JPH09186206A - ウェハース構造 - Google Patents
ウェハース構造Info
- Publication number
- JPH09186206A JPH09186206A JP34239095A JP34239095A JPH09186206A JP H09186206 A JPH09186206 A JP H09186206A JP 34239095 A JP34239095 A JP 34239095A JP 34239095 A JP34239095 A JP 34239095A JP H09186206 A JPH09186206 A JP H09186206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- wafer
- characteristic inspection
- electrode portion
- distal end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 自動特性検査にかかる時間を変えずに、特性
検査用プローブ先端に付着する塵埃等により生じるプロ
ーブとＩＣ電極部の接触不良、及び、塵埃等のＩＣ電極
部への再付着を防止する。 【解決手段】 特性検査用プローブ６を用いた自動特性
検査を行うウェハース１上で、ショットのない部分に弱
い粘着性を有する粘着層４を形成することにより、プロ
ーブの先端を粘着層４に接触させ、プローブの先端に付
着する塵埃等を自動特性検査実施中に除去する。この結
果、プローブを用いた自動特性検査を行う際に、プロー
ブの先端に付着する塵埃等により生じるプローブとＩＣ
チップ２のＩＣ電極部５の接触不良、及び、プローブの
先端に付着する塵埃等のＩＣ電極部５への再付着を防止
する。
検査用プローブ先端に付着する塵埃等により生じるプロ
ーブとＩＣ電極部の接触不良、及び、塵埃等のＩＣ電極
部への再付着を防止する。 【解決手段】 特性検査用プローブ６を用いた自動特性
検査を行うウェハース１上で、ショットのない部分に弱
い粘着性を有する粘着層４を形成することにより、プロ
ーブの先端を粘着層４に接触させ、プローブの先端に付
着する塵埃等を自動特性検査実施中に除去する。この結
果、プローブを用いた自動特性検査を行う際に、プロー
ブの先端に付着する塵埃等により生じるプローブとＩＣ
チップ２のＩＣ電極部５の接触不良、及び、プローブの
先端に付着する塵埃等のＩＣ電極部５への再付着を防止
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造過程において，ペレッタイズを行う前工程である特性
検査用プローブを用いた自動特性検査を行おうとするウ
ェハースに関するものである。
造過程において，ペレッタイズを行う前工程である特性
検査用プローブを用いた自動特性検査を行おうとするウ
ェハースに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェハース構造の上面図を図３に
示す。ＩＣ製造過程におけるウェハース１１上には、Ｉ
Ｃチップ１２の集合単位であるショット１３が構成され
る。
示す。ＩＣ製造過程におけるウェハース１１上には、Ｉ
Ｃチップ１２の集合単位であるショット１３が構成され
る。
【０００３】特開平４−２５６３０７号公報に記載され
たウェハース構造の断面図を図４に示す。これは、ウェ
ハース２１の表面と側面を樹脂２２でコーティングした
ウェハース基板であり、ウェハース２１の裏面をウェハ
ース２１の位置決めや、ウェハース２１の有無確認に用
いている装置に適用できる。
たウェハース構造の断面図を図４に示す。これは、ウェ
ハース２１の表面と側面を樹脂２２でコーティングした
ウェハース基板であり、ウェハース２１の裏面をウェハ
ース２１の位置決めや、ウェハース２１の有無確認に用
いている装置に適用できる。
【０００４】半導体製造装置の搬送調整などに使用され
るウェハース２１の表面に、耐破損性の高く粘着性を持
った樹脂２２をコーティングする。このウェハース２１
を用いると、搬送不良によりウェハース２１の落下が生
じても破損に至らないか、又は、破損に至っても樹脂２
２の接着力により飛散することがないため、半導体製造
装置内のウェハース２１の破損による異物の飛散や蓄積
を極小にすることができる。
るウェハース２１の表面に、耐破損性の高く粘着性を持
った樹脂２２をコーティングする。このウェハース２１
を用いると、搬送不良によりウェハース２１の落下が生
じても破損に至らないか、又は、破損に至っても樹脂２
２の接着力により飛散することがないため、半導体製造
装置内のウェハース２１の破損による異物の飛散や蓄積
を極小にすることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】特開平４−２５６３０
７号公報記載の発明では、半導体製造装置の搬送調整等
に使用されるウェハースの表面に耐破損性の高く粘着性
を持った樹脂をコーティングする。このことにより、搬
送不良による破損を防止し、発塵埃異物の発生を抑制す
ることが目的である。従って、特開平４−２５６３０７
号公報記載の発明は、半導体製造装置の搬送機構におけ
るウェハース起因の不具合に対するものであり、発明の
実施は、搬送調整用のダミーウェハースに対して行われ
る。
７号公報記載の発明では、半導体製造装置の搬送調整等
に使用されるウェハースの表面に耐破損性の高く粘着性
を持った樹脂をコーティングする。このことにより、搬
送不良による破損を防止し、発塵埃異物の発生を抑制す
ることが目的である。従って、特開平４−２５６３０７
号公報記載の発明は、半導体製造装置の搬送機構におけ
るウェハース起因の不具合に対するものであり、発明の
実施は、搬送調整用のダミーウェハースに対して行われ
る。
【０００６】また、従来の特性検査用のプローブを用い
たＩＣの特性検査では、特性検査用プローブの先端部に
付着する塵埃等を清掃するため、特性検査作業者は、定
期的に手作業で特性検査用プローブの先端部の清掃を行
わなければならない。
たＩＣの特性検査では、特性検査用プローブの先端部に
付着する塵埃等を清掃するため、特性検査作業者は、定
期的に手作業で特性検査用プローブの先端部の清掃を行
わなければならない。
【０００７】これに対し、本発明は、自動特性検査にか
かる時間を変えずに、特性検査用プローブ先端に付着す
る塵埃等により生じる特性検査用プローブとＩＣ電極部
の接触不良や、塵埃等のＩＣ電極部への再付着を防止す
る。
かる時間を変えずに、特性検査用プローブ先端に付着す
る塵埃等により生じる特性検査用プローブとＩＣ電極部
の接触不良や、塵埃等のＩＣ電極部への再付着を防止す
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、下記の手段を採用する。
決するため、下記の手段を採用する。
【０００９】（１）特性検査用プローブを用いた自動特
性検査を行うウェハース上で、ＩＣの造り込みのない部
分に適度の弱い粘着性を有する粘着層を形成したウェハ
ース構造。
性検査を行うウェハース上で、ＩＣの造り込みのない部
分に適度の弱い粘着性を有する粘着層を形成したウェハ
ース構造。
【００１０】（２）前記粘着層をショットの周辺部に隣
接して形成した前記（１）記載のウェハース構造。
接して形成した前記（１）記載のウェハース構造。
【００１１】（３）前記粘着層の厚さをＩＣ電極部の厚
さ以上に、かつ、前記特性検査用プローブの移動時に持
ち上げられる高さ未満に構成した前記（１）記載のウェ
ハース構造。
さ以上に、かつ、前記特性検査用プローブの移動時に持
ち上げられる高さ未満に構成した前記（１）記載のウェ
ハース構造。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１、図２に発明のウェハース構
造の一実施形態を示す。本実施形態は、ウェハース１上
のショット３のない一部分に、弱い粘着力を持つ粘着層
４を形成した場合を示す。粘着層の厚さは、ＩＣ電極部
の厚さｈ′以上で、かつ、特性検査用プローブ６の移動
時に持ち上げられる高さｈ未満とし、適宜選択される。
造の一実施形態を示す。本実施形態は、ウェハース１上
のショット３のない一部分に、弱い粘着力を持つ粘着層
４を形成した場合を示す。粘着層の厚さは、ＩＣ電極部
の厚さｈ′以上で、かつ、特性検査用プローブ６の移動
時に持ち上げられる高さｈ未満とし、適宜選択される。
【００１３】ＩＣ製造過程におけるウェハース１上に
は、ＩＣチップ２の集合単位であるショット３が構成さ
れる。このウェハース１上に造られたＩＣチップ２に
は、動作不良品が混在している。この動作不良品を選別
するには、ＩＣ電極部５に特性検査用プローブ６の先端
をプロービングし、特性検査用プローブ６の他端に接続
されたテスターを用いて特性検査が行われる。特性検査
用プローブ６は、オートプローバに取り付けられてい
る。オートプローバは、特性検査用プローブ６のＩＣ電
極部５へのプロービングと特性検査用プローブ６の移動
を行う。特性検査作業開始時に、オートプローバは、ウ
ェハース１の大きさ、及び、位置を認識する。その後、
特性検査作業者は、オートプローバにウェハース１の位
置に対するＩＣ電極部５の相対的な位置を記憶させ、更
に、ＩＣチップ２の大きさを記憶させる。オートプロー
バは、これらの情報に従って特性検査用プローブ６のＩ
Ｃ電極部５へのプロービングを行い、順次隣のＩＣチッ
プ２へ移動して特性検査を行って行く。オートプローバ
に与えられる情報は、ウェハース１の大きさと位置、及
び、ＩＣチップ２の大きさとウェハース１との相対的な
位置のみであるため、プロービング検査は、ウェハース
１の全体に渡って行われる。つまり、オートプローバ
は、ウェハース１上でショット３のない部分についても
プロービングを行う。
は、ＩＣチップ２の集合単位であるショット３が構成さ
れる。このウェハース１上に造られたＩＣチップ２に
は、動作不良品が混在している。この動作不良品を選別
するには、ＩＣ電極部５に特性検査用プローブ６の先端
をプロービングし、特性検査用プローブ６の他端に接続
されたテスターを用いて特性検査が行われる。特性検査
用プローブ６は、オートプローバに取り付けられてい
る。オートプローバは、特性検査用プローブ６のＩＣ電
極部５へのプロービングと特性検査用プローブ６の移動
を行う。特性検査作業開始時に、オートプローバは、ウ
ェハース１の大きさ、及び、位置を認識する。その後、
特性検査作業者は、オートプローバにウェハース１の位
置に対するＩＣ電極部５の相対的な位置を記憶させ、更
に、ＩＣチップ２の大きさを記憶させる。オートプロー
バは、これらの情報に従って特性検査用プローブ６のＩ
Ｃ電極部５へのプロービングを行い、順次隣のＩＣチッ
プ２へ移動して特性検査を行って行く。オートプローバ
に与えられる情報は、ウェハース１の大きさと位置、及
び、ＩＣチップ２の大きさとウェハース１との相対的な
位置のみであるため、プロービング検査は、ウェハース
１の全体に渡って行われる。つまり、オートプローバ
は、ウェハース１上でショット３のない部分についても
プロービングを行う。
【００１４】従って、実施形態で示すように、特性検査
用プローブ６を用いた自動特性検査を行うウェハース１
上で、ショット３のない部分に弱い粘着性を有する粘着
層４を形成することにより、特性検査用プローブ６の先
端を粘着層４に接触させ、付着する塵埃等を自動特性検
査実施中に除去することができる。このことによって、
特性検査用プローブ６を用いた自動特性検査を行う際
に、先端に付着する塵埃等により生じる特性検査用プロ
ーブ６とＩＣ電極部５の接触不良、及び、特性検査用プ
ローブ６の先端に付着する塵埃等のＩＣ電極部５への再
付着を防止する効果が得られる。
用プローブ６を用いた自動特性検査を行うウェハース１
上で、ショット３のない部分に弱い粘着性を有する粘着
層４を形成することにより、特性検査用プローブ６の先
端を粘着層４に接触させ、付着する塵埃等を自動特性検
査実施中に除去することができる。このことによって、
特性検査用プローブ６を用いた自動特性検査を行う際
に、先端に付着する塵埃等により生じる特性検査用プロ
ーブ６とＩＣ電極部５の接触不良、及び、特性検査用プ
ローブ６の先端に付着する塵埃等のＩＣ電極部５への再
付着を防止する効果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、従来、特性検査作業者が手作業で行っていた
特性検査用プローブ先端部の清掃を、自動検査中に簡易
に頻繁に行うことができる。これによって、本発明は、
特性検査用プローブ先端部に付着する塵埃等に起因する
特性検査用プローブとＩＣ電極部の接触不良、及び、塵
埃等のＩＣ電極部への再付着を防止することができる。
また、本発明は、作業工数の短縮を見込むことができ
る。
によれば、従来、特性検査作業者が手作業で行っていた
特性検査用プローブ先端部の清掃を、自動検査中に簡易
に頻繁に行うことができる。これによって、本発明は、
特性検査用プローブ先端部に付着する塵埃等に起因する
特性検査用プローブとＩＣ電極部の接触不良、及び、塵
埃等のＩＣ電極部への再付着を防止することができる。
また、本発明は、作業工数の短縮を見込むことができ
る。
【図１】本発明の一実施形態のウェハース構造の上面図
である。
である。
【図２】本発明の一実施形態のウェハース構造の断面図
である。
である。
【図３】従来のウェハース構造の上面図である。
【図４】特開平４−２５６３０７号公報記載のウェハー
ス構造の断面図である。
ス構造の断面図である。
１，１１，２１ ウェハース ２，１２ ＩＣチップ ３，１３ ショット ４ 粘着層 ５ ＩＣ電極部 ６ 特性検査用プローブ ２２ 樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 特性検査用プローブを用いた自動特性検
査を行うウェハース上で、ＩＣの造り込みのない部分に
粘着性を有する粘着層を形成したことを特徴とするウェ
ハース構造。 - 【請求項２】 前記粘着層をショットの周辺部に隣接し
て形成したことを特徴とする請求項１記載のウェハース
構造。 - 【請求項３】 前記粘着層の厚さをＩＣ電極部の厚さ以
上に構成したことを特徴とする請求項１記載のウェハー
ス構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34239095A JPH09186206A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | ウェハース構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34239095A JPH09186206A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | ウェハース構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186206A true JPH09186206A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=18353363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34239095A Withdrawn JPH09186206A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | ウェハース構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09186206A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006235119A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Seiko Instruments Inc | 微小加工装置及び微小ワーク加工方法 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP34239095A patent/JPH09186206A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006235119A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Seiko Instruments Inc | 微小加工装置及び微小ワーク加工方法 |
| JP4692960B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-06-01 | セイコーインスツル株式会社 | 微小加工装置及び微小ワーク加工方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |