JPH09171987A - Substrate treatment system - Google Patents

Substrate treatment system

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JPH09171987A
JPH09171987A JP32887695A JP32887695A JPH09171987A JP H09171987 A JPH09171987 A JP H09171987A JP 32887695 A JP32887695 A JP 32887695A JP 32887695 A JP32887695 A JP 32887695A JP H09171987 A JPH09171987 A JP H09171987A
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JP
Japan
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substrate
nozzle
water
tank
bath
Prior art date
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Pending
Application number
JP32887695A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kentarou Tokuri
憲太郎 徳利
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP32887695A priority Critical patent/JPH09171987A/en
Publication of JPH09171987A publication Critical patent/JPH09171987A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable easy obtaining of symmetrical fluid movement within a bath even when a work error exists in a nozzle. SOLUTION: Reflection boards 40 are provided between nozzles 20 on both sides and the bottom surface of a water-washing bath WB1. On a grooved portion 40b of the reflection board 40, a plurality of grooves 41 are provided at positions corresponding to the spacing between a plurality of substrates 1. Pure water ejected toward the bottom surface of water bath WB1 from the nozzles 20 hits the reflection boards 40 and is thus split, with a part thereof flowing along the grooved portion 40b toward the substrate 1. The flows of water from both sides join at the center portion of the water-washing bath WB1, and wash the substrate 1. If the fluid movement within the bath is not symmetrical, the position and attitude of the reflection boards 40 are adjusted to secure symmetry.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板や液
晶ガラス基板などの薄板状基板(以下、「基板」と称す
る)を処理液に浸漬して諸処理を施す基板処理装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for immersing a thin substrate (hereinafter referred to as "substrate") such as a semiconductor substrate or a liquid crystal glass substrate in a treatment liquid to perform various treatments.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、上記のような基板処理装置は、
薬液処理槽と水洗槽と(以下、両者を総称して「基板処
理槽」とする)を備え、これらに基板を順次浸漬する複
数工程により、基板表面の汚染物質を除去したり、基板
表面の酸化膜をエッチングしたり、レジスト膜を剥離し
たりする。
2. Description of the Related Art Generally, a substrate processing apparatus as described above is
It is equipped with a chemical treatment tank and a water washing tank (hereinafter, both are collectively referred to as “substrate processing tank”), and by sequentially dipping the substrates in these multiple steps, contaminants on the surface of the substrate can be removed or the substrate surface can be cleaned. The oxide film is etched and the resist film is peeled off.

【0003】従来、上記基板処理槽における処理方式は
ノズル方式と整流板方式の2つに大別され、用途に応じ
て使い分けられている。
Conventionally, the processing method in the substrate processing tank is roughly divided into a nozzle method and a rectifying plate method, which are properly used according to the application.

【0004】図10は、従来の基板処理槽における処理
方式を説明するための図である。図10(a)はノズル
方式の基板処理槽であり、処理液2を満たした基板処理
槽10の底部両サイドにノズル20を設けている。ノズ
ル20は円筒状の部材であり、当該ノズル20には、図
10(c)に示す如く、処理液を噴出するための複数の
ノズル孔21をノズル20の長手方向に沿って一列に等
間隔で設けている。基板処理は、図示を省略する手段に
よって支持された基板1を処理液2中に浸漬し、ノズル
20から基板1に向けて(図中の矢印20aの向き)処
理液を噴出することにより行わせている。なお、この基
板処理槽10においては、複数の基板1が図中のY方向
に配列されており、当該複数の基板1に対して同時に処
理が行われている。上記のノズル方式は、例えば、薬液
処理後に行なわれる純水洗浄の場合には、薬液と純水の
置換を速やかに行えるため、薬液処理直後の水洗などに
使用される。
FIG. 10 is a diagram for explaining a processing method in a conventional substrate processing tank. FIG. 10A shows a nozzle type substrate processing bath, in which nozzles 20 are provided on both sides of the bottom of the substrate processing bath 10 filled with the processing liquid 2. The nozzle 20 is a cylindrical member, and as shown in FIG. 10C, the nozzle 20 is provided with a plurality of nozzle holes 21 for ejecting the processing liquid in a row at equal intervals along the longitudinal direction of the nozzle 20. It is provided in. The substrate processing is performed by immersing the substrate 1 supported by means (not shown) in the processing liquid 2 and ejecting the processing liquid from the nozzle 20 toward the substrate 1 (direction of arrow 20a in the figure). ing. In this substrate processing tank 10, a plurality of substrates 1 are arranged in the Y direction in the drawing, and the plurality of substrates 1 are processed at the same time. For example, in the case of pure water cleaning performed after the chemical solution treatment, the above-described nozzle system is used for water cleaning immediately after the chemical solution treatment because the chemical solution and the pure water can be quickly replaced.

【0005】また、図10(b)には整流板方式の基板
処理槽を示す。整流板方式では、上記のノズル方式の構
成に加えて、整流板30を備えており、当該整流板30
には複数の整流孔31が設けられている。この整流板方
式においては、まず、ノズル20から基板処理槽10の
底面に向けて処理液2が噴出される。そして、噴出され
た処理液2は基板処理槽10の底面で流れを変えられた
後、整流板30の整流孔31から上向きに流れるように
なる。上記整流板方式は、上向きの均一な流れが得られ
るため、浸漬されている基板に対して均一に処理を施す
必要のある薬液処理などに使用される。
FIG. 10 (b) shows a straightening plate type substrate processing bath. The straightening vane system is provided with a straightening vane 30 in addition to the above nozzle type configuration.
A plurality of straightening holes 31 are provided in the. In this straightening plate method, first, the processing liquid 2 is ejected from the nozzle 20 toward the bottom surface of the substrate processing bath 10. Then, the jetted processing liquid 2 has its flow changed at the bottom surface of the substrate processing bath 10, and then flows upward from the flow regulating hole 31 of the flow regulating plate 30. The straightening vane method is used for a chemical solution treatment or the like that requires uniform treatment of the immersed substrate because a uniform upward flow can be obtained.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のような処理方式
において、特にノズル方式では、良好な処理性能(例え
ば、エッチング均一性など)を得るために、槽内流動の
対称性が重要となる。すなわち、基板処理槽10の底部
両サイドに設けられたノズル20に設けられた複数のノ
ズル孔21の穴径や噴出方向の誤差を完全に無くしてお
かなければ、槽内流動が非対称となり、良好な処理結果
が得られず、エッチングむらなどを生ずる。
In the above processing method, particularly in the nozzle method, the symmetry of the flow in the tank is important in order to obtain good processing performance (for example, etching uniformity). That is, unless the errors in the hole diameters and ejection directions of the plurality of nozzle holes 21 provided in the nozzles 20 provided on both sides of the bottom of the substrate processing bath 10 are completely eliminated, the in-vessel flow becomes asymmetrical, which is good. It is impossible to obtain a good processing result, and uneven etching occurs.

【0007】しかしながら、ノズル20には、設計図面
上では同じ加工であっても製作時の加工精度に起因する
ノズル孔21の加工誤差(ノズル孔21の穴径誤差、方
向誤差、バリ残りなど)が生ずることが多い。図11
は、ノズル20の加工誤差を説明するための図である。
ノズル20に加工誤差が存在する場合には、図11
(a)に示すように、ノズル20の長手方向に噴出方向
(図中の矢印21a〜21f)のバラツキが生じたり、
図11(b)に示すように、ノズル20の円周方向に噴
出方向(図中の矢印21g〜21i)のバラツキが生ず
る。また、それぞれのノズル孔21での流速にバラツキ
が生じることもある。そして、加工精度を向上させても
これらの加工誤差を完全に無くすことは極めて困難であ
る。
However, in the nozzle 20, even if the same processing is performed on the design drawing, a processing error of the nozzle hole 21 (a hole diameter error of the nozzle hole 21, a direction error, a residual burr, etc.) due to the processing accuracy at the time of manufacturing. Often occurs. FIG.
FIG. 6 is a diagram for explaining a processing error of the nozzle 20.
If there is a processing error in the nozzle 20, the process shown in FIG.
As shown in (a), there are variations in the ejection direction (arrows 21a to 21f in the figure) in the longitudinal direction of the nozzle 20,
As shown in FIG. 11B, variations occur in the ejection direction (arrows 21 g to 21 i in the figure) in the circumferential direction of the nozzle 20. Further, the flow velocity in each nozzle hole 21 may vary. Even if the processing accuracy is improved, it is extremely difficult to completely eliminate these processing errors.

【0008】また、一般に、基板処理槽10やノズル2
0には石英製のものが使用されており、当該ノズル20
は、穴加工後に溶接によって基板処理槽10に固着され
る。したがって、ノズル20に加工誤差が存在する場合
には、当該加工誤差はそのまま固定されることになり、
槽内流動の対称性は得られない。このような場合に、槽
内流動の対称性を得るためには、基板処理槽10および
ノズル20を再製作する必要があり、コストの上昇を招
くことになる。
Further, generally, the substrate processing bath 10 and the nozzle 2
No. 0 is made of quartz, and the nozzle 20
Is fixed to the substrate processing tank 10 by welding after drilling. Therefore, when the nozzle 20 has a processing error, the processing error is fixed as it is,
Symmetry of the flow in the tank cannot be obtained. In such a case, in order to obtain the symmetry of the in-vessel flow, it is necessary to remanufacture the substrate processing bath 10 and the nozzle 20, which causes an increase in cost.

【0009】本発明は、上記課題に鑑み、ノズルに加工
誤差が存在する場合であっても容易に対称な槽内流動を
得ることが可能な基板処理装置を提供することを目的と
する。
In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus which can easily obtain a symmetrical in-vessel flow even when a nozzle has a processing error.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板を所定の処理液に浸漬させ
て基板処理を行う基板処理装置において、(a) 前記処理
液を貯留する処理槽と、(b) 前記処理槽内に設けられ、
噴出口から所定の方向に前記処理液を噴出する噴出手段
と、(c) 前記噴出口に対向して前記処理槽の内壁面とは
別体に設けられ、前記噴出手段より噴出された前記処理
液の流れを整流する整流手段とを備えている。
In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a substrate processing apparatus for processing a substrate by immersing the substrate in a predetermined processing liquid, wherein (a) the processing liquid is stored. And a treatment tank to be provided, (b) provided in the treatment tank,
A jetting means for jetting the treatment liquid in a predetermined direction from the jet outlet, and (c) an inner wall surface of the treatment tank facing the jet outlet, which is provided separately from the jetting means, and the treatment jetted by the jetting means is provided. And a rectifying means for rectifying the flow of the liquid.

【0011】また、請求項2の発明は、前記整流手段を
可動としており、(d) 前記整流手段の位置および姿勢の
少なくとも一方を変化させることによって前記整流の状
況を調整する調整手段をさらに備えている。
Further, the invention of claim 2 is characterized in that the rectifying means is movable, and (d) further comprises an adjusting means for adjusting the rectifying condition by changing at least one of the position and the attitude of the rectifying means. ing.

【0012】また、請求項3の発明は、前記基板を互い
に間隔を隔てて並べられた複数の基板とし、前記整流手
段に、(c-1) 前記複数の基板の前記間隔のそれぞれに対
応する位置に溝を設けた板を含ませている。
Further, in the invention of claim 3, the substrate is a plurality of substrates arranged at intervals, and the rectifying means corresponds to (c-1) each of the intervals of the plurality of substrates. A plate with a groove in its position is included.

【0013】また、請求項4の発明は、前記整流手段
に、(c-1) 複数の孔を設けた板を含ませている。
Further, in the invention of claim 4, the rectifying means includes (c-1) a plate provided with a plurality of holes.

【0014】また、請求項5の発明は、前記整流手段
に、(c-1) 前記処理槽の底面上部に設けられたブロック
を含ませている。
Further, in the invention of claim 5, the rectifying means includes (c-1) a block provided on an upper portion of a bottom surface of the processing bath.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

【0016】[0016]

【発明の第1の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本
発明の実施の形態について詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A first embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0017】図1は、本発明にかかる基板処理装置の一
実施形態を示す概念的配置図である。この基板処理装置
100は、硫酸、アンモニア、塩酸、フッ酸などを収容
する薬液処理槽CB1〜CB3、純水を収容する水洗槽
WB1〜WB4およびスピンドライヤを内蔵する乾燥部
DRを備えている。複数の基板1は、図示を省略する搬
送ロボットによって把持・搬送され、図中の矢印に従っ
て順次浸漬処理および乾燥処理が施されて、一連の基板
処理が行われる。
FIG. 1 is a conceptual layout diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus 100 includes chemical solution processing tanks CB1 to CB3 containing sulfuric acid, ammonia, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, etc., washing tanks WB1 to WB4 containing pure water, and a drying section DR containing a spin dryer. The plurality of substrates 1 are gripped and transported by a transport robot (not shown), and are sequentially subjected to a dipping process and a drying process in accordance with the arrows in the figure to perform a series of substrate processes.

【0018】図2は、水洗槽WB1の外観斜視図であ
る。石英製の水洗槽WB1は、その底部両サイドに図の
Y方向に沿ってノズル(噴出手段)20を配管するとと
もに、当該ノズル20と水洗槽WB1の底面との間に反
射板40を備え、薬液処理後の基板1に対して洗浄処理
を行う。
FIG. 2 is an external perspective view of the washing tank WB1. The quartz washing bath WB1 is provided with nozzles (spouting means) 20 on both sides of its bottom along the Y direction in the figure, and is provided with a reflection plate 40 between the nozzle 20 and the bottom of the washing bath WB1. A cleaning process is performed on the substrate 1 after the chemical solution process.

【0019】ノズル20は、図10(c)に示したもの
と同様の形状であり、石英製の円筒にその長手方向に沿
って一列に複数のノズル孔21を等間隔に設けている。
このノズル20は、その一端が水洗槽WB1の槽壁を貫
通して基板処理装置100の配管(図示省略)に接続さ
れるとともに、他端は溶接によって水洗槽WB1の槽壁
に溶着されている。このときに、ノズル20は、ノズル
孔21が水洗槽WB1の底面側に向くように設置されて
いる。したがって、洗浄用の純水は、基板処理装置10
0の上記配管からノズル20に供給されて、ノズル孔2
1から水洗槽WB1の底面側に向けて噴出される。
The nozzle 20 has the same shape as that shown in FIG. 10C, and a plurality of nozzle holes 21 are provided in a row along a longitudinal direction of a quartz cylinder at equal intervals.
This nozzle 20 has one end penetrating the tank wall of the washing tank WB1 and connected to a pipe (not shown) of the substrate processing apparatus 100, and the other end is welded to the tank wall of the washing tank WB1. . At this time, the nozzle 20 is installed so that the nozzle hole 21 faces the bottom surface side of the water washing tank WB1. Therefore, the pure water for cleaning is used as the substrate processing apparatus 10.
Nozzle hole 2
1 is jetted toward the bottom surface side of the washing tank WB1.

【0020】反射板40は、断面くの字形(広く開いた
V字形)の石英板であり、その谷側をノズル20に向け
て設けられている。また、反射板40の両端は、後述す
る可動構造によって図中のXZ平面内で移動可能なよう
に水洗槽WB1の槽壁で支持されている。
The reflecting plate 40 is a quartz plate having a V-shaped cross section (a V-shape that is wide open), and is provided with its valley side facing the nozzle 20. Further, both ends of the reflection plate 40 are supported by the tank wall of the washing tank WB1 so as to be movable within the XZ plane in the figure by a movable structure described later.

【0021】図3は、反射板40の端部を示す斜視図で
ある。くの字形の反射板40は、平滑部40aと溝付き
部40bを有しており、当該溝付き部40bが基板1側
となるように設けられている。溝付き部40bには溝4
1が等間隔に設けられており、これらの溝41は後述す
るように、浸漬された複数の基板1の間隔に対応する位
置に設けられている。そして、反射板40の端部には支
持軸42が固定されて接続され、この支持軸42は、パ
ッキング43を貫通してシールキャップ44に接続され
ている。
FIG. 3 is a perspective view showing an end portion of the reflection plate 40. The V-shaped reflector 40 has a smooth portion 40a and a grooved portion 40b, and the grooved portion 40b is provided on the substrate 1 side. Groove 4 is provided on the grooved portion 40b.
1 are provided at equal intervals, and these grooves 41 are provided at positions corresponding to the intervals between the plurality of immersed substrates 1 as described later. A support shaft 42 is fixedly connected to the end portion of the reflection plate 40, and the support shaft 42 penetrates the packing 43 and is connected to the seal cap 44.

【0022】図4は、反射板40の支持の様子を説明す
るための図である。図4(a)は反射板40の支持部分
の断面図、図4(b)はパッキング43の正面図、図4
(c)はシールキャップ44の正面図である。上述した
ように、反射板40に固着された支持軸42はパッキン
グ43の軸穴43aを貫通してシールキャップ44に接
続されるとともに、パッキング43は水洗槽WB1に固
着されている。そして、シールキャップ44のネジ穴4
4aとパッキング43の隙間部43bはボルト45が貫
通し、当該ボルト45はナット46によって締結されて
いる。ここで、パッキング43とシールキャップ44は
摺動自在であるとともに、ナット46とパッキング43
も摺動自在である。したがって、シールキャップ44は
パッキング43の軸穴43aの大きさに応じて、図2の
XZ平面内で移動自在であるとともに、パッキング43
の隙間部43bの大きさに応じて、支持軸42を中心に
回転自在である。
FIG. 4 is a diagram for explaining how the reflection plate 40 is supported. 4A is a cross-sectional view of the supporting portion of the reflection plate 40, FIG. 4B is a front view of the packing 43, and FIG.
(C) is a front view of the seal cap 44. As described above, the support shaft 42 fixed to the reflection plate 40 penetrates the shaft hole 43a of the packing 43 and is connected to the seal cap 44, and the packing 43 is fixed to the washing tank WB1. Then, the screw hole 4 of the seal cap 44
A bolt 45 penetrates the gap 43b between the packing 4 and 4a, and the bolt 45 is fastened by a nut 46. The packing 43 and the seal cap 44 are slidable, and the nut 46 and the packing 43 are slidable.
Is also slidable. Therefore, the seal cap 44 is movable in the XZ plane of FIG. 2 according to the size of the shaft hole 43a of the packing 43, and the packing 43 is
The support shaft 42 is rotatable around the support shaft 42 depending on the size of the clearance 43b.

【0023】図5は、上記構成の水洗槽WB1における
洗浄処理を説明するための図である。図5(a)は、水
洗槽WB1の側面図であり、基板1は純水3中に浸漬さ
れている。また、ノズル20に設けられたノズル孔21
から水洗槽WB1の底面側に向けて噴出された水流は、
反射板40の谷側部に当たって分流し、平滑部40aと
溝付き部40bに沿って進む。そして、両サイドに設け
られた反射板40の溝付き部40bに沿って進んだ水流
は、水洗槽WB1の中央部で合流するとともに、基板1
を洗流する。このときに、溝付き部40bの溝41は、
図5(b)に示すように、複数の基板1の間隔に対応す
る位置に設けられている。したがって、水流は溝41に
案内されて基板1の間を進むため、効率よく基板1の表
面を洗浄することができる。
FIG. 5 is a diagram for explaining the cleaning process in the water-washing tank WB1 having the above structure. FIG. 5A is a side view of the water washing tank WB1, in which the substrate 1 is immersed in pure water 3. In addition, a nozzle hole 21 provided in the nozzle 20
The water flow ejected from the bottom of the washing tank WB1
The reflection plate 40 collides with the valley side portion and splits, and proceeds along the smooth portion 40a and the grooved portion 40b. Then, the water streams that have proceeded along the grooved portions 40b of the reflection plate 40 provided on both sides join together at the central portion of the washing bath WB1 and the substrate 1
Wash away. At this time, the groove 41 of the grooved portion 40b is
As shown in FIG. 5B, it is provided at a position corresponding to the interval between the plurality of substrates 1. Therefore, since the water flow is guided by the groove 41 and travels between the substrates 1, the surface of the substrate 1 can be efficiently cleaned.

【0024】以上のようにして、基板1は洗浄される
が、このときに、両サイドの反射板40から進んできた
水流の流速などが異なる場合は、槽内流動の対称性が保
てないため、反射板40の位置や向き(姿勢)を調整す
る必要がある。
As described above, the substrate 1 is cleaned, but at this time, if the flow velocity of the water flow traveling from the reflecting plates 40 on both sides is different, the symmetry of the flow in the tank cannot be maintained. Therefore, it is necessary to adjust the position and direction (posture) of the reflection plate 40.

【0025】図6は、水洗槽WB1における水流調整の
様子を示した図である。ここでは、図6(a)に示すよ
うに、左サイドの反射板40からの水流の流速が右サイ
ドに比べて遅い場合について説明する。このような場合
には、まず、左サイドの反射板40が接続されたシール
キャップ44を上方(図6中のZ方向)へスライドさせ
ることにより、これに連動して反射板40が上方へ移動
し、図6(b)に示す如く、左サイドにおいてはノズル
20と反射板40が接近する。そして、ノズル20と反
射板40が接近することにより、左サイドの反射板40
からの水流の流速が速くなる。
FIG. 6 is a view showing how the water flow is adjusted in the washing tank WB1. Here, as shown in FIG. 6A, a case where the flow velocity of the water flow from the left side reflector 40 is slower than that on the right side will be described. In such a case, first, by sliding the seal cap 44, to which the left side reflector 40 is connected, upward (Z direction in FIG. 6), the reflector 40 moves upward in conjunction with this. Then, as shown in FIG. 6B, the nozzle 20 and the reflection plate 40 approach each other on the left side. Then, when the nozzle 20 and the reflection plate 40 approach each other, the reflection plate 40 on the left side
The flow velocity of the water stream from is high.

【0026】上記のように反射板40をスライドさせる
と、左サイドからの水流と右サイドからの水流の合流す
る位置がずれるため、次に、左サイドのシールキャップ
44を回転させることにより反射板40を回転(姿勢調
整)させて水流の方向を調整する。
When the reflection plate 40 is slid as described above, the positions where the water flow from the left side and the water flow from the right side merge are displaced, so that the reflection plate is next rotated by rotating the seal cap 44 on the left side. The direction of the water flow is adjusted by rotating 40 (adjusting the posture).

【0027】以上のようにして、左サイドの反射板40
を移動・回転させることによって、水流の流速・向きを
調整し、両サイドからの水流の水平成分を等しくすると
ともに、合流位置を調整することによって、対称な槽内
流動を得ることができる。なお、ここでは、左サイドの
反射板40を上方へ移動させて、回転させていたが、右
サイドの反射板40を下向へ移動させて、回転させても
同様に、対称な槽内流動を得ることができる。もっと
も、ノズル20の長手方向に噴出水流のバラツキがある
場合には、ノズル20と反射板40との距離を短くした
方が良いので、反射板40を上方へ移動させる方が好ま
しい。また、反射板40の最適な位置および姿勢が定ま
った場合には、当該反射板40を水洗槽WB1に溶接に
よって溶着しても良い。
As described above, the reflector 40 on the left side
By moving / rotating, the flow velocity / direction of the water flow is adjusted, the horizontal components of the water flow from both sides are made equal, and the merging position is adjusted, whereby a symmetrical in-tank flow can be obtained. Here, the left side reflection plate 40 is moved upward and rotated, but the right side reflection plate 40 is also moved downward and rotated in the same manner as the symmetrical in-tank flow. Can be obtained. However, when there is variation in the jet water flow in the longitudinal direction of the nozzle 20, it is better to shorten the distance between the nozzle 20 and the reflection plate 40, and therefore it is preferable to move the reflection plate 40 upward. Further, when the optimum position and posture of the reflection plate 40 are determined, the reflection plate 40 may be welded to the washing tank WB1 by welding.

【0028】以上のようにすれば、ノズル20から噴出
された水流を一旦反射板40に当ててから基板1に向か
わしているので、図11(b)に示したような、ノズル
20の円周方向に噴出方向のバラツキがあったとして
も、吸収することができる。また、図11(a)に示し
たようなノズル20の長手方向のバラツキも、ノズル2
0と反射板40との距離を短くしているため、噴出方向
は実質的に同じ方向とみなすことができる。
With the above arrangement, since the water flow ejected from the nozzle 20 is once applied to the reflection plate 40 and then directed toward the substrate 1, the circle of the nozzle 20 as shown in FIG. Even if there is variation in the ejection direction in the circumferential direction, it can be absorbed. In addition, the variation in the longitudinal direction of the nozzle 20 as shown in FIG.
Since the distance between 0 and the reflection plate 40 is short, the ejection directions can be regarded as substantially the same.

【0029】また、ノズル20から噴出された水流の流
速に誤差がある場合にも、反射板40の位置や姿勢を調
整することができるので、水流の水平成分を調整して、
対称な槽内流動を得ることができる。
Further, even if there is an error in the flow velocity of the water flow ejected from the nozzle 20, the position and orientation of the reflection plate 40 can be adjusted, so that the horizontal component of the water flow is adjusted,
A symmetrical in-vessel flow can be obtained.

【0030】さらに、反射板40には溝41を設けて、
水流を基板1の間に進ませているため、効率よく基板1
の表面を洗浄することができる。
Further, the reflection plate 40 is provided with a groove 41,
Since the water flow is directed between the substrates 1, the substrate 1 can be efficiently used.
The surface of can be washed.

【0031】[0031]

【第2の実施の形態】図7は、本発明の第2の実施の形
態を示す図である。上記第1の実施形態における反射板
40は断面くの字形の石英板であったが、これを図7
(a)に示すような平滑な石英の反射板80にしてい
る。
[Second Embodiment] FIG. 7 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. The reflection plate 40 in the first embodiment is a quartz plate having a V-shaped cross section.
The smooth quartz reflector 80 as shown in FIG.

【0032】図7(b)は、上記の反射板80を適用し
た水洗槽WB1の側面図である。反射板80を設ける位
置は、上記第1の実施形態の反射板40と同じ位置で、
その両端も、第1の実施形態における反射板40の両端
と同じ構成で水洗槽WB1に移動可能に支持されてい
る。また、反射板80以外の構成も上記第1の実施形態
と同様である。
FIG. 7 (b) is a side view of a washing bath WB1 to which the above-mentioned reflection plate 80 is applied. The position where the reflector 80 is provided is the same as that of the reflector 40 of the first embodiment,
Both ends thereof are also movably supported in the washing bath WB1 with the same configuration as the both ends of the reflection plate 40 in the first embodiment. The configuration other than the reflector 80 is the same as that of the first embodiment.

【0033】反射板80の設置角度は、図7(b)に示
すように、ノズル20からの噴出水流が水洗槽WB1の
底面中心部に流れるような角度とする。この水洗槽WB
1において、両サイドのノズル20から噴出された水流
は、反射板80に当たって水洗槽WB1の底面中央部に
進み、ここで合流して上向きに方向を変えて上昇水流と
なり、基板1を洗流する。
As shown in FIG. 7B, the installation angle of the reflector 80 is such that the jet of water flowing from the nozzle 20 flows to the center of the bottom surface of the washing tank WB1. This wash tank WB
In 1, the water flow ejected from the nozzles 20 on both sides hits the reflection plate 80 and advances to the central portion of the bottom surface of the water washing tank WB1, where it joins and changes its direction upward to become an ascending water flow to wash the substrate 1. .

【0034】両サイドからの水流の流速が異なる場合や
合流位置が底面中心部からずれている場合には、第1実
施形態と同様に、反射板80の位置や姿勢を調整して流
速を等しくするとともに合流位置を底面中心部にして、
対称な槽内流動となるようにする。
When the flow velocities of the water flows from both sides are different or the confluence position is deviated from the center of the bottom surface, the position and posture of the reflector 80 are adjusted to equalize the flow velocities, as in the first embodiment. And make the confluence position the center of the bottom,
Make sure that the flow in the tank is symmetrical.

【0035】上記のようにすれば、ノズル20から噴出
された水流を一旦反射板80に当てて水洗槽WB1の底
面中央部に向かわせているので、ノズル20の円周方向
の噴出バラツキが吸収でき、また、ノズル20の長手方
向のバラツキも、ノズル20と反射板80との距離を短
くしているため、噴出方向は実質的に同じ方向とみなす
ことができる。
With the above arrangement, the water flow ejected from the nozzle 20 is once applied to the reflecting plate 80 and directed toward the central portion of the bottom surface of the washing tank WB1, so that the ejection variation in the circumferential direction of the nozzle 20 is absorbed. Also, the variation in the longitudinal direction of the nozzle 20 can be regarded as substantially the same direction because the distance between the nozzle 20 and the reflection plate 80 is short.

【0036】さらに、ノズル20から噴出された水流の
流速に誤差がある場合にも、反射板80の位置や姿勢を
調整することができるので、水流の水平成分を調整し
て、対称な槽内流動を得ることができる。
Further, even if there is an error in the flow velocity of the water flow ejected from the nozzle 20, the position and orientation of the reflector 80 can be adjusted, so that the horizontal component of the water flow is adjusted to allow the inside of the symmetrical tank. Flow can be obtained.

【0037】[0037]

【第3の実施の形態】図8は、本発明の第3の実施の形
態を示す図である。第1の実施形態における反射板40
を、図8(a)、(b)に示すような、貫通孔を設けた
石英の反射板50、60としている。すなわち、図8
(a)の反射板50は複数の小孔50aを設けており、
図8(b)の反射板60は複数のスリット60aを設け
ている。
[Third Embodiment] FIG. 8 is a diagram showing a third embodiment of the present invention. Reflector 40 in the first embodiment
Are quartz reflectors 50 and 60 having through holes as shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b). That is, FIG.
The reflection plate 50 of (a) is provided with a plurality of small holes 50a,
The reflector 60 of FIG. 8B has a plurality of slits 60a.

【0038】図8(c)は、上記の反射板50を適用し
た水洗槽WB1の側面図である。反射板50を設ける位
置は、上記第1の実施形態の反射板40と同じ位置で、
その両端も、第1の実施形態における反射板40の両端
と同じ構成で水洗槽WB1に移動可能に支持されてい
る。
FIG. 8 (c) is a side view of the washing tank WB1 to which the above-mentioned reflector 50 is applied. The position where the reflection plate 50 is provided is the same position as the reflection plate 40 of the first embodiment,
Both ends thereof are also movably supported in the washing bath WB1 with the same configuration as the both ends of the reflection plate 40 in the first embodiment.

【0039】反射板50の設置角度は、図8(c)に示
すように、基板1に近い板端を他端よりも上方に来るよ
うに傾けている。また、この場合には、ノズル20から
の水流噴出方向が反射板50と垂直になるようにノズル
20を回転させて設置している。この水洗槽WB1にお
いて、両サイドのノズル20から噴出された水流は、反
射板50に当たって分流される。すなわち、水流の一部
は反射板50の小孔50aを通り抜けて水洗槽WB1の
底面に向かって進み、また、一部は反射板50に沿っ
て、基板1に向かって進み、残りの水流は反射板50に
沿って、水洗槽WB1の槽壁に向かって進む。これらの
うち、水洗槽WB1の底面に向かって進んだ水流は、水
洗槽WB1の底面中央部に進み、ここで合流して上向き
に方向を変えて上昇水流となり、基板1を洗流する。
As shown in FIG. 8C, the installation angle of the reflection plate 50 is inclined so that the plate end near the substrate 1 is located above the other end. Further, in this case, the nozzle 20 is installed so as to rotate so that the water jet direction from the nozzle 20 is perpendicular to the reflection plate 50. In this water washing tank WB1, the water flow ejected from the nozzles 20 on both sides hits the reflection plate 50 and is split. That is, part of the water flow passes through the small holes 50a of the reflection plate 50 and proceeds toward the bottom surface of the washing tank WB1, and part of the water flow proceeds along the reflection plate 50 toward the substrate 1, and the remaining water flow is Along the reflecting plate 50, it advances toward the tank wall of the washing tank WB1. Of these, the water flow that has proceeded toward the bottom surface of the washing tank WB1 advances to the central portion of the bottom surface of the water washing tank WB1, where it joins and changes its direction upwards to become an ascending water flow, and the substrate 1 is washed.

【0040】また、反射板50に沿って、基板1に向か
って進んだ水流は、水洗槽WB1の中央部で合流すると
ともに、基板1を洗流する。
Further, the water streams that have traveled toward the substrate 1 along the reflecting plate 50 join together at the central portion of the washing bath WB1 and wash the substrate 1.

【0041】両サイドからの水流の流速が異なる場合や
合流位置がずれている場合には、第1実施形態と同様
に、反射板50の位置や姿勢を調整して流速を等しくす
るとともに合流位置を一致させて、対称な槽内流動とな
るようにする。
When the flow velocities of the water flows from both sides are different or the merging position is deviated, the position and the posture of the reflecting plate 50 are adjusted to make the flow velocities equal and the merging position is the same as in the first embodiment. Are matched so that the flow in the tank is symmetrical.

【0042】なお、反射板60を使用した場合も、上記
反射板50を使用した場合と同様である。
The case where the reflector 60 is used is the same as the case where the reflector 50 is used.

【0043】以上のようにすれば、上記第2の実施形態
と同様の効果に加えて、2方向の洗浄用の水流を作って
いるため、水洗槽WB1内に停滞域が発生しにくくな
り、より効率よく基板1を洗浄することができる。もっ
とも、第3の実施形態では2方向の水流を調整しなけれ
ばならないので、反射板の調整作業は上記第2の実施形
態のようにした方が容易である。
By doing so, in addition to the same effects as in the second embodiment, since a water flow for washing in two directions is created, a stagnant area is less likely to occur in the washing tank WB1. The substrate 1 can be cleaned more efficiently. However, in the third embodiment, it is necessary to adjust the water flow in two directions, so it is easier to perform the adjustment work of the reflector as in the second embodiment.

【0044】[0044]

【第4の実施の形態】図9は、本発明の第4の実施の形
態を示す図である。上記第1ないし第3の実施の形態で
は、ノズル20から噴出された水流を整流するのに反射
板を使用していたのに対して、第4の実施の形態では石
英のブロック70を使用している。
[Fourth Embodiment] FIG. 9 is a view showing a fourth embodiment of the present invention. In the first to third embodiments described above, the reflection plate is used to straighten the water flow ejected from the nozzle 20, whereas in the fourth embodiment, the quartz block 70 is used. ing.

【0045】ブロック70は、図9に示すように、その
上面が断面くの字形に加工されて、水洗槽WB1の底面
上の、ノズル20の下方に固定されている。なお、これ
以外の構成は上記第1の実施の形態と同じである。
As shown in FIG. 9, the block 70 has its upper surface processed to have a V-shaped cross section, and is fixed below the nozzle 20 on the bottom surface of the washing tank WB1. The rest of the configuration is the same as that of the first embodiment.

【0046】ノズル20から水洗槽WB1の底面側に向
けて噴出された水流は、ブロック70の谷側部に当たっ
て分流し、一部は基板1に向かって進み、残りの部分は
水洗槽WB1の槽壁に向かって進む。基板1に向かって
進んだ水流は、水洗槽WB1の中央部で合流するととも
に、基板1を洗流する。
The water flow ejected from the nozzle 20 toward the bottom side of the washing bath WB1 collides with the valley side portion of the block 70 and splits, part of which proceeds toward the substrate 1, and the remaining portion of the washing bath WB1. Proceed towards the wall. The water streams that have proceeded toward the substrate 1 join together at the central portion of the water washing tank WB1 and wash the substrate 1.

【0047】第4の実施の形態において、左右の両サイ
ドの水流の流速や方向が不適当である場合には、ブロッ
ク70を一旦取り外して所望の加工を施した他のブロッ
クを設置する。
In the fourth embodiment, when the flow velocity and the direction of the water flow on both the left and right sides are inappropriate, the block 70 is once removed and another block subjected to the desired processing is installed.

【0048】以上のようにすれば、ノズル20から噴出
された水流をブロック70に当ててから基板1に向かわ
せているので、ノズル20の円周方向の噴出バラツキが
吸収でき、また、ノズル20の長手方向のバラツキも、
ノズル20とブロック70との距離を短くしているた
め、噴出方向は実質的に同じ方向とみなすことができ
る。
With the above arrangement, the water flow ejected from the nozzle 20 is applied to the block 70 and then directed toward the substrate 1, so that the ejection variation in the circumferential direction of the nozzle 20 can be absorbed, and the nozzle 20 can be absorbed. Variation in the longitudinal direction of
Since the distance between the nozzle 20 and the block 70 is short, the ejection directions can be regarded as substantially the same.

【0049】また、ブロック70は、設置や取り外しが
反射板よりも容易である。
The block 70 is easier to install and remove than the reflector.

【0050】[0050]

【変形例】以上、この発明の実施形態について説明した
が、この発明は上記の例に限定されるものではなく、例
えば、本実施形態においては石英槽を使用した場合であ
ったが、これが薬液に浸蝕されない他の材料を使用した
槽(例えば、樹脂槽など)であってもかまわない。また
反射板やブロックも石英の代りに樹脂を材料としてもよ
い。
[Modification] The embodiment of the present invention has been described above. However, the present invention is not limited to the above example. For example, in the present embodiment, a quartz tank is used. It may be a tank (for example, a resin tank) using another material that is not corroded by the. Further, the reflector and the block may be made of resin instead of quartz.

【0051】また、本実施形態では、水洗槽における洗
浄処理であったが、薬液槽における薬液処理についても
上記と同様に構成することで同様の効果が得られる。
Further, in the present embodiment, the cleaning treatment in the water washing tank is performed, but the same effect can be obtained by the chemical treatment in the chemical liquid tank as well.

【0052】さらに、第1ないし第3の実施形態では、
反射板の位置および姿勢を調整して水流の流速・向きを
調整していたが、これを、反射板の位置のみまたは姿勢
のみを調整することによって水流の調整を行っても良
い。
Furthermore, in the first to third embodiments,
Although the flow velocity and direction of the water flow are adjusted by adjusting the position and orientation of the reflector, the water flow may be adjusted by adjusting only the position or orientation of the reflector.

【0053】[0053]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、ノズルの噴出
方向に処理液の流れを整流するための整流手段を設けて
いるため、ノズルに加工誤差がある場合でも、その加工
誤差を吸収して対称な槽内流動を得ることができる。
According to the invention of claim 1, since the rectifying means for rectifying the flow of the processing liquid is provided in the jetting direction of the nozzle, even if the nozzle has a processing error, the processing error is absorbed. A symmetrical in-vessel flow can be obtained.

【0054】請求項2の発明によれば、整流手段を調整
して処理液の流れを変えることができるため、容易に槽
内流動の対称性を得ることができる。また、槽内流動が
非対称な場合でも、基板処理槽を再製作する必要がない
ため、低コスト化を図ることができる。
According to the invention of claim 2, since the flow of the processing liquid can be changed by adjusting the rectifying means, the symmetry of the in-vessel flow can be easily obtained. Further, even if the flow in the bath is asymmetric, it is not necessary to remanufacture the substrate processing bath, so that the cost can be reduced.

【0055】請求項3の発明によれば、整流手段を、複
数の基板の間隔のそれぞれに対応する位置に溝を設けた
板としているので、処理液の流れを基板の間に進ませる
ことができ、効率よく基板の表面を処理することができ
る。
According to the third aspect of the present invention, since the rectifying means is a plate provided with grooves at positions corresponding to the intervals between the plurality of substrates, the flow of the processing liquid can be advanced between the substrates. Therefore, the surface of the substrate can be processed efficiently.

【0056】請求項4の発明によれば、整流手段を、複
数の孔を設けた板にしているので、2方向の処理液流を
作ることができ、槽内に停滞域が発生しにくくなり、よ
り効率よく基板を処理することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the rectifying means is a plate provided with a plurality of holes, it is possible to create a processing liquid flow in two directions, and a stagnation area hardly occurs in the tank. The substrate can be processed more efficiently.

【0057】請求項5の発明によれば、整流手段を、ブ
ロックにしているため、容易に設置・取り外しが可能で
ある。
According to the fifth aspect of the invention, since the rectifying means is a block, it can be easily installed and removed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示
す概念的配置図である。
FIG. 1 is a conceptual layout diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の水洗槽の外観斜視図である。2 is an external perspective view of the washing tank of FIG. 1. FIG.

【図3】図2の反射板の端部を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an end portion of the reflection plate of FIG.

【図4】反射板の支持の様子を説明するための図であ
る。
FIG. 4 is a diagram for explaining how the reflector is supported.

【図5】水洗槽における洗浄処理を説明するための図で
ある。
FIG. 5 is a diagram for explaining a cleaning process in a water washing tank.

【図6】水洗槽における水流調整の様子を示した図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing how the water flow is adjusted in the washing tank.

【図7】本発明の第2の実施形態を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第3の実施形態を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第4の実施形態を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図10】従来の基板処理槽における処理方式を説明す
るための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining a processing method in a conventional substrate processing tank.

【図11】ノズルの加工誤差を説明するための図であ
る。
FIG. 11 is a diagram for explaining a machining error of a nozzle.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 20 ノズル 40 反射板 41 溝 WB1 水洗槽 100 基板処理装置 1 Substrate 20 Nozzle 40 Reflector 41 Groove WB1 Rinsing Bath 100 Substrate Processing Equipment

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を所定の処理液に浸漬させて基板処
理を行う基板処理装置において、 (a) 前記処理液を貯留する処理槽と、 (b) 前記処理槽内に設けられ、噴出口から所定の方向に
前記処理液を噴出する噴出手段と、 (c) 前記噴出口に対向して前記処理槽の内壁面とは別体
に設けられ、前記噴出手段より噴出された前記処理液の
流れを整流する整流手段と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus that performs substrate processing by immersing a substrate in a predetermined processing liquid, comprising: (a) a processing tank for storing the processing liquid; and (b) a jet port provided in the processing tank. From a jetting means for jetting the treatment liquid in a predetermined direction from (c) the inner wall surface of the treatment tank facing the jet outlet and provided separately from the jetting means. A substrate processing apparatus comprising: a rectifying unit that rectifies a flow.
【請求項2】 請求項1の装置において、 前記整流手段が可動とされており、 (d) 前記整流手段の位置および姿勢の少なくとも一方を
変化させることによって前記整流の状況を調整する調整
手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the rectifying means is movable, and (d) an adjusting means for adjusting the rectifying condition by changing at least one of a position and an attitude of the rectifying means. Further provided is a substrate processing apparatus.
【請求項3】 請求項1または請求項2の装置におい
て、 前記基板は互いに間隔を隔てて並べられた複数の基板で
あり、 前記整流手段が、 (c-1) 前記複数の基板の前記間隔のそれぞれに対応する
位置に溝を設けた板を有することを特徴とする基板処理
装置。
3. The apparatus according to claim 1 or 2, wherein the substrates are a plurality of substrates arranged at intervals from each other, and the rectifying means comprises: (c-1) the gap between the plurality of substrates. A substrate processing apparatus having a plate provided with a groove at a position corresponding to each of the above.
【請求項4】 請求項1または請求項2の装置におい
て、 前記整流手段が、 (c-1) 複数の孔を設けた板を有することを特徴とする基
板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the rectifying means has a plate (c-1) having a plurality of holes.
【請求項5】 請求項1の装置において、 前記整流手段が、 (c-1) 前記処理槽の底面上部に設けられたブロックを有
することを特徴とする基板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the rectifying unit has (c-1) a block provided on an upper portion of a bottom surface of the processing bath.
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