JPH09166778A - Phase difference integration type transparent conductive film - Google Patents

Phase difference integration type transparent conductive film

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JPH09166778A
JPH09166778A JP32762695A JP32762695A JPH09166778A JP H09166778 A JPH09166778 A JP H09166778A JP 32762695 A JP32762695 A JP 32762695A JP 32762695 A JP32762695 A JP 32762695A JP H09166778 A JPH09166778 A JP H09166778A
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JP
Japan
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transparent conductive
film
retardation
conductive film
glass transition
Prior art date
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Pending
Application number
JP32762695A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Sekiguchi
泰広 関口
Keizo Asaoka
圭三 浅岡
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Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP32762695A priority Critical patent/JPH09166778A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To lessen the return of the retardation by a heat treatment and to obviate the occurrence of the float and crack of transparent conductive films by forming the specific transparent conductive films on at least one surface of a phase difference film having a specific glass transition temp. SOLUTION: The transparent conductive films having sheet resistance of >=200Ω/square are formed on at least one surface of the phase difference film having >=160 deg.C glass transition temp. Polyacrylate among high heat resistant resins is more preferable as this resin has the high glass transition temp. and the phase difference film obtd. therefrom adheres well to the transparent conductive films without subjecting the film to a special surface treatment. The high glass transition temp. of the phase difference film is >=160 deg.C and, therefore, there is no possibility that the return of the retardation increases even if the heat treatment in the production process of liquid crystal panels and the heat treatment, such as drying of a solvent and curing treatment at the time of executing the surface treatment in order to improve alkali resistance are executed for 1 to 2 hours usually at 120 to 150 deg.C.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、位相差一体型透明
導電性フィルムに関する。さらに詳しくは、たとえばタ
ッチパネルが組込まれた液晶表示素子の補償用フィルム
などとして好適に使用しうる位相差一体型透明導電性フ
ィルムに関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a retardation-integrated transparent conductive film. More specifically, it relates to a retardation-integrated transparent conductive film which can be suitably used as a compensation film for a liquid crystal display device incorporating a touch panel, for example.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ディスプレイ装置として、軽量、
かつコンパクトであるという特徴を生かした液晶ディス
プレイが汎用されており、とくに、携帯情報端末や携帯
電話などの表示装置として不可欠なものとなっている。
2. Description of the Related Art In recent years, as a display device, lightweight,
Moreover, liquid crystal displays, which are characterized by being compact, are widely used, and in particular, they are indispensable as display devices for mobile information terminals and mobile phones.

【0003】液晶ディスプレイには、その駆動方式によ
り、単純マトリクス方式、アクティブマトリクス方式な
どがある。最近では、その画質や応答速度の面からTF
T方式によるアクティブマトリクス方式が主流になりつ
つあるが、一方、小型の液晶ディスプレイでは、コスト
や消費電力の面から単純マトリクス方式のSTN方式
が、多く採用されている。かかるSTN方式では、液晶
の複屈折を利用するため、着色するという欠点があった
が、位相差フィルムを組込むことにより、白黒モードに
することができるようになった。
Liquid crystal displays include a simple matrix system and an active matrix system, depending on the driving system. Recently, in terms of image quality and response speed, TF
While the active matrix method based on the T method is becoming mainstream, on the other hand, for small liquid crystal displays, the STN method of the simple matrix method is often adopted from the viewpoint of cost and power consumption. In the STN method, the birefringence of the liquid crystal is used, so that there is a drawback that it is colored, but by incorporating a retardation film, it has become possible to obtain a black and white mode.

【0004】さらに、携帯情報端末の小型の液晶パネル
には、一般的に、ペン入力のためのタッチパネルが組込
まれている。従来、かかるタッチパネルとしては、透明
導電性ポリエチレンテレフタレートフィルムからなるも
のが一般に用いられている。このようなタッチパネルに
用いられる透明導電膜は、一般に、シート抵抗が200
Ω/□以上である。
Further, a touch panel for pen input is generally incorporated in a small liquid crystal panel of a portable information terminal. Conventionally, as such a touch panel, a touch panel made of a transparent conductive polyethylene terephthalate film is generally used. A transparent conductive film used for such a touch panel generally has a sheet resistance of 200.
Ω / □ or more.

【0005】ところで、近年、部品点数の削減や、組立
の単純化を図るために、位相差フィルム上にタッチパネ
ルの電極として透明導電膜が形成された位相差一体型透
明導電性フィルムをタッチパネルに用いることについて
の検討が進められてきている。しかしながら、従来のポ
リエチレンテレフタレートフィルムは、その複屈折性の
ため、かかる位相差一体型透明導電性フィルムの位相差
フィルムとして用いることができない。
By the way, in recent years, in order to reduce the number of parts and simplify assembly, a retardation-integrated transparent conductive film in which a transparent conductive film is formed as an electrode of the touch panel on the retardation film is used in the touch panel. Discussions are underway. However, the conventional polyethylene terephthalate film cannot be used as a retardation film for such a retardation-integrated transparent conductive film because of its birefringence.

【0006】そこで、前記ポリエチレンテレフタレート
フィルムのかわりに、ビスフェノールAをモノマー成分
として重合させてえられたポリカーボネートフィルムを
位相差フィルムとして用いることが試みられている。し
かしながら、かかるポリカーボネートフィルム上にタッ
チパネルの電極として用いられる透明導電膜を形成させ
ただけでは、タッチパネルが一体化された液晶パネルの
製造プロセスでの加熱処理の際に、大きなリターデーシ
ョンの戻りが生じ(リターデーション値がいちじるしく
小さくなり)、液晶の位相差を補償する能力が損なわれ
る、すなわち位相差フィルムとしての機能を果たさない
という問題があることがわかった。
Therefore, it has been attempted to use a polycarbonate film obtained by polymerizing bisphenol A as a monomer component instead of the polyethylene terephthalate film as a retardation film. However, only by forming a transparent conductive film used as an electrode of a touch panel on such a polycarbonate film, a large retardation return occurs during heat treatment in the manufacturing process of the liquid crystal panel in which the touch panel is integrated ( It has been found that there is a problem in that the retardation value becomes extremely small) and the ability of the liquid crystal to compensate for the retardation is impaired, that is, the retardation film does not function.

【0007】さらに、前記液晶パネルの製造プロセスで
は、通常アルカリ処理が施されるが、かかるアルカリ処
理により、透明導電膜の膜浮きやクラックが発生しやす
く、かかる膜浮きやクラックは、電極の断線を引起こ
し、デバイスの機能を低下させるおそれがある。かかる
膜浮きやクラックの発生を抑制するためには、位相差フ
ィルムにあらかじめ下地処理を施せばよいが、前記ポリ
カーボネートフィルムは、耐熱温度が充分に高くないた
め、該下地処理を施す際の加熱温度を高くすることがで
きず、アルカリ処理による膜浮きやクラックの発生を充
分に抑制することができないといった問題がある。
Further, in the manufacturing process of the liquid crystal panel, an alkali treatment is usually performed. However, the alkali treatment easily causes film floating or cracks on the transparent conductive film. May occur and deteriorate the function of the device. In order to suppress the occurrence of such film floating and cracks, the retardation film may be preliminarily subjected to a base treatment, but since the polycarbonate film does not have a sufficiently high heat resistant temperature, the heating temperature at the time of performing the base treatment is high. However, there is a problem that the film thickness and cracks due to alkali treatment cannot be sufficiently suppressed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術に鑑みてなされたものであり、耐熱性にすぐれること
から、加熱処理によるリターデーションの戻りが小さ
く、かつ透明導電膜の膜浮きやクラックが発生しない位
相差一体型透明導電性フィルムを提供することを目的と
する。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and since it has excellent heat resistance, the retardation return due to heat treatment is small and the film floating of the transparent conductive film is small. An object of the present invention is to provide a retardation-integrated transparent conductive film in which cracks and cracks do not occur.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス転移温
度が160℃以上である位相差フィルムの少なくとも片
面に、シート抵抗が200Ω/□以上の透明導電膜が形
成された位相差一体型透明導電性フィルムに関する。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides a retardation-integrated transparent film in which a transparent conductive film having a sheet resistance of 200Ω / □ or more is formed on at least one surface of a retardation film having a glass transition temperature of 160 ° C. or more. The present invention relates to a conductive film.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の位相差一体型透明導電性
フィルムは、前記したように、ガラス転移温度が160
℃以上である位相差フィルムの少なくとも片面に、シー
ト抵抗が200Ω/□以上の透明導電膜が形成されたも
のである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The retardation-integrated transparent conductive film of the present invention has a glass transition temperature of 160 as described above.
A transparent conductive film having a sheet resistance of 200 Ω / □ or more is formed on at least one surface of a retardation film having a temperature of not less than ° C.

【0011】なお、本明細書において、リターデーショ
ンとは、複屈折体に直線偏光が入射し、複屈折体から出
た正常光と異常光との位相差のことを表わし、リターデ
ーション値とは、かかる位相差の値のことをいう。
In the present specification, the retardation means the phase difference between normal light and extraordinary light emitted from the birefringent body when linearly polarized light is incident on the birefringent body, and the retardation value is the retardation value. , The value of the phase difference.

【0012】本発明に用いられる位相差フィルムは、特
定の高いガラス転移温度を有するものであるので、えら
れる位相差一体型透明導電性フィルムが、耐熱性にすぐ
れ、リターデーションの戻りが小さいものとなる。
Since the retardation film used in the present invention has a specific high glass transition temperature, the obtained retardation-integrated transparent conductive film has excellent heat resistance and a small retardation return. Becomes

【0013】前記位相差フィルムのガラス転移温度は、
液晶パネルの製造プロセスでの加熱処理や、耐アルカリ
性を向上させるために下地処理を行なう際の溶剤の乾燥
や硬化処理などの加熱処理が、通常120〜150℃で
1〜2時間程度行なわれることを考慮し、リターデーシ
ョンの戻りが大きくなるおそれをなくすためには、16
0℃以上であり、またえられる位相差一体型透明導電性
フィルムの耐熱性をより充分に向上させるためには、1
80℃以上であることが好ましい。なお、フィルムの延
伸を比較的容易に行なうことができるという点を考慮す
ると、かかる位相差フィルムのガラス転移温度は、通常
280℃程度以下であることが好ましい。
The glass transition temperature of the retardation film is
The heat treatment in the manufacturing process of the liquid crystal panel and the heat treatment such as the drying and curing treatment of the solvent at the time of performing the base treatment for improving the alkali resistance are usually performed at 120 to 150 ° C for about 1 to 2 hours. In consideration of the above, in order to eliminate the risk of the retardation returning becoming large, 16
The temperature is 0 ° C. or higher, and in order to more sufficiently improve the heat resistance of the obtained retardation-integrated transparent conductive film, 1
It is preferably 80 ° C. or higher. In consideration of the fact that the film can be stretched relatively easily, the glass transition temperature of the retardation film is usually preferably about 280 ° C. or lower.

【0014】前記160℃以上のガラス転移温度を有す
る位相差フィルムとしては、たとえばガラス転移温度が
160℃以上の樹脂のフィルムなどがあげられる。
Examples of the retardation film having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher include a resin film having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher.

【0015】前記ガラス転移温度が160℃以上の樹脂
としては、たとえばポリアリレート(ガラス転移温度:
190℃以上)、ポリエーテルスルホン(ガラス転移温
度:230℃)、ポリスルホン(ガラス転移温度:19
0℃)、耐熱性ポリカーボネート(ガラス転移温度:1
85℃)などの熱可塑性エンジニアリングプラスチック
といわれる高耐熱性樹脂などがあげられ、これらは単独
でまたは2種以上を混合して用いることができるが、本
発明は、これらの例示のみに限定されるものではない。
Examples of the resin having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher include polyarylate (glass transition temperature:
190 ° C or higher), polyethersulfone (glass transition temperature: 230 ° C), polysulfone (glass transition temperature: 19)
0 ° C), heat resistant polycarbonate (glass transition temperature: 1
85 ° C.) and other high heat-resistant resins called thermoplastic engineering plastics, and these can be used alone or in admixture of two or more, but the present invention is limited to these examples only. Not a thing.

【0016】前記高耐熱性樹脂のなかでは、ガラス転移
温度が高く、それからえられた位相差フィルムが特別な
下地処理を施すことなく透明導電膜と良好に密着しうる
という点から、ポリアリレートがとくに好ましい。
Among the above high heat resistant resins, polyarylate is preferable because it has a high glass transition temperature and the retardation film obtained therefrom can be well adhered to the transparent conductive film without any special pretreatment. Especially preferred.

【0017】本発明に用いられるポリアリレートにはと
くに限定がないが、原料の入手が容易であるという点か
ら、テレフタル酸および/またはイソフタル酸と、2価
のフェノールとを重縮合させてえられるものが好まし
い。
The polyarylate used in the present invention is not particularly limited, but it is obtained by polycondensing terephthalic acid and / or isophthalic acid and a divalent phenol from the viewpoint of easy availability of raw materials. Those are preferable.

【0018】前記2価のフェノールの具体例としては、
たとえば2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン(以下、ビスフェノールAという)、4,4′−
(α−メチルベンジリデン)ビスフェノール、ビス(4
−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)ブタン、3,3−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)ペンタン、4,4−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘプタン、4,4−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)2,5−ジメチルヘプタン、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)メチルフェニルメタン、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−4−フルオロフェニルメタン、ビス
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、ビス(3,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)フェニルエタン、ビス(3−メチル
−4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,
3,5−トリメチルシクロヘキサンなどがあげられ、こ
れらは単独でまたは2種以上を混合して用いることがで
きるが、本発明はこれらの例示のみに限定されるもので
はない。
Specific examples of the dihydric phenol include:
For example, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane (hereinafter referred to as bisphenol A), 4,4'-
(Α-methylbenzylidene) bisphenol, bis (4
-Hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) butane, 3,3-bis (4-hydroxyphenyl) pentane, 4,4-bis (4-hydroxyphenyl) heptane, 4,4-bis (4-hydroxyphenyl) 2,5-dimethylheptane, bis (4-hydroxyphenyl) methylphenylmethane, bis (4-hydroxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) octane, bis (4- Hydroxyphenyl) -4-fluorophenylmethane, bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) propane, bis (3,5- Dimethyl-4-hydroxyphenyl) phenylethane, bis (3-methyl-4-hydroxyphene) Le) diphenylmethane, bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) sulfone, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,
Examples thereof include 3,5-trimethylcyclohexane and the like, and these can be used alone or in combination of two or more, but the present invention is not limited to these examples.

【0019】また、前記ポリエーテルスルホンとして
は、たとえば4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホ
ンの重縮合物などが、前記ポリスルホンとしては、たと
えばビスフェノールAと4,4′−ジヒドロキシジフェ
ニルスルホンとの重縮合物などが、前記耐熱性ポリカー
ボネートとしては、たとえばシクロヘキシリデン系ビス
フェノールの重縮合物などがあげられる。
The polyether sulfone is, for example, a polycondensate of 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfone, and the polysulfone is, for example, a polycondensate of bisphenol A and 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfone. Examples of the heat-resistant polycarbonate include cyclohexylidene-based bisphenol polycondensates.

【0020】前記したような高耐熱性樹脂などの樹脂を
フィルム化させる方法としては、とくに限定がなく、た
とえば樹脂を通常の押出機などを用いて押出成形する方
法、樹脂を溶媒に溶解させた溶液をキャスティングする
方法などがあげられる。これらの方法のなかでは、えら
れるフィルムの厚さがより均一であり、表面性にすぐ
れ、後述するようなフィルムに所望のリターデーション
を付与するための延伸処理を行なう際に、延伸ムラが生
じにくいという点から、キャスティングする方法がより
好ましい。
There is no particular limitation on the method for forming a resin such as the above-mentioned high heat resistant resin into a film. For example, the resin may be extruded using an ordinary extruder, or the resin may be dissolved in a solvent. A method of casting a solution can be mentioned. Among these methods, the thickness of the obtained film is more uniform, has excellent surface properties, and when performing a stretching treatment for imparting a desired retardation to the film as described below, stretching unevenness occurs. The casting method is more preferable because it is difficult.

【0021】かくしてえられるフィルムの厚さは、とく
に限定がないが、最終的にえられる位相差一体型透明導
電性フィルムの用途を考慮すると、通常10〜200μ
m、好ましくは40〜100μmであることが望まし
い。
The thickness of the film thus obtained is not particularly limited, but in consideration of the use of the finally obtained retardation-integrated transparent conductive film, it is usually 10 to 200 μm.
m, preferably 40 to 100 μm.

【0022】本発明に用いられる位相差フィルムは、前
記したように、特定の高いガラス転移温度を有するもの
であるので、えられる位相差一体型透明導電性フィルム
は、たとえばタッチパネルが組込まれた液晶表示素子の
補償用フィルムとしてきわめて実用的なものである。
Since the retardation film used in the present invention has a specific high glass transition temperature as described above, the obtained retardation integrated transparent conductive film is, for example, a liquid crystal in which a touch panel is incorporated. It is extremely practical as a compensation film for display devices.

【0023】なお、前記位相差フィルムのリターデーシ
ョン値は、通常100〜8000nm程度であればよ
い。
The retardation value of the retardation film is usually about 100 to 8000 nm.

【0024】位相差フィルムがたとえば前記したリター
デーション値を示すようにするためには、たとえば前記
樹脂のフィルムに延伸処理を施せばよい。
In order for the retardation film to exhibit the retardation value described above, for example, the resin film may be stretched.

【0025】前記延伸処理を施す方法にはとくに限定が
なく、横一軸延伸法、縦一軸延伸法などがあげられる
が、より一軸性が高い延伸フィルムをうることを考慮す
ると、縦一軸延伸法が好ましい。
The method for carrying out the stretching treatment is not particularly limited, and examples thereof include a lateral uniaxial stretching method and a longitudinal uniaxial stretching method. Considering that a stretched film having higher uniaxiality can be obtained, the longitudinal uniaxial stretching method is used. preferable.

【0026】また、延伸処理を施す際の温度は、位相差
フィルムの原料となった樹脂のガラス転移温度に基づい
て最適な温度を決定すればよいが、延伸ムラを発生させ
ないという点を考慮すると、通常樹脂のガラス転移温度
よりも20℃程度低い温度〜ガラス転移温度よりも30
℃程度高い温度とすることが好ましい。
The temperature for the stretching treatment may be determined as an optimum temperature based on the glass transition temperature of the resin used as the raw material for the retardation film, but considering that stretching unevenness does not occur. , A temperature about 20 ° C. lower than the glass transition temperature of a normal resin to 30 lower than the glass transition temperature.
It is preferable to set the temperature as high as about ° C.

【0027】前記のごとくえられた位相差フィルムの少
なくとも片面に透明導電膜を形成させることにより、本
発明の位相差一体型透明導電性フィルムがえられる。
By forming a transparent conductive film on at least one surface of the retardation film obtained as described above, the retardation integrated transparent conductive film of the present invention can be obtained.

【0028】前記位相差フィルムの片面または両面に形
成される透明導電膜には、たとえば金、銀などの金属;
酸化インジウム、酸化スズ、インジウムスズ酸化物(I
TO)などの金属酸化物などを用いることができるが、
導電性、透明性、パターニングの容易性を考慮すると酸
化インジウムを主成分とする金属酸化物を用いることが
とくに好ましい。
The transparent conductive film formed on one side or both sides of the retardation film includes, for example, a metal such as gold or silver;
Indium oxide, tin oxide, indium tin oxide (I
Although a metal oxide such as TO) can be used,
Considering conductivity, transparency, and easiness of patterning, it is particularly preferable to use a metal oxide containing indium oxide as a main component.

【0029】透明導電膜を形成させる方法にはとくに限
定がなく、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法などを採用することができるが、
位相差フィルムに対する透明導電膜の付着力を考慮する
と、スパッタリング法およびイオンプレーティング法が
好ましく、とくにスパッタリング法が好ましい。
The method for forming the transparent conductive film is not particularly limited and, for example, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method or the like can be adopted.
Considering the adhesion of the transparent conductive film to the retardation film, the sputtering method and the ion plating method are preferable, and the sputtering method is particularly preferable.

【0030】なお、本発明においては、酸化インジウム
と酸化スズとからなる酸化物ターゲットを用い、アルゴ
ンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中にて、DCマグ
ネトロンスパッタリング法にて透明導電膜を形成させる
ことが、生産性の点からとくに好ましい。
In the present invention, an oxide target made of indium oxide and tin oxide is used to form a transparent conductive film by DC magnetron sputtering in a mixed gas atmosphere of argon gas and oxygen gas. Is particularly preferable from the viewpoint of productivity.

【0031】かくして形成される透明導電膜のシート抵
抗は、たとえばタッチパネルの電極として用いることを
考慮すると、200Ω/□以上であるが、タッチパネル
の位置検出精度の点から400Ω/□以上であることが
好ましい。なお、透明導電膜の特性上、そのシート抵抗
は、通常2000Ω/□以下である。
The sheet resistance of the transparent conductive film thus formed is 200 Ω / □ or more, considering that it is used as an electrode of a touch panel, but it is 400 Ω / □ or more in view of the position detection accuracy of the touch panel. preferable. The sheet resistance of the transparent conductive film is usually 2000Ω / □ or less.

【0032】また、透明導電膜の厚さにはとくに限定が
ないが、光線透過率を考慮すると、通常10〜80n
m、好ましくは15〜40nmであることが望ましい。
The thickness of the transparent conductive film is not particularly limited, but in consideration of the light transmittance, it is usually 10 to 80 n.
m, preferably 15 to 40 nm.

【0033】前記のごとく位相差フィルムの少なくとも
片面に透明導電膜が形成された位相差一体型透明導電性
フィルムの光線透過率(波長550nm)は、液晶パネ
ル全体の光線透過率を考慮すると、75%以上、好まし
くは80%以上であることが望ましい。
The light transmittance (wavelength 550 nm) of the retardation-integrated transparent conductive film in which the transparent conductive film is formed on at least one surface of the retardation film as described above is 75 when the light transmittance of the entire liquid crystal panel is taken into consideration. % Or more, preferably 80% or more.

【0034】なお、たとえば液晶パネルの製造プロセス
では、透明導電膜のパターンを形成させる過程でアルカ
リ処理が行なわれることが一般的である。該アルカリ処
理として透明導電膜が形成された位相差フィルムをアル
カリ溶液に浸漬させる際に、透明導電膜の膜浮きやクラ
ックが発生するおそれをなくすために、通常下地処理が
施されるが、本発明において、位相差フィルムとしてポ
リアリレートからなるフィルムを用いたばあいには、か
かるポリアリレートからなるフィルム上に直接透明導電
膜が形成されていても、透明導電膜の膜浮きやクラック
が発生するおそれがまったくなく、かかる下地処理が不
要であるという利点がある。
In the manufacturing process of a liquid crystal panel, for example, it is general that an alkali treatment is performed in the process of forming a pattern of a transparent conductive film. When the retardation film on which the transparent conductive film is formed as the alkali treatment is dipped in an alkaline solution, in order to eliminate the possibility of film floating or cracks of the transparent conductive film, a base treatment is usually performed. In the invention, when a film made of polyarylate is used as the retardation film, film floating or cracking of the transparent conductive film occurs even if the transparent conductive film is directly formed on the film made of such polyarylate. There is no fear and there is an advantage that such a base treatment is unnecessary.

【0035】また、下地処理は、前記したように、位相
差フィルムと透明導電膜との密着性をより向上させ、膜
浮きやクラックの発生を抑制することを目的として行な
われるが、従来のガラス転移温度が低い樹脂からなるフ
ィルムを位相差フィルムとしたばあいには、該下地処理
を施す際の溶剤の乾燥や硬化処理などの加熱処理の温度
を高くすることができず、下地処理を充分に行なうこと
ができないばあいがある。しかしながら、本発明におい
ては、位相差フィルムとして160℃以上といった高い
ガラス転移温度を有するものが用いられているので、下
地処理を施す際の加熱処理の温度を充分に高く設定して
より効果的に処理を施すことができ、位相差フィルムと
透明導電膜との密着性が充分に向上し、透明導電膜の膜
浮きやクラックの発生がなくなるという利点がある。
Further, as described above, the undercoating treatment is carried out for the purpose of further improving the adhesion between the retardation film and the transparent conductive film and suppressing the occurrence of film floating and cracks. When a film made of a resin having a low transition temperature is used as a retardation film, it is not possible to increase the temperature of heat treatment such as solvent drying or curing treatment when the base treatment is performed, and the base treatment is sufficiently performed. There are times when you cannot do it. However, in the present invention, since a retardation film having a high glass transition temperature of 160 ° C. or higher is used, it is more effective to set the temperature of the heat treatment at the time of performing the base treatment sufficiently high. The treatment can be performed, the adhesion between the retardation film and the transparent conductive film is sufficiently improved, and the floating of the transparent conductive film and the generation of cracks are advantageous.

【0036】このように、本発明の位相差一体型透明導
電性フィルムは、耐熱性にすぐれることから、加熱処理
によるリターデーションの戻りが小さく、かつ透明導電
膜のクラックが発生しないものであるので、たとえばタ
ッチパネルが組込まれた液晶表示素子の補償用フィルム
などとして好適に使用することができる。
As described above, since the retardation-integrated transparent conductive film of the present invention has excellent heat resistance, the retardation returned by the heat treatment is small, and the transparent conductive film does not crack. Therefore, it can be suitably used, for example, as a compensating film for a liquid crystal display device incorporating a touch panel.

【0037】[0037]

【実施例】つぎに、本発明の位相差一体型透明導電性フ
ィルムを実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本
発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
EXAMPLES Next, the retardation integrated transparent conductive film of the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0038】実施例1 ガラス転移温度が215℃、リターデーション値が40
0nm、厚さが58μmのポリアリレート位相差フィル
ム(ビスフェノールA、ビス(3,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)メタン、イソフタル酸およびテレ
フタル酸の縮重合体フィルム、鐘淵化学工業(株)製、
エルメック F−1100)の片面に、酸化インジウム
(In23)90重量%および酸化第二スズ(Sn
2)10重量%からなる酸化物ターゲットを用い、ア
ルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス(アルゴンガス:酸
素ガス(容積比)=99:1)雰囲気中で、DCマグネ
トロンスパッタリング装置((株)島津製作所製、HS
M−720)にて厚さ30nmの透明導電膜を形成さ
せ、位相差一体型透明導電性フィルムを製造した。
Example 1 Glass transition temperature is 215 ° C. and retardation value is 40.
0 nm, thickness of 58 μm polyarylate retardation film (bisphenol A, bis (3,5-dimethyl-4-
(Hydroxyphenyl) methane, isophthalic acid and terephthalic acid polycondensation film, manufactured by Kanegafuchi Chemical Co., Ltd.
90% by weight of indium oxide (In 2 O 3 ) and stannic oxide (Sn) were formed on one side of Ermec F-1100.
O 2 ) Oxide target of 10 wt% was used in a mixed gas of argon gas and oxygen gas (argon gas: oxygen gas (volume ratio) = 99: 1) in a DC magnetron sputtering device (Co., Ltd.). Shimadzu HS
M-720) was used to form a transparent conductive film having a thickness of 30 nm to produce a retardation integrated transparent conductive film.

【0039】えられた位相差一体型透明導電性フィルム
を用い、その特性としてシート抵抗、光線透過率、加熱
処理後のリターデーション値および耐アルカリ性を以下
の方法にしたがって調べた。その結果を表1に示す。
Using the thus obtained retardation-integrated transparent conductive film, the sheet resistance, light transmittance, retardation value after heat treatment and alkali resistance were examined according to the following methods. Table 1 shows the results.

【0040】(イ)シート抵抗 位相差フィルムの片面に形成された透明導電膜のシート
抵抗(Ω/□)を、抵抗率計(三菱油化(株)製、ロレ
スタAP)を用いて測定した。
(A) Sheet resistance The sheet resistance (Ω / □) of the transparent conductive film formed on one side of the retardation film was measured using a resistivity meter (Loresta AP manufactured by Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd.). .

【0041】(ロ)光線透過率 自記分光光度計((株)島津製作所製、UV−310
0)を用い、波長550mの光線の透過率(%)を測定
した。
(B) Light transmittance Self-recording spectrophotometer (UV-310, manufactured by Shimadzu Corporation)
0) was used to measure the transmittance (%) of light having a wavelength of 550 m.

【0042】(ハ)加熱処理後のリターデーション値 位相差一体型透明導電性フィルムに150℃で1時間に
わたって加熱処理を施したのち、自動複屈折計(KSシ
ステムズ(株)製、KOBRA−21C)を用いてリタ
ーデーション値(nm)を測定した。
(C) Retardation value after heat treatment After the heat treatment was applied to the phase-integrated transparent conductive film at 150 ° C. for 1 hour, an automatic birefringence meter (KOBRA-21C manufactured by KS Systems Co., Ltd.) was used. ) Was used to measure the retardation value (nm).

【0043】(ニ)耐アルカリ性 位相差一体型透明導電性フィルムを40℃に加熱した
2.5%水酸化ナトリウム水溶液に5分間浸漬させたの
ち、流水で洗浄し、光学顕微鏡で透明導電膜の膜浮きお
よびクラックが発生しているか否かを観察した。表1
中、○は膜浮きおよびクラックの発生がまったく認めら
れなかったことを表わし、×は膜浮きまたはクラックの
発生がわずかでも認められたことを表わす。
(D) Alkali resistance The retardation-integrated transparent conductive film was immersed in a 2.5% sodium hydroxide aqueous solution heated to 40 ° C. for 5 minutes, washed with running water, and then the transparent conductive film was formed by an optical microscope. It was observed whether the film floated and cracked. Table 1
In the table, ◯ means that neither film floating nor cracking was observed, and x means that film floating or cracking was slightly observed.

【0044】実施例2 実施例1において、ポリアリレート位相差フィルムの片
面に、厚さ30nmの透明導電膜を形成させるかわりに
厚さ15nmの透明導電膜を形成させたほかは、実施例
1と同様にして位相差一体型透明導電性フィルムを製造
した。
Example 2 Example 1 was repeated except that a transparent conductive film having a thickness of 15 nm was formed on one side of the polyarylate retardation film instead of forming a transparent conductive film having a thickness of 30 nm. In the same manner, a retardation integrated transparent conductive film was manufactured.

【0045】えられた位相差一体型透明導電性フィルム
の特性を実施例1と同様にして調べた。その結果を表1
に示す。
The characteristics of the obtained retardation-integrated transparent conductive film were examined in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.
Shown in

【0046】比較例1 実施例1において、ポリアリレート位相差フィルムのか
わりに、ガラス転移温度が150℃、リターデーション
値が380nm、厚さが55μmのポリカーボネート位
相差フィルム(ビスフェノールAをモノマー成分として
重合させてえられた重合体フィルム)を用いたほかは、
実施例1と同様にして位相差一体型透明導電性フィルム
を製造した。
Comparative Example 1 In Example 1, instead of the polyarylate retardation film, a polycarbonate retardation film having a glass transition temperature of 150 ° C., a retardation value of 380 nm and a thickness of 55 μm (polymerized with bisphenol A as a monomer component). Except that the polymer film obtained by
A retardation-integrated transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1.

【0047】えられた位相差一体型透明導電性フィルム
の特性を実施例1と同様にして調べた。その結果を表1
に示す。
The characteristics of the obtained retardation-integrated transparent conductive film were examined in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.
Shown in

【0048】なお、表1中には、位相差フィルムのリタ
ーデーション値(前記(ハ)加熱処理後のリターデーシ
ョン値の測定に用いたものと同じ装置で測定)および形
成させた透明導電膜の厚さをあわせて示す。
In Table 1, the retardation value of the retardation film (measured by the same device as used for measuring the retardation value after the heat treatment (c)) and the formed transparent conductive film are shown. The thickness is also shown.

【0049】[0049]

【表1】 [Table 1]

【0050】表1に示された結果から、ガラス転移温度
が160℃以上であるポリアリレート位相差フィルム
に、シート抵抗が200Ω/□以上の透明導電膜が形成
された実施例1および2の位相差一体型透明導電性フィ
ルムは、ガラス転移温度が、150℃と低いポリカーボ
ネート位相差フィルムに透明導電膜が形成された位相差
一体型透明導電性フィルムとは異なり、150℃で1時
間加熱処理を施してもリターデーション値がほとんど変
化しないうえ、透明導電膜の膜浮きおよびクラックがま
ったく発生せず、耐アルカリ性にすぐれたものであるこ
とがわかる。
From the results shown in Table 1, the positions of Examples 1 and 2 in which a transparent conductive film having a sheet resistance of 200 Ω / □ or more was formed on a polyarylate retardation film having a glass transition temperature of 160 ° C. or more. Unlike the retardation-integrated transparent conductive film in which the transparent conductive film is formed on the polycarbonate retardation film having a low glass transition temperature of 150 ° C., the retardation-integrated transparent conductive film is heat-treated at 150 ° C. for 1 hour. It can be seen that even if it is applied, the retardation value hardly changes, and the floating and cracking of the transparent conductive film does not occur at all, which is excellent in alkali resistance.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明の位相差一体型透明導電性フィル
ムは、耐熱性にすぐれることから、加熱処理によるリタ
ーデーションの戻りが小さく、かつ透明導電膜の膜浮き
やクラックが発生しないものである。したがって、本発
明の位相差一体型透明導電性フィルムは、たとえばタッ
チパネルが組込まれた液晶表示素子の補償用フィルムな
どとして好適に使用することができる。
EFFECT OF THE INVENTION Since the retardation-integrated transparent conductive film of the present invention is excellent in heat resistance, retardation return due to heat treatment is small, and film floating or cracking of the transparent conductive film does not occur. is there. Therefore, the retardation-integrated transparent conductive film of the present invention can be suitably used as, for example, a compensating film for a liquid crystal display device incorporating a touch panel.

【0052】さらに、とくに位相差フィルムとしてポリ
アリレートからなるフィルムが用いられた位相差一体型
透明導電性フィルムは、耐アルカリ性にもすぐれるとい
う効果を奏する。
Further, the retardation-integrated transparent conductive film, in which the film made of polyarylate is used as the retardation film, has an effect of excellent alkali resistance.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラス転移温度が160℃以上である位
相差フィルムの少なくとも片面に、シート抵抗が200
Ω/□以上の透明導電膜が形成された位相差一体型透明
導電性フィルム。
1. A sheet resistance of 200 on at least one surface of a retardation film having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher.
A retardation integrated transparent conductive film having a transparent conductive film of Ω / □ or more.
【請求項2】 位相差フィルムがポリアリレートからな
るフィルムである請求項1記載の位相差一体型透明導電
性フィルム。
2. The retardation integrated transparent conductive film according to claim 1, wherein the retardation film is a film made of polyarylate.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11337734A (en) * 1998-05-29 1999-12-10 Nec Corp Conductive polarizing plate
JP2008169384A (en) * 2006-12-14 2008-07-24 Kaneka Corp Resin for coating, thin film for optical compensation, laminate for optical compensation, polarizing plate for optical compensation and liquid crystal display device
WO2017188160A1 (en) * 2016-04-27 2017-11-02 日本ゼオン株式会社 Film sensor member and method for manufacturing same, circularly polarizing plate and method for manufacturing same, and image display device

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