CN115389096A - 气体压力探测装置及沉积设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例是关于气体压力探测装置及沉积设备。根据一实施例的气体压力探测装置包括主体、采样管路及第一端口。采样管路设置于主体内且经配置以收集待被探测的反应区域内的气体。第一端口设置于采样管路且经配置以与第一传感器连接以测量气体的压力。本申请实施例提供的气体压力探测装置不仅能够探测沉积设备中的反应区域内的气体压力，还避免影响反应区域内的工艺处理对象的产品质量。
Description
技术领域
本申请实施例涉及半导体制造领域，且更特定来说，涉及气体压力探测装置及半导体相关沉积设备。
背景技术
半导体领域中，薄膜沉积是半导体制程中的一个非常重要的工艺步骤。薄膜沉积是在半导体材料上镀膜，此膜可包括所需的各种类型的材料，例如，二氧化硅、多晶硅及铜等。半导体设备是半导体生产流程的基础，半导体设备先进程度直接决定了半导体生产的质量和效率。半导体设备中的薄膜沉积设备是半导体制造工艺中的三大核心设备之一，其制造技术难度大，门槛极高。沉积设备可包括，例如，原子层沉积设备、等离子体增强原子层沉积设备、等离子体增强化学气相沉积设备，通过这些设备沉积实现所需薄膜层的生长，在薄膜生长过程中需要精确控制相关工艺参数，在众多工艺参数中，气压是常用的工艺参数之一。
原子层沉积(Atomic Layer Deposition，简称为ALD)工艺是通过腔体内交替引入气相反应物，通过交替的表面饱和反应，进行自限制薄膜沉积生长的工艺。原子层沉积具有结合强度高、膜层均匀性好、成分均匀性好等优点，现已被广泛应用到微电子系统、存储器介电层及光学薄膜等诸多领域。
等离子体增强原子层沉积(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，简称为PEALD)工艺扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围，提高了薄膜沉积速率，降低了沉积温度，因而广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积。PEALD工艺是ALD工艺的良好补充。
等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称为PECVD)工艺借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长。
然而，由于ALD、PEALD和PECVD工艺均需要引入气体至反应设备，因此需要对反应设备的气体压力进行探测，以正确地控制反应工艺。
因此，业界需要一种能够探测反应设备内的气体压力的装置。
发明内容
本申请实施例的目的之一在于提供一种气体压力探测装置及沉积设备，其不仅能够探测反应设备内的气体压力，还避免影响沉积设备中的反应设备内的工艺处理对象的产品质量。并且，通过单独设置的压力探测装置，将相关探测部件与腔室主体分开，便于压力探测装置的更换，通过备件更换的方式，能够迅速完成维护或维修。
根据本申请的一实施例提供的一种气体压力探测装置，其包括：主体；采样管路，其设置于所述主体内且经配置以收集待被探测的反应区域内的气体；及第一端口，其设置于所述采样管路，所述第一端口经配置以与第一传感器连接以测量气体的压力。
在本申请的一些实施例中，主体经配置以可拆卸的方式连接至待被探测的反应区域所在的设备。
在本申请的一些实施例中，气体压力探测装置进一步包括设置于采样管路的第二端口及经配置以连接至第二端口的吹扫机构，其中第二端口设置于采样管路的尾部。
在本申请的一些实施例中，吹扫机构包括经配置以提供吹扫气体的吹扫元件。
在本申请的一些实施例中，吹扫机构还包括阀元件，其经配置以控制吹扫气体的流量。
在本申请的一些实施例中，吹扫气体为非活性气体。
在本申请的一些实施例中，吹扫气体的佩克莱数至少为1。
在本申请的一些实施例中，吹扫气体的佩克莱数的范围为1至2。
在本申请的一些实施例中，主体具有开口，采样管路的第三端口设置于开口中，且待被探测的反应区域内的气体经由第三端口进入采样管路。
在本申请的一些实施例中，气体压力探测装置进一步包括第一部分，其经配置以密封地连接至主体，且第一部分与采样管路的第三端口连通。
在本申请的一些实施例中，第一部分的材料为蓝宝石。
在本申请的一些实施例中，第一部分经配置以设置于待被探测的反应区域所在的设备内，且第一部分包括经配置以设置于待被探测的反应区域内的端部。
在本申请的一些实施例中，气体压力探测装置进一步包括设置于采样管路的第四端口及经配置以连接至第四端口的第二传感器。
在本申请的一些实施例中，第二传感器经配置以测量气体的压力，且第二传感器与第一传感器具有不同的测量精度和/或量程。
在本申请的一些实施例中，气体压力探测装置进一步包括设置于采样管路的第五端口及经配置以连接至第五端口的安全构件。
在本申请的一些实施例中，安全构件经配置以感测采样管路的内部的气体的压力变化。
在本申请的一些实施例中，安全构件经配置以在感测到采样管路的内部的气体的压力变化超过预定值时关闭气体压力探测装置及待被探测的反应区域所在的设备。
在本申请的一些实施例中，气体压力探测装置进一步包括设置于采样管路的维护端口。
在本申请的一些实施例中，采样管路具有第一区段和与第一区段垂直的第二区段，第一区段与第二区段的连接部分为弧状。
在本申请的一些实施例中，吹扫机构经配置以在待被探测的反应区域内不进行工艺期间吹扫采样管路。
根据本申请的另一实施例提供的一种沉积设备，其包括：反应装置，其经配置以容纳待沉积的半导体元件；及气体压力探测装置，其设置于反应装置外部，该气体压力探测装置包括：主体；采样管路，其设置于主体内且经配置以收集反应装置内的气体；及第一端口，其设置于采样管路，该第一端口经配置以与第一传感器连接以测量气体的压力。
在本申请的一些实施例中，沉积设备进一步包括经配置以设置于反应设备内的第一部分，该第一部分经配置以密封地连接至所述主体且与所述采样管路连通。
在本申请的一些实施例中，其中气体压力探测装置经配置以可拆卸的方式连接至反应装置。
在本申请的一些实施例中，沉积设备进一步包括设置于采样管路的第二端口及经配置以连接至第二端口的吹扫机构，其中第二端口设置于采样管路的尾部。
本申请实施例的目的之一在于提供一种气体压力探测装置及沉积设备，其能够准确地测量反应区域内的气体压力，从而能够使操作人员正确地控制反应工艺，并且避免对反应区域内的工艺处理对象的产品质量产生不良影响。此外，本申请实施例提供的气体压力探测装置也具有方便更换和维护的优点。因此，本申请实施例提供的气体压力探测装置及沉积设备充分满足了业界的需求。
附图说明
在下文中将简要地说明为了描述本申请实施例或现有技术所必要的附图以便于描述本申请实施例。显而易见地，下文描述中的附图仅只是本申请中的部分实施例。对本领域技术人员而言，在不需要创造性劳动的前提下，依然可根据这些附图中所例示的结构来获得其他实施例的附图。
图1是根据本申请一实施例的沉积设备的截面示意图，其包括气体压力探测装置。
图2是图1所示的气体压力探测装置的立体示意图。
图3是根据本申请另一实施例的沉积设备的截面示意图，其包括根据本申请另一实施例的气体压力探测装置。
具体实施方式
本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应被解释为对本申请的限制。
如本文中所使用，术语“约”、“大体上”、“实质上”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％、小于或等于±0.5％、或小于或等于±0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于值的平均值的±10％，那么可认为两个数值“大体上”相同。
再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图的不同组件。“第一”、“第二”、“第三”等不意欲描述对应组件。
在本申请中，除非经特别指定或限定之外，“设置”、“连接”、“耦合”、“固定”以及与其类似的用词在使用上是广泛地，而且本领域技术人员可根据具体的情况以理解上述的用词可是，比如，固定连接、可拆式连接或集成连接；其也可是机械式连接或电连接；其也可是直接连接或通过中介结构的间接连接；也可是两个组件的内部通讯。并且，本揭露的附图仅仅作为示意图，其不代表本申请实施例的结构的正确比例。
图1是根据本申请一实施例的沉积设备10的截面示意图，其包括气体压力探测装置20。图2是图1所示的气体压力探测装置20的立体示意图。
如图1和图2所示，根据本申请一实施例的沉积设备10可包括：气体压力探测装置20及反应装置30。沉积设备10可执行ALD、PEALD和PECVD等沉积工艺。
反应装置30可包括腔体101、承载构件103、喷淋构件105及反应区域107。反应装置30可为，例如，但不限于，ALD沉积装置、PEALD沉积装置或PECVD沉积装置。反应装置30可经配置以容纳待沉积的半导体元件，且对半导体元件进行薄膜沉积。
腔体101可具有进气口101a以接收气体。该气体可为工艺气体(例如，但不限于，等离子体气体)或非工艺气体。在本申请的一些实施例中，进气口101a可设置于沉积设备10的任意合适位置，例如，但不限于，沉积设备10的顶面、侧面及/或底面中的任意一者或多者。腔体101的材料可为，例如，但不限于，陶瓷。
承载构件103可经配置以承载待沉积的半导体晶片103a。承载构件103的材料可为本领域中常用的材料，例如，但不限于，陶瓷。
喷淋构件105可设置于反应区域107上方。喷淋构件105上可形成有多个喷淋孔。喷淋构件105可将从进气口101a接收的气体喷淋至反应区域107。
反应区域107可包括半导体晶片103a。半导体晶片103a在反应区域107内进行沉积。
气体压力探测装置20可设置于反应装置30外部。气体压力探测装置20可大体上设置于反应装置30的侧面。气体压力探测装置20可包括：主体20a、采样管路201、第一传感器203、第二传感器205、安全构件207、第三传感器209、吹扫机构211、第一端口213a、第二端口213b、第三端口213c、第四端口213d、第五端口213e及维护端口213f。
主体20a可经配置以可拆卸的方式连接至待被探测的反应区域107所在的反应装置30。主体20a可通过螺钉200a可拆卸地连接至反应装置30。螺钉200a可围绕采样管路201布置。主体20a可通过任意合适的方式可拆卸地连接至反应装置30。主体20a可通过任意合适的方式抵接至所述反应装置30。主体20a可具有开口200b。开口200b可容纳采样管路201。采样管路201的第三端口213c设置于开口200b中。使气体压力探测装置20的主体20a可拆卸地连接至反应装置30有利于气体压力探测装置20的更换，便于迅速完成气体压力探测装置20的维护或维修。此外，使气体压力探测装置20的主体20a设置于反应装置30外侧，有利于优化气体压力探测装置20的形状，使得可以根据实际情况灵活地设计主体20a。
采样管路201可设置于主体20a内且经配置以收集待被探测的反应区域107内的气体。采样管路201可具有第一区段201a和与第一区段201a垂直的第二区段201b。第一区段201a与第二区段201b的连接部分201c可为弧状。连接部分201c采用圆滑过渡方式可使得气流稳定地流通。在本申请其它实施例中，第一区段201a可与第二区段201b形成任意合适的角度。连接部分201c可具有任意合适的形状。采样管路201的材料为本领域中任意合适的材料。采样管路201可具有在采样管路201的尾部处设置的第二端口213b及设置于主体20a的开口200b处的第三端口213c。第二端口213b可经配置以连接至吹扫机构211。气体可经由第三端口213c进入采样管路201。第三端口213c可大体上位于采样管路201的一个末端处。尾部可大体上位于采样管路201的另一末端处。尾部可位于主体20a的外部。从尾部处设置的第二端口213b吹扫出的气体可大体上吹扫整个采样管路，以使得整个采样管路内出现的不期望的颗粒能够被移除。采样管路201还可具有位于第二端口213b与第三端口213c之间的第一端口213a。第一端口213a可经配置以与第一传感器203连接以测量气体的压力。采样管路201还可具有位于第二端口213b与第三端口213c之间的第四端口213d。第四端口213d可经配置以与第二传感器205连接以测量气体的压力。采样管路201还可具有位于第二端口213b与第三端口213c之间的第五端口213e。第五端口213e可经配置以连接至安全构件207。采样管路201还可具有位于第二端口213b与第三端口213c之间的维护端口213f。维护端口213f是预留的接口或备选接口，其可连接至任何类型的部件，例如，但不限于，其可连接至用于气体采样的传感器，用于验证传感器是否正常操作的元件。维护端口213f不使用时被密封。第一端口213a、第二端口213b、第三端口213c、第四端口213d、第五端口213e及维护端口213f的位置可根据实际需要进行设置。在本申请其它实施例中，采样管路201可包括至少一个端口。可依据装置所处的实际空间和形状及实际测试要求设置端口的数量，且合理地布置端口的位置，从而为相应端口所连接的元件设置合适的位置，以实现合理的空间布局。可根据需要选择是否使用这些端口。当端口不需要连接测试元件时，端口可被密封。
第一传感器203可经配置以连接至采样管路201的第一端口213a以测量经收集的气体的压力。第一传感器203可具有第一测量精度和第一量程。第一传感器203可为任意合适的气体压力传感器。第一传感器203的位置可根据实际需要合理布置，以优化空间排布。
第二传感器205可经配置以连接至采样管路201的第四端口213d以测量经收集的气体的压力。第二传感器205可具有与第一传感器203不同的测量精度和/或量程。第二传感器205可具有第二测量精度和第二量程。第一测量精度可大于第二测量精度。第一测量精度可小于第二测量精度。第一测量精度可等于第二测量精度。第一量程可大于第二量程。第一量程可小于第二量程。第一量程可等于第二量程。通过设置不同测量精度和/或量程的传感器，可实现对反应区域107内的气体压力更加准确的测量。第二传感器205可为任意合适的气体压力传感器。第二传感器205的位置可根据实际需要合理布置，以优化空间排布。
安全构件207可经配置以连接至采样管路201的第五端口213e。安全构件207可经配置以感测采样管路201的内部的气体的压力变化。安全构件207可经配置以在感测到采样管路201的内部的气体的压力变化超过预定值(例如，但不限于，突然的破真空)时关闭除了安全保障部件(例如，但不限于，用于供气或供电的部件)之外的所有影响安全的部件，包括，例如，但不限于，气体压力探测装置20和反应装置30，以保护包括气体压力探测装置20和反应装置30在内的全部部件。安全构件207可为任意合适类型的开关元件。安全构件207的位置可根据实际需要合理布置，以优化空间排布。
第三传感器209可经配置以连接至采样管路201的维护端口213f。第三传感器209可与第一传感器203及第二传感器205不同，以实现对采样管路201所采集的气体或采样管路201的其它方面的特性进行测量。第三传感器209的位置可根据实际需要合理布置，以优化空间排布。
第一传感器203、第二传感器205、安全构件207及第三传感器209的布置并不限制于本揭露的附图所示的布置。各个端口所连接的传感器或其它类型的元件可根据实际需要合理布置，以实现合理的布局，减少部件干涉，优化空间利用。
吹扫机构211可经配置以连接至采样管路201的第二端口213b。吹扫机构211可经配置以在待被探测的反应区域107内不进行工艺期间吹扫整个采样管路201，以使得采样管路201中不期望出现的颗粒被移除，从而避免对反应区域107内的工艺处理对象造成影响。吹扫机构211可包括吹扫元件2111及阀元件2113。
吹扫元件2111可经配置以提供吹扫气体。吹扫元件2111可为任意合适类型的泵。吹扫气体可为非活性气体，例如，但不限于，氮气，氩气等。
阀元件2113可经配置以控制吹扫气体的流量。阀元件2113可为任意合适的阀。吹扫气体的流速(单位为m/s)和流量(单位为m3/s)可根据具体需要设定。吹扫气体的佩克莱数(Peclet number)至少为1，以防止吹扫元件2111提供的气体朝向吹扫元件2111反向扩散。吹扫气体的佩克莱数的范围为约1至2。吹扫气体的佩克莱数的范围为约3至4。吹扫气体的佩克莱数的范围为约5至8。吹扫气体的佩克莱数的范围为约8至10。佩克莱数为流体力学领域中公知的无量纲数。
其中气体流速可为从吹扫元件2111吹出的气体在采样管路201中的流速，其单位为m/s；距离可为第二端口213b与第三端口213c之间的的物理距离，即，采样管路201的长度,其单位为m；且气体扩散常数为本领域公知的热导率λ与比热容c和密度ρ的乘积之比，其单位是m2/s。
气体压力探测装置20还可进一步包括第一部分202。第一部分202可与主体20a分开设置。第一部分202可经配置以密封地连接至主体20a，且与采样管路201的第三端口213c连通。第一部分202可与主体20a装配式抵接密封。第一部分202可通过密封结构204密封地连接至主体20a。密封结构204的材料为常用的密封材料。第一部分的材料可为蓝宝石，以避免影响反应装置30内的射频。第一部分202可经配置以设置于待被探测的反应区域107所在的设备，即，反应装置30，内。第一部分202可经配置于反应装置30的腔室的内壁里。第一部分202包括端部202a。端部202a可设置于待被探测的反应区域107内，以对反应区域107内的工艺压力直接进行采样。
当反应装置30执行工艺时，气体压力探测装置20经配置以对反应装置30内的气体进行测量。气体压力探测装置20的吹扫元件2111关闭。反应区域107内的气体可经由端部202a进入第一部分202，再经由第三端口213c进入采样管路201。采样管路201上设置的第一传感器203、第二传感器205及第三传感器209可对所收集的气体的压力进行测量。并且，安全构件207可开启，以感测采样管路201的内部的气体的压力变化，以保护气体压力探测装置20。第一部分202的端部202a靠近反应区域107中的工艺处理对象，因此可以得到反应区域107内的气体压力的准确测量。因此，本申请实施例提供的沉积设备10具有良好的探测反应区域107内的气体压力的优势，从而使得操作人员能够更准确地控制沉积设备10内的工艺，进而提高生产效率和产品质量。并且，本申请实施例提供的气体压力探测装置20与反应装置30分开设置，可以保证气体压力探测装置20灵活方便的拆卸和维护。此外，气体压力探测装置20内的采样管路201与反应装置30内的第一部分202相连通，可以在保证对反应区域107内的气体压力的准确测量的同时，最大程度地保证气体压力探测装置20灵活方便的拆卸和维护，及空间优化。
当反应区域107内的气体遇到端部202a时容易出现冷凝现象，从而产生不期望的液体颗粒。并且，反应区域107中注入的多种不同的气体在进入第一部分202和采样管路201后也容易发生化学反应，从而导致第一部分202和采样管路201内出现不期望的颗粒。此不期望的颗粒会影响气体压力探测装置20的测量结果。此外，由于第一部分202的端部202a靠近工艺处理对象，若第一部分202内存在不期望的颗粒，则颗粒会发生在靠近工艺处理对象的地方，因而工艺处理对象的产品质量可能会受到影响。本申请实施例提供的气体压力探测装置20在沉积设备10不进行反应工艺时，通过使用吹扫元件2111吹扫采样管路201和第一部分202，以移除采样管路201和第一部分202内的不期望的颗粒，避免气体压力探测装置20的引入影响工艺处理对象的质量，也同时提升了气体压力探测装置20的测量精度。
图3是根据本申请另一实施例的沉积设备10'的截面示意图，其包括根据本申请另一实施例的气体压力探测装置20'。
如图3所示的沉积设备10'与如图1所示的沉积设备10的区别仅在于，气体压力探测装置20'与如图1和2所示的气体压力探测装置20的不同。
如图3所示的气体压力探测装置20'与如图1和2所示的气体压力探测装置20的区别在于，气体压力探测装置20'不包括吹扫元件2111，且其在靠近端部202a附近设置阀213。当沉积设备10'进行反应工艺时，气体压力探测装置20'采集反应区域107内的气体，阀213被打开以吸收采样管路201和第一部分202内不期望的颗粒，从而防止其影响半导体晶片103a。当沉积设备10'不进行反应工艺时，气体压力探测装置20'不采集反应区域107内的气体，阀213被关闭。关闭后的阀213中存储有所吸收的颗粒。气体压力探测装置20'相较于图1和图2所提供的气体压力探测装置20而言会产生颗粒聚集的问题。
本申请的技术内容及技术特点已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本申请的教示及揭示而作种种不背离本申请精神的替换及修饰。因此，本申请的保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本申请的替换及修饰，并为本申请的权利要求书所涵盖。
Claims (24)
1.一种气体压力探测装置，其包括：
主体；
采样管路，其设置于所述主体内且经配置以收集待被探测的反应区域内的气体；及
第一端口，其设置于所述采样管路，所述第一端口经配置以与第一传感器连接以测量气体的压力。
2.根据权利要求1所述的气体压力探测装置，其中所述主体经配置以可拆卸的方式连接至所述待被探测的反应区域所在的设备。
3.根据权利要求1所述的气体压力探测装置，其进一步包括设置于所述采样管路的第二端口及经配置以连接至所述第二端口的吹扫机构，其中所述第二端口设置于所述采样管路的尾部。
4.根据权利要求3所述的气体压力探测装置，其中所述吹扫机构包括经配置以提供吹扫气体的吹扫元件。
5.根据权利要求4所述的气体压力探测装置，其中所述吹扫机构还包括阀元件，其经配置以控制所述吹扫气体的流量。
6.根据权利要求4所述的气体压力探测装置，其中所述吹扫气体为非活性气体。
7.根据权利要求4所述的气体压力探测装置，其中所述吹扫气体的佩克莱数至少为1。
8.根据权利要求4所述的气体压力探测装置，其中所述吹扫气体的佩克莱数的范围为1至2。
9.根据权利要求1所述的气体压力探测装置，其中所述主体具有开口，所述采样管路的第三端口设置于所述开口中，且所述待被探测的反应区域内的气体经由所述第三端口进入所述采样管路。
10.根据权利要求9所述的气体压力探测装置，其进一步包括第一部分，其经配置以密封地连接至所述主体，且所述第一部分与所述采样管路的所述第三端口连通。
11.根据权利要求10所述的气体压力探测装置，其中所述第一部分的材料为蓝宝石。
12.根据权利要求10所述的气体压力探测装置，其中所述第一部分经配置以设置于所述待被探测的反应区域所在的设备内，且所述第一部分包括经配置以设置于所述待被探测的反应区域内的端部。
13.根据权利要求1所述的气体压力探测装置，其进一步包括设置于所述采样管路的第四端口及经配置以连接至所述第四端口的第二传感器。
14.根据权利要求13所述的气体压力探测装置，其中所述第二传感器经配置以测量所述气体的压力，且所述第二传感器与所述第一传感器具有不同的测量精度和/或量程。
15.根据权利要求1所述的气体压力探测装置，其进一步包括设置于所述采样管路的第五端口及经配置以连接至所述第五端口的安全构件。
16.根据权利要求15所述的气体压力探测装置，其中所述安全构件经配置以感测所述采样管路的内部的气体的压力变化。
17.根据权利要求15所述的气体压力探测装置，其中所述安全构件经配置以在感测到所述采样管路的内部的气体的压力变化超过预定值时关闭所述气体压力探测装置及所述待被探测的反应区域所在的设备。
18.根据权利要求1所述的气体压力探测装置，其进一步包括设置于所述采样管路的维护端口。
19.根据权利要求1所述的气体压力探测装置，其中所述采样管路具有第一区段和与所述第一区段垂直的第二区段，所述第一区段与所述第二区段的连接部分为弧状。
20.根据权利要求3所述的气体压力探测装置，其中所述吹扫机构经配置以在所述待被探测的反应区域内不进行工艺期间吹扫所述采样管路。
21.一种沉积设备，其包括：
反应装置，其经配置以容纳待沉积的半导体元件；及
气体压力探测装置，其设置于所述反应装置外部，所述气体压力探测装置包括：
主体；
采样管路，其设置于所述主体内且经配置以收集所述反应装置内的气体；及
第一端口，其设置于所述采样管路，所述第一端口经配置以与第一传感器连接以测量气体的压力。
22.根据权利要求21所述的沉积设备，其进一步包括经配置以设置于所述反应设备内的第一部分，所述第一部分经配置以密封地连接至所述主体且与所述采样管路连通。
23.根据权利要求21所述的沉积设备，其中所述气体压力探测装置经配置以可拆卸的方式连接至所述反应装置。
24.根据权利要求21所述的沉积设备，其进一步包括设置于所述采样管路的第二端口及经配置以连接至所述第二端口的吹扫机构，其中所述第二端口设置于所述采样管路的尾部。
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