JP3331842B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JP3331842B2 JP3331842B2 JP32341595A JP32341595A JP3331842B2 JP 3331842 B2 JP3331842 B2 JP 3331842B2 JP 32341595 A JP32341595 A JP 32341595A JP 32341595 A JP32341595 A JP 32341595A JP 3331842 B2 JP3331842 B2 JP 3331842B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置のセルの厚さを制御する方
法には、基板の全面にわたってスペーサを散布する方
法、およびシール剤中にスペーサを混入する方法が開
示されている。そして近年では、直視型液晶表示デバイ
ス（以下、液晶表示デバイスをＬＣＤという、ＬＣＤは
Liquid Crystal Device の略）やプロジェクタ用ＬＣＤ
の高精細化、すなわち表示素子の微細化が進んでいる。
法には、基板の全面にわたってスペーサを散布する方
法、およびシール剤中にスペーサを混入する方法が開
示されている。そして近年では、直視型液晶表示デバイ
ス（以下、液晶表示デバイスをＬＣＤという、ＬＣＤは
Liquid Crystal Device の略）やプロジェクタ用ＬＣＤ
の高精細化、すなわち表示素子の微細化が進んでいる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、基板上の全面にわたってスペーサを散布する
方法では、微細な画素上にスペーサが存在すると表示欠
陥の原因になる。
ように、基板上の全面にわたってスペーサを散布する
方法では、微細な画素上にスペーサが存在すると表示欠
陥の原因になる。
【０００４】またシール剤中にスペーサを混入する方
法では、図５に示すように、基板１１１に形成された表
示画素１０１の周囲におけるこの基板１１１上にシール
剤１２１を塗布する。そして図６に示すように、シール
剤１２１中のスペーサ１３１によって、基板１１１，１
２１間の間隔、すなわちセルの厚さＴが決定される。そ
のため、小型ＬＣＤでは問題とはならない基板の反り
が、パネルサイズが大きくなればなるほど基板の反りに
よって、セル中央部付近におけるセルの厚さＴの制御が
困難になる。すなわち図７に示すように、シール剤１２
１を塗布した付近のセル厚Ｔ1 はスペーサ（図示省略）
の径とほぼ同等になるが、スペーサが混入されているシ
ール剤１２１から離れているセル中央付近のセル厚Ｔ2
は、基板１１１，１１２の反りによって、スペーサの径
よりも大きくなるかあるいは小さくなる。なお、基板１
１１，１１２は片面のみに複数層の薄膜が形成されるた
めに反り易くなる。
法では、図５に示すように、基板１１１に形成された表
示画素１０１の周囲におけるこの基板１１１上にシール
剤１２１を塗布する。そして図６に示すように、シール
剤１２１中のスペーサ１３１によって、基板１１１，１
２１間の間隔、すなわちセルの厚さＴが決定される。そ
のため、小型ＬＣＤでは問題とはならない基板の反り
が、パネルサイズが大きくなればなるほど基板の反りに
よって、セル中央部付近におけるセルの厚さＴの制御が
困難になる。すなわち図７に示すように、シール剤１２
１を塗布した付近のセル厚Ｔ1 はスペーサ（図示省略）
の径とほぼ同等になるが、スペーサが混入されているシ
ール剤１２１から離れているセル中央付近のセル厚Ｔ2
は、基板１１１，１１２の反りによって、スペーサの径
よりも大きくなるかあるいは小さくなる。なお、基板１
１１，１１２は片面のみに複数層の薄膜が形成されるた
めに反り易くなる。
【０００５】本発明は、従来では制御が困難であったセ
ル中央付近のセル厚の制御を可能にし、また基板上の全
面にわたってスペーサを散布する方法が使用できないよ
うな高精細ＬＣＤのセル厚の制御を可能にすることを目
的とする。
ル中央付近のセル厚の制御を可能にし、また基板上の全
面にわたってスペーサを散布する方法が使用できないよ
うな高精細ＬＣＤのセル厚の制御を可能にすることを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた液晶表示装置の製造方法である。
成するためになされた液晶表示装置の製造方法である。
【０００７】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１
のガラス基板と、この第１のガラス基板より熱膨張率が
小さく撓み易い第２のガラス基板とを用い、加熱によっ
て第１のガラス基板と第２のガラス基板とを接着するた
めの接着剤を硬化させる際に、第１のガラス基板側に第
２のガラス基板を相対的に引き寄せることで、セルの厚
さの均一化を図る。
のガラス基板と、この第１のガラス基板より熱膨張率が
小さく撓み易い第２のガラス基板とを用い、加熱によっ
て第１のガラス基板と第２のガラス基板とを接着するた
めの接着剤を硬化させる際に、第１のガラス基板側に第
２のガラス基板を相対的に引き寄せることで、セルの厚
さの均一化を図る。
【０００８】上記液晶表示装置の製造方法では、第１の
ガラス基板と、この第１のガラス基板より熱膨張率が小
さく撓み易い第２のガラス基板とを用いているため、加
熱によって、熱膨張率が大きい第１のガラス基板は接着
剤を介して熱膨張率が小さい第２のガラス基板を外側に
引っ張るようになる。そのため、第２のガラス基板は伸
ばされる状態になり、その撓み量の減少量は第１のガラ
ス基板の新たなる撓みの増加量よりも多くなる。そのた
め、第２のガラス基板は相対的に第１のガラス基板側に
引き寄せられたことになるので、セルの厚さは小さくな
る。
ガラス基板と、この第１のガラス基板より熱膨張率が小
さく撓み易い第２のガラス基板とを用いているため、加
熱によって、熱膨張率が大きい第１のガラス基板は接着
剤を介して熱膨張率が小さい第２のガラス基板を外側に
引っ張るようになる。そのため、第２のガラス基板は伸
ばされる状態になり、その撓み量の減少量は第１のガラ
ス基板の新たなる撓みの増加量よりも多くなる。そのた
め、第２のガラス基板は相対的に第１のガラス基板側に
引き寄せられたことになるので、セルの厚さは小さくな
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係わる実施形態の一例
を、図１の製造工程図によって説明する。
を、図１の製造工程図によって説明する。
【００１０】図１の（１）に示すように、接着剤２２を
塗布した第１のガラス基板３１および第２のガラス基板
３２同志を貼り合わせる。上記第２のガラス基板３２
と、上記第１のガラス基板３１より熱膨張率が小さく撓
み易い性質を有している。また上記接着剤２２には、例
えば熱硬化樹脂を含むものを用いる。
塗布した第１のガラス基板３１および第２のガラス基板
３２同志を貼り合わせる。上記第２のガラス基板３２
と、上記第１のガラス基板３１より熱膨張率が小さく撓
み易い性質を有している。また上記接着剤２２には、例
えば熱硬化樹脂を含むものを用いる。
【００１１】そして図１の（２）に示すように、第１，
第２のガラス基板３１，３２を加熱することによって、
上記接着剤２２を硬化させる。その際、第２のガラス基
板３２は、第１のガラス基板３１より熱膨張率が小さく
撓み易い性質を有しているので、第１のガラス基板３１
は第２のガラス基板３２よりも膨張（矢印ア，ア’方向
に膨張）して加熱前の状態（２点鎖線で示す状態）より
も伸びる。一方、第２のガラス基板３２は加熱前の状態
（１点鎖線で示す状態）よりも相対的に第１のガラス基
板３１側（矢印イ方向側）に引き寄せられる。
第２のガラス基板３１，３２を加熱することによって、
上記接着剤２２を硬化させる。その際、第２のガラス基
板３２は、第１のガラス基板３１より熱膨張率が小さく
撓み易い性質を有しているので、第１のガラス基板３１
は第２のガラス基板３２よりも膨張（矢印ア，ア’方向
に膨張）して加熱前の状態（２点鎖線で示す状態）より
も伸びる。一方、第２のガラス基板３２は加熱前の状態
（１点鎖線で示す状態）よりも相対的に第１のガラス基
板３１側（矢印イ方向側）に引き寄せられる。
【００１２】次に一例として、液晶表示装置の製造方法
において、シール剤の硬化工程で、空セル状態における
セルの厚さＴの制御を行う場合を、以下に説明する。こ
こでは、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという、ＴＦＴ
はThin Film Toransistor の略）基板４１に上記第１の
ガラス基板（３１）を用い、カラーフィルタ基板４２に
上記第２のガラス基板（３２）を用いた。
において、シール剤の硬化工程で、空セル状態における
セルの厚さＴの制御を行う場合を、以下に説明する。こ
こでは、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという、ＴＦＴ
はThin Film Toransistor の略）基板４１に上記第１の
ガラス基板（３１）を用い、カラーフィルタ基板４２に
上記第２のガラス基板（３２）を用いた。
【００１３】まず図２に示すように、ＴＦＴ基板４１は
板ガラス４３の片面にトランジスタ等の素子を形成する
ための複数層の膜４４が形成されているため、一般的に
膜４４の形成面側に反っている。同様にカラーフィルタ
基板４２も板ガラス４５の片面にカラーフィルタを形成
するための複数層の膜４６が形成されているため、一般
的に膜４６の形成面側に反っている。したがって、ＴＦ
Ｔ基板４１とカラーフィルタ基板４２とをシール剤２１
を用いて貼り合わせた時に、セルの厚さＴの制御が十分
にできない場合には、ＴＦＴ基板４１とカラーフィルタ
基板４２との間隔で決まるセルの厚さＴにむらが生じ
る。このようにむらが生じるような場合には、ガラスの
熱膨張率の違いを利用することによって、セルの厚さＴ
の制御が可能になる。すなわち、熱膨張率の異なるガラ
ス基板を、ＴＦＴ基板４１とカラーフィルタ基板４２と
に使用する。
板ガラス４３の片面にトランジスタ等の素子を形成する
ための複数層の膜４４が形成されているため、一般的に
膜４４の形成面側に反っている。同様にカラーフィルタ
基板４２も板ガラス４５の片面にカラーフィルタを形成
するための複数層の膜４６が形成されているため、一般
的に膜４６の形成面側に反っている。したがって、ＴＦ
Ｔ基板４１とカラーフィルタ基板４２とをシール剤２１
を用いて貼り合わせた時に、セルの厚さＴの制御が十分
にできない場合には、ＴＦＴ基板４１とカラーフィルタ
基板４２との間隔で決まるセルの厚さＴにむらが生じ
る。このようにむらが生じるような場合には、ガラスの
熱膨張率の違いを利用することによって、セルの厚さＴ
の制御が可能になる。すなわち、熱膨張率の異なるガラ
ス基板を、ＴＦＴ基板４１とカラーフィルタ基板４２と
に使用する。
【００１４】例えば、ＴＦＴ基板４１にＡなる熱膨張率
を有するガラス基板を用い、カラーフィルタ基板４２に
Ｂなる熱膨張率を有するガラス基板を用いる。ここで、
上記熱膨張率はＡ＞Ｂなる関係を有する。また、ＴＦＴ
基板４１に用いるガラス基板よりもカラーフィルタ基板
４２に用いるガラス基板のほうが撓み易い性質を有して
いる。上記のような性質を有するガラス基板として、例
えばＴＦＴ基板４１には石英ガラス基板を用い、カラー
フィルタ基板４２には結晶化ガラス基板を用いる。結晶
化ガラスの一例としては、例えばネオセラムと呼ばれる
ものがある。このネオセラムは、加熱すると収縮すると
いう特徴的な性質を有するガラスである。なお、本発明
は、ネオセラムに限定されるものではなく、上記性質を
有するガラスもしくは結晶化ガラスであればよい。
を有するガラス基板を用い、カラーフィルタ基板４２に
Ｂなる熱膨張率を有するガラス基板を用いる。ここで、
上記熱膨張率はＡ＞Ｂなる関係を有する。また、ＴＦＴ
基板４１に用いるガラス基板よりもカラーフィルタ基板
４２に用いるガラス基板のほうが撓み易い性質を有して
いる。上記のような性質を有するガラス基板として、例
えばＴＦＴ基板４１には石英ガラス基板を用い、カラー
フィルタ基板４２には結晶化ガラス基板を用いる。結晶
化ガラスの一例としては、例えばネオセラムと呼ばれる
ものがある。このネオセラムは、加熱すると収縮すると
いう特徴的な性質を有するガラスである。なお、本発明
は、ネオセラムに限定されるものではなく、上記性質を
有するガラスもしくは結晶化ガラスであればよい。
【００１５】まず図３の（１）に示すように、スペーサ
（図示省略）を混入したシール剤２１を塗布してＴＦＴ
基板４１とカラーフィルタ基板４２とを貼り合わせた
後、シール剤２１を硬化させるためにＴＦＴ基板４１と
カラーフィルタ基板４２とを加熱する。この加熱では温
度上昇を急激に行うことにより、焼成後のパネル中央部
のセルの厚さは焼成前よりも狭くなる。このように上記
シール剤２１は接着剤として作用するものである。
（図示省略）を混入したシール剤２１を塗布してＴＦＴ
基板４１とカラーフィルタ基板４２とを貼り合わせた
後、シール剤２１を硬化させるためにＴＦＴ基板４１と
カラーフィルタ基板４２とを加熱する。この加熱では温
度上昇を急激に行うことにより、焼成後のパネル中央部
のセルの厚さは焼成前よりも狭くなる。このように上記
シール剤２１は接着剤として作用するものである。
【００１６】その結果を図３の（２）に示す。この図に
示すように、セルの厚さは制御される。すなわち、加熱
によって、カラーフィルタ基板４２は、ＴＦＴ基板４１
より熱膨張率が小さく撓み易い性質を有しているので、
ＴＦＴ基板４１はカラーフィルタ基板４２よりも膨張
（矢印ウ，ウ’方向に膨張）して加熱前の状態（２点鎖
線で示す状態）よりも伸びる。一方、カラーフィルタ基
板４２は加熱前の状態（１点鎖線で示す状態）よりも相
対的にＴＦＴ基板４１側（矢印エ方向側）に引き寄せら
れる。そのため、セル中央部の厚さは、加熱前よりも小
さくなり、セルの厚さＴが全面にわたって均一になる方
向に改善される。
示すように、セルの厚さは制御される。すなわち、加熱
によって、カラーフィルタ基板４２は、ＴＦＴ基板４１
より熱膨張率が小さく撓み易い性質を有しているので、
ＴＦＴ基板４１はカラーフィルタ基板４２よりも膨張
（矢印ウ，ウ’方向に膨張）して加熱前の状態（２点鎖
線で示す状態）よりも伸びる。一方、カラーフィルタ基
板４２は加熱前の状態（１点鎖線で示す状態）よりも相
対的にＴＦＴ基板４１側（矢印エ方向側）に引き寄せら
れる。そのため、セル中央部の厚さは、加熱前よりも小
さくなり、セルの厚さＴが全面にわたって均一になる方
向に改善される。
【００１７】ここで上記加熱プロセスを、図４によって
簡単に説明する。なお図４の縦軸は加熱温度を示し、そ
の横軸は加熱時間を示す。
簡単に説明する。なお図４の縦軸は加熱温度を示し、そ
の横軸は加熱時間を示す。
【００１８】図４の破線で示すように、温度上昇を緩や
かに行うと焼成前後でのパネル中央部のセルの厚さに大
きな差は生じない。しかし図４の実線で示すように、温
度上昇を急激に行うと焼成後のパネル中央部のセルの厚
さは焼成前よりも狭くなることがわかった。そのため、
ＴＦＴ基板４１およびカラーフィルタ基板４２に対して
熱損傷を起こさない範囲で急速加熱することが好まし
い。
かに行うと焼成前後でのパネル中央部のセルの厚さに大
きな差は生じない。しかし図４の実線で示すように、温
度上昇を急激に行うと焼成後のパネル中央部のセルの厚
さは焼成前よりも狭くなることがわかった。そのため、
ＴＦＴ基板４１およびカラーフィルタ基板４２に対して
熱損傷を起こさない範囲で急速加熱することが好まし
い。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
第１のガラス基板と、この第１のガラス基板より熱膨張
率が小さく撓み易い第２のガラス基板とを用いているの
で、加熱による熱膨張率の差によって、第２のガラス基
板を第１のガラス基板側に相対的に引き寄せることがで
きる。そのため、セルの厚さ分布を均一な状態に近づけ
ることが可能になる。よって、セルを形成した後であっ
ても、セル厚の制御が可能になるので、歩留りの向上が
図れる。また表示部領域にスペーサを散布せず、セル厚
を均一にすることが可能になるので、高精細ＬＣＤにお
けるスペーサによる画質品位の低下が起きない。
第１のガラス基板と、この第１のガラス基板より熱膨張
率が小さく撓み易い第２のガラス基板とを用いているの
で、加熱による熱膨張率の差によって、第２のガラス基
板を第１のガラス基板側に相対的に引き寄せることがで
きる。そのため、セルの厚さ分布を均一な状態に近づけ
ることが可能になる。よって、セルを形成した後であっ
ても、セル厚の制御が可能になるので、歩留りの向上が
図れる。また表示部領域にスペーサを散布せず、セル厚
を均一にすることが可能になるので、高精細ＬＣＤにお
けるスペーサによる画質品位の低下が起きない。
【図１】第１の発明の実施形態に係わる製造工程図であ
る。
る。
【図２】ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板の説明図であ
る。
る。
【図３】セルの厚さの制御方法の説明図である。
【図４】加熱プロセスの説明図である。
【図５】シール剤の塗布の説明図である。
【図６】スペーサの作用の説明図である。
【図７】課題の説明図である。
【符号の説明】３ １ 第１のガラス基板３ ２ 第２のガラス基板 ２２ 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/13 G02F 1/1333 G02F 1/1339
Claims (1)
- 【請求項１】 液晶表示装置の製造方法において、 第１のガラス基板と、 前記第１のガラス基板より熱膨張率が小さく撓み易い第
２のガラス基板とを用い、 加熱によって前記第１のガラス基板と前記第２のガラス
基板とを間隔を置いて接着するための接着剤を硬化させ
る際に、該第１のガラス基板側に該第２のガラス基板を
相対的に引き寄せることを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32341595A JP3331842B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32341595A JP3331842B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09160055A JPH09160055A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3331842B2 true JP3331842B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=18154446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32341595A Expired - Fee Related JP3331842B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3331842B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4135088B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2008-08-20 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及び液晶プロジェクタ |
-
1995
- 1995-12-13 JP JP32341595A patent/JP3331842B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09160055A (ja) | 1997-06-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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