JPH09181374A - トランジスター及びその製造方法 - Google Patents
トランジスター及びその製造方法Info
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- JPH09181374A JPH09181374A JP7336475A JP33647595A JPH09181374A JP H09181374 A JPH09181374 A JP H09181374A JP 7336475 A JP7336475 A JP 7336475A JP 33647595 A JP33647595 A JP 33647595A JP H09181374 A JPH09181374 A JP H09181374A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 トランジスターの磁界感度を上げる。低電流
で動作させる。スヒ゜ントランジスターを作製する際必要で
ある、Si/金属人工格子/Siのショットキー接合を容易に
安定に形成する。 【解決手段】 ベースの人工格子膜４ａにスヒ゜ンハ゛ルフ゛型
人工格子膜を用いる。それによって磁界感度を上昇させ
る。または、ベースの人工格子膜に、強磁性トンネル接
合型磁気抵抗効果膜を用いる。そうすることにより低電
流動作が可能になる。Si基板上にエヒ゜タキシャルに金属人工格
子膜を作製し、更にそれにエヒ゜タキシャルにSi膜を形成する。
そうすることにより、容易に、安定した接合界面を作製
することができる。
で動作させる。スヒ゜ントランジスターを作製する際必要で
ある、Si/金属人工格子/Siのショットキー接合を容易に
安定に形成する。 【解決手段】 ベースの人工格子膜４ａにスヒ゜ンハ゛ルフ゛型
人工格子膜を用いる。それによって磁界感度を上昇させ
る。または、ベースの人工格子膜に、強磁性トンネル接
合型磁気抵抗効果膜を用いる。そうすることにより低電
流動作が可能になる。Si基板上にエヒ゜タキシャルに金属人工格
子膜を作製し、更にそれにエヒ゜タキシャルにSi膜を形成する。
そうすることにより、容易に、安定した接合界面を作製
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は人工格子磁気抵抗効
果膜をベースに用い、高周波で使用が可能なトランジス
タおよびその製造方法に関する。このトランジスター
は、外部からの磁界によりコレクター電流を制御可能な
磁界センサーとして動作する。
果膜をベースに用い、高周波で使用が可能なトランジス
タおよびその製造方法に関する。このトランジスター
は、外部からの磁界によりコレクター電流を制御可能な
磁界センサーとして動作する。
【０００２】
【従来の技術】BaibichらのFe/Cr人工格子の巨大磁気抵
抗効果の発見（フィジカル レヴューレター 61巻 第2
472項 (1988年)( Physical Review Letter Vol.61, p
2472, 1988))に続いて、磁気抵抗効果素子の研究開発が
盛んに行われている。磁気抵抗(Magnetoresistance,MR)
効果素子とは、外部の磁界によって電気抵抗が変化する
素子のことで、磁界読みとり用に磁気ヘッド、磁界セン
サーなどに応用可能である。巨大磁気抵抗効果を示す人
工格子膜としては、Fe/Cr,Co/Cu,NiFe/Cu,NiFeCo/Cu等
の反強磁性に磁性層が結合したタイプと、NiFe/Cu/Co/C
u,NiFe/Cu/NiFe/FeMn等の異なった保磁力を有する２種
以上の磁性層から構成されるスヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプの人工格
子がある。一般に反強磁性結合タイプは磁気抵抗変化率
（以下ＭＲ比と略す）が大きいが磁界感度が低く、反対
にスヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプはMR比は反強磁性結合タイプより小
さいが磁界感度が大きく、こちらの方が実用的である。
抗効果の発見（フィジカル レヴューレター 61巻 第2
472項 (1988年)( Physical Review Letter Vol.61, p
2472, 1988))に続いて、磁気抵抗効果素子の研究開発が
盛んに行われている。磁気抵抗(Magnetoresistance,MR)
効果素子とは、外部の磁界によって電気抵抗が変化する
素子のことで、磁界読みとり用に磁気ヘッド、磁界セン
サーなどに応用可能である。巨大磁気抵抗効果を示す人
工格子膜としては、Fe/Cr,Co/Cu,NiFe/Cu,NiFeCo/Cu等
の反強磁性に磁性層が結合したタイプと、NiFe/Cu/Co/C
u,NiFe/Cu/NiFe/FeMn等の異なった保磁力を有する２種
以上の磁性層から構成されるスヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプの人工格
子がある。一般に反強磁性結合タイプは磁気抵抗変化率
（以下ＭＲ比と略す）が大きいが磁界感度が低く、反対
にスヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプはMR比は反強磁性結合タイプより小
さいが磁界感度が大きく、こちらの方が実用的である。
【０００３】スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプのMR膜には、反強磁性体
を用いて、一方の磁化を固定して、それによって磁化の
反平行状態を作り出す（保磁力の差を発生させる）タイ
プの、NiFe/Cu/NiFe/FeMn（またはFeMnの代わりにNiOを
用いる）等の膜と、Co,CoPt,CoFe等の硬質磁性膜と、Ni
Fe,NiFeCo等の軟磁性膜をCu等の非磁性層を介して積層
したタイプのいわゆる２種類の磁性層を用いるタイプが
ある。
を用いて、一方の磁化を固定して、それによって磁化の
反平行状態を作り出す（保磁力の差を発生させる）タイ
プの、NiFe/Cu/NiFe/FeMn（またはFeMnの代わりにNiOを
用いる）等の膜と、Co,CoPt,CoFe等の硬質磁性膜と、Ni
Fe,NiFeCo等の軟磁性膜をCu等の非磁性層を介して積層
したタイプのいわゆる２種類の磁性層を用いるタイプが
ある。
【０００４】また一方、強磁性体/非磁性体/強磁性体の
構成のいわゆる強磁性トンネル接合を有する人工格子膜
において、膜面垂直方向に非磁性体を流れるトンネル電
流が、強磁性体の磁化方向により変化する現象が報告さ
れている（日本応用磁気学会誌 第１９巻 369項 (19
95年)）。手束らは、Fe/Al2O3/Feの構成のトンネル接合
膜において、室温で18%の抵抗変化を報告している。こ
の場合、前記の金属人工格子膜の磁気抵抗変化に比べ
て、比抵抗が高いために、抵抗変化も大きいことが特徴
である。
構成のいわゆる強磁性トンネル接合を有する人工格子膜
において、膜面垂直方向に非磁性体を流れるトンネル電
流が、強磁性体の磁化方向により変化する現象が報告さ
れている（日本応用磁気学会誌 第１９巻 369項 (19
95年)）。手束らは、Fe/Al2O3/Feの構成のトンネル接合
膜において、室温で18%の抵抗変化を報告している。こ
の場合、前記の金属人工格子膜の磁気抵抗変化に比べ
て、比抵抗が高いために、抵抗変化も大きいことが特徴
である。
【０００５】最近、人工格子の磁気抵抗変化を利用し
た、スヒ゜ントランジスターがMonsmaらによって提案された
(フィジカル レヴュー レター 74巻 第5260項 (199
5年)(Physical Review Letter Vol.74, p5260, 199
5))。Monsmaらが提案したスヒ゜ントランジスターの構造を
図４に示す。この製法は以下の通りである。まず最初
に、n型のSi(100)ウェハーを用意し、裏面にオーム接触
になるようにPtを蒸着する。コレクターとエミッターと
してウェハーを切り出し、表面をフッ酸等で洗浄し、コ
レクター上には[Cu(2nm)/Co(1.5nm)]x4膜をrfスパッタ
法で形成する。そうして洗浄したエミッターの表面と、
コレクターの表面の人工格子膜を接着させる。このよう
にして作製すると、金属人工格子膜（ベース）と、エミ
ッター及びコレクターの間で、ショットキー障壁が形成
され、トランジスターとして働くようになる。
た、スヒ゜ントランジスターがMonsmaらによって提案された
(フィジカル レヴュー レター 74巻 第5260項 (199
5年)(Physical Review Letter Vol.74, p5260, 199
5))。Monsmaらが提案したスヒ゜ントランジスターの構造を
図４に示す。この製法は以下の通りである。まず最初
に、n型のSi(100)ウェハーを用意し、裏面にオーム接触
になるようにPtを蒸着する。コレクターとエミッターと
してウェハーを切り出し、表面をフッ酸等で洗浄し、コ
レクター上には[Cu(2nm)/Co(1.5nm)]x4膜をrfスパッタ
法で形成する。そうして洗浄したエミッターの表面と、
コレクターの表面の人工格子膜を接着させる。このよう
にして作製すると、金属人工格子膜（ベース）と、エミ
ッター及びコレクターの間で、ショットキー障壁が形成
され、トランジスターとして働くようになる。
【０００６】このとき、金属人工格子膜を通過する電子
は、膜面に垂直方向に移動するために、磁性層のスヒ゜ンに
依存した散乱を受ける。Co/Cu人工格子の保磁力の磁界
でのコレクター電流をJ(AP)、外部磁界により飽和したとき
のコレクター電流をJ(P)とすると、コレクター電流の変
化は、 ＭＣ(%)＝(J(P)-J(AP))/J(AP)*100・・・（１） と表せる。これを前述のように作製したスヒ゜ントランジス
タについて77Kで測定した所、図５に示すように500 Oe
で200%以上の電流変化を示している。これはこの人工格
子膜の膜面内に測定した抵抗変化が約3%であるのに対し
て大幅な増加となっている。
は、膜面に垂直方向に移動するために、磁性層のスヒ゜ンに
依存した散乱を受ける。Co/Cu人工格子の保磁力の磁界
でのコレクター電流をJ(AP)、外部磁界により飽和したとき
のコレクター電流をJ(P)とすると、コレクター電流の変
化は、 ＭＣ(%)＝(J(P)-J(AP))/J(AP)*100・・・（１） と表せる。これを前述のように作製したスヒ゜ントランジス
タについて77Kで測定した所、図５に示すように500 Oe
で200%以上の電流変化を示している。これはこの人工格
子膜の膜面内に測定した抵抗変化が約3%であるのに対し
て大幅な増加となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにして作製
したスヒ゜ントランジスタは、優れた磁界感度を有するセン
サーとなっているが、金属人工格子層として、反強磁性
結合タイプのCo/Cu人工格子膜を用いているために磁界
感度が不十分である。
したスヒ゜ントランジスタは、優れた磁界感度を有するセン
サーとなっているが、金属人工格子層として、反強磁性
結合タイプのCo/Cu人工格子膜を用いているために磁界
感度が不十分である。
【０００８】また作成方法としては、金属とSiをショッ
トキー接合ができるように機械的に接合するという大変
困難な技術を用いている。そのために安定して特性を確
保するのが困難である。
トキー接合ができるように機械的に接合するという大変
困難な技術を用いている。そのために安定して特性を確
保するのが困難である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明のトランジスターは、第１の金属電極の上
に、第１のSi単結晶、スヒ゜ンハ゛ルフ゛型磁気抵抗効果膜、第
２のSi単結晶、第２の金属電極が順次積層された構成で
あり、第１と第２のSi単結晶とスヒ゜ンハ゛ルフ゛型磁気抵抗効
果膜の間で、ショットキー型障壁が形成されていること
を特徴とする。
めに、本発明のトランジスターは、第１の金属電極の上
に、第１のSi単結晶、スヒ゜ンハ゛ルフ゛型磁気抵抗効果膜、第
２のSi単結晶、第２の金属電極が順次積層された構成で
あり、第１と第２のSi単結晶とスヒ゜ンハ゛ルフ゛型磁気抵抗効
果膜の間で、ショットキー型障壁が形成されていること
を特徴とする。
【００１０】また、より望ましくは、前記スヒ゜ンハ゛ルフ゛型
磁気抵抗効果膜がNiFeCo層とCo層またはCoFe層またはCo
Pt層を非磁性層を介して交互に積層した構成である。
磁気抵抗効果膜がNiFeCo層とCo層またはCoFe層またはCo
Pt層を非磁性層を介して交互に積層した構成である。
【００１１】また、別の本発明のトランジスターは、第
１の金属電極の上に、第１のSi単結晶、強磁性トンネル
接合型磁気抵抗効果膜、第２のSi単結晶、第２の金属電
極が順次積層された構成であり、第１と第２のSi単結晶
とスヒ゜ンハ゛ルフ゛型人工格子膜の間で、ショットキー型障壁
が形成されていることを特徴とする。
１の金属電極の上に、第１のSi単結晶、強磁性トンネル
接合型磁気抵抗効果膜、第２のSi単結晶、第２の金属電
極が順次積層された構成であり、第１と第２のSi単結晶
とスヒ゜ンハ゛ルフ゛型人工格子膜の間で、ショットキー型障壁
が形成されていることを特徴とする。
【００１２】より望ましくは、前記強磁性トンネル接合
型磁気抵抗効果膜が、第１の強磁性体、絶縁体、第２の
強磁性体を順次積層した構成からなり、その第１および
第２の強磁性体が、Fe,Ni,Coまたはその合金からなり、
絶縁体がAl2O3またはSi02からなる。
型磁気抵抗効果膜が、第１の強磁性体、絶縁体、第２の
強磁性体を順次積層した構成からなり、その第１および
第２の強磁性体が、Fe,Ni,Coまたはその合金からなり、
絶縁体がAl2O3またはSi02からなる。
【００１３】また、本発明のトランジスターの製造方法
は、Si単結晶基板上に金属人工格子膜を直接またはバッ
ファー層を介してエピタキシャルに成長させる第１の行
程と、その金属人工格子膜上に直接またはバッファー層
を介してSiをエピタキシャル成長させる第２の行程から
なることを特徴とするものである。
は、Si単結晶基板上に金属人工格子膜を直接またはバッ
ファー層を介してエピタキシャルに成長させる第１の行
程と、その金属人工格子膜上に直接またはバッファー層
を介してSiをエピタキシャル成長させる第２の行程から
なることを特徴とするものである。
【００１４】より望ましくは、Si(100)基板上にCuバッ
ファー層を介してエヒ゜タキシャルに金属人工格子膜を作製する
かまたは、Si(111)基板上にAgバッファー層を介してエヒ゜
タキシャルに金属人工格子膜を作製する事である。
ファー層を介してエヒ゜タキシャルに金属人工格子膜を作製する
かまたは、Si(111)基板上にAgバッファー層を介してエヒ゜
タキシャルに金属人工格子膜を作製する事である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下本発明のスヒ゜ントランジスター
を具体的に説明する。
を具体的に説明する。
【００１６】図１に本発明のスヒ゜ントランジスターの一例
の断面を模式的に表現して示す。本発明のスヒ゜ントランジ
スターは、エミッターとコレクターにともにSi単結晶1,
5を用い、電極２とから構成されている。ベースの部分
である金属人工格子膜は、従来はCo/Cu人工格子膜を用
いているが、本発明では、スヒ゜ンハ゛ルフ゛型人工格子膜を用
いる。Co/Cu人工格子膜のような反強磁性結合タイプの
膜は、磁界感度が不十分であり、スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプの方
が優れる。スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプのMR膜については、反強磁
性体を用いるタイプでも、２種類の磁性層を用いるタイ
プでもどちらでも良いが、望ましくは、２種類の磁性層
を用いるタイプがよい。FeMn,NiO等の反強磁性体を用い
るタイプは、これらの電気抵抗が大きいために、膜面と
垂直方向に電流を流す場合、磁気抵抗比が大きく低下し
てしまう可能性があるからである。前述したように、２
種類の磁性層を用いるMR膜は、軟磁性層８と硬質磁性層
７を非磁性層６を介して積層したものである。硬質磁性
層７としては、Co,CoPt,CoFe等がある。CoPtの原子組成
比としては、Co1-xPtxとして、 0≦x≦0.4 の範囲がよい。これ以上Ptが増加するとMR比が低下す
る。また、Co1-xFex膜の原子組成比としては、x=0.5付
近が最も適しており、 0.1≦x≦0.9 の範囲が良く、望ましくは、 0.4≦x≦0.6 の範囲がよい。硬質磁性層の１層あたりの膜厚は少なく
とも1nm以上は必要であり、生産性の面から、20nm以下
とするのが望ましい。
の断面を模式的に表現して示す。本発明のスヒ゜ントランジ
スターは、エミッターとコレクターにともにSi単結晶1,
5を用い、電極２とから構成されている。ベースの部分
である金属人工格子膜は、従来はCo/Cu人工格子膜を用
いているが、本発明では、スヒ゜ンハ゛ルフ゛型人工格子膜を用
いる。Co/Cu人工格子膜のような反強磁性結合タイプの
膜は、磁界感度が不十分であり、スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプの方
が優れる。スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプのMR膜については、反強磁
性体を用いるタイプでも、２種類の磁性層を用いるタイ
プでもどちらでも良いが、望ましくは、２種類の磁性層
を用いるタイプがよい。FeMn,NiO等の反強磁性体を用い
るタイプは、これらの電気抵抗が大きいために、膜面と
垂直方向に電流を流す場合、磁気抵抗比が大きく低下し
てしまう可能性があるからである。前述したように、２
種類の磁性層を用いるMR膜は、軟磁性層８と硬質磁性層
７を非磁性層６を介して積層したものである。硬質磁性
層７としては、Co,CoPt,CoFe等がある。CoPtの原子組成
比としては、Co1-xPtxとして、 0≦x≦0.4 の範囲がよい。これ以上Ptが増加するとMR比が低下す
る。また、Co1-xFex膜の原子組成比としては、x=0.5付
近が最も適しており、 0.1≦x≦0.9 の範囲が良く、望ましくは、 0.4≦x≦0.6 の範囲がよい。硬質磁性層の１層あたりの膜厚は少なく
とも1nm以上は必要であり、生産性の面から、20nm以下
とするのが望ましい。
【００１７】軟磁性層８としては、NiFe膜、NiFeCo膜等
が望ましい。この時軟磁性膜の特性として優れたものと
して、原子組成比として、NixCoyFez 0.6≦x≦0.9,0≦y≦0.4,0≦z≦0.3 のNi-rich膜か、 0≦x≦0.4,0.2≦y≦0.95, 0≦z≦0.5 のCo-rich膜を用いるのが望ましい。これらの組成の膜
はセンサーやMRヘッド用として要求される低磁歪特性
（1x10-5の程度かそれ以下）を有する。軟磁性層の膜厚
としては、1nm以上20nm以下、望ましくは3nm以上、更に
望ましくは10nm以上がよい。膜厚が薄くなると軟磁気特
性が劣化するからである。
が望ましい。この時軟磁性膜の特性として優れたものと
して、原子組成比として、NixCoyFez 0.6≦x≦0.9,0≦y≦0.4,0≦z≦0.3 のNi-rich膜か、 0≦x≦0.4,0.2≦y≦0.95, 0≦z≦0.5 のCo-rich膜を用いるのが望ましい。これらの組成の膜
はセンサーやMRヘッド用として要求される低磁歪特性
（1x10-5の程度かそれ以下）を有する。軟磁性層の膜厚
としては、1nm以上20nm以下、望ましくは3nm以上、更に
望ましくは10nm以上がよい。膜厚が薄くなると軟磁気特
性が劣化するからである。
【００１８】非磁性層６としては、Cu,Ag,Auなどが良い
が中でもCuが優れている。Cu層の膜厚としては、磁性層
間の結合を弱くするために、少なくとも2nm以上望まし
くは5nm以上がよい。生産性の面から20nm以下望ましく
は10nm以下とするのが望ましい。
が中でもCuが優れている。Cu層の膜厚としては、磁性層
間の結合を弱くするために、少なくとも2nm以上望まし
くは5nm以上がよい。生産性の面から20nm以下望ましく
は10nm以下とするのが望ましい。
【００１９】スヒ゜ンハ゛ルフ゛膜の構成としては、[硬質磁性層
７/非磁性層６/軟磁性層８/非磁性層６]を単位として、
１回以上繰り返して積層したものでも良いし、例えば、
図１に示すように、硬質磁性層７/非磁性層６/軟磁性層
８/非磁性層６/硬質磁性層７等の構成や、[硬質磁性層/
非磁性層/硬質磁性層/非磁性層/軟磁性層/非磁性層]を
単位として繰り返し積層したものでも良い。
７/非磁性層６/軟磁性層８/非磁性層６]を単位として、
１回以上繰り返して積層したものでも良いし、例えば、
図１に示すように、硬質磁性層７/非磁性層６/軟磁性層
８/非磁性層６/硬質磁性層７等の構成や、[硬質磁性層/
非磁性層/硬質磁性層/非磁性層/軟磁性層/非磁性層]を
単位として繰り返し積層したものでも良い。
【００２０】またスヒ゜ンハ゛ルフ゛膜の結晶性としては、多結
晶膜でも良いが、望ましくは、Si基板上にエヒ゜タキシャル成長
させた膜を用いるのがより望ましい。この場合、人工格
子膜を作製する前に、バッファー層をあらかじめ作製す
るのがよい。バッファー層としては、Si(100)基板を用
いた場合には、Cu,Ag等が良く、特にCuバッファー層が
優れている。Cu層の膜厚としては、最低でも5nm以上は
必要であり、望ましくは10nm以上、上限は生産性の面か
ら200nm以下望ましくは100nm以下がよい。またSi(111)
基板を用いた場合はAgバッファー層が良く、この場合Ag
の膜厚としては、最低でも5nm以上は必要であり、望ま
しくは7nm以上、上限は生産性の面から200nm以下望まし
くは100nm以下がよい。Ag膜を作成後、100℃前後で30分
程度アニールするとより平滑な表面が得られて、その上
に作製したMR素子の特性が向上するので、良い。
晶膜でも良いが、望ましくは、Si基板上にエヒ゜タキシャル成長
させた膜を用いるのがより望ましい。この場合、人工格
子膜を作製する前に、バッファー層をあらかじめ作製す
るのがよい。バッファー層としては、Si(100)基板を用
いた場合には、Cu,Ag等が良く、特にCuバッファー層が
優れている。Cu層の膜厚としては、最低でも5nm以上は
必要であり、望ましくは10nm以上、上限は生産性の面か
ら200nm以下望ましくは100nm以下がよい。またSi(111)
基板を用いた場合はAgバッファー層が良く、この場合Ag
の膜厚としては、最低でも5nm以上は必要であり、望ま
しくは7nm以上、上限は生産性の面から200nm以下望まし
くは100nm以下がよい。Ag膜を作成後、100℃前後で30分
程度アニールするとより平滑な表面が得られて、その上
に作製したMR素子の特性が向上するので、良い。
【００２１】エヒ゜タキシャルスヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプMR膜の場合、強
磁性層として、Co膜またはCoFe膜を用い、軟磁性層とし
てNi-20wt%Fe膜を用いたものが特に優れている。
磁性層として、Co膜またはCoFe膜を用い、軟磁性層とし
てNi-20wt%Fe膜を用いたものが特に優れている。
【００２２】これらのスヒ゜ンハ゛ルフ゛膜は、図１に示すよう
に、Si単結晶１、５と直接接していても良いが、バッフ
ァー層を介して接していても良い。バッファー層として
は、CuやAgがよい。ただし、Si単結晶1,5と接している
金属の間で、ショットキー障壁が形成されている必要が
ある。
に、Si単結晶１、５と直接接していても良いが、バッフ
ァー層を介して接していても良い。バッファー層として
は、CuやAgがよい。ただし、Si単結晶1,5と接している
金属の間で、ショットキー障壁が形成されている必要が
ある。
【００２３】電極２としては、金属で低抵抗のものがよ
く、Al,Cu,Ag,Au,Pt等がある。この中でもAlまたはPtと
くに、Alが適している。電極２と、Si単結晶１、５との
間で、オーム型の接合が形成されていることが必要であ
る。
く、Al,Cu,Ag,Au,Pt等がある。この中でもAlまたはPtと
くに、Alが適している。電極２と、Si単結晶１、５との
間で、オーム型の接合が形成されていることが必要であ
る。
【００２４】図１に示す、スヒ゜ントランジスターの製造方
法としては、従来のスヒ゜ントランジスターの製造法でも良
いが、本発明の製造方法を用いればよりすぐれた素子を
作製することができる。
法としては、従来のスヒ゜ントランジスターの製造法でも良
いが、本発明の製造方法を用いればよりすぐれた素子を
作製することができる。
【００２５】次に、図２の場合について説明する。図２
は本発明の別のトランジスターの一例の断面を模式的に
表現して示す。本発明のトランジスターは、エミッター
とコレクターにともにSi単結晶1,5を用い、電極２とか
ら構成されているところは図１に示される従来例と同じ
構成である。違うのは、ベースの部分である金属人工格
子膜の部分である。従来は、Co/Cu人工格子膜を用いて
いるが、本発明では、強磁性トンネル接合型MR膜を用い
る。
は本発明の別のトランジスターの一例の断面を模式的に
表現して示す。本発明のトランジスターは、エミッター
とコレクターにともにSi単結晶1,5を用い、電極２とか
ら構成されているところは図１に示される従来例と同じ
構成である。違うのは、ベースの部分である金属人工格
子膜の部分である。従来は、Co/Cu人工格子膜を用いて
いるが、本発明では、強磁性トンネル接合型MR膜を用い
る。
【００２６】強磁性トンネル接合型MR膜の構成は、第１
の磁性層９/絶縁層１０/第２の磁性層１１である。第
１、第２の磁性層としては、Fe,Co,Niとその合金がよ
い。いずれか一方を軟磁性にして、片方を硬質磁性層と
するため、２つの磁性層の材質、膜厚等を変化させるの
がよい。軟磁性層としては、前述のNiFeCo膜の組成が、
良い。磁性層の膜厚としては、1nm以上200nm以下望まし
くは100nm程度がよい。絶縁層としては、Al2O3,SiO2,G
e,NiO,Gd等があるが、望ましくは、Al2O3かまたは、SiO
2、より望ましくは、Al2O3がよい。絶縁層の膜厚として
は、5〜25nm程度がよい。
の磁性層９/絶縁層１０/第２の磁性層１１である。第
１、第２の磁性層としては、Fe,Co,Niとその合金がよ
い。いずれか一方を軟磁性にして、片方を硬質磁性層と
するため、２つの磁性層の材質、膜厚等を変化させるの
がよい。軟磁性層としては、前述のNiFeCo膜の組成が、
良い。磁性層の膜厚としては、1nm以上200nm以下望まし
くは100nm程度がよい。絶縁層としては、Al2O3,SiO2,G
e,NiO,Gd等があるが、望ましくは、Al2O3かまたは、SiO
2、より望ましくは、Al2O3がよい。絶縁層の膜厚として
は、5〜25nm程度がよい。
【００２７】これらのスヒ゜ンハ゛ルフ゛膜は、図２に示すよう
に、Si単結晶１、５と直接接していても良いが、バッフ
ァー層を介して接していても良い。バッファー層として
は、CuやAgがよい。ただし、Si単結晶1,5と接している
金属の間で、ショットキー障壁が形成されている必要が
ある。
に、Si単結晶１、５と直接接していても良いが、バッフ
ァー層を介して接していても良い。バッファー層として
は、CuやAgがよい。ただし、Si単結晶1,5と接している
金属の間で、ショットキー障壁が形成されている必要が
ある。
【００２８】電極２としては、金属で低抵抗のものがよ
く、Al,Cu,Ag,Au,Pt等がある。この中でもAlまたはPtと
くに、Alが適している。電極２と、Si単結晶１、５との
間で、オーム型の接合が形成されていることが必要であ
る。
く、Al,Cu,Ag,Au,Pt等がある。この中でもAlまたはPtと
くに、Alが適している。電極２と、Si単結晶１、５との
間で、オーム型の接合が形成されていることが必要であ
る。
【００２９】図２に示す、トランジスターの製造方法と
しては、従来のトランジスターの製造法でも良いが、本
発明の製造方法を用いればよりすぐれた素子を作製する
ことができる。
しては、従来のトランジスターの製造法でも良いが、本
発明の製造方法を用いればよりすぐれた素子を作製する
ことができる。
【００３０】図３に本発明のトランジスターの製造方法
で作製された、素子の概略を示す。３の基本的な構成
は、図１と同じであるが、その作成方法が異なるので、
その作成方法を順に示していく。
で作製された、素子の概略を示す。３の基本的な構成
は、図１と同じであるが、その作成方法が異なるので、
その作成方法を順に示していく。
【００３１】まず最初に基板としてn型のSi(100)基板1
を用いる。この基板を熱酸化で表面にSiO2層を形成した
後、HF等でエッチングして清浄なSi表面を得る。裏面に
電極２を蒸着して形成する。この電極には、Al,Pt,Au,A
g,Cuなどがよい（特にAlがよい）が、重要なのは、電極
２とSi単結晶１、５をオーム型接合とすることである。
ここまでが下準備である。
を用いる。この基板を熱酸化で表面にSiO2層を形成した
後、HF等でエッチングして清浄なSi表面を得る。裏面に
電極２を蒸着して形成する。この電極には、Al,Pt,Au,A
g,Cuなどがよい（特にAlがよい）が、重要なのは、電極
２とSi単結晶１、５をオーム型接合とすることである。
ここまでが下準備である。
【００３２】次に、本発明の第１の行程として、金属人
工格子層４をSi基板１の表面にエヒ゜タキシャル成長させる。そ
のために、まずCu層をバッファー層３として形成する。
このバッファー層としては、Si基板上にエヒ゜タキシャル成長す
るものであれば何でも良いが、CuまたはAgが、より望ま
しくはCuがよい。バッファ層は、膜厚が最低5nm以上は
必要であり、生産性の点からは、200nm以下とするのが
望ましい。次に、金属人工格子層４をCu下地層上に形成
するが、金属人工格子層４としては、反強磁性結合タイ
プであっても、スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプであってもCu等のバッ
ファー層３上にエヒ゜タキシャル成長するものであればよい。具
体的には反強磁性結合タイプとしては、Co/Cu,CoFe/Cu,
NiFe/Cu,NiFeCo/Cuなど、スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプとしては、Co
/Cu/NiFe/Cu,Co/Cu/NiFeCo/Cu,CoFe/Cu/NiFeCo/Cuなど
がある。低磁界動作をさせるためには、スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイ
プが優れている。中でもCo/Cu/NiFe/Cu膜はエヒ゜タキシャル成
長させた場合、NiFe層の保磁力が小さく低磁界動作に優
れる。この場合磁性層間のCu層の膜厚としては、磁性層
間の相互作用を小さくするため少なくとも2nm以上望ま
しくは5nm以上20nm以下とするのがよい。またCo層は硬
質磁性層として用い、膜厚としては、少なくとも1nm以
上、磁性層間の相互作用を小さくするため厚くとも10nm
以下、望ましくは、３nm以下とするのがよい。一方、Ni
Fe膜は軟磁性層として用い、組成としてはNi-20at%Fe前
後がよい。軟磁気特性を良くするために、膜厚は少なく
とも1nm以上、望ましくは3nm以上がよい。生産性から20
nm以下がよい。また膜の積層回数としては、[Co/Cu/NiF
e/Cu]の繰り返しを１回として、１回以上の繰り返しが
あればよい。繰り返し回数が多くなるに従い、MR比自体
は大きくなる。また必ずしもこの単位を保持しなくて
も、Co/Cu/NiFe/Cu/Co等の構成でも良い。繰り返し回数
の上限としては生産性から２００回以下とするべきであ
る。下地層や人工格子層を形成する方法としては、スパ
ッタリング法や、蒸着法があるが、エヒ゜タキシャル成長をさせ
るためには、超高真空蒸着法が優れている。
工格子層４をSi基板１の表面にエヒ゜タキシャル成長させる。そ
のために、まずCu層をバッファー層３として形成する。
このバッファー層としては、Si基板上にエヒ゜タキシャル成長す
るものであれば何でも良いが、CuまたはAgが、より望ま
しくはCuがよい。バッファ層は、膜厚が最低5nm以上は
必要であり、生産性の点からは、200nm以下とするのが
望ましい。次に、金属人工格子層４をCu下地層上に形成
するが、金属人工格子層４としては、反強磁性結合タイ
プであっても、スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプであってもCu等のバッ
ファー層３上にエヒ゜タキシャル成長するものであればよい。具
体的には反強磁性結合タイプとしては、Co/Cu,CoFe/Cu,
NiFe/Cu,NiFeCo/Cuなど、スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイプとしては、Co
/Cu/NiFe/Cu,Co/Cu/NiFeCo/Cu,CoFe/Cu/NiFeCo/Cuなど
がある。低磁界動作をさせるためには、スヒ゜ンハ゛ルフ゛タイ
プが優れている。中でもCo/Cu/NiFe/Cu膜はエヒ゜タキシャル成
長させた場合、NiFe層の保磁力が小さく低磁界動作に優
れる。この場合磁性層間のCu層の膜厚としては、磁性層
間の相互作用を小さくするため少なくとも2nm以上望ま
しくは5nm以上20nm以下とするのがよい。またCo層は硬
質磁性層として用い、膜厚としては、少なくとも1nm以
上、磁性層間の相互作用を小さくするため厚くとも10nm
以下、望ましくは、３nm以下とするのがよい。一方、Ni
Fe膜は軟磁性層として用い、組成としてはNi-20at%Fe前
後がよい。軟磁気特性を良くするために、膜厚は少なく
とも1nm以上、望ましくは3nm以上がよい。生産性から20
nm以下がよい。また膜の積層回数としては、[Co/Cu/NiF
e/Cu]の繰り返しを１回として、１回以上の繰り返しが
あればよい。繰り返し回数が多くなるに従い、MR比自体
は大きくなる。また必ずしもこの単位を保持しなくて
も、Co/Cu/NiFe/Cu/Co等の構成でも良い。繰り返し回数
の上限としては生産性から２００回以下とするべきであ
る。下地層や人工格子層を形成する方法としては、スパ
ッタリング法や、蒸着法があるが、エヒ゜タキシャル成長をさせ
るためには、超高真空蒸着法が優れている。
【００３３】このようにして、人工格子層をエヒ゜タキシャルに
Si基板上に作製した後、第２の行程として、人工格子層
４の上にSi層５をエヒ゜タキシャルに形成した。この時必要に応
じて、Si層を形成する前にCu,Ag等のバッファ層を蒸着
する。Si層５の形成方法としては、超高真空蒸着法が優
れているが、生産性の問題から、最初人工格子層にエヒ゜タ
キシャルにSi層を超高真空蒸着法で形成した後、CVD法でSi
層を厚く形成する等の方法もある。またこのSi層をn型
にするため、蒸着中、または形成後に、P等をドープす
る必要がある。またSi層を形成する際、図１に示すよう
に電極を取り出すために、マスクする必要がある。更に
この後、電極を再び表面に形成して、この電極とSiの間
はオーム性接触となるようにする。
Si基板上に作製した後、第２の行程として、人工格子層
４の上にSi層５をエヒ゜タキシャルに形成した。この時必要に応
じて、Si層を形成する前にCu,Ag等のバッファ層を蒸着
する。Si層５の形成方法としては、超高真空蒸着法が優
れているが、生産性の問題から、最初人工格子層にエヒ゜タ
キシャルにSi層を超高真空蒸着法で形成した後、CVD法でSi
層を厚く形成する等の方法もある。またこのSi層をn型
にするため、蒸着中、または形成後に、P等をドープす
る必要がある。またSi層を形成する際、図１に示すよう
に電極を取り出すために、マスクする必要がある。更に
この後、電極を再び表面に形成して、この電極とSiの間
はオーム性接触となるようにする。
【００３４】以上は(100)基板を用いこの方位にエヒ゜タキシャ
ル成長させる場合について説明したが、(111)方位の基板
を用いた場合も同様に作製できる。この時は、バッファ
ー層３として、Agを用いるのが望ましい。
ル成長させる場合について説明したが、(111)方位の基板
を用いた場合も同様に作製できる。この時は、バッファ
ー層３として、Agを用いるのが望ましい。
【００３５】（実施例１）図１に示すようなスヒ゜ンハ゛ルフ゛
トランジスタを作成する方法をより具体的に説明する。
トランジスタを作成する方法をより具体的に説明する。
【００３６】まず、膜厚400μm、比抵抗約1000Ωcmのn
型のSi(100)ウエハーを15x15mmにカットし、表面に熱酸
化でSiO2層を形成してこれをHF系の溶液でクリーニング
することにより、Siの清浄な表面を形成した。そのあ
と、裏面に、電極２として、Al層を蒸着して、Siと電極
のAl層間にオーム接合を形成した。この後、超高真空蒸
着装置に基板を入れてマスクで制限された10mmx10mmの
範囲の基板の表面に約10nmのCuバッファー層３、Co(3n
m)/Cu(5nm)/Ni0.8Fe0.2(10nm)/Cu(5nm)/Co(3nm)/Cu(5n
m)の順の人工格子膜４を形成した。更に、この後、マス
クにより、蒸着範囲を人工格子膜上5x5mmとなるように
制限して、Siをエヒ゜タキシャル成長させた。このときSiがn型
となるようにPをドープした。このようにして、人工格
子膜の両端に、基板のSiと蒸着したSiがショットキー接
合となるように膜を形成した。
型のSi(100)ウエハーを15x15mmにカットし、表面に熱酸
化でSiO2層を形成してこれをHF系の溶液でクリーニング
することにより、Siの清浄な表面を形成した。そのあ
と、裏面に、電極２として、Al層を蒸着して、Siと電極
のAl層間にオーム接合を形成した。この後、超高真空蒸
着装置に基板を入れてマスクで制限された10mmx10mmの
範囲の基板の表面に約10nmのCuバッファー層３、Co(3n
m)/Cu(5nm)/Ni0.8Fe0.2(10nm)/Cu(5nm)/Co(3nm)/Cu(5n
m)の順の人工格子膜４を形成した。更に、この後、マス
クにより、蒸着範囲を人工格子膜上5x5mmとなるように
制限して、Siをエヒ゜タキシャル成長させた。このときSiがn型
となるようにPをドープした。このようにして、人工格
子膜の両端に、基板のSiと蒸着したSiがショットキー接
合となるように膜を形成した。
【００３７】このようにして作製したスヒ゜ントランジスタ
を、室温で、500 Oeの磁界を印可して評価した。このと
き、エミッタ電流は100mA,ベースーコレクタ間の電圧を0Vとし
た。図６はこの時のコレクタ電流の変化MCを低磁界の所を拡
大してかかせてある。測定の結果、約10 Oeの磁界で80%
のコレクタ電流の変化を示した。
を、室温で、500 Oeの磁界を印可して評価した。このと
き、エミッタ電流は100mA,ベースーコレクタ間の電圧を0Vとし
た。図６はこの時のコレクタ電流の変化MCを低磁界の所を拡
大してかかせてある。測定の結果、約10 Oeの磁界で80%
のコレクタ電流の変化を示した。
【００３８】（実施例２）n型の膜厚400μm、比抵抗約1
000ΩcmのSi(100)ウェハーを用意し、裏面にオーム接触
になるようにAlを蒸着する。コレクターとエミッターと
してウェハーを切り出し、表面をフッ酸等で洗浄し、コ
レクター上には[Cu(2.2nm)/Co0.5Fe0.5(2nm)/Cu(2.2nm)
/Ni0.8Fe0.1Co0.1(5nm)]x2人工格子膜をrfスパッタ法で
形成する。そうして洗浄したエミッターの表面と、コレ
クターの表面の人工格子膜を接着させる。このようにし
て作製すると、金属人工格子膜（ベース）と、エミッタ
ー及びコレクターの間で、ショットキー障壁が形成さ
れ、トランジスターとして働くようになる。
000ΩcmのSi(100)ウェハーを用意し、裏面にオーム接触
になるようにAlを蒸着する。コレクターとエミッターと
してウェハーを切り出し、表面をフッ酸等で洗浄し、コ
レクター上には[Cu(2.2nm)/Co0.5Fe0.5(2nm)/Cu(2.2nm)
/Ni0.8Fe0.1Co0.1(5nm)]x2人工格子膜をrfスパッタ法で
形成する。そうして洗浄したエミッターの表面と、コレ
クターの表面の人工格子膜を接着させる。このようにし
て作製すると、金属人工格子膜（ベース）と、エミッタ
ー及びコレクターの間で、ショットキー障壁が形成さ
れ、トランジスターとして働くようになる。
【００３９】以上のようにして作製したトランジスター
の特性を77Kで評価すると、約２0 Oeで200%のコレクタ
ー電流の変化があった。全く同様にして、比較例とし
て、人工格子膜を[Cu(2nm)/Co(2nm)]x4膜を形成してト
ランジスターを形成して評価すると、200%の電流変化を
起こすのに約300 Oeの磁界が必要であった。
の特性を77Kで評価すると、約２0 Oeで200%のコレクタ
ー電流の変化があった。全く同様にして、比較例とし
て、人工格子膜を[Cu(2nm)/Co(2nm)]x4膜を形成してト
ランジスターを形成して評価すると、200%の電流変化を
起こすのに約300 Oeの磁界が必要であった。
【００４０】（実施例３）実施例２と全く同様の方法
で、ただし、人工格子膜として、図２に示すように、Fe
(100nm)/Al2O3(20nm)/Ni0.8Fe0.2(150nm)とした。Al2O3
膜の作成方法としては、まずAlをrfスパッタ法で成膜し
た後、大気中に24時間放置して酸化させた。この膜を実
施例２と同様の方法で評価した。ただし、この時、エミッタ
電流は10mAにベース、コレクタ間の電圧は5Vとした。この結
果、約30 Oeの磁界で200%の電流が変化した。
で、ただし、人工格子膜として、図２に示すように、Fe
(100nm)/Al2O3(20nm)/Ni0.8Fe0.2(150nm)とした。Al2O3
膜の作成方法としては、まずAlをrfスパッタ法で成膜し
た後、大気中に24時間放置して酸化させた。この膜を実
施例２と同様の方法で評価した。ただし、この時、エミッタ
電流は10mAにベース、コレクタ間の電圧は5Vとした。この結
果、約30 Oeの磁界で200%の電流が変化した。
【００４１】（実施例４）実施例２と同じ方法で、ただ
し、人工格子膜を作製する前に、Si(100)基板上にCu膜
を10nmの厚みにエヒ゜タキシャル成長させ、更に人工格子膜とし
て、[Ni0.8Fe0.2(3nm)/Cu(5nm)/Co(3nm)/Cu(5nm)]x4膜
を作製した。この膜を77Kで、実施例２と同じ方法で評
価すると、コレクター電流が、20 Oeで220%の変化が起
こった。
し、人工格子膜を作製する前に、Si(100)基板上にCu膜
を10nmの厚みにエヒ゜タキシャル成長させ、更に人工格子膜とし
て、[Ni0.8Fe0.2(3nm)/Cu(5nm)/Co(3nm)/Cu(5nm)]x4膜
を作製した。この膜を77Kで、実施例２と同じ方法で評
価すると、コレクター電流が、20 Oeで220%の変化が起
こった。
【００４２】（実施例５）実施例1と同じ方法で、ただ
し、人工格子膜を作製する前に、Si(111)基板上にAg膜
を10nmの厚みにエヒ゜タキシャル成長させ、373Kで30分アニール
した後、続いてCu膜を更に10nm形成した。更に人工格子
膜として、[Ni0.8Fe0.2(3nm)/Cu(5nm)/Co(3nm)/Cu(5n
m)]x4膜を作製した。この膜を室温で、実施例1と同じ方
法で評価すると、コレクター電流が、30 Oeで100%の変
化が起こった。
し、人工格子膜を作製する前に、Si(111)基板上にAg膜
を10nmの厚みにエヒ゜タキシャル成長させ、373Kで30分アニール
した後、続いてCu膜を更に10nm形成した。更に人工格子
膜として、[Ni0.8Fe0.2(3nm)/Cu(5nm)/Co(3nm)/Cu(5n
m)]x4膜を作製した。この膜を室温で、実施例1と同じ方
法で評価すると、コレクター電流が、30 Oeで100%の変
化が起こった。
【００４３】（実施例６）実施例２と同じ方法で、ただ
し、人工格子膜として、[Ni0.2Fe0.2Co0.6(3nm)/Cu(5nm)
/Co0.8Pt0.2(3nm)/Cu(5nm)]x4膜を作製した。この膜を7
7Kで、実施例1と同じ方法で評価すると、コレクター電
流が、20 Oeで100%の変化が起こった。
し、人工格子膜として、[Ni0.2Fe0.2Co0.6(3nm)/Cu(5nm)
/Co0.8Pt0.2(3nm)/Cu(5nm)]x4膜を作製した。この膜を7
7Kで、実施例1と同じ方法で評価すると、コレクター電
流が、20 Oeで100%の変化が起こった。
【００４４】
【発明の効果】本発明のトランジスターは、低磁界で大
幅なコレクター電流の変化する磁界センサーである。ま
た別の本発明のトランジスターは、高抵抗のために低電
流動作が可能である。また本発明のトランジスターの作
成方法により、室温でかつ低磁場で動作する磁界センサ
ーが容易に作成できる。
幅なコレクター電流の変化する磁界センサーである。ま
た別の本発明のトランジスターは、高抵抗のために低電
流動作が可能である。また本発明のトランジスターの作
成方法により、室温でかつ低磁場で動作する磁界センサ
ーが容易に作成できる。
【図１】本発明のトランジスターの一例の断面模式図
【図２】本発明の別のトランジスターの一例の断面模式
図
図
【図３】本発明の製造方法で作製されるトランジスター
の断面模式図
の断面模式図
【図４】従来のスヒ゜ントランジスターの断面模式図
【図５】従来のスヒ゜ントランジスターのコレクター電流の
印加磁界依存性を示す図
印加磁界依存性を示す図
【図６】本発明の製造方法で作製されるランジスターの
コレクター電流の印加磁界依存性を示す図
コレクター電流の印加磁界依存性を示す図
1 Si基板 2 電極 3 バッファ層 4 金属人工格子層 4a スヒ゜ンハ゛ルフ゛型人工格子膜 4b 強磁性トンネル接合型MR膜 5 Si単結晶 6 非磁性層 7 硬質磁性層 8 軟磁性層 9 第１の磁性層 10 絶縁層 11 第２の磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 入江 庸介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】第１の金属電極の上に、コレクターとして
第１のSi単結晶、ベースとしてスヒ゜ンハ゛ルフ゛型磁気抵抗効
果膜、エミッターとして第２のSi単結晶、第２の金属電
極が順次積層された構成であり、前記第１と第２のSi単
結晶と前記スヒ゜ンハ゛ルフ゛型磁気抵抗効果膜の間で、ショッ
トキー型障壁が形成されていることを特徴とするトラン
ジスタ。 - 【請求項２】スヒ゜ンハ゛ルフ゛型磁気抵抗効果膜が、NiFeCo層
の上に非磁性層を介してCo層またはCoFe層またはCoPt層
を積層した構成となっていることを特徴とする請求項１
に記載のトランジスタ。 - 【請求項３】第１の金属電極の上に、コレクターとして
第１のSi単結晶、ベースとして強磁性トンネル接合型磁
気抵抗効果膜、エミッターとして第２のSi単結晶、第２
の金属電極が順次積層された構成であり、第１と第２の
Si単結晶とトンネル接合型磁気抵抗効果膜の間で、ショ
ットキー型障壁が形成されていることを特徴とするトラ
ンジスタ。 - 【請求項４】強磁性トンネル接合型磁気抵抗効果膜が、
第１の強磁性体、絶縁体、第２の強磁性体を順次積層し
た構成からなり、その第１および第２の強磁性体が、F
e,Ni,Coまたはその合金からなり、絶縁体がAl2O3または
Si02からなることを特徴とする請求項３に記載のトラン
ジスタ。 - 【請求項５】Si単結晶基板上に、ベースとして金属人工
格子膜を直接またはバッファ層を介してエピタキシャル
に成長させる第１の行程と、その金属人工格子膜上に直
接またはバッファ層を介してSiをエピタキシャル成長さ
せる第２の行程からなることを特徴とするトランジスタ
の製造方法。 - 【請求項６】Si(100)基板上にCuバッファー層を介してエ
ヒ゜タキシャルに金属人工格子膜を作製する事を特徴とする請
求項５に記載のトランジスタの製造方法。 - 【請求項７】Si(111)基板上にAgバッファー層を介してエ
ヒ゜タキシャルに金属人工格子膜を作製する事を特徴とする請
求項５に記載のトランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7336475A JPH09181374A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | トランジスター及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7336475A JPH09181374A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | トランジスター及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181374A true JPH09181374A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18299524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7336475A Pending JPH09181374A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | トランジスター及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181374A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002099905A1 (fr) * | 2001-05-31 | 2002-12-12 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Element de magnetoresistance tunnel |
| JP2004119771A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | スピンバルブトランジスタ、磁気ヘッド、磁気情報再生システム、および磁気記憶装置 |
| KR100446616B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 단일 트랜지스터형 자기 랜덤 액세스 메모리 소자와 그구동 및 제조방법 |
| US6870717B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-03-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Semiconductor slider with an integral spin valve transistor structure and method for making same without a bonding step |
| US7259942B2 (en) | 2005-01-10 | 2007-08-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Three terminal magnetic sensor having an in-stack longitudinal biasing layer structure in the collector or emitter region |
| US7636223B2 (en) | 2005-01-10 | 2009-12-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Three terminal magnetic sensor having an in-stack longitudinal biasing layer structure and a self-pinned layer structure |
| US7639459B2 (en) | 2005-01-10 | 2009-12-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Three terminal magnetic sensor having an in-stack longitudinal biasing layer structure |
| US7710691B2 (en) | 2005-01-10 | 2010-05-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Three terminal magnetic sensor having an in-stack longitudinal biasing layer structure in the collector region and a pinned layer structure in the emitter region |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP7336475A patent/JPH09181374A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002099905A1 (fr) * | 2001-05-31 | 2002-12-12 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Element de magnetoresistance tunnel |
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