JPH09197844A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JPH09197844A JPH09197844A JP8024857A JP2485796A JPH09197844A JP H09197844 A JPH09197844 A JP H09197844A JP 8024857 A JP8024857 A JP 8024857A JP 2485796 A JP2485796 A JP 2485796A JP H09197844 A JPH09197844 A JP H09197844A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】自動濃度モ−ドのときに、濃度センサの特性に
影響されずに常に最適な濃度補正を行うことが困難であ
った。 【解決手段】ＡＤＳセンサ１で原稿濃度を検出し、電位
センサ２で感光体の表面電位を検出する。現像バイアス
補正部３は表面電位の最小値が基準値以下のときは、原
稿濃度によらずにあらかじめ定めた一定の現像バイアス
を選択して過補正を防止する。表面電位の最小値が基準
値を超えているときは、原稿濃度による現像バイアス補
正値と表面電位の最小値の差が基準値以下のときは、現
像バイアスを表面電位の最小値を基準にして決定し、逆
の場合には現像バイアスを現像バイアス補正値を基準に
して決定する。
影響されずに常に最適な濃度補正を行うことが困難であ
った。 【解決手段】ＡＤＳセンサ１で原稿濃度を検出し、電位
センサ２で感光体の表面電位を検出する。現像バイアス
補正部３は表面電位の最小値が基準値以下のときは、原
稿濃度によらずにあらかじめ定めた一定の現像バイアス
を選択して過補正を防止する。表面電位の最小値が基準
値を超えているときは、原稿濃度による現像バイアス補
正値と表面電位の最小値の差が基準値以下のときは、現
像バイアスを表面電位の最小値を基準にして決定し、逆
の場合には現像バイアスを現像バイアス補正値を基準に
して決定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば複写機等
の画像形成装置、特に自動濃度モ−ドのときの作像条件
の補正の適正化に関するものである。
の画像形成装置、特に自動濃度モ−ドのときの作像条件
の補正の適正化に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば複写機には原稿の地肌が出ないよ
うに、原稿の反射濃度を検出して濃度を自動的に調整す
る自動濃度調整機構が設けられている。この自動濃度調
整機構は、作像前にプレスキャンを行い、原稿全体の濃
度を検出して補正するものと、スキャン開始後、作像条
件に検出結果を反映できる範囲で原稿の濃度を検出し、
プレスキャンなしで補正するものがある。
うに、原稿の反射濃度を検出して濃度を自動的に調整す
る自動濃度調整機構が設けられている。この自動濃度調
整機構は、作像前にプレスキャンを行い、原稿全体の濃
度を検出して補正するものと、スキャン開始後、作像条
件に検出結果を反映できる範囲で原稿の濃度を検出し、
プレスキャンなしで補正するものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記プレスキャンを行
う場合には原稿の濃度を正確に検出できるが、複写の生
産性が劣り、プレスキャンなしで補正する場合には、複
写の生産性は良いが、原稿の一部の濃度を検出するた
め、濃度補正の精度が劣るなど、互いに長所と短所があ
る。
う場合には原稿の濃度を正確に検出できるが、複写の生
産性が劣り、プレスキャンなしで補正する場合には、複
写の生産性は良いが、原稿の一部の濃度を検出するた
め、濃度補正の精度が劣るなど、互いに長所と短所があ
る。
【０００４】また、原稿の反射光量を検出するセンサ
は、例えば特開昭60−112067号公報に示されているよう
に、感光体と同等の分光特性を持っているほうが正確な
検知を行うことができる。しかしながらセンサの分光特
性を感光体の分光特性と同等にするためには、センサや
フィルタの特性が限定され高価になってしまう。
は、例えば特開昭60−112067号公報に示されているよう
に、感光体と同等の分光特性を持っているほうが正確な
検知を行うことができる。しかしながらセンサの分光特
性を感光体の分光特性と同等にするためには、センサや
フィルタの特性が限定され高価になってしまう。
【０００５】この発明はかかる短所を改善するためにな
されたものであり、自動濃度モ−ドのときに、原稿の濃
度を検出するセンサの特性に影響されずに常に最適な濃
度補正を行うことができる画像形成装置を得ることを目
的とするものである。
されたものであり、自動濃度モ−ドのときに、原稿の濃
度を検出するセンサの特性に影響されずに常に最適な濃
度補正を行うことができる画像形成装置を得ることを目
的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る画像形成
装置は、原稿濃度検知手段と電位検知手段及び現像バイ
アス補正手段とを有し、原稿濃度検知手段は原稿の反射
光量を第１ミラ−，第２ミラ−，第３ミラ−を介して検
出し、電位検知手段は像担持体上の表面電位を検出し、
現像バイアス補正手段は原稿濃度検知手段で検出した原
稿濃度と電位検知手段で検出した表面電位から自動濃度
モ−ドのときの現像バイアス値を決定することを特徴と
する。
装置は、原稿濃度検知手段と電位検知手段及び現像バイ
アス補正手段とを有し、原稿濃度検知手段は原稿の反射
光量を第１ミラ−，第２ミラ−，第３ミラ−を介して検
出し、電位検知手段は像担持体上の表面電位を検出し、
現像バイアス補正手段は原稿濃度検知手段で検出した原
稿濃度と電位検知手段で検出した表面電位から自動濃度
モ−ドのときの現像バイアス値を決定することを特徴と
する。
【０００７】上記現像バイアス補正手段は現像バイアス
算出部と電位最小値比較部と現像バイアス選択部とを有
し、現像バイアス算出部は原稿濃度検知手段で検出した
原稿の濃度とあらかじめ設定された自動濃度調整用基準
値とから現像バイアス補正値を算出し、電位最小値比較
部は電位検知手段で検出した表面電位の最小値とあらか
じめ設定されている基準値とを比較し、表面電位の最小
値が基準値以下のときは、原稿濃度によらずにあらかじ
め定めた一定の現像バイアスを選択し、現像バイアス選
択部は表面電位の最小値が基準値を超えているときは、
現像バイアス補正値と表面電位の最小値とを比較し、現
像バイアス補正値と表面電位の最小値との差があらかじ
め定めた基準値以下のときは、現像バイアスを表面電位
の最小値を基準にして決定し、現像バイアス補正値と表
面電位の最小値の差が基準値を超えているときは、現像
バイアスを現像バイアス補正値を基準にして決定する。
算出部と電位最小値比較部と現像バイアス選択部とを有
し、現像バイアス算出部は原稿濃度検知手段で検出した
原稿の濃度とあらかじめ設定された自動濃度調整用基準
値とから現像バイアス補正値を算出し、電位最小値比較
部は電位検知手段で検出した表面電位の最小値とあらか
じめ設定されている基準値とを比較し、表面電位の最小
値が基準値以下のときは、原稿濃度によらずにあらかじ
め定めた一定の現像バイアスを選択し、現像バイアス選
択部は表面電位の最小値が基準値を超えているときは、
現像バイアス補正値と表面電位の最小値とを比較し、現
像バイアス補正値と表面電位の最小値との差があらかじ
め定めた基準値以下のときは、現像バイアスを表面電位
の最小値を基準にして決定し、現像バイアス補正値と表
面電位の最小値の差が基準値を超えているときは、現像
バイアスを現像バイアス補正値を基準にして決定する。
【０００８】上記原稿濃度の検出位置と表面電位の検出
位置を同じ位置にすることが望ましい。
位置を同じ位置にすることが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明においては、複写機の自
動濃度調整機構には原稿濃度検知センサ（以下、ＡＤＳ
センサという）と電位センサと現像バイアス補正部を有
する。ＡＤＳセンサは露光ランプから原稿に照射した光
の反射光を第１ミラ−〜第３ミラ−を介して受光し、光
電変換して原稿の濃度を検出する。電位センサは感光体
の表面電位を検出する。現像バイアス補正部は現像バイ
アス算出部と電位最小値比較部と現像バイアス選択部を
有する。現像バイアス算出部はＡＤＳセンサで検出した
原稿の濃度と自動濃度調整用基準値とから現像バイアス
補正値を算出する。電位最小値比較部は電位センサで検
出した感光体の表面電位の最小値とあらかじめ設定され
ている基準値とを比較し、表面電位の最小値が基準値以
下のときは、原稿濃度によらずにあらかじめ定めた一定
の現像バイアスを選択して、原稿の地肌が白くても、原
稿濃度の検出位置に文字等があるときに、原稿濃度が小
さくなるような過補正を防止する。表面電位の最小値が
基準値を超えているときは、現像バイアス選択部で現像
バイアス補正値と表面電位の最小値とを比較し、現像バ
イアス補正値の絶対値と表面電位の最小値の絶対値の差
があらかじめ定めた基準値以下のときは、地肌汚れが生
じると判断し、現像バイアス設定値を表面電位の最小値
を基準にして決定する。また、現像バイアス補正値の絶
対値と表面電位の最小値の絶対値の差が基準値を超えて
いるときは、現像バイアス設定値を現像バイアス補正値
を基準にして決定する。
動濃度調整機構には原稿濃度検知センサ（以下、ＡＤＳ
センサという）と電位センサと現像バイアス補正部を有
する。ＡＤＳセンサは露光ランプから原稿に照射した光
の反射光を第１ミラ−〜第３ミラ−を介して受光し、光
電変換して原稿の濃度を検出する。電位センサは感光体
の表面電位を検出する。現像バイアス補正部は現像バイ
アス算出部と電位最小値比較部と現像バイアス選択部を
有する。現像バイアス算出部はＡＤＳセンサで検出した
原稿の濃度と自動濃度調整用基準値とから現像バイアス
補正値を算出する。電位最小値比較部は電位センサで検
出した感光体の表面電位の最小値とあらかじめ設定され
ている基準値とを比較し、表面電位の最小値が基準値以
下のときは、原稿濃度によらずにあらかじめ定めた一定
の現像バイアスを選択して、原稿の地肌が白くても、原
稿濃度の検出位置に文字等があるときに、原稿濃度が小
さくなるような過補正を防止する。表面電位の最小値が
基準値を超えているときは、現像バイアス選択部で現像
バイアス補正値と表面電位の最小値とを比較し、現像バ
イアス補正値の絶対値と表面電位の最小値の絶対値の差
があらかじめ定めた基準値以下のときは、地肌汚れが生
じると判断し、現像バイアス設定値を表面電位の最小値
を基準にして決定する。また、現像バイアス補正値の絶
対値と表面電位の最小値の絶対値の差が基準値を超えて
いるときは、現像バイアス設定値を現像バイアス補正値
を基準にして決定する。
【００１０】また、原稿の濃度検出位置と表面電位の検
出位置を同じ位置にして、濃度補正が過補正になること
を防ぐ。
出位置を同じ位置にして、濃度補正が過補正になること
を防ぐ。
【００１１】
【実施例】図１はこの発明の一実施例の自動濃度調整機
構の構成を示すブロック図である。図に示すように、マ
イナスに帯電した感光体にプラス電位のトナ−を使用し
たポジポジ現像システムを有する複写機の自動濃度調整
機構には原稿濃度検知センサ（以下、ＡＤＳセンサとい
う）１と電位センサ２と現像バイアス補正部３及び現像
バイアス設定部４を有する。ＡＤＳセンサ１は図２の露
光光学系の構成図に示すように、露光ランプ５から原稿
に照射した光の反射光を第１ミラ−６，第２ミラ−７，
第３ミラ−８を介して受光し、光電変換して原稿の濃度
を検出する。電位センサ２は感光体の表面電位を検出す
る。現像バイアス補正部３は現像バイアス算出部９と電
位最小値比較部１０と現像バイアス選択部１１を有す
る。現像バイアス算出部９はＡＤＳセンサ１で検出した
原稿の濃度から現像バイアス補正値を算出する。電位最
小値比較部１０は電位センサ２で検出した感光体の表面
電位の最小値とあらかじめ設定されている基準値とを比
較する。現像バイアス選択部１１は現像バイアス算出部
９で算出した現像バイアス補正値と感光体の表面電位の
最小値から現像バイアス設定値を選択する。現像バイア
ス設定部４は選択された現像バイアス設定値により現像
バイアスを設定する。
構の構成を示すブロック図である。図に示すように、マ
イナスに帯電した感光体にプラス電位のトナ−を使用し
たポジポジ現像システムを有する複写機の自動濃度調整
機構には原稿濃度検知センサ（以下、ＡＤＳセンサとい
う）１と電位センサ２と現像バイアス補正部３及び現像
バイアス設定部４を有する。ＡＤＳセンサ１は図２の露
光光学系の構成図に示すように、露光ランプ５から原稿
に照射した光の反射光を第１ミラ−６，第２ミラ−７，
第３ミラ−８を介して受光し、光電変換して原稿の濃度
を検出する。電位センサ２は感光体の表面電位を検出す
る。現像バイアス補正部３は現像バイアス算出部９と電
位最小値比較部１０と現像バイアス選択部１１を有す
る。現像バイアス算出部９はＡＤＳセンサ１で検出した
原稿の濃度から現像バイアス補正値を算出する。電位最
小値比較部１０は電位センサ２で検出した感光体の表面
電位の最小値とあらかじめ設定されている基準値とを比
較する。現像バイアス選択部１１は現像バイアス算出部
９で算出した現像バイアス補正値と感光体の表面電位の
最小値から現像バイアス設定値を選択する。現像バイア
ス設定部４は選択された現像バイアス設定値により現像
バイアスを設定する。
【００１２】上記のように構成された複写機の自動濃度
調整機構で濃度を補正するときの動作を図３のフロ−チ
ャ−トを参照して説明する。
調整機構で濃度を補正するときの動作を図３のフロ−チ
ャ−トを参照して説明する。
【００１３】複写機の電源がオンになると（ステップＳ
１）、露光光学系の光学フレ−ム１２の前側裏面にある
自動濃度調整用パタ−ン１３を一定光量、例えば基準と
なるマニュアルノッチ４の電圧で定まる光量で露光し、
その反射光をＡＤＳセンサ１で受光し、受光した光量に
より定まる自動濃度調整用電圧（以下、ＡＤＳ基準電圧
という）ＶＡＤＳ（Ｐ）を現像バイアス算出部９に送
る。現像バイアス算出部９は送られたＡＤＳ基準電圧Ｖ
ＡＤＳ（Ｐ）を基準値として保存する（ステップＳ
２）。この状態で自動濃度モ−ドでコピ−スタ−トにな
ると（ステップＳ３）、ＡＤＳセンサ１が原稿の先端か
ら一定範囲、例えば原稿先端の15mmの範囲の原稿濃度を
検出して現像バイアス算出部９に送る（ステップＳ
４）。また、電位センサ２は作像時の感光体の表面電位
を検出して電位最小値比較部１０に送る（ステップＳ
５）。現像バイアス算出部９は検知時間内に送られた原
稿濃度を示す電圧の最大値ＶＡＤＳを決定し、決定した
原稿濃度最大値ＶＡＤＳとＡＤＳ基準電圧ＶＡＤＳ
（Ｐ）から補正値ＶＢＡＤＳをあらかじめ定めた式、例
えばＶＢＡＤＳ＝816×〔ＶＡＤＳ/ＶＡＤＳ（Ｐ）−0.
85〕で算出する。但し、補正値ＶＢＡＤＳ≦０である。
この算出した補正値ＶＢＡＤＳにマニュアルノッチ４の
ときの現像バイアス、例えば−240Ｖを加えて現像バイ
アス補正値ＶＢを算出し、現像バイアス選択部１１に送
る（ステップ６）。なお、マニュアルノッチ４のときの
現像バイアス、例えば−240Ｖは残留電位補正が入る
と、その補正分ＶＢ（Ｒ）分だけ変化して〔−240Ｖ＋
ＶＢ（Ｒ）〕となる。
１）、露光光学系の光学フレ−ム１２の前側裏面にある
自動濃度調整用パタ−ン１３を一定光量、例えば基準と
なるマニュアルノッチ４の電圧で定まる光量で露光し、
その反射光をＡＤＳセンサ１で受光し、受光した光量に
より定まる自動濃度調整用電圧（以下、ＡＤＳ基準電圧
という）ＶＡＤＳ（Ｐ）を現像バイアス算出部９に送
る。現像バイアス算出部９は送られたＡＤＳ基準電圧Ｖ
ＡＤＳ（Ｐ）を基準値として保存する（ステップＳ
２）。この状態で自動濃度モ−ドでコピ−スタ−トにな
ると（ステップＳ３）、ＡＤＳセンサ１が原稿の先端か
ら一定範囲、例えば原稿先端の15mmの範囲の原稿濃度を
検出して現像バイアス算出部９に送る（ステップＳ
４）。また、電位センサ２は作像時の感光体の表面電位
を検出して電位最小値比較部１０に送る（ステップＳ
５）。現像バイアス算出部９は検知時間内に送られた原
稿濃度を示す電圧の最大値ＶＡＤＳを決定し、決定した
原稿濃度最大値ＶＡＤＳとＡＤＳ基準電圧ＶＡＤＳ
（Ｐ）から補正値ＶＢＡＤＳをあらかじめ定めた式、例
えばＶＢＡＤＳ＝816×〔ＶＡＤＳ/ＶＡＤＳ（Ｐ）−0.
85〕で算出する。但し、補正値ＶＢＡＤＳ≦０である。
この算出した補正値ＶＢＡＤＳにマニュアルノッチ４の
ときの現像バイアス、例えば−240Ｖを加えて現像バイ
アス補正値ＶＢを算出し、現像バイアス選択部１１に送
る（ステップ６）。なお、マニュアルノッチ４のときの
現像バイアス、例えば−240Ｖは残留電位補正が入る
と、その補正分ＶＢ（Ｒ）分だけ変化して〔−240Ｖ＋
ＶＢ（Ｒ）〕となる。
【００１４】一方、電位最小値比較部１０は検知時間内
に送られた感光体の表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）を
決定し（ステップＳ７）、決定した表面電位の最小値Ｖ
Ｓ（ＭＩＮ）の絶対値があらかじめ定めた基準値、例え
ば100Ｖ以下であるかどうかを判定する（ステップＳ
８）。そして、表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）の絶対
値が例えば100Ｖ以下のときは、原稿濃度によらずに現
像バイアス設定値ＶＢＳとしてマニュアルノッチ４のと
きの現像バイアス、例えば−240Ｖを現像バイアス設定
部４に送る（ステップＳ９）。これは原稿の地肌が白く
ても、原稿濃度の検出位置に文字等があるときに、原稿
濃度が小さくなるような過補正を防止するためである。
に送られた感光体の表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）を
決定し（ステップＳ７）、決定した表面電位の最小値Ｖ
Ｓ（ＭＩＮ）の絶対値があらかじめ定めた基準値、例え
ば100Ｖ以下であるかどうかを判定する（ステップＳ
８）。そして、表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）の絶対
値が例えば100Ｖ以下のときは、原稿濃度によらずに現
像バイアス設定値ＶＢＳとしてマニュアルノッチ４のと
きの現像バイアス、例えば−240Ｖを現像バイアス設定
部４に送る（ステップＳ９）。これは原稿の地肌が白く
ても、原稿濃度の検出位置に文字等があるときに、原稿
濃度が小さくなるような過補正を防止するためである。
【００１５】また、表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）の
絶対値が例えば100Ｖを超えているときは、表面電位の
最小値ＶＳ（ＭＩＮ）を現像バイアス選択部１１に送
る。現像バイアス選択部１１は送られた現像バイアス補
正値ＶＢと表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）とを比較
し、現像バイアス補正値ＶＢの絶対値と表面電位の最小
値ＶＳ（ＭＩＮ）の絶対値の差があらかじめ定めた基準
値、例えば100Ｖ以下であるかどうかを判定する（ステ
ップＳ１０）。この判定した結果、現像バイアス補正値
ＶＢの絶対値と表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）の絶対
値の差が、例えば100Ｖ以下のときは、地肌汚れが生じ
ると判断し、現像バイアス設定値ＶＢＳとして表面電位
の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）を基準にしてＶＢＳ＝〔ＶＳ
(ＭＩＮ）−100〕を現像バイアス設定部４に送る（ステ
ップＳ１１）。また、現像バイアス補正値ＶＢの絶対値
と表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）の絶対値の差が、例
えば100Ｖを超えているときは、現像バイアス設定値Ｖ
ＢＳとして現像バイアス補正値ＶＢを現像バイアス設定
部４に送る（ステップＳ１１）。現像バイアス設定部４
は送られた現像バイアス設定値ＶＢＳで現像バイアスを
設定し濃度補正を行う。
絶対値が例えば100Ｖを超えているときは、表面電位の
最小値ＶＳ（ＭＩＮ）を現像バイアス選択部１１に送
る。現像バイアス選択部１１は送られた現像バイアス補
正値ＶＢと表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）とを比較
し、現像バイアス補正値ＶＢの絶対値と表面電位の最小
値ＶＳ（ＭＩＮ）の絶対値の差があらかじめ定めた基準
値、例えば100Ｖ以下であるかどうかを判定する（ステ
ップＳ１０）。この判定した結果、現像バイアス補正値
ＶＢの絶対値と表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）の絶対
値の差が、例えば100Ｖ以下のときは、地肌汚れが生じ
ると判断し、現像バイアス設定値ＶＢＳとして表面電位
の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）を基準にしてＶＢＳ＝〔ＶＳ
(ＭＩＮ）−100〕を現像バイアス設定部４に送る（ステ
ップＳ１１）。また、現像バイアス補正値ＶＢの絶対値
と表面電位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）の絶対値の差が、例
えば100Ｖを超えているときは、現像バイアス設定値Ｖ
ＢＳとして現像バイアス補正値ＶＢを現像バイアス設定
部４に送る（ステップＳ１１）。現像バイアス設定部４
は送られた現像バイアス設定値ＶＢＳで現像バイアスを
設定し濃度補正を行う。
【００１６】例えば、グレ−スケ−ル（写真原稿）での
原稿反射率と表面電位の関係が図４に示すような特性を
有し、ＡＤＳセンサ１として、図５に示すように、分光
特性が良好なＡＤＳセンサ１ａと分光特性が劣るＡＤＳ
センサ１ｂを使用して原稿濃度を検出したときのグレ−
スケ−ル原稿反射率と検出した原稿濃度の最大値ＶＡＤ
Ｓとの関係を図６に示す。図６において、丸印はＡＤＳ
センサ１ａで検出した値を示し、ばつ印はＡＤＳセンサ
１ｂで検出した値を示す。この図４に示した表面電位と
図６に示した原稿濃度の最大値ＶＡＤＳ及び現像バイア
ス補正値ＶＢの関係を図７に示す。図７において（Ａ）
は原稿グレ−スケ−ルを示し（Ｂ）は現像バイアス補正
値ＶＢを示し、丸印は地肌が異なる３種類の原稿
（ａ），（ｂ）、（ｃ）の濃度をＡＤＳセンサ１ａで検
出した値、ばつ印はＡＤＳセンサ１ｂで検出した値を示
す。図７に示すように、原稿（ａ）の濃度をＡＤＳセン
サ１ａで検出したときには、原稿濃度最大値ＶＡＤＳ＝
1.76、現像バイアス補正値ＶＢ＝−400Ｖ、表面電位の
最小値ＶＳ（ＭＩＮ）＝−290Ｖであったので、地肌汚
れのない画像が得られるが、原稿（ａ）の濃度をＡＤＳ
センサ１ｂで検出したときには、原稿濃度最大値ＶＡＤ
Ｓ＝2.18、現像バイアス補正値ＶＢ＝−275Ｖ、表面電
位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）＝−290Ｖとなり、現像バイ
アス補正値ＶＢ＝−275Ｖに基づいて補正をすると地肌
が汚れてしまう。そこで上記実施例に示すように、原稿
（ａ）の濃度をＡＤＳセンサ１ｂで検出したときに、
（ＶＢ−100）＝−390Ｖになるので、表面電位の最小値
ＶＳ（ＭＩＮ）＝−290Ｖを基準として現像バイアス設
定値ＶＢＳ＝〔ＶＳ（ＭＩＮ）−100〕＝−390Ｖとす
る。このようにして分光特性が劣るＡＤＳセンサ１ｂを
使用しても、地肌汚れのない画像を自動的に得ることが
できる。
原稿反射率と表面電位の関係が図４に示すような特性を
有し、ＡＤＳセンサ１として、図５に示すように、分光
特性が良好なＡＤＳセンサ１ａと分光特性が劣るＡＤＳ
センサ１ｂを使用して原稿濃度を検出したときのグレ−
スケ−ル原稿反射率と検出した原稿濃度の最大値ＶＡＤ
Ｓとの関係を図６に示す。図６において、丸印はＡＤＳ
センサ１ａで検出した値を示し、ばつ印はＡＤＳセンサ
１ｂで検出した値を示す。この図４に示した表面電位と
図６に示した原稿濃度の最大値ＶＡＤＳ及び現像バイア
ス補正値ＶＢの関係を図７に示す。図７において（Ａ）
は原稿グレ−スケ−ルを示し（Ｂ）は現像バイアス補正
値ＶＢを示し、丸印は地肌が異なる３種類の原稿
（ａ），（ｂ）、（ｃ）の濃度をＡＤＳセンサ１ａで検
出した値、ばつ印はＡＤＳセンサ１ｂで検出した値を示
す。図７に示すように、原稿（ａ）の濃度をＡＤＳセン
サ１ａで検出したときには、原稿濃度最大値ＶＡＤＳ＝
1.76、現像バイアス補正値ＶＢ＝−400Ｖ、表面電位の
最小値ＶＳ（ＭＩＮ）＝−290Ｖであったので、地肌汚
れのない画像が得られるが、原稿（ａ）の濃度をＡＤＳ
センサ１ｂで検出したときには、原稿濃度最大値ＶＡＤ
Ｓ＝2.18、現像バイアス補正値ＶＢ＝−275Ｖ、表面電
位の最小値ＶＳ（ＭＩＮ）＝−290Ｖとなり、現像バイ
アス補正値ＶＢ＝−275Ｖに基づいて補正をすると地肌
が汚れてしまう。そこで上記実施例に示すように、原稿
（ａ）の濃度をＡＤＳセンサ１ｂで検出したときに、
（ＶＢ−100）＝−390Ｖになるので、表面電位の最小値
ＶＳ（ＭＩＮ）＝−290Ｖを基準として現像バイアス設
定値ＶＢＳ＝〔ＶＳ（ＭＩＮ）−100〕＝−390Ｖとす
る。このようにして分光特性が劣るＡＤＳセンサ１ｂを
使用しても、地肌汚れのない画像を自動的に得ることが
できる。
【００１７】なお、上記のように原稿の濃度と感光体の
表面電位を検出して現像バイアスを設定している場合
に、原稿の濃度検出位置と表面電位の検出位置が異なる
と、例えば、原稿の濃度検出位置に原稿の白い部分がき
て、表面電位の検出位置に原稿の暗い部分がきたときに
過補正になる場合がある。そこで、図８に示すように、
原稿の濃度検出位置に対応した感光体１４の表面上に電
位センサ２を設けることにより、より精度を高めること
ができる。
表面電位を検出して現像バイアスを設定している場合
に、原稿の濃度検出位置と表面電位の検出位置が異なる
と、例えば、原稿の濃度検出位置に原稿の白い部分がき
て、表面電位の検出位置に原稿の暗い部分がきたときに
過補正になる場合がある。そこで、図８に示すように、
原稿の濃度検出位置に対応した感光体１４の表面上に電
位センサ２を設けることにより、より精度を高めること
ができる。
【００１８】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、原稿の
濃度だけでなく像担持体上の表面電位も考慮して自動濃
度モ−ドのときの現像バイアスを決定するようにしたか
ら、濃度補正が過補正になることを防ぐことができ、常
に最適な濃度補正を行うことができる。
濃度だけでなく像担持体上の表面電位も考慮して自動濃
度モ−ドのときの現像バイアスを決定するようにしたか
ら、濃度補正が過補正になることを防ぐことができ、常
に最適な濃度補正を行うことができる。
【００１９】また、分光特性の劣る濃度センサを使用し
ても、適正な補正を行うことができるから、コストダウ
ンをすることができる。
ても、適正な補正を行うことができるから、コストダウ
ンをすることができる。
【００２０】さらに、原稿の濃度検出位置と表面電位の
検出位置を同じ位置にすることにより、より安定した補
正を行うことができ、補正精度を高めることができる。
検出位置を同じ位置にすることにより、より安定した補
正を行うことができ、補正精度を高めることができる。
【図１】この発明の実施例の自動濃度調整機構の構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図２】露光光学系の構成図である。
【図３】上記実施例の動作を示すフロ−チャ−トであ
る。
る。
【図４】グレ−スケ−ルでの原稿反射率と表面電位の関
係を示す特性図である。
係を示す特性図である。
【図５】ＡＤＳセンサの分光特性図である。
【図６】グレ−スケ−ル原稿反射率と原稿濃度の関係を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図７】表面電位と原稿濃度検出値と現像バイアス補正
値の関係を示す特性図である。
値の関係を示す特性図である。
【図８】電位センサの設置位置を示す斜視図である。
１ 原稿濃度検知センサ（ＡＤＳセンサ） ２ 電位センサ ３ 現像バイアス補正部 ４ 現像バイアス設定部 ９ 現像バイアス算出部 １０ 電位最小値比較部 １１ 現像バイアス選択部
Claims (3)
- 【請求項１】 原稿濃度検知手段と電位検知手段及び現
像バイアス補正手段とを有し、原稿濃度検知手段は原稿
の反射光量を第１ミラ−，第２ミラ−，第３ミラ−を介
して検出し、電位検知手段は像担持体上の表面電位を検
出し、現像バイアス補正手段は原稿濃度検知手段で検出
した原稿濃度と電位検知手段で検出した表面電位から自
動濃度モ−ドのときの現像バイアス値を決定することを
特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２】 上記現像バイアス補正手段は現像バイア
ス算出部と電位最小値比較部と現像バイアス選択部とを
有し、現像バイアス算出部は原稿濃度検知手段で検出し
た原稿の濃度とあらかじめ設定された自動濃度調整用基
準値とから現像バイアス補正値を算出し、電位最小値比
較部は電位検知手段で検出した表面電位の最小値とあら
かじめ設定されている基準値とを比較し、表面電位の最
小値が基準値以下のときは、原稿濃度によらずにあらか
じめ定めた一定の現像バイアスを選択し、現像バイアス
選択部は表面電位の最小値が基準値を超えているとき
は、現像バイアス補正値と表面電位の最小値とを比較
し、現像バイアス補正値と表面電位の最小値との差があ
らかじめ定めた基準値以下のときは、現像バイアスを表
面電位の最小値を基準にして決定し、現像バイアス補正
値と表面電位の最小値の差が基準値を超えているとき
は、現像バイアスを現像バイアス補正値を基準にして決
定する請求項１記載の画像形成装置。 - 【請求項３】 上記原稿濃度の検出位置と表面電位の検
出位置を同じ位置にした請求項１記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8024857A JPH09197844A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8024857A JPH09197844A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09197844A true JPH09197844A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=12149897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8024857A Pending JPH09197844A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09197844A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112176A (ja) * | 2001-05-25 | 2008-05-15 | Eastman Kodak Co | 診断目的のための高電圧バイアスフィードバック方法およびシステム |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP8024857A patent/JPH09197844A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112176A (ja) * | 2001-05-25 | 2008-05-15 | Eastman Kodak Co | 診断目的のための高電圧バイアスフィードバック方法およびシステム |
| JP4663704B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2011-04-06 | イーストマン コダック カンパニー | 診断目的のための高電圧バイアスフィードバック方法およびシステム |
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