JPH09186559A - 発振回路及びクロック再生回路 - Google Patents

発振回路及びクロック再生回路

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JPH09186559A
JPH09186559A JP7344159A JP34415995A JPH09186559A JP H09186559 A JPH09186559 A JP H09186559A JP 7344159 A JP7344159 A JP 7344159A JP 34415995 A JP34415995 A JP 34415995A JP H09186559 A JPH09186559 A JP H09186559A
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delay
stage
oscillation
clock
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JP7344159A
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Susumu Chiaki
進 千秋
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Original Assignee
Sony Corp
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  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発振周波数の可変範囲を広くとることがで
き、CLV方式のディスクをCAV回転させて再生を行
うためのクロック再生回路に最適な発振回路を提供す
る。 【解決手段】 複数段の遅延素子DL1 〜DL31が直列
接続されてなる遅延回路1と、上記遅延回路1の遅延出
力d1 ,d3 ・・・d29,d31を選択して該遅延回路1
の入力段に帰還する選択回路2とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数段の遅延素子
をリング状に接続してなる発振回路及びこの発振回路を
用いたクロック再生回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、例えば図12に示すように、
インバータを遅延素子として用い、奇数個のインバータ
DL1〜DL15をリング状に接続してなる発振回路が
所謂リングオシレータとして知られている。
【0003】この発振回路では、図13に示すように、
遅延素子の総遅延量Σdlyが発振周波数の半周期(T
OSC /2)となる。遅延量は、遅延素子に与えられる制
御電圧によって変化する。
【0004】例えばMOS−ICは駆動電圧によって動
作速度が変化するので、MOS−ICインバータを遅延
素子として用いた場合、制御電圧を上げると遅延量が減
り、制御電圧を下げると遅延量が増える。
【0005】ここで、仮に遅延素子に与える制御電圧が
2Vで遅延素子1段の遅延量dlyが2nsecとする
と、総遅延段数=15での総遅延量Σdlyは30ns
ecであり、これが発振回路の発振周波数の半周期(T
OSC /2)となるから、発振周波数は16.7MHzと
なる。また、制御電圧が4Vで遅延素子1段の遅延量d
lyが1nsecとすると、総遅延段数=15での総遅
延量Σdlyは15nsecであり、これが発振回路の
発振周波数の半周期(TOSC /2)となるから、発振周
波数は33.3MHzとなる。すなわち、上記遅延素子
への電圧制御可能範囲により、この発振回路の発振周波
数の可変範囲が決まる。この例では、遅延素子への電圧
制御可能範囲が2V〜4Vである場合、この発振回路の
発振周波数は、16.7MHz〜33.3MHzとな
り、発振周波数可変範囲は2倍である。
【0006】しかしながら、遅延素子へ印加する制御電
圧すなわち電源電圧はシステムの電源電圧(例えば5
V)以上には上げることができず、また、素子の特性や
ノイズの影響などを考えると遅延素子への電源電圧はあ
まり下げることはできない。
【0007】また、一般に、同心円状又は渦巻状に形成
されたトラックをレーザビームで走査して各種データの
記録/再生を行う光ディスクシステムでは、光ディスク
を線速度一定(CLV:Constant Linear Velocity)に回転駆
動して、データの記録/再生を行うCLV方式や、光デ
ィスクを角速度一定(CAV:Constant Angular Velocity)
に回転駆動して、データの記録/再生を行うCAV方
式、さらに、空間的な記録密度をディスクの内外周でほ
ぼ一定にして記録効率を上げるようにしたMCAV(Mod
ified CAV)方式などが知られている。また、トラックに
沿って連続的に設けられたプリグルーブを用いてトラッ
キング制御などを行うコンティニアスサーボ方式や、ト
ラック上に離散的に設けられたサーボエリアを利用して
トラッキング制御などを行うサンプルサーボ方式のもの
が知られている。
【0008】さらに、光ディスクとしては、再生専用の
所謂ROMディスク、追記型ディスク、光磁気(MO)ディ
スクなどの記録可能なRAMディスク、ROM領域とR
AM領域とを有する所謂ハイブリッドディスクなどが知
られている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、CLV方式
のディスクは、データの記録密度がディスクの内外周で
一定であるので、効率が良く大容量が可能である。従
来、このCLV方式のディスクは、内外周で回転数を変
えることにより再生クロックを一定に保って再生を行っ
ていた。
【0010】また、上記CLV方式のディスクをCAV
回転させて再生を行う方法が提案されている。すなわ
ち、上記CLV方式のディスクをCAV回転させて再生
を行うようにすれば、回転数を変化させないので消費電
力の点で有利であり、ポータブル用に向いた再生装置を
実現することができ、また、回転数を変化させないので
アクセス速度が速く、データストレージ用に向いた再生
装置を実現することがでる。
【0011】しかし、CLV方式のディスクをCAV回
転させて再生を行うためには、データ再生周波数が内外
周で連続的に変化するので、クロック再生用のフェーズ
ロックドループ(PLL: Phase Locked Loop)で抽出される
再生クロックも連続的に変わりため、上記PLLを構成
する発振器は発振周波数を連続的に可変できる必要があ
る。
【0012】また、大容量のディスクでは、記録領域を
広く取るので、内外周の半径差が大きく再生クロック周
波数の可変範囲を2.4倍以上とる必要がある。なお、
時間的に効率よく無駄なく再生するには、全記録領域に
亘って連続再生できることが望ましい。
【0013】発振器の発振クロックを逓倍するなどなど
して周波数可変とする方法もあるが、得られる周波数が
連続でなく離散的になる。また、この場合、回路規模も
大きくなってしまう。
【0014】リングオシレータのように電圧制御により
周波数可変とする方法もあるが、可変範囲を広く取るこ
とは難しい。
【0015】また、MCAV方式のディスクでは、可変
周波数は離散的で良いのであるが、容量を効率よく増や
すためにはゾーン数を多く取る必要があり、ゾーン毎に
周波数が異なる再生クロックを必要とする。各ゾーンの
再生クロックは、互いに整数倍の周波数関係にはなら
ず、例えば1倍、1.2倍、1.4倍等のようになって
しまうので、クロック発生手段に大きな回路規模を必要
とする。
【0016】そこで、本発明は、上述の如き従来の問題
点に鑑み、発振周波数の可変範囲を広くとることができ
る発振回路を提供することにある。
【0017】また、本発明の他の目的は、CLV方式の
ディスクをCAV回転させて再生を行うためのクロック
再生回路を提供することにある。
【0018】また、MCAV方式のディスクの再生を行
うためのクロック再生回路を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明に係る発振回路
は、複数段の遅延素子が直列接続されてなる遅延回路
と、上記遅延回路の各段の遅延出力を選択して該遅延回
路の入力に帰還する選択回路とを備えることを特徴とす
る。
【0020】また、本発明に係る発振回路は、上記遅延
素子としてインバータを用い、上記選択回路により上記
遅延回路の奇数段目の遅延出力を該遅延回路の入力に選
択的に帰還することを特徴とする。
【0021】さらに、本発明に係る発振回路は、上記遅
延回路の各段のインバータに与える制御電圧によって発
振周波数が連続的に可変されることを特徴とする。
【0022】本発明に係るクロック再生回路は、複数段
の遅延素子としてインバータが直列接続されてなる遅延
回路の各奇数段目の遅延出力を選択回路により選択して
該遅延回路の入力に帰還するようにした発振回路と、上
記選択回路を制御する制御部と、上記発振回路の遅延回
路の各段の遅延量を変化させる制御電圧を各段のインバ
ータに与える位相ロックループとを有すること特徴とす
る。
【0023】本発明に係るクロック再生回路は、複数段
の遅延素子としてインバータが直列接続されてなる遅延
回路の各奇数段目の遅延出力を選択回路により選択して
該遅延回路の入力に帰還するようにした第1の発振回路
と、上記発振回路の遅延回路の各段の遅延量を変化させ
る制御電圧を各段のインバータに与える第1の位相ロッ
クループと、複数段の遅延素子としてインバータが直列
接続されてなる遅延回路の各奇数段目の遅延出力を選択
回路により選択して該遅延回路の入力に帰還するように
した第2の発振回路と、上記発振回路の遅延回路の各段
の遅延量を変化させる制御電圧を各段のインバータに与
える第2の位相ロックループと、上記第1及び第2の発
振回路における各選択回路で各遅延回路の遅延段数を交
互に切り換える制御を行う制御部とを有すること特徴と
する。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
【0025】本発明に係る発振回路10は、例えば図1
に示すように構成される。この発振回路10は、複数段
の遅延素子DLn が直列接続されてなる遅延回路1と、
上記遅延回路1の遅延出力dn を選択して該遅延回路1
の入力段に帰還する選択回路2とからなる。
【0026】具体的には、上記遅延回路1は、31個の
遅延素子DL1 〜DL31が直列接続されてなる。上記各
遅延素子DL1 〜DL31は、それぞれCMOS−ICの
インバータからなる。なお、上記各遅延素子DL1 〜D
31の1段当たりの遅延量dlyは、例えば制御電圧が
2Vのときに2nsecで、制御電圧が4Vのときに1
nsecとする。
【0027】また、上記選択回路2は、選択制御信号S
ELに応じて上記遅延回路1の奇数段目すなわち入力d
0 に対して正相の遅延出力d1 ,d3 ・・・d29,d31
を選択して該遅延回路1の入力段に帰還するようになっ
ている。
【0028】このような構成の発振回路10では、図2
に上記遅延回路1の遅延段数(横軸)と発振周波数(縦
軸)の関係を示してあるように、上記選択回路2により
上記遅延回路1の例えば15段目の遅延出力d15を選択
して該遅延回路1の入力段に帰還するようにすると、制
御電圧が2Vのとき上記遅延回路1の総遅延量Σdly
が30nsecであり、これが発振周波数の半周期(T
OSC /2)となるから、16.7MHzの周波数で発振
し、また、制御電圧が4Vのときに総遅延量Σdlyが
15nsecであり、33.3MHzの周波数で発振す
る。さらに、上記選択回路2で上記遅延回路1の例えば
31段目の遅延出力d31を選択することにより、上記発
振回路10は、制御電圧が2Vのとき上記遅延回路1の
総遅延量Σdlyが62nsecとなって8.06MH
zの周波数で発振し、また、上記選択回路2で上記遅延
回路1の例えば7段目の遅延出力d7 を選択することに
より、上記発振回路10は、制御電圧が4Vのときに総
遅延量Σdlyが7nsecとなって71.4MHzの
周波数で発振する。
【0029】ここで、図2において、□は制御電圧が2
Vの状態を示し、■は制御電圧が4Vの状態を示してい
る。この発振回路10では、各遅延段数において、制御
電圧が2V〜4V間での範囲で発振周波数を連続的に可
変することができる。従って、この発振回路10では、
上記遅延回路1の7段目の遅延出力d7 ,13段目の遅
延出力d13,21段目の遅延出力d21又は31段目の遅
延出力d31を選択できるようにしておくことによって、
8.06MHz〜71.4MHzの広い周波数範囲に亘
って、発振周波数を連続的に可変することができる。
【0030】また、上記発振回路10は、各遅延素子D
1 〜DL31に与える制御電圧によって発振周波数を可
変制御することができるので、電圧制御型発振器(VCO:
Voltage Controled Oscillator) として機能し、位相固
定ループ(PLL: Phase LockedLoop)を形成することによ
って、例えば図3に示すように、クロック再生回路20
として用いることができる。
【0031】図3に示したクロック再生回路20は、上
記発振回路10をVCOとして用いてPLLによるデジ
タルオーディオディスクのクロック再生回路を構成した
ものであって、デジタルオーディオディスクからの再生
RF信号が供給されるエッジ検出回路11と、このエッ
ジ検出回路11の検出出力が供給される同期信号検出部
12及び位相比較部13と、上記位相比較部13の比較
出力が供給されるループフィルタ(LPF: Loop Filter)1
4を備える。上記発振回路10は、その発振出力を上記
位相比較部13に供給する。そして、上記位相比較部1
3は、上記エッジ検出回路11の検出出力すなわち上記
再生RF信号のエッジ情報と上記発振回路10の発振出
力を位相比較して、その比較出力を上記LPF14を介
して上記位相比較部13に制御電圧として供給すること
により、上記発振回路10の発振位相を上記再生RF信
号のエッジに固定するPLLを形成している。
【0032】このような構成のクロック再生回路20で
は、上記発振回路10により再生RF信号のエッジに位
相の合ったクロックCKを生成することができる。
【0033】ここで、例えばCLVディスクをCAV再
生する場合には、クロック周波数が内外周で大きく異な
り、周波数可変範囲の大きなクロック再生回路を必要と
するが、上記図3に示したクロック再生回路20では、
上記発振回路10の遅延回路1の遅延出力を選択する選
択回路2を制御することにより、必要な周波数範囲のク
ロックCKを得ることができる。
【0034】このクロック再生回路20において、上記
選択回路2を制御するための選択制御信号SELは、上
記同期信号検出部12により得られる。
【0035】上記同期信号検出部12は、例えば図4に
示すように、上記発振回路10の発振出力をクロックC
Kとするラッチ回路21、第1及び第2のカウンタ2
3,28、レジスタ24と、上記ラッチ回路21のラッ
チ出力が供給される排他的論理和回路22と、上記第1
のカウンタ23のカウント出力が上記レジスタ24を介
して供給される第1及び第2の比較器25,26と、上
記第2のカウンタ27のカウント出力が供給されるゲー
ト回路28と、上記第2の比較器26の比較出力が供給
されるコントローラ29などからなる。
【0036】この同期信号検出部12において、上記ラ
ッチ回路21は、上記エッジ検出部11の出力を上記ク
ロックCKでラッチする。また、上記排他的論理和回路
22は、上記エッジ検出部11の検出出力と上記ラッチ
回路21のラッチ出力との排他的論理和をとることによ
り、再生RF信号のピットエッジ信号を得る。上記第1
のカウンタ23は、図5に示しように、上記排他的論理
和回路22の出力の立ち上がりエッチ毎にリセットされ
ながら、上記クロックCKをカウントすることにより、
ピットエッジ間隔=ピット長(マーク長及びスペース
長)に対応するカウント値のカウント出力を上記レジス
タ24と上記第1の比較器26に供給する。上記第1の
比較器25は、上記第1のカウンタ24のカウント出力
を上記レジスタ24の出力すなわち1クロック前のカウ
ンタ出力と大小比較して、上記第1のカウンタ24のカ
ウント出力が上記レジスタ24の出力よりも大きい時
に、その比較出力をイネーブル信号として上記レジスタ
24に供給する。これにより、上記レジスタ24は、上
記イネーブル信号で内容が更新されることにより、上記
第1のカウンタ23のカウント値の最大値が蓄えられ
る。また、上記レジスタ24は、上記第2のカウンタ2
7のカウント出力!LDが上記ゲート回路28を介して
リセット信号として供給されることにより所定時間NO
C毎にリセットされる。
【0037】ここで、上記所定時間NOCは、フレーム
長さFLよりも長い時間であって、線速最小値(内周相
当)をvminとし、クロック周期最小値(外周相当)
をtminとしてNOC>FL/(vmin*tmi
n)とされる。
【0038】また、上記第2の比較器26は、上記レジ
スタ24の出力を12クロク周期(12T)を示すデー
タと大小比較して、2ビットの比較出力を上記コントロ
ーラ29に供給する。上記コントローラ29は、上記第
2の比較器26の比較出力に基づいて、上記発振回路1
0の必要な周波数範囲を与える遅延回路1の遅延段数を
決定して、上記選択回路2を制御するための選択制御信
号SELを上記発振回路に供給する。また、このコント
ローラ29は、上記第2の比較器26の比較出力に基づ
いて、上記第2のカウンタ27にロードデータとして上
記所定時間NOCを与える。
【0039】すなわち、デジタルオーディオディスク例
えば所謂コンパクトディスクでは、EFM変調での出力
規則の12T+12T(Tはチャンネルクロック周期)
が同期パターンとなっており、これが一定間隔で現れ
る。そして、EFM変調では、変調パターンとして3T
〜11Tまでが存在し、12T+12Tは存在しない出
力規則のの長いパターンとなっている。従って、ある一
定間隔で検出される最長パターンが12T+12Tであ
れば、その検出に用いているクロックCKはほぼ必要と
する周波数となっていることを意味し、例えば10T+
10Tであればクロック発振周波数波低く、14T+1
4Tであればクロック発振周波数は高いことを意味す
る。
【0040】クロックCKが必要とされる発振周波数で
あれば、上記発振回路10に与える遅延段数設定情報す
なわち選択制御信号SELは現在の設定状態のままでよ
く、上記クロックCKが必要とされる発振周波数よりも
低くければ、上記発振回路10の発振周波数を上げるべ
く遅延段数を減らすように設定し、上記クロックCKが
必要とされる発振周波数よりも高ければ、上記発振回路
10の発振周波数を下げる遅延段数を増やすように設定
する。この設定情報は、検出パターンの周期と現在の設
定遅延段数とともに演算することができる。
【0041】上記同期パターンの現れる周期は、必要と
されるクロック周波数が未知であるためにクロックCK
をカウントすることによって正確には得られないが、十
分に長い時間カウントするればよい。
【0042】図6に示すように、毎フレームにはフレー
ムシンクとして上記12T+12Tの同期パターンが存
在するので、上記所定時間NOC中に必ず1海以上のフ
レームシンクが存在し、現在のクロックCKでフレーム
シンクのピット長カウント値が上記レジスタ24に保存
されることになる。
【0043】上記クロックCKが所望の周波数でロック
している場合は、フレームシンクのピット長は12T
(T:クロック周期)であるが、所望のクロックと周波
数が異なる場合は上記レジスタ24に保存された値も異
なる。例えば上記レジスタ24に保存された値が10<
12Tの場合、現在のクロック発振周波数は低いことを
意味する。この場合、上記コントローラ29は、上記第
2の比較器26の比較出力に基づいて、遅延段数設定情
報を減らして上記発振回路10の発振周波数を上げる選
択制御信号SELを上記発振回路10に供給する。
【0044】このクロック再生回路20では、以上の動
作の繰り返しにより、所望の発振周波数のクロックCK
を得ることができる。
【0045】なお、この例では、フレームシンクの最大
ピット長のカウント値を用いて遅延段数設定情報を得る
ようにしたが、実際のフレームシンクは12T+12T
の最大ピット長の繰り返しなので、これを利用してもよ
い。また、変調規則における最短ピット長は3Tなの
で、この制限を利用してもよい。また、CAV回転で
は、現在再生している領域の半径情報(アドレス)が得
られれば、線速もおおよそ判るので、線速最小値vmi
nを用いずとも実際の線速に余裕を持たせて利用するこ
とにより、上記所定時間NOCの無駄を減らすことがで
きる。さらに、上記コントローラ29は発振回路10に
現在設定している遅延段数設定情報は把握しているの
で、おおよその発振クロク周期は判る。従って、クロッ
ク周期最小値tminを用いずとも周期に余裕を持たせ
て利用することにより、上記所定時間NOCの無駄を減
らすことができる。すなわち、現在再生している領域の
半径情報(アドレス)が判っていれば、回転情報例えば
スピンドル用のクロックやFGなどから求めることもで
きる。現在再生している領域の半径情報(アドレス)が
判っていれば、必要とされるクロック周波数が判るの
で、直接発振回路10への遅延段数を設定してもよい。
【0046】次に、図7に示すクロック再生回路30
は、上述の図3に示したクロック再生回路20における
位相固定ループを2系統としたものである。このクロッ
ク再生回路30では、上記クロック再生回路20と共通
の構成要素に共通の指示符号が用いられ、2系統の位相
固定ループPLL1,PLL2の構成要素には指示符号
の末尾にA,Bを付加して示されている。
【0047】このクロック再生回路30では、図8に示
すように、2系統の位相固定ループPLL1,PLL2
内のVCO1,VCO2すなわち各発振回路10A,1
0Bの各遅延段数の切り換え時点の発振周波数をオーバ
ーラップさせることにより、遅延段数の切り換え時点で
の発振周波数の不連続をなくすことができる。
【0048】すなわち、例えばある遅延段数が設定され
た発振回路(VCO1)10Aを用いた第1の位相固定
ループPLL1の再生クロックCK1で再生動作を行っ
ていき、その遅延段数での発振周波数の限界に近づいた
ら、その領域に最適な遅延段数が選択された発振回路
(VCO2)10Bを用いた第2の位相固定ループPL
L2を動作させ、この第2の位相固定ループPLL2が
ロックしたら該第2の位相固定ループPLL2の再生ク
ロックCK2で再生動作を行うことができる。このよう
に、2系統の位相固定ループPLL1,PLL2を交互
に切り換えてクロック再生を行うことにより、遅延段数
の切り換え時点で発振周波数が不連続になることなく、
広い周波数範囲に亘ってクロック再生を行うことができ
る。
【0049】なお、上記図8には、縦軸にクロック周波
数、横軸にディスクの記録領域=半径を示し、内周から
外周に掛けて連続的に再生するときの2系統の位相固定
ループPLL1,PLL2内のVCO1,VCO2の動
作を示している。ここで、mはVCO1,VCO2すな
わち各発振回路10A,10Bに与える遅延段数情報で
ある。
【0050】次に、図9に示すクロック再生回路40
は、MCAV方式のディスクのクロック再生回路であっ
て、上述の図7に示したクロック再生回路20における
同期信号検出部12を無くして、制御部41から選択制
御信号SELすなわち遅延段数設定情報を発振回路10
に与えるようになっている。このクロック再生回路40
において、上記クロック再生回路20と共通の構成要素
については、共通の指示符号を図9中に付し、その詳細
な説明を省略する。
【0051】すなわち、MCAV方式のディスクでは各
ゾーンで必要なクロック発振周波数が判っているので、
このクロック再生回路40では、上記制御部○から目標
とするゾーンで必要とされるクロック周波数に対応する
遅延段数設定情報SELを発振回路10に与えることに
よって、図10に示すように、各ゾーンで必要なクロッ
ク再生を行うことができる。
【0052】また、MCAV方式のディスクのクロック
再生回路においても、図11に示すクロック再生回路5
0のように、2系統の位相固定ループPLL1,PLL
2を設けて、各位相固定ループPLL1,PLL2を交
互に切り換えてクロック再生を行うことにより、遅延段
数の切り換え時点で発振周波数が不連続になることなく
クロック再生を行うことができる。なお、図11には、
上記クロック再生回路30と共通の構成要素に共通の指
示符号を付し、2系統の位相固定ループPLL1,PL
L2の構成要素は指示符号の末尾にA,Bを付加して示
されている。
【0053】
【発明の効果】本発明に係る発振回路では、複数段の遅
延素子が直列接続されてなる遅延回路の各段の遅延出力
を選択回路により選択して該遅延回路の入力に帰還する
ので、上記選択回路により広い周波数範囲に亘って発振
周波数を可変設定することができる。また、本発明に係
る発振回路では、上記選択回路により上記遅延回路の奇
数段目の遅延出力を該遅延回路の入力に選択的に帰還す
るので、遅延素子としてインバータを用いて、上記選択
回路により広い周波数範囲に亘って発振周波数を可変設
定することができる。さらに、本発明に係る発振回路
は、上記遅延回路の各段のインバータに与える制御電圧
によって発振周波数を連続的に可変することができる。
【0054】本発明に係るクロック再生回路では、遅延
回路の遅延出力を選択する選択回路を制御部で制御する
ことにより、発振回路の発振周波数を広い周波数範囲に
亘って可変設定することができ、上記発振回路の遅延回
路の各段の遅延量を変化させる制御電圧を各段のインバ
ータに与える位相ロックループにより、広い周波数範囲
に亘ってクロック再生を行うことができる。
【0055】また、本発明に係るクロック再生回路で
は、2系統の位相ロックループにより、広い周波数範囲
に亘って連続的にクロック再生を行うことができる。
【0056】従って、本発明によれば、CLV方式のデ
ィスクをCAV回転させて再生を行ったり、MCAV方
式のディスクの再生を行うのに最適な広い周波数範囲に
亘って連続的にクロック再生を行うことができるクロッ
ク再生回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る発振回路の構成を示すブロック図
である。
【図2】上記発振回路における遅延回路の遅延段数と発
振周波数の関係を示す図である。
【図3】本発明に係るクロック再生回路の構成を示すブ
ロック図である。
【図4】上記クロック再生回路における同期信号検出部
の具体的な構成例を示すブロック図である。
【図5】上記同期信号検出部の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
【図6】上記同期信号検出部の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
【図7】本発明に係るクロック再生回路の他の構成例を
示すブロック図である。
【図8】上記図7に示したクロック再生回路おけるクロ
ック周波数とディスクの記録領域との関係を示す図であ
る。
【図9】本発明に係るクロック再生回路の他の構成例を
示すブロック図である。
【図10】上記図9に示したクロック再生回路おけるク
ロック周波数とディスクの記録領域との関係を示す図で
ある。
【図11】本発明に係るクロック再生回路の他の構成例
を示すブロック図である。
【図12】従来のリングオシレータの構成を示すブロッ
ク図である。
【図13】上記リングオシレータの動作を示すタイミン
グチャートである。
【符号の説明】
1 遅延回路 2 選択回路 DL1 〜DL31 遅延素子DL1 〜DL31 10,10A,10B 発振回路 11 エッジ検出回路 12 同期検出部 13,13A,13B 位相比較部 14,14A,14B ループフィルタ 41 制御部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数段の遅延素子が直列接続されてなる
    遅延回路と、 上記遅延回路の各段の遅延出力を選択して該遅延回路の
    入力に帰還する選択回路とを備えることを特徴とする発
    振回路。
  2. 【請求項2】 上記遅延素子としてインバータを用い、 上記選択回路は、上記遅延回路の奇数段目の遅延出力を
    該遅延回路の入力に選択的に帰還することを特徴とする
    請求項1記載の発振回路。
  3. 【請求項3】 上記遅延回路の各段のインバータに与え
    る制御電圧によって発振周波数が連続的に可変されるこ
    とを特徴とする請求項2記載の発振回路。
  4. 【請求項4】 複数段の遅延素子としてインバータが直
    列接続されてなる遅延回路の各奇数段目の遅延出力を選
    択回路により選択して該遅延回路の入力に帰還するよう
    にした発振回路と、 上記選択回路を制御する制御部と、 上記発振回路の遅延回路の各段の遅延量を変化させる制
    御電圧を各段のインバータに与える位相ロックループと
    を有すること特徴とするクロック再生回路。
  5. 【請求項5】 複数段の遅延素子としてインバータが直
    列接続されてなる遅延回路の各奇数段目の遅延出力を選
    択回路により選択して該遅延回路の入力に帰還するよう
    にした第1の発振回路と、 上記発振回路の遅延回路の各段の遅延量を変化させる制
    御電圧を各段のインバータに与える第1の位相ロックル
    ープと、 複数段の遅延素子としてインバータが直列接続されてな
    る遅延回路の各奇数段目の遅延出力を選択回路により選
    択して該遅延回路の入力に帰還するようにした第2の発
    振回路と、 上記発振回路の遅延回路の各段の遅延量を変化させる制
    御電圧を各段のインバータに与える第2の位相ロックル
    ープと、 上記第1及び第2の発振回路における各選択回路で各遅
    延回路の遅延段数を交互に切り換える制御を行う制御部
    とを有すること特徴とするクロック再生回路。
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