JPH09190955A - 半導体ウエハの保護部材 - Google Patents

半導体ウエハの保護部材

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JPH09190955A
JPH09190955A JP1941796A JP1941796A JPH09190955A JP H09190955 A JPH09190955 A JP H09190955A JP 1941796 A JP1941796 A JP 1941796A JP 1941796 A JP1941796 A JP 1941796A JP H09190955 A JPH09190955 A JP H09190955A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 セパレータ成分でウエハが汚染されにくく、
自動接着装置を介したセパレータよりの剥離処理を円滑
に進行できて剥離不良による接着処理の誤動作でウエハ
が損傷することを防止でき、かつセパレータより剥離す
る際の応力が残存した保護フィルムの接着で裏面研削後
のウエハに反り等の不良が発生しない半導体ウエハの保
護部材の開発。 【解決手段】 保護フィルム(1)に付設した粘着層
(2)を、ポリエチレンからなるカバー層(31)を有
する多層基材よりなるセパレータにより前記カバー層を
介し仮着被覆してなる半導体ウエハの保護部材。 【効果】 剥離剤による表面処理が不要なセパレータが
得られ、裏面研削等のウエハ加工時に自動接着装置を介
し自動的にセパレータより剥離し、その保護フィルムを
ウエハに接着して目的とする加工を施せる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の技術分野】本発明は、セパレータ成分によりウ
エハが汚染されにくく、自動接着装置を介しセパレータ
より剥離して円滑に接着処理でき、裏面研削処理等のウ
エハ加工に好適な半導体ウエハの保護部材に関する。
【0002】
【発明の背景】IC等の回路パターンが形成された半導
体ウエハは、それを可及的に薄くするための裏面研削処
理等の必要な加工が施される。ちなみに裏面研削処理で
は例えば0.6mm厚程度のものが0.1〜0.4mm厚な
どとされ、後続のダイシング工程等へと送られる。半導
体ウエハの加工に際しては、例えばウエハが破損した
り、回路パターン形成面が研削屑等で汚染、損傷するこ
とを防止するために自動接着装置を介して予めその回路
パターン形成面に保護部材が接着され、裏面研削等の必
要な加工を施した後に剥離除去してウエハ洗浄工程など
に送られる。
【0003】従来、前記の保護部材としては、ポリエス
テルやポリプロピレン等のフィルムをシリコーン系剥離
剤で表面処理してなるセパレータの長尺体に、保護フィ
ルム片をそれに付設した粘着層を介して所定間隔で仮着
したものが知られていた。しかしながら、かかる保護部
材ではセパレータより剥がした際にシリコーン系剥離皮
膜の一部が粘着層表面に移着し、それがウエハに接着し
たときに回路パターン形成面を汚染する問題点があっ
た。
【0004】前記に鑑みて、シリコーン系剥離剤で処理
しなくても粘着層より剥離できるポリエチレンフィルム
(特開昭63−177423号公報)又は延伸ポリプロ
ピレンフィルム(特開平6−330005号公報)をセ
パレータに用いたものも提案されている。
【0005】しかしながら、ポリエチレンフィルムでは
自動接着装置を介し剥がす際のセパレータの伸びが大き
く、保護フィルムの一部がセパレータと接着したままロ
ーラ等によりウエハに接着されるなどの誤動作を生じて
ウエハ損傷等のトラブルが発生する問題点があった。ま
た延伸ポリプロピレンフィルムでは粘着層、特にアクリ
ル系のそれとの接着力が大きく、セパレータより剥離す
る際の応力が保護フィルムに残存した状態でウエハに接
着されて裏面研削時にウエハにストレスが加わり、研削
後のウエハに反りが発生する問題点があった。
【0006】
【発明の技術的課題】本発明は、セパレータ成分により
ウエハが汚染されにくく、自動接着装置を介したセパレ
ータよりの剥離処理を円滑に進行できて剥離不良による
接着処理の誤動作でウエハが損傷することを防止でき、
かつセパレータより剥離する際の応力が残存した保護フ
ィルムの接着で裏面研削後のウエハに反り等の不良が発
生しない半導体ウエハの保護部材の開発を課題とする。
【0007】
【課題の解決手段】本発明は、保護フィルムに付設した
粘着層を、ポリエチレンからなるカバー層を有する多層
基材よりなるセパレータにより前記カバー層を介し仮着
被覆してなることを特徴とする半導体ウエハの保護部材
を提供するものである。
【0008】
【発明の効果】上記構成のセパレータにより、剥離剤に
よる表面処理が不要でセパレータ成分によりウエハが汚
染されにくく、自動接着装置を介しセパレータより円滑
に剥離できて保護フィルムの一部がセパレータに接着し
たままウエハに接着される加工ラインの誤動作でウエハ
が損傷することを防止することができる。また、セパレ
ータよりの円滑な剥離で保護フィルムに応力が発生、残
存しにくくウエハに接着して裏面研削処理に供してもウ
エハに反り等の不良が発生しない保護部材とすることが
できる。従って、裏面研削等のウエハ加工時に自動接着
装置を介し自動的にセパレータより剥離し、その保護フ
ィルムをウエハに接着して目的とする加工を施すことが
でき、その場合のウエハの汚染や損傷、反り等を防止す
ることができる。
【0009】
【発明の実施形態】本発明の保護部材は、保護フィルム
に付設した粘着層を、ポリエチレンからなるカバー層を
有する多層基材よりなるセパレータにより前記カバー層
を介し仮着被覆してなり、そのセパレータより保護フィ
ルム等を剥がして半導体ウエハに接着して保護するため
のものである。その例を図1に示した。1が保護フィル
ム、2が粘着層、3がセパレータであり、31がカバー
層、32が補強層である。
【0010】セパレータは、保護部材の保管時や流通時
等における粘着層の汚染防止を目的に半導体ウエハに接
着するまでの間、粘着層を仮着被覆して保護し、また自
動接着装置を介したウエハ加工ラインへの保護フィルム
の供給時にキャリアテープとして機能しうるものであ
る。本発明においては、かかるセパレータとして図例の
如く、ポリエチレンからなるカバー層31を有する多層
基材よりなるものが用いられる。かかるカバー層を介し
て粘着層に仮着するセパレータとすることにより、カバ
ー層の表面をシリコーン系等の剥離剤で処理する必要な
く容易に粘着層と剥離できるセパレータとすることがで
き、剥離剤のコート層が粘着層に移着しそれが更にウエ
ハに移着して汚染物質となることを防止することができ
る。
【0011】カバー層形成のポリエチレンとしては、直
鎖状物やその他の低密度品、中密度品や高密度品などの
適宜なものを用いることができ、特に限定はない。カバ
ー層は、ポリエチレンの単独層やポリエチレンと異種ポ
リマーとのブレンド物からなる層として形成することが
でき、添加剤も配合することができる。
【0012】ブレンド物とする場合には、良好な剥離性
を維持する点などよりポリエチレンの含有量を50重量
%以上、就中55重量%以上、特に60〜95重量%と
することが好ましい。また添加剤を配合する場合には、
粘着層に移着しそれが更にウエハに移着して汚染物質と
なることを防止する点などより、滑剤や酸化防止剤、顔
料等の低分子量添加剤の含有量をポリエチレン100重
量部あたり5重量部以下、就中カバー層を形成する全ポ
リマー100重量部あたり5重量部以下、特に0.01
〜4重量部とすることが好ましい。
【0013】前記ブレンド用の異種ポリマーとしては、
例えば多層基材における補強層等の他層との密着力の向
上や粘着層との剥離性の向上などのブレンド目的に応じ
て適宜なポリマーの1種又は2種以上を用いうる。ちな
みに密着力向上用のブレンドポリマーの例としては、ポ
リプロピレンやポリブテン、ポリメチルペンテンやポリ
エステル、ポリカーボネートやポリエチレン、ポリウレ
タンやポリアミド、エポキシ系樹脂やポリ塩化ビニル、
エチレン・酢酸ビニル共重合体やポリ酢酸ビニル、エチ
レン・(メタ)アクリレート共重合体やエチレン・メチ
ル(メタ)アクリレート共重合体、エチレン・エチル
(メタ)アクリレート共重合体やその他のアクリル系ポ
リマー、エチレン・プロピレン共重合体などがあげられ
る。
【0014】また剥離性向上用のブレンドポリマーの例
としては、分子中にSiやF等を含有するシリコーン系
ポリマーやフッ素系ポリマー、あるいはかかるシリコー
ン系ポリマーやフッ素系ポリマーをポリエチレンにグラ
フト重合させたもの、炭素数が8以上のアルキル基を有
する(メタ)アクリル酸アルキルエステルポリマーの如
き長鎖アルキル型のアクリル系ポリマーなどがあげられ
る。
【0015】一方、カバー層に添加されることのある滑
剤としては、例えばステアリン酸の如き脂肪酸、ステア
リン酸アミドやパルミチン酸アミド、メチレンビスステ
アロアミドやエチレンビスステアロアミドの如き脂肪酸
アミドなどがあげられる。
【0016】また酸化防止剤としては、例えば2,6−
ジ−t-ブチル−p−クレゾールやn-アクタデシル−β
−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t-ブチルフェニ
ル)プロピオネート、アルキルフェノールの如き置換モ
ノフェノール系化合物、2,2'−メチレンビス(4−
メチル−6−t-ブチルフェノール)や4,4'−ブチリ
デンビス(3−メチル−6−t-ブチルフェノール)、
4,4'−i-プロピリデンビスフェノールの如きアルキ
リデンビスフェノール系化合物、1,3,5−トリメチ
ル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t-ブチル−4
−ヒドロキシベンジル)ベンゼンやテトラキス〔3−
(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t-ブチルフェニル)
プロピオニルオキシメチル〕メタン、トリス(2−メチ
ルヒドロキシ−5−t-ブチルフェニル)ブタンの如き
ポリフェノール系化合物、4,4'−チオビス(3−メ
チル−6−t-ブチルフェノール)や4,4'−チオビス
(6−t-ブチル−o−クレゾール)の如きチオビスフ
ェノール系化合物、ジラウリルチオジプロピオネートや
ジステアリルチオジプロピオネートの如きチオプロピオ
ン酸エステル系化合物などがあげられる。
【0017】さらに顔料としては、例えば炭酸カルシウ
ムやチタニア、カーボンブラックやモリブデンレッド、
チタンイエローやコバルトブルーの如き無機顔料、フタ
ロシアニンブルーやフタロシアニングリーンの如きフタ
ロシアニン系顔料、シンカシァレッドの如きキナクリド
ン系顔料、レーキレッドやベンジジンオレンジ、ベンジ
ジンイエローやハンザイエロー、グリンゴールドの如き
アゾ系顔料、インダスレンスカーレットやインダスレン
オレンジ、インダスレンブルーやインダスレンヴァイオ
レット、アンスラアミノピリミジンイエローなどのスレ
ン系顔料などがあげられる。
【0018】セパレータを形成する多層基材は、少なく
とも片側表面にカバー層を有する2層又は3層以上の多
層密着構造物からなる。多層基材には、伸び等によるセ
パレータよりの剥離不良を防止する点などより図例の如
く、1%モジュラスが3N/mm2以上、就中5N/mm2
上、特に8N/mm2以上の補強層32を含ませることが
好ましい。かかる補強層の例としては、上記したブレン
ド用ポリマーのフィルム等からなる層のほか、紙や金属
箔などがあげられる。
【0019】多層基材の形成は、例えばドライラミネー
ト方式や押出しラミネート方式、多層押出し方式や溶液
の塗布ないし含浸方式などの適宜な方式で行うことがで
きる。セパレータ(多層基材)の厚さは、使用目的等に
応じて適宜に決定しうるが、保護部材より剥離後は、本
発明の場合、再使用が可能であるとしても通例は廃棄さ
れるのでその経済性や強度等の点より一般には10〜5
00μm、就中20〜200μm、特に30〜150μm
とされる。またカバー層等の各層の厚さは、強度や層特
性等の点より3μm以上、就中5μm以上、特に10μm
以上とすることが好ましい。なお補強層等のカバー層以
外の層における添加剤、就中、滑剤や酸化防止剤、顔料
等の低分子量添加剤の含有及び含有量は任意であり、使
用目的等に応じて適宜に決定しうる。
【0020】保護フィルムは、半導体ウエハを加工する
際の衝撃緩和などを目的とする。保護フィルムとして
は、洗浄水等で侵されて剥離困難となることなどを防止
するために耐水性の良好なものが好ましく用いられる。
その例としては、上記カバー層でブレンド用のポリマー
として例示したプラスチックからなる厚さが5〜500
μm、就中10〜300μmのフィルムなどがあげられ
る。
【0021】前記においてエチレン・酢酸ビニル共重合
体やエチレン・(メタ)アクリレート共重合体、エチレ
ン・メチル(メタ)アクリレート共重合体やエチレン・
エチル(メタ)アクリレート共重合体、エチレン・プロ
ピレン共重合体の如きゴム弾性に富むプラスチックから
なる良変形性の保護フィルムが粗面に対する密着性に優
れて半導体ウエハの保護機能に優れる保護部材の形成に
有利に用いうる。
【0022】一方、ポリプロピレンやポリエステル、ポ
リカーボネートの如く腰の強い保護フィルムは、保護部
材を自動的に半導体ウエハの回路パターン形成面に接着
する場合に折れ曲がり接着(回路パターンの露出)等の
接着不良を発生しにくく、自動接着装置に用いるための
保護部材の形成に有利である。
【0023】粘着層は、保護フィルムを半導体ウエハの
回路パターン形成面等に接着してシールするためのもの
である。従って粘着層の形成には、アクリル系やゴム系
等の適宜な粘着剤を用いうる。就中、半導体ウエハへの
接着性、剥離後のウエハの超純水やアルコール等の適宜
な有機溶剤による清浄洗浄性などの点より、アクリル系
ポリマーを主成分に用いたアクリル系粘着剤が好ましく
用いうる。
【0024】ちなみに前記のアクリル系ポリマーとして
は、例えばメチル基やエチル基、プルピル基やイソプル
ピル基、n−ブチル基やt−ブチル基、イソブチル基や
アミル基、イソアミル基やヘキシル基、ヘプチル基やシ
クロヘキシル基、2−エチルヘキシル基やオクチル基、
イソオクチル基やノニル基、イソノニル基やデシル基、
イソデシル基やウンデシル基、ラウリル基やトリデシル
基、テトラデシル基やステアリル基、オクタデシル基や
ドデシル基の如き炭素数30以下、就中4〜18の直鎖
又は分岐のアルキル基を有するアクリル酸やメタクリル
酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体な
どがあげられる。
【0025】また前記重合体を形成することのある他の
モノマーとしては、例えばアクリル酸やメタクリル酸、
カルボキシエチルアクリレートやカルボキシペンチルア
クリレート、イタコン酸やマレイン酸、フマール酸やク
ロトン酸の如きカルボキシル基含有モノマー、あるいは
無水マレイン酸や無水イタコン酸の如き酸無水物モノマ
ー、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチルや(メ
タ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アク
リル酸4−ヒドロキシブチルや(メタ)アクリル酸6−
ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキ
シオクチルや(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシ
ル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリルや
(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)−メチルアク
リレートの如きヒドロキシル基含有モノマー、スチレン
スルホン酸やアリルスルホン酸、2−(メタ)アクリル
アミド−2−メチルプロパンスルホン酸や(メタ)アク
リルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メ
タ)アクリレートや(メタ)アクリロイルオキシナフタ
レンスルホン酸の如きスルホン酸基含有モノマー、2−
ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートの如き燐酸
基含有モノマーがあげられる。
【0026】さらに、(メタ)アクリルアミドやN,N
−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N−ブチル(メ
タ)アクリルアミドやN−メチロール(メタ)アクリル
アミド、N−メチロールプロパン(メタ)アクリルアミ
ドの如き(N−置換)アミド系モノマー、(メタ)アク
リル酸アミノエチルや(メタ)アクリル酸N,N−ジメ
チルアミノエチル、(メタ)アクリル酸t−ブチルアミ
ノエチルの如き(メタ)アクリル酸アルキルアミノアル
キル系モノマー、(メタ)アクリル酸メトキシエチルや
(メタ)アクリル酸エトキシエチルの如き(メタ)アク
リル酸アルコキシアルキル系モノマー、N−シクロヘキ
シルマレイミドやN−イソプロピルマレイミド、N−ラ
ウリルマレイミドやN−フェニルマレイミドの如きマレ
イミド系モノマー、N−メチルイタコンイミドやN−エ
チルイタコンイミド、N−ブチルイタコンイミドやN−
オクチルイタコンイミド、N−2−エチルヘキシルイタ
コンイミドやN−シクロヘキシルイタコンイミド、N−
ラウリルイタコンイミドの如きイタコンイミド系モノマ
ー、N−(メタ)アクリロイルオキシメチレンスクシン
イミドやN−(メタ)アクリロイル−6−オキシヘキサ
メチレンスクシンイミド、N−(メタ)アクリロイル−
8−オキシオクタメチレンスクシンイミドの如きスクシ
ンイミド系モノマーも共重合されることのあるモノマー
の例としてあげられる。
【0027】また更に酢酸ビニルやプロピオン酸ビニ
ル、N−ビニルピロリドンやメチルビニルピロリドン、
ビニルピリジンやビニルピペリドン、ビニルピリミジン
やビニルピペラジン、ビニルピラジンやビニルピロー
ル、ビニルイミダゾールやビニルオキサゾール、ビニル
モルホリンやN−ビニルカルボン酸アミド類、スチレン
やα−メチルスチレン、N−ビニルカプロラクタムの如
きビニル系モノマー、(メタ)アクリロニトリルの如き
シアノアクリレート系モノマー、(メタ)アクリル酸グ
リシジルの如きエポキシ基含有アクリル系モノマー、
(メタ)アクリル酸ポリエチレングリコールや(メタ)
アクリル酸ポリプロピレングリコール、(メタ)アクリ
ル酸メトキシエチレングリコールや(メタ)アクリル酸
メトキシポリプロピレングリコールの如きグリコール系
アクリルエステルモノマー、(メタ)アクリル酸テトラ
ヒドロフルフリルやフッ素(メタ)アクリレート、シリ
コーン(メタ)アクリレートや2−メトキシエチルアク
リレートの如きアクリル酸エステル系モノマーなども共
重合されることのあるモノマー例としてあげられる。前
記した共重合用のモノマーは、粘着特性等の改質を目的
に必要に応じて用いられるが、その使用量は上記アクリ
ル酸系アルキルエステル100重量部あたり50重量部
以下が好ましい。
【0028】加えてアクリル系ポリマーの架橋処理等を
目的に多官能モノマーなども必要に応じて共重合用のモ
ノマー成分として用いうる。かかるモノマーの例として
は、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレートや(ポ
リ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポ
リ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレートやネ
オペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタ
エリスリトールジ(メタ)アクリレートやトリメチロー
ルプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリ
トールトリ(メタ)アクリレートやジペンタエリスリト
ールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシアクリレー
トやポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート
などがあげられる。多官能モノマーも1種又は2種以上
を用いることができ、その使用量は、粘着特性等の点よ
り全モノマーの30重量%以下が好ましい。
【0029】アクリル系ポリマーの調製は、例えば1種
又は2種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や
乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式等の適宜な
方式を適用して行うことができる。粘着層は、ウエハの
汚染防止等の点より低分子量物質の含有を抑制した組成
が好ましく、かかる点より数平均分子量が30万以上、
就中40万〜300万のアクリル系ポリマーを主成分と
するものが好ましいことから粘着剤は、内部架橋方式や
外部架橋方式等による適宜な架橋タイプとすることもで
きる。
【0030】内部架橋したアクリル系ポリマーは、例え
ば上記した多官能モノマー成分を用いて共重合処理する
方式や、紫外線や電子線等の放射線の照射による重合方
式などにより調製することができる。一方、外部架橋
は、粘着剤に分子間架橋剤を配合する方式などにより行
うことができる。その分子間架橋剤としては、例えば多
官能イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤、メラ
ミン樹脂系架橋剤や金属塩系架橋剤、金属キレート系架
橋剤やアミノ樹脂系架橋剤、過酸化物系架橋剤などの、
アクリル系ポリマー等における架橋関与官能基の種類な
どに応じて適宜なものを用いることができ、特に限定は
ない。
【0031】保護部材の形成は、例えば保護フィルムに
粘着剤を塗工しそれを加熱処理する方式等の粘着テープ
形成方法に準じた方法で粘着層を付設してその粘着層に
セパレータを仮着してカバーする方式や、セパレータに
長尺体を用いてそれをキャリアテープとし、それに所定
形態の粘着層付き保護フィルムを所定の間隔で仮着する
方法などの適宜な方法で行いうる。その場合、本発明に
おいては紫外線等の放射線の照射による塊状重合方式で
アクリル系ポリマーを調製しつつ粘着層を形成すること
もできる。
【0032】すなわち前記の粘着層形成方法は、例えば
保護フィルム等に放射線硬化型の成分モノマー混合物を
塗工し、それを放射線照射により重合処理する方法等に
てアクリル系ポリマーを調製しつつ粘着層とするもので
ある。放射線硬化型の粘着層では、初期の放射線照射処
理で使用目的等に応じた粘着特性を示す状態の粘着層を
形成して半導体ウエハの保護目的を達成した後、その保
護部材を剥離する際に再度の紫外線等による照射処理を
施して粘着層の硬化状態を進行させ、それによる粘着層
の接着力の低減や喪失でウエハよりの剥離をより容易な
ものとすることができる利点などを有している。なお放
射線硬化型の粘着層は、モノマーやオリゴマーやポリマ
ー等からなる放射線硬化成分含有の粘着層として形成し
て、未硬化の状態で半導体ウエハに接着し、加工目的終
了後の保護フィルム剥離時に紫外線等により硬化処理す
るタイプのものなどとして形成することもできる。
【0033】前記の放射線硬化型の成分モノマー混合物
において、紫外線等による硬化方式を採る場合に配合さ
れることのある光重合開始剤の例としては、4−(2−
ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−
プロピル)ケトンやα−ヒドロキシ−α,α’−ジメチ
ルアセトフェノン、メトキシアセトフェノンや2,2−
ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジ
エトキシアセトフェノンや1−ヒドロキシシクロヘキシ
ルフェニルケトン、2−メチル−1−[4−(メチルチ
オ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1の如き
アセトフェノン系化合物、ベンゾインエチルエーテルや
ベンゾインイソプロピルエーテル、アニゾインメチルエ
ーテルの如きベンゾインエーテル系化合物、2−メチル
−2−ヒドロキシプロピオフェノンの如きα−ケトール
系化合物、ベンジルジメチルケタールの如きケタール系
化合物、2−ナフタレンスルホニルクロリドの如き芳香
族スルホニルクロリド系化合物、1−フェノン−1,1
−プロパンジオン−2−(ο−エトキシカルボニル)オ
キシムの如き光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン
やベンゾイル安息香酸、3,3'−ジメチル−4−メトキ
シベンゾフェノンの如きベンゾフェノン系化合物、チオ
キサンソンや2−クロロチオキサンソン、2−メチルチ
オキサンソンや2,4−ジメチルチオキサンソン、イソ
プロピルチオキサンソンや2,4−ジクロロチオキサン
ソン、2,4−ジエチルチオキサンソンや2,4−ジイ
ソプロピルチオキサンソンの如きチオキサンソン系化合
物、その他、カンファーキノンやハロゲン化ケトン、ア
シルホスフィノキシドやアシルホスフォナートなどがあ
げられる。
【0034】粘着層の厚さは、適宜に決定してよいが、
一般には300μm以下、就中3〜200μm、特に5〜
100μmとされる。粘着層の接着力についても、使用
目的等に応じて適宜に決定してよいが、一般には半導体
ウエハに対する密着維持性やウエハよりの剥離性などの
点より、ステンレス板(SUS304 BA)に対する
接着力(常温、180度ピール値、剥離速度300mm/
分)に基づき2000g/20mm以下、就中10〜150
0g/20mm、特に15〜1000g/20mmが好ましい。
【0035】本発明の保護部材は、適宜な形態で半導体
ウエハの回路パターン形成面などに接着することができ
る。予め半導体ウエハの平面形状に対応する形状に成形
した場合には、半導体ウエハに接着した後の成形処理工
程を省略することができる。自動接着装置への適用性な
どの点よりは、セパレータの長尺体にかかる所定形態と
した粘着層付き保護フィルムを所定の間隔で仮着して本
発明の保護部材形態としたものなどが好ましい。
【0036】なお保護部材は、その接着時や剥離時等に
おける静電気の発生やそれによる半導体ウエハの帯電で
回路が破壊されることの防止等を目的に帯電防止能を有
していてもよい。その帯電防止能の付与は、例えば保護
フィルムないし粘着層への帯電防止剤や導電剤の添加、
保護フィルムへの電荷移動錯体や金属蒸着膜等からなる
導電層の付設などの適宜な方式で行うことができ、半導
体ウエハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生
しにくい方式が好ましい。またセパレータの接着時や剥
離時にも静電気が発生するので、セパレータに導電層を
設けて帯電しにくくしてもよい。その導電層は、金属箔
や金属蒸着膜などの適宜な方法で形成してよい。
【0037】
【実施例】
実施例1 アクリル酸ブチル95部(重量部、以下同じ)とアクリ
ル酸5部を酢酸エチル中で常法により共重合させた数平
均分子量が80万のアクリル系ポリマー100部を含有
する溶液に、ポリイソシアネート系架橋剤3部を加えた
アクリル系粘着剤の溶液を、厚さ100μmのエチレン
・酢酸ビニル共重合体フィルムのコロナ処理面に塗布し
80℃で10分間加熱架橋して厚さ20μmの粘着層を
付設し、それを所定形態にカットしてその粘着層を介し
長尺のセパレータのカバー層に所定の間隔で仮着して保
護部材を得た。
【0038】前記のセパレータは、1%モジュラスが1
4N/mm2で厚さが30μmのポリエステルフィルムから
なる補強層に、添加剤(滑剤、酸化防止剤、顔料等)を
総量でポリエチレン100部あたり約1部含有するポリ
エチレンからなる、1%モジュラスが2.5N/mm2
厚さが20μmのカバー層を押出しラミネートしたもの
である。なお1%モジュラスは、同等組成のフィルムよ
り幅10mmで流れ(MD)方向にサンプリングし、それ
をチャック間隔50mm、引張速度50mm/分の条件で測
定した(以下同じ)。
【0039】実施例2 セパレータとして、3層押出方式で形成した、1%モジ
ュラスが5N/mm2で厚さが30μmのポリプロピレン層
からなる補強層の両側に、添加剤含有量がポリエチレン
100部あたり約1部のポリエチレンからなる、1%モ
ジュラスが2.5N/mm2で厚さが10μmのカバー層が
ラミネートしたものを用いたほかは実施例1に準じて保
護部材を得た。
【0040】実施例3 セパレータとして、2層押出方式で形成した、添加剤含
有量がポリエチレン100部あたり約1部のポリエチレ
ン55部及び添加剤含有量が約1部のポリプロピレン4
5部のブレンド物からなる、1%モジュラスが4N/mm
2で厚さが20μmのカバー層と、1%モジュラスが5N
/mm2で厚さが30μmのポリプロピレン層からなる補強
層がラミネートしたものを用いたほかは実施例1に準じ
て保護部材を得た。
【0041】比較例1 セパレータとして、1%モジュラスが14N/mm2で厚
さが30μmのポリエステルフィルムからなる補強層
に、添加剤を総量でポリエチレン100部あたり約6部
含有するポリエチレンからなる、1%モジュラスが2.
4N/mm2で厚さが20μmのカバー層を押出しラミネー
トしたものを用いたほかは実施例1に準じて保護部材を
得た。
【0042】比較例2 セパレータとして、添加剤を総量でポリエチレン100
部あたり約1部含有するポリエチレンからなる、1%モ
ジュラスが2.5N/mm2で厚さが60μmの単層フィル
ムを用いたほかは実施例1に準じて保護部材を得た。
【0043】比較例3 セパレータとして、添加剤を総量でポリプロピレン10
0部あたり約1部含有するポリプロピレンからなる、1
%モジュラスが17N/mm2で厚さが50μmの単層フィ
ルムを用いたほかは実施例1に準じて保護部材を得た。
【0044】比較例4 セパレータとして、シリコーン系剥離剤で表面処理した
1%モジュラスが14N/mm2で厚さが50μmのポリエ
ステルフィルムを用いたほかは実施例1に準じて保護部
材を得た。
【0045】評価試験 実施例、比較例で得た保護部材について下記の特性を調
べた。 密着性 10cm×10cm寸法のセパレータを50℃のトルエン中
に5分間浸漬して層間剥離の有無を調べた。
【0046】剥離性 幅50mmで流れ方向にサンプリングした保護部材におけ
る保護フィルムを両面粘着テープで難変形性のステンレ
ス板に固定し、その保護部材におけるセパレータを粘着
層より剥離するのに要する力を調べた(180度ピー
ル、剥離速度300mm/分、23℃)。
【0047】パーティクル数 クリーンルーム内で、セパレータを剥離してその粘着層
を介し保護部材を4インチミラーウエハに接着して1時
間静置したのち剥離し、ミラーウエハ面における0.2
8μm以上のパーティクル数をレーザー表面検査装置
(日立電子エンジニアリング社製、LS−5000)に
て調べた。
【0048】自動接着性(接着ミス) ポリ塩化ビニル芯に巻かれた幅180mm、長さ100m
の保護部材を自動接着装置(日東精機社製、DR−85
00II)に装着し、自動運転にてセパレータより保護部
材を剥離して6インチミラーウエハに接着する操作を連
続500枚について実施し、その際の接着ミスの発生回
数を調べた。
【0049】反り発生性 前記の保護部材を接着した6インチミラーウエハについ
て、厚さを0.6mmから0.25mmとする裏面研削処理
を行い、反り発生の有無を調べた。
【0050】前記の結果を次表に示した。
【0051】表より、本発明の保護部材によれば、セパ
レータ成分で半導体ウエハが汚染されにくく、自動接着
装置を介しセパレータより保護フィルムを円滑に剥離し
て接着保護でき、ウエハの損傷や反りが生じにくいこと
がわかる。しかし、比較例1,4の保護部材ではセパレ
ータ成分による半導体ウエハの汚染が多く、比較例2,
3の保護部材では自動接着装置を介した接着処理でセパ
レータの剥離不良によるウエハの損傷が多発するか、裏
面研削処理でウエハに反りが生じやすいことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の断面図
【符号の説明】
1:保護フィルム 2:粘着層 3:セパレータ 31:カバー層 32:補強層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 保護フィルムに付設した粘着層を、ポリ
    エチレンからなるカバー層を有する多層基材よりなるセ
    パレータにより前記カバー層を介し仮着被覆してなるこ
    とを特徴とする半導体ウエハの保護部材。
  2. 【請求項2】 請求項1において、カバー層がポリエチ
    レンとその等量以下の異種ポリマーとのブレンド物から
    なる保護部材。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2において、カバー層にお
    ける低分子量添加剤の含有量がポリエチレン100重量
    部あたり5重量部以下である保護部材。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3において、多層基材が1%
    モジュラス3N/mm2以上の補強層を有するものである
    保護部材。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002059515A (ja) * 2000-08-14 2002-02-26 Nitto Denko Corp 剥離ライナー及びそれを用いた感圧性接着テープ又はシート
JP2011054934A (ja) * 2009-08-04 2011-03-17 Nitto Denko Corp 半導体加工用シート
WO2015030032A1 (ja) * 2013-08-30 2015-03-05 富士フイルム株式会社 積層体およびその応用

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235148B1 (en) * 1999-03-05 2001-05-22 Billy F. Courson, Jr. Chemiluminescent photo-curable adhesive curing and bonding system
US6524881B1 (en) 2000-08-25 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for marking a bare semiconductor die
US7169685B2 (en) 2002-02-25 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive
DE60325669D1 (de) * 2002-05-17 2009-02-26 Semiconductor Energy Lab Verfahren zum Transferieren eines Objekts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP1391493A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-25 Lintec Corporation Surface protecting film for polycarbonate
JP5165829B2 (ja) 2004-02-26 2013-03-21 日東電工株式会社 ロール状ウエハ加工用粘着シート
US7190058B2 (en) * 2004-04-01 2007-03-13 Chippac, Inc. Spacer die structure and method for attaching
US8450148B2 (en) * 2006-12-14 2013-05-28 Infineon Technologies, Ag Molding compound adhesion for map-molded flip-chip
KR101027858B1 (ko) * 2009-01-13 2011-04-07 도레이첨단소재 주식회사 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3655496A (en) * 1969-09-25 1972-04-11 Vitta Corp Tape transfer of sinterable conductive, semiconductive or insulating patterns to electronic component substrates
US5167995A (en) * 1990-06-08 1992-12-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Low temperature shock resistant release liner

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002059515A (ja) * 2000-08-14 2002-02-26 Nitto Denko Corp 剥離ライナー及びそれを用いた感圧性接着テープ又はシート
JP2011054934A (ja) * 2009-08-04 2011-03-17 Nitto Denko Corp 半導体加工用シート
WO2015030032A1 (ja) * 2013-08-30 2015-03-05 富士フイルム株式会社 積層体およびその応用
JP2015065401A (ja) * 2013-08-30 2015-04-09 富士フイルム株式会社 積層体およびその応用

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