JPH09189637A - 化学蒸着装置およびそのガスマニホールドの漏れ検出方法 - Google Patents
化学蒸着装置およびそのガスマニホールドの漏れ検出方法Info
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- JPH09189637A JPH09189637A JP8245550A JP24555096A JPH09189637A JP H09189637 A JPH09189637 A JP H09189637A JP 8245550 A JP8245550 A JP 8245550A JP 24555096 A JP24555096 A JP 24555096A JP H09189637 A JPH09189637 A JP H09189637A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガスマニホールドのシールの小さな漏れも検
出でき、また、これまで以上に確実で正確な試験結果が
得られるようにする。 【解決手段】 本発明の化学蒸着装置は、ガス流路に通
じる第一のガス流出入ポートを有するガスマニホールド
と、第一のガス流出入ポートの周囲に広がる第一の周縁
面と、前記ガス流路に通じる第二のガス流出入ポート
と、第二のガス流出入ポートの周囲に広がる第二の周縁
面と、を備える。ガスマニホールドの接続部は、第一の
周縁面と第二の周縁面とを相互に係合させて、ガス流路
を実質的にシールするように構成される。また、第一の
周縁面と第二の周縁面の少なくとも一方は、第一のガス
流出入ポートと第二のガス流出入ポートの少なくとも一
方に連絡するように伸びる溝が形成される。この溝の働
きにより、試験ガスを、この溝を通して、化学蒸着装置
の外側から各ガス流出入ポートに向かって流すことがで
きる。
出でき、また、これまで以上に確実で正確な試験結果が
得られるようにする。 【解決手段】 本発明の化学蒸着装置は、ガス流路に通
じる第一のガス流出入ポートを有するガスマニホールド
と、第一のガス流出入ポートの周囲に広がる第一の周縁
面と、前記ガス流路に通じる第二のガス流出入ポート
と、第二のガス流出入ポートの周囲に広がる第二の周縁
面と、を備える。ガスマニホールドの接続部は、第一の
周縁面と第二の周縁面とを相互に係合させて、ガス流路
を実質的にシールするように構成される。また、第一の
周縁面と第二の周縁面の少なくとも一方は、第一のガス
流出入ポートと第二のガス流出入ポートの少なくとも一
方に連絡するように伸びる溝が形成される。この溝の働
きにより、試験ガスを、この溝を通して、化学蒸着装置
の外側から各ガス流出入ポートに向かって流すことがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）装置に関する。更に詳しくは、ＣＶＤ装置における
ガスマニホールドの改良、並びに、ＣＶＤ装置における
ガスマニホールドのシールの漏れを試験する方法を開示
する。
Ｄ）装置に関する。更に詳しくは、ＣＶＤ装置における
ガスマニホールドの改良、並びに、ＣＶＤ装置における
ガスマニホールドのシールの漏れを試験する方法を開示
する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、化学蒸着（ＣＶＤ）装置
は、集積回路チップの加工の際に用いられる。ＣＶＤ装
置は、特に、ポリシリコン、タングステン、窒化ケイ素
等の所定の物質の層を半導体ウェハ基板上に堆積させる
ために用いられる。ＣＶＤ処理において、ガス状の反応
物質は、化学的に反応して、ウェハ基板上に、特定の一
つあるいは複数の元素の個々の原子を堆積させる。堆積
反応は、ウェハ基板が置かれている気密封止チャンバ内
で行われる。ガス状反応物質は、封止チャンバ外に配置
されたガスマニホールドを通り、ガスマニホールドから
封止チャンバ内に供給される。
は、集積回路チップの加工の際に用いられる。ＣＶＤ装
置は、特に、ポリシリコン、タングステン、窒化ケイ素
等の所定の物質の層を半導体ウェハ基板上に堆積させる
ために用いられる。ＣＶＤ処理において、ガス状の反応
物質は、化学的に反応して、ウェハ基板上に、特定の一
つあるいは複数の元素の個々の原子を堆積させる。堆積
反応は、ウェハ基板が置かれている気密封止チャンバ内
で行われる。ガス状反応物質は、封止チャンバ外に配置
されたガスマニホールドを通り、ガスマニホールドから
封止チャンバ内に供給される。
【０００３】図１及び図２は、カリフォルニア州サンタ
クララのアプライド・マテリアルズ社のＰ−５０００等
の従来のＣＶＤリアクタのガスマニホールド１０を示
す。ガスマニホールド１０は、石英製のガス供給管ハウ
ジング１２と、ガス供給エンドブロック１４と、ガス注
入エンドブロック１６と、を備える。エンドブロック１
４及び１６は、ＣＶＤリアクタのガスチャンバ蓋１８に
接続される。ＣＶＤリアクタは、更に、冷却水マニホー
ルド２０と、冷却水エンドブロック２２と、を備える。
ガス状反応物質は、まず、ガス供給エンドブロック１４
の下端を通り、次に、ハウジング１２、更に、ガス注入
エンドブロック１６を通って、最後に、ＣＶＤ装置の封
止チャンバ内に配置されたガス混合ボックス２４を通
る。
クララのアプライド・マテリアルズ社のＰ−５０００等
の従来のＣＶＤリアクタのガスマニホールド１０を示
す。ガスマニホールド１０は、石英製のガス供給管ハウ
ジング１２と、ガス供給エンドブロック１４と、ガス注
入エンドブロック１６と、を備える。エンドブロック１
４及び１６は、ＣＶＤリアクタのガスチャンバ蓋１８に
接続される。ＣＶＤリアクタは、更に、冷却水マニホー
ルド２０と、冷却水エンドブロック２２と、を備える。
ガス状反応物質は、まず、ガス供給エンドブロック１４
の下端を通り、次に、ハウジング１２、更に、ガス注入
エンドブロック１６を通って、最後に、ＣＶＤ装置の封
止チャンバ内に配置されたガス混合ボックス２４を通
る。
【０００４】図２は、ガスマニホールド１０を構成する
種々の部品の組立体を示す。図示するように、Ｏリング
・カルレッツ・ガスケット２６が、エンドブロック１４
及び１６の各ガス流出入ポートに配置されている。ま
た、ガスケット２６と、セラミック製の抵抗器３４に填
め込まれてハウジング１２内に収容される石英ガス供給
管３２との間には、金属製のスペーサー２８とばね波座
金３０とが挿入される。エンドブロック１４及び１６
は、ネジ／座金の組立体３６を用いて、それぞれハウジ
ング１２に接続される。この結果、ガスケット２６によ
り、ハウジング１２とエンドブロック１４及びハウジン
グ１２とエンドブロック１６のそれぞれのガス流出入ポ
ートを直線的に結んだ２つの封止ガス流路が形成され
る。更に、図示されるように、各ガス流路の回りには、
Ｏリング・ビトン・ガスケット３８が備えられている。
種々の部品の組立体を示す。図示するように、Ｏリング
・カルレッツ・ガスケット２６が、エンドブロック１４
及び１６の各ガス流出入ポートに配置されている。ま
た、ガスケット２６と、セラミック製の抵抗器３４に填
め込まれてハウジング１２内に収容される石英ガス供給
管３２との間には、金属製のスペーサー２８とばね波座
金３０とが挿入される。エンドブロック１４及び１６
は、ネジ／座金の組立体３６を用いて、それぞれハウジ
ング１２に接続される。この結果、ガスケット２６によ
り、ハウジング１２とエンドブロック１４及びハウジン
グ１２とエンドブロック１６のそれぞれのガス流出入ポ
ートを直線的に結んだ２つの封止ガス流路が形成され
る。更に、図示されるように、各ガス流路の回りには、
Ｏリング・ビトン・ガスケット３８が備えられている。
【０００５】ガスマニホールド１０は、漏れがないかど
うかを頻繁に検査する必要がある。漏れがあると、ＣＶ
Ｄ装置に酸素が入り込み、ウェハ及び／あるいは装置自
身にも損傷を与える。大きな漏れは、直ちにかなりの損
傷を与えるが、検出しやすいという利点もある。一方、
ガス流路上のシールにしばしば発生する小さな漏れは、
同様にかなりの損傷を与えるばかりでなく、検出しにく
い。図２に示すシステムでは、通常はシール・プラグ４
２で密封されているガス漏れチェック孔４０が、このよ
うな漏れを検出する目的で設けられている。ガス漏れチ
ェック孔４０は、ガス供給エンドブロック１４内で、そ
の上面から、ハウジング１２の表面に係止される面まで
伸長している。漏れのチェックは、以下の手順で行われ
る。まず、ＣＶＤ装置の封止チャンバ内を真空にして、
ガス漏れチェック孔４０内にヘリウム等の漏れチェック
用ガスを入れる。次に、従来のガス検出装置を用いて、
漏れチェック用ガスが封止チャンバ内に侵入したかどう
かを判定する。ここで、封止チャンバ内に漏れチェック
用ガスが存在すれば、ガスマニホールド装置１０内に漏
れがあり、ここを通ってヘリウムが侵入した、というこ
とが示唆される。
うかを頻繁に検査する必要がある。漏れがあると、ＣＶ
Ｄ装置に酸素が入り込み、ウェハ及び／あるいは装置自
身にも損傷を与える。大きな漏れは、直ちにかなりの損
傷を与えるが、検出しやすいという利点もある。一方、
ガス流路上のシールにしばしば発生する小さな漏れは、
同様にかなりの損傷を与えるばかりでなく、検出しにく
い。図２に示すシステムでは、通常はシール・プラグ４
２で密封されているガス漏れチェック孔４０が、このよ
うな漏れを検出する目的で設けられている。ガス漏れチ
ェック孔４０は、ガス供給エンドブロック１４内で、そ
の上面から、ハウジング１２の表面に係止される面まで
伸長している。漏れのチェックは、以下の手順で行われ
る。まず、ＣＶＤ装置の封止チャンバ内を真空にして、
ガス漏れチェック孔４０内にヘリウム等の漏れチェック
用ガスを入れる。次に、従来のガス検出装置を用いて、
漏れチェック用ガスが封止チャンバ内に侵入したかどう
かを判定する。ここで、封止チャンバ内に漏れチェック
用ガスが存在すれば、ガスマニホールド装置１０内に漏
れがあり、ここを通ってヘリウムが侵入した、というこ
とが示唆される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＣＶＤ
装置のガスマニホールドでは、漏れチェック用ガスを用
いても、ガス流路に沿った種々のシールにおける小さな
漏れを検出できない場合がある、という問題があった。
漏れチェック孔４０を用いた漏れチェックでは、ガス供
給エンドブロック１４と石英供給管ハウジング１２との
間のシールの小さな漏れをしばしば見逃してしまう、と
いうことも報告されている。このような問題は、漏れの
可能性のあるシールに対して漏れチェック用ガスが流れ
る明確な経路がないことに起因している。また、封止さ
れた真空チャンバ内で、ごく微量の漏れチェック用ガス
が検出される場合がある。このように「弱い」兆候があ
る場合には、ガスマニホールド装置のシールに欠陥があ
るかどうかに確信を持てない。更に、真空チャンバ内に
漏れチェックガスが存在することが明確に検出された場
合でも、漏れチェックをしている作業者が、ガスマニホ
ールド内の数多くのシールのうちどれに欠陥があるのか
を判定できない、という事態も生じうる。
装置のガスマニホールドでは、漏れチェック用ガスを用
いても、ガス流路に沿った種々のシールにおける小さな
漏れを検出できない場合がある、という問題があった。
漏れチェック孔４０を用いた漏れチェックでは、ガス供
給エンドブロック１４と石英供給管ハウジング１２との
間のシールの小さな漏れをしばしば見逃してしまう、と
いうことも報告されている。このような問題は、漏れの
可能性のあるシールに対して漏れチェック用ガスが流れ
る明確な経路がないことに起因している。また、封止さ
れた真空チャンバ内で、ごく微量の漏れチェック用ガス
が検出される場合がある。このように「弱い」兆候があ
る場合には、ガスマニホールド装置のシールに欠陥があ
るかどうかに確信を持てない。更に、真空チャンバ内に
漏れチェックガスが存在することが明確に検出された場
合でも、漏れチェックをしている作業者が、ガスマニホ
ールド内の数多くのシールのうちどれに欠陥があるのか
を判定できない、という事態も生じうる。
【０００７】この発明は、上記したような従来のＣＶＤ
装置のガスマニホールドが有する問題を解決するために
なされたものであり、ガスの漏れチェック試験によりガ
スマニホールドのシールをテストした場合に、小さな漏
れも検出でき、また、これまで以上に確実で正確な試験
結果が得られるように、ガスマニホールドを改良するこ
とを目的とする。
装置のガスマニホールドが有する問題を解決するために
なされたものであり、ガスの漏れチェック試験によりガ
スマニホールドのシールをテストした場合に、小さな漏
れも検出でき、また、これまで以上に確実で正確な試験
結果が得られるように、ガスマニホールドを改良するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
述の課題の少なくとも一部を解決するため、この発明
は、試験ガスがガスマニホールドの外側から所定の（選
択された）ガス流出入ポートに流れるように形成された
低抵抗流路を提供する。試験ガスは、ほとんど妨害され
ることなく、所定のガス流出入ポートに簡単に入れるの
で、前記所定のガス流出入ポートにおけるシールをかな
り確実にテストすることができる。ガスマニホールドに
対してＣＶＤ装置の様々な箇所に、試験ガスを流すため
の複数のチャネルを形成し、装置内の所定の複数の箇所
において特定の漏れ試験を行うことができるようにす
る。この結果、試験作業者は、装置内に小さな漏れが存
在することをより高い信頼性を持って確かめることがで
き、また、漏れが検出された位置をより正確に決めるこ
とができる。この結果、必要に応じて、また、漏れがあ
る箇所に関してのみ、漏れのあるガスマニホールドを分
解することが可能になるため、好適である。
述の課題の少なくとも一部を解決するため、この発明
は、試験ガスがガスマニホールドの外側から所定の（選
択された）ガス流出入ポートに流れるように形成された
低抵抗流路を提供する。試験ガスは、ほとんど妨害され
ることなく、所定のガス流出入ポートに簡単に入れるの
で、前記所定のガス流出入ポートにおけるシールをかな
り確実にテストすることができる。ガスマニホールドに
対してＣＶＤ装置の様々な箇所に、試験ガスを流すため
の複数のチャネルを形成し、装置内の所定の複数の箇所
において特定の漏れ試験を行うことができるようにす
る。この結果、試験作業者は、装置内に小さな漏れが存
在することをより高い信頼性を持って確かめることがで
き、また、漏れが検出された位置をより正確に決めるこ
とができる。この結果、必要に応じて、また、漏れがあ
る箇所に関してのみ、漏れのあるガスマニホールドを分
解することが可能になるため、好適である。
【０００９】この発明の一つの局面に従って提供される
化学蒸着装置は、ガス流路に通じる第一のガス流出入ポ
ートを有するガスマニホールドと、前記第一のガス流出
入ポートの周囲に広がる第一の周縁面と、を備える。化
学蒸着装置は、更に、前記ガス流路に通じる第二のガス
流出入ポートと、前記第二のガス流出入ポートの周囲に
広がる第二の周縁面と、を備える。ガスマニホールドの
接続部は、第一の周縁面と第二の周縁面とを相互に係合
させて、前記ガス流路を実質的にシールするように構成
される。また、第一の周縁面と第二の周縁面の少なくと
もいずれか一つには、第一のガス流出入ポートと第二の
ガス流出入ポートの少なくともいずれか一つに連絡する
ように伸びている溝が形成される。この溝は、試験ガス
が、この溝を通って化学蒸着装置の外側から各ガス流出
入ポートに向かって流れることを容易にする。
化学蒸着装置は、ガス流路に通じる第一のガス流出入ポ
ートを有するガスマニホールドと、前記第一のガス流出
入ポートの周囲に広がる第一の周縁面と、を備える。化
学蒸着装置は、更に、前記ガス流路に通じる第二のガス
流出入ポートと、前記第二のガス流出入ポートの周囲に
広がる第二の周縁面と、を備える。ガスマニホールドの
接続部は、第一の周縁面と第二の周縁面とを相互に係合
させて、前記ガス流路を実質的にシールするように構成
される。また、第一の周縁面と第二の周縁面の少なくと
もいずれか一つには、第一のガス流出入ポートと第二の
ガス流出入ポートの少なくともいずれか一つに連絡する
ように伸びている溝が形成される。この溝は、試験ガス
が、この溝を通って化学蒸着装置の外側から各ガス流出
入ポートに向かって流れることを容易にする。
【００１０】第一のガス流出入ポート及び第一の周縁面
は、ガスマニホールドの一つのエンドブロックに形成し
てもよい。また、第二のガス流出入ポート及び第二の周
縁面を、ガスマニホールドのガス供給管ハウジング、あ
るいは、ガスマニホールドのエンドブロックに連通する
ガスチャンバ蓋等の、化学蒸着装置の他の部分に形成し
てもよい。
は、ガスマニホールドの一つのエンドブロックに形成し
てもよい。また、第二のガス流出入ポート及び第二の周
縁面を、ガスマニホールドのガス供給管ハウジング、あ
るいは、ガスマニホールドのエンドブロックに連通する
ガスチャンバ蓋等の、化学蒸着装置の他の部分に形成し
てもよい。
【００１１】この発明は、更に、化学蒸着装置における
ガスマニホールドのシールに関する漏れを検査する方法
を提供する。ガスマニホールドのガス流路に通じるガス
流出入ポートの周囲に配置される互いに係合する一対の
周縁面の少なくとも一つに、溝を形成する。この溝は、
ガス流出入ポートに連絡して、溝内を試験ガスが流れる
ように伸びている。このガス混合マニホールド内を真空
にして、試験ガスをガスマニホールドのシール近傍の領
域に流し、試験ガスがシールを通ってガス流路内部に入
ったかどうかを検出して、シールの信頼性を確かめる。
試験ガスとしては、例えば、ヘリウムを用いることがで
きる。また、ガスマニホールド内を真空にするステップ
が、ガスマニホールドに連通する封止可能なチャンバ内
を真空にするステップを備え、このチャンバ内での試験
ガスの検出を行うようにしてもよい。
ガスマニホールドのシールに関する漏れを検査する方法
を提供する。ガスマニホールドのガス流路に通じるガス
流出入ポートの周囲に配置される互いに係合する一対の
周縁面の少なくとも一つに、溝を形成する。この溝は、
ガス流出入ポートに連絡して、溝内を試験ガスが流れる
ように伸びている。このガス混合マニホールド内を真空
にして、試験ガスをガスマニホールドのシール近傍の領
域に流し、試験ガスがシールを通ってガス流路内部に入
ったかどうかを検出して、シールの信頼性を確かめる。
試験ガスとしては、例えば、ヘリウムを用いることがで
きる。また、ガスマニホールド内を真空にするステップ
が、ガスマニホールドに連通する封止可能なチャンバ内
を真空にするステップを備え、このチャンバ内での試験
ガスの検出を行うようにしてもよい。
【００１２】この発明の更に別の局面によれば、ガス混
合マニホールドを有する化学蒸着装置が提供される。こ
のガス混合マニホールドは、ガス供給管ハウジングの第
一端部とガス供給エンドブロックとの間の第一シール接
続部と、ガス供給管ハウジングの第二端部とガス注入エ
ンドブロックとの間の第二シール接続部と、を備える。
これらのシール接続部は、ガスケットと、ガス混合マニ
ホールド内部のガス流路に通じるガス流出入ポートの周
囲に配置される相互に係合する周縁面と、を備える。ま
た、所定の（選択された）ガス流出入ポートとガス混合
マニホールドの外側とを相互に接続する少なくとも一つ
のチャネルが設けられる。このチャネルは、所定の（選
択された）周縁面に形成され、所定の（選択された）ガ
ス流出入ポートに接触するように配置された少なくとも
一つの溝部を備える。このチャネルは、ガス供給エンド
ブロック、ガス供給管ハウジング、あるいは、ガス注入
エンドブロックに通じるように形成してもよく、あるい
は、所定の（選択された）周縁面の全体に伸びるように
形成してもよい。
合マニホールドを有する化学蒸着装置が提供される。こ
のガス混合マニホールドは、ガス供給管ハウジングの第
一端部とガス供給エンドブロックとの間の第一シール接
続部と、ガス供給管ハウジングの第二端部とガス注入エ
ンドブロックとの間の第二シール接続部と、を備える。
これらのシール接続部は、ガスケットと、ガス混合マニ
ホールド内部のガス流路に通じるガス流出入ポートの周
囲に配置される相互に係合する周縁面と、を備える。ま
た、所定の（選択された）ガス流出入ポートとガス混合
マニホールドの外側とを相互に接続する少なくとも一つ
のチャネルが設けられる。このチャネルは、所定の（選
択された）周縁面に形成され、所定の（選択された）ガ
ス流出入ポートに接触するように配置された少なくとも
一つの溝部を備える。このチャネルは、ガス供給エンド
ブロック、ガス供給管ハウジング、あるいは、ガス注入
エンドブロックに通じるように形成してもよく、あるい
は、所定の（選択された）周縁面の全体に伸びるように
形成してもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】先に、図１及び図２に基づいて、
従来の化学蒸着リアクタのガスマニホールドを説明した
が、以下に、図３ないし図５に基づいて、本発明に従う
ＣＶＤ装置のガスマニホールドの改良部分を中心に説明
する。以下の説明では、同じ参照番号は、同じ構成要素
を示す。
従来の化学蒸着リアクタのガスマニホールドを説明した
が、以下に、図３ないし図５に基づいて、本発明に従う
ＣＶＤ装置のガスマニホールドの改良部分を中心に説明
する。以下の説明では、同じ参照番号は、同じ構成要素
を示す。
【００１４】図３は、本発明の一つの観点に従うガス供
給エンドブロック５０を示す。ガス供給エンドブロック
５０は、先に説明した図１及び図２のガスマニホールド
内に備えられたガス供給エンドブロック１４の代りに使
用可能なものである。ガス供給エンドブロック１４と同
様に、ガス供給エンドブロック５０は、シール・プラグ
５４によって封止可能なガス漏れチェック孔５２と、そ
れぞれ、ガス流路に通じ、また、ガスケットを受け入れ
るように構成された一対のガス流出入ポート５６及び５
８と、ガス流出入ポート５６及び５８の周囲を囲むよう
に広がる周縁面６０と、を備える。
給エンドブロック５０を示す。ガス供給エンドブロック
５０は、先に説明した図１及び図２のガスマニホールド
内に備えられたガス供給エンドブロック１４の代りに使
用可能なものである。ガス供給エンドブロック１４と同
様に、ガス供給エンドブロック５０は、シール・プラグ
５４によって封止可能なガス漏れチェック孔５２と、そ
れぞれ、ガス流路に通じ、また、ガスケットを受け入れ
るように構成された一対のガス流出入ポート５６及び５
８と、ガス流出入ポート５６及び５８の周囲を囲むよう
に広がる周縁面６０と、を備える。
【００１５】ガス漏れチェック孔５２は、ガス供給エン
ドブロック５０の上面６２から周縁面６０まで通じてお
り、周縁面６０上に、ガス流出入ポート５６及び５８の
間に配置される孔あるいはポート６４を有している。ま
た、周縁面６０には、例えば、切削やフライス削りによ
って形成された、第一溝部６６及び第二溝部６８が設け
られている。第一溝部６６は、ガス流出入ポート５６を
ガス漏れチェック孔５２のポート６４に連通させ、一
方、第二溝部６８は、ガス流出入ポート５８をガス漏れ
チェック孔５２のポート６４に連通させる。
ドブロック５０の上面６２から周縁面６０まで通じてお
り、周縁面６０上に、ガス流出入ポート５６及び５８の
間に配置される孔あるいはポート６４を有している。ま
た、周縁面６０には、例えば、切削やフライス削りによ
って形成された、第一溝部６６及び第二溝部６８が設け
られている。第一溝部６６は、ガス流出入ポート５６を
ガス漏れチェック孔５２のポート６４に連通させ、一
方、第二溝部６８は、ガス流出入ポート５８をガス漏れ
チェック孔５２のポート６４に連通させる。
【００１６】このように構成されたガス供給エンドブロ
ック５０を図１及び図２のガスマニホールドに接続した
場合、ガス流出入ポート５６及び５８は、ガス供給管ハ
ウジング１２のそれぞれのガス流出入ポートとほぼ一直
線上に配置される。このガス供給管ハウジング１２は、
それぞれのガス流出入ポートの周囲に形成され、且つ、
ガス供給エンドブロック５０の周縁面６０と係合する周
縁面を備える。ガス流路は、一直線上に配置されたガス
流出入ポートを通って伸長する。周縁面を相互に係合さ
せ、更に、望ましくは、ガスケット２６及びばね波座金
３０を用いることにより、ＣＶＤ装置のガスマニホール
ド内部のガス流路をシールする。
ック５０を図１及び図２のガスマニホールドに接続した
場合、ガス流出入ポート５６及び５８は、ガス供給管ハ
ウジング１２のそれぞれのガス流出入ポートとほぼ一直
線上に配置される。このガス供給管ハウジング１２は、
それぞれのガス流出入ポートの周囲に形成され、且つ、
ガス供給エンドブロック５０の周縁面６０と係合する周
縁面を備える。ガス流路は、一直線上に配置されたガス
流出入ポートを通って伸長する。周縁面を相互に係合さ
せ、更に、望ましくは、ガスケット２６及びばね波座金
３０を用いることにより、ＣＶＤ装置のガスマニホール
ド内部のガス流路をシールする。
【００１７】溝部６６及び６８は、ガス漏れチェック孔
５２と結合して、ガスマニホールドの内部でガス流出入
ポート５６及び５８の間を連通させるとともに、ガスマ
ニホールドの外側にも連通するチャネルを形成する。シ
ールの漏れを試験する手順は、以下の通りである。ま
ず、ガスマニホールド内部を真空にして、シール近傍の
領域に試験ガスを流す。シールを通ってガス流路内部に
試験ガスが入ったかどうかを検出することにより、シー
ルの信頼性を確認する。ガス流路内で試験ガスが検出さ
れなければ、シールは信頼に足るものであり、漏れは存
在しない、と考えることができる。
５２と結合して、ガスマニホールドの内部でガス流出入
ポート５６及び５８の間を連通させるとともに、ガスマ
ニホールドの外側にも連通するチャネルを形成する。シ
ールの漏れを試験する手順は、以下の通りである。ま
ず、ガスマニホールド内部を真空にして、シール近傍の
領域に試験ガスを流す。シールを通ってガス流路内部に
試験ガスが入ったかどうかを検出することにより、シー
ルの信頼性を確認する。ガス流路内で試験ガスが検出さ
れなければ、シールは信頼に足るものであり、漏れは存
在しない、と考えることができる。
【００１８】シールの漏れを試験する好適な方法を、以
下に、説明する。まず、例えば、図１に示すように、本
発明のガスマニホールドが接続されたＣＶＤ装置の封止
可能なチャンバを真空にする。封止可能なチャンバを真
空にすることにより、ガスマニホールド内も真空にな
る。試験ガスの検出は、封止可能なチャンバ内部に試験
ガスが存在するかどうかを検出することにより実行して
もよい。好適な例として、試験ガスにヘリウムを用い、
これを、カリフォルニア州パロアルトのバリアン社のBa
lzer HCT 160ヘリウム検出器等の従来のヘリウム検出器
を用いて測定するようにしてもよい。
下に、説明する。まず、例えば、図１に示すように、本
発明のガスマニホールドが接続されたＣＶＤ装置の封止
可能なチャンバを真空にする。封止可能なチャンバを真
空にすることにより、ガスマニホールド内も真空にな
る。試験ガスの検出は、封止可能なチャンバ内部に試験
ガスが存在するかどうかを検出することにより実行して
もよい。好適な例として、試験ガスにヘリウムを用い、
これを、カリフォルニア州パロアルトのバリアン社のBa
lzer HCT 160ヘリウム検出器等の従来のヘリウム検出器
を用いて測定するようにしてもよい。
【００１９】上述したように、本発明の構成では、ほと
んど妨害されることのない、封止及び封止解除可能なチ
ャネルを形成して、ガス流出入ポート５６及び５８をガ
スマニホールドの外側と直接連通させる。この結果、試
験ガスは、チャネルを通って、ガス流出入ポート５６及
び５８まで自由に流れる。このようにして、ガス流出入
ポート５６及び５８に通じるガス流路のシールを、高い
信頼性で、正確にテストすることができる。
んど妨害されることのない、封止及び封止解除可能なチ
ャネルを形成して、ガス流出入ポート５６及び５８をガ
スマニホールドの外側と直接連通させる。この結果、試
験ガスは、チャネルを通って、ガス流出入ポート５６及
び５８まで自由に流れる。このようにして、ガス流出入
ポート５６及び５８に通じるガス流路のシールを、高い
信頼性で、正確にテストすることができる。
【００２０】図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）は、
本発明の別の観点に従うガス注入エンドブロック７０を
示す。ガス注入エンドブロック７０は、先に説明した図
１及び図２のガスマニホールド内に備えられたガス注入
エンドブロック１６の代りに使用可能である。ガス注入
エンドブロック１６と同様に、ガス注入エンドブロック
７０は、それぞれガス流路に通じ、また、ガスケットを
受け入れるように構成された一対のガス流出入ポート７
６及び７８と、ガス流出入ポート７６及び７８の周囲を
囲むように広がる周縁面８０と、を備える。
本発明の別の観点に従うガス注入エンドブロック７０を
示す。ガス注入エンドブロック７０は、先に説明した図
１及び図２のガスマニホールド内に備えられたガス注入
エンドブロック１６の代りに使用可能である。ガス注入
エンドブロック１６と同様に、ガス注入エンドブロック
７０は、それぞれガス流路に通じ、また、ガスケットを
受け入れるように構成された一対のガス流出入ポート７
６及び７８と、ガス流出入ポート７６及び７８の周囲を
囲むように広がる周縁面８０と、を備える。
【００２１】ガス注入エンドブロック７０は、更に、シ
ール・プラグ７４により封止可能なガス漏れチェック孔
７２を備える。これは、先に説明したガス供給エンドブ
ロック５０のガス漏れチェック孔及びシール・プラグと
同様に構成されている。ガス漏れチェック孔７２は、ガ
ス注入エンドブロック７０の上面８２から周縁面８０ま
で伸長し、周縁面８０上に、ガス流出入ポート７６及び
７８の間に配置される孔あるいはポート８４を有してい
る。また、周縁面８０には、切削やフライス削りによっ
て形成された、第一溝部８６及び第二溝部８８が設けら
れている。第一溝部８６は、ガス流出入ポート７６をガ
ス漏れチェック孔７２のポート８４に連通させ、一方、
第二溝部８８は、ガス流出入ポート７８をガス漏れチェ
ック孔７２のポート８４に連通させる。
ール・プラグ７４により封止可能なガス漏れチェック孔
７２を備える。これは、先に説明したガス供給エンドブ
ロック５０のガス漏れチェック孔及びシール・プラグと
同様に構成されている。ガス漏れチェック孔７２は、ガ
ス注入エンドブロック７０の上面８２から周縁面８０ま
で伸長し、周縁面８０上に、ガス流出入ポート７６及び
７８の間に配置される孔あるいはポート８４を有してい
る。また、周縁面８０には、切削やフライス削りによっ
て形成された、第一溝部８６及び第二溝部８８が設けら
れている。第一溝部８６は、ガス流出入ポート７６をガ
ス漏れチェック孔７２のポート８４に連通させ、一方、
第二溝部８８は、ガス流出入ポート７８をガス漏れチェ
ック孔７２のポート８４に連通させる。
【００２２】このように構成されたガス注入エンドブロ
ック７０を図１及び図２のガスマニホールドに接続した
場合、ガス流出入ポート７６及び７８は、ガス供給管ハ
ウジング１２のそれぞれのガス流出入ポートとほぼ一直
線上に配置される。このガス供給管ハウジング１２は、
それぞれのガス流出入ポートの周囲に形成され、且つ、
ガス注入エンドブロック７０の周縁面８０と係合する周
縁面を備える。ガス流路は、一直線上に配置されたガス
流出入ポートを通って伸長する。周縁面を相互に係合さ
せ、更に、望ましくは、ガスケット２６及びばね波座金
３０を用いることにより、ＣＶＤ装置のガスマニホール
ド内部のガス流路をシールする。
ック７０を図１及び図２のガスマニホールドに接続した
場合、ガス流出入ポート７６及び７８は、ガス供給管ハ
ウジング１２のそれぞれのガス流出入ポートとほぼ一直
線上に配置される。このガス供給管ハウジング１２は、
それぞれのガス流出入ポートの周囲に形成され、且つ、
ガス注入エンドブロック７０の周縁面８０と係合する周
縁面を備える。ガス流路は、一直線上に配置されたガス
流出入ポートを通って伸長する。周縁面を相互に係合さ
せ、更に、望ましくは、ガスケット２６及びばね波座金
３０を用いることにより、ＣＶＤ装置のガスマニホール
ド内部のガス流路をシールする。
【００２３】溝部８６及び８８は、ガス漏れチェック孔
７２と結合して、ガス流出入ポート７６及び７８の間を
連通させるとともに、ガスマニホールドの外側にも連通
する、ほとんど妨害されることのないチャネルを形成す
る。この結果、試験ガスは、このチャネルを通って、ガ
ス流出入ポート７６及び７８まで自由に流れる。図３の
実施例に関して先に説明したものと同様の方法で、ガス
流出入ポート７６及び７８に通じるガス流路のシールを
テストすることができる。これにより、信頼性が高く正
確なシールの試験を行うことができる。
７２と結合して、ガス流出入ポート７６及び７８の間を
連通させるとともに、ガスマニホールドの外側にも連通
する、ほとんど妨害されることのないチャネルを形成す
る。この結果、試験ガスは、このチャネルを通って、ガ
ス流出入ポート７６及び７８まで自由に流れる。図３の
実施例に関して先に説明したものと同様の方法で、ガス
流出入ポート７６及び７８に通じるガス流路のシールを
テストすることができる。これにより、信頼性が高く正
確なシールの試験を行うことができる。
【００２４】ガス供給エンドブロック５０及びガス注入
エンドブロック７０を、同時に、図１及び図２のガスマ
ニホールド内に備えられたガス供給エンドブロック１４
及びガス注入エンドブロック１６の代りに使用すること
も可能である。この場合には、ガスマニホールドに対し
てＣＶＤ装置の様々な箇所に、試験ガスを流すための、
ほとんど妨害されない複数のチャネルが形成され、装置
内の所定の（選択された）シール箇所において特定の漏
れ試験を行うことができる。漏れ試験を行う場合、ま
ず、試験ガスをガス漏れチェック孔５２の近傍に流し
て、ガスマニホールド内に試験ガスが存在するかどうか
を検出し、次に、試験ガスをガス漏れチェック孔７２の
近傍に流して、ガスマニホールド内に試験ガスが存在す
るかどうかを検出してもよい。
エンドブロック７０を、同時に、図１及び図２のガスマ
ニホールド内に備えられたガス供給エンドブロック１４
及びガス注入エンドブロック１６の代りに使用すること
も可能である。この場合には、ガスマニホールドに対し
てＣＶＤ装置の様々な箇所に、試験ガスを流すための、
ほとんど妨害されない複数のチャネルが形成され、装置
内の所定の（選択された）シール箇所において特定の漏
れ試験を行うことができる。漏れ試験を行う場合、ま
ず、試験ガスをガス漏れチェック孔５２の近傍に流し
て、ガスマニホールド内に試験ガスが存在するかどうか
を検出し、次に、試験ガスをガス漏れチェック孔７２の
近傍に流して、ガスマニホールド内に試験ガスが存在す
るかどうかを検出してもよい。
【００２５】上述した溝部６６、６８及び８６、８８
は、それぞれ、各エンドブロック５０及び７０の周縁面
６０及び８０に形成される。これら実施例の溝部の代り
に、あるいは、これらと一緒に（すなわち任意の組合わ
せで）、上述したような周縁面６０及び８０に対向し
て、係合するように配置されるハウジング１２の周縁面
上に、同様の溝部を形成するようにしてもよい。この場
合、ハウジング１２に形成されたそれぞれのガス流出入
ポートがガス漏れチェック孔５２及び７２のポート６４
及び８４に接続するように、溝部を配置する。このよう
に配置することにより、ほとんど妨害されることのない
チャネルが形成され、試験ガスをガスマニホールドの外
側からマニホールド内のガス流出入ポートまで流して、
ガス流出入ポートに通じるガス流路のシールをチェック
することができる。あるいは、対向して配置され相互に
係合する周縁面の両方に溝部を形成して、試験ガスを流
すための、妨害されないチャネルを形成するようにして
もよい。
は、それぞれ、各エンドブロック５０及び７０の周縁面
６０及び８０に形成される。これら実施例の溝部の代り
に、あるいは、これらと一緒に（すなわち任意の組合わ
せで）、上述したような周縁面６０及び８０に対向し
て、係合するように配置されるハウジング１２の周縁面
上に、同様の溝部を形成するようにしてもよい。この場
合、ハウジング１２に形成されたそれぞれのガス流出入
ポートがガス漏れチェック孔５２及び７２のポート６４
及び８４に接続するように、溝部を配置する。このよう
に配置することにより、ほとんど妨害されることのない
チャネルが形成され、試験ガスをガスマニホールドの外
側からマニホールド内のガス流出入ポートまで流して、
ガス流出入ポートに通じるガス流路のシールをチェック
することができる。あるいは、対向して配置され相互に
係合する周縁面の両方に溝部を形成して、試験ガスを流
すための、妨害されないチャネルを形成するようにして
もよい。
【００２６】また、ガス漏れチェック孔５２及び７２の
代わりに、あるいは、これらに加えて、ガス漏れチェッ
ク孔をハウジング１２に設けて、上述したようないずれ
かの組み合わせの溝部と連通させて、試験ガスの流路と
なる封止及び封止解除可能なチャネルを形成するように
してもよい。図５（ａ）及び図５（ｂ）に、本発明のこ
の観点に基づいて構成されたガス供給管ハウジング９０
を示す。ハウジング１２と同様に、ガス供給管ハウジン
グ９０は、各ガス流路に通じる一対のガス流出入ポート
９６及び９８と、ガス流出入ポート９６及び９８の周囲
を囲むように広がる周縁面１００と、を備える。
代わりに、あるいは、これらに加えて、ガス漏れチェッ
ク孔をハウジング１２に設けて、上述したようないずれ
かの組み合わせの溝部と連通させて、試験ガスの流路と
なる封止及び封止解除可能なチャネルを形成するように
してもよい。図５（ａ）及び図５（ｂ）に、本発明のこ
の観点に基づいて構成されたガス供給管ハウジング９０
を示す。ハウジング１２と同様に、ガス供給管ハウジン
グ９０は、各ガス流路に通じる一対のガス流出入ポート
９６及び９８と、ガス流出入ポート９６及び９８の周囲
を囲むように広がる周縁面１００と、を備える。
【００２７】ハウジング９０は、更に、シール・プラグ
９４により封止可能なガス漏れチェック孔９２を備え
る。これらは、先に説明したガス漏れチェック孔及びシ
ール・プラグと同様に構成されている。ガス漏れチェッ
ク孔９２は、ハウジング９０の上面１０２から周縁面１
００まで伸長し、周縁面１００上に、ガス流出入ポート
９６及び９８の間に配置される孔あるいはポート１０４
を形成する。また、周縁面１００には、例えば、切削や
フライス削りによって形成された、第一溝部１０６及び
第二溝部１０８が設けられている。第一溝部１０６は、
ガス流出入ポート９６をガス漏れチェック孔９２のポー
ト１０４に連通させ、一方、第二溝部１０８は、ガス流
出入ポート９８をガス漏れチェック孔９２のポート１０
４に連通させる。
９４により封止可能なガス漏れチェック孔９２を備え
る。これらは、先に説明したガス漏れチェック孔及びシ
ール・プラグと同様に構成されている。ガス漏れチェッ
ク孔９２は、ハウジング９０の上面１０２から周縁面１
００まで伸長し、周縁面１００上に、ガス流出入ポート
９６及び９８の間に配置される孔あるいはポート１０４
を形成する。また、周縁面１００には、例えば、切削や
フライス削りによって形成された、第一溝部１０６及び
第二溝部１０８が設けられている。第一溝部１０６は、
ガス流出入ポート９６をガス漏れチェック孔９２のポー
ト１０４に連通させ、一方、第二溝部１０８は、ガス流
出入ポート９８をガス漏れチェック孔９２のポート１０
４に連通させる。
【００２８】このように構成されたハウジング９０を本
発明のガスマニホールドに接続した場合、ガス流出入ポ
ート９６及び９８は、ガス供給エンドブロック１４また
は５０の各ガス流出入ポート、あるいは、ガス注入エン
ドブロック１６または７０の各ガス流出入ポートとほぼ
一直線上に配置され、また、各周縁面が係合することに
より、上述したようにシールを形成する。図５（ａ）及
び図５（ｂ）に示した実施例では、ガス漏れチェック孔
が一つしか設けられていないが、ハウジング９０に１つ
以上のガス漏れチェック孔を設けてもよく、例えばハウ
ジング９０の両側にある２つの周縁面の間を連通するガ
ス漏れチェック孔を設けるようにしてもよい。あるい
は、ガス漏れチェック孔９２と対称に、周縁面１００と
は反対側にあるハウジング９０端部の周縁面にまで通じ
る他の枝管を設けるようにしてもよい。また、溝部１０
６及び１０８のいずれか一つだけを形成して、ガス漏れ
チェック孔９２を、ガス流出入ポート９６及び９８の内
の、所定の一方に連通させるようにしてもよい。この場
合、ガス流出入ポートの他方を、適切に接続されたエン
ドブロックに設けられたガス漏れチェック孔に連通させ
るようにしてもよい。当業者ならば当然理解されるであ
ろうが、ガス漏れチェック孔と溝部の構成は上述したも
の以外にも、多くの異なった配置が可能である。いずれ
の構成においても、ほとんど妨害されないチャネルを形
成し、ガスマニホールドの所定のシールの漏れを、正
確、且つ、信頼性高くチェックすることができる。
発明のガスマニホールドに接続した場合、ガス流出入ポ
ート９６及び９８は、ガス供給エンドブロック１４また
は５０の各ガス流出入ポート、あるいは、ガス注入エン
ドブロック１６または７０の各ガス流出入ポートとほぼ
一直線上に配置され、また、各周縁面が係合することに
より、上述したようにシールを形成する。図５（ａ）及
び図５（ｂ）に示した実施例では、ガス漏れチェック孔
が一つしか設けられていないが、ハウジング９０に１つ
以上のガス漏れチェック孔を設けてもよく、例えばハウ
ジング９０の両側にある２つの周縁面の間を連通するガ
ス漏れチェック孔を設けるようにしてもよい。あるい
は、ガス漏れチェック孔９２と対称に、周縁面１００と
は反対側にあるハウジング９０端部の周縁面にまで通じ
る他の枝管を設けるようにしてもよい。また、溝部１０
６及び１０８のいずれか一つだけを形成して、ガス漏れ
チェック孔９２を、ガス流出入ポート９６及び９８の内
の、所定の一方に連通させるようにしてもよい。この場
合、ガス流出入ポートの他方を、適切に接続されたエン
ドブロックに設けられたガス漏れチェック孔に連通させ
るようにしてもよい。当業者ならば当然理解されるであ
ろうが、ガス漏れチェック孔と溝部の構成は上述したも
の以外にも、多くの異なった配置が可能である。いずれ
の構成においても、ほとんど妨害されないチャネルを形
成し、ガスマニホールドの所定のシールの漏れを、正
確、且つ、信頼性高くチェックすることができる。
【００２９】以上、本発明のいくつかの好適な実施例を
説明したが、本発明の範囲から逸脱することなく、様々
な他の態様で実施可能なことはもちろんである。例え
ば、所定の（選択された）周縁面に溝部を形成して、こ
の溝部が、周縁面内を、所定のガス流出入ポートから、
選択された構成要素（例えば、ガスマニホールド組立体
のガス供給エンドブロック、ガス注入エンドブロック、
あるいは、ハウジング）の外表面まで通じるように構成
してもよい。更に、ガス試験チャネルを設けて、ＣＶＤ
リアクタのチャンバ蓋にガスマニホールドが接続される
箇所のシールをチェックするようにしてもよい。このよ
うなチャネルは、エンドブロック５０及び７０の底部に
位置する所定の周縁面に設けられた溝部、及び／また
は、マニホールド組立体のエンドブロックが接続される
チャンバ蓋の所定の（選択された）周縁面に設けられた
溝部を、備える。以上のように、上記の実施例は単に例
示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではなく、本発
明は、添付されたクレームの範囲内で様々に変更可能で
ある。
説明したが、本発明の範囲から逸脱することなく、様々
な他の態様で実施可能なことはもちろんである。例え
ば、所定の（選択された）周縁面に溝部を形成して、こ
の溝部が、周縁面内を、所定のガス流出入ポートから、
選択された構成要素（例えば、ガスマニホールド組立体
のガス供給エンドブロック、ガス注入エンドブロック、
あるいは、ハウジング）の外表面まで通じるように構成
してもよい。更に、ガス試験チャネルを設けて、ＣＶＤ
リアクタのチャンバ蓋にガスマニホールドが接続される
箇所のシールをチェックするようにしてもよい。このよ
うなチャネルは、エンドブロック５０及び７０の底部に
位置する所定の周縁面に設けられた溝部、及び／また
は、マニホールド組立体のエンドブロックが接続される
チャンバ蓋の所定の（選択された）周縁面に設けられた
溝部を、備える。以上のように、上記の実施例は単に例
示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではなく、本発
明は、添付されたクレームの範囲内で様々に変更可能で
ある。
【図１】従来技術の化学蒸着装置のチャンバ蓋とガスマ
ニホールドを示す上面斜視図。
ニホールドを示す上面斜視図。
【図２】図１のガスマニホールドの分解斜視図。
【図３】本発明の一局面によるガスマニホールドのガス
供給エンドブロックを示す正面図。
供給エンドブロックを示す正面図。
【図４】本発明の別の局面によるガスマニホールドのガ
ス注入エンドブロックを示す図。
ス注入エンドブロックを示す図。
【図５】本発明の更に別の局面によるガスマニホールド
のガス供給管ハウジングを示す図。
のガス供給管ハウジングを示す図。
１０…ガスマニホールド １２…ガス供給管ハウジング １２…石英供給管ハウジング １４…ガス供給エンドブロック １６…ガス注入エンドブロック １８…ガスチャンバ蓋 ２０…冷却水マニホールド ２２…冷却水エンドブロック ２４…ガス混合ボックス ２６…ガスケット ２８…スペーサー ３０…ばね波座金 ３２…石英ガス供給管 ３４…抵抗器 ３６…組立体 ３８…ガスケット ４０…チェック孔 ４２…プラグ ５０…ガス供給エンドブロック ５２…チェック孔 ５４…プラグ ５６…ガス流出入ポート ５８…ガス流出入ポート ６０…周縁面 ６２…上面 ６４…ポート ６６…第一溝部 ６８…第二溝部 ７０…ガス注入エンドブロック ７２…チェック孔 ７４…プラグ ７６…ガス流出入ポート ７８…ガス流出入ポート ８０…周縁面 ８２…上面 ８４…ポート ８６…第一溝部 ８８…第二溝部 ９０…ガス供給管ハウジング ９２…チェック孔 ９４…プラグ ９６…ガス流出入ポート ９８…ガス流出入ポート １００…周縁面 １０２…上面 １０４…ポート １０６…第一溝部 １０８…第二溝部
Claims (19)
- 【請求項１】 化学蒸着装置であって、 ガスマニホールドと、 少なくとも前記ガスマニホールドを通って、化学蒸着装
置内に通じる少なくとも一つのガス流路と、 前記ガス流路に通じる前記ガスマニホールドの第一のガ
ス流出入ポートの周囲に広がる前記ガスマニホールドの
第一の周縁面と、 前記ガス流路に通じる第二のガス流出入ポートの周囲に
広がる第二の周縁面と、 前記第一の周縁面と前記第二の周縁面とを相互に係合さ
せて、前記ガス流路を実質的にシールするように構成さ
れた、前記ガスマニホールドの接続部と、 前記第一の周縁面と第二の周縁面の少なくとも一方に設
けられ、前記第一のガス流出入ポートと第二のガス流出
入ポートの少なくとも一方に連絡するように伸長する溝
であって、試験ガスを、前記溝を通して、化学蒸着装置
の外側から各ガス流出入ポートに向かって流すための溝
と、 を備えることを特徴とする化学蒸着装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の化学蒸着装置であって、 前記ガスマニホールドの接続部が、前記ガス流路の回り
に配置された少なくとも一つのガスケットを備える、化
学蒸着装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の化学蒸着装置であって、 前記ガスマニホールドが、更に、ガス供給管ハウジング
とエンドブロックと、を備え、 前記エンドブロックが、前記第一の周縁面と前記第一の
ガス流出入ポートとを備える一方、 前記ガス供給管ハウジングが前記第二の周縁面と前記第
二のガス流出入ポートとを備え、 前記溝が、前記第一の周縁面上に形成されて、前記第一
のガス流出入ポートに連通する、化学蒸着装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の化学蒸着装置であって、 前記エンドブロックを通って、前記エンドブロックの外
面から前記第一の周縁面まで伸長するガス漏れチェック
ポートを更に備え、 前記溝が、前記第一の周縁面内を前記ガス漏れチェック
ポートから前記第一のガス流出入ポートまで伸びてい
る、化学蒸着装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の化学蒸着装置であって、 前記エンドブロックがガス供給エンドブロックである、
化学蒸着装置。 - 【請求項６】 請求項４記載の化学蒸着装置であって、 前記エンドブロックがガス注入エンドブロックである、
化学蒸着装置。 - 【請求項７】 請求項１記載の化学蒸着装置であって、 前記ガスマニホールドが、更に、ガス供給管ハウジング
とエンドブロックと、を備え、 前記エンドブロックが、前記第一の周縁面と前記第一の
ガス流出入ポートとを備える一方、 前記ガス供給管ハウジングが前記第二の周縁面と前記第
二のガス流出入ポートとを備え、 前記溝が、前記第二の周縁面上に形成されて、前記第二
のガス流出入ポートに連通する、化学蒸着装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の化学蒸着装置であって、 前記ガス供給管ハウジングを通って、前記ガス供給管ハ
ウジングの上面から前記第二の周縁面まで伸長するガス
漏れチェックポートを更に備え、 前記溝が、前記第二の周縁面内を前記ガス漏れチェック
ポートから前記第二のガス流出入ポートまで伸びてい
る、化学蒸着装置。 - 【請求項９】 請求項１記載の化学蒸着装置であって、 前記溝が、前記第一の周縁面と第二の周縁面の少なくと
も一方において、前記第一のガス流出入ポートと第二の
ガス流出入ポートの少なくとも一方から化学蒸着装置の
外面まで伸びている、化学蒸着装置。 - 【請求項１０】 請求項１記載の化学蒸着装置であっ
て、 化学蒸着装置がガスチャンバ蓋を更に備え、 前記ガスマニホールドがエンドブロックを更に備え、 前記エンドブロックが、前記第一の周縁面と前記第一の
ガス流出入ポートとを備える一方、 前記ガスチャンバ蓋が前記第二の周縁面と前記第二のガ
ス流出入ポートとを備え、 前記溝が、前記第一の周縁面上に形成されて、前記第一
のガス流出入ポートに連通する、化学蒸着装置。 - 【請求項１１】 化学蒸着装置のガスマニホールドにお
けるシールの漏れをテストする方法であって、前記シー
ルが、ガス流路に通じるガス流出入ポートの周囲を囲
む、相互に係合する一対の周縁面を備え、前記方法が、 前記相互に係合する周縁面の少なくとも一方に、前記ガ
ス流出入ポートと連通するように伸長する溝を形成し
て、前記溝内を試験ガスが流れ得るようにするステップ
と、 前記ガスマニホールド内を真空にするステップと、 前記ガスマニホールドの前記シールの近傍の領域に試験
ガスを流すステップと、 前記シールを通って前記ガス流路内に前記試験ガスが入
ったかどうかを検出して、前記シールの信頼性を確認す
るステップと、 を備えることを特徴とする方法。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の方法であって、 前記試験ガスがヘリウムである、方法。
- 【請求項１３】 請求項１１記載の方法であって、 前記ガスマニホールドが、前記化学蒸着装置の封止可能
なチャンバに接続され、 前記ガスマニホールド内を真空にするステップが、前記
チャンバ内を真空にするステップを備え、 前記シールを通って前記ガス流路内に前記試験ガスが入
ったかどうかを検出するステップが、前記チャンバ内に
前記試験ガスが存在するかどうかを検出するステップを
備える、方法。 - 【請求項１４】 集積回路チップの製造に用いられる化
学蒸着装置であって、 チャンバ蓋で封止可能なチャンバと、 少なくとも一つのガスを受け入れ、前記ガスを前記チャ
ンバに送るように構成されたガス混合マニホールドと、
を備え、 前記ガス混合マニホールドが、 第一の端部と第二の端部とを有するガス供給管ハウジン
グと、 前記ガス供給管ハウジングの前記第一の端部に接続され
るガス供給エンドブロックと、 前記ガス供給管ハウジングの前記第二の端部に接続され
るガス注入エンドブロックと、 前記化学蒸着装置において、少なくとも前記ハウジング
と前記ガス混合マニホールドの前記エンドブロック内に
伸びる少なくとも一つのガス流路と、 前記ガス供給エンドブロックに設けられた少なくとも一
つのガス流出入ポートであって、前記ガス流路が前記ガ
ス供給エンドブロックの前記ガス流出入ポートを通って
伸びるように構成されたガス流出入ポートと、 前記ガス供給エンドブロックの前記ガス流路の周囲に広
がる前記ガス供給エンドブロックの周縁面と、 前記ハウジングに設けられた少なくとも一つのガス流入
ポートであって、前記ガス流路が前記ガス流入ポートを
通って伸びるように構成されたガス流入ポートと、 前記ハウジングの前記ガス流入ポートの周囲に広がる前
記ハウジングの流入周縁面と、 前記ハウジングに設けられた少なくとも一つのガス流出
ポートであって、前記ガス流路が前記ガス流出ポートを
通って伸びるように構成されたガス流出ポートと、 前記ハウジングの前記ガス流出ポートの周囲に広がる前
記ハウジングの流出周縁面と、 前記ガス注入エンドブロックに設けられた少なくとも一
つのガス流出入ポートであって、前記ガス流路が前記ガ
ス注入エンドブロックの前記ガス流出入ポートを通って
伸びるように構成されたガス流出入ポートと、 前記ガス注入エンドブロックの前記ガス流出入ポートの
周囲に広がる前記ガス注入エンドブロックの周縁面と、 前記ガス混合マニホールドの第一のシール接続部であっ
て、前記ガス供給エンドブロックの前記周縁面と前記ハ
ウジングの前記流入周縁面を相互に係合させ、且つ、前
記ガス流路の回りに第一のガスケットを配置させて、前
記ガス流路を実質的にシールする第一のシール接続部
と、 前記ガス混合マニホールドの第二のシール接続部であっ
て、前記ガス注入エンドブロックの前記周縁面と前記ハ
ウジングの前記流出周縁面を相互に係合させ、且つ、前
記ガス流路の回りに第二のガスケットを配置させて、前
記ガス流路を実質的にシールする第二のシール接続部
と、 前記ガス混合マニホールドの複数の前記周縁面の中から
選択された第一の周縁面に形成された少なくとも一つの
溝部を有する少なくとも一つのチャネルであって、前記
チャネルの溝部が、前記ガス混合マニホールドの複数の
前記ガス流出入ポートの中から選択された所定のガス流
出入ポートに接するように配置され、前記チャネルが、
前記溝部から前記ガス混合マニホールドの外側に通じる
ように構成された前記チャネルと、 を備えることを特徴とする化学蒸着装置。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の化学蒸着装置であっ
て、 前記チャネルが、前記ガス供給エンドブロックの前記ガ
ス流出入ポートに接するように配置された溝部を有し、
前記チャネルが前記ガス供給エンドブロック内を通って
伸びている、化学蒸着装置。 - 【請求項１６】 請求項１４記載の化学蒸着装置であっ
て、 前記ガス供給エンドブロックの前記ガス流出入ポートに
接するように配置された溝部を有する第一の前記チャネ
ルと、 前記ガス注入エンドブロックの前記ガス流出入ポートに
接するように配置された溝部を有する第二の前記チャネ
ルと、を備える、化学蒸着装置。 - 【請求項１７】 請求項１６記載の化学蒸着装置であっ
て、 前記第一のチャネルが、前記ガス供給エンドブロックを
通って伸びており、 前記第二のチャネルが、前記ガス注入エンドブロック内
で伸びている、化学蒸着装置。 - 【請求項１８】 請求項１４記載の化学蒸着装置であっ
て、 前記チャネルが、前記ガス供給管ハウジングを通って伸
びている、化学蒸着装置。 - 【請求項１９】 請求項１４記載の化学蒸着装置であっ
て、 少なくとも２つのガスを受け入れて、前記２つのガスを
混合した状態で前記チャンバに送るように構成されてお
り、 一対の前記ガス流路と、 前記ガス供給エンドブロックに設けられた一対の前記ガ
ス流出入ポートと、 前記ハウジングに設けられた一対のガス流入ポートと、 前記ハウジングに設けられた一対のガス流出ポートと、 前記ガス注入エンドブロックに設けられた一対の前記ガ
ス流出入ポートと、を更に備える、化学蒸着装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/520,030 US5614249A (en) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | Leak detection system for a gas manifold of a chemical vapor deposition apparatus |
| US08/520,030 | 1995-08-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09189637A true JPH09189637A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=24070907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8245550A Pending JPH09189637A (ja) | 1995-08-28 | 1996-08-27 | 化学蒸着装置およびそのガスマニホールドの漏れ検出方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5614249A (ja) |
| JP (1) | JPH09189637A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6719848B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-04-13 | First Solar, Llc | Chemical vapor deposition system |
| TR201903734T4 (tr) | 2011-11-18 | 2019-03-21 | First Solar Inc | Materyalin eş biriktirilmesine yönelik buhar taşıma biriktirme yöntemi ve sistemi. |
| CN110888415A (zh) * | 2019-12-02 | 2020-03-17 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种mpcvd合成设备模拟测试装置及其模拟测试方法 |
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| US5233861A (en) * | 1990-12-03 | 1993-08-10 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for in situ calibration of a metering device |
| US5498578A (en) * | 1994-05-02 | 1996-03-12 | Motorola, Inc. | Method for selectively forming semiconductor regions |
-
1995
- 1995-08-28 US US08/520,030 patent/US5614249A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-08-27 JP JP8245550A patent/JPH09189637A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5614249A (en) | 1997-03-25 |
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