JPH09169778A - アルキルハロシランの製造方法 - Google Patents
アルキルハロシランの製造方法Info
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- JPH09169778A JPH09169778A JP8324139A JP32413996A JPH09169778A JP H09169778 A JPH09169778 A JP H09169778A JP 8324139 A JP8324139 A JP 8324139A JP 32413996 A JP32413996 A JP 32413996A JP H09169778 A JPH09169778 A JP H09169778A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 直接法を制御して最終生成物中のトリアルキ
ルハロシラン濃度とアルキルトリハロシラン濃度を変え
る方法を提供する。 【解決手段】 この方法は、０．５〜１０重量％の銅、
５〜２００ｐｐｍのスズ、２５〜２，５００ｐｐｍのリ
ン及び０ｐｐｍより多く５０ｐｐｍより少量の亜鉛を含
む、触媒量の触媒の存在下において、２５０〜４００℃
の範囲内の温度で塩化アルキルをケイ素メタロイドと接
触させることを含むものであり、これらの触媒成分のお
のおのの濃度はケイ素の重量を基にするものである。
ルハロシラン濃度とアルキルトリハロシラン濃度を変え
る方法を提供する。 【解決手段】 この方法は、０．５〜１０重量％の銅、
５〜２００ｐｐｍのスズ、２５〜２，５００ｐｐｍのリ
ン及び０ｐｐｍより多く５０ｐｐｍより少量の亜鉛を含
む、触媒量の触媒の存在下において、２５０〜４００℃
の範囲内の温度で塩化アルキルをケイ素メタロイドと接
触させることを含むものであり、これらの触媒成分のお
のおのの濃度はケイ素の重量を基にするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、直接法の生成物を
当該生成物中のトリアルキルハロシラン濃度とアルキル
トリハロシラン濃度を変えるため制御するための方法で
ある。この方法は、０．５〜１０重量％の銅、５〜２０
０ｐｐｍのスズ、２５〜２，５００ｐｐｍのリン及び０
ｐｐｍより多く５０ｐｐｍより少量の亜鉛を含む、触媒
量の触媒の存在下において、２５０〜４００℃の範囲内
の温度で、塩化アルキルをケイ素メタロイドと接触させ
ることを含むものであり、これらの触媒成分のおのおの
の濃度はケイ素の重量を基にするものである。発明者ら
は、亜鉛濃度を制御することにより、生成物中のトリア
ルキルハロシラン濃度及びアルキルトリハロシラン濃度
が変わることを見いだした。本発明の方法は、生成物中
のトリアルキルハロシランの濃度を上昇させるのに殊に
有効である。
当該生成物中のトリアルキルハロシラン濃度とアルキル
トリハロシラン濃度を変えるため制御するための方法で
ある。この方法は、０．５〜１０重量％の銅、５〜２０
０ｐｐｍのスズ、２５〜２，５００ｐｐｍのリン及び０
ｐｐｍより多く５０ｐｐｍより少量の亜鉛を含む、触媒
量の触媒の存在下において、２５０〜４００℃の範囲内
の温度で、塩化アルキルをケイ素メタロイドと接触させ
ることを含むものであり、これらの触媒成分のおのおの
の濃度はケイ素の重量を基にするものである。発明者ら
は、亜鉛濃度を制御することにより、生成物中のトリア
ルキルハロシラン濃度及びアルキルトリハロシラン濃度
が変わることを見いだした。本発明の方法は、生成物中
のトリアルキルハロシランの濃度を上昇させるのに殊に
有効である。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】本発明
は、アルキルハロシラン類を製造するための直接法を改
良するものである。この直接法は、銅触媒の存在下でハ
ロゲン化アルキルを粒子状のケイ素と接触させることを
含む。この方法は、Ｒｏｃｈｏｗによって米国特許第２
３８０９９５号及び同第２３８０９９６号各明細書に最
初に記載された。
は、アルキルハロシラン類を製造するための直接法を改
良するものである。この直接法は、銅触媒の存在下でハ
ロゲン化アルキルを粒子状のケイ素と接触させることを
含む。この方法は、Ｒｏｃｈｏｗによって米国特許第２
３８０９９５号及び同第２３８０９９６号各明細書に最
初に記載された。
【０００３】Ｒｏｃｈｏｗによる開示以来、この方法は
多数のやり方でもって洗練及び改良されてきており、現
在世界中で事実上全ての工業用アルキルハロシラン類の
製造に利用されている。シリコーンの大量生産の成果に
より数百万ポンド（１ポンドは約０．４５ｋｇ）のシラ
ン類が毎年製造されて消費されると考えると、直接法か
らの生成物の分布における小さな変更でさえ重要である
のは明らかである。
多数のやり方でもって洗練及び改良されてきており、現
在世界中で事実上全ての工業用アルキルハロシラン類の
製造に利用されている。シリコーンの大量生産の成果に
より数百万ポンド（１ポンドは約０．４５ｋｇ）のシラ
ン類が毎年製造されて消費されると考えると、直接法か
らの生成物の分布における小さな変更でさえ重要である
のは明らかである。
【０００４】商業的に言って、一番多量に製造されるア
ルキルハロシランはジメチルジクロロシランであり、こ
れはこのアルキルハロシランが、加水分解し縮合してシ
リコーンポリマーを生成した後に、最も大量の商業的シ
リコーン製品の主鎖を構成するからである。それゆえ
に、直接法を最適化する上での大抵の努力はこのジアル
キルジハロシランの収率を最高にすることに向けられて
きた。時には、他のアルキルハロシラン類、特にトリア
ルキルハロシランに対する商業的需要がジアルキルジハ
ロシランについて最適化された方法で現在生産されるも
のを超えることがある。現在の方法、例えばジアルキル
ジハロシランを再配分してトリアルキルハロシランとア
ルキルトリハロシランとを生成するといったものは、実
施するのに経費がかかり、商業的に魅力がなくなる。本
発明は、直接法を制御して生成物中のトリアルキルハロ
シランとアルキルトリハロシランの濃度を変更し、それ
により生成物中のトリアルキルハロシランとアルキルト
リハロシランの量を商業的需要により適切に釣り合わせ
るための方法を提供する。
ルキルハロシランはジメチルジクロロシランであり、こ
れはこのアルキルハロシランが、加水分解し縮合してシ
リコーンポリマーを生成した後に、最も大量の商業的シ
リコーン製品の主鎖を構成するからである。それゆえ
に、直接法を最適化する上での大抵の努力はこのジアル
キルジハロシランの収率を最高にすることに向けられて
きた。時には、他のアルキルハロシラン類、特にトリア
ルキルハロシランに対する商業的需要がジアルキルジハ
ロシランについて最適化された方法で現在生産されるも
のを超えることがある。現在の方法、例えばジアルキル
ジハロシランを再配分してトリアルキルハロシランとア
ルキルトリハロシランとを生成するといったものは、実
施するのに経費がかかり、商業的に魅力がなくなる。本
発明は、直接法を制御して生成物中のトリアルキルハロ
シランとアルキルトリハロシランの濃度を変更し、それ
により生成物中のトリアルキルハロシランとアルキルト
リハロシランの量を商業的需要により適切に釣り合わせ
るための方法を提供する。
【０００５】従来技術の代表は、米国再発行特許第３３
４５２号明細書又は米国特許第４６０２１０１号及び同
第５３１２９４８号明細書である。
４５２号明細書又は米国特許第４６０２１０１号及び同
第５３１２９４８号明細書である。
【０００６】上記の技術は、元素を基準とし、そして各
成分の濃度を処理工程（プロセス）にあるケイ素の重量
を基にして表して、銅を０．１〜１０重量％、スズを５
〜２００ｐｐｍ、リンを２５〜２，５００ｐｐｍ、そし
て亜鉛を０ｐｐｍより多く５０ｐｐｍより少量供給する
触媒混合物の存在下で、直接法を実施することを教示し
ていない。更に、上記の文献に記載された技術では、直
接法において亜鉛の濃度を生成物中のトリアルキルハロ
シラン及びアルキルトリハロシランの濃度を変える方法
として活用することができることは認識されていない。
成分の濃度を処理工程（プロセス）にあるケイ素の重量
を基にして表して、銅を０．１〜１０重量％、スズを５
〜２００ｐｐｍ、リンを２５〜２，５００ｐｐｍ、そし
て亜鉛を０ｐｐｍより多く５０ｐｐｍより少量供給する
触媒混合物の存在下で、直接法を実施することを教示し
ていない。更に、上記の文献に記載された技術では、直
接法において亜鉛の濃度を生成物中のトリアルキルハロ
シラン及びアルキルトリハロシランの濃度を変える方法
として活用することができることは認識されていない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルキルハロ
シラン類を製造するための方法である。この方法は、次
に示す各触媒成分をそれらの濃度をケイ素の重量を基に
表して、銅を０．５〜１０重量％、スズを５〜２００ｐ
ｐｍ、リンを２５〜２，５００ｐｐｍ、そして亜鉛を０
ｐｐｍより多く５０ｐｐｍ未満含む触媒の存在下に、２
５０〜４００℃の範囲内の温度で、ハロゲン化アルキル
をケイ素メタロイドと接触させることを含む。本発明の
好ましい方法においては、亜鉛濃度を、生成物中のトリ
アルキルハロシランとアルキルトリハロシランの濃度を
変更する手段として所定の範囲内に制御する。
シラン類を製造するための方法である。この方法は、次
に示す各触媒成分をそれらの濃度をケイ素の重量を基に
表して、銅を０．５〜１０重量％、スズを５〜２００ｐ
ｐｍ、リンを２５〜２，５００ｐｐｍ、そして亜鉛を０
ｐｐｍより多く５０ｐｐｍ未満含む触媒の存在下に、２
５０〜４００℃の範囲内の温度で、ハロゲン化アルキル
をケイ素メタロイドと接触させることを含む。本発明の
好ましい方法においては、亜鉛濃度を、生成物中のトリ
アルキルハロシランとアルキルトリハロシランの濃度を
変更する手段として所定の範囲内に制御する。
【０００８】本発明により製造されるアルキルハロシラ
ン類は、次の式（１）で表される。 Ｒa Ｈb ＳｉＸ4-a-b （１） 式（１）において、各置換基Ｒは炭素原子数が１〜４の
アルキル基から独立に選ばれる。置換基Ｒは、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イシプロピル基、ブ
チル基及びｔｅｒｔ−ブチル基である。式（１）におい
て、下付き記号のａは０、１、２、３又は４の値を持
ち、下付き記号のｂは０、１又は２の値を持ち、そして
項ａと項ｂの合計は１、２、３又は４である。式（１）
において、置換基Ｘはハロゲン原子である。好ましいの
はＸが塩素である場合である。好ましいアルキルハロシ
ランは、下付き記号ａの値が１、２又は３であり、下付
き記号ｂが０であるものである。同様に好ましいもの
は、式（１）のＲがメチル基、そしてＸが塩素であるも
のである。本発明の最も好ましいアルキルハロシランは
トリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシラン及び
メチルトリクロロシランである。
ン類は、次の式（１）で表される。 Ｒa Ｈb ＳｉＸ4-a-b （１） 式（１）において、各置換基Ｒは炭素原子数が１〜４の
アルキル基から独立に選ばれる。置換基Ｒは、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イシプロピル基、ブ
チル基及びｔｅｒｔ−ブチル基である。式（１）におい
て、下付き記号のａは０、１、２、３又は４の値を持
ち、下付き記号のｂは０、１又は２の値を持ち、そして
項ａと項ｂの合計は１、２、３又は４である。式（１）
において、置換基Ｘはハロゲン原子である。好ましいの
はＸが塩素である場合である。好ましいアルキルハロシ
ランは、下付き記号ａの値が１、２又は３であり、下付
き記号ｂが０であるものである。同様に好ましいもの
は、式（１）のＲがメチル基、そしてＸが塩素であるも
のである。本発明の最も好ましいアルキルハロシランは
トリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシラン及び
メチルトリクロロシランである。
【０００９】本発明の方法では、ハロゲン化アルキルを
ケイ素と接触させる。この方法において有用なハロゲン
化アルキルは、次に掲げる式（２）によって表され、 ＲＸ （２） この式のＲとＸは先に説明したとおりである。好ましい
のは、ハロゲン化アルキルの置換基Ｘが塩素の場合であ
る。従って、好ましいハロゲン化アルキルは塩化メチル
である。
ケイ素と接触させる。この方法において有用なハロゲン
化アルキルは、次に掲げる式（２）によって表され、 ＲＸ （２） この式のＲとＸは先に説明したとおりである。好ましい
のは、ハロゲン化アルキルの置換基Ｘが塩素の場合であ
る。従って、好ましいハロゲン化アルキルは塩化メチル
である。
【００１０】本発明は、ケイ素をハロゲン化アルキルと
反応させるための標準の反応器においてバッチプロセス
として、あるいは連続プロセスとして実施される。この
方法は、例えば、流動床反応器、攪拌床反応器、又は振
動床反応器で実施される。
反応させるための標準の反応器においてバッチプロセス
として、あるいは連続プロセスとして実施される。この
方法は、例えば、流動床反応器、攪拌床反応器、又は振
動床反応器で実施される。
【００１１】ハロゲン化アルキルとケイ素との接触は、
粒状のケイ素の流動床で行うのが好ましい。このプロセ
スは、粒子の流動床をガスと反応させるための標準タイ
プの反応器で行われる。床は、ハロゲン化アルキルを流
動媒体として使用して、あるいはハロゲン化アルキルと
本発明の方法において不活性のガスとの混合物を流動媒
体として使用して流動化される。
粒状のケイ素の流動床で行うのが好ましい。このプロセ
スは、粒子の流動床をガスと反応させるための標準タイ
プの反応器で行われる。床は、ハロゲン化アルキルを流
動媒体として使用して、あるいはハロゲン化アルキルと
本発明の方法において不活性のガスとの混合物を流動媒
体として使用して流動化される。
【００１２】この方法において有用なケイ素は、ケイ素
の純度が少なくとも９５重量％で１００重量％未満であ
る任意のケイ素である。好ましいケイ素は、ケイ素の純
度が９８％より高くて１００重量％未満である冶金グレ
ードのケイ素である。米国特許第５２８１７３９号明細
書に記載されたケイ素−銅合金は、本発明の方法にとっ
て有用なケイ素の一例である。
の純度が少なくとも９５重量％で１００重量％未満であ
る任意のケイ素である。好ましいケイ素は、ケイ素の純
度が９８％より高くて１００重量％未満である冶金グレ
ードのケイ素である。米国特許第５２８１７３９号明細
書に記載されたケイ素−銅合金は、本発明の方法にとっ
て有用なケイ素の一例である。
【００１３】本発明の方法では、ケイ素は０．１〜８０
０μｍの範囲の平均粒子寸法を有する粉末であるのが好
ましい。ケイ素についての好ましい平均粒子寸法は０．
１〜１５０μｍである。更に一層好ましいのは、米国特
許第５３１２９４８号明細書の特許請求の範囲（クレー
ム）に記載された質量（ｍａｓｓ）分布を持つ粒状のケ
イ素である。
０μｍの範囲の平均粒子寸法を有する粉末であるのが好
ましい。ケイ素についての好ましい平均粒子寸法は０．
１〜１５０μｍである。更に一層好ましいのは、米国特
許第５３１２９４８号明細書の特許請求の範囲（クレー
ム）に記載された質量（ｍａｓｓ）分布を持つ粒状のケ
イ素である。
【００１４】本発明の方法は、プロセス中に存在する、
すなわち反応集合物（ｒｅａｃｔｉｏｎ ｍａｓｓ）中
に存在するケイ素の重量を基にして、０．５〜１０重量
％の銅を含む触媒の存在下で実施される。好ましいの
は、触媒がケイ素の重量を基にして３〜５重量％の銅を
含む場合である。加えられる銅の源は、例えば、粉末の
金属銅、粉末のケイ素−銅合金、銅の化合物、あるいは
２種以上の銅源の混合物でよい。使いやすい銅化合物
は、例えば塩化第一銅である。
すなわち反応集合物（ｒｅａｃｔｉｏｎ ｍａｓｓ）中
に存在するケイ素の重量を基にして、０．５〜１０重量
％の銅を含む触媒の存在下で実施される。好ましいの
は、触媒がケイ素の重量を基にして３〜５重量％の銅を
含む場合である。加えられる銅の源は、例えば、粉末の
金属銅、粉末のケイ素−銅合金、銅の化合物、あるいは
２種以上の銅源の混合物でよい。使いやすい銅化合物
は、例えば塩化第一銅である。
【００１５】この方法では、触媒は、プロセス中に存在
するケイ素の重量を基にして、５〜２００ｐｐｍのスズ
を含まなくてはならない。好ましいのは、触媒がケイ素
の重量を基にして４０〜８０ｐｐｍのスズを含む場合で
ある。スズの源は、例えば、金属スズの粉末でよい。も
う一つのスズ源はスズ化合物、例えばハロゲン化スズ
（例としてテトラメチルスズ、アルキルスズハロゲン化
物及び酸化スズ）といったもの、である。
するケイ素の重量を基にして、５〜２００ｐｐｍのスズ
を含まなくてはならない。好ましいのは、触媒がケイ素
の重量を基にして４０〜８０ｐｐｍのスズを含む場合で
ある。スズの源は、例えば、金属スズの粉末でよい。も
う一つのスズ源はスズ化合物、例えばハロゲン化スズ
（例としてテトラメチルスズ、アルキルスズハロゲン化
物及び酸化スズ）といったもの、である。
【００１６】本発明の方法においては、触媒はまた、こ
のプロセスに存在するケイ素の重量を基にして２５〜
２，５００ｐｐｍのリンも含まなくてはならない。好ま
しいのは、触媒がケイ素の重量を基準として５０〜１，
０００ｐｐｍのリンを含む場合である。リンの源は、元
素のリン、金属リン、及び本発明の方法の反応集合物中
で金属リンを生成する化合物から選ばれる。このような
リン源は米国特許第４６０２１０１号明細書に記載され
ている。リン源は、米国特許第５０５９７０６号明細書
に記載されたガス状のリン化合物でもよい。
のプロセスに存在するケイ素の重量を基にして２５〜
２，５００ｐｐｍのリンも含まなくてはならない。好ま
しいのは、触媒がケイ素の重量を基準として５０〜１，
０００ｐｐｍのリンを含む場合である。リンの源は、元
素のリン、金属リン、及び本発明の方法の反応集合物中
で金属リンを生成する化合物から選ばれる。このような
リン源は米国特許第４６０２１０１号明細書に記載され
ている。リン源は、米国特許第５０５９７０６号明細書
に記載されたガス状のリン化合物でもよい。
【００１７】本発明の方法は、プロセス中に存在するケ
イ素の重量を基にして０ｐｐｍより多く５０ｐｐｍ未満
の亜鉛を含まなくてはならない。亜鉛の源は、例えば、
金属亜鉛、亜鉛のハロゲン化物、例として塩化亜鉛又は
酸化亜鉛の如きもの、である。亜鉛源は、黄銅といった
ような合金でもよく、例えば、亜鉛のうちの少なくとも
一部分を黄銅としてプロセスに加えてもよい。
イ素の重量を基にして０ｐｐｍより多く５０ｐｐｍ未満
の亜鉛を含まなくてはならない。亜鉛の源は、例えば、
金属亜鉛、亜鉛のハロゲン化物、例として塩化亜鉛又は
酸化亜鉛の如きもの、である。亜鉛源は、黄銅といった
ような合金でもよく、例えば、亜鉛のうちの少なくとも
一部分を黄銅としてプロセスに加えてもよい。
【００１８】発明者らは、本発明の方法において亜鉛の
量を変えることが生成物混合物中のトリアルキルハロシ
ランとアルキルトリハロシランの量を変更するための方
法をもたらすということを、思いもよらぬことに見いだ
した。発明者らはまた、亜鉛濃度が低下するにつれて、
反応生成物中のトリアルキルハロシランとアルキルトリ
ハロシランの量が増加するということも見いだした。更
に一層思いもよらぬことは、生成されたアルキルトリハ
ロシランに関してトリアルキルハロシランが不均衡に増
加することを発明者が見いだしたことである。従って、
この方法は、直接法で生成されたアルキルトリハロシラ
ンの量を制御するのに、またトリアルキルハロシランに
富んだ反応生成物を供給するのに、特に有効である。
量を変えることが生成物混合物中のトリアルキルハロシ
ランとアルキルトリハロシランの量を変更するための方
法をもたらすということを、思いもよらぬことに見いだ
した。発明者らはまた、亜鉛濃度が低下するにつれて、
反応生成物中のトリアルキルハロシランとアルキルトリ
ハロシランの量が増加するということも見いだした。更
に一層思いもよらぬことは、生成されたアルキルトリハ
ロシランに関してトリアルキルハロシランが不均衡に増
加することを発明者が見いだしたことである。従って、
この方法は、直接法で生成されたアルキルトリハロシラ
ンの量を制御するのに、またトリアルキルハロシランに
富んだ反応生成物を供給するのに、特に有効である。
【００１９】銅、スズ、リン及び亜鉛を含んでなる本発
明の触媒は、これらの成分を反応器へ別々に導入して
も、あるいはこれらの成分のうちの元素の形態のもの２
種以上のものの混合物、マスターバッチ、合金又はブレ
ンドとして及びそれらの化合物又は混合物として導入し
てもよい。触媒は、ハロゲン化アルキルとの接触の前に
２７０〜３５０℃の範囲内の温度で熱により活性化させ
ることができる。
明の触媒は、これらの成分を反応器へ別々に導入して
も、あるいはこれらの成分のうちの元素の形態のもの２
種以上のものの混合物、マスターバッチ、合金又はブレ
ンドとして及びそれらの化合物又は混合物として導入し
てもよい。触媒は、ハロゲン化アルキルとの接触の前に
２７０〜３５０℃の範囲内の温度で熱により活性化させ
ることができる。
【００２０】本発明の方法は、２５０〜４００℃の範囲
内の温度で実施される。本発明の方法を実施するための
好ましい温度は２６０〜３２０℃である。一層好ましい
のは２８０〜３２０℃の範囲内の温度である。
内の温度で実施される。本発明の方法を実施するための
好ましい温度は２６０〜３２０℃である。一層好ましい
のは２８０〜３２０℃の範囲内の温度である。
【００２１】
【実施例】亜鉛濃度を変えることがメチルクロロシラン
生成物の分布に及ぼす効果を一連の実験でもって評価し
た。これらの実験は、米国特許第４２１８３８７号明細
書に記載されたのと同様の振動床タイプの反応器で行っ
た。反応器へ入れるもの（チャージ）を、精製し粉砕さ
れた冶金グレードのケイ素１００部を触媒パッケージと
組み合わせて調製した。この触媒パッケージは、６．５
部の塩化第一銅、５０ｐｐｍのスズ、リンを１４重量％
含む２０００ｐｐｍのリン化銅、及び亜鉛を５０重量％
含む様々な量の黄銅を含んでいた。これらの濃度は全て
ケイ素の出発重量を基にしている。各実験ごとに加えた
亜鉛の量は表１に記載される。ケイ素と触媒パッケージ
とは振盪により一緒に混合した。
生成物の分布に及ぼす効果を一連の実験でもって評価し
た。これらの実験は、米国特許第４２１８３８７号明細
書に記載されたのと同様の振動床タイプの反応器で行っ
た。反応器へ入れるもの（チャージ）を、精製し粉砕さ
れた冶金グレードのケイ素１００部を触媒パッケージと
組み合わせて調製した。この触媒パッケージは、６．５
部の塩化第一銅、５０ｐｐｍのスズ、リンを１４重量％
含む２０００ｐｐｍのリン化銅、及び亜鉛を５０重量％
含む様々な量の黄銅を含んでいた。これらの濃度は全て
ケイ素の出発重量を基にしている。各実験ごとに加えた
亜鉛の量は表１に記載される。ケイ素と触媒パッケージ
とは振盪により一緒に混合した。
【００２２】次に、このチャージを反応器に入れ、それ
を閉じ、そして秤量して初期重量を測定した。窒素を反
応器を通して流動させ、次に加熱した流動砂浴を用いて
反応器を３１５℃に加熱した。反応器へ塩化メチルを合
計して４４時間供給し、その間全ての生成物と未反応の
塩化メチルを−４０℃未満に維持したコールドトラップ
で集めた。反応器の損失重量をケイ素転化率の指標とし
て使用した。コールドトラップで集められた液を熱伝導
率（ＴＣ）型検出器を使用する気液クロマトグラフィー
（ＧＬＣ）で分析した。このクロマトグラフィー分析
（ＧＬＣ−ＴＣ）で検出された反応生成物には、ジメチ
ルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、メチルト
リクロロシラン、及び１重量％未満の濃度の他のクロロ
シラン類が含まれていた。反応生成物の収率は、コール
ドトラップで検出された全クロロシラン類の重量百分率
として計算した。各実験についてのメチルクロロシラン
生成物の公称の収率は、コールドトラップで集められた
全クロロシラン生成物中の個々のメチルクロロシランの
濃度（重量％）に平均のケイ素転化率（分数（フラクシ
ョン）表示）を乗じて計算した。実験１のデータを除い
て、表１に示されたデータのおのおのは同時に運転した
一対の反応器について測定した平均の結果である。
を閉じ、そして秤量して初期重量を測定した。窒素を反
応器を通して流動させ、次に加熱した流動砂浴を用いて
反応器を３１５℃に加熱した。反応器へ塩化メチルを合
計して４４時間供給し、その間全ての生成物と未反応の
塩化メチルを−４０℃未満に維持したコールドトラップ
で集めた。反応器の損失重量をケイ素転化率の指標とし
て使用した。コールドトラップで集められた液を熱伝導
率（ＴＣ）型検出器を使用する気液クロマトグラフィー
（ＧＬＣ）で分析した。このクロマトグラフィー分析
（ＧＬＣ−ＴＣ）で検出された反応生成物には、ジメチ
ルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、メチルト
リクロロシラン、及び１重量％未満の濃度の他のクロロ
シラン類が含まれていた。反応生成物の収率は、コール
ドトラップで検出された全クロロシラン類の重量百分率
として計算した。各実験についてのメチルクロロシラン
生成物の公称の収率は、コールドトラップで集められた
全クロロシラン生成物中の個々のメチルクロロシランの
濃度（重量％）に平均のケイ素転化率（分数（フラクシ
ョン）表示）を乗じて計算した。実験１のデータを除い
て、表１に示されたデータのおのおのは同時に運転した
一対の反応器について測定した平均の結果である。
【００２３】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チャールズ スペンサー クイビラ アメリカ合衆国，ケンタッキー 40014, クレストウッド，ハイポイント ドライブ 5405 (72)発明者 オリバー ケー．ウィルディング アメリカ合衆国，ケンタッキー 40031, ラグレインジ，アロウシャー ドライブ 5320
Claims (4)
- 【請求項１】 ハロゲン化アルキルとケイ素メタロイド
とを、各触媒成分を当該ケイ素の重量を基にして次に示
す濃度で含む、すなわち銅を０．５〜１０重量％、スズ
を５〜２００ｐｐｍ、リンを２５〜２，５００ｐｐｍ、
そして亜鉛を０ｐｐｍより多く５０ｐｐｍより少量含む
触媒の存在下において、２５０〜４００℃の範囲内の温
度で接触させることを含む、アルキルハロシランの製造
方法。 - 【請求項２】 前記ハロゲン化アルキルが塩化メチルで
ある、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記触媒を、前記ハロゲン化アルキルと
の接触の前に２７０〜３５０℃の範囲内の温度で熱によ
り活性化させる、請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記亜鉛の少なくとも一部分を黄銅とし
てプロセスに加える、請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/567652 | 1995-12-05 | ||
| US08/567,652 US5596119A (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Method for controlling the direct process product distribution |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09169778A true JPH09169778A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=24268069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8324139A Pending JPH09169778A (ja) | 1995-12-05 | 1996-12-04 | アルキルハロシランの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5596119A (ja) |
| EP (1) | EP0778279B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09169778A (ja) |
| DE (1) | DE69631944T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002179685A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-06-26 | General Electric Co <Ge> | 直接法によるアルキルハロシランの製造中にジアルキルジハロシランの生成を促進する方法 |
| KR100839938B1 (ko) * | 2001-11-09 | 2008-06-20 | 주식회사 케이씨씨 | 메틸클로로실란의 제조용 촉매 조성물 및 이를 이용한메틸클로로실란의 제조방법 |
| JP2008546742A (ja) * | 2005-06-22 | 2008-12-25 | ブルースター シリコーン フランス | アルキルハロシランの直接合成法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2788265B1 (fr) * | 1999-01-13 | 2001-02-16 | Pechiney Electrometallurgie | Procede de fabrication de poudre de silicium active pour la preparation des alkyl ou aryl-halogenosilanes |
| US6057469A (en) * | 1997-07-24 | 2000-05-02 | Pechiney Electrometallurgie | Process for manufacturing active silicon powder for the preparation of alkyl- or aryl-halosilanes |
| FR2766474B1 (fr) * | 1997-07-24 | 1999-09-03 | Pechiney Electrometallurgie | Procede de fabrication de poudre de silicium active pour la preparation des alkyl- ou aryl-halogenosilanes |
| DE19821628A1 (de) * | 1998-05-14 | 1999-11-25 | Ge Bayer Silicones Gmbh & Co | Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen |
| US6005130A (en) * | 1998-09-28 | 1999-12-21 | General Electric Company | Method for making alkylhalosilanes |
| US6258970B1 (en) | 1999-04-19 | 2001-07-10 | General Electric Company | Method for promoting dialkyldihalosilane formation during direct method alkylhalosilane production |
| FR2848211B1 (fr) * | 2002-12-09 | 2005-01-14 | Rhodia Chimie Sa | Procede et systeme catalytique comprenant un metal alcalin et du phosphore comme additifs promoteurs pour la synthese directe d'alkylhalogenosilanes |
| FR2848124B1 (fr) * | 2002-12-09 | 2006-03-10 | Rhodia Chimie Sa | Utilisation d'une composition comprenant cuivre, metal alcalin et phosphore comme systeme catalytique pour conduire la synthese directe d'alkylhalogenosilanes en attenuant la formation de coke |
| FR2861728B1 (fr) * | 2003-11-05 | 2005-12-30 | Rhodia Chimie Sa | Procede de synthese directe d'alkylhalogenosilanes |
| CN112533931B (zh) | 2018-09-07 | 2023-11-28 | 美国陶氏有机硅公司 | 用于制备烃基烃氧基硅烷的方法 |
| CN112533933B (zh) | 2018-09-07 | 2023-09-05 | 美国陶氏有机硅公司 | 用于制备烷基烷氧基硅烷的方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2380995A (en) * | 1941-09-26 | 1945-08-07 | Gen Electric | Preparation of organosilicon halides |
| US2380996A (en) * | 1941-09-26 | 1945-08-07 | Gen Electric | Preparation of organosilicon halides |
| DE2750556A1 (de) | 1977-11-11 | 1979-05-17 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von katalyt-kupfer |
| CA1218136A (en) * | 1983-01-17 | 1987-02-17 | Toshihiro Kawano | Semiconductor laser device |
| USRE33452E (en) * | 1983-07-28 | 1990-11-20 | General Electric Company | Method for making alkylhalosilanes |
| US4602101A (en) * | 1985-11-12 | 1986-07-22 | Dow Corning Corporation | Method of manufacturing alkylhalosilanes |
| US5059343A (en) * | 1986-12-22 | 1991-10-22 | Dow Corning Corporation | Method of direct process performance improvement via control of silicon manufacture |
| US4973725A (en) * | 1988-06-28 | 1990-11-27 | Union Carbide Chemicals And Plastics Company Inc. | Direct synthesis process for organohalohydrosilanes |
| DE3910665A1 (de) | 1989-04-03 | 1990-10-04 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von alkylhalogensilanen |
| US4966986A (en) * | 1989-08-03 | 1990-10-30 | Dow Corning Corporation | Method for preparing organohalosilanes |
| US4962220A (en) * | 1990-01-02 | 1990-10-09 | Dow Corning Corporation | Method for preparing organohalosilanes |
| US5281739A (en) * | 1992-12-23 | 1994-01-25 | Dow Corning Corporation | Process for manufacture of alkylhalosilanes |
| US5312948A (en) * | 1993-10-08 | 1994-05-17 | Dow Corning Corporation | Particle size distribution for fluidized-bed process for making alkylhalosilanes |
| DE19532315C1 (de) * | 1995-09-01 | 1997-02-06 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen |
| EP0776697A2 (de) * | 1995-12-01 | 1997-06-04 | Bayer Ag | Katalysatoren auf Kupferbasis, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung und ein Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen |
-
1995
- 1995-12-05 US US08/567,652 patent/US5596119A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-04 EP EP96119470A patent/EP0778279B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-04 DE DE69631944T patent/DE69631944T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-04 JP JP8324139A patent/JPH09169778A/ja active Pending
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| KR100839938B1 (ko) * | 2001-11-09 | 2008-06-20 | 주식회사 케이씨씨 | 메틸클로로실란의 제조용 촉매 조성물 및 이를 이용한메틸클로로실란의 제조방법 |
| JP2008546742A (ja) * | 2005-06-22 | 2008-12-25 | ブルースター シリコーン フランス | アルキルハロシランの直接合成法 |
| JP4755251B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2011-08-24 | ブルースター・シリコーンズ・フランス | アルキルハロシランの直接合成法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0778279A1 (en) | 1997-06-11 |
| DE69631944D1 (de) | 2004-04-29 |
| EP0778279B1 (en) | 2004-03-24 |
| DE69631944T2 (de) | 2005-01-20 |
| US5596119A (en) | 1997-01-21 |
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