JPH09160055A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH09160055A JPH09160055A JP32341595A JP32341595A JPH09160055A JP H09160055 A JPH09160055 A JP H09160055A JP 32341595 A JP32341595 A JP 32341595A JP 32341595 A JP32341595 A JP 32341595A JP H09160055 A JPH09160055 A JP H09160055A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示画素の周囲にスペーサを含んだシール剤
を塗布して基板同志を接着する液晶表示装置では、セル
の全面にわたってセルの厚さの均一化を図ることが難し
いため、高精細な大型のパネルの製作は困難であった。 【解決手段】 液晶表示装置の製造方法において、シー
ル剤２１を塗布して基板１１，１２同志を張り合わせた
後、そのシール剤２１を硬化させる際に、セルの厚さ分
布を測定し、その測定したセルの厚さ分布に対応させて
セルの厚さＴが均一になるような変形力Ｆａ，Ｆａ’
（またはＦｂ，Ｆｂ’）を基板１１，１２に与えながら
シール剤２１を硬化させる。
を塗布して基板同志を接着する液晶表示装置では、セル
の全面にわたってセルの厚さの均一化を図ることが難し
いため、高精細な大型のパネルの製作は困難であった。 【解決手段】 液晶表示装置の製造方法において、シー
ル剤２１を塗布して基板１１，１２同志を張り合わせた
後、そのシール剤２１を硬化させる際に、セルの厚さ分
布を測定し、その測定したセルの厚さ分布に対応させて
セルの厚さＴが均一になるような変形力Ｆａ，Ｆａ’
（またはＦｂ，Ｆｂ’）を基板１１，１２に与えながら
シール剤２１を硬化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置のセルの厚さを制御する方
法には、基板の全面にわたってスペーサを散布する方
法、およびシール剤中にスペーサを混入する方法が開
示されている。そして近年では、直視型液晶表示デバイ
ス（以下、液晶表示デバイスをＬＣＤという、ＬＣＤは
Liquid Crystal Device の略）やプロジェクタ用ＬＣＤ
の高精細化、すなわち表示素子の微細化が進んでいる。
法には、基板の全面にわたってスペーサを散布する方
法、およびシール剤中にスペーサを混入する方法が開
示されている。そして近年では、直視型液晶表示デバイ
ス（以下、液晶表示デバイスをＬＣＤという、ＬＣＤは
Liquid Crystal Device の略）やプロジェクタ用ＬＣＤ
の高精細化、すなわち表示素子の微細化が進んでいる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、基板上の全面にわたってスペーサを散布する
方法では、微細な画素上にスペーサが存在すると表示欠
陥の原因になる。
ように、基板上の全面にわたってスペーサを散布する
方法では、微細な画素上にスペーサが存在すると表示欠
陥の原因になる。
【０００４】またシール剤中にスペーサを混入する方
法では、図８に示すように、基板１１１に形成された表
示画素１０１の周囲におけるこの基板１１１上にシール
剤１２１を塗布する。そして図９に示すように、シール
剤１２１中のスペーサ１３１によって、基板１１１，１
２１間の間隔、すなわちセルの厚さＴが決定される。そ
のため、小型ＬＣＤでは問題とはならない基板の反り
が、パネルサイズが大きくなればなるほど基板の反りに
よって、セル中央部付近におけるセルの厚さＴの制御が
困難になる。すなわち図１０に示すように、シール剤１
２１を塗布した付近のセル厚Ｔ1 はスペーサ（図示省
略）の径とほぼ同等になるが、スペーサが混入されてい
るシール剤１２１から離れているセル中央付近のセル厚
Ｔ2 は、基板１１１，１１２の反りによって、スペーサ
の径よりも大きくなるかあるいは小さくなる。なお、基
板１１１，１１２は片面のみに複数層の薄膜が形成され
るために反り易くなる。
法では、図８に示すように、基板１１１に形成された表
示画素１０１の周囲におけるこの基板１１１上にシール
剤１２１を塗布する。そして図９に示すように、シール
剤１２１中のスペーサ１３１によって、基板１１１，１
２１間の間隔、すなわちセルの厚さＴが決定される。そ
のため、小型ＬＣＤでは問題とはならない基板の反り
が、パネルサイズが大きくなればなるほど基板の反りに
よって、セル中央部付近におけるセルの厚さＴの制御が
困難になる。すなわち図１０に示すように、シール剤１
２１を塗布した付近のセル厚Ｔ1 はスペーサ（図示省
略）の径とほぼ同等になるが、スペーサが混入されてい
るシール剤１２１から離れているセル中央付近のセル厚
Ｔ2 は、基板１１１，１１２の反りによって、スペーサ
の径よりも大きくなるかあるいは小さくなる。なお、基
板１１１，１１２は片面のみに複数層の薄膜が形成され
るために反り易くなる。
【０００５】本発明は、シール剤中にスペーサを混入さ
せる方法を用いてセルの厚さの制御を行う際に、従来で
は制御が困難であったセル中央付近のセル厚の制御を可
能にし、また基板上の全面にわたってスペーサを散布す
る方法が使用できないような高精細ＬＣＤのセル厚の制
御を可能にすることを目的とする。
せる方法を用いてセルの厚さの制御を行う際に、従来で
は制御が困難であったセル中央付近のセル厚の制御を可
能にし、また基板上の全面にわたってスペーサを散布す
る方法が使用できないような高精細ＬＣＤのセル厚の制
御を可能にすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた液晶表示装置の製造方法である。
第１の液晶表示装置の製造方法は、シール剤を塗布して
基板同志を張り合わせる際に、セルの厚さ分布を測定
し、その測定したセルの厚さ分布に対応させて、セルの
厚さが均一になるような変形力を基板に与えながらシー
ル剤の全体を硬化させる。上記セルの厚さ分布の測定
は、シール剤の一部分を硬化させてから行う。
成するためになされた液晶表示装置の製造方法である。
第１の液晶表示装置の製造方法は、シール剤を塗布して
基板同志を張り合わせる際に、セルの厚さ分布を測定
し、その測定したセルの厚さ分布に対応させて、セルの
厚さが均一になるような変形力を基板に与えながらシー
ル剤の全体を硬化させる。上記セルの厚さ分布の測定
は、シール剤の一部分を硬化させてから行う。
【０００７】上記第１の液晶表示装置の製造方法では、
測定したセルの厚さ分布に対応させて、セルの厚さ分布
が均一になるような変形力を基板に与えながらシール剤
を硬化させることから、基板はシール剤によって接着さ
れ、基板間で決定されるセルの厚さはセルの全面にわた
ってほぼ均一な状態になる。また、シール剤の一部分を
硬化させてからセルの厚さ分布を測定する方法では、例
えば基板の全面に荷重をかけた状態で、シール剤の一部
分が硬化されて、基板同志がシール剤によって仮止めさ
れた状態になる。そのため、基板に荷重をかけることに
よってセルの厚さは変化させられる。その後、セルの厚
さ分布を測定してから、セルの厚さが均一になるような
荷重をかけてシール剤を硬化させるため、セルの厚さは
ほぼ均一な厚さになる。
測定したセルの厚さ分布に対応させて、セルの厚さ分布
が均一になるような変形力を基板に与えながらシール剤
を硬化させることから、基板はシール剤によって接着さ
れ、基板間で決定されるセルの厚さはセルの全面にわた
ってほぼ均一な状態になる。また、シール剤の一部分を
硬化させてからセルの厚さ分布を測定する方法では、例
えば基板の全面に荷重をかけた状態で、シール剤の一部
分が硬化されて、基板同志がシール剤によって仮止めさ
れた状態になる。そのため、基板に荷重をかけることに
よってセルの厚さは変化させられる。その後、セルの厚
さ分布を測定してから、セルの厚さが均一になるような
荷重をかけてシール剤を硬化させるため、セルの厚さは
ほぼ均一な厚さになる。
【０００８】第２の液晶表示装置の製造方法は、セルに
液晶を充填した後、セルの厚さ分布を測定し、その測定
したセルの厚さ分布に対応させてセルの厚さが均一にな
るような変形力を基板に与えながら液晶注入口を封止す
る。
液晶を充填した後、セルの厚さ分布を測定し、その測定
したセルの厚さ分布に対応させてセルの厚さが均一にな
るような変形力を基板に与えながら液晶注入口を封止す
る。
【０００９】第２の液晶表示装置の製造方法では、測定
したセルの厚さ分布に対応させてセルの厚さが均一にな
るような変形力を基板に与えながら液晶注入口を封止す
ることから、基板はセルに充填される液晶の張力によっ
て均一な間隔に保持され、基板間隔で決定されるセルの
厚さはセルの全面にわたってほぼ均一になる。
したセルの厚さ分布に対応させてセルの厚さが均一にな
るような変形力を基板に与えながら液晶注入口を封止す
ることから、基板はセルに充填される液晶の張力によっ
て均一な間隔に保持され、基板間隔で決定されるセルの
厚さはセルの全面にわたってほぼ均一になる。
【００１０】また上記第１の液晶表示装置の製造方法に
おいて、上記第２の液晶表示装置の製造方法を行っても
よい。その場合には、シール剤の硬化時にセルの厚さが
十分に補正されなくても、液晶注入口を封止する際にセ
ルの厚さが補正される。
おいて、上記第２の液晶表示装置の製造方法を行っても
よい。その場合には、シール剤の硬化時にセルの厚さが
十分に補正されなくても、液晶注入口を封止する際にセ
ルの厚さが補正される。
【００１１】第３の液晶表示装置の製造方法は、第１の
ガラス基板と、この第１のガラス基板より熱膨張率が小
さく撓み易い第２のガラス基板とを用い、加熱によって
第１のガラス基板と第２のガラス基板とを接着するため
の接着剤を硬化させる際に、第１のガラス基板側に第２
のガラス基板を相対的に引き寄せることで、セルの厚さ
の均一化を図る。
ガラス基板と、この第１のガラス基板より熱膨張率が小
さく撓み易い第２のガラス基板とを用い、加熱によって
第１のガラス基板と第２のガラス基板とを接着するため
の接着剤を硬化させる際に、第１のガラス基板側に第２
のガラス基板を相対的に引き寄せることで、セルの厚さ
の均一化を図る。
【００１２】上記第３の液晶表示装置の製造方法では、
第１のガラス基板と、この第１のガラス基板より熱膨張
率が小さく撓み易い第２のガラス基板とを用いているた
め、加熱によって、熱膨張率が大きい第１のガラス基板
は接着剤を介して熱膨張率が小さい第２のガラス基板を
外側に引っ張るようになる。そのため、第２のガラス基
板は伸ばされる状態になり、その撓み量の減少量は第１
のガラス基板の新たなる撓みの増加量よりも多くなる。
そのため、第２のガラス基板は相対的に第１のガラス基
板側に引き寄せられたことになるので、セルの厚さは小
さくなる。
第１のガラス基板と、この第１のガラス基板より熱膨張
率が小さく撓み易い第２のガラス基板とを用いているた
め、加熱によって、熱膨張率が大きい第１のガラス基板
は接着剤を介して熱膨張率が小さい第２のガラス基板を
外側に引っ張るようになる。そのため、第２のガラス基
板は伸ばされる状態になり、その撓み量の減少量は第１
のガラス基板の新たなる撓みの増加量よりも多くなる。
そのため、第２のガラス基板は相対的に第１のガラス基
板側に引き寄せられたことになるので、セルの厚さは小
さくなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】第１の発明に係わる実施形態の一
例を、図１の製造工程図によって説明する。図面では、
適宜、断面図の他に平面図を示す。
例を、図１の製造工程図によって説明する。図面では、
適宜、断面図の他に平面図を示す。
【００１４】液晶表示装置の製造方法において、空セル
状態におけるセルの厚さＴの制御を、ＬＣＤの製造プロ
セスにおけるシール剤の硬化工程で行う。まず、図１の
（１）に示すように、シール剤２１（破線で示す部分）
を塗布した基板１１および基板１２同志を貼り合わせ
る。上記シール剤２１には、例えば紫外線硬化樹脂と熱
硬化樹脂とを混ぜ合わせたものを用いる。そして基板１
１，１２同志を貼り合わせる際に、塗布したシール剤２
１の全体ではなく、シール剤２１に対して、例えば紫外
線をスポット的に照射し、その照射部分２１ａ（破線の
斜線で示す部分）を硬化させる。ここでは、一例として
４か所に紫外線を照射した。このようにして部分的にシ
ール剤２１を硬化させることによって、基板１１および
基板１２同志の仮止めを行う。
状態におけるセルの厚さＴの制御を、ＬＣＤの製造プロ
セスにおけるシール剤の硬化工程で行う。まず、図１の
（１）に示すように、シール剤２１（破線で示す部分）
を塗布した基板１１および基板１２同志を貼り合わせ
る。上記シール剤２１には、例えば紫外線硬化樹脂と熱
硬化樹脂とを混ぜ合わせたものを用いる。そして基板１
１，１２同志を貼り合わせる際に、塗布したシール剤２
１の全体ではなく、シール剤２１に対して、例えば紫外
線をスポット的に照射し、その照射部分２１ａ（破線の
斜線で示す部分）を硬化させる。ここでは、一例として
４か所に紫外線を照射した。このようにして部分的にシ
ール剤２１を硬化させることによって、基板１１および
基板１２同志の仮止めを行う。
【００１５】次に図１の（２）に示すように、セルの厚
さ分布を測定する。この測定は、例えばナトリウム（Ｎ
ａ）ランプ光（Ｄ線：波長λ＝５８９．３ｎｍ）を基板
１２側から照射して、基板１２の表面に生じる干渉縞
（ニュートンリング）Ｎの数によって簡易的に行うこと
が可能である。
さ分布を測定する。この測定は、例えばナトリウム（Ｎ
ａ）ランプ光（Ｄ線：波長λ＝５８９．３ｎｍ）を基板
１２側から照射して、基板１２の表面に生じる干渉縞
（ニュートンリング）Ｎの数によって簡易的に行うこと
が可能である。
【００１６】続いて図１の（３）に示すように、測定し
たセルの厚さ分布が所望の厚さ分布よりもばらついてい
て、セルの中央部がセルの周辺部よりも厚い場合には、
基板１１および基板１２に矢印で示す変形力Ｆａ，Ｆ
ａ’なる加圧力を与える。
たセルの厚さ分布が所望の厚さ分布よりもばらついてい
て、セルの中央部がセルの周辺部よりも厚い場合には、
基板１１および基板１２に矢印で示す変形力Ｆａ，Ｆ
ａ’なる加圧力を与える。
【００１７】一方、測定したセルの厚さ分布が所望の厚
さ分布よりもばらついていて、上記図の（１），（２）
に示したのとは反対側に各基板１１，１２が反っている
ときには、図１の（４）に示すように、基板１１および
基板１２に矢印で示す変形力Ｆｂ，Ｆｂ’なる吸引力を
与えて基板１１，１２を引っ張る。
さ分布よりもばらついていて、上記図の（１），（２）
に示したのとは反対側に各基板１１，１２が反っている
ときには、図１の（４）に示すように、基板１１および
基板１２に矢印で示す変形力Ｆｂ，Ｆｂ’なる吸引力を
与えて基板１１，１２を引っ張る。
【００１８】そして上記のように基板１１，１２に変形
力を与えた状態で、例えば紫外線をシール剤２１に照射
して、シール剤２１（破線の斜線で示す部分）の未硬化
部分を硬化させる。その後、焼成処理を行って、さらに
シール剤２１を硬化させる。
力を与えた状態で、例えば紫外線をシール剤２１に照射
して、シール剤２１（破線の斜線で示す部分）の未硬化
部分を硬化させる。その後、焼成処理を行って、さらに
シール剤２１を硬化させる。
【００１９】その結果、図１の（５）に示すように、、
セルの厚さＴが全面にわたってほぼ均一な状態で、基板
１１および基板１２はシール剤２１によって接着され
る。
セルの厚さＴが全面にわたってほぼ均一な状態で、基板
１１および基板１２はシール剤２１によって接着され
る。
【００２０】上記のように、セルの厚さ分布に対応し
て、基板１１，１２に変形力を加えることから、基板１
１，１２間で決定されるセルの厚さＴはセルの全面にわ
たってほぼ均一な状態になる。
て、基板１１，１２に変形力を加えることから、基板１
１，１２間で決定されるセルの厚さＴはセルの全面にわ
たってほぼ均一な状態になる。
【００２１】上記基板１１，１２で構成されるパネルに
加える変形力Ｆａ，Ｆａ’または変形力Ｆｂ，Ｆｂ’と
セルの厚さＴの変化量との関係は、事前に測定してお
く。そして個々のＬＣＤパネルに対して最適な変形力を
加えることで、個々のセルの厚さのばらつきは抑えられ
る。例えば、セルの厚さの変化量と、変形力、すなわち
基板１１，１２にかける荷重との関係を求めておく。
加える変形力Ｆａ，Ｆａ’または変形力Ｆｂ，Ｆｂ’と
セルの厚さＴの変化量との関係は、事前に測定してお
く。そして個々のＬＣＤパネルに対して最適な変形力を
加えることで、個々のセルの厚さのばらつきは抑えられ
る。例えば、セルの厚さの変化量と、変形力、すなわち
基板１１，１２にかける荷重との関係を求めておく。
【００２２】図２は、セルの厚さが６．０μｍになるよ
うに２．０インチ角の液晶表示装置のパネルを製作する
場合を示すものである。この図２に示すように、セルの
厚さの変化量と荷重とはほぼ比例関係になっていること
がわかる。この関係に基づいて、干渉縞から求まる基板
１１，１２の変形量に対応した荷重（変形力）を求める
ことができる。なお、上記セルの厚さの変化量と荷重と
の関係は、当然のことながら、基板の大きさ、基板の厚
さ、基板の材質等によって変化する。そのため、セルの
厚さの変化量と荷重との関係は、同様の大きさ、厚さ、
材質の基板に対して求めることができる。
うに２．０インチ角の液晶表示装置のパネルを製作する
場合を示すものである。この図２に示すように、セルの
厚さの変化量と荷重とはほぼ比例関係になっていること
がわかる。この関係に基づいて、干渉縞から求まる基板
１１，１２の変形量に対応した荷重（変形力）を求める
ことができる。なお、上記セルの厚さの変化量と荷重と
の関係は、当然のことながら、基板の大きさ、基板の厚
さ、基板の材質等によって変化する。そのため、セルの
厚さの変化量と荷重との関係は、同様の大きさ、厚さ、
材質の基板に対して求めることができる。
【００２３】また、シール剤２１の一部分を硬化させて
からセルの厚さＴを測定する方法では、例えば基板１
１，１２の全面に荷重をかけた状態で、シール剤２１の
一部分が硬化されて、基板１１，１２同志がシール剤２
１によって仮止めされた状態になる。そのため、基板１
１，１２に荷重をかけることによってセルの厚さＴは変
化させられる。その後、セルの厚さＴを測定してから、
セルの厚さＴが均一になるような荷重をかけてシール剤
を硬化させるため、セルの厚さＴはほぼ均一な厚さにな
る。
からセルの厚さＴを測定する方法では、例えば基板１
１，１２の全面に荷重をかけた状態で、シール剤２１の
一部分が硬化されて、基板１１，１２同志がシール剤２
１によって仮止めされた状態になる。そのため、基板１
１，１２に荷重をかけることによってセルの厚さＴは変
化させられる。その後、セルの厚さＴを測定してから、
セルの厚さＴが均一になるような荷重をかけてシール剤
を硬化させるため、セルの厚さＴはほぼ均一な厚さにな
る。
【００２４】次に第２の発明に係わる実施形態の一例
を、図３の製造工程図によって説明する。図面では、適
宜、断面図の他に平面図を示す。
を、図３の製造工程図によって説明する。図面では、適
宜、断面図の他に平面図を示す。
【００２５】液晶表示装置の製造方法において、液晶を
充填した後にセルの厚さの制御を液晶の注入口の封止工
程で行う。まず、図３の（１）に示すように、基板１１
および基板１２間のセル領域に液晶５１を充填する。
充填した後にセルの厚さの制御を液晶の注入口の封止工
程で行う。まず、図３の（１）に示すように、基板１１
および基板１２間のセル領域に液晶５１を充填する。
【００２６】その後図３の（２）に示すように、セルの
厚さ分布を、前記図１によって説明したのと同様にして
測定する。すなわち、例えばナトリウムランプ光（Ｄ
線：波長λ＝５８９．３ｎｍ）を基板１２側から照射し
て、基板１２の表面に生じる干渉縞（ニュートンリン
グ）Ｎの数によって簡易的に測定する。
厚さ分布を、前記図１によって説明したのと同様にして
測定する。すなわち、例えばナトリウムランプ光（Ｄ
線：波長λ＝５８９．３ｎｍ）を基板１２側から照射し
て、基板１２の表面に生じる干渉縞（ニュートンリン
グ）Ｎの数によって簡易的に測定する。
【００２７】続いて図３の（３）に示すように、測定し
たセルの厚さ分布が所望の厚さ分布よりもばらついてい
て、セルの中央部がセルの周辺部よりも厚い場合には、
基板１１および基板１２に矢印で示す変形力Ｆａ，Ｆ
ａ’なる加圧力を与える。
たセルの厚さ分布が所望の厚さ分布よりもばらついてい
て、セルの中央部がセルの周辺部よりも厚い場合には、
基板１１および基板１２に矢印で示す変形力Ｆａ，Ｆ
ａ’なる加圧力を与える。
【００２８】一方、測定したセルの厚さ分布が所望の厚
さ分布よりもばらついていて、上記図３の（１），
（２）に示したのとは反対側に各基板１１，１２が反っ
ているときには、図３の（４）に示すように、基板１１
および基板１２に矢印で示す変形力Ｆｂ，Ｆｂ’なる吸
引力を与えて基板１１，１２を引っ張る。そして上記の
ように基板１１，１２に変形力を与えた状態で、液晶注
入口（図示省略）を封止する。
さ分布よりもばらついていて、上記図３の（１），
（２）に示したのとは反対側に各基板１１，１２が反っ
ているときには、図３の（４）に示すように、基板１１
および基板１２に矢印で示す変形力Ｆｂ，Ｆｂ’なる吸
引力を与えて基板１１，１２を引っ張る。そして上記の
ように基板１１，１２に変形力を与えた状態で、液晶注
入口（図示省略）を封止する。
【００２９】その結果、図３の（５）に示すように、、
基板１１，１２間で形成されるセルの厚さＴが全面にわ
たってほぼ均一な状態で液晶注入口は封止される。
基板１１，１２間で形成されるセルの厚さＴが全面にわ
たってほぼ均一な状態で液晶注入口は封止される。
【００３０】このように液晶注入口を封止することによ
って、最終的なセルの厚さ分布は最適値になる。すなわ
ち、前記第１の発明に係わる実施形態で説明したよう
に、基板１１，１２を貼り合わせるとともにセルの厚さ
分布の補正を行った際に、その補正が十分にできない場
合であっても、上記第２の発明に係わる実施形態で説明
したようにすればセルの厚さ分布を補正することが可能
になる。
って、最終的なセルの厚さ分布は最適値になる。すなわ
ち、前記第１の発明に係わる実施形態で説明したよう
に、基板１１，１２を貼り合わせるとともにセルの厚さ
分布の補正を行った際に、その補正が十分にできない場
合であっても、上記第２の発明に係わる実施形態で説明
したようにすればセルの厚さ分布を補正することが可能
になる。
【００３１】次に第３の発明に係わる実施形態の一例
を、図４の製造工程図によって説明する。
を、図４の製造工程図によって説明する。
【００３２】図４の（１）に示すように、接着剤２２を
塗布した第１のガラス基板３１および第２のガラス基板
３２同志を貼り合わせる。上記第２のガラス基板３２
と、上記第１のガラス基板３１より熱膨張率が小さく撓
み易い性質を有している。また上記接着剤２２には、例
えば熱硬化樹脂を含むものを用いる。
塗布した第１のガラス基板３１および第２のガラス基板
３２同志を貼り合わせる。上記第２のガラス基板３２
と、上記第１のガラス基板３１より熱膨張率が小さく撓
み易い性質を有している。また上記接着剤２２には、例
えば熱硬化樹脂を含むものを用いる。
【００３３】そして図４の（２）に示すように、第１，
第２のガラス基板３１，３２を加熱することによって、
上記接着剤２２を硬化させる。その際、第２のガラス基
板３２は、第１のガラス基板３１より熱膨張率が小さく
撓み易い性質を有しているので、第１のガラス基板３１
は第２のガラス基板３２よりも膨張（矢印ア，ア’方向
に膨張）して加熱前の状態（２点鎖線で示す状態）より
も伸びる。一方、第２のガラス基板３２は加熱前の状態
（１点鎖線で示す状態）よりも相対的に第１のガラス基
板３１側（矢印イ方向側）に引き寄せられる。
第２のガラス基板３１，３２を加熱することによって、
上記接着剤２２を硬化させる。その際、第２のガラス基
板３２は、第１のガラス基板３１より熱膨張率が小さく
撓み易い性質を有しているので、第１のガラス基板３１
は第２のガラス基板３２よりも膨張（矢印ア，ア’方向
に膨張）して加熱前の状態（２点鎖線で示す状態）より
も伸びる。一方、第２のガラス基板３２は加熱前の状態
（１点鎖線で示す状態）よりも相対的に第１のガラス基
板３１側（矢印イ方向側）に引き寄せられる。
【００３４】次に一例として、液晶表示装置の製造方法
において、シール剤の硬化工程で、空セル状態における
セルの厚さＴの制御を行う場合を、以下に説明する。こ
こでは、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという、ＴＦＴ
はThin Film Toransistor の略）基板４１に上記第１の
ガラス基板（３１）を用い、カラーフィルタ基板４２に
上記第２のガラス基板（３２）を用いた。
において、シール剤の硬化工程で、空セル状態における
セルの厚さＴの制御を行う場合を、以下に説明する。こ
こでは、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという、ＴＦＴ
はThin Film Toransistor の略）基板４１に上記第１の
ガラス基板（３１）を用い、カラーフィルタ基板４２に
上記第２のガラス基板（３２）を用いた。
【００３５】まず図５に示すように、ＴＦＴ基板４１は
板ガラス４３の片面にトランジスタ等の素子を形成する
ための複数層の膜４４が形成されているため、一般的に
膜４４の形成面側に反っている。同様にカラーフィルタ
基板４２も板ガラス４５の片面にカラーフィルタを形成
するための複数層の膜４６が形成されているため、一般
的に膜４６の形成面側に反っている。したがって、ＴＦ
Ｔ基板４１とカラーフィルタ基板４２とをシール剤２１
を用いて貼り合わせた時に、セルの厚さＴの制御が十分
にできない場合には、ＴＦＴ基板４１とカラーフィルタ
基板４２との間隔で決まるセルの厚さＴにむらが生じ
る。このようにむらが生じるような場合には、ガラスの
熱膨張率の違いを利用することによって、セルの厚さＴ
の制御が可能になる。すなわち、熱膨張率の異なるガラ
ス基板を、ＴＦＴ基板４１とカラーフィルタ基板４２と
に使用する。
板ガラス４３の片面にトランジスタ等の素子を形成する
ための複数層の膜４４が形成されているため、一般的に
膜４４の形成面側に反っている。同様にカラーフィルタ
基板４２も板ガラス４５の片面にカラーフィルタを形成
するための複数層の膜４６が形成されているため、一般
的に膜４６の形成面側に反っている。したがって、ＴＦ
Ｔ基板４１とカラーフィルタ基板４２とをシール剤２１
を用いて貼り合わせた時に、セルの厚さＴの制御が十分
にできない場合には、ＴＦＴ基板４１とカラーフィルタ
基板４２との間隔で決まるセルの厚さＴにむらが生じ
る。このようにむらが生じるような場合には、ガラスの
熱膨張率の違いを利用することによって、セルの厚さＴ
の制御が可能になる。すなわち、熱膨張率の異なるガラ
ス基板を、ＴＦＴ基板４１とカラーフィルタ基板４２と
に使用する。
【００３６】例えば、ＴＦＴ基板４１にＡなる熱膨張率
を有するガラス基板を用い、カラーフィルタ基板４２に
Ｂなる熱膨張率を有するガラス基板を用いる。ここで、
上記熱膨張率はＡ＞Ｂなる関係を有する。また、ＴＦＴ
基板４１に用いるガラス基板よりもカラーフィルタ基板
４２に用いるガラス基板のほうが撓み易い性質を有して
いる。上記のような性質を有するガラス基板として、例
えばＴＦＴ基板４１には石英ガラス基板を用い、カラー
フィルタ基板４２には結晶化ガラス基板を用いる。結晶
化ガラスの一例としては、例えばネオセラムと呼ばれる
ものがある。このネオセラムは、加熱すると収縮すると
いう特徴的な性質を有するガラスである。なお、本発明
は、ネオセラムに限定されるものではなく、上記性質を
有するガラスもしくは結晶化ガラスであればよい。
を有するガラス基板を用い、カラーフィルタ基板４２に
Ｂなる熱膨張率を有するガラス基板を用いる。ここで、
上記熱膨張率はＡ＞Ｂなる関係を有する。また、ＴＦＴ
基板４１に用いるガラス基板よりもカラーフィルタ基板
４２に用いるガラス基板のほうが撓み易い性質を有して
いる。上記のような性質を有するガラス基板として、例
えばＴＦＴ基板４１には石英ガラス基板を用い、カラー
フィルタ基板４２には結晶化ガラス基板を用いる。結晶
化ガラスの一例としては、例えばネオセラムと呼ばれる
ものがある。このネオセラムは、加熱すると収縮すると
いう特徴的な性質を有するガラスである。なお、本発明
は、ネオセラムに限定されるものではなく、上記性質を
有するガラスもしくは結晶化ガラスであればよい。
【００３７】まず図６の（１）に示すように、スペーサ
（図示省略）を混入したシール剤２１を塗布してＴＦＴ
基板４１とカラーフィルタ基板４２とを貼り合わせた
後、シール剤２１を硬化させるためにＴＦＴ基板４１と
カラーフィルタ基板４２とを加熱する。この加熱では温
度上昇を急激に行うことにより、焼成後のパネル中央部
のセルの厚さは焼成前よりも狭くなる。このように上記
シール剤２１は接着剤として作用するものである。
（図示省略）を混入したシール剤２１を塗布してＴＦＴ
基板４１とカラーフィルタ基板４２とを貼り合わせた
後、シール剤２１を硬化させるためにＴＦＴ基板４１と
カラーフィルタ基板４２とを加熱する。この加熱では温
度上昇を急激に行うことにより、焼成後のパネル中央部
のセルの厚さは焼成前よりも狭くなる。このように上記
シール剤２１は接着剤として作用するものである。
【００３８】その結果を図６の（２）に示す。この図に
示すように、セルの厚さは制御される。すなわち、加熱
によって、カラーフィルタ基板４２は、ＴＦＴ基板４１
より熱膨張率が小さく撓み易い性質を有しているので、
ＴＦＴ基板４１はカラーフィルタ基板４２よりも膨張
（矢印ウ，ウ’方向に膨張）して加熱前の状態（２点鎖
線で示す状態）よりも伸びる。一方、カラーフィルタ基
板４２は加熱前の状態（１点鎖線で示す状態）よりも相
対的にＴＦＴ基板４１側（矢印エ方向側）に引き寄せら
れる。そのため、セル中央部の厚さは、加熱前よりも小
さくなり、セルの厚さＴが全面にわたって均一になる方
向に改善される。
示すように、セルの厚さは制御される。すなわち、加熱
によって、カラーフィルタ基板４２は、ＴＦＴ基板４１
より熱膨張率が小さく撓み易い性質を有しているので、
ＴＦＴ基板４１はカラーフィルタ基板４２よりも膨張
（矢印ウ，ウ’方向に膨張）して加熱前の状態（２点鎖
線で示す状態）よりも伸びる。一方、カラーフィルタ基
板４２は加熱前の状態（１点鎖線で示す状態）よりも相
対的にＴＦＴ基板４１側（矢印エ方向側）に引き寄せら
れる。そのため、セル中央部の厚さは、加熱前よりも小
さくなり、セルの厚さＴが全面にわたって均一になる方
向に改善される。
【００３９】ここで上記加熱プロセスを、図７によって
簡単に説明する。なお図７の縦軸は加熱温度を示し、そ
の横軸は加熱時間を示す。
簡単に説明する。なお図７の縦軸は加熱温度を示し、そ
の横軸は加熱時間を示す。
【００４０】図７の破線で示すように、温度上昇を緩や
かに行うと焼成前後でのパネル中央部のセルの厚さに大
きな差は生じない。しかし図７の実線で示すように、温
度上昇を急激に行うと焼成後のパネル中央部のセルの厚
さは焼成前よりも狭くなることがわかった。そのため、
ＴＦＴ基板４１およびカラーフィルタ基板４２に対して
熱損傷を起こさない範囲で急速加熱することが好まし
い。
かに行うと焼成前後でのパネル中央部のセルの厚さに大
きな差は生じない。しかし図７の実線で示すように、温
度上昇を急激に行うと焼成後のパネル中央部のセルの厚
さは焼成前よりも狭くなることがわかった。そのため、
ＴＦＴ基板４１およびカラーフィルタ基板４２に対して
熱損傷を起こさない範囲で急速加熱することが好まし
い。
【００４１】
【発明の効果】以上、説明したように第１の発明によれ
ば、測定したセルの厚さ分布に対応させて、セルの厚さ
分布が均一になるような変形力を基板に与えながらシー
ル剤を硬化させるので、シール剤によって基板同志を接
着できるとともに、基板間で決定されるセルの厚さをセ
ルの全面にわたってほぼ均一な状態にできる。第２の発
明によれば、セルに液晶を充填した後に測定したセルの
厚さ分布に対応させて、セルの厚さ分布が均一になるよ
うな変形力を基板に与えながら液晶注入口を封止するの
で、基板は均一な間隔に保持され、基板間隔で決定され
るセルの厚さはセルの全面にわたってほぼ均一な状態に
できる。第３の発明によれば、第１のガラス基板と、こ
の第１のガラス基板より熱膨張率が小さく撓み易い第２
のガラス基板とを用いているので、加熱による熱膨張率
の差によって、第２のガラス基板を第１のガラス基板側
に相対的に引き寄せることができる。そのため、セルの
厚さ分布を均一な状態に近づけることが可能になる。よ
って、セルを形成した後であっても、セル厚の制御が可
能になるので、歩留りの向上が図れる。また表示部領域
にスペーサを散布せず、セル厚を均一にすることが可能
になるので、高精細ＬＣＤにおけるスペーサによる画質
品位の低下が起きない。
ば、測定したセルの厚さ分布に対応させて、セルの厚さ
分布が均一になるような変形力を基板に与えながらシー
ル剤を硬化させるので、シール剤によって基板同志を接
着できるとともに、基板間で決定されるセルの厚さをセ
ルの全面にわたってほぼ均一な状態にできる。第２の発
明によれば、セルに液晶を充填した後に測定したセルの
厚さ分布に対応させて、セルの厚さ分布が均一になるよ
うな変形力を基板に与えながら液晶注入口を封止するの
で、基板は均一な間隔に保持され、基板間隔で決定され
るセルの厚さはセルの全面にわたってほぼ均一な状態に
できる。第３の発明によれば、第１のガラス基板と、こ
の第１のガラス基板より熱膨張率が小さく撓み易い第２
のガラス基板とを用いているので、加熱による熱膨張率
の差によって、第２のガラス基板を第１のガラス基板側
に相対的に引き寄せることができる。そのため、セルの
厚さ分布を均一な状態に近づけることが可能になる。よ
って、セルを形成した後であっても、セル厚の制御が可
能になるので、歩留りの向上が図れる。また表示部領域
にスペーサを散布せず、セル厚を均一にすることが可能
になるので、高精細ＬＣＤにおけるスペーサによる画質
品位の低下が起きない。
【図１】第１の発明の実施形態に係わる製造工程図であ
る。
る。
【図２】セルの厚さと荷重との関係図である。
【図３】第２の発明の実施形態に係わる製造工程図であ
る。
る。
【図４】第３の発明の実施形態に係わる製造工程図であ
る。
る。
【図５】ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板の説明図であ
る。
る。
【図６】セルの厚さの制御方法の説明図である。
【図７】加熱プロセスの説明図である。
【図８】シール剤の塗布の説明図である。
【図９】スペーサの作用の説明図である。
【図１０】課題の説明図である。
１１ 基板 １２ 基板 ２１ シール剤 Ｔ セルの厚さ Ｆａ，Ｆａ’ 変形力
Claims (6)
- 【請求項１】 液晶表示装置の製造方法において、 シール剤を塗布して基板同志を張り合わせる際に、セル
の厚さ分布を測定し、該測定したセルの厚さ分布に対応
させて該セルの厚さが均一になるような変形力を基板に
与えながらシール剤を硬化させることを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の液晶表示装置の製造方法
において、 シール剤を塗布して基板同志を張り合わせる際に、シー
ル剤の一部分を硬化させてからセルの厚さ分布を測定
し、該測定したセルの厚さ分布に対応させて前記セルの
厚さが均一になるような変形力を基板に与えながらシー
ル剤を硬化させることを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項３】 液晶表示装置の製造方法において、 セルに液晶を充填した後、セルの厚さ分布を測定し、該
測定したセルの厚さ分布に対応させて該セルの厚さが均
一になるような変形力を基板に与えながら液晶注入口を
封止することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の液晶表示装置の製造方法
において、 セルに液晶を充填した後、セルの厚さ分布を測定し、該
測定したセルの厚さ分布に対応させて該セルの厚さが均
一になるような変形力を基板に与えながら液晶注入口を
封止することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項２記載の液晶表示装置の製造方法
において、 セルに液晶を充填した後、セルの厚さ分布を測定し、該
測定したセルの厚さ分布に対応させて該セルの厚さが均
一になるような変形力を基板に与えながら液晶注入口を
封止することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 第１のガラス基板と、 前記第１のガラス基板より熱膨張率が小さく撓み易い第
２のガラス基板とを用い、 加熱によって前記第１のガラス基板と前記第２のガラス
基板とを間隔を置いて接着するための接着剤を硬化させ
る際に、該第１のガラス基板側に該第２のガラス基板を
相対的に引き寄せることを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32341595A JP3331842B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32341595A JP3331842B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09160055A true JPH09160055A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3331842B2 JP3331842B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=18154446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32341595A Expired - Fee Related JP3331842B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3331842B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005049744A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Nec Corp | 液晶表示装置及び液晶プロジェクタ |
-
1995
- 1995-12-13 JP JP32341595A patent/JP3331842B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005049744A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Nec Corp | 液晶表示装置及び液晶プロジェクタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3331842B2 (ja) | 2002-10-07 |
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