JPH09175031A

JPH09175031A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH09175031A
Application number: JP8179624A
Authority: JP
Inventors: Tsutayoshi Misawa; 伝美三沢; Kenichi Sugimoto; 賢一杉本; Taizo Nishimoto; 泰三西本; Takeshi Tsuda; 武津田; Hideki Umehara; 英樹梅原; Hirosuke Takuma; 啓輔詫摩
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1995-07-20
Filing date: 1996-07-09
Publication date: 1997-07-08

Abstract

(57)【要約】【解決手段】基板上に、少なくとも色素層、反射層を
有する光記録媒体において、該色素層中に、波長４５０
〜６３０ｎｍに吸収極大を有するアゾ化合物またはその
金属錯体、及び波長６８０〜９００ｎｍに吸収極大を有
するフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする
光記録媒体。【効果】７７０〜８３０ｎｍから選択される波長の光
に対してＣＤ規格に準拠した記録及び／又は再生が可能
で、且つ、波長６２０〜６９０ｎｍから選択される波長
の光に対して記録及び／又は再生ができる、良好な記録
特性を有する互換性のある光記録媒体を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体、特に
複数のレーザー波長に対して記録及び又は再生可能な光
記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトディスク（以下、ＣＤと略
す）規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ
（ＣＤ−Recordable）が提案・開発されている（例え
ば、日経エレクトロニクス No. 465, p.107, 1989年1
月23日号、OPTICAL DATA STORAGE DIGEST SERIES vol.1
P45, 1989 等）。このＣＤ−Ｒは，透明樹脂基板上
に、記録層、反射層、保護層がこの順で積層されてお
り、該記録層に高パワーのレーザー光を照射することに
より、記録層が物理的あるいは化学的変化を起こし、ピ
ットの形で情報を記録する。形成されたピット部位に、
低パワーのレーザー光を照射し、反射率の変化を検出す
ることによりピットの情報を再生することができる。こ
のような光記録媒体は、７７０〜８３０ｎｍの近赤外半
導体レーザーを用いて記録・再生が行われ、レッドブッ
クやオレンジブック等のＣＤの規格に準拠しているた
め、ＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーでも使う
ことができるという特徴を有する。

【０００３】最近、７７０ｎｍよりも短波長の半導体レ
ーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍ及び６３０ｎｍの
の赤色半導体レーザーが実用化されている（例えば、日
経エレクトロニクス No. 592, p.65, 1993 年10月11日
号] 。記録・再生用レーザーの短波長化によりビームス
ポットを小さくできるため、高密度の記録・再生ができ
る光記録媒体が可能になる。実際に半導体レーザーの短
波長化とデータ圧縮技術などにより動画を長時間記録で
きる大容量の光記録媒体及びプレーヤーが検討されてい
る（例えば、日経エレクトロニクス No. 589, p.55, 1
993 年 8月30日号、No. 594, p.169, 1993年11月 8日
号）。しかしながら、このような赤色レーザーを用いた
高密度光記録媒体及びプレーヤーが検討されても、ソフ
トの継続性の観点からも、既に大量に普及している従来
のシステムとの互換性を無視することはできない。即
ち、赤色レーザーで記録・再生または再生が可能で、従
来の７８０ｎｍ近赤外半導体レーザーでの記録・再生ま
たは再生が可能であるという互換性のある光記録媒体が
必要となる。

【０００４】従来のＣＤやＣＤ−ＲＯＭ媒体は、反射率
に関して波長依存性が少なく、高密度対応プレーヤーで
容易に再生が可能であるが、一方、従来のＣＤ−Ｒ媒体
は記録層に色素を用いているため光学特性の波長依存性
が大きく、その結果、ＣＤ−Ｒ媒体の反射率が波長によ
って大きく変化する。例えば、７８０ｎｍ付近の光に対
する反射率は６５％以上有するが、６２０〜６９０ｎｍ
から選ばれた赤色光に対しては、記録層に用いている色
素の吸収が大きく屈折率が小さいため、反射率は１０％
程度と小さく、変調度も小さく、且つ、記録波形に大き
な歪が観測される。反射率が１０％程度では、信号の検
出が困難になり、仮になんとか検出できたとしても、エ
ラーレートやジッターが大きくなり、高密度対応再生プ
レーヤーで再生することは難しい。また、再生光安定性
に劣り、同じトラックを数回連続再生しても劣化が生
じ、実用に耐えることが出来ないという問題も生じた。
さらに、記録部の反射率が未記録部より大きくなるlow
to high 記録となり、通常のＣＤ等（high to low 記
録）とは極性が逆になり好ましくない。

【０００５】二層色素膜を設けた光記録媒体の例とし
て、特開昭58-112794 ではレーザービームの熱エネルギ
ーで状態変化を起こさない高反射率の色素層と、光吸収
能を有する有機物質を順次積層した機能分離記録膜を提
案している。特開昭60-239948では、高反射率のシアニ
ン色素またはメロシアニン色素と、有機光吸収層を積層
した媒体を提案している。特開昭63-153192 では、異な
る光学定数を有する色素記録層を提案している。特開平
1-110193 には、あるレーザー波長に対して透過率・吸
収率の異なる二種の有機色素の積層媒体が提案されてい
る。特開平4-330649は、あるレーザー光に対しての吸収
率または融点の異なる有機二層記録層の積層を提案して
いる。しかしながら、これらの提案は、ある一つの波長
のレーザー光に対する反射率、光劣化、高感度記録、エ
ラー発生率等に対する改良にとどまるものであり、複数
のレーザー光に対して記録・再生の互換性を有する光記
録媒体ではない。

【０００６】また、特開昭61-74149は吸収波長の異なる
有機色素を積層して、ピットの深さ方向の差をつけるこ
とで記録容量を上げることを提案しているが、これも複
数のレーザー光に対して記録・再生の互換性を有する光
記録媒体ではない。一方、特開昭62-30090、特開昭63-9
577 、特開昭63-9578 、特開昭63-9579 、特開平3-2689
94、特開平4-46186 、国際出願特許WO91/14740、特開平
4-308791、国際出願特許WO91/18057、国際出願特許WO91
/18950、特開平4-361088、特開平5-279580、特開平6-65
514 では、アゾ化合物の金属錯体を「記録層」に用いた
媒体が開示されている。しかしながら、これらの公報で
提案されている媒体は、オレンジブックを満足し、且
つ、６２０〜６９０ｎｍの光でも再生したり、または記
録及び再生することはできない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の問題を解決すること、即ち、波長６２０〜６９０ｎｍ
から選択される波長の光に対して記録・再生または再生
が出来、且つ、従来の７７０〜８３０ｎｍから選択され
る波長の光に対してＣＤ規格に準拠した記録・再生また
は再生が可能で、良好な記録特性を有する光記録媒体を
提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、基板上に、少なくとも、色素層、反射層及び保護層
を有する光記録媒体において、該色素層中に、波長４５
０〜６３０ｎｍに吸収極大を有する一般式（１）（化
５）のアゾ化合物またはその金属錯体と波長６８０〜９
００ｎｍに吸収極大を有する一般式（２）（化６）で示
されるフタロシアニン化合物を含有することを特徴とす
る光記録媒体、

【０００９】

【化５】〔式中、Ｒ₁及びＲ₂は各々独立に水素原子、総炭素数
１〜１５の置換または未置換のアルキル基、総炭素数６
〜２１の置換または未置換のアリール基、総炭素数７〜
２２の置換または未置換のアラルキル基、総炭素数２〜
１６の置換または未置換のアルケニル基を表し、Ｒ₃、
Ｒ₄、Ｒ₅及びＲ₆は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン基、スル
ホンアミド基、アミノ基、総炭素数１〜１５の置換また
は未置換のアルキル基、総炭素数１〜１５の置換または
未置換のアルコキシ基、総炭素数６〜２１の置換または
未置換のアリール基、総炭素数１〜１５の置換または未
置換のアシル基、総炭素数２〜１６の置換または未置換
のアルキルカルボキシル基、総炭素数２〜２２の置換ま
たは未置換のアラルキル基、総炭素数２〜１６の置換ま
たは未置換のアルキルカルボニルアミノ基、総炭素数１
〜１５の置換または未置換のアルキルスルホンアミノ
基、総炭素数１〜１５の置換または未置換のアルキルア
ミノ基、総炭素数１〜１５の置換または未置換のアルキ
ルスルホニル基、総炭素数２〜１６の置換または未置換
のアルケニル基を表し、Ｒ₁とＲ₄、Ｒ₂とＲ₆及びＲ
₁とＲ₂は連結基を介して環を形成してもよく、Ｒ
₇は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボ
キシル基、スルホン基、スルホンアミド基、アミノ基、
総炭素数１〜１５の置換または未置換のアルキル基、総
炭素数１〜１５の置換または未置換のアルコキシ基、総
炭素数６〜２１の置換または未置換のアリール基、総炭
素数１〜１５の置換または未置換のアシル基、総炭素数
２〜１６の置換または未置換のアルキルカルボキシル
基、総炭素数７〜２２の置換または未置換のアラルキル
基、総炭素数２〜１６の置換または未置換のアルキルカ
ルボニルアミノ基、総炭素数１〜１５の置換または未置
換のアルキルスルホンアミノ基、総炭素数１〜１５の置
換または未置換のアルキルアミノ基、総炭素数１〜１５
の置換または未置換のアルキルスルホニル基、総炭素数
２〜１６の置換または未置換のアルケニル基、シアノ
基、ニトロ基、メルカプト基、チオシアノ基、クロロス
ルホン酸基、総炭素数１〜１５の置換または未置換のア
ルキルチオ基、総炭素数２〜１６の置換または未置換の
アルキルアゾメチン基、総炭素数１〜１５の置換または
未置換のアルキルアミノスルホニル基を表し、Ｘは硫黄
原子またはＮ−Ｒ₈を表し、（ここで、Ｒ₈は水素原
子、総炭素数１〜１５の置換または未置換のアルキル
基、総炭素数６〜２１の置換または未置換のアリール
基、総炭素数７〜２２の置換または未置換のアラルキル
基、総炭素数２〜１６の置換または未置換のアルケニル
基を表す。）Ｙは窒素原子またはＣ−Ｒ₉を表す（ここ
で、Ｒ₉はＲ₇と同じ意味を表す。）。但し、Ｘが硫黄
原子の時、Ｙは窒素原子であり、ＸがＮ−Ｒ₈の時、Ｙ
はＣ−Ｒ₉である。〕

【００１０】

【化６】（式中、Ｙ₁，Ｙ₂，Ｙ₃，Ｙ₄，Ｙ₅，Ｙ₆，Ｙ₇及
びＹ₈は、各々独立に水素原子、炭素数１〜２０の置換
または未置換の炭化水素基、炭素数１〜２０の置換また
は未置換のアルコキシ基、炭素数１〜２０の置換または
未置換のアルキルチオ基を表し、Ｙ₁とＹ₂、Ｙ₃とＹ
₄、Ｙ₅とＹ₆、及びＹ₇とＹ₈の各組み合わせにおい
て、互いに隣接している場合は連結して環状となっても
よい基を表し、他方、Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃及びＡ₄は、各
々独立にハロゲン原子、ニトロ基を表す。ｌ₁、ｌ₂、
ｌ₃及びｌ₄は０〜３の整数を表し、ｍ₁、ｍ₂、ｍ₃
及びｍ₄は０〜３の整数を表し、Ｍは２個の水素原子、
２価の金属原子、３価または４価の置換金属原子、また
はオキシ金属を表す。）色素層中に含有する波長４５０〜６３０ｎｍに吸収
極大を有する化合物が、一般式（３）（化７）で示され
るアゾ化合物の金属錯体であることを特徴とする前記
の光記録媒体、

【００１１】

【化７】〔式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₄、Ｒ₅及びＲ₆は、一般式
（１）と同じ意味を表し、Ｒ₁₀は、ヒドロキシ基または
カルボキシル基を表し、Ｒ₁₁は、水素原子またはハロゲ
ン原子を表す。〕色素層が、波長４５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有
する一般式（１）で示されるアゾ化合物またはその金属
錯体と波長６８０ｎｍ〜９００ｎｍに吸収極大を有する
一般式（２）で示されるフタロシアニン化合物の混合物
を含有する１層構造をとることを特徴とする前記の光
記録媒体、色素層が、波長４５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有
する一般式（１）で示されるアゾ化合物またはその金属
錯体を含有する光干渉層、及び、波長６８０ｎｍ〜９０
０ｎｍに吸収極大を有する一般式（２）で示されるフタ
ロシアニン化合物を含有する記録層の２層構造をとるこ
とを特徴とする前記の光記録媒体、光干渉層の複素屈折率の実部をｎ_i、膜厚をｄ_i(n
m)とした時、記録及び再生波長の光に対して、７０≦ｎ
_i×ｄ_i≦３００であることを特徴とする前記の光記
録媒体、波長７７０〜８３０ｎｍの範囲から選択される波長
λ₁のレーザー光を用いて記録及び／又は再生が可能で
あり、且つ、６２０〜６９０ｎｍの範囲から選択される
波長λ₂のレーザー光を用いて記録及び／又は再生が可
能である前記〜〜のいずれかに記載の光記録媒体、波長λ₂のレーザー光を用いて再生が可能である前
記の光記録媒体。基板を通して測定した波長λ₁のレーザー光の反射
率が６５％以上で、且つ、波長λ₂のレーザー光の反射
率が１５％以上である前記またはの光記録媒体、基板を通して測定した波長λ₂のレーザー光の反射
率が２０％以上の前記の光記録媒体、に関するもので
ある。また、本願発明は、下記一般式（４）（化８）で
表される新規なアゾ化合物の金属錯体に関するものであ
る。

【００１２】

【化８】〔式中、Ｒ₁及びＲ₂は各々独立に水素原子、総炭素数
１〜１５の置換または未置換のアルキル基、総炭素数６
〜２１の置換または未置換のアリール基、総炭素数７〜
２２の置換または未置換のアラルキル基、総炭素数２〜
１６の置換または未置換のアルケニル基を表し、Ｒ₁₁は
水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｍｅはニッケル、
コバルト、銅、パラジウム、鉄または亜鉛を表す〕

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明について以下に具体的に説
明する。本発明の光記録媒体の構成は、基板上に色素層
が形成されており、その上に反射層が設けられている。
さらに反射層を保護するために反射層の上に保護層を設
けたり、２枚の媒体を貼り合わせても良い。但し、色素
層が記録層と光干渉層の２層構造から成る場合、記録層
と光干渉層の積層順序は逆転してもよく、基板と色素層
または光干渉層との間、又は記録層または光干渉層と反
射層との間には他の層が存在してもかまわない。

【００１４】基板の材質としては、記録光及び再生光の
波長で透明であればよい。例えば、ポリカーボネート樹
脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアク
リル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子
材料やガラス等の無機材料が利用される。これらの基板
材料は、射出成形法等により円盤状に基板に成形され
る。必要に応じて、基板表面に記録位置を表す案内溝や
ピットを形成することもある。このような案内溝やピッ
トは、基板の成形時に付与するのが好ましいが、基板の
上に紫外線硬化樹脂層を設けて付与することもできる。
通常ＣＤとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直
径８０ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直
径１５ｍｍ程度の穴が開いている。本発明においては、
基板上に色素層を設けるが、本発明の色素層は、最大吸
収波長λmax が６３０ｎｍ未満に存在する一般式（１）
で示されるアゾ化合物またはその金属錯体を含有する。
中でも、波長６２０〜８３０ｎｍでの屈折率が大きく、
吸光度が小さい化合物が好ましい。色素層が記録層と光
干渉層の２層構造から成る場合、アゾ化合物の金属錯体
を主成分とする光干渉層のλ₁における消衰係数が０．
１５以下で、λ₂の消衰係数が０．２以下となることが
好ましい。

【００１５】本発明で用いるアゾ化合物またはその金属
錯体は、前記式（１）で示されるアゾ化合物またはその
金属錯体である前記式（１）の置換基において、ハロゲ
ン原子としては、フッ素、塩素、臭素、沃素であり好ま
しくは、フッ素、塩素、臭素である。置換または未置換
のアルキル基としては、直鎖または分岐のアルキル基、
アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル
基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基、アル
コキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルオ
キシアルキル基、アルコキシアルコキシカルボニルオキ
シアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアル
コキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルコキシア
ルキル基、シアノアルキル基、アシルオキシアルキル
基、アシルオキシアルコキシアルキル基、アシルオキシ
アルコキシアルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキ
ル、スルホンアルキル基、アルキルカルボニルアミノア
ルキル基、アルキルスルホンアミノアルキル基、スルホ
ンアミドアルキル基、アルキルアミノアルキル基、アミ
ノアルキル基、及びアルキルスルホンアルキル基の中か
ら選択される。

【００１６】直鎖または分岐のアルキル基としては炭素
数１〜１５のアルキル基で、ポリカーボネート、アクリ
ル、エポキシ、ポリオレフィン基板等への塗布による加
工性を考慮すれば、メチル基、エチル基、n-プロピル
基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブ
チル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチ
ル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチ
ルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、cyclo-ペンチ
ル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチルペ
ンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル基、
3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,3-ジ
メチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメチル
ブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル基、
2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチ
ルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル-2-
メチルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘプチル基、
2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘ
キシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル
基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチル
ヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジメチ
ルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、n-ノニル
基、n-デシル基、4-エチルオクチル基、4-エチル-4,5-
ジメチルヘキシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、
1,3,5,7-テトラエチルオクチル基、4-ブチルオクチル
基、6,6-ジエチルオクチル基、n-トリデシル基、6-メチ
ル-4- ブチルオクチル基、n-テトラデシル基、n-ペンタ
デシル基、3,5-ジメチルヘプチル基、2,6-ジメチルヘプ
チル基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメチ
ルヘキシル基、1-cyclo-ペンチル-2,2- ジメチルプロピ
ル基、1-cyclo-ヘキシル-2,2- ジメチルプロピル基等が
挙げられる。

【００１７】アルコキシアルキル基としては、メトキシ
メチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブ
トキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル
基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、n-ヘキシ
ルオキシエチル基、4-メチルペンチルオキシエチル基、
1,3-ジメチルブトキシエチル基、2-エチルヘキシルオキ
シエチル基、n-オクチルオキシエチル基、3,5,5-トリメ
チルヘキシルオキシエチル基、2-メチル-1-iso- プロピ
ルプロポキシエチル基、3-メチル-1-iso- プロピルブト
キシエチル基、2-エトキシ-1- メチルエチル基、3-メト
キシブチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエチル
基、3,3,3-トリクロロプロポキシエチル基などの炭素数
２〜１５のものが挙げられる。

【００１８】アルコキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエ
チル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキ
シエチル基、ヘキシルオキシエトキシエチル基、1,2-ジ
メチルプロポキシエトキシエチル基、3-メチル-1-iso-
ブチルブトキシエトキシエチル基、2-メトキシ-1- メチ
ルエトキシエチル基、2-ブトキシ-1- メチルエトキシエ
チル基、2-(2'-エトキシ-1'-メチルエトキシ)-1-メチル
エチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエトキシエチ
ル基、3,3,3-トリクロロプロポキシエトキシエチル基等
が挙げられる。アルコキシアルコキシアルコキシアルキ
ル基の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル
基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエト
キシエトキシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシエ
トキシエトキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシエ
トキシエトキシエチル基などが挙げられる。

【００１９】アルコキシカルボニルアルキル基の例とし
ては、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニ
ルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカ
ルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブト
キシカルボニルエチル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロ
ポキシカルボニルメチル基、2,2,3,3-テトラクロロプロ
ポキシカルボニルメチル基等が挙げられる。アルコキシ
カルボニルオキシアルキル基の例としては、メトキシカ
ルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエ
チル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、2,2,2-ト
リフルオロエトキシカルボニルオキシエチル基、2,2,2-
トリクロロエトキシカルボニルオキシエル基などが挙げ
られる。アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキ
ル基の例としては、メトキシエトキシカルボニルオキシ
エチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル
基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、2,2,
2-トリフルオロエトキシエトキシカルボニルオキシエチ
ル基、2,2,2-トリクロロエトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基などが挙げられる。

【００２０】ヒドロキシアルキル基の例としては、2-ヒ
ドロキシエチル基、4-ヒドロキシブチル基、2-ヒドロキ
シ-3- メトキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- クロロプ
ロピル基、2-ヒドロキシ-3- エトキシプロピル基、3-ブ
トキシ-2- ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- フ
ェノキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、2-ヒド
ロキシブチル基などが挙げられる。ヒドロキシアルコキ
シアルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエチル
基、2-(2'-ヒドロキ-1'-メチルエトキシ）-1- メチルエ
チル基、2-(3'-フルオロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エ
チル基、2-(3'-クロロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エチ
ル基などが挙げられ、ヒドロキシアルコキシアルコキシ
アルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエトキシ
エチル基、[2'-(2"-ヒドロキ-1"-メチルエトキシ）-1'-
メチルエトキシ] エトキシエチル基、[2'-(2"-フルオロ
-1"-ヒドロキシエトキシ）-1'-メチルエトキシ] エトキ
シエチル基、[2'-(2"-クロロ-1"-ヒドロキシエトキシ）
-1'-メチルエトキシ] エトキシエチル基などが挙げられ
る。

【００２１】シアノアルキル基の例としては、2-シアノ
エチル基、2-シアノプロピル基、2-シアノブチル基、4-
シアノブチル基、2-シアノ-3- メトキシプロピル基、2-
シアノ-3- クロロプロピル基、2-シアノ-3- エトキシプ
ロピル基、3-ブトキシ-2- シアノプロピル基、2-シアノ
-3- フェノキシプロピル基などが挙げられる。アシルオ
キシアルキル基の例としては、アセトキシエチル基、プ
ロピオニルオキシエチル基、ブチリルオキシエチル基、
バレリルオキシエチル基、1-エチルペンチルカルボニル
オキシエチル基、2,4,4-トリメチルペンチルカルボニル
オキシエチル基、3-フロオロブチリルオキシエル基、3-
クロロブチリルオキシエチル基などが挙げられ、アシル
オキシアルコキシアルキル基の例としては、アセトキシ
エトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチル
基、バレリルオキシエトキシエチル基、1-エチルペンチ
ルカルボニルオキシエトキシエチル基、2,4,4-トリメチ
ルペンチルカルボニルオキシエトキシエチル基、2-フル
オロプロピオニルオキシエトキシエチル基、2-クロロプ
ロピオニルオキシエトキシエチル基などが挙げられ、ア
シルオキシアルコキシアルコキシアルキル基の例として
は、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニ
ルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエ
トキシエトキシエチル基、1-エチルペンチルカルボニル
オキシエトキシエトキシエチル基、2,4,4-トリメチルペ
ンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチル基、2-
フルオロプロピオニルオキシエトキシエトキシエチル
基、2-クロロプロピオニルオキシエトキシエトキシエチ
ル基などが挙げられる。

【００２２】ハロゲン化アルキル基の例としては、クロ
ルメチル基、クロルエチル基、2,2,2-トリフルオロエチ
ル基、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、ヨウ化
メチル基などが挙げられる。スルホンアルキル基の例と
しては、スルホンメチル基、スルホンエチル基、スルホ
ンプロピル基などが挙げられる。アルキルカルボニルア
ミノアルキル基の例としては、メチルカルボニルアミノ
エチル基、エチルカルボニルアミノエチル基、プロピル
カルボニルアミノエチル基、シクロヘキシルカルボニル
アミノエチル基、スクシンイミノエチル基などが挙げら
れる。アルキルスルホンアミノアルキル基の例として
は、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンア
ミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基などが
挙げられる。スルホンアミドアルキル基の例としては、
スルホンアミドメチル基、スルホンアミドエチル基、ス
ルホンアミドプロピル基などが挙げられる。

【００２３】アルキルアミノアルキル基の例としては、
N-メチルアミノメチル基、N,N-ジメチルアミノメチル
基、N,N-ジエチルアミノメチル基、N,N-ジプロピルアミ
ノメチル基、N,N-ジブルアミノメチル基、などが挙げら
れる。アミノアルキル基の例としては、アミノメチル
基、アミノエチル基、アミノプロピル基などが挙げられ
る。アルキルスルホンアルキル基の例としては、メチル
スルホンメチル基、エチルスルホンメチル基、ブチルス
ルホンメチル基、メチルスルホンエチル基、エチルスル
ホンエチル基、ブチルスルホンエチル基、2,2,3,3-テト
ラフルオロプロピルスルホンメチル基、2,2,3,3-テトラ
クロロプロピルスルホンメチル基などが挙げられる。

【００２４】置換または未置換のアルコキシ基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキ
シ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ
基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、
n-ペンチルオキシ基、iso-ペンチルオキシ基、neo-ペン
チルオキシ基、2-メチルブトキシ基などの低級アルコキ
シ基が挙げられる。置換または未置換のアリール基の例
としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアリール基であり、好ましくは、フェニル基、ニト
ロフェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル
基、メチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル
基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル
基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、トリフ
ルオロメチルナフチル基などが挙げられる。

【００２５】置換または未置換のアシル基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
シル基であり、好ましくは、ホルミル基、アセチル基、
エチルカルボニル基、n-プロピルカルボニル基、iso-プ
ロピルカルボニル基、n-ブチルカルボニル基、iso-ブチ
ルカルボニル基、sec-ブチルカルボニル基、t-ブチルカ
ルボニル基、n-ペンチルカルボニル基、iso-ペンチルカ
ルボニル基、neo-ペンチルカルボニル基、2-メチルブチ
ルカルボニル基、ニトロベンジルカルボニル基などが挙
げられる。置換または未置換のアルキルカルボキシル基
の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有するアルキルカルボキシル基であり、好ましくは、
メチルカルボキシル基、エチルカルボキシル基、n-プロ
ピルカルボキシル基、iso-プロピルカルボキシル基、n-
ブチルカルボキシル基、iso-ブチルカルボキシル基、se
c-ブチルカルボキシル基、t-ブチルカルボキシル基、n-
ペンチルカルボキシル基、iso-ペンチルカルボキシル
基、neo-ペンチルカルボキシル基、2-メチルブチルカル
ボキシル基などの低級アルキルカルボキシル基が挙げら
れる。

【００２６】置換または未置換のアラルキル基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロ
ベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル
基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル
基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シア
ノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基などが挙げられる。置換または未置換のアルキル
カルボニルアミノ基の例としては、上記に挙げたアルキ
ル基と同様な置換基を有するアルキルカルボニルアミノ
基であり、好ましくは、アセチルアミノ基、エチルカル
ボニルアミノ基、n-プロピルカルボニルアミノ基、iso-
プロピルカルボニルアミノ基、n-ブチルカルボニルアミ
ノ基、iso-ブチルカルボニルアミノ基、sec-ブチルカル
ボニルアミノ基、t-ブチルカルボニルアミノ基、n-ペン
チルカルボニルアミノ基、iso-ペンチルカルボニルアミ
ノ基、neo-ペンチルカルボニルアミノ基、2-メチルブチ
ルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミ
ノ基、スクシンイミノ基などの低級アルキルカルボニル
アミノ基が挙げられる。

【００２７】置換または未置換のアルキルスルホンアミ
ノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアルキルスルホンアミノ基であり、好まし
くは、メチルスルホンアミノ基、エチルスルホンアミノ
基、n-プロピルスルホンアミノ基、iso-プロピルスルホ
ンアミノ基、n-ブチルスルホンアミノ基、iso-ブチルス
ルホンアミノ基、sec-ブチルスルホンアミノ基、t-ブチ
ルスルホンアミノ基、n-ペンチルスルホンアミノ基、is
o-ペンチルスルホンアミノ基、neo-ペンチルスルホンア
ミノ基、2-メチルブチルスルホンアミノ基、シクロヘキ
シルスルホンアミノ基などの低級アルキルスルホンアミ
ノ基が挙げられる。置換または未置換のアルキルアミノ
基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアルキルアミノ基であり、好ましくは、N-メ
チルアミノ基、N,N-ジメチルアミノ基、N,N-ジエチルア
ミノ基、N,N-ジプロピルアミノ基、N,N-ジブチルアミノ
基などの低級アルキルアミノ基が挙げられる。

【００２８】置換または未置換のアルキルスルホニル基
の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有するアルキルスルホニル基であり、好ましくは、メ
チルスルホニル基、エチルスルホニル基、n-プロピルス
ルホニル基、iso-プロピルスルホニル基、n-ブチルスル
ホニル基、iso-ブチルスルホニル基、sec-ブチルスルホ
ニル基、t-ブチルスルホニル基、n-ペンチルスルホニル
基、iso-ペンチルスルホニル基、neo-ペンチルスルホニ
ル基、2-メチルブチルスルホニル基、2-ヒドロキシエチ
ルスルホニル基、2-シアノエチルスルホニル基などの低
級アルキルスルホニル基が挙げられる。置換または未置
換のアルケニル基の例としては、上記に挙げたアルキル
基と同様な置換基を有するアルケニル基であり、好まし
くは、プロペニル基、1-ブテニル基、iso-ブテニル基、
1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、2-メチル-1- ブテニ
ル基、3-メチル-1- ブテニル基、2-メチル-2- ブテニル
基、2,2-ジシアノビニル基、2-シアノ-2- メチルカルボ
キシルビニル基、2-シアノ-2- メチルスルホンビニル基
などの低級アルケニル基が挙げられる。

【００２９】置換または未置換のアルキルチオ基の例と
しては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、
エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロピルチオ
基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-ブチルチ
オ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、iso-ペンチ
ルチオ基、neo-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ
基、メチルカルボキシルエチルチオ基などの低級アルキ
ルチオ基が挙げられる。置換または未置換のアルキルア
ゾメチン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアルキルアゾメチン基であり、好ま
しくは、メチルアゾメチン基、エチルアゾメチン基、n-
プロピルアゾメチン基、iso-プロピルアゾメチン基、n-
ブチルアゾメチン基、iso-ブチルアゾメチン基、sec-ブ
チルアゾメチン基、t-ブチルアゾメチン基、n-ペンチル
アゾメチン基、iso-ペンチルアゾメチン基、neo-ペンチ
ルアゾメチン基、2-メチルブチルアゾメチン基、ヒドロ
キシエチルアゾメチン基などの低級アルキルアゾメチン
基が挙げられる。

【００３０】置換または未置換のアルキルアミノスルホ
ニル基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するアルキルアミノスルホニル基であり、好
ましくは、N-メチルアミノスルホニル基、N-エチルアミ
ノスルホニル基、N-(n- プロピル) アミノスルホニル
基、N-(iso- プロピル) アミノスルホニル基、N-(n- ブ
チル) アミノスルホニル基、N-(iso- ブチル) アミノス
ルホニル基、N-(sec- ブチル) アミノスルホニル基、N-
(t- ブチル) アミノスルホニル基、N-(n- ペンチル) ア
ミノスルホニル基、N-(iso- ペンチル) アミノスルホニ
ル基、N-(neo- ペンチル) アミノスルホニル基、N-(2-
メチルブチル) アミノスルホニル基、N-(2- ヒドロキシ
エチル) アミノスルホニル基、N-(2- シアノエチル) ア
ミノスルホニル基などの低級アルキルアミノスルホニル
基が挙げられる。

【００３１】Ｒ₁とＲ₄またはＲ₂とＲ₆が連結基を介
して環を形成した例としては、-CH₂CH_2-、-CH₂CH₂CH₂-
、-CH₂CH(Cl)- 、 -CH₂C(=O)CH₂-、-CH₂C(=O)-、-CH₂C
H₂C(=O)- 、-CH₂CH(F)-、-CH₂CH(OH)- 等が挙げられ
る。Ｒ₁とＲ₂が連結基を介して環を形成した例として
は、-CH₂CH₂OCH₂CH₂- 、-CH₂CH₂NHCH₂CH₂-、 -CH₂CH₂N
(CH₃)CH₂CH₂- -CH₂C(=O)OC(=O)CH₂- 、-CH₂C(=O)NHC(=
O)CH₂-、-CH₂C(=O)N(CH₃)C(=O)CH₂-、-CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂
- 等が挙げられる。本発明の一般式（１）で表される化
合物は、公知の方法により、次の様に製造される。即
ち、一般式（４）（化９）で示されるアミン成分をジア
ゾ化し、一般式（５）（化９）で示されるカップリング
成分の溶液に添加し、カップリング反応させて一般式
（１）で示されるアゾ化合物が得られる。

【００３２】

【化９】〔上式中、Ｒ₁〜Ｒ₇、Ｘ及びＹは式（１）の場合と同
じ意味を表す。〕

【００３３】また、本発明においては、前記アゾ化合物
の金属錯体の製造法は公知の方法、例えば、古川；Anal
ytica Chimica Acta 140(1982) 281-289に記載の方法等
に準じて製造することができる。アゾ化合物の金属錯体
を形成する金属としては、例えば、ニッケル、コバル
ト、鉄、ルテニウム、オジウム、パラジウム、銅、オス
ミウム、イリジウム、白金、亜鉛、マグネシウム等の金
属が好ましく、特にニッケル、コバルト、銅、パラジウ
ム、鉄、亜鉛が好ましい。これらは製造時に酢酸塩、ハ
ロゲン化物、ＢＦ₄ ^-塩等の形で用いられ、Ｎｉ²⁺、Ｃ
ｏ²⁺、Ｃｏ³⁺、Ｃｕ²⁺、Ｐｄ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｆｅ³⁺、Ｚｎ
²⁺等としてアゾ化合物に配位した錯体として得られる。
このアゾ化合物の金属錯体は、単独でも複数の化合物を
混合しても良い。本発明の一般式（１）で表されるアゾ
化合物としては、例えば、表−１（表１〜１３）に示す
化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。

【００３４】

【表１】

【００３５】

【表２】

【００３６】

【表３】

【００３７】

【表４】

【００３８】

【表５】

【００３９】

【表６】

【００４０】

【表７】

【００４１】

【表８】

【００４２】

【表９】

【００４３】

【表１０】

【００４４】

【表１１】

【００４５】

【表１２】

【００４６】

【表１３】

【００４７】本発明で色素層に含有されるフタロシアニ
ン化合物は、６８０〜９００ｎｍに吸収極大を有する一
般式（２）で示されるフタロシアニン化合物であり、好
ましくは、７７０〜８３０ｎｍでの屈折率が大きく、吸
光度が小さいものである。色素層が、記録層及び光干渉
層の２層構造をとる場合、フタロシアニン化合物を含有
する記録層に必要な光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
は、前記レーザー光の波長λ₁において、ｎが１．８以
上で、且つ、ｋが０．０４〜０．２０であり、λ₂にお
いてｎが１．１以上で、且つ、ｋが０．０４〜０．６で
ある。波長λ₁で、ｎがこれより小さい値になるとＣＤ
規格を満足する反射率と信号変調度は得られにくく、波
長λ₂においても、ｎがこれより小さい値となると正確
な信号読みとりに必要な反射率が得られにくくなる。次
に、波長λ₁において、ｋが０．２０を越えると反射率
が低下してＣＤ規格を満足しにくくなり、ｋが０．０４
未満だと記録ができない。また、波長λ₂において、ｋ
が０．６を越えると吸収が大きくなりすぎ再生に必要な
反射率が得られないだけでなく、再生光により信号が変
化しやすくなり実用に適さない。なお、λ₂での記録を
考慮するとｋは０．０４以上必要である。

【００４８】前記式（２）の置換基Ｙ₁〜Ｙ₈におい
て、炭化水素基としては、メチル、エチル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシ
ル、ドデシル、シクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシ
ル等の飽和炭化水素基、エテニル、ブテニル、ヘキセニ
ル、オクテニル、ドデセニル、ブチニル、ヘプチニル、
フェニル、メチルフェニル、ブチルフェニル、ヘキシル
フェニル等の不飽和炭化水素基が挙げれる。これらの炭
化水素基は、直鎖、分岐または環状であっても良い。ま
た、これらの炭化水素基はハロゲン、アミノ基、シアノ
基、エーテル基、水酸基等で置換されていても良い。

【００４９】ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素等が挙げられる。また、フタロシアニン環を
構成するベンゼン環に結合しているＹ₁〜Ｙ₈およびＡ
₁〜Ａ₄の置換基の置換位置は特に限定するものではな
く、又、置換基の種類及び数は一分子中の４つのベンゼ
ン環で異なっていても良い。Ｍで表される２価の金属原
子としては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｃｄ
等が挙げられ、１置換３価金属としては、Ａｌ−Ｃｌ、
Ａｌ−Ｂｒ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉ
ｎ−Ｂｒ、Ｔｉ−Ｃｌ、Ｔｉ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₅、
Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＨ₃）、Ｉｎ−Ｃ₁₀Ｈ₇、Ｍｎ（Ｏ
Ｈ）、Ｍｎ（ＯＣ₆Ｈ₅）、Ｍｎ（ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ₃）₃）、ＦｅＣｌ、ＲｕＣｌ等が挙げられ、２置換
の４価金属としては、ＣｒＣｌ₂、ＳｉＣｌ₂、ＧｅＢ
ｒ₂、ＳｎＣｌ₂、ＴｉＣｌ₂、Ｍｎ（ＯＨ）₂、Ｓｎ
（ＯＨ）₂、ＴｉＲ₂、ＣｒＲ₂、ＳｉＲ₂、Ｓｎ
Ｒ₂、ＧｅＲ₂［Ｒはアルキル基、フェニル基、ナフチ
ル基及びその誘導体を表す］、Ｔｉ（ＯＲ’）₂、Ｃｒ
（ＯＲ’）₂、Ｓｉ（ＯＲ’）₂、Ｓｎ（ＯＲ’）
₂［Ｒ’はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリ
アルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基及び
その誘導体を表す］等が挙げられ、オキシ金属として
は、ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ等が挙げられる。

【００５０】このフタロシアニン化合物の具体例として
は、下記の化合物〔式（ａ）〜（ｃ）〕が挙げられる。
なお、詳しくは特開平３−６２８７８、特開平３−１４
１５８２、特開平３−２１５４６６に記載されている化
合物が挙げられ、これらに記載されている方法で合成す
ることができる。下記一般式（ａ）（化１０）において、次に示される
置換基、金属を有する化合物

【００５１】

【化１０】 ────────────────────────────── 化合物ＭＡＲ ────────────────────────────── a-1 Pd Ｈ OCH(CH₃)CH(CH₃)₂ a-2 Pd Ｈ OCH[CH(CH₃)₂]₂ a-3 Pd Ｈ OCH[CH(CH₃)(C₂H₅)][CH(CH₃)₂] a-4 Pd Ｈ OCH₂CH(C₂H₅)C₄H₉ a-5 Ni NO₂ OCH[CH(CH₃)₂]₂ a-6 Ni Ｈ S-n-C₈H₁₇ a-7 Ni Ｈ S(CH₂CH₂O)₂CH₃ a-8 Cu Ｈ OCH[CH(CH₃)(C₂H₅)][CH(CH₃)₂] a-9 VO Ｈ OCH₂CH(C₂H₅)C₄H₉ a-10 Cu Ｈ OCH₂CH₂OCH₂CH₂OCH₃ a-11 VO Ｈ OCH₂(CF₂)₃CF₂H ────────────────────────────── 下記一般式（ｂ）（化１１）において、次に示される
置換基、金属を有する化合物

【００５２】

【化１１】 ────────────────────────────── 化合物ＭＸｎＲ^' ────────────────────────────── b-1 Pd Br_2.5 OCH(CH₃)CH(CH₃)₂ b-2 Pd Cl₈ OCH[CH(CH₃)₂]₂ b-3 Pd Br₄ OCH[CH(CH₃)(C₂H₅)][CH(CH₃)₂] b-4 Pd Br₄ OCH(CH₃)CH(CH₃)₂ b-5 Pd I ₄ OCH(CH₃)CH(CH₃)₂ b-6 Pd I_3.2 OCH₂CH(C₂H₅)C₄H₉ b-7 Pd Br₄ OCH[CH(CH₃)₂]₂ b-8 Pd Br₄ OCH(CH₃)CH₂CH(CH₃)₂ b-9 Pd Br_3.5 OCH(CH₃)CH(CH₃)₂ ────────────────────────────── 下記一般式（ｃ）（化１２）において、次に示される
置換基、金属を有する化合物

【００５３】

【化１２】 ───────────────────────────────── 化合物ＭＡ^' Ｒ^'' Ｒ^''' ───────────────────────────────── c-1 Pd Ｈ O(CH₂)₂CH(CH₃)₂ O(CH₂)₂CH(CH₃)₂ c-2 Pd Cl O(CH₂)₂CH(CH₃)₂ O(CH₂)₂CH(CH₃)₂ c-3 Pd Ｈ O-n-C₅H₁₁ O-n-C₅H₁₁ c-4 Pd Cl O(CH₂)₂CH(CH₃)₂ O-n-C₄H₉ c-5 Pd Ｈ OCH₂CH(C₂H₅)C₄H₉ OCH₂CH(C₂H₅)C₄H₉ c-6 Ni SPh O-n-C₈H₁₇ O-n-C₈H₁₇ c-7 Cu Cl O(CH₂)₂CH(CH₃)₂ O(CH₂)₂CH(CH₃)₂ c-8 Al Cl O(CH₂)₂CH(CH₃)₂ O(CH₂)₂CH(CH₃)₂ c-9 VO Cl O-n-C₈H₁₇ O-n-C₈H₁₇ c-10 Cu Cl O-n-C₈H₁₇ O-n-C₈H₁₇ c-11 Cu Cl O(CH₂)₂N(C₂H₅)₂ OCH₃ c-12 Ni Ｈ S-n-C₈H₁₇ S-n-C₈H₁₇ ───────────────────────────────── このフタロシアニン化合物は、単独で用いても、複数の
化合物を混合して用いても良い。

【００５４】本発明において色素層を設ける方法は、例
えば、浸漬法、スプレー法、スピンコート法、キャスト
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられ
るが、スピンコート法が簡便で好ましい。スピンコート
法等の塗布法を用いる場合には、一般式（１）で表され
るアゾ化合物またはその金属錯体及び／又は一般式
（２）で表されるフタロシアニン化合物（以下色素とも
いう）を０．０５〜３０重量％、好ましくは０．５〜２
０重量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗
布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与え
ないものを選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、
エタノール、イソプロピルアルコール、オクタフルオロ
ペンタノール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノール等のア
ルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカ
ン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシ
クロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族又は
脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン
等の芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホル
ム、テトラクロロエタン、ジブロモエタン等のハロゲン
化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル
系溶媒、アセトン、3-ヒドロキシ-3- メチル-2- ブタノ
ン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチル等のエス
テル系溶媒、水などが挙げられる。これらは、単独で用
いてもよく、或いは、複数混合して用いてもよい。

【００５５】また、色素層が、記録層及び光干渉層の２
層構造をとる場合、記録層に使用するフタロシアニン化
合物と光干渉層に使用するアゾ化合物またはその金属錯
体は、各々異なる極性の溶媒に溶解して用い、互いに他
の溶媒には溶解しないことが好ましい。例えば、光干渉
層に使用するアゾ化合物またはその金属錯体（色素）
は、極性の高い溶媒、アルコール系溶媒や水等に溶解し
て塗布し、記録層に使用するフタロシアニン化合物（色
素）は、極性の低い溶媒、例えば、脂肪族又は脂環式炭
化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、エ
ーテル系溶媒に溶解して塗布する。なお、樹脂製基板へ
の障害、あるいは、多層膜の影響を減少させるために
は、各色素層塗布成膜のための溶媒は、脂肪族又は脂環
式炭化水素系溶媒、およびそれらと他溶媒の混合溶媒
と、アルコール系溶媒およびこれらと他溶媒の混合溶媒
であり、それぞれに可溶な色素の組み合わせが特に望ま
しい。なお、必要に応じて、色素層の色素を高分子薄膜
などに分散して用いたりすることもできる。また、基板
にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパ
ッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有効である。

【００５６】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０〜３００ｎｍである。色素層の膜
厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため記録
出来ないか、記録信号に歪みが発生する上、信号振幅が
小さくなり、ＣＤ規格を満足しなくなる。また、膜厚が
３００ｎｍより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特
性が悪化する。色素層が、記録層及び光干渉層の２層構
造から成る場合、光干渉層の平均膜厚はλ₁及びλ₂の
波長において下記の式を満足し、各レーザー波長に対し
て、反射率が高くなる値に合わすことが好ましい。７０≦ｎ_i×ｄ_i≦３００（ただし、ｎ_iは光干渉層の屈折率、ｄ_iは光干渉層の
膜厚）ここで、ｎ_i×ｄ_iが７０未満の場合は、波長λ₂の光
に対する反射率が１５％未満となり、且つ、変調度も小
さくなる。ｎ_i×ｄ_iが３００を越える場合は、波長λ
₁の光に対する反射率が６５％未満となる。

【００５７】色素層を成膜する際に、必要に応じて、前
記の色素に、クエンチャー、色素熱分解促進剤、紫外線
吸収剤、接着剤等の添加剤を混合か、あるいは、そのよ
うな効果を有する基を置換基として導入することも可能
である。なお、クエンチャーとしては、アセチルアセト
ナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフェニル
ジチオール系などのビスジチオール系、チオカテコール
系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェノレ
ート系等の金属錯体が好ましい。またアミン系も好適で
ある。熱分解促進剤としては、色素熱分解の促進が熱減
量分析(TG 分析) により確認できるものであれば特に限
定されず、例えば、金属系アンチノッキング剤、メタロ
セン化合物、アセチルアセトナト系金属錯体等の金属化
合物が挙げられる。

【００５８】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましい
バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケ
トン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン
樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリ
オレフィン等が挙げられる。又、記録特性などの改善の
ために前記以外の色素を添加することもできる。色素の
例としては、ペンタメチンシアニン系色素、ヘプタメチ
ンシアニン系色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノ
ン系色素、アゾ系色素、ナフタロシアニン系色素、フタ
ロシアニン系色素、アントラキノン系色素等が挙げられ
る。これらの色素の混合割合は、０．１〜１０％程度で
ある。色素層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤
性や反射率、記録感度等を向上させるために、基板の上
に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。ここ
で、色素層における一般式（１）で表されるアゾ化合物
またはその金属錯体及び／又は一般式（２）で表される
フタロシアニン化合物の含有量は、３０％以上、好まし
くは６０％以上である。なお、実質的に１００％である
ことも好ましい。

【００５９】次に前記した色素層の上に、好ましくは、
厚さ５０〜３００ｎｍの反射層を形成する。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にし
て用いることが可能である。このなかでもＡｕやＡｌは
反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外
でも下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓ
ｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及
び半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分と
しているものは反射率の高い反射層が容易に得られるた
め好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％
以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高
屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層
として用いることも可能である。

【００６０】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下
に反射率の向上や記録特性の改善のために公知の無機系
又は有機系の中間層、接着層を設けても良い。更に、色
素層や反射層を保護するために、反射層の上に保護層を
設ける。２枚の媒体を貼り合わせても良い。保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げる
ことができる。又、無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ
Ｎ₄、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂等が挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
ＵＶ硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解
して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光
を照射して硬化させることによって形成することができ
る。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリ
レート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレ
ートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。こ
れらの材料は単独であるいは混合して用いても良いし、
１層だけでなく多層膜にして用いても良い。

【００６１】保護層の形成方法としては、記録層と同様
にスピンコート法やキャスト法などの塗布法や、スパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、このなかで
もスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に
は０．１〜１００μｍの範囲であるが、本発明において
は、３〜３０μｍであり、好ましくは５〜２０μｍがよ
り好ましい。保護層の上に更にラベル等の印刷を行うこ
ともできる。又、基板鏡面側に、表面保護やゴミ等の付
着防止のために紫外線硬化樹脂、無機系薄膜等を成膜し
ても良い。

【００６２】このようにして得られた本発明の光記録媒
体はレーザー光を色素層に集束することにより記録や再
生を行うことが出来る。記録する際の信号としては、例
えばＣＤ等に用いられているＥＭＦ変調信号が挙げられ
る。本発明の媒体は、特に７８０ｎｍのレーザー光で記
録出来、且つ、該光に対する反射率が６５％以上得ら
れ、７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長の光に対する
反射率が６５％以上得られるので、７８０ｎｍ前後の波
長のレーザー光により記録及び再生ができる。又、記録
した情報を市販のＣＤやＣＤーＲＯＭプレーヤーで再生
することができる。再生した信号特性はＣＤ−Ｒの規格
であるオレンジブック規格を満足する。更に、６２０〜
６９０ｎｍの光に対する反射率が１５％以上得られ、６
２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長のレーザーを搭載し
た高密度対応光ディスクプレーヤーでも再生可能であ
る。次期の高密度対応プレーヤーに用いられる光の波長
は６２０〜６９０ｎｍである。この範囲の波長のレーザ
ーには、可視領域の広範囲で波長選択のできる色素レー
ザーや波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザーがあ
る。また、実用に供せられる半導体レーザーの波長とし
ては、例えば６３５ｎｍ、６５０ｎｍ又は６８０ｎｍ前
後である。また、本発明の媒体は６２０〜６９０ｎｍか
ら選ばれた波長の光を用いて記録することもできる。

【００６３】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。実施例１一般式（１）で表されるアゾ化合物のうち、表−１に記
載されたアゾ化合物（1-19) ０．２ｇと、前記化学式
（a-11）で示されるフタロシアニン化合物０．０２ｇを
ジアセトンアルコール（東京化成品）１０ｍｌに溶解
し、色素溶液を調製した。基板としては、連続した案内
溝（トラックピッチ：１．６μｍ）を有する直径１２０
ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のもの（ポリカーボネ
ート樹脂製）を用いた。この基板上に、色素溶液を回転
数１５００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で２時間乾
燥して、記録層を形成した。この記録層の上にバルザー
ス社製スッパタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いて、Ａｕ
をスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。ス
ッパタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒで行った。更に、
反射層の上に、紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本イン
キ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して
厚さ６μｍの保護層を形成した。得られた光記録媒体
に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパ
ルスチック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１００
０、及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用い
て、線速５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録
した。記録後、６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを
搭載した評価装置を用いて信号を再生し、反射率を測定
した。また、この記録したサンプルを再生波長が７８０
ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した結果、良好な
記録特性を示した。

【００６４】実施例２〜２８表−１に記載したアゾ化合物及び前記化学式（a-10、a-
11）で示されるフタロシアニン化合物を組み合わせて用
いる以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体に実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色レ
ーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク
評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭ
エンコーダーを用いて、線速５．６ｍ／ｓ、レーザーパ
ワー１０ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測
定を行った結果、いずれも良好な記録特性を示した。

【００６５】実施例２９実施例１において、初めに、前記化学式( b-7 ）で示さ
れるフタロシアニン化合物０．８ｇをジメチルシクロヘ
キサン（東京化成）４０ｍｌに溶解した溶液を用いてス
ピンコート法により記録層を形成し、次いで、この記録
層の上に、表−１に記載したアゾ化合物（1-31）を用い
て実施例１と同様の条件で干渉層を形成し、干渉層及び
記録層の２層からなる光記録媒体を作製した。作製した
光記録媒体に、７８０ｎｍ近赤外半導体レーザーヘッド
を搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装置ＤＤ
Ｕ−１０００、及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダ
ーを用いて、線速２．８ｍ／ｓ、レーザーパワー８ｍＷ
で記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。更に、６８０ｎ
ｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用い
て信号を再生したところ、反射率は３１％と良好な記録
特性を示した。

【００６６】実施例３０〜４６表−１に記載したアゾ化合物及び前記化学式（b-1 〜c-
10）で示されるフタロシアニン化合物を組み合わせて用
いる以外は、実施例２９と同様にして光記録媒体を作製
した。作製した光記録媒体に、７８０ｎｍ近赤外半導体
レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディス
ク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦ
Ｍエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ／ｓ、レーザー
パワー８ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測
定を行った結果、いずれも良好な記録特性を示した。更
に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評
価装置を用いて信号を再生したところ、反射率は、各
々、３０％以上と良好な記録特性を示した。

【００６７】実施例４７実施例１において、初めに、前記化学式（b-7 ）で示さ
れるフタロシアニン化合物０．８ｇをジメチルシクロヘ
キサン（東京化成）４０ｍｌに溶解した溶液を用いてス
ピンコート法により記録層を形成し、次いで、この記録
層の上に、表−１に記載したアゾ化合物（1-83）を用い
て実施例１と同様の条件で干渉層を形成し、干渉層及び
記録層の２層からなる光記録媒体を作製した。作製した
光記録媒体に、６８０ｎｍ赤色レーザーヘッドを搭載し
たパルスチック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０
００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用い
て、線速５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録
した。記録後、実施例１と同様の測定を行った結果、い
ずれも良好な記録特性を示した。更に、６８０ｎｍ赤色
半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号
を再生したところ、反射率は３０％と良好な記録特性を
示した。

【００６８】実施例４８表−１に記載したアゾ化合物（1-39) 及び前記化学式で
示されるフタロシアニン化合物（b-7)を組み合わせて用
いる以外は、実施例４７と同様にして光記録媒体を作製
した。作製した光記録媒体に、６８０ｎｍ赤色レーザー
ヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装
置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコ
ーダーを用いて、線速５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１
０ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行
った結果、いずれも良好な記録特性を示した。更に、６
８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置
を用いて信号を再生したところ、反射率は３０％と良好
な記録特性を示した。

【００６９】以上、各実施について、その６３５ｎｍ赤
色半導体レーザーを用いた場合の再生反射率及び再生波
長７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーでの再生反射率、エ
ラー率の測定結果を、表−２（表１４〜１６）にまとめ
て示した。

【００７０】

【表１４】Ｐｃ化合物：フタロシアニン化合物

【００７１】

【表１５】

【００７２】

【表１６】

【００７３】実施例４９一般式（１）で表されるアゾ化合物の金属錯体のうち、
表−１に記載したアゾ化合物の金属錯体（1-93) ０．２
ｇと、前記化学式で示されるフタロシアニン化合物（a-
10）０．０２ｇを2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プロパノ
ール１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製した。基板は、
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピ
ッチ：１．６μｍ）を有する直径１２０ｍｍφ、厚さ
１．２ｍｍの円盤状のものを用いた。この基板上に、色
素溶液を回転数１５００ｒｐｍでスピンコートし、７０
℃で２時間乾燥して、記録層を形成した。この記録層の
上にバルザース社製スッパタ装置（ＣＤＩ−９００）を
用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形
成した。スッパタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒで行っ
た。更に、反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大
日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線
照射して厚さ６μｍの保護層を形成した。この光記録媒
体を７８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したフィリ
ップス製ライター（ＣＤＤ−５２１）を用いて、線速度
２．８ｍ／ｓ、レーザーパワー８ｍＷでＥＦＭ信号を記
録した。記録後、市販ＣＤプレーヤー（ＹＡＭＡＨＡ
ＣＤＸ−１０５０、レーザー波長７８６ｎｍ）を用いて
信号を再生し、反射率、エラー率及び変調度等を測定し
た。この結果、再生波形歪が小さく、オレンジブック規
格を満足した良好な値を示した。次に、この記録した媒
体を６８０及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを
搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤ
Ｕ−１０００）を用いて信号を再生し、反射率、エラー
率及び最も短いピットの変調度(I3/Itop) を測定した。
いずれも良好な値を示すことが確認された。次に、この
媒体を、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載し
たパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１
０００）、及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを
用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷ
で記録した。記録後、６８０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を
再生し、反射率、エラー率及びI3/Itop を測定した。い
ずれも良好な値を示した。この記録した媒体を、市販Ｃ
Ｄプレーヤー（ＹＡＭＡＨＡＣＤＸ−１０５０，レー
ザー波長７８６ｎｍ）を用いて、前記６８０ｎｍのドラ
イブ（ＤＤＵ−１０００）で記録した信号の再生を行
い、反射率、エラー率及びI3/Itop を測定した。いずれ
もオレンジブック規格を満足した良好な値であった。

【００７４】実施例５０〜５４一般式（１）で表されるアゾ化合物の金属錯体のうち、
表−１に記載したアゾ化合物の金属錯体と前記化学式で
示されるフタロシアニン化合物を下記のように組み合わ
せて用いる以外は、実施例４９と同様にして、光記録媒
体を作製した。作製した媒体を実施例４９と同様に記
録、評価した結果、いずれも良好な値を示すことが確認
された。実施例５０：化学式 No.１−９４と化学式 No.ａ−１１実施例５１：化学式 No.１−９４と化学式 No.ａ−１０実施例５２：化学式 No.１−１３３と化学式 No.ａ−１
０実施例５３：化学式 No.１−１３４と化学式 No.ａ−１
１実施例５４：化学式 No.１−１３４と化学式 No.ａ−１
０

【００７５】実施例５５一般式（１）で表されるアゾ化合物の金属錯体のうち、
表−１に記載したアゾ化合物の金属錯体（1-89）０．２
ｇを2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プロパノール１０ｍｌ
に溶解し、色素溶液１を調製した。基板は、ポリカーボ
ネート樹脂製で連続した案内溝（深さ１７０ｎｍ、幅
０．５μｍ、ピッチ１．６μｍ）を有する直径１２０ｍ
ｍφ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のものを用いた。この基
板上に、色素溶液１を回転数１５００ｒｐｍでスピンコ
ートし、７０℃で３時間乾燥して、８０ｎｍの色素光干
渉層を形成した。この光干渉層の光学定数は、７８０ｎ
ｍで屈折率が１．９、消衰係数は０．０５であり、６８
０ｎｍでは屈折率が２．１、消衰係数は０．０４であ
り、６３５ｎｍでは屈折率が２．５で、消衰係数が０．
１０であった。従って、７８０、６８０および６３５ｎ
ｍでの光干渉層の屈折率と膜厚の積（ｎ_i×ｄ_i）は各
々１５２、１６８、２００である。さらに、前記化学式
で示されるフタロシアニン化合物（c-2 ）０．２５ｇ
を、1,2-ジメチルシクロヘキサン１０ｍｌに溶解した色
素溶液２を回転数１６００ｒｐｍでスピンコートし、７
０℃で、２時間乾燥して、記録層を形成した。この記録
層の光学定数は、７８０ｎｍで屈折率が２．２、消衰係
数は０．０８であり、６８０ｎｍでは屈折率が１．２、
消衰係数は０．４９であり、６３５ｎｍでは屈折率が
１．２、消衰係数は０．３４であった。次に、この記録
層の上にバルザース社製スパッタリング装置（ＣＤＩ−
９００）を用いて厚さ１００ｎｍのＡｕをスパッタし、
反射層を形成した。さらに、この反射層の上に紫外線硬
化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピン
コートした後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形
成し、光記録媒体を作製した。この光記録媒体を７８０
ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ラ
イター（ＣＤＤ−５２１）を用いて、線速度２．８ｍ／
ｓ、レーザーパワー８ｍＷでＥＦＭ信号を記録した。記
録後、市販ＣＤプレーヤー（ＹＡＭＡＨＡＣＤＸ−１０
５０、レーザー波長７８６ｎｍ）を用いて信号を再生
し、反射率、エラー率及び変調度等を測定した。この結
果、再生波形歪が小さく、オレンジブック規格を満足し
た良好な値を示した。次にこの記録した媒体を６８０ｎ
ｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０
００）を用いて信号を再生し、反射率、エラー率及び最
も短いピットの変調度（I3/Itop ）を測定した。いずれ
も良好な値を示した。次に、この媒体に、６８０ｎｍ赤
色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製
光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ
／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、６
８０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭
載した評価装置を用いて信号を再生し、反射率、エラー
率及びI3/Itop を測定した。いずれも良好な値を示し
た。この記録した媒体を、市販ＣＤプレーヤー（ＹＡＭ
ＡＨＡＣＤＸ−１０５０、レーザー波長７８６ｎｍ）
を用いて、前記６８０ｎｍのドライブ（ＤＤＵ−１００
０）で記録した信号の再生を行い、反射率、エラー率及
びI3/It opを測定した。いずれもオレンジブック規格を
満足した良好な値であった。

【００７６】実施例５６〜５８一般式（１）で表されるアゾ化合物の金属錯体のうち、
表−１に記載したアゾ化合物の金属錯体と前記化学式
（ｂ−３、ｃ−２）で示されるフタロシアニン化合物を
組み合わせて用いる以外は、実施例５５に準じて光干渉
層の上に記録層がある光記録媒体を作製した。実施例５
５と同様に７８０ｎｍでの記録及び７８６、６８０、６
３５ｎｍでの再生評価を行った結果、いずれの波長にお
いても良好な記録特性を示した。

【００７７】実施例５９実施例５５において、塗布順序を逆にして、記録層とし
て前記化学式で示されるフタロシアニン化合物（c-2 ）
を塗布した上に、光干渉層として表−１に記載したアゾ
化合物の金属錯体（1-89）を塗布すること以外は、同様
にして光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例５
５と同様に記録及び再生評価を行った結果、いずれの波
長においても良好な記録特性を示した。

【００７８】実施例６０〜１３３表−１に記載したアゾ化合物の金属錯体及びと前記化学
式（a-6 〜c-2 ）で示されるフタロシアニン化合物を組
み合わせて用いる以外は、実施例５９に準じて記録層の
上に光干渉層がある媒体を作製し、評価した。なお、全
ての媒体はいづれもhigh to low の記録モードで、７８
０、６８０、６３５ｎｍの各波長で変調度は大きく、エ
ラー率及びジッターは小さく、きわめて良好な再生がで
きた。色素の組み合わせ、光干渉層の膜厚、記録層、光
干渉層の７８０、６８０、６３５ｎｍでの光学定数〔屈
折率(n),消衰係数(k) 〕、ｎ_i×ｄ_i値を、実施例５５
〜５９も含め、表−３（表１７〜２６）に記載した。ま
た、以上の各媒体を７８０及び６８０ｎｍで記録した各
々の場合で、７８６、６８０、６３５ｎｍでの再生信号
特性〔反射率(%) 、エラー率(cps) 、変調度(I3/Itop)
〕を表−４（表２７〜３６）にまとめて記載した。

【００７９】比較例１実施例５５において、光干渉層のアゾ色素の膜厚を３５
ｎｍにした以外は、同様にして光記録媒体を作製した。
７８０、６８０および６３５ｎｍでの光干渉層の屈折率
と膜厚の積（ｎ_i×ｄ_i）は各々６７、７４、８８であ
る。作製した媒体を実施例５５と同様に評価したとこ
ろ、６８０、６３５ｎｍの各波長で、再生信号波形が歪
み、反射率も低かった。

【００８０】比較例２実施例５９において、光干渉層のアゾ色素の膜厚を１６
０ｎｍにした以外は、同様にして光記録媒体を作製し
た。７８０、６８０および６３５ｎｍでの光干渉層の屈
折率と膜厚の積（ｎ_i×ｄ_i）は各々３０４、３３６、
４００である。作製した媒体を実施例５９と同様に評価
したところ、７８６、６８０、６３５ｎｍの各波長で、
再生信号波形が歪み反射率も低かった。

【００８１】比較例３実施例４９において、色素層に、表−１に記載したアゾ
化合物の金属錯体(1-93)のみ用いること以外は実施例４
９に準じて光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施
例４９と同様に評価した結果、７８０ｎｍでは記録がで
きず、６８０ｎｍでも感度が低く、きれいに記録するこ
とができなかった。

【００８２】比較例４実施例４９において、色素層に、前記化学式で示される
化合物(a-10)のみ用いること以外は実施例４９に準じて
光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例４９と同
様に評価した結果、波形が歪み６３５、６８０ｎｍでの
反射率が低かった。以上の比較例で得られた各媒体を７
８０及び６８０ｎｍで記録した各々の場合で、７８６、
６８０、６３５ｎｍでの再生信号特性〔反射率(%) 、エ
ラー率(cps) 、変調度(I3/Itop) 〕を表−４（表２７〜
３６）にまとめて記載した。

【００８３】

【表１７】表−３実施例 55 56 57 58 59 60 61 62 記録層化学式No c-2 b-3 c-2 b-3 c-2 b-3 c-2 b-3 干渉層化学式No 1-89 1-90 1-129 1-130 1-89 1-90 1-129 1-130 膜厚(nm) 80 100 80 100 75 100 75 100 光学定数・記録層 780nm n^*1 2.2 2.3 2.2 2.3 2.2 2.2 2.2 2.2 k^*2 0.08 0.12 0.08 0.12 0.08 0.08 0.08 0.08 680nm n 1.2 1.3 1.2 1.3 1.2 1.2 1.2 1.2 k 0.49 0.51 0.49 0.51 0.49 0.49 0.49 0.49 635nm n 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 k 0.34 0.30 0.34 0.30 0.34 0.34 0.34 0.34 ・干渉層 780nm n 1.9 1.8 1.9 1.8 1.9 1.9 1.9 1.9 k 0.05 0.06 0.05 0.06 0.12 0.05 0.12 0.05 680nm n 2.1 1.9 2.1 1.9 2.1 2.1 2.1 2.1 k 0.04 0.05 0.04 0.05 0.12 0.04 0.12 0.04 635nm n 2.5 2.2 2.4 2.2 2.6 2.5 2.6 2.5 k 0.10 0.10 0.10 0.10 0.14 0.10 0.14 0.10 ni ×di^*3 780nm 152 180 152 180 143 190 143 190 680nm 168 190 168 190 158 210 158 210 635nm 200 220 200 220 195 250 195 250 n^*1：屈折率 k^*2：消衰係数 ni ×di^*3：干渉層の屈折率×膜厚

【００８４】

【表１８】表−３（つづき）実施例 63 64 65 66 67 68 69 70 記録層化学式No a-11 a-11 a-11 a-10 a-10 a-10 a-11 a-11 干渉層化学式No 1-91 1-92 1-93 1-94 1-95 1-96 1-97 1-98 膜厚(nm) 80 90 90 80 75 100 60 45 光学定数・記録層 780nm n^*1 2.3 2.2 2.1 2.2 2.2 2.2 2.2 2.3 k^*2 0.10 0.11 0.08 0.10 0.09 0.09 0.11 0.13 680nm n 1.2 1.3 1.3 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 k 0.48 0.50 0.48 0.46 0.48 0.49 0.45 0.46 635nm n 1.2 1.1 1.2 1.1 1.2 1.2 1.1 1.1 k 0.34 0.30 0.31 0.29 0.32 0.34 0.29 0.27 ・干渉層 780nm n 1.9 1.8 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.8 k 0.05 0.10 0.10 0.11 0.12 0.05 0.11 0.12 680nm n 2.1 1.9 2.0 2.0 2.1 2.1 2.0 2.0 k 0.04 0.08 0.10 0.10 0.12 0.04 0.10 0.11 635nm n 2.5 2.4 2.4 2.5 2.6 2.5 2.5 2.4 k 0.10 0.11 0.12 0.13 0.14 0.10 0.13 0.15 ni ×di^*3 780nm 152 162 171 152 143 190 114 81 680nm 168 171 180 160 158 210 120 90 635nm 200 216 216 200 195 250 150 108 n^*1：屈折率 k^*2：消衰係数 ni ×di^*3：干渉層の屈折率×膜厚

【００８５】

【表１９】表−３（つづき）実施例 71 72 73 74 75 76 77 78 記録層化学式No a-11 a-11 c-2 c-2 c-2 c-2 b-3 b-3 干渉層化学式No 1-99 1-100 1-101 1-102 1-103 1-104 1-105 1-106 膜厚(nm) 80 90 90 90 90 80 75 100 光学定数・記録層 780nm n^*1 2.1 2.2 2.1 2.2 2.1 2.2 2.1 2.0 k^*2 0.08 0.07 0.07 0.11 0.07 0.11 0.09 0.07 680nm n 1.2 1.3 1.2 1.3 1.2 1.3 1.2 1.1 k 0.49 0.43 0.46 0.50 0.48 0.46 0.47 0.48 635nm n 1.2 1.2 1.1 1.2 1.1 1.2 1.2 1.1 k 0.31 0.30 0.31 0.31 0.29 0.29 0.33 0.34 ・干渉層 780nm n 1.9 1.9 1.9 1.8 1.9 1.9 1.9 1.9 k 0.05 0.10 0.10 0.10 0.10 0.11 0.12 0.05 680nm n 2.1 2.0 2.0 1.9 2.0 2.0 2.1 2.1 k 0.04 0.10 0.10 0.08 0.10 0.10 0.12 0.04 635nm n 2.5 2.4 2.4 2.4 2.4 2.5 2.6 2.5 k 0.10 0.12 0.12 0.11 0.12 0.13 0.14 0.10 ni ×di^*3 780nm 152 171 171 162 171 152 143 190 680nm 168 180 180 171 180 160 158 210 635nm 200 216 216 216 216 200 195 250 n^*1：屈折率 k^*2：消衰係数 ni ×di^*3：干渉層の屈折率×膜厚

【００８６】

【表２０】表−３（つづき）実施例 79 80 81 82 83 84 85 86 記録層化学式No b-3 b-3 b-9 b-9 c-2 c-2 c-2 c-2 干渉層化学式No 1-107 1-108 1-109 1-110 1-111 1-112 1-113 1-114 膜厚(nm) 60 45 80 90 80 90 90 80 光学定数・記録層 780nm n^*1 2.1 2.2 2.1 2.0 2.1 2.3 2.2 2.1 k^*2 0.11 0.10 0.07 0.07 0.11 0.11 0.07 0.09 680nm n 1.2 1.3 1.2 1.3 1.2 1.3 1.2 1.3 k 0.44 0.46 0.48 0.46 0.46 0.50 0.46 0.46 635nm n 1.2 1.2 1.1 1.2 1.2 1.1 1.1 1.2 k 0.27 0.28 0.33 0.30 0.29 0.31 0.30 0.29 ・干渉層 780nm n 1.9 1.8 1.9 1.9 1.9 1.8 1.9 1.9 k 0.11 0.12 0.05 0.10 0.11 0.10 0.10 0.11 680nm n 2.0 2.0 2.1 2.0 2.0 1.9 2.0 2.0 k 0.10 0.11 0.04 0.10 0.10 0.08 0.10 0.10 635nm n 2.5 2.4 2.5 2.4 2.4 2.4 2.4 2.5 k 0.13 0.15 0.10 0.12 0.12 0.11 0.12 0.13 ni ×di^*3 780nm 114 81 152 171 152 162 171 152 680nm 120 90 168 180 160 171 180 160 635nm 150 108 200 216 200 216 216 200 n^*1：屈折率 k^*2：消衰係数 ni ×di^*3：干渉層の屈折率×膜厚

【００８７】

【表２１】表−３（つづき）実施例 87 88 89 90 91 92 93 94 記録層化学式No b-3 b-3 b-3 b-3 b-9 b-9 a-8 a-8 干渉層化学式No 1-115 1-116 1-117 1-118 1-119 1-120 1-121 1-122 膜厚(nm) 75 100 60 45 80 90 90 90 光学定数・記録層 780nm n^*1 2.2 2.1 2.2 2.3 2.1 2.1 2.1 2.2 k^*2 0.08 0.09 0.11 0.10 0.08 0.07 0.08 0.11 680nm n 1.3 1.2 1.2 1.1 1.2 1.3 1.3 1.2 k 0.50 0.48 0.45 0.46 0.48 0.46 0.48 0.50 635nm n 1.1 1.2 1.2 1.2 1.1 1.2 1.2 1.1 k 0.32 0.33 0.29 0.28 0.33 0.29 0.29 0.30 ・干渉層 780nm n 1.9 1.9 1.9 1.8 1.9 1.9 1.9 1.8 k 0.12 0.05 0.11 0.12 0.05 0.10 0.17 0.11 680nm n 2.1 2.1 2.0 2.0 2.1 2.0 2.0 1.9 k 0.12 0.04 0.10 0.11 0.04 0.10 0.10 0.09 635nm n 2.6 2.5 2.5 2.4 2.5 2.4 2.4 2.4 k 0.14 0.10 0.13 0.15 0.10 0.12 0.12 0.11 ni ×di^*3 780nm 143 190 114 81 152 171 171 162 680nm 158 210 120 90 168 180 180 171 635nm 195 250 150 108 200 216 216 216 n^*1：屈折率 k^*2：消衰係数 ni ×di^*3：干渉層の屈折率×膜厚

【００８８】

【表２２】表−３（つづき）実施例 95 96 97 98 99 100 101 102 記録層化学式No a-8 b-2 b-2 b-2 b-2 b-2 b-3 b-3 干渉層化学式No 1-123 1-124 1-125 1-126 1-127 1-128 1-131 1-132 膜厚(nm) 90 80 75 100 60 45 80 90 光学定数・記録層 780nm n^*1 2.0 2.2 2.1 2.2 2.2 2.3 2.2 2.3 k^*2 0.07 0.11 0.08 0.09 0.11 0.09 0.08 0.12 680nm n 1.3 1.2 1.3 1.2 1.3 1.2 1.2 1.3 k 0.47 0.46 0.49 0.48 0.45 0.46 0.49 0.51 635nm n 1.2 1.2 1.1 1.2 1.1 1.2 1.2 1.2 k 0.31 0.29 0.34 0.33 0.28 0.28 0.34 0.30 ・干渉層 780nm n 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.8 1.9 1.8 k 0.10 0.11 0.12 0.08 0.10 0.11 0.05 0.10 680nm n 2.0 2.0 2.1 2.1 2.0 2.0 2.1 1.9 k 0.11 0.10 0.12 0.06 0.12 0.11 0.04 0.08 635nm n 2.4 2.5 2.6 2.5 2.5 2.4 2.5 2.4 k 0.12 0.13 0.13 0.11 0.12 0.14 0.10 0.11 ni ×di^*3 780nm 171 152 143 190 114 81 152 162 680nm 180 160 158 210 120 90 168 171 635nm 216 200 195 250 150 108 200 216 n^*1：屈折率 k^*2：消衰係数 ni ×di^*3：干渉層の屈折率×膜厚

【００８９】

【表２３】表−３（つづき）実施例 103 104 105 106 107 108 109 110 記録層化学式No b-3 b-3 b-3 b-9 b-9 b-9 b-9 b-9 干渉層化学式No 1-133 1-134 1-135 1-136 1-137 1-138 1-139 1-140 膜厚(nm) 90 80 75 100 60 45 80 90 光学定数・記録層 780nm n^*1 2.0 2.2 2.2 2.2 2.2 2.3 2.2 2.0 k^*2 0.06 0.10 0.08 0.08 0.10 0.11 0.08 0.06 680nm n 1.3 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.3 k 0.47 0.45 0.49 0.49 0.45 0.45 0.49 0.47 635nm n 1.2 1.1 1.2 1.2 1.1 1.1 1.2 1.2 k 0.30 0.28 0.34 0.34 0.28 0.27 0.34 0.30 ・干渉層 780nm n 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.8 1.9 1.9 k 0.10 0.11 0.12 0.05 0.11 0.12 0.05 0.10 680nm n 2.0 2.0 2.1 2.1 2.0 2.0 2.1 2.0 k 0.10 0.10 0.12 0.04 0.10 0.11 0.04 0.10 635nm n 2.4 2.5 2.6 2.5 2.5 2.4 2.5 2.4 k 0.12 0.13 0.14 0.10 0.13 0.15 0.10 0.12 ni ×di^*3 780nm 171 152 143 190 114 81 152 171 680nm 180 160 158 210 120 90 168 180 635nm 216 200 195 250 150 108 200 216 n^*1：屈折率 k^*2：消衰係数 ni ×di^*3：干渉層の屈折率×膜厚

【００９０】

【表２４】表−３（つづき）実施例 111 112 113 114 115 116 117 118 記録層化学式No b-9 b-9 b-9 a-6 a-6 a-6 a-6 a-6 干渉層化学式No 1-141 1-142 1-143 1-144 1-145 1-146 1-147 1-148 膜厚(nm) 90 90 90 80 75 100 60 45 光学定数・記録層 780nm n^*1 2.0 2.3 2.0 2.2 2.2 2.2 2.2 2.3 k^*2 0.06 0.12 0.06 0.10 0.08 0.08 0.10 0.11 680nm n 1.3 1.3 1.3 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 k 0.47 0.51 0.47 0.45 0.49 0.49 0.45 0.45 635nm n 1.2 1.2 1.2 1.1 1.2 1.2 1.1 1.1 k 0.30 0.30 0.30 0.28 0.34 0.34 0.28 0.27 ・干渉層 780nm n 1.9 1.8 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.8 k 0.10 0.10 0.10 0.11 0.12 0.05 0.11 0.12 680nm n 2.0 1.9 2.0 2.0 2.1 2.1 2.0 2.0 k 0.10 0.08 0.10 0.10 0.12 0.04 0.10 0.11 635nm n 2.4 2.4 2.4 2.5 2.6 2.5 2.5 2.4 k 0.12 0.11 0.12 0.13 0.14 0.10 0.13 0.15 ni ×di^*3 780nm 171 162 171 152 143 190 114 81 680nm 180 171 180 160 158 210 120 90 635nm 216 216 216 200 195 250 150 108 n^*1：屈折率 k^*2：消衰係数 ni ×di^*3：干渉層の屈折率×膜厚

【００９１】

【表２５】表−３（つづき）実施例 119 120 121 122 123 124 125 126 記録層化学式No a-6 a-6 a-6 a-6 a-6 a-8 a-8 a-8 干渉層化学式No 1-149 1-150 1-151 1-152 1-153 1-154 1-155 1-156 膜厚(nm) 80 90 80 90 90 80 75 100 光学定数・記録層 780nm n^*1 2.2 2.0 2.2 2.3 2.0 2.2 2.2 2.2 k^*2 0.08 0.06 0.10 0.12 0.06 0.10 0.08 0.08 680nm n 1.2 1.3 1.2 1.3 1.3 1.2 1.2 1.2 k 0.49 0.47 0.45 0.51 0.47 0.45 0.49 0.49 635nm n 1.2 1.2 1.1 1.2 1.2 1.1 1.2 1.2 k 0.34 0.30 0.28 0.30 0.30 0.28 0.34 0.34 ・干渉層 780nm n 1.9 1.9 1.9 1.8 1.9 1.9 1.9 1.9 k 0.05 0.10 0.11 0.10 0.10 0.11 0.12 0.05 680nm n 2.1 2.0 2.0 1.9 2.0 2.0 2.1 2.1 k 0.04 0.10 0.10 0.08 0.10 0.10 0.12 0.04 635nm n 2.5 2.4 2.5 2.4 2.4 2.5 2.6 2.5 k 0.10 0.12 0.13 0.11 0.12 0.13 0.14 0.10 ni ×di^*3 780nm 152 171 152 162 171 152 143 190 680nm 168 180 160 171 180 160 158 210 635nm 200 216 200 216 216 200 195 250 n^*1：屈折率 k^*2：消衰係数 ni ×di^*3：干渉層の屈折率×膜厚

【００９２】

【表２６】表−３（つづき）実施例 127 128 129 130 131 132 133 記録層化学式No a-8 a-8 a-8 b-2 b-2 b-2 b-2 干渉層化学式No 1-157 1-158 1-159 1-160 1-161 1-162 1-163 膜厚(nm) 60 45 80 90 90 90 90 光学定数・記録層 780nm n^*1 2.2 2.3 2.2 2.0 2.0 2.3 2.0 k^*2 0.10 0.11 0.08 0.06 0.06 0.12 0.06 680nm n 1.2 1.2 1.2 1.3 1.3 1.3 1.3 k 0.45 0.45 0.49 0.47 0.47 0.51 0.47 635nm n 1.1 1.1 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 k 0.28 0.27 0.34 0.30 0.30 0.30 0.30 ・干渉層 780nm n 1.9 1.8 1.9 1.9 1.9 1.8 1.9 k 0.11 0.12 0.05 0.10 0.10 0.11 0.10 680nm n 2.0 2.0 2.1 2.0 2.0 1.9 2.0 k 0.10 0.11 0.04 0.10 0.10 0.08 0.10 635nm n 2.5 2.4 2.5 2.4 2.4 2.4 2.4 k 0.13 0.15 0.10 0.12 0.12 0.11 0.12 ni ×di^*3 780nm 114 81 152 171 171 162 171 680nm 120 90 168 180 180 171 180 635nm 150 108 200 216 216 216 216 n^*1：屈折率 k^*2：消衰係数 ni ×di^*3：干渉層の屈折率×膜厚

【００９３】

【表２７】表−４実施例 49 50 51 52 53 54 55 56 57 680 記録 786nm再生反射率(%) 68 68 70 70 69 70 69 67 69 エラー率(cps) 9 7 7 8 7 7 6 <5 6 I3/Itop 0.41 0.43 0.42 0.42 0.41 0.41 0.43 0.41 0.41 680nm再生反射率(%) 27 28 27 27 28 25 26 24 26 エラー率(cps) 9 7 7 10 7 7 9 <5 10 I3/Itop 0.38 0.40 0.39 0.38 0.40 0.39 0.42 0.40 0.42 635nm再生反射率(%) 33 31 32 33 31 32 32 32 32 エラー率(cps) 7 6 6 7 5 5 9 7 10 I3/Itop 0.44 0.46 0.46 0.45 0.47 0.46 0.45 0.44 0.45 780 記録 786nm再生反射率(%) 70 69 68 71 68 67 69 70 69 エラー率(cps) 6 7 6 6 7 6 10 6 10 I3/Itop 0.45 0.43 0.44 0.45 0.43 0.44 0.44 0.43 0.44 680nm再生反射率(%) 28 27 27 28 27 27 30 29 30 エラー率(cps) 9 10 9 9 10 9 8 9 8 I3/Itop 0.39 0.46 0.41 0.39 0.46 0.41 0.38 0.45 0.38 635nm再生反射率(%) 35 33 32 35 33 32 33 34 33 エラー率(cps) 8 9 6 8 9 7 7 <5 7 I3/Itop 0.45 0.47 0.46 0.44 0.47 0.45 0.45 0.43 0.45

【００９４】

【表２８】表−４（つづき）実施例 58 59 60 61 62 63 64 65 66 680 記録 786nm再生反射率(%) 66 69 70 69 70 68 70 68 70 エラー率(cps) <5 8 <5 <5 <5 7 <5 6 7 I3/Itop 0.40 0.45 0.45 0.45 0.45 0.42 0.45 0.40 0.42 680nm再生反射率(%) 21 25 31 25 33 27 28 26 27 エラー率(cps) <5 8 7 <5 <5 <5 9 8 9 I3/Itop 0.40 0.37 0.45 0.37 0.45 0.46 0.39 0.43 0.39 635nm再生反射率(%) 32 32 29 25 28 30 32 28 32 エラー率(cps) 7 9 7 10 7 <5 <5 6 7 I3/Itop 0.44 0.43 0.44 0.43 0.43 0.46 0.44 0.45 0.46 780 記録 786nm再生反射率(%) 70 68 69 68 66 68 70 69 70 エラー率(cps) 5 7 <5 5 <5 6 6 8 6 I3/Itop 0.43 0.46 0.47 0.46 0.47 0.43 0.46 0.47 0.44 680nm再生反射率(%) 29 31 28 31 28 27 28 30 29 エラー率(cps) 9 9 8 9 8 5 9 7 9 I3/Itop 0.45 0.40 0.41 0.40 0.41 0.44 0.45 0.42 0.39 635nm再生反射率(%) 34 31 33 31 33 31 30 31 34 エラー率(cps) <5 7 <5 7 <5 6 9 8 8 I3/Itop 0.43 0.46 0.46 0.46 0.45 0.45 0.46 0.45 0.46

【００９５】

【表２９】表−４（つづき）実施例 67 68 69 70 71 72 73 74 75 680 記録 786nm再生反射率(%) 69 70 69 70 69 70 68 69 69 エラー率(cps) 8 6 7 6 <5 8 6 <5 6 I3/Itop 0.41 0.41 0.41 0.45 0.40 0.45 0.42 0.45 0.40 680nm再生反射率(%) 28 27 30 26 28 31 26 28 28 エラー率(cps) 7 7 9 7 8 <5 8 10 8 I3/Itop 0.41 0.39 0.44 0.38 0.38 0.43 0.45 0.41 0.42 635nm再生反射率(%) 31 32 31 29 30 29 29 31 28 エラー率(cps) 5 5 8 9 8 7 5 <5 6 I3/Itop 0.45 0.44 0.45 0.46 0.47 0.43 0.45 0.44 0.45 780 記録 786nm再生反射率(%) 69 68 68 69 71 66 69 70 69 エラー率(cps) 7 7 9 6 5 9 7 8 8 I3/Itop 0.43 0.44 0.44 0.45 0.43 0.47 0.43 0.46 0.47 680nm再生反射率(%) 27 29 30 31 29 29 27 28 30 エラー率(cps) 10 9 8 9 9 8 5 10 7 I3/Itop 0.46 0.41 0.38 0.41 0.45 0.41 0.44 0.45 0.42 635nm再生反射率(%) 32 31 34 32 34 33 31 30 31 エラー率(cps) 9 8 7 7 <5 <5 6 9 8 I3/Itop 0.47 0.44 0.45 0.46 0.43 0.45 0.44 0.45 0.45

【００９６】

【表３０】表−４（つづき）実施例 76 77 78 79 80 81 82 83 84 680 記録 786nm再生反射率(%) 69 69 71 69 68 67 66 68 69 エラー率(cps) 7 8 6 7 6 <5 8 6 <5 I3/Itop 0.41 0.42 0.41 0.42 0.41 0.42 0.43 0.42 0.44 680nm再生反射率(%) 28 28 26 30 28 29 30 27 29 エラー率(cps) 8 7 7 9 8 8 <5 8 9 I3/Itop 0.39 0.40 0.38 0.43 0.39 0.39 0.41 0.44 0.42 635nm再生反射率(%) 32 31 31 31 28 30 28 29 30 エラー率(cps) 7 5 5 8 9 8 7 5 <5 I3/Itop 0.45 0.47 0.44 0.46 0.45 0.46 0.44 0.43 0.44 780 記録 786nm再生反射率(%) 69 69 69 67 70 70 67 69 70 エラー率(cps) 6 7 7 9 6 8 9 7 8 I3/Itop 0.43 0.43 0.45 0.46 0.45 0.44 0.43 0.42 0.43 680nm再生反射率(%) 29 28 27 30 31 30 29 28 27 エラー率(cps) 9 8 9 8 9 9 8 6 9 I3/Itop 0.39 0.45 0.42 0.39 0.41 0.44 0.42 0.43 0.44 635nm再生反射率(%) 34 33 32 31 32 33 33 31 30 エラー率(cps) 8 9 8 7 7 <5 <5 6 9 I3/Itop 0.45 0.46 0.45 0.44 0.46 0.43 0.46 0.45 0.46

【００９７】

【表３１】表−４（つづき）実施例 85 86 87 88 89 90 91 92 93 680 記録 786nm再生反射率(%) 69 69 69 70 69 69 69 70 68 エラー率(cps) 6 9 8 7 6 7 <5 <5 7 I3/Itop 0.40 0.42 0.43 0.43 0.44 0.45 0.42 0.44 0.43 680nm再生反射率(%) 28 28 28 27 26 27 25 30 27 エラー率(cps) 9 9 8 7 9 8 <5 7 <5 I3/Itop 0.41 0.39 0.41 0.42 0.41 0.39 0.40 0.43 0.44 635nm再生反射率(%) 28 32 31 31 30 30 31 29 30 エラー率(cps) 6 8 8 7 9 9 7 8 <5 I3/Itop 0.44 0.44 0.45 0.46 0.42 0.43 0.43 0.44 0.44 780 記録 786nm再生反射率(%) 69 68 69 69 69 68 70 69 68 エラー率(cps) 8 8 7 7 9 7 6 <5 7 I3/Itop 0.44 0.43 0.44 0.45 0.44 0.43 0.43 0.45 0.42 680nm再生反射率(%) 30 29 29 28 30 30 28 27 27 エラー率(cps) 7 7 8 9 7 9 6 8 5 I3/Itop 0.42 0.39 0.40 0.42 0.39 0.41 0.43 0.41 0.42 635nm再生反射率(%) 31 34 30 31 32 30 29 32 31 エラー率(cps) 8 6 6 6 8 7 <5 <5 6 I3/Itop 0.45 0.44 0.43 0.46 0.45 0.46 0.43 0.45 0.44

【００９８】

【表３２】表−４（つづき）実施例 94 95 96 97 98 99 100 101 102 680 記録 786nm再生反射率(%) 70 68 68 69 70 69 69 67 69 エラー率(cps) <5 6 9 7 7 6 8 <5 <5 I3/Itop 0.45 0.40 0.41 0.43 0.42 0.43 0.45 0.42 0.45 680nm再生反射率(%) 28 29 27 28 28 26 25 26 28 エラー率(cps) 9 8 6 7 7 9 8 <5 10 I3/Itop 0.40 0.42 0.38 0.40 0.39 0.42 0.37 0.46 0.39 635nm再生反射率(%) 31 29 31 32 31 32 32 30 32 エラー率(cps) <5 6 7 6 6 9 9 <5 <5 I3/Itop 0.44 0.45 0.44 0.45 0.46 0.45 0.43 0.46 0.44 780 記録 786nm再生反射率(%) 69 69 69 69 68 69 68 68 70 エラー率(cps) 6 8 6 7 6 9 7 6 6 I3/Itop 0.44 0.44 0.44 0.43 0.44 0.44 0.46 0.43 0.46 680nm再生反射率(%) 28 31 29 27 28 30 31 27 28 エラー率(cps) 9 7 9 9 9 8 9 5 10 I3/Itop 0.41 0.42 0.39 0.44 0.41 0.39 0.49 0.44 0.45 635nm再生反射率(%) 30 31 34 32 32 33 31 31 30 エラー率(cps) 9 7 9 9 6 7 7 <5 6 I3/Itop 0.45 0.45 0.44 0.46 0.46 0.45 0.46 0.44 0.46

【００９９】

【表３３】表−４（つづき）実施例 103 104 105 106 107 108 109 110 111 680 記録 786nm再生反射率(%) 66 71 69 71 69 70 69 70 68 エラー率(cps) 6 5 8 6 6 <5 <5 <5 6 I3/Itop 0.40 0.42 0.41 0.41 0.41 0.45 0.40 0.45 0.42 680nm再生反射率(%) 21 27 28 25 30 25 21 31 26 エラー率(cps) 8 10 7 7 10 7 8 <5 5 I3/Itop 0.43 0.38 0.40 0.39 0.42 0.37 0.40 0.45 0.46 635nm再生反射率(%) 28 33 31 32 31 25 31 28 29 エラー率(cps) 6 7 5 5 10 9 8 7 5 I3/Itop 0.45 0.45 0.47 0.46 0.45 0.43 0.44 0.43 0.46780 記録 786nm再生反射率(%) 69 73 68 67 69 68 70 65 68 エラー率(cps) 8 6 7 7 10 6 5 10 7 I3/Itop 0.47 0.44 0.43 0.44 0.44 0.45 0.43 0.47 0.43 680nm再生反射率(%) 30 29 27 29 30 31 29 29 27 エラー率(cps) 7 9 10 9 8 9 9 8 5 I3/Itop 0.42 0.39 0.46 0.41 0.38 0.41 0.45 0.41 0.44 635nm再生反射率(%) 31 35 33 31 33 31 34 33 31 エラー率(cps) 10 8 9 8 7 7 <5 <5 6 I3/Itop 0.45 0.44 0.47 0.44 0.45 0.45 0.43 0.45 0.44

【０１００】

【表３４】表−４（つづき）実施例 112 113 114 115 116 117 118 119 120 680 記録 786nm再生反射率(%) 69 69 69 69 71 69 68 67 66 エラー率(cps) <5 6 7 8 6 7 6 <5 8 I3/Itop 0.45 0.40 0.41 0.42 0.41 0.42 0.41 0.42 0.43 680nm再生反射率(%) 28 23 28 28 26 30 28 29 30 エラー率(cps) 10 8 8 7 7 9 8 8 <5 I3/Itop 0.39 0.43 0.39 0.40 0.38 0.43 0.39 0.39 0.41 635nm再生反射率(%) 32 28 32 31 31 31 28 30 28 エラー率(cps) <5 6 7 5 5 8 9 8 7 I3/Itop 0.44 0.45 0.45 0.47 0.44 0.46 0.45 0.46 0.44780 記録 786nm再生反射率(%) 70 69 69 69 69 67 70 70 67 エラー率(cps) 6 8 6 7 7 9 6 8 9 I3/Itop 0.46 0.47 0.43 0.43 0.45 0.46 0.45 0.44 0.43 680nm再生反射率(%) 28 30 29 28 27 30 31 30 29 エラー率(cps) 10 7 9 8 9 8 9 9 8 I3/Itop 0.45 0.42 0.39 0.45 0.42 0.39 0.41 0.44 0.42 635nm再生反射率(%) 30 31 34 33 32 31 32 33 33 エラー率(cps) 10 8 8 9 8 7 7 <5 <5 I3/Itop 0.46 0.45 0.45 0.46 0.45 0.44 0.46 0.43 0.46

【０１０１】

【表３５】表−４（つづき）実施例 121 122 123 124 125 126 127 128 129 680 記録 786nm再生反射率(%) 68 69 9 70 69 70 69 70 69 エラー率(cps) 6 <5 6 6 8 6 6 <5 <5 I3/Itop 0.42 0.44 0.40 0.41 0.41 0.41 0.41 0.45 0.40 680nm再生反射率(%) 27 29 28 26 28 26 30 25 21 エラー率(cps) 8 9 9 6 7 7 10 7 8 I3/Itop 0.44 0.42 0.41 0.39 0.40 0.40 0.42 0.41 0.39 635nm再生反射率(%) 29 30 28 32 31 32 31 25 31 エラー率(cps) 5 <5 6 7 5 5 10 9 8 I3/Itop 0.43 0.44 0.44 0.45 0.47 0.46 0.45 0.43 0.44 780 記録 786nm再生反射率(%) 69 70 69 73 68 67 69 68 70 エラー率(cps) 7 8 8 6 7 7 10 6 5 I3/Itop 0.42 0.43 0.44 0.45 0.43 0.44 0.44 0.45 0.42 680nm再生反射率(%) 28 27 30 30 27 29 30 32 29 エラー率(cps) 6 9 7 8 10 9 8 9 9 I3/Itop 0.43 0.44 0.42 0.39 0.46 0.41 0.38 0.41 0.45 635nm再生反射率(%) 31 30 31 31 33 31 33 31 34 エラー率(cps) 6 9 8 8 9 8 7 7 <5 I3/Itop 0.45 0.46 0.45 0.45 0.46 0.44 0.45 0.45 0.43

【０１０２】

【表３６】表−４（つづき）比較例実施例 130 131 132 133 1 2 3 4 680 記録 786nm再生反射率(%) 70 68 69 69 67 42 80 72 エラー率(cps) <5 6 <5 6 <5 − − 7 I3/Itop 0.45 0.42 0.45 0.40 0.42 − − 0.73 680nm再生反射率(%) 31 26 28 23 7 9 4 10 エラー率(cps) <5 5 10 8 5650 5600 5450 35 I3/Itop 0.38 0.46 0.39 0.43 ── ── ── 0.35 635nm再生反射率(%) 27 29 32 28 8 10 25 8 エラー率(cps) 7 5 <5 6 5450 5600 10 95 I3/Itop 0.44 0.46 0.44 0.45 ── ── 0.47 0.19 780 記録 786nm再生反射率(%) 66 68 70 69 67 41 80 74 エラー率(cps) 10 7 6 8 6 ── ── 5 I3/Itop 0.47 0.43 0.46 0.47 0.40 ── ── 0.75 680nm再生反射率(%) 29 27 28 30 7 9 9 12 エラー率(cps) 8 6 10 7 5700 5700 5700 30 I3/Itop 0.41 0.44 0.44 0.41 ── ── ── 0.38 635nm再生反射率(%) 33 31 30 31 7 11 25 8 エラー率(cps) <5 6 10 8 5800 5800 10 80 I3/Itop 0.45 0.45 0.46 0.44 ── ── 0.45 0.20

【０１０３】

【発明の効果】本発明は、波長６３０ｎｍ未満に吸収極
大を有するアゾ化合物またはその金属錯体及び波長６８
０〜９００ｎｍに吸収極大を有するフタロシアニン化合
物を含有する色素層を設けることにより、７７０〜８３
０ｎｍから選択される波長の光に対してＣＤ規格に準拠
した記録、再生または再生が可能で、且つ、波長６２０
〜６９０ｎｍから選択される波長の光に対して記録、再
生または再生ができる良好な記録特性を有する互換性の
ある光記録媒体を提供することを可能にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】光記録媒体の断面構造図。

【符号の説明】

１：基板２：色素層３：反射層４：保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号特願平7−279953 (32)優先日平７(1995)10月27日 (33)優先権主張国日本（ＪＰ） (72)発明者津田武神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者梅原英樹神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者詫摩啓輔神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、少なくとも、色素層、反射層
及び保護層を有する光記録媒体において、該色素層中
に、波長４５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有する一般式
（１）（化１）のアゾ化合物またはその金属錯体と波長
６８０〜９００ｎｍに吸収極大を有する一般式（２）
（化２）で示されるフタロシアニン化合物を含有するこ
とを特徴とする光記録媒体。【化１】〔式中、Ｒ₁及びＲ₂は各々独立に水素原子、総炭素数
１〜１５の置換または未置換のアルキル基、総炭素数６
〜２１の置換または未置換のアリール基、総炭素数７〜
２２の置換または未置換のアラルキル基、総炭素数２〜
１６の置換または未置換のアルケニル基を表し、Ｒ₃、
Ｒ₄、Ｒ₅及びＲ₆は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン基、スル
ホンアミド基、アミノ基、総炭素数１〜１５の置換また
は未置換のアルキル基、総炭素数１〜１５の置換または
未置換のアルコキシ基、総炭素数６〜２１の置換または
未置換のアリール基、総炭素数１〜１５の置換または未
置換のアシル基、総炭素数２〜１６の置換または未置換
のアルキルカルボキシル基、総炭素数２〜２２の置換ま
たは未置換のアラルキル基、総炭素数２〜１６の置換ま
たは未置換のアルキルカルボニルアミノ基、総炭素数１
〜１５の置換または未置換のアルキルスルホンアミノ
基、総炭素数１〜１５の置換または未置換のアルキルア
ミノ基、総炭素数１〜１５の置換または未置換のアルキ
ルスルホニル基、総炭素数２〜１６の置換または未置換
のアルケニル基を表し、Ｒ₁とＲ₄、Ｒ₂とＲ₆及びＲ
₁とＲ₂は連結基を介して環を形成してもよく、Ｒ
₇は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボ
キシル基、スルホン基、スルホンアミド基、アミノ基、
総炭素数１〜１５の置換または未置換のアルキル基、総
炭素数１〜１５の置換または未置換のアルコキシ基、総
炭素数６〜２１の置換または未置換のアリール基、総炭
素数１〜１５の置換または未置換のアシル基、総炭素数
２〜１６の置換または未置換のアルキルカルボキシル
基、総炭素数７〜２２の置換または未置換のアラルキル
基、総炭素数２〜１６の置換または未置換のアルキルカ
ルボニルアミノ基、総炭素数１〜１５の置換または未置
換のアルキルスルホンアミノ基、総炭素数１〜１５の置
換または未置換のアルキルアミノ基、総炭素数１〜１５
の置換または未置換のアルキルスルホニル基、総炭素数
２〜１６の置換または未置換のアルケニル基、シアノ
基、ニトロ基、メルカプト基、チオシアノ基、クロロス
ルホン酸基、総炭素数１〜１５の置換または未置換のア
ルキルチオ基、総炭素数２〜１６の置換または未置換の
アルキルアゾメチン基、総炭素数１〜１５の置換または
未置換のアルキルアミノスルホニル基を表し、Ｘは硫黄
原子またはＮ−Ｒ₈を表し、（ここで、Ｒ₈は水素原
子、総炭素数１〜１５の置換または未置換のアルキル
基、総炭素数６〜２１の置換または未置換のアリール
基、総炭素数７〜２２の置換または未置換のアラルキル
基、総炭素数２〜１６の置換または未置換のアルケニル
基を表す。）Ｙは窒素原子またはＣ−Ｒ₉を表す（ここ
で、Ｒ₉はＲ₇と同じ意味を表す。）。但し、Ｘが硫黄
原子の時、Ｙは窒素原子であり、ＸがＮ−Ｒ₈の時、Ｙ
はＣ−Ｒ₉である。〕【化２】（式中、Ｙ₁，Ｙ₂，Ｙ₃，Ｙ₄，Ｙ₅，Ｙ₆，Ｙ₇及
びＹ₈は、各々独立に水素原子、炭素数１〜２０の置換
または未置換の炭化水素基、炭素数１〜２０の置換また
は未置換のアルコキシ基、炭素数１〜２０の置換または
未置換のアルキルチオ基を表し、Ｙ₁とＹ₂、Ｙ₃とＹ
₄、Ｙ₅とＹ₆、及びＹ₇とＹ₈の各組み合わせにおい
て、互いに隣接している場合は連結して環状となっても
よい基を表し、他方、Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃及びＡ₄は、各
々独立にハロゲン原子、ニトロ基を表す。ｌ₁、ｌ₂、
ｌ₃及びｌ₄は０〜３の整数を表し、ｍ₁、ｍ₂、ｍ₃
及びｍ₄は０〜３の整数を表し、Ｍは２個の水素原子、
２価の金属原子、３価または４価の置換金属原子、また
はオキシ金属を表す。）
【請求項２】色素層中に含有する波長４５０〜６３０
ｎｍに吸収極大を有する化合物が、一般式（３）（化
３）で示されるアゾ化合物の金属錯体であることを特徴
とする請求項１記載の光記録媒体。【化３】〔式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₄、Ｒ₅及びＲ₆は、一般式
（１）と同じ意味を表し、Ｒ₁₀は、ヒドロキシ基または
カルボキシル基を表し、Ｒ₁₁は、水素原子またはハロゲ
ン原子を表す。〕
【請求項３】色素層が、波長４５０〜６３０ｎｍに吸
収極大を有する一般式（１）で示されるアゾ化合物また
はその金属錯体と波長６８０ｎｍ〜９００ｎｍに吸収極
大を有する一般式（２）で示されるフタロシアニン化合
物の混合物を含有する１層構造をとることを特徴とする
請求項１記載の光記録媒体。
【請求項４】色素層が、波長４５０〜６３０ｎｍに吸
収極大を有する一般式（１）で示されるアゾ化合物また
はその金属錯体を含有する光干渉層、及び、波長６８０
ｎｍ〜９００ｎｍに吸収極大を有する一般式（２）で示
されるフタロシアニン化合物を含有する記録層の２層構
造をとることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項５】光干渉層の複素屈折率の実部をｎ_i、膜
厚をｄ_i（ｎｍ）とした時、記録及び再生波長の光に対
して、７０≦ｎ_i×ｄ_i≦３００であることを特徴とす
る請求項４記載の光記録媒体。
【請求項６】波長７７０〜８３０ｎｍの範囲から選択
される波長λ₁のレーザー光を用いて記録及び／又は再
生が可能であり、且つ、６２０〜６９０ｎｍの範囲から
選択される波長λ₂のレーザー光を用いて記録及び／又
は再生が可能である請求項１〜５のいずれかに記載の光
記録媒体。
【請求項７】波長λ₂のレーザー光を用いて再生が可
能である請求項６記載の光記録媒体。
【請求項８】基板を通して測定した波長λ₁のレーザ
ー光の反射率が６５％以上で、且つ、波長λ₂のレーザ
ー光の反射率が１５％以上である請求項６または７記載
の光記録媒体。
【請求項９】基板を通して測定した波長λ₂のレーザ
ー光の反射率が２０％以上の請求項８記載の光記録媒
体。
【請求項１０】一般式（４）（化４）で表されるアゾ
化合物の金属錯体。【化４】〔式中、Ｒ₁及びＲ₂は各々独立に水素原子、総炭素数
１〜１５の置換または未置換のアルキル基、総炭素数６
〜２１の置換または未置換のアリール基、総炭素数７〜
２２の置換または未置換のアラルキル基、総炭素数２〜
１６の置換または未置換のアルケニル基を表し、Ｒ₁₁は
水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｍｅはニッケル、
コバルト、銅、パラジウム、鉄または亜鉛を表す〕