一部に前記受光素子１
の受光部２より大きく開口された開口部５と、電極６と
が形成されている。そして、集積回路４の開口部５の中
に受光素子１の受光部２が位置するように、集積回路４
と受光素子１とを重ね合わせ、受光素子１に形成されて
いる電極３と集積回路４に形成されている電極６とを接
続して、光センサモジュールを構成する。なお図１の
（Ａ），（Ｂ）において、７は回路形成部、８は半導
体、９は透明部材を示している。
【０００６】このように構成した光センサモジュールに
おいては、集積回路４に設けた開口部５を通して、光が
受光素子１の受光部２に確実に入射される。また集積回
路４と受光素子１とを積み重ねて一体化しているため、
実装面積を低減し小型化を図ることができる。
おいては、集積回路４に設けた開口部５を通して、光が
受光素子１の受光部２に確実に入射される。また集積回
路４と受光素子１とを積み重ねて一体化しているため、
実装面積を低減し小型化を図ることができる。
【０００７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の光センサモジュールにおいて、受光素子に形成した
電極に、入出力信号用のリードを接続するものである。
これにより、受光素子のサイズが集積回路のサイズより
も大きいときに、容易に小型化を図ることができる。ま
た請求項３記載の発明は、請求項１記載の光センサモジ
ュールにおいて、集積回路に形成した電極に、入出力信
号用のリードを接続するものである。これにより、集積
回路のサイズが受光素子のサイズよりも大きいときに、
容易に小型化を図ることができる。
載の光センサモジュールにおいて、受光素子に形成した
電極に、入出力信号用のリードを接続するものである。
これにより、受光素子のサイズが集積回路のサイズより
も大きいときに、容易に小型化を図ることができる。ま
た請求項３記載の発明は、請求項１記載の光センサモジ
ュールにおいて、集積回路に形成した電極に、入出力信
号用のリードを接続するものである。これにより、集積
回路のサイズが受光素子のサイズよりも大きいときに、
容易に小型化を図ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図２は、本発明に係る光センサモジュールの実施の
形態を示す断面図であり、図１に示した概念図と同一又
は対応する要素には同一符号を付して示している。図に
おいて、１は半導体基板により形成されているフォトダ
イオード、イメージセンサ等の受光素子で、その表面に
受光部２を備え、電極３が形成されている。４は前記受
光素子１の駆動用あるいは出力信号処理用の集積回路
で、半導体基板で形成されており、その一部には前記受
光素子１の受光部２より大きく開口された開口部５が設
けられており、該開口部５の周辺に回路形成部７が配置
され、更に表面には電極６が形成されている。
る。図２は、本発明に係る光センサモジュールの実施の
形態を示す断面図であり、図１に示した概念図と同一又
は対応する要素には同一符号を付して示している。図に
おいて、１は半導体基板により形成されているフォトダ
イオード、イメージセンサ等の受光素子で、その表面に
受光部２を備え、電極３が形成されている。４は前記受
光素子１の駆動用あるいは出力信号処理用の集積回路
で、半導体基板で形成されており、その一部には前記受
光素子１の受光部２より大きく開口された開口部５が設
けられており、該開口部５の周辺に回路形成部７が配置
され、更に表面には電極６が形成されている。
【０００９】そして、集積回路４の開口部５が受光素子
１の受光部２を完全に露出させるように、受光素子１と
集積回路４とを積み重ね、受光素子１と集積回路４にそ
れぞれ形成された電極３と６とを、導電性接着剤、異方
導電性材料、半田バンプ、金バンプ等の導電体８を介し
て接続する。そして、集積回路４の開口部５の上部に
は、受光素子１の受光部２を気密封止するためのガラス
等の透明部材９が貼り合わされている。なお、この透明
部材９の貼り合わせの代わりに、開口部５に透明樹脂を
充填するようにしてもよい。その場合には、集積回路４
の開口部５の側面が壁部となり、充填透明樹脂の横方向
への流出を防止することができる。
１の受光部２を完全に露出させるように、受光素子１と
集積回路４とを積み重ね、受光素子１と集積回路４にそ
れぞれ形成された電極３と６とを、導電性接着剤、異方
導電性材料、半田バンプ、金バンプ等の導電体８を介し
て接続する。そして、集積回路４の開口部５の上部に
は、受光素子１の受光部２を気密封止するためのガラス
等の透明部材９が貼り合わされている。なお、この透明
部材９の貼り合わせの代わりに、開口部５に透明樹脂を
充填するようにしてもよい。その場合には、集積回路４
の開口部５の側面が壁部となり、充填透明樹脂の横方向
への流出を防止することができる。
【００１０】また、外部との入出力信号を入出力するた
めのリード10が受光素子１の表面に設けられた電極３と
導電体11を介して接続する。リード10としては金属、あ
るいは絶縁性部材に導電性物質をパターニングしたリジ
ッド基板又はフレキシブル基板などを用いることができ
る。そして、受光素子１と集積回路４の接続点及び受光
素子１とリード10との接続点は、封止樹脂12により封止
される。
めのリード10が受光素子１の表面に設けられた電極３と
導電体11を介して接続する。リード10としては金属、あ
るいは絶縁性部材に導電性物質をパターニングしたリジ
ッド基板又はフレキシブル基板などを用いることができ
る。そして、受光素子１と集積回路４の接続点及び受光
素子１とリード10との接続点は、封止樹脂12により封止
される。
【００１１】以上のように、開口部５を設けた集積回路
４と受光素子１とを積み重ねて一体化することにより、
実装面積を低減させ小型化された光センサモジュールが
得られる。特に、この実施の形態においては、リード10
を受光素子側から引き出すようにしているので、集積回
路４のサイズが受光素子１より小さい場合に、小型化を
図るのに有利である。
４と受光素子１とを積み重ねて一体化することにより、
実装面積を低減させ小型化された光センサモジュールが
得られる。特に、この実施の形態においては、リード10
を受光素子側から引き出すようにしているので、集積回
路４のサイズが受光素子１より小さい場合に、小型化を
図るのに有利である。
【００１２】次に、第２の実施の形態を図３に基づいて
説明する。この実施の形態において、受光素子１及び集
積回路４の構成、並びに受光素子１と集積回路４の接続
態様については、図２に示した第１の実施の形態と同様
である。この実施の形態が第１の実施の形態と異なる点
は、外部との入出力信号を入出力するリード10を集積回
路４の表面に設けた電極６に、導電体11を介して接続し
ている点であり、この構成は、集積回路４の回路規模が
大きくなり、集積回路４のサイズが受光素子１より大き
くなるとき、小型化に有利な構造となる。
説明する。この実施の形態において、受光素子１及び集
積回路４の構成、並びに受光素子１と集積回路４の接続
態様については、図２に示した第１の実施の形態と同様
である。この実施の形態が第１の実施の形態と異なる点
は、外部との入出力信号を入出力するリード10を集積回
路４の表面に設けた電極６に、導電体11を介して接続し
ている点であり、この構成は、集積回路４の回路規模が
大きくなり、集積回路４のサイズが受光素子１より大き
くなるとき、小型化に有利な構造となる。
【００１３】次に、第３の実施の形態を図４に基づいて
説明する。この実施の形態における受光素子１及び集積
回路４の構成は、第１の実施の形態と同じである。そし
て、受光素子１と集積回路４とは、上記各実施の形態と
同様に、積み重ねて一体化されるが、その際、リード10
が、受光素子１に形成された電極３と集積回路４に形成
された電極６に挟み込まれるように、導電体13を介して
接続される。リード10としては、金属、あるいは絶縁性
部材の両面に導電性物質をパターニングしたリジット基
板又はフレキシブル基板などを用いることができる。こ
のように、リード10を受光素子１と集積回路４の両方に
挟み込まれるような態様で接続することにより、より一
層の小型化を図ることができる。
説明する。この実施の形態における受光素子１及び集積
回路４の構成は、第１の実施の形態と同じである。そし
て、受光素子１と集積回路４とは、上記各実施の形態と
同様に、積み重ねて一体化されるが、その際、リード10
が、受光素子１に形成された電極３と集積回路４に形成
された電極６に挟み込まれるように、導電体13を介して
接続される。リード10としては、金属、あるいは絶縁性
部材の両面に導電性物質をパターニングしたリジット基
板又はフレキシブル基板などを用いることができる。こ
のように、リード10を受光素子１と集積回路４の両方に
挟み込まれるような態様で接続することにより、より一
層の小型化を図ることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上の実施の形態に基づいて説明したよ
うに、請求項１記載の発明によれば、実装面積を低減し
て小型化された、受光素子と集積回路とを一体化した光
センサモジュールを実現することができる。また請求項
２記載の発明によれば、特に集積回路の回路規模が小さ
い場合に、効果的に光センサモジュールの小型化を図る
ことができる。また請求項３記載の発明によれば、特に
集積回路の回路規模が大きい場合に、効果的に光センサ
モジュールの小型化を図ることができる。
うに、請求項１記載の発明によれば、実装面積を低減し
て小型化された、受光素子と集積回路とを一体化した光
センサモジュールを実現することができる。また請求項
２記載の発明によれば、特に集積回路の回路規模が小さ
い場合に、効果的に光センサモジュールの小型化を図る
ことができる。また請求項３記載の発明によれば、特に
集積回路の回路規模が大きい場合に、効果的に光センサ
モジュールの小型化を図ることができる。
【図１】本発明に係る光センサモジュールを説明するた
めの全体概念図及び集積回路部分の斜視図である。
めの全体概念図及び集積回路部分の斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第３の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来の光センサモジュールの構成例を示す断面
図である。
図である。
１ 受光素子 ２ 受光部 ３ 電極 ４ 集積回路 ５ 開口部 ６ 電極 ７ 回路形成部 ８ 導電体 ９ 透明部材 10 リード 11 導電体 12 封止樹脂 13 導電体
Claims (3)
- 【請求項１】 受光部を備えた受光素子と、該受光素子
の駆動用又は該受光素子の出力信号処理用の集積回路と
からなり、該集積回路には前記受光素子の受光部より大
きな開口部を設け、該開口部を通して光が受光素子の受
光部に照射されるように受光素子上に集積回路を積み重
ね、集積回路表面上の電極と受光素子表面上の電極を接
続して一体化したことを特徴とする光センサモジュー
ル。 - 【請求項２】 前記受光素子表面上の電極に、入出力信
号用のリードを接続したことを特徴とする請求項１記載
の光センサモジュール。 - 【請求項３】 前記集積回路表面上の電極に、入出力信
号用のリードを接続したことを特徴とする請求項１記載
の光センサモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8021653A JPH09199736A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 光センサモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8021653A JPH09199736A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 光センサモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199736A true JPH09199736A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=12061016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8021653A Withdrawn JPH09199736A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 光センサモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005501405A (ja) * | 2001-08-24 | 2005-01-13 | カール−ツアイス−シュティフツンク | 電子部品の作製方法 |
-
1996
- 1996-01-16 JP JP8021653A patent/JPH09199736A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005501405A (ja) * | 2001-08-24 | 2005-01-13 | カール−ツアイス−シュティフツンク | 電子部品の作製方法 |
| US8114304B2 (en) | 2001-08-24 | 2012-02-14 | Wafer-Level Packaging Portfolio Llc | Method for producing electronic components |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030401 |