JP3819449B2 - アルキルハロシランの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 11
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical group ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical group C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RIRXDDRGHVUXNJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[P] Chemical compound [Cu].[P] RIRXDDRGHVUXNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N copper silicon Chemical compound [Si].[Cu] WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940024463 silicone emollient and protective product Drugs 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical class 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、銅触媒の存在下でハロゲン化アルキルを粒状ケイ素と接触させる、アルキルハロシラン類を製造するための直接法における改良に関する。
【0002】
【本発明の説明】
本発明は、流動床プロセスでもってハロゲン化アルキルを粒状ケイ素と反応させるための改良された方法である。改良点は、ケイ素の粒子寸法(粒度)を1〜85μmの範囲内に制御することを含む。好ましいのは、ケイ素の粒子寸法が、第10番目の百分位数が2.1 〜6μm、第50番目の百分位数が10〜25μm、そして第90番目の百分位数が30〜60μmであることを特徴とする質量分布(mass distribution)を有する場合である。最も好ましいのは、ケイ素の粒子寸法質量分布が、第10番目の百分位数が2.5 〜4.5 μm、第50番目の百分位数が12〜25μm、そして第90番目の百分位数が35〜45μmであることを特徴としている場合である。この方法は、銅及び他の触媒を含んでなる触媒組成物の存在下で実施される。
【0003】
本発明は、銅触媒の存在下でハロゲン化アルキルを粒状ケイ素と接触させる、アルキルハロシラン類を製造するための直接法における改良に関する。この方法は、米国特許第2380996 号明細書と米国特許第2380995 号明細書に最初に記載されたものである。
【0004】
それ以来、この方法はいろいろなやり方で洗練され、変更されてきており、そして実質的に全ての商業的なアルキルハロシランの製造のために今日世界中で使用されている。年間数百万ポンド(1ポンドは約0.454 キログラムに相当する)のシラン類が生産されてシリコーン類の商業生産により消費されていることを考えると、選択率と原料転化率の少しの増加でさえもアルキルハロシラン類の製造業者にとっては重要なことであるのがなぜかは明白である。
【0005】
商業的には、最も大量に製造されているアルキルハロシランはジメチルジクロロシランである。このアルキルハロシランは、加水分解され縮合されてシリコーンポリマーを生成してから最も大量の商業的シリコーン製品の主鎖を構成する。従って、原料の転化率を最大限にして最高収量のジアルキルジハロシランを得るように直接法を実施することが有利である。このように、本発明の一つの目的は、アルキルハロシランの全体の収率を最大限にするよう直接法を制御すること、すなわちこの方法をジアルキルジハロシランに有利になるようにできるだけ選択性にすることである。第二の目的は、原料からの全体の収率を最大にすることである。シラン類に転化される原料が多くなればなるほど、プロセスはより経済的になる。第三の目的は、プロセスでの活性の減少したケイ素消費床が作りだされるのがより少ない方法を提供することである。
【0006】
粒状ケイ素の大きさはハロゲン化アルキルとケイ素とが反応してアルキルハロシランを生成する反応の効率を決定するのに重要であることは、直接法の技術分野で長いこと認められてきた。本発明について言えば、ハロゲン化アルキルとケイ素との反応の効率はジアルキルジハロシランに転化される投入ケイ素の量により求められる。しかしながら、従来技術は一般に、本発明の発明者らにより明らかにされそして特許請求の範囲に記載された最適な粒子寸法範囲とはかけ離れたことを教示していた。
【0007】
直接法を実施するためにいろいろな寸法範囲の粒状ケイ素を使用することは、米国特許2389931 号、第2466413 号、第3133109 号、第4218387 号、第4281149 号、第4307242 号、第4554370 号各明細書及び米国再発行特許第33452 号明細書に広範囲にわたって記載されている。
【0008】
全く思いも寄らぬことに、発明者らは、流動床反応器で直接法を実施するのに最適なケイ素粒子の大きさは1〜85μmの範囲内にあるということを見いだした。好ましいのは、ケイ素の粒子寸法が、第10番目の百分位数が2.1 〜6μm、第50番目の百分位数が10〜25μm、そして第90番目の百分位数が30〜60μmであることを特徴とする質量分布を有する場合である。最も好ましいのは、ケイ素の粒子寸法質量分布が、第10番目の百分位数が2.5 〜4.5 μm、第50番目の百分位数が12〜25μm、そして第90番目の百分位数が35〜45μmであることを特徴としている場合である。ここに記載された範囲外の粒子は反応器の効率を低下させ、従って、これらの範囲外の大きさの粒子は反応器に入れないことが好ましく、あるいはそれらを入れる場合には定められた質量範囲内に管理されることが好ましい。
【0009】
本発明は、下式で表されるアルキルハロシランの製造方法である。
Ra Hb SiX4-a-b (1)
この方法は、次の式で表されるハロゲン化アルキル
RX (2)
を、銅を含んでなる触媒組成物の存在下に、250 〜350 ℃の範囲内の温度において、1〜85μmの範囲内の大きさの粒状ケイ素の流動床と接触させることを含むものである。ここで、上記の式の各Rは、1〜4個の炭素原子を含むアルキル基から独立に選ばれ、a=1、2又は3あり、b=0、1又は2であり、a+b=1、2又は3であり、そしてXはハロゲンである。
【0010】
本発明により製造されるアルキルハロシランは、式(1)で表されるものである。式(1)において、各Rは、炭素原子数1〜4のアルキル基から独立に選ばれる。この置換基Rは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基及びtert−ブチル基でよい。式(1)において、aは1、2又は3の値を有することができ、bは0、1又は2の値を有することができ、そしてaとbの合計は1、2又は3でよい。好ましいアルキルハロシランは式R2SiX2を有するものであり、ここではRはメチル基又はエチル基であり、そしてXは塩素である。最も好ましいアルキルハロシランはジメチルジクロロシラン、すなわち(CH3)2SiCl2 である。
【0011】
本発明の方法では、ハロゲン化アルキルを粒状ケイ素と接触させる。この方法で有用なハロゲン化アルキルは式(2)で表され、式中のRとXは先に定義されたとおりである。好ましいのはXが塩素原子であるものである。好ましいハロゲン化アルキルは塩化メチルである。
【0012】
ハロゲン化アルキルと粒状ケイ素との接触は、粒状ケイ素の流動床でなされる。この方法は、流動床の粒状物を気体と反応させるための標準タイプの反応器で行うことができる。この床は、ハロゲン化アルキルを流動媒体として使用して、あるいはハロゲン化アルキルと当該プロセスにおいて不活性のガスとの混合物を流動媒体として使用して、流動させることができる。
【0013】
発明者らは、本発明の方法の効率を最適にするためには、粒状ケイ素は当該技術分野で以前は認められていなかった厳密に定められた粒子寸法又は粒子寸法分布を持たなくてはならないことを発見した。「プロセス効率」は、ジアルキルジハロシランに転化されたケイ素の割合(百分率)として定義される。プロセス効率は、ジアルキルジハロシランについてのプロセスの特異性の、またモノシランに転化されるケイ素の量及び単位時間当たりに転化されるケイ素の量の、関数である。
【0014】
ハロゲン化アルキルと粒状ケイ素との反応は表面反応であることが知られている。ハロゲン化アルキルは、触媒作用により活性化されたケイ素の表面でケイ素と反応する。より利用しやすいケイ素表面は所定の容積での反応に対する潜在能力をより高くし、そのため反応速度は利用可能な粒子の比表面積に関係づけられる。より小さな粒子は比表面積が大きく、ずっと速く反応する一方で、より大きな粒子は比表面積がより小さくて、対応して反応速度がより小さい。更に、ケイ素粒子の反応器内の滞留時間は有限であるので、より速く反応する小さな粒子が消費されてケイ素転化率を高くし、その結果より小さいケイ素が消費される床を与えそうである。
【0015】
ところが、発明者らは、本発明の粒状ケイ素の大きさの限度未満ではプロセス効率が損なわれることを見いだした。発明者らは、粒子寸法が余りに小さくなると、あるいは粒子寸法分布が限定された範囲未満の粒子の集合物を余りたくさん含んでいると、粒子間の力が流動用ガスに流動床を「バイパス」させ又は「偏流(channeling)」させるものと信じる。この「バイパス」又は「偏流」は、流動床内での固体の混合と熱移動特性を不十分なものにする。
【0016】
従って、発明者らは、本発明の方法にとってのケイ素粒子寸法は1〜150 μmの範囲内であることが望ましいことを見いだした。好ましいケイ素粒子寸法は1〜85μmの範囲内である。より好ましいケイ素粒子寸法は2〜50μmの範囲内である。ケイ素は、第10番目の百分位数が2.1 〜6μm、第50番目の百分位数が10〜25μm、そして第90番目の百分位数が30〜60μmであることを特徴とする粒子寸法質量分布を有することが好ましい。最も好ましいのは、ケイ素の粒子寸法質量分布が、第10番目の百分位数が2.5 〜4.5 μm、第50番目の百分位数が12〜25μm、そして第90番目の百分位数が35〜45μmであることを特徴としている場合である。
【0017】
ここに記載された分布は三つの百分位数の寸法によって特徴づけられる。それぞれの百分位数は、寸法分布の質量百分率がそれ未満にあるマイクロメートルで表した粒子寸法を記述するものであり、すなわち、「第10番目の百分位数」は質量分布の10%がその第10番目の百分位数の大きさより小さいことを、「第50番目の百分位数は質量分布の50%がその第50番目の百分位数の大きさより小さいことを、そして「第90番目の百分位数」は質量分布の90%がその第90番目の百分位数の大きさより小さいことを表している。
【0018】
本発明の方法において有効な粒子寸法分布を作る方法は重要ではない。粒状ケイ素を製造するための標準的な方法を利用することができる。例えば、ロールミル又はボールミルを使ってケイ素の塊を粉砕する。粉末にしたケイ素は更に、篩分け、あるいは回転分級機のような機械式分級機を用いて、粒子寸法分布に従って分級してもよい。
【0019】
本発明の方法は、銅を含んでなる触媒組成物の存在下で実施される。本発明の方法は、プロセス中に存在しているケイ素の0.1 〜10重量%の範囲内の銅が触媒として存在することを必要とする。プロセスに加えられる銅の源は粉末の金属銅、粉末のケイ素−銅合金、銅の化合物、あるいは2又は3種以上の銅源の混合物でよい。銅化合物は、例えば塩化第一銅でよい。
【0020】
銅のほかに、触媒組成物はその他の金属を触媒として使用してもよい。発明者らにより触媒として考えられるその他の金属の範囲は、直接法の促進剤として当業者に知られている金属である。そのような触媒金属の例は、米国特許第4602101 号、第4946978 号、第4762940 号各明細書と米国再発行特許第33452 号明細書に記載されている。これらの触媒金属には、例えば、リン、リン化合物、亜鉛、亜鉛化合物、スズ、スズ化合物、及びそれらの混合物が含められる。
【0021】
本発明の方法にとって好ましい触媒組成物は、重量による元素基準で、プロセス中に存在するケイ素に基づいて0.1 〜10重量%の銅、50〜10,000ppm の亜鉛、5〜200ppmのスズ、及び25〜2,500ppmのリンを含む。
【0022】
本発明の方法は250 〜350 ℃の範囲内の温度で実施することができる。本発明の方法を実施するための好ましい温度は270 〜320 ℃の範囲内である。
【0023】
【実施例】
本発明を例示するために以下の例を提供する。
【0024】
例1(これは本発明の範囲内ではない)
冶金グレードのケイ素と塩化メチルとの反応についての対照基準線を確定した。精製した、冶金グレードの粉砕ケイ素(アルミニウム=0.16重量%、鉄=0.32重量%、及びカルシウム=0.004 重量%)を100部、塩化第一銅を6.5部、黄銅(亜鉛50重量%)600ppm、スズ36ppm 、及び銅−リン合金2,000ppmを含んでなる混合物を作った。ケイ素の粒子寸法質量分布は、第10番目の百分位数が2.8 μm、第50番目の百分位数が22μm、そして第90番目の百分位数が81μmであることで特徴づけられるものであった。
【0025】
この混合物を、米国特許第4218387 号明細書に記載されているのと同様な反応器に入れた。反応器の温度を、一定温度の浴を用いて約315 ℃に維持した。窒素ガスで反応器を15分間パージした。次いで窒素パージを止め、塩化メチルガスを合計して44時間反応器に供給し、その間全部の生成物と未反応塩化メチルをコールドトラップで集めた。反応器の損失重量をケイ素転化率の指標として使用した。コールドトラップで集められた液を、熱伝導率(TC)検出器を使用するガスクロマトグラフィーで分析した。各実験でのケイ素の性能を、消費されたケイ素の重量分率に製造されたシラン生成物の総重量の割合としてのジメチルジクロロシランの重量百分率をかけたものとして計算した。この一連の実験についての平均のケイ素性能は77.9%であると求められた。
【0026】
例2
いろいろな粒子寸法質量分布を有する粒状の冶金グレードケイ素の試料を、例1で説明したのと同様の方法で評価した。例1で説明したように、得られたものを分析し、そしてケイ素の性能を計算した。具体的な粒子寸法質量分布を表1に示す。特定の粒子寸法質量分布の各試料について実験を2回行った。これらの2回の実験についての平均のケイ素性能も表1に報告される。この表には、Micromeritics Sedigraph モデル5000を使って測定した、第10、50、90番目の百分位数の粒子質量分布も示される。ケイ素粉末が通過した篩のメッシュ寸法も表1に示される。
【0027】
Claims (2)
- 下式で表されるアルキルハロシラン
RaHbSiX4-a-b
(この式中の各Rは炭素原子数1〜4のアルキル基から独立に選ばれ、a=1、2又は3であり、b=0、1又は2であり、a+b=1、2又は3であり、Xはハロゲンである)の製造方法であって、次の式で表されるハロゲン化アルキル
RX
(この式中のRは炭素原子数1〜4のアルキル基であり、Xはハロゲンである)を、銅を含んでなる触媒組成物の存在下に、250〜350℃の範囲内の温度において、第 10 番目の百分位数が 2.1 〜6μm、第 50 番目の百分位数が 10 〜 25 μm、そして第 90 番目の百分位数が 30 〜 60 μmであることを特徴とする粒子寸法質量分布を有する粒状ケイ素の流動床と接触させることを含むアルキルハロシランの製造方法。 - 前記粒状ケイ素が、第 10 番目の百分位数が 2.5 〜 4.5 μm、第 50 番目の百分位数が 12 〜 25 μm、そして第 90 番目の百分位数が 35 〜 45 μmであることを特徴とする粒子寸法質量分布を有する、請求項1に記載のアルキルハロシランの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US133241 | 1993-10-08 | ||
US08/133,241 US5312948A (en) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | Particle size distribution for fluidized-bed process for making alkylhalosilanes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07188258A JPH07188258A (ja) | 1995-07-25 |
JP3819449B2 true JP3819449B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=22457655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24505794A Expired - Lifetime JP3819449B2 (ja) | 1993-10-08 | 1994-10-11 | アルキルハロシランの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5312948A (ja) |
EP (1) | EP0647646B1 (ja) |
JP (1) | JP3819449B2 (ja) |
DE (1) | DE69426439T2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5596119A (en) | 1995-12-05 | 1997-01-21 | Dow Corning Corporation | Method for controlling the direct process product distribution |
JPH09194490A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シラン類の製造方法 |
JP3159029B2 (ja) | 1996-01-12 | 2001-04-23 | 信越化学工業株式会社 | シラン類の製造方法 |
JPH10279584A (ja) * | 1997-04-01 | 1998-10-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | アルキルハロシランの製造方法 |
US5880307A (en) * | 1998-02-17 | 1999-03-09 | Dow Corning Corporation | Process for the preparation of alkylhalosilanes |
US6019667A (en) * | 1998-05-26 | 2000-02-01 | Dow Corning Corporation | Method for grinding silicon metalloid |
US5973177A (en) * | 1998-07-29 | 1999-10-26 | Dow Corning Corporation | Method for selecting silicon metalloid having improved performance in the direct process for making organohalosilanes |
US6423860B1 (en) * | 2000-09-05 | 2002-07-23 | General Electric Company | Method for promoting dialkyldihalosilane formation during direct method alkylhalosilane production |
JP3818360B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2006-09-06 | 信越化学工業株式会社 | 有機ハロシランの製造方法 |
JP3965103B2 (ja) * | 2002-10-11 | 2007-08-29 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 高速フレーム溶射機及びそれを用いた溶射方法 |
FR2848124B1 (fr) * | 2002-12-09 | 2006-03-10 | Rhodia Chimie Sa | Utilisation d'une composition comprenant cuivre, metal alcalin et phosphore comme systeme catalytique pour conduire la synthese directe d'alkylhalogenosilanes en attenuant la formation de coke |
FR2848211B1 (fr) * | 2002-12-09 | 2005-01-14 | Rhodia Chimie Sa | Procede et systeme catalytique comprenant un metal alcalin et du phosphore comme additifs promoteurs pour la synthese directe d'alkylhalogenosilanes |
KR20110015653A (ko) * | 2008-06-04 | 2011-02-16 | 다우 코닝 코포레이션 | 유기할로실란과 할로실란을 제조하는 개선 방법 |
EP2488536B1 (en) * | 2009-10-16 | 2015-04-01 | Dow Corning Corporation | Method of making organohalosilanes |
KR102507061B1 (ko) | 2014-12-19 | 2023-03-07 | 다우 실리콘즈 코포레이션 | 모노하이드로겐트라이할로실란의 제조 공정 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2380995A (en) * | 1941-09-26 | 1945-08-07 | Gen Electric | Preparation of organosilicon halides |
US2380996A (en) * | 1941-09-26 | 1945-08-07 | Gen Electric | Preparation of organosilicon halides |
US2389931A (en) * | 1943-09-27 | 1945-11-27 | Gen Electric | Method for producing organosiliconhalides |
US2466412A (en) * | 1946-02-21 | 1949-04-05 | Gen Electric | Method of preparation of hydrocarbon-substituted halosilanes |
US2466413A (en) * | 1946-02-21 | 1949-04-05 | Gen Electric | Method of preparation of hydrocarbon-substituted halosilanes |
US3133109A (en) * | 1960-11-28 | 1964-05-12 | Gen Electric | Silicon compound process and apparatus |
DE2750556A1 (de) * | 1977-11-11 | 1979-05-17 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von katalyt-kupfer |
US4281149A (en) * | 1980-03-24 | 1981-07-28 | General Electric Company | Process for treating silicon particles within a silicone reactor system |
US4307242A (en) * | 1980-10-03 | 1981-12-22 | General Electric Company | Process for removing impurities from residual silicon powder |
US4450282A (en) * | 1981-07-29 | 1984-05-22 | General Electric Company | Catalyst for a process for producing silicones |
USRE33452E (en) * | 1983-07-28 | 1990-11-20 | General Electric Company | Method for making alkylhalosilanes |
US4554370A (en) * | 1984-10-29 | 1985-11-19 | General Electric Company | Method for making alkylhalosilanes |
DE3841417A1 (de) * | 1988-12-08 | 1990-06-13 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von organosilanen |
US5239102A (en) * | 1992-04-13 | 1993-08-24 | General Electric Company | Method for making organohalosilanes |
US5250716A (en) * | 1992-05-28 | 1993-10-05 | Mui Jeffrey Y P | Method for making a silicon/copper contact mass suitable for direct reaction |
US5243061A (en) * | 1992-12-09 | 1993-09-07 | General Electric Company | Method for making organohalosilanes |
-
1993
- 1993-10-08 US US08/133,241 patent/US5312948A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-10-04 DE DE69426439T patent/DE69426439T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-04 EP EP94307244A patent/EP0647646B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-11 JP JP24505794A patent/JP3819449B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0647646A1 (en) | 1995-04-12 |
DE69426439D1 (de) | 2001-01-25 |
EP0647646B1 (en) | 2000-12-20 |
JPH07188258A (ja) | 1995-07-25 |
US5312948A (en) | 1994-05-17 |
DE69426439T2 (de) | 2001-06-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040928 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |