JPH0899467A

JPH0899467A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH0899467A
Application number: JP6237298A
Authority: JP
Inventors: Hideki Umehara; 英樹梅原; Masatoshi Yanagimachi; 昌俊柳町; Yoshiteru Taniguchi; 義輝谷口; Sumio Hirose; 純夫広瀬; Tsutayoshi Misawa; 伝美三沢; Hirosuke Takuma; 啓輔詫摩
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1994-09-30
Filing date: 1994-09-30
Publication date: 1996-04-16

Abstract

(57)【要約】【構成】基板上に記録層、反射層及び保護層を有す
る光記録媒体において、該記録層中に波長４５０〜６３
０ｎｍに吸収極大を有する特定のアゾ化合物を含有する
光記録媒体。【効果】従来より使用されている７８０ｎｍの近赤
外レーザーで記録再生可能で、且つ、近年移行しつつあ
る、記録再生波長が６３５ｎｍや６８０ｎｍの赤色レー
ザーでも記録再生が可能な互換性のある光記録媒体が提
供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体、特に波長
６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザーで記録及び又は再生
可能で、且つ、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザ
ーで記録及び又は記録再生可能である光記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
て、コンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対
応した、追記または記録可能なＣＤが提案されている
［例えば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．４６５，Ｐ．
１０７，１９８９年１月２３日号］。この光記録媒体は
図１に示すように、基板１上に記録層２、反射層３、保
護層４をこの順に形成したものである。この光記録媒体
の記録層に、半導体レーザー等のレーザー光を高パワー
で照射すると、記録層が物理的あるいは化学的変化を起
こし、ピットの形で情報を記録する。かくして形成され
たピットに、低パワーのレーザー光を照射し、反射光を
検出することによりピットの情報を再生することができ
る。このような光記録媒体の記録再生には一般に波長７
７０〜８３０ｎｍの近赤外半導体レーザーが用いられて
おり、レッドブックやオレンジブック等のＣＤの規格に
準拠しているため、ＣＤプレーヤーやＣＤーＲ０Ｍプレ
ーヤーと互換性を有するという特徴を有する。しかし
て、最近、７７０ｎｍよりも短波長の半導体レーザーの
開発が進み、波長６８０ｎｍ及び６３０ｎｍの赤色半導
体レーザーが実用化されている［例えば、日経エレクト
ロニクス、Ｎｏ．５９２、Ｐ．６５、１９９３年１０月
１１日号］。このような記録再生用レーザーの短波長化
によりビームスポットを小さくすることで、高密度な光
記録媒体が可能になる。半導体レーザーの短波長化とデ
ータ圧縮技術などにより動画を記憶できる大容量の光記
録媒体が開発されてきている［例えば、日経エレクトロ
ニクス、Ｎｏ．５８９、Ｐ．５５、１９９３年８月３０
日号］。かかる高密度の光記録媒体は、動画のような大
容量のデータを記録することができ、ビデオＣＤなどの
用途に期待されている［例えば、日経エレクトロニク
ス、Ｎｏ．５９４、Ｐ．１６９、１９９３年１１月８日
号］。また、特開平２−２７８５１９号公報では、６８
０ｎｍの短波長レーザーで高感度に記録して７８０ｎｍ
で再生する方法により高感度高速記録が提案されてい
る。一方、特開平６−４０１６２号公報には、短波長レ
ーザーで記録再生が可能な光記録媒体が提案されてい
る。この媒体は、記録層にインドカルボシアニン色素を
用いており、６３０ｎｍの半導体レーザーやＨｅ・Ｎｅ
レーザーで記録可能である。６３０ｎｍよりさらに短波
長の４９０ｎｍの青／緑色半導体レーザーも研究されて
いるが、まだ実用化の段階まで至っていない［例えば、
ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒ，Ｐ．
１２７２−１２７４，Ｖｏｌ．５９（１９９１）や『日
経エレクトロニクス』Ｎｏ．５５２，Ｐ．９０，１９９
２年４月２７日号］。こうした背景から光記録媒体の記
録再生波長が６３０ｎｍ付近まで短波長化されていく傾
向にある。従って、これに対応した光記録媒体の開発が
必要となり、さらに従来からある７８０ｎｍにも対応し
た互換性のある光記録媒体が望まれている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、我々の
検討によると、従来の光記録媒体では記録層に用いてい
る有機色素が、波長６２０〜６９０ｎｍで吸収が大きく
屈折率が小さいため反射率が低く、波長６８０ｎｍまた
は６３０ｎｍの赤色レーザーでの再生が不可能であるこ
とがわかった。本発明の目的は、波長６８０または６３
０ｎｍの赤色レーザーで記録及び又は再生可能で、且
つ、７８０ｎｍの近赤外レーザー（従来より市販のＣＤ
プレーヤーなど）でも再生または記録・再生可能な光記
録媒体を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案する
に至った。すなわち、本発明は、基板上に記録層、反射
層及び保護層を有する光記録媒体において、該記録層中
に下記式（１）〔化２〕で示される波長４５０〜６３０
ｎｍに吸収極大を有するアゾ化合物を含有する光記録媒
体。

【０００５】

【化２】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は各々独立に水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換または未
置換のアルキル基、アルコキシ基、アリル基を表し、Ｒ
₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉及びＲ₁₀は各々独立に，水
素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル
基、スルホン基、置換または未置換のアルキル基、アル
コキシ基、アリル基、アシル基、アルキルカルボキシル
基、アラルキル基、アルキルカルボニルアミノ基、アル
キルスルホンアミノ基、アルキルアミノ基、スルホンア
ミド基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アルキルス
ルホン基、フェニル基を表し、Ｒ₆とＲ₉、Ｒ₈とＲ₁₀
及びＲ₉とＲ₁₀は連結基を介して環を形成してもよい。
ただし、同時に、Ｒ₆がアルコキシ基、Ｒ₇がカルボア
ルキルアミノ基且つＲ₁、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₈が水素原子
であることはない。］であり、また、記録層中に一般式
（１）で示される化合物とともに波長６５０〜９００ｎ
ｍに吸収極大を有する光吸収化合物をさらに含有する光
記録媒体であり、また、波長６５０〜９００ｎｍに吸収
極大を有する光吸収化合物の重量比が０．１〜５０％で
ある光記録媒体であり、また、波長６２０〜６９０ｎｍ
の赤色レーザーから選ばれた光に対する基板側から測定
した反射率が２０％以上であり、波長６２０〜６９０ｎ
ｍの赤色レーザーで少なくても再生可能である光記録媒
体であり、また、波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザ
ーから選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が
２０％以上であり、波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レー
ザーで記録及び／又は再生可能である光記録媒体であ
り、また、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザーか
ら選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が６５
％以上であり、７７０〜８３０ｎｍから選ばれた近赤外
レーザーで記録及び／又は再生可能である光記録媒体で
ある。

【０００６】本発明に従えば、上記したようなアゾ化合
物またはアゾ化合物と適当な光吸収を有する化合物の混
合物を記録層に用いることにより、波長６２０〜６９０
ｎｍの赤色レーザーで記録及び又は再生可能で、且つ、
７７０〜８３０ｎｍから選ばれたレーザーで再生または
記録・再生可能な光記録媒体が実現される。

【０００７】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。本発明の光記録媒体は基本的には、基板上に記録層
及び反射層を有するものである。光記録媒体とは、通常
予め情報を記録されている再生専用の光再生専用媒体及
び情報を記録して再生することのできる光記録媒体の両
方を示すものである。但し、ここでは、適例として、後
者の情報を記録して再生のできる光記録媒体、特に基板
上に記録層、反射層及び保護層をこの順で形成した光記
録媒体に関して説明する。かかる光記録媒体は基本的
に、図１に示すような４層構造を有している。すなわ
ち、基板１上に記録層２が形成されており、その上に密
着して反射層３が設けられており、さらにその上に保護
層４が反射層３を覆っている。

【０００８】本発明における基板の材質としては、基本
的には記録光及び再生光の波長で透明であればよい。例
えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメ
タクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹
脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料
が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により
円盤状に基板に成形される。なお必要に応じて、基板表
面に溝を形成することもある。

【０００９】本発明において、色素層に含有する式
（１）〔化３〕で示されるアゾ化合物は波長４５０〜６
３０ｎｍに吸収極大を有するアゾ化合物であって、例え
ばλmaxが５００ｎｍ付近に存在するものである。ま
た、６２０〜６９０ｎｍでの屈折率が大きく、吸光度が
小さいため、反射率が大きく取れるものである。さら
に、７７０〜８３０ｎｍでの屈折率も大きく吸収も小さ
いため、現在使用されている７７０〜８３０ｎｍの半導
体レーザーを搭載したＣＤプレーヤーやＣＤーＲＯＭプ
レーヤーでも再生が可能となる。

【００１０】

【化３】式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は各々独立に水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換または未
置換のアルキル基、アルコキシ基、アリル基を表し、Ｒ
₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉及びＲ₁₀は各々独立に，水
素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル
基、スルホン基、置換または未置換のアルキル基、アル
コキシ基、アリル基、アシル基、アルキルカルボキシル
基、アラルキル基、アルキルカルボニルアミノ基、アル
キルスルホンアミノ基、アルキルアミノ基、スルホンア
ミド基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アルキルス
ルホン基、フェニル基を表し、Ｒ₆とＲ₉、Ｒ₈とＲ₁₀
及びＲ₉とＲ₁₀は連結基を介して環を形成してもよい。
ただし、同時に、Ｒ₆がアルコキシ基、Ｒ₇がカルボア
ルキルアミノ基且つＲ₁、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₈が水素原子
であることはないものとする。ここで、ハロゲン原子と
しては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素であり好ましく
は、フッ素、塩素、臭素である。

【００１１】また、置換または未置換のアルキル基とし
ては、直鎖または分岐のアルキル基、アルコキシアルキ
ル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシア
ルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル
アルキル基、アルコキシカルボニルオキシアルキル基、
アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキル基、ヒ
ドロキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルキル
基、ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基、シア
ノアルキル基、アシルオキシアルキル基、アシルオキシ
アルコキシアルキル基およびハロゲン化アルキルの中か
ら選択される。

【００１２】なお、上記に云う直鎖または分岐のアルキ
ル基としては、炭素１〜２０の炭化水素基であって、ポ
リカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリオレフィン
基板等への塗布による加工性を考慮すれば、メチル基、
エチル基、プロピル基、ｎーブチル基、ｎーヘキシル
基、４ーエチルペンチル基、２ーエチルヘキシル基、ｎ
ーオクチル基、３、５、５ートリメチルヘキシル基、２
ーメチルー１ーisoープロピルプロピル基、３ーメチル
ー１ーiso-プロピルブチル基、３ーメチルー１ーiso-ブ
チルブチル基などが好ましいものとして挙げられる。

【００１３】アルコキシアルキル基としては、メトキシ
メチル基、エトキシメチル基、プロポキシメトキシ基、
ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル
基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎーヘキ
シルオキシエチル基、４ーメチルペントキシエチル基、
１、３ージメチルブトキシエチル基、２ーエチルヘキシ
ルオキエシエチル基、ｎーオクチルオキシエチル基、
３、５、５ートリメチルヘキシルオキシエチル基、２ー
メチルー１ーisoープロピルオキシエチル基、３ーメチ
ルー１ーisoープロピルブチルオキシエチル基、２ーエ
トキシー１ーメチルエチル基、３ーメトキシブチル基な
どの炭素数２〜２０のものが挙げられる。アルコキシア
ルコキシアルキル基の例としては、メトキシエトキシエ
チル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシエトキ
シエチル基、ブトキシエトキシエチル基、ヘキシルオキ
シエトキシエチル基、１、２ージメチルプロポキシエト
キシエチル基、３ーメチルー１ーiso-ブチルブトキシエ
トキシエチル基、２ーメトキシー１ーメチルエトキシエ
チル基、２ーブトキシー１ーメチルエトキシエチル基、
２ー（２’ーエトキシー１’ーメチルエトキシ）ー１ー
メチルエチル基などが挙げられる。

【００１４】アルコキシアルコキシアルコキシアルキル
の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル基、エ
トキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエ
トキシエチル基などが挙げられる。

【００１５】アルコキシカルボニルアルキル基の例とし
ては、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニ
ルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカ
ルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブト
キシカルボニルエチル基などが挙げられる。

【００１６】アルコキシカルボニルオキシアルキル基の
例としては、メトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオ
キシエチル基などが挙げられる。

【００１７】アルコキシアルコキシカルボニルオキシア
ルキル基の例としては、メトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチ
ル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基など
が挙げられる。

【００１８】ヒドロキシアルキル基の例としては、２ー
ヒドロキシエチル基、４ーヒドロキシエチル基、２ーヒ
ドロキシー３ーメトキシプロピル基、２ーヒドロキシー
３ークロロプロピル基、２ーヒドロキシー３ーエトキシ
プロピル基、３ーブトキシー２ーヒドロキシプロピル
基、２ーヒドロキシー３ーフェノキシプロピル基、２ー
ヒドロキシプロピル基、２ーヒドロキシブチル基などが
挙げられる。

【００１９】ヒドロキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、ヒドロキシエトキシエチル基、２ー（２’ーヒド
ロキシー１’ーメチルエトキシ）ー１ーメチルエチル基
などが挙げられ、ヒドロキシアルコキシアルコキシアル
キル基の例としては、ヒドロキシエトキシエトキシエチ
ル基、［２’ー（２”ーヒドロキシー１”ーメチルエト
キシ）ー１’ーメチルエトキシ］エトキシエチル基など
が挙げられる。

【００２０】シアノアルキル基の例としては、２ーシア
ノエチル基、４ーシアノエチル基、２ーシアノー３ーメ
トキシプロピル基、２ーシアノー３ークロロプロピル
基、２ーシアノー３ーエトキシプロピル基、３ーブトキ
シー２ーシアノプロピル基、２ーシアノー３ーフェノキ
シプロピル基、２ーシアノプロピル基、２ーシアノブチ
ル基などが挙げられる。

【００２１】アシルオキシアルキル基の例としては、ア
セトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブチ
リルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、１ーエ
チルペンチルカルボニルオキシエチル基、２、４、４ー
トリメチルペンチルカルボニルオキシエチル基などが挙
げられ、アシルオキシアルコキシアルキル基の例として
は、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシ
エトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、
１ーエチルペンチルカルボニルオキシエトキシエチル
基、２、４、４ートリメチルペンチルカルボニルオキシ
エトキシエチル基などが挙げられ、アシルオキシアルコ
キシアルコキシアルキル基の例としては、アセトキシエ
トキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシ
エトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエ
チル基、１ーエチルペンチルカルボニルオキシエトキシ
エチル基、２、４、４ートリメチルペンチルカルボニル
オキシエトキシエトキシエチル基などが挙げられる。

【００２２】ハロゲン化アルキル基の例としては、クロ
ルメチル基、クロルエチル基、２、２、２ートリフルオ
ロエチル基、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、
ヨウ化メチル基などが挙げられる。

【００２３】その他、アルコキシ基、アリル基、アシル
基、アルキルカルボキシル基、アラルキル基、カルボア
ルキルアミノ基、スルフォアルキルアミノ基、アルキル
アミノ基、スルホンアミド基、アミノ基、アルキルカル
ボニル基、フェニル基などにおいても上記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有することができる。Ｒ₆とＲ
₉またはＲ₈とＲ₁₀が連結基を介して環を形成した例と
しては、つぎのもの〔化４〕が挙げられる。

【００２４】

【化４】Ｒ₉とＲ₁₀が連結基を介して環を形成した例としては、
つぎのもの〔化５〕が挙げられる。

【００２５】

【化５】

【００２６】本発明で用いるアゾ化合物の記録層中にお
ける含有率量に特に制限はないが、通常３０〜１００重
量％程度である。また、本発明のアゾ化合物は、A-NH₂
（A は置換または未置換の芳香族残基を示す。）で表さ
れる芳香族アミンを、常法によりジアゾ化し、B-N(R')-
R"（Bは置換または未置換の芳香族残基、R',R" は水素
原子、または置換または未置換のアルキル基を示す。）
で表される芳香族アミンとカップリングすることにより
容易に得ることができる。

【００２７】本発明においては、６２０〜６９０ｎｍと
７７０〜８３０ｎｍに対する記録感度向上のために、６
５０〜９００ｎｍに極大吸収波長のある光吸収化合物を
さらに使用することも好ましい態様である。この場合、
その使用量は、本発明で規定するアゾ化合物に対し、
０．１〜５０％の重量比率( 両者の合計量ベース。以下
同じ )で混合する。この光吸収化合物がこれよりあまり
多い場合は、６３０〜６９０ｎｍと７７０〜８３０ｎｍ
における色素膜の吸収係数が大きくなり再生特性の反射
率を低下させてしまう恐れがある。また、添加量がこれ
よりあまり少ない場合は、６２０〜６９０ｎｍと７７０
〜８３０ｎｍにおける色素膜の吸収係数が小さすぎて記
録感度向上の効果が充分ではない。ただし、６９０〜７
４０ｎｍにシャープな吸収極大を有する光吸収化合物に
おいては０．１〜１５０％の重量比率で混合することが
できる。

【００２８】本発明においてかかる目的で使用する光吸
収化合物としては、ペンタメチンシアニン系色素、ヘプ
タメチンシアニン系色素、スクアリリウム系色素、アゾ
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
インドフェノール系色素、フタロシアニン系色素、ナフ
タロシアニン系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウ
ム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系
色素、キサンテン系色素、インダンスレン系色素、イン
ジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色
素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系
色素などがあるが、要するに、６５０ｎｍ〜９００ｎｍ
に吸収極大波長を有すればよいのである。特に、アゾ化
合物と混合できるものが好ましい。また、これらの色素
を複数混合して用いても良い。

【００２９】中でも、1,3,3,1',3',3'＝ヘキサメチル−
2,2'ー( 4,5,4',5'−ジベンゾ）インドジカルボシアニン
パークロレート、3,3'−ジエチル−2,2'ー( 6,7,6',7'−
ジベンゾ）−チアジカルボシアニンアイオダイド、3,3'
−ジエチル−2,2'−チアジカルボシアニンアイオダイ
ド、1、1'−ジエチル−2,2'−キノジカルボシアニンアイ
オダイド、3,3'−ジエチル−2,2'−セレナジカルボシア
ニンアイオダイド、1,3'−ジエチル−4,2'−キノオキサ
ジカルボシアニンアイオダイド、3,3',9−トリエチル−
2,2' −（4,5,4',5' −ジベンゾ）チアジカルボシアニ
ンブロマイド、1,1'−ジエチル−2,4'−キノジカルボシ
アニンアイオダイド、1,3'−ジエチル−4,2'−キノチア
ジカルボシアニンアイオダイド等のシアニン色素が好適
である。

【００３０】また、下記〔化６〕、〔化７〕等のフタロ
シアニン系色素や、ナフタロシアニン系色素、アゾ系色
素なども好適に使用することができる。

【００３１】

【化６】

【００３２】

【化７】これらの化合物・色素に必要に応じて、消光剤や紫外線
吸収剤等の添加剤を混合あるいは置換基として導入する
ことも可能である。例えば、添加剤としては以下の式
（２）〜（８）〔化８〕〜〔化１４〕で示されるものが
挙げられる。

【００３３】

【化８】

【００３４】

【化９】

【００３５】

【化１０】

【００３６】

【化１１】

【００３７】

【化１２】

【００３８】

【化１３】

【００３９】

【化１４】（但し、上記式において、Ａ、Ａ’はベンゼン環あるい
は置換ベンゼン環を形成するか、またはナフタレン環あ
るいは置換ナフタレン環を形成する原子群であり、同種
であっても異種であっても良い。これらの置換基として
は、単数である場合も複数である場合もありうるが、例
えばアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボ
キシル基、ハロゲン原子、アリル基、アルキルカルボキ
シル基、アルキルアルコキシル基、アラルキル基、アル
キルカルボニル基、金属イオンと結合したスルホネート
アルキル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、
フェニル基、フェニルエチレン基等が挙げられる。Ｒ₁₁
〜Ｒ₃₂は、置換または未置換のアルキル基、アルコキシ
基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、ア
リル基、アルキルカルボキシル基、アルキルアルコキシ
ル基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、金属イオ
ンと結合したスルホネートアルキル基、ニトロ基、アミ
ノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フェニルエチレ
ン基等が好ましいものとして挙げられる。Ｍは、Ｎｉ、
Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔなどの遷移金属を示し
ている。Ｍは電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっても
良い。ａはイオン体の電価数を表し、０を含む正の整数
である。Ｚはカチオンを示し、ａ＝ｂ・ｃであり、ａ＝
０のときは、ｂ・ｃ＝０でＺは存在せず、化合物は中性
体となることは明らかであろう。）本発明においては、上記した化合物・色素はスピンコー
ト法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着
法、真空蒸着法等によって基板上に厚さ５０〜５００ｎ
ｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの記録層を形成す
る。特に塗布法においては色素を溶解あるいは分散させ
た塗布溶媒を用いるが、この際溶媒は基板にダメージを
与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、メタノー
ル等のアルコール系溶媒、ヘキサンやオクタン等の脂肪
族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン等の環状炭化水素系
溶媒、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、クロロホル
ム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジオキサン等のエー
テル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、
アセトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル等のエステル系
溶媒などが１種あるいは複数混合して用いられる。な
お、記録層は１層だけでなく複数の化合物を多層形成さ
せたり、化合物を高分子薄膜などに例えば好ましくは５
０％程度以上分散して用いたりすることもできる。アゾ
系化合物の含有記録層と光吸収化合物を含有する記録層
が異なる多層記録層であっても良い。また、基板にダメ
ージを与えない溶媒を選択できない場合はスパッタ法、
化学蒸着法や真空蒸着法などが有効である。

【００４０】本発明においては、次に、記録層の上に厚
さ５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの
反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波
長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰ
ｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能で
ある。このなかでもＡｕやＡｌは反射率が高く反射層の
材料として適している。これ以外でも下記のものを含ん
でいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐ
ｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属を挙げるこ
とができる。また、Ａｕを主成分としているものは反射
率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここ
で主成分というのは含有率が５０％以上のものをいう。
金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に
積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも
可能である。反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。
また、反射率を高めるためや密着性をよくするために記
録層と反射層の間にそれぞれ反射増幅層や接着層を設け
ることもできる。

【００４１】このようにして得られる本発明の光記録媒
体は、基板上に記録層及び反射層が形成された媒体で、
６２０〜６９０ｎｍの範囲から選ばれた波長の光に対す
る基板側からの反射率が好ましくは２０％以上、さらに
好ましくは３０％以上あるものであって、また、７７０
ｎｍ〜８３０ｎｍの範囲から選ばれた波長の光に対する
基板側からの反射率が好ましくは６５％以上、さらに好
ましくは７０％以上有するもので、レッドブック（Ｃ
Ｄ）規格及びオレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格の反射率
に満足するものである。これらの規格を満足すれば、従
来より市販されているＣＤプレーヤーでも良好に再生す
ることができる。

【００４２】本発明においては、さらに、反射層の上に
保護層を形成させることもできる。保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば有機物質であ
ろうと無機物質であろうと特に限定しない。有機物質と
しては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂
等を挙げることができる。なかでもＵＶ硬化性樹脂が好
ましい。又、無機物質としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ₄、
ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂等が挙げられる。

【００４３】これら熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂など
は、適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥するこ
とによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、
そのまま、もしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製
した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化さ
せることによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹
脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシ
アクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリ
レート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独
であるいは混合して用いても良いし、１層だけでなく多
層膜にして用いてもいっこうに差し支えない。

【００４４】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、このなかで
もスピンコート法が好ましい。

【００４５】本発明における赤色レーザーは、６２０〜
６９０ｎｍの波長のレーザーであればいずれでも良い。
例えば、可視領域の広範囲で波長選択のできる色素レー
ザーや波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近
開発されている波長６８０ｎｍの高出力半導体レーザー
などがあるが、装置に搭載することを考えると半導体レ
ーザーが好適である。また、近赤外レーザーは、７７０
〜８３０ｎｍの波長のレーザーであれば何でも良いが、
市販のＣＤプレーヤーやＣＤレコーダーに用いられてい
る半導体レーザーが適している。

【００４６】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。〔実施例１〕下記一般式（１）であらわされ、〔表１〕
に具体的に示されるアゾ化合物（Ａ）０．２ｇと、光吸
収化合部としてトリメチンシアニン色素ＮＫ２９２９
（１，３，３，１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，
２’−（４，５，４’，５’−ジベンゾ）インドカルボ
シアニンパークロレート）〔日本感光色素研究所製〕
０．０２ｇを、ジアセトンアルコール（東京化成品）１
０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製する。基板は、ポリカ
ーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：
１．６μｍ）を有する直径１２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍ
ｍの円盤状のものを用いた。この基板上に色素溶液を回
転数１５００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃２時間乾
燥して、記録層を形成した。この記録層の上にバルザー
ス社製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕを
スパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパ
ッタガスには、アルゴンガスを用いた。スパッタ条件
は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０
×１０^-2Ｔｏｒｒで行った。さらに反射層の上に紫外線
硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピ
ンコートした後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を
形成した。サンプルを６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘ
ッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置
ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコー
ダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１
０ｍＷで記録した。記録後、６３５ｎｍ赤色半導体レー
ザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生し、
反射率を測定した。また、この記録したサンプルを再生
波長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した
結果、良好な記録特性を示した。

【００４７】〔実施例２〜１４〕実施例１において、
〔表１〕、〔表２〕に示したアゾ化合物（Ｂ）〜（Ｎ）
を各々用いること以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色レ
ーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク
評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭ
エンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザー
パワー１０ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の
測定を行った結果、いずれも良好な記録特性を示した。

【００４８】〔実施例１５〕実施例１において、〔表
２〕に示したアゾ化合物（Ｏ）と、光吸収剤としてヘプ
タメチンシアニン色素ＮＫ１２５（１，３，３，１’，
３’，３’−ヘキサメチル−２，２’−インドトリカル
ボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研究所製〕
０．０２ｇを用いること以外は同様にして光記録媒体を
作製した。作製した媒体を７８０ｎｍ近赤外半導体レー
ザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評
価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエ
ンコーダーを用いて、線速度２．８ｍ／ｓ、レーザーパ
ワー７ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測定
を行った結果、良好な記録特性を示した。

【００４９】〔実施例１６〕実施例１において、〔表
２〕に示したアゾ化合物（Ｐ）と、光吸収化合物として
ペンタメチンシアニン色素ＮＫ２６２７（３，３’−ジ
エチル−２，２’−（６，７，６’，７’−ジベンゾ）
チアジカルボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研
究所製〕を用いること以外は同様にして光記録媒体を作
製した。作製した媒体を７８０ｎｍ近赤外半導体レーザ
ーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価
装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエン
コーダーを用いて、線速度１．４ｍ／ｓ、レーザーパワ
ー７ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測定を
行った結果、良好な記録特性を示した。

【００５０】〔実施例１７〕実施例１において、〔表
２〕に示したアゾ化合物（Ｑ）を用いること以外は同様
して光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と
同様に６８０ｎｍ赤色レーザーヘッドを搭載したパルス
テック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及び
ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度
５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記
録後、実施例１と同様の測定を行った結果、良好な記録
特性を示した。

【００５１】〔実施例１８〕実施例１において、〔表
２〕に示したアゾ化合物（Ｒ）と、光吸収剤としてヘプ
タメチンシアニン色素ＮＫ１２５（１，３，３，１’，
３’，３’−ヘキサメチル−２，２’−インドトリカル
ボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研究所製〕
０．０２ｇを用いること以外は同様にして光記録媒体を
作製した。作製した媒体を実施例１６と同様に７８０ｎ
ｍ近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮ
ＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度２．８
ｍ／ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実
施例１と同様の測定を行った結果、良好な記録特性を示
すことがわかった。

【００５２】〔実施例１９〕実施例１において、〔表
２〕に示したアゾ化合物（Ｓ）を用いること以外は同様
して光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と
同様に６８０ｎｍ赤色レーザーヘッドを搭載したパルス
テック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及び
ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度
５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記
録後、実施例１と同様の測定を行った結果、良好な記録
特性を示した。

【００５３】〔実施例２０〕実施例１において、アゾ化
合物（Ｍ）で形成された色素層の上に、さらに、〔化
７〕で示されるフタロシアニン色素０．８ｇをジメチル
シクロヘキサン（東京化成）４０ｍｌに溶解した溶液を
用いてスピンコート法により同様の条件で色素膜を形成
し、２層の記録層からなる光記録媒体化を作製した。作
製した媒体を実施例１６と同様に７８０ｎｍ近赤外半導
体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディ
スク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製Ｅ
ＦＭエンコーダーを用いて、線速度２．８ｍ／ｓ、レー
ザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、記録後、実施例
１と同様の測定を行った結果、良好な記録特性を示し
た。さらに、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭
載した評価装置を用いて信号を再生したところ、反射率
は３２％で良好な記録特性を示した。

【００５４】〔実施例２１〕実施例１において、アゾ化
合物（Ｈ）のみを用い光吸収化合物は混合しないこと以
外は同様して光記録媒体を作製した。作製した媒体を実
施例１と同様に６８０ｎｍ赤色レーザーヘッドを搭載し
たパルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０
００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用い
て、線速度２．８ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記
録した。記録後、実施例１と同様の測定を行った結果、
良好な記録特性を示した。

【００５５】〔比較例１〕実施例１において色素をペン
タメチンシアニン色素ＮＫ２９２９（１，３，３，
１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，２’−（４，
５，４’，５’−ジベンゾ）インドジカルボシアニンパ
ークロレート）〔日本感光色素研究所製〕を用いること
以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体
を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置Ｄ
ＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダ
ーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０
ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行っ
た。

【００５６】〔比較例２〕実施例１において色素をペン
タメチンシアニン色素ＮＫ２６２７（３，３’−ジエチ
ル−２，２’−（６，７，６’，７’−ジベンゾ）チア
ジカルボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研究所
製〕を用いること以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥｓＷＯＯＤ製
ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レ
ーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置
を用いて信号を再生した結果、反射率が８％と低く、波
形も歪んでいた。また、実施例１と同様の測定を行っ
た。

【００５７】〔比較例３〕実施例１において色素をペン
タメチンシアニン色素ＮＫ１４５６（１，１’−ジエチ
ル−２，２’−キノジカルボシアニンアイオダイド）
〔日本感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にし
て光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１６と
同様に７８０ｎｍ近赤外半導体レーザーヘッドを搭載し
たパルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０
００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用い
て、線速度１．４ｍ／ｓ、レーザーパワー７ｍＷで記録
した。記録後、実施例１と同様の測定を行った。

【００５８】

【表１】

【００５９】

【表２】以上の６３５ｎｍ赤色半導体レーザーを用いた場合の再
生反射率および再生波長７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤ
ーでの再生反射率・エラー率の測定結果を〔表３〕にま
とめて示す。

【００６０】

【表３】

【００６１】

【発明の効果】本発明によれば、４５０〜６３０ｎｍに
吸収極大を有するアゾ化合物を記録層に用いることによ
り、従来より使用されている７８０ｎｍの近赤外レーザ
ーで記録再生可能で、且つ、近年移行しつつある、記録
再生波長が６３５ｎｍや６８０ｎｍの赤色レーザーでも
記録再生が可能な互換性のある光記録媒体を提供するこ
とが出来た。

【図面の簡単な説明】

【図１】光記録媒体の断面構造図

【符号の説明】

１基板２記録層３反射層４保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者広瀬純夫神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者三沢伝美神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者詫摩啓輔神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に記録層、反射層及び保護層を有
する光記録媒体において、該記録層中に下記式（１）
〔化１〕で示される波長４５０〜６３０ｎｍに吸収極大
を有するアゾ化合物を含有する光記録媒体。【化１】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は各々独立に水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換または未
置換のアルキル基、アルコキシ基、アリル基を表し、Ｒ
₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉及びＲ₁₀は各々独立に，水
素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル
基、スルホン基、置換または未置換のアルキル基、アル
コキシ基、アリル基、アシル基、アルキルカルボキシル
基、アラルキル基、アルキルカルボニルアミノ基、アル
キルスルホンアミノ基、アルキルアミノ基、スルホンア
ミド基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アルキルス
ルホン基、フェニル基を表し、Ｒ₆とＲ₉、Ｒ₈とＲ₁₀
及びＲ₉とＲ₁₀は連結基を介して環を形成してもよい。
ただし、同時に、Ｒ₆がアルコキシ基、Ｒ₇がカルボア
ルキルアミノ基且つＲ₁、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₈が水素原子
であることはない。］
【請求項２】記録層中に波長６５０〜９００ｎｍに吸
収極大を有する光吸収化合物をさらに含有する請求項１
記載の光記録媒体。
【請求項３】波長６５０〜９００ｎｍに吸収極大を有
する光吸収化合物の重量比が０．１〜５０％である請求
項２記載の光記録媒体。
【請求項４】波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザー
から選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が２
０％以上であり、波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザ
ーで少なくても再生可能である請求項１〜３の何れかに
記載の光記録媒体。
【請求項５】波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザー
から選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が２
０％以上であり、波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザ
ーで記録及び／又は再生可能である請求項１〜３の何れ
かに記載の光記録媒体。
【請求項６】波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザ
ーから選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が
６５％以上であり、７７０〜８３０ｎｍから選ばれた近
赤外レーザーで記録及び／又は再生可能である請求項１
〜５の何れかに記載の光記録媒体。