JPH09162607A - 電極トリミング方法 - Google Patents
電極トリミング方法Info
- Publication number
- JPH09162607A JPH09162607A JP7314167A JP31416795A JPH09162607A JP H09162607 A JPH09162607 A JP H09162607A JP 7314167 A JP7314167 A JP 7314167A JP 31416795 A JP31416795 A JP 31416795A JP H09162607 A JPH09162607 A JP H09162607A
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- JP
- Japan
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- trimming
- electrode
- laser
- ceramic substrate
- layer
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 非接触連続トリミング可能なレーザートリミ
ング方法において、電極トリミング部の絶縁抵抗が高
く、素子や回路等の高周波特性の劣化を防止し高性能及
び量産性に優れた電極トリミング方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 セラミック基板上に形成された電極部を
レーザーによりトリミングする電極トリミング方法であ
って、セラミック基板のトリミング部に高圧ガスを噴射
しながらレーザーにより所定の形状にトリミングするレ
ーザートリミング工程１と、セラミック基板のトリミン
グ部の表面変質層を化学エッチングにより除去する変質
層エッチング工程２と、トリミングされたセラミック基
板を大気中で熱処理を行いトリミング部の変質層を再酸
化する再酸化工程３と、電極部の酸化層を除去する電極
部酸化層エッチング工程４と、を備えることにより、レ
ーザーによる連続した電極の研削が可能で量産性を向上
させることができる。
ング方法において、電極トリミング部の絶縁抵抗が高
く、素子や回路等の高周波特性の劣化を防止し高性能及
び量産性に優れた電極トリミング方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 セラミック基板上に形成された電極部を
レーザーによりトリミングする電極トリミング方法であ
って、セラミック基板のトリミング部に高圧ガスを噴射
しながらレーザーにより所定の形状にトリミングするレ
ーザートリミング工程１と、セラミック基板のトリミン
グ部の表面変質層を化学エッチングにより除去する変質
層エッチング工程２と、トリミングされたセラミック基
板を大気中で熱処理を行いトリミング部の変質層を再酸
化する再酸化工程３と、電極部の酸化層を除去する電極
部酸化層エッチング工程４と、を備えることにより、レ
ーザーによる連続した電極の研削が可能で量産性を向上
させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波帯域で使用
される電子機器に用いられる回路基板又は誘電体共振器
等の電極トリミング方法に関する。
される電子機器に用いられる回路基板又は誘電体共振器
等の電極トリミング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高周波回路基板は、自動車電話，
携帯電話，パーソナル無線等の無線通信機の分野で広く
利用されている。特に、その中でも高周波フィルター
は、特開昭６０−１１４００１号公報に開示されている
ように、誘電体共振器と結合容量付与のための結合基板
から構成されたものや、最近では、誘電体セラミック上
に電極部と結合容量付与のための容量ギャップ部を形成
した誘電体共振器も見られる。
携帯電話，パーソナル無線等の無線通信機の分野で広く
利用されている。特に、その中でも高周波フィルター
は、特開昭６０−１１４００１号公報に開示されている
ように、誘電体共振器と結合容量付与のための結合基板
から構成されたものや、最近では、誘電体セラミック上
に電極部と結合容量付与のための容量ギャップ部を形成
した誘電体共振器も見られる。
【０００３】以下に従来の電極トリミング方法を用いた
誘電体共振器の構造について説明する。図２は一般の電
極トリミング方法を用いて形成された誘電体共振器の要
部斜視図であり、図３は図２の誘電体共振器の要部断面
図である。１１は直方体形状のセラミックからなる誘電
体セラミック部、１２は誘電体セラミック部１１に形成
された中空部からなる開放端、１３は電気的接続を行う
入出力端子部、１４は電極材料が研削された容量ギャッ
プ部、１５は電極材料が形成された電極層である。これ
らの誘電体共振器は誘電体セラミック部１１の上に厚さ
５〜１５μｍ程度の電極層１５の一部を所定の形状に研
削して容量ギャップ部１４を形成する方法が採られてい
る。
誘電体共振器の構造について説明する。図２は一般の電
極トリミング方法を用いて形成された誘電体共振器の要
部斜視図であり、図３は図２の誘電体共振器の要部断面
図である。１１は直方体形状のセラミックからなる誘電
体セラミック部、１２は誘電体セラミック部１１に形成
された中空部からなる開放端、１３は電気的接続を行う
入出力端子部、１４は電極材料が研削された容量ギャッ
プ部、１５は電極材料が形成された電極層である。これ
らの誘電体共振器は誘電体セラミック部１１の上に厚さ
５〜１５μｍ程度の電極層１５の一部を所定の形状に研
削して容量ギャップ部１４を形成する方法が採られてい
る。
【０００４】以下に従来の電極トリミング方法について
説明する。電極層１５の研削は、レーザー光を照射して
行うレーザートリミング法やマスクを形成しエッチング
剤でトリミングする化学エッチング法，高速回転砥石を
用いる直接接触トリミング法等を用いて行われている。
図５は従来のレーザートリミング法を用いた電極トリミ
ング方法により形成されたレーザートリミング直後の変
質層の要部断面図である。図５において、１６はレーザ
ーの高熱により溶融したセラミック基板や電極材料が凝
固し低抵抗化した変質層、１７は高温からの急冷により
原子欠陥が導入され半導体化した変質層、１８は飛散し
た電極粒子及びセラミック基板粒子の混合物からなる付
着物である。
説明する。電極層１５の研削は、レーザー光を照射して
行うレーザートリミング法やマスクを形成しエッチング
剤でトリミングする化学エッチング法，高速回転砥石を
用いる直接接触トリミング法等を用いて行われている。
図５は従来のレーザートリミング法を用いた電極トリミ
ング方法により形成されたレーザートリミング直後の変
質層の要部断面図である。図５において、１６はレーザ
ーの高熱により溶融したセラミック基板や電極材料が凝
固し低抵抗化した変質層、１７は高温からの急冷により
原子欠陥が導入され半導体化した変質層、１８は飛散し
た電極粒子及びセラミック基板粒子の混合物からなる付
着物である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このレーザートリミン
グ法を用いた電極トリミング方法は、非接触によるトリ
ミングであり、生産性及びトリミング速度共に優れてい
るが、レーザーの高熱により溶融したセラミック基板や
電極材料が凝固して低抵抗の変質層を形成する。又、セ
ラミック基板において融点以下の温度にあるセラミック
基板部では高熱により原子欠陥が導入され、そのためそ
の部分に半導体化した変質層が生成し、高周波特性の１
つの目安であるＱ（ｔａｎδの逆数）特性を著しく劣化
させるため、高周波回路，高周波フィルターに用いるた
めのＱ特性の改善が要求されている。又、化学エッチン
グ法は、マスク形成やエッチング液の廃液処理等の生産
プロセスが複雑であるため、生産設備が大きく生産性に
欠け、工程の改善が要求されていた。更に、高速回転砥
石による直接接触トリミング法は、均一な電極の研削
（容量ギャップの形成）が困難であり、又、下地のセラ
ミック部に対してもチッピングやクラック等の機械的な
ダメージが発生するため、歩留りの改善及び信頼性が要
求されていた。
グ法を用いた電極トリミング方法は、非接触によるトリ
ミングであり、生産性及びトリミング速度共に優れてい
るが、レーザーの高熱により溶融したセラミック基板や
電極材料が凝固して低抵抗の変質層を形成する。又、セ
ラミック基板において融点以下の温度にあるセラミック
基板部では高熱により原子欠陥が導入され、そのためそ
の部分に半導体化した変質層が生成し、高周波特性の１
つの目安であるＱ（ｔａｎδの逆数）特性を著しく劣化
させるため、高周波回路，高周波フィルターに用いるた
めのＱ特性の改善が要求されている。又、化学エッチン
グ法は、マスク形成やエッチング液の廃液処理等の生産
プロセスが複雑であるため、生産設備が大きく生産性に
欠け、工程の改善が要求されていた。更に、高速回転砥
石による直接接触トリミング法は、均一な電極の研削
（容量ギャップの形成）が困難であり、又、下地のセラ
ミック部に対してもチッピングやクラック等の機械的な
ダメージが発生するため、歩留りの改善及び信頼性が要
求されていた。
【０００６】本発明は、非接触連続トリミングが可能な
レーザートリミング方法において、トリミング部の絶縁
抵抗が高く、素子や回路等における高周波特性の劣化を
防止することができ、高性能及び量産性に優れた電極ト
リミング方法を提供することを目的とする。
レーザートリミング方法において、トリミング部の絶縁
抵抗が高く、素子や回路等における高周波特性の劣化を
防止することができ、高性能及び量産性に優れた電極ト
リミング方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、セラミック基板上に形成された電極部をレ
ーザー光によりトリミングする電極トリミング方法であ
って、セラミック基板のトリミング部に高圧ガスを噴射
しながらレーザー光により所定の形状にトリミングする
レーザートリミング工程と、トリミングされたセラミッ
ク基板を大気中で熱処理を行いトリミング部の変質層を
再酸化する再酸化工程と、を備えるように構成したもの
である。更に、再酸化工程の前に化学エッチングによる
変質層エッチング工程と、を備えるように構成したもの
である。
に本発明は、セラミック基板上に形成された電極部をレ
ーザー光によりトリミングする電極トリミング方法であ
って、セラミック基板のトリミング部に高圧ガスを噴射
しながらレーザー光により所定の形状にトリミングする
レーザートリミング工程と、トリミングされたセラミッ
ク基板を大気中で熱処理を行いトリミング部の変質層を
再酸化する再酸化工程と、を備えるように構成したもの
である。更に、再酸化工程の前に化学エッチングによる
変質層エッチング工程と、を備えるように構成したもの
である。
【０００８】これにより、レーザートリミングの際に飛
散する電極粒子及びセラミック粒子を吹き飛ばしトリミ
ング部への付着を著しく低減し、更に、レーザー光によ
る急熱急冷でセラミック部に発生する原子欠陥に起因す
る絶縁抵抗の低下を再酸化工程により原子欠陥を回復さ
せることができる。この結果、下地であるセラミック部
に対するトリミングダメージを低減し、又、レーザー光
の熱による変質層の除去が可能であるので高周波特性に
優れた高性能の素子を得ることができ、レーザー光によ
る連続した電極の研削において、量産性を著しく向上さ
せることができる。
散する電極粒子及びセラミック粒子を吹き飛ばしトリミ
ング部への付着を著しく低減し、更に、レーザー光によ
る急熱急冷でセラミック部に発生する原子欠陥に起因す
る絶縁抵抗の低下を再酸化工程により原子欠陥を回復さ
せることができる。この結果、下地であるセラミック部
に対するトリミングダメージを低減し、又、レーザー光
の熱による変質層の除去が可能であるので高周波特性に
優れた高性能の素子を得ることができ、レーザー光によ
る連続した電極の研削において、量産性を著しく向上さ
せることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の電極ト
リミング方法は、セラミック基板上に形成された電極部
をレーザー光によりトリミングする電極トリミング方法
であって、セラミック基板のトリミング部に高圧ガスを
噴射しながらレーザー光により所定の形状にトリミング
するレーザートリミング工程と、トリミングされたセラ
ミック基板を大気中で熱処理を行いトリミング部の変質
層を再酸化する再酸化工程と、を備えたものであり、レ
ーザートリミングの際に飛散する電極粒子及びセラミッ
ク基板粒子を吹き飛ばしトリミング部への付着を低減
し、更に、レーザートリミング工程におけるレーザー光
による急熱急冷により、セラミック部に発生する原子欠
陥に起因する絶縁抵抗の低下を、再酸化工程におけるセ
ラミック部の再酸化により復帰させるという作用を有
し、素子の高周波特性を向上させ歩留りを向上させるこ
とができる。
リミング方法は、セラミック基板上に形成された電極部
をレーザー光によりトリミングする電極トリミング方法
であって、セラミック基板のトリミング部に高圧ガスを
噴射しながらレーザー光により所定の形状にトリミング
するレーザートリミング工程と、トリミングされたセラ
ミック基板を大気中で熱処理を行いトリミング部の変質
層を再酸化する再酸化工程と、を備えたものであり、レ
ーザートリミングの際に飛散する電極粒子及びセラミッ
ク基板粒子を吹き飛ばしトリミング部への付着を低減
し、更に、レーザートリミング工程におけるレーザー光
による急熱急冷により、セラミック部に発生する原子欠
陥に起因する絶縁抵抗の低下を、再酸化工程におけるセ
ラミック部の再酸化により復帰させるという作用を有
し、素子の高周波特性を向上させ歩留りを向上させるこ
とができる。
【００１０】請求項２に記載の電極トリミング方法は、
請求項１において、レーザートリミング工程と再酸化工
程との間に、セラミック基板のトリミング部の表面変質
層を化学エッチングにより除去する変質層エッチング工
程を備えたものであり、トリミング部の表面に固着した
表面変質層を取り除き、再酸化工程によりトリミング部
の変質層の酸化を容易にし絶縁抵抗の低下を確実に回復
することができるという作用を有する。
請求項１において、レーザートリミング工程と再酸化工
程との間に、セラミック基板のトリミング部の表面変質
層を化学エッチングにより除去する変質層エッチング工
程を備えたものであり、トリミング部の表面に固着した
表面変質層を取り除き、再酸化工程によりトリミング部
の変質層の酸化を容易にし絶縁抵抗の低下を確実に回復
することができるという作用を有する。
【００１１】請求項３に記載の電極トリミング方法は、
請求項１又は２いずれか１において、レーザートリミン
グ工程において、セラミック基板へのレーザートリミン
グにより飛散した電極粒子又はセラミック粒子からなる
再付着層が２００μｍ以下である構成をしたものであ
り、共振器のＱを高く保つことができるという作用を有
し、量産性を向上させることができる。
請求項１又は２いずれか１において、レーザートリミン
グ工程において、セラミック基板へのレーザートリミン
グにより飛散した電極粒子又はセラミック粒子からなる
再付着層が２００μｍ以下である構成をしたものであ
り、共振器のＱを高く保つことができるという作用を有
し、量産性を向上させることができる。
【００１２】請求項４に記載の電極トリミング方法は、
請求項１乃至３の内いずれか１において、高圧ガスが酸
素を含有する気体，窒素，希ガス又はこれらの混合ガス
からなる構成をしたものであり、高圧ガスにより、高速
気体流を発生させ、電極やセラミック基板からなる飛散
粒子の再付着を防止することができるという作用を有す
る。特に、高圧ガスが酸素を含有することにより、レー
ザー光による急熱急冷による変質層の生成を抑制するこ
とができるという作用を有する。
請求項１乃至３の内いずれか１において、高圧ガスが酸
素を含有する気体，窒素，希ガス又はこれらの混合ガス
からなる構成をしたものであり、高圧ガスにより、高速
気体流を発生させ、電極やセラミック基板からなる飛散
粒子の再付着を防止することができるという作用を有す
る。特に、高圧ガスが酸素を含有することにより、レー
ザー光による急熱急冷による変質層の生成を抑制するこ
とができるという作用を有する。
【００１３】請求項５に記載の電極トリミング方法は、
請求項１乃至４の内いずれか１において、再酸化工程の
後に、電極部の酸化層を除去する電極部酸化層エッチン
グ工程を備えたものであり、外部との接続を行う外部配
線を行う際電極部と接続線との接合を確実にでき接続部
の抵抗値の増加を防止することができるという作用を有
する。特に、電極部酸化層エッチング工程は、電極が銅
（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ）等の卑金属から形成される
場合、顕著な効果を有する。
請求項１乃至４の内いずれか１において、再酸化工程の
後に、電極部の酸化層を除去する電極部酸化層エッチン
グ工程を備えたものであり、外部との接続を行う外部配
線を行う際電極部と接続線との接合を確実にでき接続部
の抵抗値の増加を防止することができるという作用を有
する。特に、電極部酸化層エッチング工程は、電極が銅
（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ）等の卑金属から形成される
場合、顕著な効果を有する。
【００１４】以下本発明の一実施の形態について、図面
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１における
電極トリミング方法の工程図である。１はセラミック基
板のトリミング部に高圧ガスを噴射しながらレーザー光
により所定の形状にトリミングするレーザートリミング
工程、２はレーザートリミング工程１によりセラミック
基板のトリミング部に発生した表面変質層を化学エッチ
ングにより除去する変質層エッチング工程、３はトリミ
ングされたセラミック基板を大気中で熱処理を行いトリ
ミング部の変質層を再酸化する再酸化工程、４は電極部
の酸化層を化学エッチングにより除去する電極部酸化層
エッチング工程である。
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１における
電極トリミング方法の工程図である。１はセラミック基
板のトリミング部に高圧ガスを噴射しながらレーザー光
により所定の形状にトリミングするレーザートリミング
工程、２はレーザートリミング工程１によりセラミック
基板のトリミング部に発生した表面変質層を化学エッチ
ングにより除去する変質層エッチング工程、３はトリミ
ングされたセラミック基板を大気中で熱処理を行いトリ
ミング部の変質層を再酸化する再酸化工程、４は電極部
の酸化層を化学エッチングにより除去する電極部酸化層
エッチング工程である。
【００１５】ここで、セラミック基板へのレーザートリ
ミングにより飛散した電極粒子又はセラミック粒子から
なる再付着層が２００μｍ以下になるように、高圧ガス
の噴射力の調整を行う。また、高圧ガスとしては、酸素
を含有する気体，窒素，希ガス又はそれらの混合ガスを
用い、酸素を含有する気体としては、空気，純酸素，窒
素酸素混合ガス等が好ましい。又、希ガスとしてはヘリ
ウム（Ｈｅ），アルゴン（Ａｒ），ネオン（Ｎｅ），ク
リプトン（Ｋｒ）等を用いることができるが、コスト面
からアルゴンガスを用いることが好ましい。これによ
り、レーザートリミング工程１において、セラミック基
板や電極部等の変質層を生成を防止することができる。
セラミック基板としては、高誘電率系セラミックコンデ
ンサ基板，温度補償用セラミックコンデンサ基板，圧電
系セラミック基板，焦電系セラミック基板，フォルステ
ライト基板，アルミナ基板等高温雰囲気から急冷処理し
た場合、絶縁抵抗が低下するセラミック基板等が用いら
れる。化学エッチングに用いる溶剤としては、希硫酸，
希硝酸，希弗酸又はこれらを混合したもの等を用いるこ
とが好ましい。
ミングにより飛散した電極粒子又はセラミック粒子から
なる再付着層が２００μｍ以下になるように、高圧ガス
の噴射力の調整を行う。また、高圧ガスとしては、酸素
を含有する気体，窒素，希ガス又はそれらの混合ガスを
用い、酸素を含有する気体としては、空気，純酸素，窒
素酸素混合ガス等が好ましい。又、希ガスとしてはヘリ
ウム（Ｈｅ），アルゴン（Ａｒ），ネオン（Ｎｅ），ク
リプトン（Ｋｒ）等を用いることができるが、コスト面
からアルゴンガスを用いることが好ましい。これによ
り、レーザートリミング工程１において、セラミック基
板や電極部等の変質層を生成を防止することができる。
セラミック基板としては、高誘電率系セラミックコンデ
ンサ基板，温度補償用セラミックコンデンサ基板，圧電
系セラミック基板，焦電系セラミック基板，フォルステ
ライト基板，アルミナ基板等高温雰囲気から急冷処理し
た場合、絶縁抵抗が低下するセラミック基板等が用いら
れる。化学エッチングに用いる溶剤としては、希硫酸，
希硝酸，希弗酸又はこれらを混合したもの等を用いるこ
とが好ましい。
【００１６】以上のように本実施の形態によれば、レー
ザートリミング工程１の際に飛散する電極粒子及びセラ
ミック粒子を吹き飛ばしトリミング部への絶縁抵抗を下
げる原因となる不純物の付着を低減することができる。
更に、レーザートリミング工程１でのレーザー光による
急熱急冷でセラミック部に発生する原子欠陥に起因する
絶縁抵抗の低下を、再酸化工程３における再酸化により
回復させることができ、高周波特性に優れた素子を形成
でき、量産性を向上させることができる。
ザートリミング工程１の際に飛散する電極粒子及びセラ
ミック粒子を吹き飛ばしトリミング部への絶縁抵抗を下
げる原因となる不純物の付着を低減することができる。
更に、レーザートリミング工程１でのレーザー光による
急熱急冷でセラミック部に発生する原子欠陥に起因する
絶縁抵抗の低下を、再酸化工程３における再酸化により
回復させることができ、高周波特性に優れた素子を形成
でき、量産性を向上させることができる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図２から図４を用い
て説明する。
て説明する。
【００１８】（実施例１〜５）図２及び図３に示す構造
を有する誘電体共振器（同軸タイプ、３ｍｍ角）の製造
工程について説明する。誘電体セラミック部１１とし
て、化学組成がＢａ−Ｔｉ−Ｎｄ−Ｓｍ−Ｏ系からなる
比誘電率の値が９３の誘電体セラミック基板を用いた。
この誘電体セラミック部１１の表面に銀をメッキ法によ
り形成する。このセラミック基板を用いて、実施例１と
して、レーザートリミング工程１，変質層エッチング工
程２，再酸化工程３及び電極部酸化層エッチング工程４
を行った。ここで、レーザートリミング工程１として、
容量ギャップ部１４のトリミングをエキシマレーザーを
用いて行い、誘電体共振器を形成した。この際、噴射用
高圧ガスとして空気を用いて、圧力０．１ＭＰａにて容
量ギャップ部１４を形成するトリミング部に噴射した。
次に、変質層エッチング工程２として、誘電体共振器の
一部を希硫酸（５ｗｔ％濃度）を用いて１０分間エッチ
ング処理を行った。更に、再酸化工程３として、誘電体
共振器を大気中５００〜８００℃で熱処理を行った。最
後に、電極部酸化層エッチング工程４として、誘電体共
振器の一部を希硫酸（５ｗｔ％濃度）を用いて５分間エ
ッチング処理を施した。
を有する誘電体共振器（同軸タイプ、３ｍｍ角）の製造
工程について説明する。誘電体セラミック部１１とし
て、化学組成がＢａ−Ｔｉ−Ｎｄ−Ｓｍ−Ｏ系からなる
比誘電率の値が９３の誘電体セラミック基板を用いた。
この誘電体セラミック部１１の表面に銀をメッキ法によ
り形成する。このセラミック基板を用いて、実施例１と
して、レーザートリミング工程１，変質層エッチング工
程２，再酸化工程３及び電極部酸化層エッチング工程４
を行った。ここで、レーザートリミング工程１として、
容量ギャップ部１４のトリミングをエキシマレーザーを
用いて行い、誘電体共振器を形成した。この際、噴射用
高圧ガスとして空気を用いて、圧力０．１ＭＰａにて容
量ギャップ部１４を形成するトリミング部に噴射した。
次に、変質層エッチング工程２として、誘電体共振器の
一部を希硫酸（５ｗｔ％濃度）を用いて１０分間エッチ
ング処理を行った。更に、再酸化工程３として、誘電体
共振器を大気中５００〜８００℃で熱処理を行った。最
後に、電極部酸化層エッチング工程４として、誘電体共
振器の一部を希硫酸（５ｗｔ％濃度）を用いて５分間エ
ッチング処理を施した。
【００１９】更に、実施例２として、実施例１に対し
て、電極部酸化層エッチング工程４を行わずに、レーザ
ートリミング工程１，変質層エッチング工程２及び再酸
化工程３を行った。実施例３として、実施例１に対し
て、変質層エッチング工程２を行わず、レーザートリミ
ング工程１、再酸化工程３及び電極部酸化層エッチング
工程４を行った。実施例４として、実施例３に対して、
電極部酸化層エッチング工程４を行わずに、レーザート
リミング工程１と再酸化工程３を行った。実施例５とし
ては、実施例３と同様に、レーザートリミング工程１，
再酸化工程３及び電極部酸化層エッチング工程４を行っ
た。この際、レーザートリミング工程１における噴射用
高圧ガスとして、窒素を用いた。
て、電極部酸化層エッチング工程４を行わずに、レーザ
ートリミング工程１，変質層エッチング工程２及び再酸
化工程３を行った。実施例３として、実施例１に対し
て、変質層エッチング工程２を行わず、レーザートリミ
ング工程１、再酸化工程３及び電極部酸化層エッチング
工程４を行った。実施例４として、実施例３に対して、
電極部酸化層エッチング工程４を行わずに、レーザート
リミング工程１と再酸化工程３を行った。実施例５とし
ては、実施例３と同様に、レーザートリミング工程１，
再酸化工程３及び電極部酸化層エッチング工程４を行っ
た。この際、レーザートリミング工程１における噴射用
高圧ガスとして、窒素を用いた。
【００２０】（比較例１〜３）比較例１として、上記実
施例１〜５における高圧ガスの噴射を行わずにレーザー
トリミング工程１と再酸化工程３を行って誘電体共振器
を形成した。更に、比較例２として、上記実施例５にお
ける窒素を用いた高圧ガスの噴射を付加したレーザート
リミング工程１と変質層エッチング工程２のみを行って
誘電体共振器を形成した。更に、比較例３として、高圧
ガスの噴射を付加しない従来のレーザートリミング工程
１のみを行って誘電体共振器を形成した。
施例１〜５における高圧ガスの噴射を行わずにレーザー
トリミング工程１と再酸化工程３を行って誘電体共振器
を形成した。更に、比較例２として、上記実施例５にお
ける窒素を用いた高圧ガスの噴射を付加したレーザート
リミング工程１と変質層エッチング工程２のみを行って
誘電体共振器を形成した。更に、比較例３として、高圧
ガスの噴射を付加しない従来のレーザートリミング工程
１のみを行って誘電体共振器を形成した。
【００２１】以上のようにして製造された実施例１〜５
及び比較例１〜３の誘電体共振器について、入出力部と
アース間の絶縁抵抗、容量ギャップ部の外観（付着物有
無、トリミング状態）、及び無負荷時の誘電体共振器の
Ｑ（周波数１ＧＨｚ）を測定した。その結果を（表１）
に示す。
及び比較例１〜３の誘電体共振器について、入出力部と
アース間の絶縁抵抗、容量ギャップ部の外観（付着物有
無、トリミング状態）、及び無負荷時の誘電体共振器の
Ｑ（周波数１ＧＨｚ）を測定した。その結果を（表１）
に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】この（表１）から明らかなように、レーザ
ートリミング工程１の際に高圧ガスを噴射したものは比
抵抗及び誘電体共振器のＱが高い値を示している。高圧
ガス噴射のない比較例では、容量ギャップ部に銀、セラ
ミックの混合物からなる変質層が生成し、誘電体共振器
のＱ値の計測ができない。又、再酸化工程３を行うこと
により、比抵抗値の値が安定して高くなり、更に、変質
層エッチング工程２を行うことにより、誘電体共振器の
Ｑがより高い値を示していることが判る。又、本実施例
における電極トリミング方法が比較例と比較して特性及
び外観ともに優れていることが判った。
ートリミング工程１の際に高圧ガスを噴射したものは比
抵抗及び誘電体共振器のＱが高い値を示している。高圧
ガス噴射のない比較例では、容量ギャップ部に銀、セラ
ミックの混合物からなる変質層が生成し、誘電体共振器
のＱ値の計測ができない。又、再酸化工程３を行うこと
により、比抵抗値の値が安定して高くなり、更に、変質
層エッチング工程２を行うことにより、誘電体共振器の
Ｑがより高い値を示していることが判る。又、本実施例
における電極トリミング方法が比較例と比較して特性及
び外観ともに優れていることが判った。
【００２４】又、トリミング部の飛散した電極粒子又は
セラミック粒子の再付着層幅と無負荷Ｑとの関係を（表
２）及びそれを曲線化したものを図４に示す。
セラミック粒子の再付着層幅と無負荷Ｑとの関係を（表
２）及びそれを曲線化したものを図４に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】この（表２）及び図４から明らかなよう
に、再付着層幅が２００μｍを越えると急激に無負荷時
の誘電体共振器のＱ値が悪くなることから、再付着層幅
が２００μｍ以下になるように高圧ガスの噴射力を制御
すれば良いことが判る。
に、再付着層幅が２００μｍを越えると急激に無負荷時
の誘電体共振器のＱ値が悪くなることから、再付着層幅
が２００μｍ以下になるように高圧ガスの噴射力を制御
すれば良いことが判る。
【００２７】トリミング中に噴射する高圧ガスは、酸素
を含有するガスが最も効果があるが、窒素ガス等の酸素
を含有しない気体でも再付着層を防止するために使用す
ることができる。再酸化工程３後の電極部酸化層エッチ
ング工程４は、再酸化工程４の際に生じる電極部表面の
酸化層除去を目的としており、銅等の卑金属材料を用い
た電極の場合は必要とされる。場合によっては、半田メ
ッキを更に行い回路基板側との電気的接続を容易にする
ことができる。
を含有するガスが最も効果があるが、窒素ガス等の酸素
を含有しない気体でも再付着層を防止するために使用す
ることができる。再酸化工程３後の電極部酸化層エッチ
ング工程４は、再酸化工程４の際に生じる電極部表面の
酸化層除去を目的としており、銅等の卑金属材料を用い
た電極の場合は必要とされる。場合によっては、半田メ
ッキを更に行い回路基板側との電気的接続を容易にする
ことができる。
【００２８】尚、本実施例では、高圧ガスとして空気，
窒素ガスを用いたが、純酸素、アルゴンガス、ヘリウム
ガス等を用いても同等の効果が得られる。又、本実施例
では、誘電体共振器の容量ギャップ部形成のトリミング
に適用したが、高周波回路基板部の電極パターン形成の
トリミング等にも適用することができる。
窒素ガスを用いたが、純酸素、アルゴンガス、ヘリウム
ガス等を用いても同等の効果が得られる。又、本実施例
では、誘電体共振器の容量ギャップ部形成のトリミング
に適用したが、高周波回路基板部の電極パターン形成の
トリミング等にも適用することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、非接触連
続トリミングが可能なレーザートリミング方法におい
て、下地であるセラミック部に対するトリミングダメー
ジを低減し、又、レーザー光の熱によるセラミック部の
変質層の除去が可能であるので、高性能の素子を得るこ
とができ、電極トリミング部の絶縁抵抗が高い高性能の
素子を得ることができ、かつ、レーザー光による連続し
た電極の研削が可能であり、高性能及び量産性に優れる
という有利な効果が得られる。
続トリミングが可能なレーザートリミング方法におい
て、下地であるセラミック部に対するトリミングダメー
ジを低減し、又、レーザー光の熱によるセラミック部の
変質層の除去が可能であるので、高性能の素子を得るこ
とができ、電極トリミング部の絶縁抵抗が高い高性能の
素子を得ることができ、かつ、レーザー光による連続し
た電極の研削が可能であり、高性能及び量産性に優れる
という有利な効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態１における電極トリミング
方法の工程図
方法の工程図
【図２】一般の電極トリミング方法を用いて形成された
誘電体共振器の要部斜視図
誘電体共振器の要部斜視図
【図３】図２の誘電体共振器の要部断面図
【図４】本発明の実施例におけるトリミング部の飛散し
た電極粒子又はセラミック粒子の再付着層幅に対する無
負荷Ｑとの関係を示す曲線図
た電極粒子又はセラミック粒子の再付着層幅に対する無
負荷Ｑとの関係を示す曲線図
【図５】従来のレーザートリミング法を用いた電極トリ
ミング方法により形成されたレーザートリミング直後の
変質層の要部断面図
ミング方法により形成されたレーザートリミング直後の
変質層の要部断面図
１ レーザートリミング工程 ２ 変質層エッチング工程 ３ 再酸化工程 ４ 電極部酸化層エッチング工程 １１ 誘電体セラミック部 １２ 開放端 １３ 入出力端子部 １４ 容量ギャップ部 １５ 電極層 １６ 低抵抗化した変質層 １７ 半導体化した変質層 １８ 付着物
Claims (5)
- 【請求項１】セラミック基板上に形成された電極部をレ
ーザー光によりトリミングする電極トリミング方法であ
って、前記セラミック基板のトリミング部に高圧ガスを
噴射しながら前記レーザー光により所定の形状にトリミ
ングするレーザートリミング工程と、トリミングされた
前記セラミック基板を大気中で熱処理を行い前記トリミ
ング部の変質層を再酸化する再酸化工程と、を備えたこ
とを特徴とする電極トリミング方法。 - 【請求項２】前記レーザートリミング工程と前記再酸化
工程との間に、前記セラミック基板の前記トリミング部
の表面変質層を化学エッチングにより除去する変質層エ
ッチング工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載
の電極トリミング方法。 - 【請求項３】前記レーザートリミング工程において、前
記セラミック基板へのレーザートリミングにより飛散し
た電極粒子又はセラミック粒子からなる再付着層が２０
０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２いず
れか１に記載の電極トリミング方法。 - 【請求項４】前記高圧ガスが酸素を含有する気体，窒
素，希ガス又はこれらの混合ガスからなることを特徴と
する請求項１乃至３の内いずれか１に記載の電極トリミ
ング方法。 - 【請求項５】前記再酸化工程の後に、電極部の酸化層を
除去する電極部酸化層エッチング工程を備えたことを特
徴とする請求項１乃至４の内いずれか１に記載の電極ト
リミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31416795A JP3473227B2 (ja) | 1995-12-01 | 1995-12-01 | 電極トリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31416795A JP3473227B2 (ja) | 1995-12-01 | 1995-12-01 | 電極トリミング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162607A true JPH09162607A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3473227B2 JP3473227B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=18050060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31416795A Expired - Fee Related JP3473227B2 (ja) | 1995-12-01 | 1995-12-01 | 電極トリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3473227B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6338804B1 (en) | 1998-08-24 | 2002-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for removing conductive portions |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100863590B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2008-10-15 | 주식회사 엘티에스 | 레이저를 이용한 액정표시장치용 전극 트리밍 시스템 및 방법 |
-
1995
- 1995-12-01 JP JP31416795A patent/JP3473227B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6338804B1 (en) | 1998-08-24 | 2002-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for removing conductive portions |
| KR100356488B1 (ko) * | 1998-08-24 | 2002-10-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전극의 절제 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3473227B2 (ja) | 2003-12-02 |
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