JPH0917789A - 位置合わせ精度検出方法および半導体装置並びにその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パターニングの際の位置ずれ量を、光学的手
法を用いることなく、電気的に検出することにより検出
精度を向上させることができるようにする。 【解決手段】 実回路と共に評価回路部１００が設けら
れる。評価回路部１００では、第１の評価用導電性層
（下層配線層）１０上に、評価用層間絶縁膜２０を介し
て第２の評価用導電性層（上層配線層）３０が形成され
る。第２の評価用導電性層（上層配線層）３０には検出
部３１が設けられている。検出部３１は、評価用層間絶
縁膜２０に設けられた三角形状の評価用開口部２１にお
いて第１の評価用導電性層１０と接触している。実回路
部におけるパターンのずれ量に応じて、検出部３１と第
１の評価用導電性層１０との接触部位置および接触面積
Ｓ_n が変化し、それに応じて接触部の電気抵抗値Ｒ_n が
変化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は２層以上の配線構造
を有する半導体装置の製造過程において用いられるレジ
ストパターニングの際の、層間絶縁膜のパターンに対す
る上層配線層のパターンの合わせずれ量を検出するため
の位置合わせ精度検出方法、およびその方法を適用した
半導体装置、並びにその半導体装置の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造過程において、レジス
トパターニングの際の位置合わせ精度の検出は製品の歩
留り向上のためには欠かせない重要な技術である。従
来、この位置合わせ精度の検出方法は、図１５および図
１６に示したような方法により行われていた。

【０００３】すなわち、ウエハ状態で、半導体装置の実
回路部とは別の領域に評価回路部７００を設け、この評
価回路部７００において、下層配線層７１０上に形成さ
れた層間絶縁膜７２０に矩形状の開口部７２１を設ける
と共に、この開口部７２１の中心位置に上層配線層７３
１を開口部７２１よりも小さい矩形状に形成する。そし
て、この上層配線層７３１の中心位置が開口部７２１の
中心位置からどの程度ずれているかにより、そのずれ量
を検出する。

【０００４】また、上層配線層７３１と開口部７２１と
の中心位置のずれ量は、上方からＣＣＤ（Charge Coupl
ed Device ：電荷結合装置 )によって撮像し、その画像
データを処理することにより検出している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来で
は、上層配線層７３１および開口部７２１をＣＣＤで撮
像しその画像データからずれ量を検出していたが、その
精度において次のような問題があった。

【０００６】すなわち、下層配線層７１０の表面に微少
な凹凸が存在して荒れていると、その凹凸が透明膜であ
る層間絶縁膜７２０の表面にレンズ効果により転写され
てしまい、図１７に示したようにＣＣＤの画像が不鮮明
となってしまう。これは、下層配線層７１０をスパッタ
リングによるアルニミウム（Ａｌ）の蒸着法によって形
成した場合に特に顕著に現れる。そのため、ＣＣＤの画
像データでは開口部７２１の位置を明確に判断できず、
上層配線層７３１の中心と開口部７２１の中心との間の
ずれ量を精度良く検出することができないという問題が
あった。

【０００７】また、従来の方法では、上層配線層７３１
および開口部７２１が微細であることから光学顕微鏡を
通してこれらを撮像していた。従って、ずれ量の検出精
度は光学顕微鏡の光学的分解能によって決定されること
となり、次世代以降の微細化技術には、検出精度の点で
対応できず不十分であるという問題もあった。

【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その課題は、パターニングの際の位置ずれ量を、
光学的手法を用いることなく、電気的に検出することに
より検出精度を向上させることのできる位置合わせ精度
検出方法を提供することにある。

【０００９】また、本発明は、この位置合わせ精度検出
方法を利用した半導体装置およびその製造方法を提供す
ることも課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の位置合わせ精度
検出方法は、第１の導電性層上に形成された層間絶縁膜
のパターンに対する前記層間絶縁膜上に形成された第２
の導電性層の一方向のパターンの合わせずれ量を検出す
るための位置合わせ精度検出方法であって、前記第１の
導電性層、層間絶縁膜および第２の導電性層と同一のレ
ジストパターンにより第１の評価用導電性層、評価用層
間絶縁膜および第２の評価用導電性層をそれぞれ形成す
ると共に、前記評価用層間絶縁膜に評価用開口部を形成
し、この評価用開口部を介して第２の評価用導電性層と
第１の評価用導電性層とを接触させ、この接触部の電気
抵抗値の変化を測定することにより、層間絶縁膜のパタ
ーンに対する第２の導電性層のパターンの合わせずれ量
を検出するものである。

【００１１】また、本発明の位置合わせ精度検出装置
は、層間絶縁膜の下に形成された第１の導電性層と前記
層間絶縁膜の上に形成された第２の導電性層とが前記層
間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して互いに
電気的に接続されてなる実回路部を有する半導体装置で
あって、前記層間絶縁膜と同一工程で形成され、合わせ
ずれ検出方向に沿って開口幅が徐々に変化する評価用開
口部を有する評価用層間絶縁膜と、この評価用層間絶縁
膜の下に前記第１の導電性層と同一工程により形成され
た第１の評価用導電性層と、前記第２の導電性層と同一
の工程により形成されると共に前記評価用開口部に対し
て部分的に交差しかつ第１の評価用導電性層と電気的に
接触する検出部を有する第２の評価用導電性層とからな
る評価回路部と、この評価回路部における第１の評価用
導電性層と第２の評価用導電性層の検出部との間の接触
部の電気抵抗値の変化を測定し、その測定値を予め求め
た基準値と比較することにより、前記層間絶縁膜のパタ
ーンに対する第２の導電性層のパターンの合わせずれ量
を検出するずれ量検出手段とを備えている。

【００１２】更に、本発明の半導体装置の製造方法は、
層間絶縁膜の下に形成された第１の導電性層と前記層間
絶縁膜の上に形成された第２の導電性層とが前記層間絶
縁膜に設けられたコンタクトホールを介して互いに電気
的に接続されてなる実回路部、およびこの実回路領域か
ら離間した位置に評価回路部をそれぞれ有する半導体装
置の製造方法であって、前記実回路部および評価回路部
にわたって導電性層を形成し、この導電性層をパターニ
ングすることにより第１の導電性層および第１の評価用
導電性層を形成し、これら第１の導電性層および第１の
評価用導電性層上に層間絶縁膜および評価用層間絶縁膜
となる絶縁膜を形成した後、実回路部の層間絶縁膜にコ
ンタクトホールを形成すると同時に、評価回路部の評価
用層間絶縁膜に、ずれ検出方向に沿って開口幅が変化す
る評価用開口部を形成する工程と、前記層間絶縁膜およ
び評価用層間絶縁膜の上に導電材料を堆積させた後、こ
の堆積層を選択的に除去することにより、前記実回路部
に第２の導電性層のパターンを形成し前記コンタクトホ
ールを介して第２の導電性層と電気的に接続させると共
に、前記評価回路部の評価用層間絶縁膜の、前記評価用
開口部に対して交差しかつ下層の第１の評価用導電性層
と電気的に接続された第２の評価用導電性層を形成する
工程と、前記第１の評価用導電性層と第２の評価用導電
性層との間の接触部における電気抵抗値の変化を測定
し、その測定値を予め求めた基準値と比較することによ
り、実回路部における層間絶縁膜のパターンに対する第
２の導電性層のパターンの合わせずれ量を検出する位置
合わせ精度検出工程とを含んでいる。

【００１３】本発明の位置合わせ精度検出方法および半
導体装置並びにその製造方法では、いずれも、第２の評
価用導電性層（検出部）が、評価用層間絶縁膜に設けら
れた評価用開口部を介して第１の評価用導電性層と接触
する。この接触部の電気抵抗値の変化を測定することに
より、実回路部における層間絶縁膜のパターンに対する
第２の導電性層のパターンの合わせずれ量が検出され
る。すなわち、パターニングの際の合わせずれ量は、光
学的手法ではなく、第２の評価用導電性層（検出部）と
第１の評価用導電性層との接触部における電気抵抗値の
変化を利用した電気的手段により検出される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１５】まず、本発明の第１の実施の形態の説明に
先立ち、図１により本発明による位置合わせ精度検出方
法の基本的原理を説明する。この方法は、半導体ウエハ
１０００上に実回路部３００と共に１または２以上の評
価回路部１００を設け、この評価回路部１００における
電気抵抗値Ｒ_n をずれ量検出器２００によって測定する
ことにより、実回路部３００のレジストパターニング精
度、すなわち層間絶縁膜のパターンに対する上層配線層
のパターンの位置合わせ精度を検出するものである。

【００１６】図２は半導体ウエハ１０００の全体構成を
表している。また、図３はこの半導体ウエハ１０００の
うち１回の露光でパターニング可能な１ショット領域２
０００を拡大して表すもので、評価回路部１００の形成
位置を表している。

【００１７】半導体ウエハ１０００は、図２に示したよ
うに、複数の１ショット領域２０００に区分されてい
る。また、この１ショット領域２０００内は、図３に示
したように、スクライブライン４００により複数の実回
路部３００に分離される。評価回路部１００は、このス
クライブライン４００内であって、１ショット領域２０
００内の例えば中心部と四隅とにそれぞれ形成されてい
る。

【００１８】図４は図１に示した評価回路部１００の具
体的な構造を表すものである。

【００１９】評価回路部１００は、第１の評価用導電性
層としての評価用導電性層（下層配線層）１０上に、評
価用層間絶縁膜２０を介して、第２の評価用導電性層と
しての評価用導電性層（上層配線層）３０が形成された
もので、評価用層間絶縁膜２０のパターンに対する評価
用導電性層３０のパターンの一方向（図のＸ方向）の合
わせずれ量に応じた電気抵抗値Ｒ_n を検出するものであ
る。

【００２０】一方、実回路部３００では、図５に示した
ように、第１の導電性層としての導電性層３１０上に、
層間絶縁膜３２０を介して、第２の導電性層としての導
電性層３３０が形成されており、導電性層３１０と導電
性層３３０とが層間絶縁膜３２０に設けられたコンタク
トホール３２１を介して互いに電気的に接続されるよう
になっている。

【００２１】なお、導電性層３３０の導電性層３１０と
の対向面には、図５に示したように、密着層３４０が形
成されている。また、評価回路部１００においても、図
４に示したように、評価用導電性層３０の評価用導電性
層１０との対向面に評価用密着層４０が形成されてい
る。

【００２２】ここで、第１の評価用導電性層１０は実回
路部３００の導電性層３１０と同一工程、評価用層間絶
縁膜２０は実回路部３００の層間絶縁膜３２０と同一工
程、第２の評価用導電性層３０は実回路部３００の導電
性層３３０と同一工程でそれぞれ形成されたものであ
る。従って、評価用層間絶縁膜２０のパターンに対する
評価用導電性層３０のパターンのＸ方向の合わせずれ量
は、実回路部３００の層間絶縁膜３２０のパターンに対
する導電性層３３０のパターンのＸ方向の合わせずれ量
（以下、合わせずれ量Ａ_n という）と同じ量である。ち
なみに、この合わせずれ量Ａ_n は、具体的には、図５に
おけるコンタクトホール３２１のＸ方向中心３２１ａに
対する導電性層３３０のＸ方向中心３３０ａのずれ量と
して表される。すなわち、本実施の形態では、評価用層
間絶縁膜２０のパターンに対する評価用導電性層３０の
パターンのＸ方向の合わせずれ量に応じた電気抵抗値Ｒ
_n を検出することにより、実回路部３００のＸ方向の合
わせずれ量Ａ_n を検出できるようになっている。

【００２３】なお、実回路部３００および評価回路部１
００の各層はチップ分離前において一体的に形成しても
よく、あるいはチップ分離前において予め分離して形成
しておいてもよい。

【００２４】図６は図４に示した評価回路部１００を部
分的に取り出して表すものである。この図においては、
評価用導電性層１０，評価用層間絶縁膜２０，評価用導
電性層３０それぞれの区別を容易とするよう、評価用導
電性層１０が表面に露出している領域は右下がりの斜線
で示し、評価用層間絶縁膜２０が表面に露出している領
域は左下がりの斜線で示す。なお、この表示に関して
は、後述の図７，図８，図１１および図１２においても
同様である。

【００２５】評価用導電性層１０は、実回路部３００の
導電性層３１０と共に、アルミニウム（Ａｌ）などの金
属や多結晶シリコン（Ｓｉ）などの導電性材料によって
形成されている。この評価用導電性層１０は、評価回路
部１００においては半導体ウエハ１０００上の全面にわ
たって形成されている。

【００２６】評価用層間絶縁膜２０は、例えばシリコン
酸化膜（ＳｉＯ₂ ）によって形成されている。評価用層
間絶縁膜２０には評価用開口部２１が形成されており、
この評価用開口部２１を介して評価用導電性層１０と評
価用導電性層３０とを電気的に接触させることができる
ようになっている。評価用開口部２１の開口形状は、頂
部がＸ方向に向いた三角形状（本実施の形態では二等辺
三角形）となっている。評価用層間絶縁膜２０には、ま
た、出力用開口部２２が形成されている。この出力用開
口部２２により評価用導電性層１０が露出され、そこを
第１の出力部１１として評価用導電性層１０から電気的
信号を取り出すことができるようになっている。出力用
開口部２２は、ずれ量検出器２００の測定端子を評価用
導電性層１０に対して当接させるのに十分な大きさを有
している。

【００２７】評価用導電性層３０は、アルミニウムなど
の金属や多結晶シリコンなどの導電性材料によって形成
されている。評価用導電性層３０の評価用導電性層１０
との対向面には、図４に示したように、例えばチタン
（Ｔｉ）とチタンオキシナイトライド（ＴｉＯＮ）との
積層構造を有する評価用密着層４０が形成されている。

【００２８】評価用導電性層３０は、検出部３１と第２
の出力部３２とにより構成されている。検出部３１は評
価用開口部２１の底辺に対して平行に所定の幅Ｌで形成
されており、その一部が評価用開口部２１の底辺と頂部
との間の中間位置で交差している。すなわち、評価用開
口部２１において、検出部３１が評価用密着層４０を介
して評価用導電性層１０と接触しており、これにより検
出部３１と評価用導電性層１０との間に図１に示した電
気抵抗Ｒ_n が生ずるようになっている。

【００２９】検出部３１の一端部は第２の第２の出力部
３２に接続されており、評価用導電性層３０から電気的
信号を取り出すことができるようになっている。第２の
出力部３２もずれ量検出器２００の測定端子を当接させ
るのに十分な大きさを有している。

【００３０】すなわち、この評価回路部１００では、第
１の出力部１１および第２の出力部３２にずれ量検出器
２００の測定端子をそれぞれ当接させることにより、図
６中に網かけで示した評価用導電性層１０と評価用導電
性層３０との接触面積Ｓ_n に応じた電気抵抗値Ｒ_n を測
定できるようになっている。なお、図６ではずれのない
位置（基準位置）を表しており、このときの接触面積Ｓ
_n をＳ₀ ，電気抵抗値Ｒ_n をＲ₀ とする。

【００３１】ここで、本実施の形態では評価用開口部２
１が三角形状に形成されているので、評価用層間絶縁膜
２０のパターンに対して評価用導電性層３０のパターン
が評価用開口部２１の底辺に垂直な方向（図４のＸ方
向）にずれて形成され、検出部３１と評価用開口部２１
の交差位置が図６に示した基準位置からずれると、その
ずれ量に応じて評価用導電性層３０と評価用導電性層１
０との接触面積Ｓ_n が変化する。

【００３２】具体的には、評価用導電性層３０のパター
ンが評価用層間絶縁膜２０のパターンに対して評価用開
口部２１の頂部側（図６中では右側）へずれると、図７
に示したように、検出部３１は評価用開口部２１と頂部
に近い側で交差し、評価用導電性層３０と評価用導電性
層１０との接触面積Ｓ_n はずれのない状態の接触面積Ｓ
₀ より狭い面積Ｓ₁ となる。

【００３３】これに対し、評価用導電性層３０のパター
ンが評価用層間絶縁膜２０のパターンに対して評価用開
口部２１の頂部とは逆側（図６中では左側）へずれる
と、図８に示したように、検出部３１は評価用開口部２
１と底辺側で交差し、評価用導電性層３０と評価用導電
性層１０との接触面積Ｓ_n はＳ₀ に比べて広いＳ₂ とな
る。

【００３４】このような電気抵抗値Ｒ_n と接触面積Ｓ_n
との関係を次式に示す。 Ｒ_n ＝（ｄ／Ｓ_n ）・ρ…（１） Ｒ_n ；電気抵抗値 Ｓ_n ；評価用密着層４０と評価用導電性層１０との接触
面積 ｄ ；評価用密着層４０の膜厚 ρ ；評価用密着層４０の比抵抗

【００３５】ｄ／ρをα（比例定数）に置き換えると、
式１は次式のように表すことができる。

【００３６】Ｒ_n ＝α／Ｓ_n …（２） α ；ｄ／ρ

【００３７】上式からも明らかなように、電気抵抗値Ｒ
_n と接触面積Ｓ_n とは逆比例の関係にある。これにより
合わせずれ量Ａ_n を接触面積Ｓ_n の変化量に置換するこ
とができ、この接触面積Ｓ_n の変化量が電気抵抗値Ｒ_n
の変化量として検出される。すなわち、評価回路部１０
０は、図１に示した回路構成を有することになり、電気
抵抗値Ｒ_n と合わせずれ量Ａ_n との関係は図９に示した
ようになる。

【００３８】なお、評価用層間絶縁膜２０の評価用開口
部２１の頂角θは、０度よりも大きく１８０度よりも小
さい範囲内で適宜に決定されるが、大きい方が好まし
く、具体的には６０度以上が好ましい。その理由は、頂
角θを大きくすると単位ずれ量当たりの接触面積変化率
を大きくすることができるので、製造ばらつきにより評
価用開口部２１の大きさまたは検出部３１の幅Ｌが変動
し、接触面積Ｓ_n と基準値との間に誤差が生じても、そ
の影響を小さくすることができるからである。従って、
頂角θが大きい方が検出精度を高くすることができる。
一方、頂角θがあまり大きいと評価回路部１００全体の
大きさが大きくなってしまうので、実回路部３００の障
害とならない程度が好ましい。

【００３９】ずれ量検出器２００は、評価回路部１００
の評価用導電性層１０と評価用導電性層３０との間の接
触部の電気抵抗値Ｒ_n を電気抵抗測定器２１０によって
測定し、その測定値と予め求めた基準値とを比較回路２
２０によって比較することにより、合わせずれ量Ａ_n を
検出する。

【００４０】このように本実施の形態では、層間絶縁膜
３２０と同一工程で形成された評価用層間絶縁膜２０に
合わせずれ検出方向に沿って開口幅が変化する評価用開
口部２１を形成し、この評価用開口部２１を介して導電
性層３１０と同一工程で形成された評価用導電性層１０
と導電性層３３０と同一工程で形成された評価用導電性
層３０とを互いに電気的に接触させているので、ずれ量
検出器２００によってその接触部の合わせずれ量Ａ_n に
応じた電気抵抗値Ｒ_n を測定し、その測定値と予め求め
た基準値とを比較することにより、実回路部３００にお
ける層間絶縁膜３２０と導電性層３３０との位置合わせ
精度を容易に検出することができる。

【００４１】すなわち、本実施の形態では、パターニン
グの際の位置ずれ量を光学的手法を用いることなく、電
気的に検出するようにしたので、例え評価用導電性層１
０の表面状態が荒れた状態であっても、高い検出精度を
得ることができる。

【００４２】更に、本発明のずれ量検出手段としては、
電気抵抗値Ｒ_n を測定するためのずれ量検出器２００の
みでよく、装置を簡易でかつ小型なものとすることがで
きる。加えて、電気抵抗値Ｒ_n は精度良く安定して測定
することができるので、半導体装置の微細化が進んでも
高い検出精度を保持できる。

【００４３】次に、この半導体装置の製造方法（位置合
わせ精度の検出方法）を具体的に説明する。図１０は上
述の評価回路部１００の形成工程を実回路部３００の形
成工程と共に表すもので、図６のＩ−Ｉ線に沿った断面
構造に対応している。

【００４４】まず、図１０（ａ）に示したように、半導
体ウエハ１０００上にスパッタリングによりアルミニウ
ムなどの金属または多結晶シリコンなどの導電性材料を
蒸着させて導電性層１０１０を形成する。その後、この
導電性層１０１０上にレジスト膜を形成し、フォトリソ
グラフィー技術により、このレジスト膜を実回路部３０
０の導電性層３１０および評価回路部１００の評価用導
電性層１０の形状に合わせてパターニングする。続い
て、パターニングされたレジスト膜をマスクとしてエッ
チングを行う。これにより導電性層１０１０が選択的に
除去され、実回路部３００においては導電性層３１０が
形成され、評価回路部１００においては評価用導電性層
１０が形成される。

【００４５】次に、これらの導電性層３１０および評価
用導電性層１０上に、図１０（ｂ）に示したように、例
えばＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）
とオゾン（Ｏ₃ ）とをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion)法により反応させて、シリコン酸化膜からなる絶縁
膜１０２０を形成する。

【００４６】次に、この絶縁膜１０２０を選択的に除去
し、図１０（ｃ）に示したように、実回路部３００にお
いては層間絶縁膜３２０を形成し、評価回路部１００に
おいては評価用層間絶縁膜２０を形成する。

【００４７】次いで、図１０（ｄ）に示したように、評
価用層間絶縁膜２０上に例えばスパッタリングによりチ
タンとチタンオキシナイトライドからなる密着堆積層１
０４０を形成し、更にスパッタリングによりアルミニウ
ムなどの金属または多結晶シリコンなどの導電性材料よ
りなる堆積層１０３０を形成する。

【００４８】その後、この堆積層１０３０および密着堆
積層１０４０を選択的に除去し、図１０（ｅ）に示した
ように、実回路部３００においては導電性層３３０およ
び密着層３４０を形成し、評価回路部１００においては
評価用導電性層３０および評価用密着層４０からなる検
出部３１を形成する。これにより、実回路部３００と共
に、評価用導電性層１０と評価用導電性層３０の検出部
３１とが評価用開口部２１において接触された評価回路
部１００が形成される。

【００４９】このようにして形成された評価回路部１０
０は、その後に続く工程に先立ち、第１の出力部１１お
よび第２の出力部３２に対してずれ量検出器２００の測
定端子がそれぞれ当接され、評価用導電性層３０と評価
用導電性層１０との間の接触部の電気抵抗値Ｒ_n が測定
される。なお、第１の出力部１１および第２の出力部３
２は、実際には数十ミクロン程度の大きさであるので、
ずれ量検出器２００の測定端子には針状の金属端子を用
いる。

【００５０】その後、測定された電気抵抗値Ｒ_n に基づ
いて、予め求めておいた合わせずれ量Ａ_n と電気抵抗値
Ｒ_n との関係（図９参照）から、その合わせずれ量Ａ_n
が求められる。これにより、実回路部３００における層
間絶縁膜３２０と導電性層３３０との位置合わせ精度を
検出することができる。

【００５１】このように本実施の形態では、評価用導電
性層３０と評価用導電性層１０との間の接触部の電気抵
抗値Ｒ_n を測定することにより合わせずれ量Ａ_n を検出
するようにしたので、簡単にかつ精度よく層間絶縁膜３
２０と導電性層３３０との位置合わせ精度を検出するこ
とができる。特に、本実施の形態のように評価用導電性
層１０がアルミニウムのスパッタリングによって形成さ
れ、表面状態が荒れた場合でも精度良く検出することが
できる。

【００５２】また、本実施の形態によれば、層間絶縁膜
３２０にコンタクトホール３２１を形成すると同時に評
価用層間絶縁膜２０に評価用開口部２１を形成し、更
に、導電性層３０を形成すると同時に評価用導電性層３
０に評価用開口部２１と交差する検出部３１を形成し
て、合わせずれ量Ａ_n に応じた電気抵抗値Ｒ_n を測定す
るので、層間絶縁膜２０と導電性層３０との位置合わせ
精度を容易に精度よく検出でき、半導体装置の品質を向
上させることができる。

【００５３】図１１は本発明の第２の実施の形態に係る
半導体装置の評価回路部５００の構成を表すものであ
る。

【００５４】本実施の形態の半導体装置は、第１の実施
の形態において評価回路部１００が評価回路部５００に
置換されたことを除き、第１の実施の形態と同一の構成
を有している。

【００５５】この評価回路部５００では、第１の実施の
形態に示した評価回路部１００の構成に加え、更に、評
価用層間絶縁膜２０に他の評価用開口部２３が形成され
ると共に、評価用導電性層３０に他の検出部３３および
第３の出力部３４が形成されている。ここでは、第１の
実施の形態と同一の構成要素については同一の符号を付
し、その詳細な説明を省略する。

【００５６】評価用開口部２３は、評価用開口部２１と
同様に、評価用導電性層１０の一部を表面に露出させて
おり、評価用開口部２３を介して評価用導電性層１０と
評価用導電性層３０とを電気的に接触させることができ
るようになっている。評価用開口部２３は、評価用開口
部２１と同一の大きさおよび同一形状（すなわち二等辺
三角形状）であって、評価用開口部２１とは底辺が互い
に垂直の関係になっている。

【００５７】なお、第１の出力部１１は、評価用開口部
２１によって露出された領域と共に評価用開口部２３に
よって露出された評価用導電性層１０の領域にも連続し
ており、評価用開口部２３に関する出力部としての役割
も有している。

【００５８】検出部３３は評価用開口部２３の底辺に対
して平行に所定の幅Ｌで形成され、、検出部３１に対し
て直交している。検出部３３は、また、検出部３１と同
様に、その一部が評価用開口部２３の底辺と頂部との間
の中間位置で交差し、評価用開口部２３を介して評価用
導電性層１０と接触しており、これにより検出部３３と
評価用導電性層１０との間に図１に示した電気抵抗値Ｒ
_n の変化が生ずるようになっている。

【００５９】検出部３３は連絡部３５を介して第３の出
力部３４と接続されており、検出部３３で検出された電
気的信号を取り出すようになっている。なお、本実施の
形態では、第３の出力部３４を連絡部３５を介して検出
部３３と接続させているが、連絡部３５を介することな
く検出部３１を第２の出力部３２に直接接続させるよう
にしてもよい。第３の出力部３４は、ずれ量検出器２０
０の測定端子を当接させるのに十分な大きさを有してい
る。

【００６０】この構成により、本実施の形態の評価回路
部５００では、検出部３１と評価用導電性層１０との接
触面積Ｓ_Xnに応じた電気抵抗値Ｒ_Xnに加えて、第１の出
力部１１および第３の出力部３４にずれ量検出器２００
の測定端子をそれぞれ当接させることにより、評価用開
口部２３における評価用導電性層１０と評価用導電性層
３０の検出部３３との接触面積Ｓ_Ynに応じた電気抵抗値
Ｒ_Ynを測定することができる。

【００６１】ここで、本実施の形態では評価用開口部２
１の底辺と評価用開口部２３の底辺とが互いに垂直であ
り、かつ開口幅の変化する方向が互いに直交しているの
で、評価用層間絶縁膜２０のパターンに対して評価用導
電性層３０のパターンがずれて形成されると、一方向
（図１１中ではＸ方向）の合わせずれは、検出部３１と
評価用開口部２１の交差位置の変化として表れ、評価用
導電性層３０と評価用導電性層１０との接触面積Ｓ_Xnの
変化として表れる。これに対し、Ｘ方向に対して垂直方
向（図１１中ではＹ方向）の合わせずれは、検出部３３
と評価用開口部２３の交差位置の変化として表れ、評価
用導電性層３０と評価用導電性層１０との接触面積Ｓ_Yn
の変化として表れる。

【００６２】従って、Ｙ方向の合わせずれ量Ａ_YnもＸ方
向の合わせずれ量Ａ_Xnと同様に、評価用導電性層３０と
評価用導電性層１０との接触面積Ｓ_Ynの変化量に置換す
ることができ、この接触面積Ｓ_Ynの変化量は式２に示し
た関係より電気抵抗値Ｒ_Ynの変化量として検出される。

【００６３】なお、評価用開口部２１と評価用開口部２
３とは同一形状，同一の大きさであり、検出部３１と検
出部３３の幅も同一であるので、Ｙ方向の合わせずれ量
Ａ_Ynと接触面積Ｓ_Ynの関係は、Ｘ方向の合わせずれ量Ａ
_Xnと接触面積Ｓ_Xnの関係と同一である。よって、Ｙ方向
の合わせずれ量Ａ_Ynと電気抵抗値Ｒ_Ynとの関係は、Ｘ方
向の合わせずれ量Ａ_Xnと電気抵抗値Ｒ_Xnとの関係と同一
であり、図９に示したようになる。

【００６４】このように本実施の形態によれば、評価用
開口部２１と変化する幅の方向が互いに直交した評価用
開口部２３を形成すると共に、検出部３１と互いに直交
した検出部３３を設けるようにしたので、第１の実施の
形態の効果に加え、一方向の合わせずれ量Ａ_Xnのみなら
ずそれと垂直な方向の合わせずれ量Ａ_Ynをも同様に検出
することができる。

【００６５】また、この評価回路部５００は、第１の実
施の形態に示した評価回路部１００と同様にして形成さ
れた後、その後に続く工程に先立ち、合わせずれ量
Ａ_Xn，Ａ_Ynの検出に用いられる。

【００６６】合わせずれ量Ａ_Xn，Ａ_Ynの検出に際して
は、まず、第１の実施の形態と同様に、ずれ量検出器２
００によって電気抵抗値Ｒ_Xnが測定される。

【００６７】次いで、第１の出力部１１および第３の出
力部３４に対してずれ量検出器２００の測定端子がそれ
ぞれ当接された状態で、評価用導電性層３０と評価用導
電性層１０との間の電気抵抗値Ｒ_Ynが測定される。

【００６８】測定されたこれらの電気抵抗値Ｒ_Xn，Ｒ_Yn
に基づいて、予め求めておいた合わせずれ量Ａ_n と電気
抵抗値Ｒ_n との関係（図９参照）から、Ｘ方向の合わせ
ずれ量Ａ_XnとＹ方向の合わせずれ量Ａ_Ynとがそれぞれ求
められる。これにより、実回路部３００における層間絶
縁膜３２０と導電性層３３０との位置合わせ精度を検出
することができる。

【００６９】このように本実施の形態によれば、互いに
直交する２つの方向の合わせずれ量Ａ_Xn，Ａ_Ynに応じて
それぞれ変化する電気抵抗値Ｒ_Xn，Ｒ_Ynを測定している
ので、互いに直交する２つの方向について簡単にかつ精
度よく位置合わせ精度を検出することができ、これによ
り製品の歩留りが向上する。

【００７０】図１２は本発明の第３の実施の形態に係る
半導体装置の評価回路部６００の構成を表すものであ
る。

【００７１】本実施の形態の半導体装置は、第２の実施
の形態において評価回路部５００が評価回路部６００に
置換されたことを除き、第２の実施の形態と同一の構成
を有している。

【００７２】この評価回路部６００では、第２の実施の
形態に示した評価回路部５００の構成に加え、更に、評
価用層間絶縁膜２０に校正用開口部２４が形成されると
共に、評価用導電性層３０に校正用検出部３６および校
正用出力部３７がそれぞれ形成されている。従って、こ
こでは、第２の実施の形態と同一の構成要素については
同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００７３】校正用開口部２４は、評価用導電性層１０
の一部を表面に露出させており、校正用開口部２４を介
して評価用導電性層１０と校正用検出部３６とを電気的
に接触させることができるようになっている。校正用開
口部２４は矩形状に形成され、一側辺が評価用開口部２
１の底辺と平行、一側辺と垂直な側辺が評価用開口部２
３の底辺と平行となっている。

【００７４】なお、第１の出力部１１は、評価用開口部
２１によって露出された領域，評価用開口部２３によっ
て露出された領域と共に、校正用開口部２４によって露
出された評価用導電性層１０の領域にも連続しており、
校正用開口部２４に関する出力部としての役割も有して
いる。

【００７５】校正用検出部３６は、検出部３１に対して
平行に所定の幅Ｌで形成されており、その一部が校正用
開口部２４の中央部で交差している。すなわち、校正用
検出部３６は校正用開口部２４を介して評価用導電性層
１０と接触しており、これにより校正用検出部３６と評
価用導電性層１０との間に校正電気抵抗値Ｒ_S が生ずる
ようになっている。

【００７６】校正用検出部３６の一端部には校正用出力
部３７が接続されており、校正用検出部３６で検出した
電気信号を取り出すようになっている。校正用出力部３
７はずれ量検出器２００の測定端子を当接させるのに十
分な大きさを有している。

【００７７】すなわち、本実施の形態の評価回路部６０
０では、前述の電気抵抗値Ｒ_Xn，Ｒ_Ynに加えて、校正用
開口部２４における評価用導電性層１０と評価用導電性
層３０に設けられた校正用検出部３６との接触面積Ｓ_S
に応じた校正電気抵抗値Ｒ_Sを測定するものである。

【００７８】ここで、本実施の形態では校正用開口部２
４が矩形状であるので、評価用層間絶縁膜２０のパター
ンに対して評価用導電性層３０のパターンがずれて形成
されても、接触面積Ｓ_S が変化することはない。従っ
て、検出部３１，３３の幅Ｌや評価用開口部２１，２４
の大きさあるいは密着層３０ａの比抵抗ρや膜厚ｄが製
造ばらつきにより変動し、測定した電気抵抗値Ｒ_Xn，Ｒ
_Ynと基準値との間に誤差が生じても、測定した電気抵抗
値Ｒ_Xn，Ｒ_Ynおよび基準値をそれぞれ校正電気抵抗値Ｒ
_S に対する相対値に置換することによって、これらを校
正することができる。

【００７９】なお、校正用開口部２４の大きさは、接触
面積Ｓ_S が、評価用層間絶縁膜２０のパターンに対する
評価用導電性層３０のパターンのずれがないときの接触
面積Ｓ_X0，Ｓ_Y0と同一となるように形成することが好ま
しい。これにより、電気抵抗値Ｒ_Xn，Ｒ_Ynと校正電気抵
抗値Ｒ_S との差分をとって補正することにより、簡単に
製造ばらつきにより生ずる誤差を校正することができ
る。

【００８０】このように本実施の形態によれば、校正用
開口部２４、およびこの校正用開口部２４において評価
用導電性層１０と接触する校正用検出部３６とを形成す
るようにしたので、第１および第２の実施の形態の効果
に加え、合わせずれ量Ａ_Xn，Ｒ_Ynを電気抵抗値Ｒ_Xn，Ｒ
_Ynと校正電気抵抗値Ｒ_S との差分から求めることがで
き、製造ばらつきにより生じる誤差を校正して検出精度
をより向上させることができる。

【００８１】また、この評価回路部６００は、第１の実
施の形態に示した評価回路部１００と同様の工程により
形成された後、その後に続く工程に先立ち、合わせずれ
量Ａ_Xn，Ａ_Ynの検出に用いられる。

【００８２】合わせずれ量Ａ_Xn，Ａ_Ynの検出に際して
は、まず、第２の実施の形態と同様に、ずれ量検出器２
００によって電気抵抗値Ｒ_Xn，Ｒ_Ynがそれぞれ測定され
る。次いで、第１の出力部１１および第３の出力部３４
に対してずれ量検出器２００の測定端子をそれぞれ当接
させた状態で、校正電気抵抗値Ｒ_S が測定される。

【００８３】次いでこれらの電気抵抗値Ｒ_Xn，Ｒ_Ynおよ
び校正電気抵抗値Ｒ_S から電気抵抗値Ｒ_Xn，Ｒ_Ynの校正
電気抵抗値Ｒ_S に対する差分がそれぞれ求められる。そ
の差分に基づいて、予め求めておいた合わせずれ量Ａ_n
と電気抵抗値Ｒ_n の校正電気抵抗値Ｒ_S に対する差分と
の関係から、Ｘ方向の合わせずれ量Ａ_XnとＹ方向の合わ
せずれ量Ａ_Ynとがそれぞれ求められる。これにより、実
回路部３００における層間絶縁膜３２０のパターンに対
する導電性層３３０のパターンの位置合わせ精度を検出
することができる。

【００８４】このように本実施の形態によれば、校正電
気抵抗値Ｒ_S との差分に基づいて合わせずれ量Ａ_Xn，Ａ
_Ynを検出するようにしたので、製造ばらつきにより生じ
る誤差を校正することができ、位置合わせ精度の検出精
度をより向上させることができる。

【００８５】以上実施の形態を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施の形態に限定するものではなく、
種々変形可能である。

【００８６】例えば、上記実施の形態では、評価用開口
部２１，２３の形状を二等辺三角形状とする場合につい
てのみ説明したが、要は、合わせずれ検出方向に沿って
開口幅が徐々に変化するものであればよい。例えば、二
等辺ではない三角形状でもよく、台形状でもよい。ま
た、三角形のうちの二辺が湾曲しているものや台形の側
辺が弯曲しているものであってもよい。更に、図１３に
示したように、三角形の二辺がそれぞれ階段状になって
おり、合わせずれ検出方向に沿って開口幅が段階的に変
化するものであってもよい。

【００８７】また、上記実施の形態では、導電性層３１
０，導電性層３３０，評価用導電性層１０および評価用
導電性層３０をそれぞれ金属層または多結晶シリコン層
により形成すると共に、評価用導電性層３０の評価用導
電性層との対向面に評価用密着層４０を設け、この評価
用密着層４０における電気抵抗値の変化を検出する場合
について説明したが、評価用密着層４０が設けられない
場合であっても適用できる。例えば、図１４に示したよ
うに、導電性層３１０および評価用導電性層１０がそれ
ぞれ半導体基板内に形成された不純物層３１２，１２で
あり、導電性層３３０および評価用導電性層３０が半導
体基板上に形成された金属層または多結晶シリコン層で
ある場合に、密着層を設けることなく両者を直接に接触
させ、その接触抵抗の変化により位置合わせ精度を検出
するようにしてもよい。

【００８８】更に、上記実施の形態では導電性層（配線
層）が２層構造の場合について説明したが、３層以上の
多層構造の場合についても同様に適用できることは言う
までもない。

【００８９】

【発明の効果】以上説明したように本発明の位置合わせ
精度検出方法によれば、第１の評価用導電性層と第２の
評価用導電性層との間の接触部の電気抵抗値の変化を測
定することにより合わせずれ量を検出するようにしたの
で、実回路部におけるパターニングの際のずれ量を簡単
に、かつ精度よく検出することができる。

【００９０】また、本発明の半導体装置では、層間絶縁
膜と同一工程で形成された評価用層間絶縁膜に合わせず
れ検出方向に沿って開口幅が変化する評価用開口部を形
成し、この評価用開口部を介して第１の導電性層と同一
工程で形成された第１の評価用導電性層と第２の導電性
層と同一工程で形成された第２の評価用導電性層とを互
いに電気的に接触させるようにしたので、ずれ量検出手
段によってその接触部の電気抵抗値の変化を測定し、そ
の測定値と予め求めた基準値とを比較することにより、
実回路部における層間絶縁膜のパターンに対する第２の
導電性層のパターンの位置合わせ精度を容易に検出する
ことができ、半導体装置の微細化が更に進んでも十分に
対応できるという効果を奏する。

【００９１】更に、本発明の半導体装置の製造方法で
は、実回路部における層間絶縁膜にコンタクトホールを
形成すると同時に、評価用層間絶縁膜に合わせずれ検出
方向に沿って開口幅が変化する評価用開口部を形成し、
実回路部における第２の導電性層を形成すると同時に、
第２の評価用導電性層に評価用開口部と交差する検出部
を形成した後、第１の評価用導電性層と第２の評価用導
電性層の検出部との間の接触部の電気抵抗値の変化を測
定することにより合わせずれ量を測定するようにしたの
で、層間絶縁膜のパターンに対する第２の導電性層のパ
ターンの位置合わせ精度を容易に精度よく検出すること
ができ、製品の歩留りが向上するという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本的な原理を説明するためのブロッ
ク構成図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る評価回路部が
形成された半導体ウエハを表す平面図である。

【図３】図２に示した半導体ウエハの要部を拡大して表
す平面図である。

【図４】図１に示した評価回路部の具体的構造を表す部
分斜視図である。

【図５】図１に示した実回路部の合わせずれ量を説明す
るための縦断面図である。

【図６】図４に示した評価回路部を説明するための平面
図である。

【図７】図４に示した評価回路部を説明するための平面
図である。

【図８】図４に示した評価回路部を説明するための平面
図である。

【図９】合わせずれ量と電気抵抗値との関係を表す特性
図である。

【図１０】評価回路部の形成工程を説明するための、図
６のＩ−Ｉ線に沿った縦断面図である。

【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置
における評価回路部の具体的構造を表す平面図である。

【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置
における評価回路部の具体的構造を表す平面図である。

【図１３】本発明の他の評価用開口部の形状を表す平面
図である。

【図１４】本発明の他の評価回路部の構造を表す縦断面
図である。

【図１５】従来の位置合わせ精度検出方法を説明するた
めの部分斜視図である。

【図１６】図１５のII−II線に沿った縦断面図である。

【図１７】図１５に示した位置合わせ精度検出方法を説
明するための平面図である。

【符号の説明】

１０００ 半導体ウエハ １０１０ 導電性層 １０２０ 酸化膜層 １０３０ 堆積層 １００ 評価回路部 １０ 評価用導電性層（第１の評価用導電性層） １１ 第１の出力部 ２０ 評価用層間絶縁膜 ２１，２３ 評価用開口部 ２２ 出力用開口部 ２４ 校正用開口部 ３０ 評価用導電性層（第２の評価用導電性層） ３１，３３ 検出部 ３２ 第２の出力部 ３４ 第３の出力部 ３６ 校正用検出部 ３７ 校正用出力部 ４０ 評価用密着層 ２００ ずれ量検出器 ３００ 実回路部 ３１０ 導電性層（第１の導電性層） ３２０ 層間絶縁膜 ３２１ コンタクトホール ３３０ 導電性層（第２の導電性層） ３４０ 密着層

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の導電性層上に形成された層間絶縁
   膜のパターンに対する前記層間絶縁膜上に形成された第
   ２の導電性層の一方向のパターンの合わせずれ量を検出
   するための位置合わせ精度検出方法であって、 前記第１の導電性層、層間絶縁膜および第２の導電性層
   と同一のレジストパターンにより第１の評価用導電性
   層、評価用層間絶縁膜および第２の評価用導電性層をそ
   れぞれ形成すると共に、前記評価用層間絶縁膜に評価用
   開口部を形成し、この評価用開口部を介して第２の評価
   用導電性層と第１の評価用導電性層とを接触させ、この
   接触部の電気抵抗値の変化を測定することにより、層間
   絶縁膜のパターンに対する第２の導電性層のパターンの
   合わせずれ量を検出してなることを特徴とする位置合わ
   せ精度検出方法。
2. 【請求項２】 電気抵抗値が評価用開口部と第２の評価
   用導電性層との交差位置に応じて変化し、その変化量か
   ら層間絶縁膜のパターンに対する第２の導電性層のパタ
   ーンの合わせずれ量を検出することを特徴とする請求項
   １記載の位置合わせ精度検出方法。
3. 【請求項３】 前記評価用開口部と第２の評価用導電性
   層との交差位置に応じて第１の評価用導電性層と第２の
   評価用導電性層との接触面積が変化して電気抵抗値が変
   化することを特徴とする請求項２記載の位置合わせ精度
   検出方法。
4. 【請求項４】 更に、層間絶縁膜のパターンに対する第
   ２の導電性層の、前記一方向に直交する方向のパターン
   の合わせずれ量を、前記方法と同一の方法により検出す
   ることを特徴とする請求項１記載の位置合わせ精度検出
   方法。
5. 【請求項５】 層間絶縁膜の下に形成された第１の導電
   性層と前記層間絶縁膜の上に形成された第２の導電性層
   とが前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介
   して互いに電気的に接続されてなる実回路部を有する半
   導体装置であって、 前記層間絶縁膜と同一工程で形成され、合わせずれ検出
   方向に沿って開口幅が徐々に変化する評価用開口部を有
   する評価用層間絶縁膜と、この評価用層間絶縁膜の下に
   前記第１の導電性層と同一工程により形成された第１の
   評価用導電性層と、前記第２の導電性層と同一の工程に
   より形成されると共に前記評価用開口部に対して部分的
   に交差しかつ第１の評価用導電性層と電気的に接触する
   検出部を有する第２の評価用導電性層とからなる評価回
   路部と、 この評価回路部における第１の評価用導電性層と第２の
   評価用導電性層の検出部との間の接触部の電気抵抗値の
   変化を測定し、その測定値を予め求めた基準値と比較す
   ることにより、前記層間絶縁膜のパターンに対する第２
   の導電性層のパターンの合わせずれ量を検出するずれ量
   検出手段とを備えたことを特徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】 前記評価回路部は、更に、前記評価用層
   間絶縁膜の評価用開口部とは異なる位置に第１の評価用
   導電性層が露出するように設けられた出力用開口部から
   なる第１の出力部と、前記第２の評価用導電性層に検出
   部と連続して設けられた第２の出力部とを備え、前記ず
   れ量検出手段は前記第１の出力部と第２の出力部との間
   で、電気抵抗値の変化を検出することを特徴とする請求
   項５記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 前記評価用開口部の開口形状が三角形
   状、第２の評価用導電性層が長矩形状にそれぞれ形成さ
   れたことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 前記三角形状の評価用開口部の頂角は６
   ０度以上であることを特徴とする請求項７記載の半導体
   装置。
9. 【請求項９】 前記第１の導電性層、第２の導電性層、
   第１の評価用導電性層および第２の評価用導電性層はそ
   れぞれ半導体基体上に形成された金属層または多結晶シ
   リコン層により形成されると共に、第２の評価用導電性
   層の第１の評価用導電性層との対向面には、金属または
   合金からなる密着層が設けられたことを特徴とする請求
   項５記載の半導体装置。
10. 【請求項１０】 前記第１の導電性層および第１の評価
    用導電性層はそれぞれ半導体基体の表面に形成された不
    純物層であり、第２の導電性層および第２の評価用導電
    性層は半導体基体上に形成された金属層または多結晶シ
    リコン層であることを特徴とする請求項５記載の半導体
    装置。
11. 【請求項１１】 更に、実回路部における層間絶縁膜の
    パターンに対する第２の導電性層の、前記合わせずれ検
    出方向に直交する方向のパターンの合わせずれ量を、前
    記評価回路部と同一構成の評価回路部および前記ずれ量
    検出手段と同一構成のずれ検出手段により検出し、互い
    に直交する２つの方向の合わせずれ量をそれぞれ検出す
    るよう構成したことを特徴とする請求項５記載の半導体
    装置。
12. 【請求項１２】 更に、前記ずれ量検出手段の検出結果
    を校正するための校正手段を備えたことを特徴とする請
    求項５記載の半導体装置。
13. 【請求項１３】 前記校正手段は、 前記評価用層間絶縁膜の評価用開口部および第１の出力
    部とは異なる位置に第１の評価用導電性層が露出するよ
    うに設けられると共に合わせずれ検出方向に向かって開
    口幅が変化しない校正用開口部と、 前記第２の評価用導電性層に設けられ前記評価用開口部
    に対して部分的に交差しかつ第１の評価用導電性層と電
    気的に接触する校正用検出部と、 この校正用出力部と前記第１の評価用導電性層との間の
    接触部の電気抵抗値を測定し、この電気抵抗値を基に前
    記ずれ量検出手段の検出結果を補正する補正手段とを含
    むことを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
14. 【請求項１４】 層間絶縁膜の下に形成された第１の導
    電性層と前記層間絶縁膜の上に形成された第２の導電性
    層とが前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを
    介して互いに電気的に接続されてなる実回路部、および
    この実回路領域から離間した位置に評価回路部をそれぞ
    れ有する半導体装置の製造方法であって、 前記実回路部および評価回路部にわたって導電性層を形
    成し、この導電性層をパターニングすることにより第１
    の導電性層および第１の評価用導電性層を形成し、これ
    ら第１の導電性層および第１の評価用導電性層上に層間
    絶縁膜および評価用層間絶縁膜となる絶縁膜を形成した
    後、実回路部の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成す
    ると同時に、評価回路部の評価用層間絶縁膜に、ずれ検
    出方向に沿って開口幅が変化する評価用開口部を形成す
    る工程と、 前記層間絶縁膜および評価用層間絶縁膜の上に導電材料
    を堆積させた後、この堆積層を選択的に除去することに
    より、前記実回路部に第２の導電性層のパターンを形成
    し前記コンタクトホールを介して第２の導電性層と電気
    的に接続させると共に、前記評価回路部の評価用層間絶
    縁膜に設けられた評価用開口部に対して交差しかつ下層
    の第１の評価用導電性層と電気的に接続された検出部を
    有する第２の評価用導電性層を形成する工程と、 前記第１の評価用導電性層と第２の評価用導電性層の検
    出部との間の接触部における電気抵抗値の変化を測定
    し、その測定値を予め求めた基準値と比較することによ
    り、実回路部における層間絶縁膜のパターンに対する第
    ２の導電性層のパターンの合わせずれ量を検出する位置
    合わせ精度検出工程とを含むことを特徴とする半導体装
    置の製造方法。