JPH09169513A - ケイ素微小粒子 - Google Patents
ケイ素微小粒子Info
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- JPH09169513A JPH09169513A JP8306345A JP30634596A JPH09169513A JP H09169513 A JPH09169513 A JP H09169513A JP 8306345 A JP8306345 A JP 8306345A JP 30634596 A JP30634596 A JP 30634596A JP H09169513 A JPH09169513 A JP H09169513A
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 73
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 49
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 49
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 title claims description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 8
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004736 wide-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000000223 laser vaporisation method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001198 high resolution scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010895 photoacoustic effect Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L33/346—
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】3次元の網状構造に凝集したケイ素微粒子を提
供することである。 【解決手段】拡散霧箱内の無酸素雰囲気中でケイ素金属
をレーザ気化して新しい網状ミクロ構造に集合さすこと
によって、網状微小ケイ素粒子が生成される。その集合
体は多孔質であって、紫外光を照射するとその網状ケイ
素微粒子から明るい黄色からオレンジ色の光ルミネセン
スが見られる。
供することである。 【解決手段】拡散霧箱内の無酸素雰囲気中でケイ素金属
をレーザ気化して新しい網状ミクロ構造に集合さすこと
によって、網状微小ケイ素粒子が生成される。その集合
体は多孔質であって、紫外光を照射するとその網状ケイ
素微粒子から明るい黄色からオレンジ色の光ルミネセン
スが見られる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、3次元の網状構
造に凝集したケイ素微小粒子に関する。そのケイ素は無
酸素雰囲気中でケイ素金属ターゲットのレーザ溶発によ
って得られる。そのモルフオロジは直径が10〜20n
mの凝集微小粒子からなる。それらの微小粒子は一緒に
溶融して高表面積を有する開口3次元網状構造を形成し
ている。
造に凝集したケイ素微小粒子に関する。そのケイ素は無
酸素雰囲気中でケイ素金属ターゲットのレーザ溶発によ
って得られる。そのモルフオロジは直径が10〜20n
mの凝集微小粒子からなる。それらの微小粒子は一緒に
溶融して高表面積を有する開口3次元網状構造を形成し
ている。
【0002】
【従来の技術】最近、微小粒子の合成および特性把握は
触媒としての用途に注目されてきた。微小粒子の範囲は
化学および物理的方法によって製造されてきた。最も一
般的な物理的方法は、オーブン発生源を使用して金属蒸
気を生成させるガス凝縮法を含む。これらの方法での成
功にもかかわらず、次のような問題点と限界がある:
(a)金属蒸気とオーブン材料間の反応、(b)粒度お
よび分布の制御を制限する発生源の不均一加熱、(c)
低蒸気圧に起因する耐火金属の不完全蒸発、(d)集合
制御の制限、および(e)合金と混合蒸気間の組成差に
起因する混合金属粒子組成の制御範囲。
触媒としての用途に注目されてきた。微小粒子の範囲は
化学および物理的方法によって製造されてきた。最も一
般的な物理的方法は、オーブン発生源を使用して金属蒸
気を生成させるガス凝縮法を含む。これらの方法での成
功にもかかわらず、次のような問題点と限界がある:
(a)金属蒸気とオーブン材料間の反応、(b)粒度お
よび分布の制御を制限する発生源の不均一加熱、(c)
低蒸気圧に起因する耐火金属の不完全蒸発、(d)集合
制御の制限、および(e)合金と混合蒸気間の組成差に
起因する混合金属粒子組成の制御範囲。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】他の加熱法よりも優れ
たレーザ気化法の利点は(a)短時間、すなわち、10
−8秒以内に高密度金属蒸気の生成、(b)粒子の方向
性蒸着のために固体ターゲットから方向性高速金属蒸気
の発生、(c)ターゲット上の特定の点からの蒸発の制
御、および(d)いくつかの異なるターゲットの同時又
は逐次気化である。これらの利点のいくつかは超微小金
属粒子の合成に示されているが、粒度に著しく影響を与
える蒸着金属の核生成プロセス、組成およびモルフオロ
ジの制御がまだ達成されていない。
たレーザ気化法の利点は(a)短時間、すなわち、10
−8秒以内に高密度金属蒸気の生成、(b)粒子の方向
性蒸着のために固体ターゲットから方向性高速金属蒸気
の発生、(c)ターゲット上の特定の点からの蒸発の制
御、および(d)いくつかの異なるターゲットの同時又
は逐次気化である。これらの利点のいくつかは超微小金
属粒子の合成に示されているが、粒度に著しく影響を与
える蒸着金属の核生成プロセス、組成およびモルフオロ
ジの制御がまだ達成されていない。
【0004】本発明により、我々はケイ素の微小粒子が
ユニークな網状ミクロ組織に集合するケイ素の新しい形
態を発見した。この網状微小粒子のケイ素は青色光又は
紫外光を照射すると黄色〜オレンジ色の光発光を示す。
網状微小粒子のケイ素は制御可能なサイズと組成を有
し、温度および圧力の明確な条件下、拡散霧箱内でパル
スレーザ気化および制御された凝縮の利点を組み合せた
方法によって合成される。
ユニークな網状ミクロ組織に集合するケイ素の新しい形
態を発見した。この網状微小粒子のケイ素は青色光又は
紫外光を照射すると黄色〜オレンジ色の光発光を示す。
網状微小粒子のケイ素は制御可能なサイズと組成を有
し、温度および圧力の明確な条件下、拡散霧箱内でパル
スレーザ気化および制御された凝縮の利点を組み合せた
方法によって合成される。
【0005】本発明による微小ケイ素の形態は腐食ケイ
素に代わるものとして半導体産業に有用である。
素に代わるものとして半導体産業に有用である。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、YAG−Nd
レーザでケイ素金属ターゲットを溶発して新規の3次元
網状構造を形成させることによって調製されるケイ素の
微小粒子に関する。驚くべきことに、我々はこれらのケ
イ素微小粒子が紫外光又は青色光で励起されると可視ス
ペクトルの光を放出することを発見した。
レーザでケイ素金属ターゲットを溶発して新規の3次元
網状構造を形成させることによって調製されるケイ素の
微小粒子に関する。驚くべきことに、我々はこれらのケ
イ素微小粒子が紫外光又は青色光で励起されると可視ス
ペクトルの光を放出することを発見した。
【0007】ラマン分光法、フーリエ変換赤外分光法
(FTIR)、UV、X−線回折法(XRD)および走
査形電子顕微鏡写真法(SEM)による微小粒子の確認
は、それらの組成がケイ素であることを示す。それらの
微小粒子は空気中で600℃まで安定であり、腐食した
ケイ素を使用する場合の発光に適する。しかしながら、
我々のケイ素微粒子は、半導体の製造に望ましくない方
法である酸腐食の必要性を回避する利点を有する。
(FTIR)、UV、X−線回折法(XRD)および走
査形電子顕微鏡写真法(SEM)による微小粒子の確認
は、それらの組成がケイ素であることを示す。それらの
微小粒子は空気中で600℃まで安定であり、腐食した
ケイ素を使用する場合の発光に適する。しかしながら、
我々のケイ素微粒子は、半導体の製造に望ましくない方
法である酸腐食の必要性を回避する利点を有する。
【0008】さらに詳しくは、本発明は、紫外光の照射
で黄色〜オレンジ色の光ルミネセンスを示し一般に3次
元の網状ミクロ組織の形態である微小(ナノ)粒子ケイ
素に関する。それらの微小粒子は約10〜20nm(ナ
ノメートル)の粒子直径を有し、そのミクロ組織に23
0nmの紫外光を照射すると600〜640nmにピー
クを示す光ルミネセンススペクトルを特徴とする。
で黄色〜オレンジ色の光ルミネセンスを示し一般に3次
元の網状ミクロ組織の形態である微小(ナノ)粒子ケイ
素に関する。それらの微小粒子は約10〜20nm(ナ
ノメートル)の粒子直径を有し、そのミクロ組織に23
0nmの紫外光を照射すると600〜640nmにピー
クを示す光ルミネセンススペクトルを特徴とする。
【0009】本発明による新規の光ルミネセンス網状微
小粒子ケイ素は、改良された上向き熱拡散霧箱における
金属のレーザ気化と蒸気相からの制御凝縮との組合せに
よって得られ、調製される。この方法において、無酸素
の不活性キヤリヤーガス中におけるケイ素金属ターゲッ
トのパルスレーザ気化によってその霧箱にケイ素金属蒸
気が発生する。図1に示した真空室の冷却板上に微小ケ
イ素粒子が生成する。
小粒子ケイ素は、改良された上向き熱拡散霧箱における
金属のレーザ気化と蒸気相からの制御凝縮との組合せに
よって得られ、調製される。この方法において、無酸素
の不活性キヤリヤーガス中におけるケイ素金属ターゲッ
トのパルスレーザ気化によってその霧箱にケイ素金属蒸
気が発生する。図1に示した真空室の冷却板上に微小ケ
イ素粒子が生成する。
【0010】網状ケイ素微小粒子は、ケイ素金属を真空
室の下部に配置して、それをパルスーザのビームに当て
ることによって作られる。キヤリヤーガスは不活性で酸
素を含まない。パルスド・レーザ気化の結果として霧箱
にケイ素金属の蒸気が発生する。そのケイ素金属蒸気は
真空室内の蒸気相にクラスタを形成する。気相のケイ素
金属分子およびクラスタはキヤリヤーガスによって冷却
されてケイ素の微小粒子を生成し、それが順次冷却板上
の真空室上部に凝縮する。
室の下部に配置して、それをパルスーザのビームに当て
ることによって作られる。キヤリヤーガスは不活性で酸
素を含まない。パルスド・レーザ気化の結果として霧箱
にケイ素金属の蒸気が発生する。そのケイ素金属蒸気は
真空室内の蒸気相にクラスタを形成する。気相のケイ素
金属分子およびクラスタはキヤリヤーガスによって冷却
されてケイ素の微小粒子を生成し、それが順次冷却板上
の真空室上部に凝縮する。
【0011】
【発明の実施の形態】次の実施例はパルスレーザ気化法
および本発明をさらに詳しく説明する。本発明の十億分
の一のスケールのシリコン粒子の合成に上向き熱拡散霧
箱を使用した。該霧箱の操作、設計および構成の一般的
原理はThe Journalof Chemical
Physics,Vol.52,No.9,May
1,1970,pages 4733−4748に記載
されている。その文献の4737頁に、典型的な拡散霧
箱の横断面図が図2に示されている。
および本発明をさらに詳しく説明する。本発明の十億分
の一のスケールのシリコン粒子の合成に上向き熱拡散霧
箱を使用した。該霧箱の操作、設計および構成の一般的
原理はThe Journalof Chemical
Physics,Vol.52,No.9,May
1,1970,pages 4733−4748に記載
されている。その文献の4737頁に、典型的な拡散霧
箱の横断面図が図2に示されている。
【0012】しかしながら、我々はケイ素微小粒子の合
成をするために改良して特別の霧箱(チヤンバ)を作製
した。我々の改良装置を図1に示す。それは円形ガラス
リングによって隔離された2枚の水平円形ステンレス鋼
板から成り真空室を形成している。ケイ素金属ロッドが
ターゲットで下部板に近接して装着される。真空室はヘ
リウムやアルゴンのような不活性キヤリヤーガスが充て
んされるその不活性ガスは酸素を含まない。
成をするために改良して特別の霧箱(チヤンバ)を作製
した。我々の改良装置を図1に示す。それは円形ガラス
リングによって隔離された2枚の水平円形ステンレス鋼
板から成り真空室を形成している。ケイ素金属ロッドが
ターゲットで下部板に近接して装着される。真空室はヘ
リウムやアルゴンのような不活性キヤリヤーガスが充て
んされるその不活性ガスは酸素を含まない。
【0013】ケイ素金属ロッドおよび下部板は冷却板の
温度より高い温度に維持される。冷却板は、冷媒流入管
路および冷媒流出管路を通る冷媒として液体窒素を循環
させることによって120°K以下に冷却される。これ
らの管路は冷却板の内部にあって冷却板を必要な低温に
維持するために冷却される。下部板と冷却板の間の温度
勾配が、高圧、すなわち、133.3kPa(1×10
3 )トール下でヘリウム、アルゴン、クリプトン又は他
の不活性ガスを添加することによって増強できる定常対
流を与える。ケイ素金属蒸気は、イットリウムアルミニ
ウムガーネット−ネオジム(YAG‐Nd)レーザ(1
5〜30mJ/パルス、パルス幅=2×10−8s)の
第一調波を使用するレーザで発生される。
温度より高い温度に維持される。冷却板は、冷媒流入管
路および冷媒流出管路を通る冷媒として液体窒素を循環
させることによって120°K以下に冷却される。これ
らの管路は冷却板の内部にあって冷却板を必要な低温に
維持するために冷却される。下部板と冷却板の間の温度
勾配が、高圧、すなわち、133.3kPa(1×10
3 )トール下でヘリウム、アルゴン、クリプトン又は他
の不活性ガスを添加することによって増強できる定常対
流を与える。ケイ素金属蒸気は、イットリウムアルミニ
ウムガーネット−ネオジム(YAG‐Nd)レーザ(1
5〜30mJ/パルス、パルス幅=2×10−8s)の
第一調波を使用するレーザで発生される。
【0014】ミラーを使用してレーザからのビームをタ
ーゲットのケイ素ロッドに反射させる。レーザによる気
化は1014個以上の金属原子/パルスを放出させる。
ケイ素金属原子およびクラスタが蒸気相のケイ素金属分
子およびクラスタを生成する。クラスタは不活性のキヤ
リヤーガスと衝突して、その衝突のエネルギー損失によ
って冷却をする。
ーゲットのケイ素ロッドに反射させる。レーザによる気
化は1014個以上の金属原子/パルスを放出させる。
ケイ素金属原子およびクラスタが蒸気相のケイ素金属分
子およびクラスタを生成する。クラスタは不活性のキヤ
リヤーガスと衝突して、その衝突のエネルギー損失によ
って冷却をする。
【0015】我々の実験に用いた106.4kPa(8
00トール)の全圧力下で、ケイ素金属およびクラスタ
は気化ターゲットから数百μm以内の周囲ガスの熱エネ
ルギーに近づいた。ケイ素金属クラスタは真空室の冷却
板近くの核生成ゾーンヘ対流によって運ばれて、そこで
ケイ素の微小粒子を生成した。
00トール)の全圧力下で、ケイ素金属およびクラスタ
は気化ターゲットから数百μm以内の周囲ガスの熱エネ
ルギーに近づいた。ケイ素金属クラスタは真空室の冷却
板近くの核生成ゾーンヘ対流によって運ばれて、そこで
ケイ素の微小粒子を生成した。
【0016】ニクロム加熱線を真空室のガラスリングの
回りに巻いてリング上での凝縮を防止するのに十分な熱
を与えて下部板と冷却板間の一定温度勾配を維持した。
粒子は核生成ゾーンで生成されて、1〜2時間のレーザ
の気化中(パルス繰返数=10Hz)に冷却板上に凝縮
された。真空室を室温(20〜25℃)にして、粒子を
大気圧条件下で収集した。冷却板上を除く真空室には粒
子は存在しなかった。ガラススライドおよび金属ウエー
ハを冷却板に装着して、蒸着したケイ素微小粒子のモル
フオロジの検査分析用の材料を収集した。SEM、TE
M、FTIR、XRD、UVおよびラマン分析を含む種
々の分析をケイ素微小粒子について行った。
回りに巻いてリング上での凝縮を防止するのに十分な熱
を与えて下部板と冷却板間の一定温度勾配を維持した。
粒子は核生成ゾーンで生成されて、1〜2時間のレーザ
の気化中(パルス繰返数=10Hz)に冷却板上に凝縮
された。真空室を室温(20〜25℃)にして、粒子を
大気圧条件下で収集した。冷却板上を除く真空室には粒
子は存在しなかった。ガラススライドおよび金属ウエー
ハを冷却板に装着して、蒸着したケイ素微小粒子のモル
フオロジの検査分析用の材料を収集した。SEM、TE
M、FTIR、XRD、UVおよびラマン分析を含む種
々の分析をケイ素微小粒子について行った。
【0017】かかる真空室における温度分布は鉛直位置
の直線的関数である。平衝蒸気圧Peは温度のほゞ指数
関数的であるから、ケイ素蒸気は冷却板近傍の核生成ゾ
ーンで過飽和である。過飽和は、真空室における2つの
板間の温度勾配を増すことによって変えて高めることが
できる。したがって、過飽和が増すほど、凝縮に必要な
核のサイズが小さくなる。蒸気相に放出されるケイ素金
属原子の数および密度を決めるレーザ出力、温度勾配、
全圧力を制御することによって、凝縮粒子のサイズを制
御することができる。
の直線的関数である。平衝蒸気圧Peは温度のほゞ指数
関数的であるから、ケイ素蒸気は冷却板近傍の核生成ゾ
ーンで過飽和である。過飽和は、真空室における2つの
板間の温度勾配を増すことによって変えて高めることが
できる。したがって、過飽和が増すほど、凝縮に必要な
核のサイズが小さくなる。蒸気相に放出されるケイ素金
属原子の数および密度を決めるレーザ出力、温度勾配、
全圧力を制御することによって、凝縮粒子のサイズを制
御することができる。
【0018】我々の微小粒子ケイ素は一般に3次元のウ
エブ状(網状)ミクロ組織の形態である。そのミクロ組
織は発光光ルミネセンススペクトルを有して、600〜
640nmにピークを示す。その微小粒子の直径は5〜
50nmであるが、10〜20nmが望ましい。微小粒
子のケイ素は集合体の多孔質配列に3次元網状ミクロ組
織を形成する。そのミクロ組織は、粒子と孔の交互部分
のパターンに鎖間間隔と超規則構造を有する。
エブ状(網状)ミクロ組織の形態である。そのミクロ組
織は発光光ルミネセンススペクトルを有して、600〜
640nmにピークを示す。その微小粒子の直径は5〜
50nmであるが、10〜20nmが望ましい。微小粒
子のケイ素は集合体の多孔質配列に3次元網状ミクロ組
織を形成する。そのミクロ組織は、粒子と孔の交互部分
のパターンに鎖間間隔と超規則構造を有する。
【0019】図1に示した我々の方法は2、3のユニー
クな性質を有する形態構造を与える。すなわち、我々の
微小粒子は大きな表面積、異常な吸着性を有して高速の
拡散係数を有する。しかしながら、最も驚くことは、こ
れらの凝集した微小粒子がUV源で励起したときに可視
スペクトルで比較的強い光を放出するという発見であ
る。放出光の波長は特定の微小粒子構造に依存し、それ
はケイ素が凝縮する実験条件、すなわち、温度勾配、レ
ーザ出力、レーザ波長、ガス圧力およびガスの種類に依
存して変わる。
クな性質を有する形態構造を与える。すなわち、我々の
微小粒子は大きな表面積、異常な吸着性を有して高速の
拡散係数を有する。しかしながら、最も驚くことは、こ
れらの凝集した微小粒子がUV源で励起したときに可視
スペクトルで比較的強い光を放出するという発見であ
る。放出光の波長は特定の微小粒子構造に依存し、それ
はケイ素が凝縮する実験条件、すなわち、温度勾配、レ
ーザ出力、レーザ波長、ガス圧力およびガスの種類に依
存して変わる。
【0020】我々のケイ素微小粒子の試料は黄色粉末に
見える。それらの新しい形態組織は図2および図3にS
EM(走査形電子顕微鏡)によって見ることができる。
図2に集合したケイ素微小粒子のストリング(ひも状
体)をもった網状組織が明らかである。この網状形態組
織はケイ素ストランド間の多数の小孔から明らかであ
る。それらのストランドのサイズは1μm以下である。
見える。それらの新しい形態組織は図2および図3にS
EM(走査形電子顕微鏡)によって見ることができる。
図2に集合したケイ素微小粒子のストリング(ひも状
体)をもった網状組織が明らかである。この網状形態組
織はケイ素ストランド間の多数の小孔から明らかであ
る。それらのストランドのサイズは1μm以下である。
【0021】凝集したケイ素粒子およびそれらの多孔質
構造が図3に高倍率で見える。ストランドにおける個々
の凝集ケイ素粒子が図3に示されている。その粒度は均
一で10〜20nmである。
構造が図3に高倍率で見える。ストランドにおける個々
の凝集ケイ素粒子が図3に示されている。その粒度は均
一で10〜20nmである。
【0022】図4のラマンスペクトルは520cm−1
に微小結晶性ケイ素特有の強いピークを示す。これは図
5に広角度X‐線回折によって立証された。図5は結論
として低スペクトルの28°、47°および56°の散
乱角度に結晶性ケイ素ラインを示す。かかる結晶性ライ
ンは図5の上のラインに比較用に示す非晶質シリカには
存在しない。
に微小結晶性ケイ素特有の強いピークを示す。これは図
5に広角度X‐線回折によって立証された。図5は結論
として低スペクトルの28°、47°および56°の散
乱角度に結晶性ケイ素ラインを示す。かかる結晶性ライ
ンは図5の上のラインに比較用に示す非晶質シリカには
存在しない。
【0023】本発明のもう1つは重要な特徴は、ナノス
ケールのケイ素粒子の大気中における安定性である。例
えば、図6および図7のFTIR(フ−リエ変換赤外分
光法)は、ナノスケール粒子を290℃で2時間まで加
熱した場合に明確な酸化が生じないことを示す。これら
の条件下で、798および878cm−1にケイ素特有
のピークが観察された。1080cm−1におけるSi
−O−Si伸縮振動特有の広いピークはケイ素コアの回
りの表面酸化物層のためである。しかしながら、290
℃で2時間の加熱後でも、図7に示すようにFTIRス
ペクトルに著しい変化はない。
ケールのケイ素粒子の大気中における安定性である。例
えば、図6および図7のFTIR(フ−リエ変換赤外分
光法)は、ナノスケール粒子を290℃で2時間まで加
熱した場合に明確な酸化が生じないことを示す。これら
の条件下で、798および878cm−1にケイ素特有
のピークが観察された。1080cm−1におけるSi
−O−Si伸縮振動特有の広いピークはケイ素コアの回
りの表面酸化物層のためである。しかしながら、290
℃で2時間の加熱後でも、図7に示すようにFTIRス
ペクトルに著しい変化はない。
【0024】しかし、試料を空気中で595℃で2分間
加熱すると、図8に示すように酸化が見られる。これ
は、878cm−1におけるピークの消滅と798cm
−1におけるピークの増大によって示される。しかしな
がら、ケイ素のFTIRスペクトルにおけるこの変化は
高温での既知酸化と一致する。
加熱すると、図8に示すように酸化が見られる。これ
は、878cm−1におけるピークの消滅と798cm
−1におけるピークの増大によって示される。しかしな
がら、ケイ素のFTIRスペクトルにおけるこの変化は
高温での既知酸化と一致する。
【0025】試料を230nmのUV光で照射したと
き、我々のケイ素微小粒子からのルミネセンスが観察さ
れた。図9の放出光ルミネセンススペクトルは600〜
640nmに最大放出を示す。
き、我々のケイ素微小粒子からのルミネセンスが観察さ
れた。図9の放出光ルミネセンススペクトルは600〜
640nmに最大放出を示す。
【0026】その上、我々のレーザ溶発法による発光装
置の製造法は、ケイ素を主成分とした装置の廃棄処理お
よび可能性のある汚染に特別の注意を必要とする強酸の
腐食または使用を必要としないから、極めて簡単であ
る。
置の製造法は、ケイ素を主成分とした装置の廃棄処理お
よび可能性のある汚染に特別の注意を必要とする強酸の
腐食または使用を必要としないから、極めて簡単であ
る。
【0027】本発明のさらに驚くべき特徴は、YAG−
Ndレーザ(532nm)でのケイ素微小粒子の照射時
に鮮やかなオレンジ色の化学発光が観察されたことであ
る。これは光音響効果と色の変化を伴った。例えば、我
々はケイ素微小粒子のレーザ照射時に明るいオレンジ色
の光のフラッシュの発生を見た。この明るい化学発光は
軽い音を伴い、黄色のケイ素微小粒子を白色に変えた。
Ndレーザ(532nm)でのケイ素微小粒子の照射時
に鮮やかなオレンジ色の化学発光が観察されたことであ
る。これは光音響効果と色の変化を伴った。例えば、我
々はケイ素微小粒子のレーザ照射時に明るいオレンジ色
の光のフラッシュの発生を見た。この明るい化学発光は
軽い音を伴い、黄色のケイ素微小粒子を白色に変えた。
【0028】YAG−Ndレーザ照射後にケイ素微小粒
子からの化学発光によるこれらの変化はFTIRによっ
て観察された。照射前に1つのスペクトルをとり、照射
直後に別のスペクトルをとった。FTIRスペクトル
は、化学発光源がレーザ照射時に空気中でのケイ素微小
粒子の酸化に関係していることを示した。我々は、入射
レーザ光がケイ素コアの回りの酸化物薄層を破壊して空
気中の即時酸化を誘導し、それがこの化学発光効果をも
たらすと考える。
子からの化学発光によるこれらの変化はFTIRによっ
て観察された。照射前に1つのスペクトルをとり、照射
直後に別のスペクトルをとった。FTIRスペクトル
は、化学発光源がレーザ照射時に空気中でのケイ素微小
粒子の酸化に関係していることを示した。我々は、入射
レーザ光がケイ素コアの回りの酸化物薄層を破壊して空
気中の即時酸化を誘導し、それがこの化学発光効果をも
たらすと考える。
【0029】我々のケイ素微小粒子による化学発光現象
は、例えば、レーザ出力の短ベーストを用いる場合にお
けるように実用的に用途を有する。例えば、我々のケイ
素微小粒子はセンサー上の被膜として使用して表面に衝
突するレーザビームの正確な位置を示すことができる。
さらに、それらは一般にレーザビームの校正および検出
に使用できる。
は、例えば、レーザ出力の短ベーストを用いる場合にお
けるように実用的に用途を有する。例えば、我々のケイ
素微小粒子はセンサー上の被膜として使用して表面に衝
突するレーザビームの正確な位置を示すことができる。
さらに、それらは一般にレーザビームの校正および検出
に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のケイ素微粒子の合成に使用する上方
熱拡散霧箱の略図である。
熱拡散霧箱の略図である。
【図2】 ヘリウム中でレーザ溶発によって調製した被
合成ケイ素微小粒子の異なる倍率でのモルフオロジを示
す。走査電子顕微鏡写真である調製中チヤンバには酸素
は存在しなかった。合成は106.4kPaの全圧力下
でヘリウムのみを使用し、上部冷却板と下部板の温度は
それぞれ−100℃と20℃であった。この写真は倍率
が5,000で、網状マトリックスとして見える粒子の
ユニ−クな凝集パターンを示す。図2の網状配列は1μ
m以下のストランド間隔を有する。その集合体(凝集
体)の多孔質配列および対応する鎖間間隔は粒子と孔の
交互領域なる超構造パターンを示す。
合成ケイ素微小粒子の異なる倍率でのモルフオロジを示
す。走査電子顕微鏡写真である調製中チヤンバには酸素
は存在しなかった。合成は106.4kPaの全圧力下
でヘリウムのみを使用し、上部冷却板と下部板の温度は
それぞれ−100℃と20℃であった。この写真は倍率
が5,000で、網状マトリックスとして見える粒子の
ユニ−クな凝集パターンを示す。図2の網状配列は1μ
m以下のストランド間隔を有する。その集合体(凝集
体)の多孔質配列および対応する鎖間間隔は粒子と孔の
交互領域なる超構造パターンを示す。
【図3】 図2に示したケイ素粒子の倍率50,000
での高分解能SEM像である。透過電子顕微鏡写真(T
EM)は微細分散体および高均一度の粒度および形状を
示す。個々の粒度は10〜20nmであって、数百〜数
千分子/粒子の範囲内を示唆する。このパターンは従来
のオーブン又はスパッタ−法で合成した他の微粒子とは
極めて異なる。網状モルフオロジの外観はチヤンバにお
ける生成および凝集モードのためと考えられる。
での高分解能SEM像である。透過電子顕微鏡写真(T
EM)は微細分散体および高均一度の粒度および形状を
示す。個々の粒度は10〜20nmであって、数百〜数
千分子/粒子の範囲内を示唆する。このパターンは従来
のオーブン又はスパッタ−法で合成した他の微粒子とは
極めて異なる。網状モルフオロジの外観はチヤンバにお
ける生成および凝集モードのためと考えられる。
【図4】 本発明のケイ素微粒子のラマンスペクトルで
あって、510cm− 1における特性Si−Si帯を示
す。
あって、510cm− 1における特性Si−Si帯を示
す。
【図5】 ケイ素含有粒子の広角度X−線回折(WXR
D)スペクトルである。図5の上に曲線は比較のための
ものであって、非晶質のシリカ組成物をもたらす酸素の
存在下で調製した試料を示す。図5の下の曲線は本発明
によるものであって、結晶質のケイ素微粒子組成物をも
たらす酸素不在下で調製した試料である。
D)スペクトルである。図5の上に曲線は比較のための
ものであって、非晶質のシリカ組成物をもたらす酸素の
存在下で調製した試料を示す。図5の下の曲線は本発明
によるものであって、結晶質のケイ素微粒子組成物をも
たらす酸素不在下で調製した試料である。
【図6】 FTIRでモニタ−した本発明のケイ素微粒
子の熱酸化作用を示す。その微粒子試料は290℃で1
0分間循環空気炉中で焼鈍して得られた。
子の熱酸化作用を示す。その微粒子試料は290℃で1
0分間循環空気炉中で焼鈍して得られた。
【図7】 FTIRでモニタ−した本発明のケイ素微粒
子の熱酸化作用を示す。その微粒子試料は290℃で2
時間循環空気炉中で焼鈍して得られた。
子の熱酸化作用を示す。その微粒子試料は290℃で2
時間循環空気炉中で焼鈍して得られた。
【図8】 図6に類似し、FTIRによってモニターし
た我々のケイ素微粒子の熱酸化を示すが、この場合の試
料は595℃の循環空気炉で焼鈍した。
た我々のケイ素微粒子の熱酸化を示すが、この場合の試
料は595℃の循環空気炉で焼鈍した。
【図9】 本発明による微粒ケイ素の光ルミネセンスス
ペクトルのグラフを示す。ケイ素微粒子からの光ルミネ
センスは、230nm紫外光、すなわちラムダ励起が2
30nmで照射した結果である。放射スペクトルは60
0と640nm間で見られる。放射光ルミネセンス帯の
左側および右側の帯はそれぞれ入射照射光の第1および
第2調波である。
ペクトルのグラフを示す。ケイ素微粒子からの光ルミネ
センスは、230nm紫外光、すなわちラムダ励起が2
30nmで照射した結果である。放射スペクトルは60
0と640nm間で見られる。放射光ルミネセンス帯の
左側および右側の帯はそれぞれ入射照射光の第1および
第2調波である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダニエル グレイバー アメリカ合衆国ミシガン州48640 ミッド ランド ペリン ロード 2355 (72)発明者 ウド シー ペアニス アメリカ合衆国ミシガン州48640 ミッド ランド リングル レイン 406
Claims (2)
- 【請求項1】紫外光を照射したときに600〜640n
mの間に最大値を示す光ルミネセンスを放射することを
特徴とする、直径が5〜50nmの溶融ケイ素微小粒子
の多孔質材料。 - 【請求項2】チヤンバ下部のケイ素金属に無酸素不活性
キヤリヤ−ガスの存在下でパルス化レーザを当て、パル
ス化レーザの結果として該チヤンバにケイ素金属蒸気を
発生させ、該チヤンバ内のケイ素金属蒸気に存在するケ
イ素金属原子に該チヤンバ内で気相ケイ素金属クラスタ
を生成させ、前記キヤリヤーガスで該気相ケイ素金属ク
ラスタを冷却し、該チヤンバの上部にケイ素微小粒子を
凝縮させる工程から成ることを特徴とする溶融ケイ素微
小粒子の多孔質材料の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/561,771 US5695617A (en) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | Silicon nanoparticles |
US561771 | 1995-11-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09169513A true JPH09169513A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=24243394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8306345A Pending JPH09169513A (ja) | 1995-11-22 | 1996-11-18 | ケイ素微小粒子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5695617A (ja) |
EP (1) | EP0776053A3 (ja) |
JP (1) | JPH09169513A (ja) |
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JP2015140265A (ja) * | 2014-01-27 | 2015-08-03 | 株式会社Kri | ケイ素凝集体及びその製造方法 |
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