JPH09167723A - 半導体装置用ウェーハ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＭＰ工程などの半導体装置の製造工程中に
おいてウェーハの欠けもしくは割れの生じ難い、しかも
結晶方位が目視などで容易に検知し易い結晶方位表示手
段を有する半導体装置用ウェーハ及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 ウェーハ１０の端部から周辺部の面取り
部を越えてチップ形成領域の内部まで延在するウェーハ
の活性領域が形成される主面の周辺部の一部に角度研磨
領域１３を形成し、この領域を結晶方位表示手段とす
る。ウェーハが実質的に円形状態であり、物理的な力に
対して強いので、半導体装置の製造プロセスにおいて工
程間の搬送時などウェーハに対するストレス／ダメージ
を受け難い。ウェーハの研磨角度の最適化やＣＭＰでの
ウェーハの進行方向の最適化により加圧を十分に行うこ
とができるので研磨布を均一に被ポリッシングウェーハ
に押し当てることが可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハに
係り、とくに半導体ウェーハに形成された新しい構造の
結晶方位表示及びこの半導体ウェーハを用いた半導体装
置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体装置に用いるシリコンやゲ
ルマニウムなどの半導体ウェーハは、通常高周波誘導加
熱法や引上げ法などの単結晶成長法により成長させた円
柱状のインゴットから形成される。このウェーハ１０の
形状は、円板状であるが、ウェーハ表面の結晶方位を半
導体装置の製造工程において容易に検知されるために通
常オリエンテーションフラット(Orientation Flat)（以
下、略してオリフラという）又はノッチ(Notch) をつけ
る。まず、一般的に知られている成長方法でシリコンな
どの半導体単結晶のインゴット４０を形成する。この円
柱状のインゴットを研磨等により円柱軸方向に一部を削
り取り、側面に切り取り部４１を形成する（図１３）。
このインゴット４０を板状にスライスすると、周縁部の
一部が切り取られたような形状のオリフラ３８又は半円
又は円形状のノッチ３９を有する複数のウェーハ１０が
形成される（図１４）。オリフラのあるウェーハの主面
の結晶方位が（１００）とするとオリフラは、例えば、
結晶方位＜１１０＞を示している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前述のように従来の半
導体装置に用いられるウェーハには結晶方位を示すオリ
フラなどが形成されていることにより幾つかの問題が生
じている。例えば、円の一部を切り欠いた形状であるの
でウェーハの重心と円の中心とは一致せず、半導体装置
の製造工程中のウェーハを高速回転させる製造装置にお
いてウェーハの重心と回転体の回転中心とは一致しない
でその高速回転時にウェーハに重心の偏りによるウェー
ハの振動が発生する。また、最近の技術として盛んに利
用されているＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)
を使用する製造工程に用いる場合にも問題が生じる。Ｃ
ＭＰは、素子などを形成する半導体基板の活性領域の表
面に形成されている酸化膜、ポリシリコン、金属膜など
の被ポリッシング膜を研磨布と研磨剤を用いてポリッシ
ングしこれらの表面を平坦化する技術である。この技術
では研磨剤の付いた研磨布を回転させながらそれに回転
するウェーハを押し当て機械的なポリッシングを行うこ
とを特徴としている。

【０００４】ＣＭＰは、ウェーハの配線やゲート電極な
どの形成された活性面に研磨剤が付いた研磨布を押し当
て活性面をポリッシングする。オリフラ部を有する従来
のウェーハに研磨剤の付いた研磨布を押し当てると、ウ
ェーハ全体に均一な力を押し当ててもオリフラのある切
り欠き部だけ力が加わらずウェーハ全体で加重の不均衡
が起きる。そのため活性面をポリッシングしても均一な
配線やゲートが形成されず、さらに、力の不均等な加わ
りによってウェーハが欠けたり割れたりする事故が発生
することがある。この様なオリフラ部を有するウェーハ
には、ＣＭＰ工程における問題がある。このポリッシン
グの不均一性やウェーハの欠けや割れを防ぐ対策として
登場したのがオリフラに代えてウェーハの周辺部にノッ
チ部を形成したウェーハ（ノッチウェーハ）である。オ
リフラ部を有するウェーハに研磨剤の付いた研磨布を均
一な力で押し当てても加重の不均衡が起きるが、ノッチ
ウェーハには加わった力を不均一にする切り欠き部がな
いので、力の不均衡が無い。

【０００５】しかし、ノッチは、機械的なストレスやダ
メージに弱く、チッピングや劈開に弱い構造である。し
たがって、ＣＭＰ工程では問題がなくても、半導体製造
プロセスにおける他の工程においてウェーハ搬送などに
よるストレスやダメージを受け易くウェーハの欠けや割
れが発生し易い傾向にある。このような事故があると半
導体製造装置を再び使えるようにするには長い時間と高
い費用がかかりウェーハから製造されるチップの単価の
増大につながる。また、結晶方位を表示する方法として
オリフラやノッチを用いる以外にも面取り部に結晶方位
を表示する手段を形成する方法が知られている（実開平
２−１０６８２１号公報参照）。この公知例は、両面が
ミラー加工されたウェーハを対象とするものであり、表
裏両面の識別を容易にするためにウェーハ周囲の面取り
の寸法を表裏で異なるようにしたことを特徴としてい
る。ウェーハの表面もしくは裏面には、この面取り部の
一部を他の部分とは面取り寸法を変えることによりこの
部分を結晶方位の表示領域、即ちオリフラと同じ機能を
有する領域とする。面取り領域に結晶方位表示領域を形
成するので、ウェーハは実質的に切り欠きのない円形の
まま利用できるので半導体チップより多く形成でき、ウ
ェーハの利用効率がオリフラを有するウェーハより高く
なる。

【０００６】この方法では、面取り部に光ビームを照射
することによりウェーハの表裏や結晶方位を識別するこ
とができるが、面取り部は狭いためロッッドナンバーの
確認手段をオリフラなどと同じ様な目視を行う製造シス
テムとは異なる管理システムで行う必要がある。本発明
は、この様な事情によりなされたものであり、ＣＭＰ工
程などの半導体装置の製造工程中においてウェーハの欠
けもしくは割れの生じ難い、しかも結晶方位が目視など
で容易に検知し易い結晶方位表示手段を有する半導体装
置用ウェーハ及びその製造方法を提供する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、この様な課題
を解決するために、ウェーハの端部から周辺部の面取り
部を越えてチップ形成領域の内部まで延在するウェーハ
の活性領域が形成される主面の周辺部の一部に角度研磨
領域を形成し、この領域を結晶方位表示手段とすること
を特徴とする。ウェーハが実質的に円形状態であり、物
理的な力に対して強いので、半導体装置の製造プロセス
において工程間の搬送時などウェーハに対するストレス
／ダメージを受け難い。ウェーハの研磨角度の最適化や
ＣＭＰでのウェーハの進行方向の最適化により加圧を十
分に行うことができるので研磨布を均一に被ポリッシン
グウェーハに押し当てることが可能になる。また、この
ウェーハに形成される結晶方位表示領域は、狭い面取り
部より広く形成できるので、半導体装置の製造工程中に
用いる情報用の所定の数字・文字などを目視可能の大き
さで表示できる。また、この表示は角度研磨領域の傾斜
面に形成されるので、ＣＭＰ時にウェーハの活性領域が
ポリッシングされても研磨布は情報用表示部分をポリッ
シングする量は少ない。

【０００８】本発明の請求項の発明は、半導体装置用ウ
ェーハにおいて、円板状のウェーハ本体と、前記ウェー
ハ本体の素子領域が形成される主面の周辺部に形成され
た結晶方位表示手段とを備え、前記結晶方位表示手段
は、前記ウェーハ本体の外周の一部分を前記主面に対し
て所定の角度傾斜するように研磨された角度研磨領域か
らなることを特徴とする。請求項２の発明は、請求項１
に記載の半導体装置用ウェーハにおいて、前記ウェーハ
本体は、周辺部の面取り部とこの面取り部内部に配置さ
れた半導体素子形成領域とから構成されていることを特
徴とする。請求項３の発明は、請求項２に記載の半導体
装置用ウェーハにおいて、前記角度研磨領域は、前記面
取り部を越えて前記半導体素子形成領域まで延在してい
ることを特徴とする。請求項４の発明は、請求項１乃至
請求項３のいづれかに記載の半導体装置用ウェーハにお
いて、前記角度研磨されるウェーハ本体の前記周辺部の
範囲は、前記ウェーハ本体の端部から２〜１０ｍｍの距
離までであり、研磨の深さは、前記ウェーハ本体の厚さ
の１／２以下であることを特徴とする。請求項５に記載
の発明は、半導体装置用ウェーハの製造方法において、
円柱状の単結晶インゴットを成長させる工程と、前記イ
ンゴットをスライスして円板状のウェーハを複数形成す
る工程と、前記ウェーハの周辺部の角部を面取りする工
程と、前記周辺部の一部をポリッシングして面取りされ
た前記角部より内部にまで延在する角度研磨領域を形成
する工程とを備え、前記角度研磨領域を結晶方位表示手
段とすることを特徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
しながら説明する。まず、図１及至図４を参照して発明
の実施の形態を説明する。図１は、シリコンウェーハの
斜視図、図２は、このウェーハの平面図、図３は、図１
のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う部分の断面図、図４
は、このウェーハのチップ領域が形成された表面を示す
平面図である。ウェーハ１０は、例えば、シリコン半導
体から構成されている。そして、ウェーハ１０の大きさ
は、５〜１２インチ（１２．７０〜３０．４８ｃｍ）径
である。一般的に５インチウェーハの場合の厚さは、６
２５μｍ、８インチウェーハの場合の厚さは、７２５μ
ｍである。ウェーハ１０は、集積回路が形成される活性
領域を有する第１の主面（表面）１１及びウェーハ裏面
にあたる第２の主面１２を備えている。第１の主面１１
の結晶面は、例えば、（１００）である。第１の主面１
１には、結晶方位表示手段として角度研磨領域１３が形
成されている。角度研磨領域１３は、第１の主面１１の
端部の一部をポリッシングしてこの主面に対して所定の
角度だけ傾斜した平面を有している。したがって第１の
主面１１と角度研磨領域１３との境界１４は、直線状に
なっている。

【００１０】この第１の主面１１には集積回路がチップ
状に形成され、各集積回路は、後に各チップ１ごとに分
離切断される。この境界１４の直線方向は、結晶方位＜
１１０＞を示している。この角度研磨領域１３の幅（ウ
ェーハ端部側面から境界１４までの最大距離）ｘは、ウ
ェーハの大きさや厚さの如何を問わず２〜１０ｍｍであ
る。角度研磨領域１３を形成する場合は、ウェーハ厚ｔ
の１／２以上はポリッシングを行わないようにする。す
なわち、角度研磨領域１３のウェーハ１０の第１の主面
１１からの深さｈは、ｔ／２以下である。通常ウェーハ
は、所望の集積回路を有する素子（チップ）を形成する
工程でウェーハが種々の製造装置と接触して傷付けられ
たり、ひびが入ったりすることがある。このようなひび
や傷の発生を防ぐためにウェーハ周辺部の側面の上下の
角部に面取りを行うことがある。この発明の実施の形態
のウェーハにおいて、ウェーハ１０の第１の主面１１
は、ウェーハ１０の周辺部に形成された面取り部１５と
中央部分を含む素子領域１６とから構成される。

【００１１】ウェーハ１０の周辺部に形成された面取り
部１５の面取り長さｙは、ウェーハ１０の辺部の側面か
ら第１の主面１１上のウェーハ中心に向かって１μｍ以
下である。面取り部は主面中央の平坦な領域に比べて異
なる角度で傾斜しているので、ウェーハに集積回路を形
成する際に面取り部の上に形成される部分は正確な集積
回路を転写することができない。したがって、この領域
にかかる部分を含む集積回路は良品になり得ない。面取
り部１５は、図３に示すような断面形状で所定のＲの円
弧を有している。しかし、円弧を付けずにフラットな傾
斜面にポリッシングすることもできる。次に、結晶方位
表示手段である傾斜研磨領域１３の幅ｘ、すなわち、ウ
ェーハ１０の端部側面から第１の主面１１と傾斜研磨領
域１３との境界１４までの最大距離について説明する。
ウェーハ１０の周辺部の面取り部１５にこの傾斜研磨領
域を形成してもポリッシングした部分が判別し難い。ウ
ェーハの面取り部は毀弱な領域なのであまりチップ形成
領域として利用しない。また、製造工程などに用いる情
報用の数字／文字をレーザビームなどにより目視可能に
書き込むには領域が狭すぎる。したがって、傾斜研磨領
域の幅の下限は、２ｍｍが適当である。

【００１２】また、図４に示す通り、ウェーハに集積回
路を形成する場合、傾斜研磨領域にはチップを形成しな
いので、この領域が余り広いとチップグロスを落とすの
で、１０ｍｍが限度である。さらに、ウェーハに傾斜研
磨領域を形成する場合、図３（ｂ）のウェーハの径方向
に対して垂直な断面図に示す様にウェーハの上面（第１
の主面１１）からウェーハ厚さｔの１／２より深くポリ
ッシングしないようにする必要がある。もしポリッシン
グ深さをウェーハ厚さの半分より深くすると、傾斜研磨
領域１３と面取り部１５との境界に鋭角な部分ができて
チッピングに対して弱くなり、また、この領域のウェー
ハ厚さ自体も薄くなるのでウェーハの機械的強度が弱ま
る。次に、本発明のウェーハの傾斜研磨領域を形成する
までの工程を説明する。従来のウェーハと同様に、高周
波誘導加熱法や引上げ法などの単結晶成長法により円柱
状のインゴットを成長させる（図１３参照）。インゴッ
トには図１３のようなオリフラ部やノッチ部のための切
り欠き部を形成しない。このインゴットをスライスして
円板状のウェーハを形成する（図１４参照）。各ウェー
ハは、必要に応じてその周辺端部の側面の角を面取りす
る。その後結晶方位表示手段である角度研磨領域を周辺
部の一部にポリッシングなどにより形成する。

【００１３】その後ウェーハに集積回路を形成し、各集
積回路ごとに切断してチップを形成し半導体素子とす
る。本発明は、以上のようにウェーハの第１の主面に形
成された傾斜研磨領域を結晶方位表示手段とするので、
実質的に完全な円形が保持されオリフラウェーハより周
囲からの物理的な力に対して強く、半導体装置の製造プ
ロセスにおける搬送などでの機械的なストレス／ダメー
ジを受け難く、ウェーハの欠けや割れが従来より低減さ
れる。ウェーハのポリッシング角度の最適化やＣＭＰ工
程におけるウェーハの進行方向の最適化によりウェーハ
に十分な加圧を与えることができ、その結果ＣＭＰに用
いる研磨剤のウェーハの被ポリッシング面への余分な表
面しみ込みが無くなって均一性の良い平坦化が可能にな
る。

【００１４】図５に、本発明のウェーハをＣＭＰ処理す
るポリッシング装置の一例を示す。図は、ステージ上の
ウェーハの状態を示す断面図である。通常ポリッシング
装置ではウェーハを回転させつつ移動させながらポリッ
シングを行う。このポリッシング装置においてもポリッ
シング装置のステージ１７にウェーハ１０を第１の主面
１１を上にして載置し、研磨剤が付着している研磨布１
８を上から押し付ける。この状態を維持しながらウェー
ハ１０を矢印Ａの方向に移動させる。このウェーハ１０
の進行方向Ａに対して前記角度研磨領域１３を逆方向に
なるようにウェーハ１０を配置して移動させると、研磨
布１８に付いている研磨剤はウェーハ１０と研磨布１８
との間に不均一に入り込まないので、前述のように均一
性の良い平坦化処理ができる。

【００１５】図６を参照して、ウェーハに書き込む情報
表示について説明する。図は、ウェーハの平面図及び断
面図である。角度研磨領域１３には集積回路が形成され
ることはなく、また、第１の主面１１より低く形成され
ているので、製造工程中の情報表示用に文字／数字１９
をレーザビームなどにより書き込んだ場合もＣＭＰ工程
でポリッシングされて消失することはない。したがっ
て、製品名称／ロット番号／ウェーハ番号などを表示す
る数字／文字１９を自由に書き込んで利用することがで
きる。この表示は、製造工程の途中で容易に目視確認を
行うことができる。途中でポリッシングなどにより消失
することができないので、工程途中の追加書き込みなど
が不要になる。次に、図７を参照してウェーハの保持方
法について説明する。図は、ウェーハの平面図である。
半導体装置の製造工程において半導体製造装置内ではク
ランプツメ２０を用いてウェーハを保持する。従来のオ
リフラウェーハ１０では、オリフラ部３８でクランプす
ることができないので、この部分を避けるようにクラン
プをしなければならなかった（図７（ａ））。しかし、
本発明では角度研磨領域１３でもクランプツメ２０で挟
むことができるので、ウェーハ１０の周辺のどの位置に
も容易にクランプが可能になり、その結果半導体製造装
置側の制約を取り除くことができる。

【００１６】次に、図８乃至図１０を参照してウェーハ
に形成した角度研磨領域の検出について説明する。図８
は、ウェーハの平面図、図９は、図８のＡ、Ｂ領域の拡
大部分断面図、図１０は、図８のＡ、Ｂ領域の拡大部分
断面図である。ウェーハ１０に形成された角度研磨領域
１３は、既存の計測手段で検出しその結晶方位を検出す
る。例えば、レーザビーム、ＬＥＤ光を利用し、ウェー
ハ１３での反射光が拾えるか拾えないかでその領域を容
易に検出する。反射光を利用する場合は、図９の主面１
１の任意の領域Ａにウェーハ１０の真上からレーザビー
ムを照射する。図９の主面１１がレーザビームに対して
直角に当たるので、反射光は、受光器に向かわないでレ
ーザビームの方向にそのまま反射される（図９
（ａ））。一方、角度研磨領域１３を含む領域Ｂにおい
ては、光源から発したレーザビームは、図９の主面１１
に対して傾斜しているので、この領域で反射したレーザ
ビームは、受光器に拾われる（図９（ｂ））。従来の技
術では、オリフラ部もしくはノッチ部を光が透過するか
否かによってその存在を検出していた。また別な方法と
して容量検出器を用いる方法がある。コンデンサの誘電
体に当たるところにはウェーハ１０を用い、領域Ａと領
域Ｂでの容量の差を測定して結晶方位を容易に検出す
る。角度研磨領域１３では他の部分より薄くなっている
ので容量が変わる。

【００１７】前述のように、ＩＣやＬＳＩなどの半導体
装置は、半導体基板に形成する集積回路を設計する設計
工程、集積回路を形成するために用いられるマスク作成
工程、単結晶インゴットから所定の厚みのウェーハを形
成するウェーハ製造工程、ウェーハに集積回路などの半
導体素子を形成するウェーハ処理工程、ウェーハを半導
体チップに分離しパッケージングして半導体装置を形成
する組立工程及び検査工程等を経て形成される。各工程
には、それぞれその工程に必要な製造装置が用意され
る。従来、半導体ウェーハ処理工程において穴や溝部に
金属、ポリシリコン、シリコン酸化物など任意の材料を
埋め込んだ後にその表面を平坦化する方法としてＲＩＥ
やＣＤＥによるエッチバック法が知られている。このエ
ッチバック法は、ウェーハ表面にＲＩＥによるダメージ
が入り易いことや良好な平坦化が難しい。そこで、ＲＩ
ＥやＣＤＥに代わって、最近は前記ＣＭＰ法が盛んに使
用されるようになってきた。

【００１８】図１１にウェーハ表面を平坦化するために
用いられるＣＭＰ用のポリッシング装置の概略断面図を
示し、以下にその構成を説明する。台２１上にベアリン
グ２２を介して研磨盤受け２３が配置されている。この
研磨受け２３上には研磨盤２４が取り付けられている。
この研磨盤２４上にはウェーハを研磨する研磨布２５が
張り付けられている。研磨受け２３及び研磨盤２４を回
転させるためにこれらの中心部分に第１の駆動手段であ
る駆動シャフト２６が接続されている。この駆動シャフ
ト２６は、モータ２７により回転ベルト２８を介して回
転される。一方、ウェーハ１０は、研磨布２５と対向す
る位置にくるように真空または水張りにより、テンプレ
ート２９及び吸着布３０が設けられた吸着盤３１により
吸着されている。この吸着盤３１は、第２の駆動手段で
ある駆動シャフト３２に接続されている。また、この駆
動シャフト３２は、モーター３３によりギア３４及び３
５を介し回転される。駆動シャフト３２は、上下方向の
移動に対し駆動台３６に固定されている。

【００１９】このような構造によって、シリンダ３７に
よる上下の移動に伴い、駆動台３６が上下移動し、これ
により吸着盤３１に固定されたウェーハ１０が研磨布２
５に押しつけられたり研磨布２５から離れたりする。ウ
ェーハ１０と研磨布２５の間には目的に応じて所望の材
料からなる研磨剤が流され、これによりウェーハ１０の
ポリッシングが行われる。ウェーハ１０は、回転しなが
ら移動するが、その進行方向とは反対の方向に角度研磨
領域が配置されるようにウェーハ１０のポリッシング装
置における配置を最適化する。

【００２０】次に、図１２で本発明のウェーハをＣＭＰ
処理する場合において、半導体基板上の配線などをポリ
ッシングする方法を説明する。図１２は、ポリッシング
工程を含む半導体装置の製造工程断面図である。シリコ
ンからなる半導体基板１上に、例えば、ＳｉＯ₂ などか
らなる絶縁膜２が形成されている。この絶縁膜２上に、
例えば、プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜３を形成す
る。その後通常のフォトリソグラフィ法により、絶縁膜
３上に所定のパターンを有するフォトレジスト５を形成
し、このフォトレジスト５をマスクにして絶縁膜３をＲ
ＩＥなどによりエッチングして所定のパターンを有する
配線溝４を形成する（図１２（ａ））。次に、通常のＯ
₂ プラズマアッシング法によってＲＩＥマスクに用いた
フォトレジスト５を除去した後スパッタリング法でＴｉ
Ｎ／Ｔｉなどのバリアメタル６を絶縁膜３の上に堆積さ
せる。続いて通常のスパッタリング法によりＡ１−Ｓｉ
−Ｃｕ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｗ／Ｍｏ／Ｔｉなどの配線用金属
膜７を被着形成する（図１２（ｂ））。

【００２１】次に、所定の深さとパターンを有する配線
溝４に配線用金属膜を埋め込んだ半導体基板１をウェー
ハの状態で図１１に示すポリッシング装置の半導体基板
保持機構に配線用金属膜７の被着面が研磨布面に押し付
けられるように設置する。半導体基板保持機構は、保持
しているウェーハを配線用金属膜７が研磨布２５に接す
るように研磨盤２４に押し付けられ、その結果ウェーハ
は、配線溝４以外に堆積している配線用金属膜７が無く
なるまでポリッシングされる。このポリッシングにより
ウェーハを構成する半導体基板１の配線用金属膜７は層
間絶縁膜３の配線溝に形成された埋込み配線８を除いて
半導体基板１表面から取り除かれる（図１２（ｃ））。

【００２２】

【発明の効果】ウェーハが実質的に円形状態であり物理
的な力に対して強いので、半導体装置の製造プロセスに
おいて工程間の搬送時などウェーハに対するストレス／
ダメージを受け難く、ウェーハの欠けや割れが従来より
低減される。ウェーハの研磨角度の最適化やＣＭＰでの
ウェーハの進行方向の最適化により加圧を十分に行うこ
とができるので研磨布を均一に被ポリッシングウェーハ
に押し当てることが可能になり被ポリッシング膜の均一
性の高い平坦化が可能になる。また、このウェーハに形
成される結晶方位表示領域は、狭い面取り部より広く形
成できるので、半導体装置の製造工程中に用いる情報用
の所定の数字・文字などを目視できる大きさで表示でき
る。また、この表示は角度研磨領域の傾斜面に形成され
るので、ＣＭＰ時にウェーハの活性領域がポリッシング
されても研磨布は情報用表示部分をポリッシングするこ
とはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のウェーハの斜視図。

【図２】図１のウェーハの平面図。

【図３】図１のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う部分の
断面図。

【図４】チップを形成した図１のウェーハの平面図。

【図５】ウェーハを搭載したポリッシング装置の部分断
面図。

【図６】本発明のウェーハの平面図及び断面図。

【図７】本発明のウェーハの平面図。

【図８】本発明のウェーハの平面図。

【図９】図８のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う部分の
断面図。

【図１０】図８のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う部分
の断面図。

【図１１】本発明のウェーハをポリッシングするポリッ
シング装置の断面図。

【図１２】本発明のウェーハを用いて製造する装置の製
造工程断面図。

【図１３】従来のウェーハの斜視図。

【図１４】従来のウェーハの平面図及び断面図。

【符号の説明】

１・・・チップ、半導体基板、 ２、３・・・絶縁
膜、４・・・配線溝、 ５・・・フォトレジスト、
６・・・バリアメタル、７・・・配線用金属膜、 ８
・・・埋め込み配線、 １０・・・ウェーハ、１１・・
・第１の主面、 １２・・・第２の主面、１３・・・
角度研磨領域、 １４・・・第１の主面と角度研磨領
域の境界、１５・・・面取り部、 １６・・・素子領
域、 １７・・・ステージ、１８・・・研磨布、
１９・・・情報用文字／数字、２０・・・クランプツメ
２１・・・台、 ２２・・・ベアリング、２３・
・・研磨盤受け、 ２４・・・研磨盤、 ２５・・
・研磨布、２６・・・駆動シャフト、 ２７、３３・
・・モータ、２８・・・回転ベルト、 ２９・・・テン
プレート、 ３０・・・吸着布、３１・・・吸着盤、
３２・・・駆動シャフト、 ３４、３５・・・ギア、３
６・・・駆動台、 ３７・・・ノッチ部、 ３８・
・・オリフラ部、４０・・・インゴット、 ４１・・
・切り欠き部。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円板状のウェーハ本体と、 前記ウェーハ本体の素子領域が形成される主面の周辺部
   に形成された結晶方位表示手段とを備え、 前記結晶方位表示手段は、前記ウェーハ本体の外周の一
   部分を前記主面に対して所定の角度傾斜するように研磨
   された角度研磨領域からなることを特徴とする半導体装
   置用ウェーハ。
2. 【請求項２】 前記ウェーハ本体は、周辺部の面取り部
   とこの面取り部内部に配置された半導体素子形成領域と
   から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の
   半導体装置用ウェーハ。
3. 【請求項３】 前記角度研磨領域は、前記面取り部を越
   えて前記半導体素子形成領域まで延在していることを特
   徴とする請求項２に記載の半導体装置用ウェーハ。
4. 【請求項４】 前記角度研磨されるウェーハ本体の前記
   周辺部の範囲は、前記ウェーハ本体の端部から２〜１０
   ｍｍの距離までであり、研磨の深さは、前記ウェーハ本
   体の厚さの１／２以下であることを特徴とする請求項１
   乃至請求項３のいづれかに記載の半導体装置用ウェー
   ハ。
5. 【請求項５】 円柱状の単結晶インゴットを成長させる
   工程と、 前記インゴットをスライスして円板状のウェーハを複数
   形成する工程と、 前記ウェーハの周辺部の角部を面取りする工程と、 前記周辺部の一部をポリッシングして面取りされた前記
   角部より内部にまで延在する角度研磨領域を形成する工
   程とを備え、 前記角度研磨領域を結晶方位表示手段とすることを特徴
   とする半導体装置用ウェーハの製造方法。