JPH09175887A

JPH09175887A - 単結晶引上装置

Info

Publication number: JPH09175887A
Application number: JP34170395A
Authority: JP
Inventors: Takashi Atami; 貴熱海; Hisashi Furuya; 久降屋; Michio Kida; 道夫喜田
Original assignee: Mitsubishi Materials Silicon Corp; Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Silicon Corp; Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1995-12-27
Filing date: 1995-12-27
Publication date: 1997-07-08
Anticipated expiration: 2015-12-27
Also published as: JP3342625B2

Abstract

(57)【要約】【課題】単結晶引上装置において、内ルツボを設置す
る際に生じる気泡の付着を抑制することを課題とする。【解決手段】気密容器の内部に設けられた外ルツボに
半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に筒状仕切り体で
ある内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、前記内ル
ツボ内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結
晶引上装置において、前記内ルツボは、側壁に形成され
前記二重ルツボを形成した状態で半導体融液を内部に流
入させる連通孔を有し、該連通孔は、少なくとも上縁部
が連通孔の内方に向かって漸次肉厚が薄く設定されたテ
ーパ部とされている技術が採用される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、二重構造のルツボ
を用いて貯留された半導体融液より半導体単結晶を引き
上げる単結晶引上装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、シリコン（Ｓｉ）やガリウムヒ素
（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を成長する方法の一つと
して、ＣＺ法が知られている。このＣＺ法は、大口径、
高純度の単結晶が無転位あるいは格子欠陥の極めて少な
い状態で容易に得られること等の特徴を有することか
ら、様々な半導体結晶の成長に用いられている方法であ
る。

【０００３】近年、単結晶の大口径化、高純度化、酸素
濃度および不純物濃度等の均一化の要求に伴いこのＣＺ
法も様々に改良され実用に供されている。上記ＣＺ法の
改良型の一つにいわゆる二重ルツボを用いた連続チャー
ジ型磁界印加ＣＺ法（以下、ＣＭＣＺ法と略称する）が
提案されている。この方法は、外部からルツボ内の半導
体融液に磁界を印加することにより、前記半導体融液内
の対流を抑制し極めて酸素濃度の制御性が良く単結晶化
率が良い単結晶を成長することができ、外側のルツボと
内側のルツボとの間に原料を連続供給し長尺の半導体単
結晶を容易に得ることができる等の特徴を有する。した
がって、大口径かつ長尺の半導体単結晶を得るには最も
優れた方法の一つであると言われている。

【０００４】図７は、上記のＣＭＣＺ法を用いたシリコ
ンの単結晶引上装置の一例である。この単結晶引上装置
１は、中空の気密容器であるチャンバ２内に、二重ルツ
ボ３、ヒーター４、原料供給装置５がそれぞれ配置さ
れ、該チャンバ２の外部にマグネット６が配置されてい
る。

【０００５】二重ルツボ３は、略半球状の石英（ＳｉＯ
₂）製の外ルツボ１１と、図８の（ａ）に示すように、
該外ルツボ１１内に設けられた円筒状の仕切り体である
石英（ＳｉＯ₂）製の内ルツボ１２とから形成され、該
内ルツボ１２の側壁には、内ルツボ１２と外ルツボ１１
との間（原料融解領域）と内ルツボ１２の内側（結晶成
長領域）とを連通する連通孔１３が複数個形成されてい
る。

【０００６】この二重ルツボ３は、チャンバ２の中央下
部に垂直に立設されたシャフト１４上のグラファイト製
のサセプタ１５に載置されており、前記シャフト１４の
軸線を中心として水平面上で所定の角速度で回転する構
成になっている。そして、この二重ルツボ３内には半導
体融液（加熱融解された半導体単結晶の原料）２１が貯
留されている。

【０００７】ヒーター４は、半導体の原料をルツボ内で
加熱・融解するとともに生じた半導体融液２１を保温す
るもので、通常、抵抗加熱が用いられる。原料供給装置
５は、所定量の半導体の原料２２を外ルツボ１１と内ル
ツボ１２との間の半導体融液２１面上に連続的に投入す
るものである。

【０００８】マグネット６は、二重ルツボ３の外方から
二重ルツボ３内の半導体融液２１に磁界を印加すること
で、半導体融液２１内で発生するローレンツ力により該
半導体融液２１の対流の制御および酸素濃度の制御、液
面振動の抑制等を行うものである。

【０００９】上記原料供給装置５から供給させる原料２
２としては、例えば、多結晶シリコンのインゴットを破
砕機等で破砕してフレーク状にしたもの、あるいは、気
体原料から熱分解法により粒状に析出させた多結晶シリ
コンの顆粒が好適に用いられ、必要に応じてホウ素
（Ｂ）（ｐ型シリコン単結晶を作る場合）やリン（Ｐ）
（ｎ型シリコン単結晶を作る場合）等のドーパントと呼
ばれる添加元素がさらに供給される。また、ガリウムヒ
素（ＧａＡｓ）の場合も同様で、この場合、添加元素は
亜鉛（Ｚｎ）もしくはシリコン（Ｓｉ）等となる。

【００１０】上記の単結晶引上装置１により、内ルツボ
１２の上方かつ軸線上に配された引上軸２４に種結晶２
５を吊り下げ、半導体融液２１上部において種結晶２５
を核として半導体単結晶２６を成長させる。

【００１１】ところで、上記の単結晶引上装置では、特
開昭６３−３０３８９４号公報に記載されているよう
に、単結晶を成長する前工程において、外ルツボ１１に
予め多結晶シリコン塊等の多結晶原料を融解させて半導
体融液２１を貯留し、外ルツボ１１の上方に配された内
ルツボ１２を、外ルツボ１１内に載置して、二重ルツボ
３を形成している。このように多結晶原料の融解後に二
重ルツボ３を形成するのは、多結晶原料を完全に融解し
て半導体融液２１を得るために、ヒーター４によって外
ルツボ１１内の原料を単結晶成長温度以上の温度まで高
温加熱する必要があり、この際に、予め内ルツボ１２を
外ルツボ１１内に載置させていると、内ルツボ１２に大
きな熱変形が生じてしまうからである。

【００１２】したがって、多結晶原料を完全に融解した
後、ヒーター４による加熱をある程度弱めてから内ルツ
ボ１２を外ルツボ１１に載置させることによって、初期
原料融解時の高温加熱を避け、内ルツボ１２の変形を抑
制している。

【００１３】また、内ルツボ１２に形成された連通孔１
３は、原料供給時に半導体融液２１を内ルツボ１２の外
側から内ルツボ１２の内側にのみ流入させるように一定
の開口径以下に設定されている。すなわち、この理由は
連通孔１３の開口面積が大きすぎると、結晶成長領域か
ら半導体融液２１が対流により原料融解領域に戻る現象
が生じると単結晶成長における不純物濃度および融液温
度等の制御が困難になってしまうためである。

【００１４】しかしながら、連通孔１３の開口径が小さ
すぎると、内ルツボ１２の外側から内ルツボ１２の内側
へ半導体融液２１が流入し難くなり、内ルツボ１２の外
側と内ルツボ１２の内側における半導体融液２１の液位
に差が生じ易くなるとともに、この差を相殺させようと
する力で液面が揺れてしまい単結晶成長に悪影響を及ぼ
してしまう。このため、前記連通孔１３は、内ルツボ１
２の内側から内ルツボ１２の外側に半導体融液２１が逆
流しないとともに、内ルツボ１２の内側と内ルツボ１２
の外側の半導体融液２１の液位差が生じない範囲の開口
径に設定されている。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
単結晶引上装置には、以下のような課題が残されてい
る。すなわち、外ルツボ１１内に半導体融液２１を貯留
した後に、内ルツボ１２を載置して二重ルツボを形成す
るため、内ルツボ１２に形成されている複数の連通孔１
３には、図８の（ｂ）に示すように、雰囲気ガスとして
用いられる不活性ガス、例えばアルゴン等の気泡Ａが付
着してしまう場合がある。このように気泡Ａが付着した
状態の連通孔１３では、実質的な開口径が狭まってしま
うとともに、半導体融液２１が内ルツボ１２の外側から
連通孔１３を通して内ルツボ１２内に流入する際に、融
液流抵抗が増大してその流れが阻害されてしまう。すな
わち、連通孔１３の開口径が前述した好適な範囲より小
さくなってしまい、単結晶成長が困難となってしまう。
また、連通孔１３の開口径を大きく設定すれば、付着し
た気泡Ａの影響が低減されると考えられるが、上述した
ように連通孔１３の開口径には上限があり、開口径の拡
大化も制限される。

【００１６】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、内ルツボを設置する際に生じる気泡の付着を抑制
し、長尺大口径の単結晶を安定して引き上げる装置を提
供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の単結晶引上装置では、気密容器の内部に設けら
れた外ルツボに半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に
筒状仕切り体である内ルツボを載置して二重ルツボを形
成し、前記内ルツボ内の半導体融液より半導体単結晶を
引き上げる単結晶引上装置において、前記内ルツボは、
側壁に形成され前記二重ルツボを形成した状態で半導体
融液を内部に流入させる連通孔を有し、該連通孔は、少
なくとも上縁部が下方に向かって漸次肉厚が薄く設定さ
れたテーパ部とされている。

【００１８】この単結晶引上装置では、連通孔の上縁部
がテーパ部とされているので、二重ルツボを形成する際
に、内ルツボが半導体融液中に浸入すると、半導体融液
が連通孔に浸入し付着していた気泡を押し上げるととも
にテーパ部とされた上縁部によって外部に誘導すること
から、連通孔への気泡の付着が防止される。また、前記
連通孔の上縁部先端の幅が狭くなり、連通孔の全周縁部
先端と気泡との接触面積が減少することから、この点に
おいても半導体融液が浸入する際に気泡の離脱が容易と
なる。

【００１９】請求項２記載の単結晶引上装置では、気密
容器の内部に設けられた外ルツボに半導体融液を貯留
し、この外ルツボ内に筒状仕切り体である内ルツボを載
置して二重ルツボを形成し、前記内ルツボ内の半導体融
液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置におい
て、前記内ルツボは、下端に形成され前記二重ルツボを
形成した状態で半導体融液を内部に流入させる連通部を
形成する切欠部を有し、該切欠部は、少なくとも上縁部
が下方に向かって漸次肉厚が薄く設定されたテーパ部と
されている。

【００２０】この単結晶引上装置では、切欠部の上縁部
がテーパ部とされているので、内ルツボの下端を半導体
融液に接触させた段階で既に切欠部の下部に半導体融液
が浸入するとともに、その半導体融液が切欠部に徐々に
浸入して切欠部の気泡を押し上げる。このとき、該気泡
は、テーパ部とされた上縁部によって外部に誘導される
ことから、切欠部への気泡の付着が防止される。また、
前記切欠部の上縁部先端の幅が狭くなり、該上縁部先端
と気泡との接触面積が減少することから、請求項１記載
の単結晶引上装置と同様に、この点においても半導体融
液が浸入する際に気泡の離脱が容易となる。なお、前記
切欠部は、内ルツボが外ルツボ内に載置されて二重ルツ
ボを形成した状態では、半導体融液を内部に流入させる
連通部となる。

【００２１】請求項３記載の単結晶引上装置では、請求
項１または２のいずれかに記載の単結晶引上装置におい
て、前記上縁部は、内ルツボの外面から内面まで前記連
通孔または切欠部の内方に向けて傾斜した傾斜面を有す
る。

【００２２】この単結晶引上装置では、連通孔または切
欠部の上縁部に、内ルツボの外面から内面に下方に向け
て傾斜した傾斜面が形成されているので、二重ルツボを
形成する際に、半導体融液が気泡を押し上げるととも
に、前記傾斜面に誘導されて、内ルツボの外側に押し出
される。したがって、結晶成長領域である内ルツボの内
側への前記気泡の流入が抑制される。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の第１形態を
図１および図２を参照しながら説明する。これらの図に
あって、符号３１はシリコンの単結晶引上装置、３２は
連通孔、３３は内ルツボを示している。

【００２４】第１形態の単結晶引上装置３１は、図１に
示すように、従来例で説明した単結晶引上装置１におい
て連通孔１３が形成された内ルツボ１２の代わりに、前
記連通孔１３とは異なる形状の連通孔３２が形成された
内ルツボ３３を用いたものであり、図１において図７に
示す構成要素と同一の要素には同一符号を付してあり、
この同一要素については説明を省略する。

【００２５】単結晶引上装置３１は、図２に示すよう
に、円筒状の仕切り体である石英製の内ルツボ３３を半
導体融液２１が貯留された外ルツボ１１内に載置した二
重ルツボ構造を有するものである。

【００２６】前記内ルツボ３３は、その側壁の下部に互
いに軸線を中心に一定距離離間して配された３つの連通
孔３２が形成されている。これらの連通孔３２は、図３
の（ａ）および（ｂ）に示すように、上半分の上縁部３
２Ａが連通孔３２の内方に向かって漸次肉厚が薄く設定
されたテーパ部とされ、最小開口部分が円形状に形成さ
れている。前記上縁部３２Ａは、内ルツボ３３の外側お
よび内側の両方とも傾斜面とされたテーパ部であり、そ
の先端３２Ｂが連通孔３２の内部に位置するように形成
されている。

【００２７】また、連通孔３２の開口径は、内ルツボ３
３内外の液位に差が生じず、かつ内ルツボ３３内から内
ルツボ１２の外側へ半導体融液２１が戻る逆流現象が生
じない範囲に設定されている。

【００２８】次に、本発明に係る単結晶引上装置の一形
態におけるシリコンの半導体単結晶を成長させる方法に
ついて説明する。

【００２９】〔初期原料融解工程〕まず、多結晶シリコ
ン塊の多結晶原料を所定量だけ外ルツボ１１内に入れ、
チャンバ２内を真空ポンプ等で排気し真空状態とする。
また、該チャンバ２内にアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガ
スを導入し、シャフト１４を軸線を中心として所定の角
速度で水平面上で回転させることで外ルツボ１１を所定
の角速度で回転させながら、ヒーター４に通電し外ルツ
ボ１１内の多結晶原料を単結晶成長温度以上の温度まで
加熱し、この原料を完全に融解する。

【００３０】〔二重ルツボ形成工程〕原料が完全に融解
した後、ヒーター４による加熱を若干弱めるとともに、
外ルツボ１１の上方に軸線を同じくして配される内ルツ
ボ３３を半導体融液２１内に載置し、形成する。

【００３１】このとき、連通孔３２の上縁部３２Ａがテ
ーパ部とされているので、内ルツボ３３が半導体融液２
１中に浸入すると、半導体融液２１が連通孔３２に浸入
し付着していた気泡Ａを押し上げるとともにテーパ部と
された上縁部３２Ａによって外側または内側のいずれか
の外部に誘導することから、連通孔３２への気泡Ａの付
着が防止される。また、前記連通孔３２の上縁部３２Ａ
の先端３２Ｂの幅が狭くなり、該先端３２Ｂと気泡Ａと
の接触面積が減少することから、この点においても半導
体融液２１が浸入する際に気泡Ａの離脱が容易となる。

【００３２】〔単結晶成長工程〕二重ルツボ３を形成し
た後、マグネット６に通電し所定の磁界を印加し、ヒー
ター４の電力を調整して半導体融液２１の中央液面２３
付近を単結晶成長温度に保ち、引上軸２４により吊り下
げられた種結晶２５を半導体融液２１になじませた後、
この種結晶２５を核として半導体単結晶２６を成長させ
る。ここでは、種結晶を無転位化した後にこの単結晶の
径を徐々に大口径化し所定の径の半導体単結晶２６とす
る。

【００３３】この結晶成長過程においては、半導体単結
晶２６の成長量（引上量）に応じてシリコンの粒状の原
料２２が連続的に投入され（必要に応じてドーパントを
入れる。）、この投入された原料２２は内ルツボ１２の
外側で融解し、連通孔３２を通って内ルツボ３３内に連
続的に供給される。以上により、半導体単結晶２６を成
長することができる。

【００３４】次に、本発明の実施の第２形態を図４を参
照しながら説明する。これらの図にあって、符号４１は
内ルツボ、４２は連通孔を示している。

【００３５】第２形態と第１形態との異なる点は、第２
形態の内ルツボ４１における連通孔４２の周縁部が、連
通孔４２の内方に向かって漸次肉厚が薄くなるテーパ部
とされた上縁部４２Ａおよび下縁部４２Ｂから構成され
ている点である。また、前記上縁部４２Ａは、内ルツボ
４１の外面４１Ａから内面４１Ｂまで連通孔４２の内方
に向けて傾斜した傾斜面４２Ｃを有するとともに、下縁
部４２Ｂは、内ルツボ４１の外面４１Ａから内面４１Ｂ
まで連通孔４２の内方に向けて傾斜した傾斜面４２Ｄを
有している。

【００３６】すなわち、二重ルツボを形成する際に、連
通孔４２の気泡は、半導体融液２１の流入に伴って上縁
部４２Ａの傾斜面４２Ｃに誘導されるとともに、内ルツ
ボ４１の外方に押し出される。したがって、結晶成長領
域となる内ルツボ４１内側への気泡の流入を抑制するこ
とができる。

【００３７】また、連通孔４２の上縁部４２Ａだけでな
く下縁部４２Ｂにおいてもテーパ部とされているので、
全周縁部の先端の幅が狭くなり、該先端と気泡との接触
面積が極めて少なくなることから、半導体融液２１が浸
入する際に気泡をさらに容易に離脱させることができ
る。

【００３８】次に、本発明の実施の第３形態を図５およ
び図６を参照しながら説明する。これらの図にあって、
符号５１は内ルツボ、５２は切欠部を示している。

【００３９】第３形態と第２形態との異なる点は、第３
形態における内ルツボ５１では、半導体融液２１を内部
に流入させる連通部として連通孔ではなく切欠部５２が
形成されている点である。すなわち、図５に示すよう
に、内ルツボ５１は、その下端の２カ所に互いに軸線に
対して対称な位置に切欠部５２が形成され、これらの切
欠部５２は、二重ルツボを形成した状態で半導体融液２
１を内部に流入させる連通部を形成するものである。

【００４０】前記切欠部５２は、図６の（ａ）に示すよ
うに、下部に垂直に立ち上がる立ち上がり部５２Ｂが形
成されているとともに、その上部には上方に向かって漸
次幅が狭められ９０度の角度を有する頂部５２Ｃが形成
されている。前記立ち上がり部５２Ｂおよび頂部５２Ｃ
における全周縁部５２Ｄは、切欠部５２の内方に向かっ
て漸次肉厚が薄く設定されたテーパ部とされている。

【００４１】したがって、切欠部５２の周縁部５２Ｄが
テーパ部とされているので、内ルツボ５１の下端を半導
体融液２１に接触させた段階で既に切欠部５２の下部に
半導体融液２１が浸入するとともに、その半導体融液２
１が切欠部５２に徐々に浸入して切欠部５２の気泡を押
し上げる。このとき、該気泡は、テーパ部とされた周縁
部５２Ｄによって内ルツボ５１外側の外部に誘導される
ことから、切欠部５２への気泡の付着が防止される。

【００４２】また、切欠部５２は、内ルツボ５１を外ル
ツボ１１内に載置した状態における最小開口径が、内ル
ツボ５１内外の液位に差が生じず、かつ内ルツボ５１の
内側から内ルツボ５１の外側へ半導体融液２１が戻る逆
流現象が生じない範囲に設定されている。

【００４３】なお、本発明は、次のような実施形態をも
含むものである。（１）内ルツボ３３、４１、５１は円筒状に形成された
仕切り体であるが、筒状であれば他の形状でも構わな
い。例えば、有底円筒状の仕切り体としてもよい。（２）連通孔３２の上縁部３２Ａ、連通孔４２の全周縁
部４２Ａおよび切欠部５２の全周縁部５２Ｄは、それぞ
れ断面形状が三角形のテーパ部としたが、断面形状が台
形とされるテーパ部としても構わない。

【００４４】（３）内ルツボ３３、４１に連通孔３２、
４２をそれぞれ３個、内ルツボ５１に切欠部５２を２個
設けたが、これらの連通孔３２、４２および切欠部５２
を単数または上記以外の個数設けても構わない。特に、
成長する単結晶の大口径化にともなってルツボを大口径
化する場合は、内ルツボの周方向に多数箇所設けること
が望ましい。（４）単結晶引上装置としてＣＭＣＺ法を採用したが、
二重ルツボ構造であるなら、他の単結晶製造方法を適用
しても構わない。例えば、磁場印加を行わない連続チャ
ージ型ＣＺ法（ＣＣＺ法）を採用してもよい。

【００４５】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。（１）請求項１記載の単結晶引上装置によれば、連通孔
の上縁部がテーパ部とされているので、二重ルツボを形
成する際に、半導体融液が連通孔に浸入し付着していた
気泡を押し上げるとともにテーパ部とされた上縁部によ
って外部に誘導することから、連通孔への気泡の付着を
抑制することができる。また、前記連通孔の上縁部先端
の幅が狭くなり、該上縁部先端と気泡との接触面積が減
少することから、気泡の離脱が容易となる。したがっ
て、連通孔から気泡が容易に除去されるので、半導体融
液の連通孔流入時における抵抗の増加を抑制することが
でき、設定通りの連通部の開口面積が得られるととも
に、良好な単結晶成長を行うことができる。

【００４６】（２）請求項２記載の単結晶引上装置によ
れば、切欠部の上縁部がテーパ部とされているので、二
重ルツボを形成する際に、半導体融液が切欠部に徐々に
浸入し気泡を押し上げるとともにテーパ部とされた上縁
部によって外部に誘導することから、切欠部への気泡の
付着をさらに抑制することができる。また、前記切欠部
の上縁部先端の幅が狭くなり、該上縁部先端と気泡との
接触面積が減少することから、気泡の離脱が容易とな
る。したがって、切欠部から気泡が容易に除去されるの
で、半導体融液の切欠部流入時における抵抗の増加を抑
制することができ、二重ルツボ形成時に設定通りの切欠
部の開口面積が得られるとともに、より良好な単結晶成
長を行うことができる。

【００４７】（３）請求項３記載の単結晶引上装置によ
れば、上縁部に、内ルツボの外面から内面まで連通孔ま
たは切欠部の内方に向けて傾斜した傾斜面が形成されて
いるので、二重ルツボを形成する際に、気泡を傾斜面で
誘導して、内ルツボの外側に押し出すことができる。し
たがって、結晶成長領域である内ルツボ内側への前記気
泡の流入が抑制され、該気泡による結晶成長への影響を
低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る単結晶引上装置の第１形態を示す
断面図である。

【図２】本発明に係る単結晶引上装置の第１形態におけ
る内ルツボを示す斜視図である。

【図３】本発明に係る単結晶引上装置の第１形態におけ
る内ルツボを示す要部を拡大した正面図および該正面図
におけるＸ−Ｘ線矢視断面図である。

【図４】本発明に係る単結晶引上装置の第２形態におけ
る内ルツボを示す要部を拡大した正面図および該正面図
におけるＹ−Ｙ線矢視断面図である。

【図５】本発明に係る単結晶引上装置の第３形態におけ
る内ルツボを示す斜視図である。

【図６】本発明に係る単結晶引上装置の第３形態におけ
る内ルツボを示す要部を拡大した正面図および該正面図
におけるＺ−Ｚ線矢視断面図である。

【図７】本発明に係る単結晶引上装置の従来例を示す断
面図である。

【図８】本発明に係る単結晶引上装置の従来例における
内ルツボを示す斜視図および要部を拡大した正面図であ
る。

【符号の説明】

１１外ルツボ２１半導体融液２２原料３１単結晶引上装置３２、４２連通孔３２Ａ、４２Ａ上縁部３３、４１、５１内ルツボ４２Ｂ下縁部４２Ｃ傾斜面５２切欠部５２Ｄ周縁部Ａ気泡

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者喜田道夫埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地三菱マテリアル株式会社総合研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】気密容器の内部に設けられた外ルツボに
半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に筒状仕切り体で
ある内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、前記内ル
ツボ内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結
晶引上装置において、前記内ルツボは、側壁に形成され前記二重ルツボを形成
した状態で半導体融液を内部に流入させる連通孔を有
し、該連通孔は、少なくとも上縁部が連通孔の内方に向かっ
て漸次肉厚が薄く設定されたテーパ部とされていること
を特徴とする単結晶引上装置。
【請求項２】気密容器の内部に設けられた外ルツボに
半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に筒状仕切り体で
ある内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、前記内ル
ツボ内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結
晶引上装置において、前記内ルツボは、下端に形成され前記二重ルツボを形成
した状態で半導体融液を内部に流入させる連通部を形成
する切欠部を有し、該切欠部は、少なくとも上縁部が切欠部の内方に向かっ
て漸次肉厚が薄く設定されたテーパ部とされていること
を特徴とする単結晶引上装置。
【請求項３】請求項１または２のいずれかに記載の単
結晶引上装置において、前記上縁部は、内ルツボの外面から内面まで前記連通孔
または切欠部の内方に向けて傾斜した傾斜面を有するこ
とを特徴とする単結晶引上装置。