JPH09153710A - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品の製造方法Info
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- JPH09153710A JPH09153710A JP7309127A JP30912795A JPH09153710A JP H09153710 A JPH09153710 A JP H09153710A JP 7309127 A JP7309127 A JP 7309127A JP 30912795 A JP30912795 A JP 30912795A JP H09153710 A JPH09153710 A JP H09153710A
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
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- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
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- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】誘電体セラミックとAgを主成分とする導体から
なるセラミック電子部品の製造方法において、誘電体セ
ラミックの焼結工程の後に、10vol.%以下の酸素含有雰
囲気中、400℃以下の温度で熱処理することにより、Ｑ
値の高い誘電体共振器を提供する。 【解決手段】誘電体として、BaO-TiO2-Nd2O3-Bi2O3系の
組成物（εr＝92、Qf＝5000GHz）を使用し、この仮焼粉
末を造粒、成型した後、焼結させ、同軸状の誘電体セラ
ミック(2)を得た。この誘電体セラミック(2)の上下面の
一方を残してAgペーストを塗布し、ペーストを焼き付
け、λ/4の誘電体共振器を作製した。次いで、10vol.%
以下の酸素含有雰囲気中、400℃以上の温度でペースト
を焼き付けることにより、電極(1,4)を形成した。この
同軸誘電体共振器は一方の開放端(3)の方向から電磁波
が入射し、TEMモードを利用して出力を得る。
なるセラミック電子部品の製造方法において、誘電体セ
ラミックの焼結工程の後に、10vol.%以下の酸素含有雰
囲気中、400℃以下の温度で熱処理することにより、Ｑ
値の高い誘電体共振器を提供する。 【解決手段】誘電体として、BaO-TiO2-Nd2O3-Bi2O3系の
組成物（εr＝92、Qf＝5000GHz）を使用し、この仮焼粉
末を造粒、成型した後、焼結させ、同軸状の誘電体セラ
ミック(2)を得た。この誘電体セラミック(2)の上下面の
一方を残してAgペーストを塗布し、ペーストを焼き付
け、λ/4の誘電体共振器を作製した。次いで、10vol.%
以下の酸素含有雰囲気中、400℃以上の温度でペースト
を焼き付けることにより、電極(1,4)を形成した。この
同軸誘電体共振器は一方の開放端(3)の方向から電磁波
が入射し、TEMモードを利用して出力を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域で使用
され、誘電体セラミックと導体からなるセラミック電子
部品の製造方法に関する。
され、誘電体セラミックと導体からなるセラミック電子
部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車電話や携帯電話、または衛
星放送など、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信の
進展にともない、高周波で損失の小さい部品に対する要
求が高まっている。誘電体共振器、誘電体フィルタ、ま
たはコンデンサなど誘電体セラミックと導体からなる高
周波電子部品は、損失を小さくするために導体として導
電率の高いAgを用いているものが多い。通常の誘電体フ
ィルタは、焼結させた上下に貫通孔のある円柱状または
角柱状の誘電体セラミックの表面の必要な部分に、Agペ
ーストの導体パターンを形成し、空気中で熱処理して導
体を焼き付けて得た誘電体共振器を組み合わせて製造し
ている。また、近年開発された積層型の誘電体フィルタ
は、特開平6-163320号公報に開示されているように、セ
ラミックグリンシート上にAgペーストで種々の導体パタ
ーンを印刷し、そのシートを加圧後焼結させ、さらにAg
ペーストにて端子電極を形成し、空気中で焼き付けるこ
とにより製造している。
星放送など、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信の
進展にともない、高周波で損失の小さい部品に対する要
求が高まっている。誘電体共振器、誘電体フィルタ、ま
たはコンデンサなど誘電体セラミックと導体からなる高
周波電子部品は、損失を小さくするために導体として導
電率の高いAgを用いているものが多い。通常の誘電体フ
ィルタは、焼結させた上下に貫通孔のある円柱状または
角柱状の誘電体セラミックの表面の必要な部分に、Agペ
ーストの導体パターンを形成し、空気中で熱処理して導
体を焼き付けて得た誘電体共振器を組み合わせて製造し
ている。また、近年開発された積層型の誘電体フィルタ
は、特開平6-163320号公報に開示されているように、セ
ラミックグリンシート上にAgペーストで種々の導体パタ
ーンを印刷し、そのシートを加圧後焼結させ、さらにAg
ペーストにて端子電極を形成し、空気中で焼き付けるこ
とにより製造している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の製造方
法で得られる誘電体共振器のＱ値は十分なものでなく、
フィルタにしたときの損失が大きいなどの問題点があっ
た。したがって、よりＱ値の高い誘電体共振器を得るた
めのセラミック電子部品の製造方法の開発が望まれてい
た。
法で得られる誘電体共振器のＱ値は十分なものでなく、
フィルタにしたときの損失が大きいなどの問題点があっ
た。したがって、よりＱ値の高い誘電体共振器を得るた
めのセラミック電子部品の製造方法の開発が望まれてい
た。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するため、誘
電体セラミックと導体からなるセラミック電子部品にお
いて、誘電体共振器のＱ値を高くするなどの性能を向上
させるためのセラミック電子部品の製造方法を提供する
ことを目的としている。
電体セラミックと導体からなるセラミック電子部品にお
いて、誘電体共振器のＱ値を高くするなどの性能を向上
させるためのセラミック電子部品の製造方法を提供する
ことを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のセラミック電子部品の製造方法は、少なく
とも誘電体セラミックとAgを主成分とする導体からなる
セラミック電子部品の製造方法において、誘電体セラミ
ックの焼結工程の後に、10vol.%以下の酸素含有雰囲気
中、400℃以下の温度で熱処理することを特徴とする。
め、本発明のセラミック電子部品の製造方法は、少なく
とも誘電体セラミックとAgを主成分とする導体からなる
セラミック電子部品の製造方法において、誘電体セラミ
ックの焼結工程の後に、10vol.%以下の酸素含有雰囲気
中、400℃以下の温度で熱処理することを特徴とする。
【０００６】前記構成においては、セラミック電子部品
が、上下に貫通孔を有する誘電体セラミックの少なくと
も上下面を除く外部表面及び貫通孔内部表面の一部また
は全体にAgを主成分とする導体が形成された同軸型共振
器または誘電体フィルタであることが好ましい。
が、上下に貫通孔を有する誘電体セラミックの少なくと
も上下面を除く外部表面及び貫通孔内部表面の一部また
は全体にAgを主成分とする導体が形成された同軸型共振
器または誘電体フィルタであることが好ましい。
【０００７】また前記構成においては、セラミック電子
部品が、誘電体セラミックの内部にAgを主成分とする導
体層をもつ積層構造の共振器またはフィルタであること
が好ましい。
部品が、誘電体セラミックの内部にAgを主成分とする導
体層をもつ積層構造の共振器またはフィルタであること
が好ましい。
【０００８】また前記構成においては、熱処理する雰囲
気が99vol.%以上の窒素、0.1vol.%以下の酸素を含有す
ることが好ましい。また前記構成においては、誘電体セ
ラミックが、少なくともBi成分を含むことが好ましい。
気が99vol.%以上の窒素、0.1vol.%以下の酸素を含有す
ることが好ましい。また前記構成においては、誘電体セ
ラミックが、少なくともBi成分を含むことが好ましい。
【０００９】また前記構成においては、誘電体セラミッ
クが、少なくともBi2O3、CaO、及びNb2O5を含むことが
好ましい。また前記構成においては、誘電体セラミック
が、少なくともMn成分を含むことが好ましい。
クが、少なくともBi2O3、CaO、及びNb2O5を含むことが
好ましい。また前記構成においては、誘電体セラミック
が、少なくともMn成分を含むことが好ましい。
【００１０】また前記構成においては、誘電体セラミッ
クが、BaO及びTiO2を少なくとも含むことが好ましい。
また前記構成においては、誘電体セラミックの焼結工程
の後に、Agを主成分とする導体ペーストを必要な部分に
形成後、10vol.%以下の酸素含有雰囲気中、４００℃以
上の温度で熱処理してペーストを焼き付けることが好ま
しい。
クが、BaO及びTiO2を少なくとも含むことが好ましい。
また前記構成においては、誘電体セラミックの焼結工程
の後に、Agを主成分とする導体ペーストを必要な部分に
形成後、10vol.%以下の酸素含有雰囲気中、４００℃以
上の温度で熱処理してペーストを焼き付けることが好ま
しい。
【００１１】また前記構成においては、誘電体セラミッ
クの焼結工程の後に、AgまたはCuを主成分とする端子電
極を形成させた後に、10vol.%以下の酸素含有雰囲気
中、４００℃以上の温度で熱処理する工程を有すること
が好ましい。
クの焼結工程の後に、AgまたはCuを主成分とする端子電
極を形成させた後に、10vol.%以下の酸素含有雰囲気
中、４００℃以上の温度で熱処理する工程を有すること
が好ましい。
【００１２】前記した本発明のセラミック電子部品の製
造方法によれば、少なくとも誘電体セラミックとAgを主
成分とする導体からなるセラミック電子部品の製造方法
において、誘電体セラミックの焼結工程の後に、10vol.
%以下の酸素含有雰囲気中、400℃以下の温度で熱処理す
ることにより、誘電体共振器のＱ値を高くすることがで
きる。
造方法によれば、少なくとも誘電体セラミックとAgを主
成分とする導体からなるセラミック電子部品の製造方法
において、誘電体セラミックの焼結工程の後に、10vol.
%以下の酸素含有雰囲気中、400℃以下の温度で熱処理す
ることにより、誘電体共振器のＱ値を高くすることがで
きる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。誘電体セラミックとしては、BaO-TiO2系、
BaO-TiO2-Nd2O3-Bi2O3系、BaO-TiO2-Nd2O3-B2O3-SiO2-P
bO系、Bi2O3-CaO-Nb2O5系、ZrO2-TiO2-SnO2系、PbO-CaO
-ZrO 2系、MgTiO3-CaTiO3系、Ba(Zn,Ta)O3系、Ba(Mg,Ta)
O3系など、高周波領域での損失が低いものを使用する。
導体としては、Ag、Ag-Pt、Ag-PdなどAgの含有率が高く
導電率の高いものを使用する。
て説明する。誘電体セラミックとしては、BaO-TiO2系、
BaO-TiO2-Nd2O3-Bi2O3系、BaO-TiO2-Nd2O3-B2O3-SiO2-P
bO系、Bi2O3-CaO-Nb2O5系、ZrO2-TiO2-SnO2系、PbO-CaO
-ZrO 2系、MgTiO3-CaTiO3系、Ba(Zn,Ta)O3系、Ba(Mg,Ta)
O3系など、高周波領域での損失が低いものを使用する。
導体としては、Ag、Ag-Pt、Ag-PdなどAgの含有率が高く
導電率の高いものを使用する。
【００１４】電子部品としては、同軸型共振器、同軸型
共振器を組み合わせた誘電体フィルタ、積層型の共振
器、積層型のフィルタ、高周波用の積層コンデンサなど
が望ましい。
共振器を組み合わせた誘電体フィルタ、積層型の共振
器、積層型のフィルタ、高周波用の積層コンデンサなど
が望ましい。
【００１５】誘電体セラミックの仮焼粉末は、所定の酸
化物を混合し、仮焼後粉砕して得る。混合及び粉砕には
ボールミルを用いる。その際の溶媒としては純水または
アルコール、ボールとしては直径5mm程度のジルコニア
またはアルミナ製のものを用いる。仮焼温度は、組成に
よって異なるが、通常は600℃から1200℃で行う。仮焼
温度が低すぎると出発原料が残存し、高すぎるとその後
の粉砕が困難になる。
化物を混合し、仮焼後粉砕して得る。混合及び粉砕には
ボールミルを用いる。その際の溶媒としては純水または
アルコール、ボールとしては直径5mm程度のジルコニア
またはアルミナ製のものを用いる。仮焼温度は、組成に
よって異なるが、通常は600℃から1200℃で行う。仮焼
温度が低すぎると出発原料が残存し、高すぎるとその後
の粉砕が困難になる。
【００１６】同軸型の共振器の製造方法について説明す
る。まず、前記誘電体セラミックの仮焼粉末にバインダ
を加えて混合し、メッシュを通して造粒する。バインダ
としてはPVA系のものが好ましく、メッシュは３０メッ
シュ程度がよい。同軸形状に加圧成形し、電気炉にて焼
結させる。焼結温度は800℃から1600℃が好ましい。こ
の範囲より低いと焼結が不十分で、高いと溶解してしま
う。焼結させた素子の表面に導体ペーストを塗布後、40
0℃以上の範囲の温度、10vol.%以下の酸素含有雰囲気で
熱処理して焼き付ける。400℃未満の温度では、導体の
接着強度が十分でなく、導電率が低くなり、960℃を越
えると導体のAgが融解してしまう。熱処理の雰囲気は
N2、Ar、CO2、O2、H2、COなどで調整する。熱処理する
電気炉は、雰囲気制御のできるもの管状炉などが望まし
く、炉内の酸素濃度はジルコニアセンサなどでモニタす
る。10vol.%を越える酸素含有雰囲気では、発明の効果
が十分得られない。なお、導体ペーストの焼き付けは空
気中の熱処理にて行い、その後、400℃以上の範囲の温
度、10%vol.以下の酸素含有雰囲気で熱処理しても同様
な効果が得られる。
る。まず、前記誘電体セラミックの仮焼粉末にバインダ
を加えて混合し、メッシュを通して造粒する。バインダ
としてはPVA系のものが好ましく、メッシュは３０メッ
シュ程度がよい。同軸形状に加圧成形し、電気炉にて焼
結させる。焼結温度は800℃から1600℃が好ましい。こ
の範囲より低いと焼結が不十分で、高いと溶解してしま
う。焼結させた素子の表面に導体ペーストを塗布後、40
0℃以上の範囲の温度、10vol.%以下の酸素含有雰囲気で
熱処理して焼き付ける。400℃未満の温度では、導体の
接着強度が十分でなく、導電率が低くなり、960℃を越
えると導体のAgが融解してしまう。熱処理の雰囲気は
N2、Ar、CO2、O2、H2、COなどで調整する。熱処理する
電気炉は、雰囲気制御のできるもの管状炉などが望まし
く、炉内の酸素濃度はジルコニアセンサなどでモニタす
る。10vol.%を越える酸素含有雰囲気では、発明の効果
が十分得られない。なお、導体ペーストの焼き付けは空
気中の熱処理にて行い、その後、400℃以上の範囲の温
度、10%vol.以下の酸素含有雰囲気で熱処理しても同様
な効果が得られる。
【００１７】次に、円筒同軸誘電体共振器の一例を図面
を用いて説明する。図１Ａは円筒同軸誘電体共振器の軸
方向に添った断面図で、円筒状誘電体磁器２の表面に電
極１，４が連続して形成されている。ただし一方の開放
端３の表面には電極は形成されていない。図１Ｂは図１
ＡのＩ−Ｉ断面図である。この円筒同軸誘電体共振器
は、一方の開放端３の方向から電磁波が入射し、特定の
周波数領域の電磁波の共振（ＴＥＭモード）を利用して
出力を得るものである。
を用いて説明する。図１Ａは円筒同軸誘電体共振器の軸
方向に添った断面図で、円筒状誘電体磁器２の表面に電
極１，４が連続して形成されている。ただし一方の開放
端３の表面には電極は形成されていない。図１Ｂは図１
ＡのＩ−Ｉ断面図である。この円筒同軸誘電体共振器
は、一方の開放端３の方向から電磁波が入射し、特定の
周波数領域の電磁波の共振（ＴＥＭモード）を利用して
出力を得るものである。
【００１８】次に、積層型の共振器の製造方法について
説明する。誘電体セラミックの仮焼粉にバインダと可塑
剤と溶剤を加え、混合する。バインダとしては、PVB系
またはアクリル系のものが好ましい。可塑剤としては、
DBPまたはBBPが好ましい。溶剤としては、エステル、ア
ルコール、または水が好ましい。ドクターブレードまた
はリバースロール法によりシート状に成形し、切断後、
所定のシートに導体ペーストをスクリーン印刷法にて印
刷する。シートの厚さは、20μｍから300μｍの範囲が
望ましい。この範囲より薄いと、後の取り扱いが困難と
なり、厚いと乾燥時にひびが入りやすい。シートを重ね
て圧着後、個片に切断する。シートの圧着は、一軸加圧
または静水圧を用いる。その後、焼結させてから端子電
極を形成してもよいし、ペーストで端子電極パターンを
形成してから、ペーストの焼き付けと焼結を同時に行っ
てもよい。端子電極としては、Ag、Ag-Pt、Ag-Pd、また
はCuなどが好ましく、その形成方法は、印刷、塗布、含
浸、またはメッキなどが好ましい。なお、シートを圧着
後、焼結させてから、個片に切断してもよい。焼結及び
その後の熱処理の条件は、前記同軸型の共振器の製造方
法と同様である。
説明する。誘電体セラミックの仮焼粉にバインダと可塑
剤と溶剤を加え、混合する。バインダとしては、PVB系
またはアクリル系のものが好ましい。可塑剤としては、
DBPまたはBBPが好ましい。溶剤としては、エステル、ア
ルコール、または水が好ましい。ドクターブレードまた
はリバースロール法によりシート状に成形し、切断後、
所定のシートに導体ペーストをスクリーン印刷法にて印
刷する。シートの厚さは、20μｍから300μｍの範囲が
望ましい。この範囲より薄いと、後の取り扱いが困難と
なり、厚いと乾燥時にひびが入りやすい。シートを重ね
て圧着後、個片に切断する。シートの圧着は、一軸加圧
または静水圧を用いる。その後、焼結させてから端子電
極を形成してもよいし、ペーストで端子電極パターンを
形成してから、ペーストの焼き付けと焼結を同時に行っ
てもよい。端子電極としては、Ag、Ag-Pt、Ag-Pd、また
はCuなどが好ましく、その形成方法は、印刷、塗布、含
浸、またはメッキなどが好ましい。なお、シートを圧着
後、焼結させてから、個片に切断してもよい。焼結及び
その後の熱処理の条件は、前記同軸型の共振器の製造方
法と同様である。
【００１９】得られた共振器のＱ値を、ネットワークア
ナライザを用いて測定する。
ナライザを用いて測定する。
【００２０】
【実施例】次に、本発明の具体例を説明する。 （実施例１）この実施例は、本発明における請求項１、
２、４、７、８、９及び１０に対応する。以下、同軸型
の誘電体共振器の製造方法について説明する。
２、４、７、８、９及び１０に対応する。以下、同軸型
の誘電体共振器の製造方法について説明する。
【００２１】誘電体として、BaO-TiO2-Nd2O3-Bi2O3系の
組成物（εr＝92、Qf＝5000GHz）を使用した。この誘電
体の仮焼粉末を造粒、成型した後、1400℃の空気中で焼
結させ、長さ8mm、直径3mm、中心穴径0.8mmの同軸状の
誘電体セラミックを得た。前記誘電体セラミックの上下
面の一方を残してAgペーストを塗布し、800℃の空気
中、または種々の温度、酸素含有雰囲気にてペーストを
焼き付け、λ/4の誘電体共振器を作製した。この誘電体
共振器のうち空気中でペーストを焼き付けたものについ
て、種々の温度、種々の酸素含有雰囲気で熱処理した。
酸素含有量は、N2ガスとO2ガスにて制御した。得られた
誘電体共振器のＱ値を測定した。結果を表１に示す。
組成物（εr＝92、Qf＝5000GHz）を使用した。この誘電
体の仮焼粉末を造粒、成型した後、1400℃の空気中で焼
結させ、長さ8mm、直径3mm、中心穴径0.8mmの同軸状の
誘電体セラミックを得た。前記誘電体セラミックの上下
面の一方を残してAgペーストを塗布し、800℃の空気
中、または種々の温度、酸素含有雰囲気にてペーストを
焼き付け、λ/4の誘電体共振器を作製した。この誘電体
共振器のうち空気中でペーストを焼き付けたものについ
て、種々の温度、種々の酸素含有雰囲気で熱処理した。
酸素含有量は、N2ガスとO2ガスにて制御した。得られた
誘電体共振器のＱ値を測定した。結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】前記表１に示したように、10vol.%以下の
酸素含有雰囲気中、400℃以上の温度でペーストを焼き
付けることにより、通常の空気中でペーストを焼き付け
たものよりも、誘電共振器のＱ値は高くなった。また、
空気中でペーストを焼き付けたものも、10vol.%以下の
酸素含有雰囲気中、400℃以上の温度で熱処理すること
により、誘電体共振器のＱ値は、熱処理しないものと比
較して高くなった。また、前記熱処理の雰囲気条件とし
て、0.1vol.%の酸素含有量のとき、誘電体共振器のＱ値
はさらに高くなった。
酸素含有雰囲気中、400℃以上の温度でペーストを焼き
付けることにより、通常の空気中でペーストを焼き付け
たものよりも、誘電共振器のＱ値は高くなった。また、
空気中でペーストを焼き付けたものも、10vol.%以下の
酸素含有雰囲気中、400℃以上の温度で熱処理すること
により、誘電体共振器のＱ値は、熱処理しないものと比
較して高くなった。また、前記熱処理の雰囲気条件とし
て、0.1vol.%の酸素含有量のとき、誘電体共振器のＱ値
はさらに高くなった。
【００２４】（実施例２）この実施例は、本発明におけ
る請求項１、３、５及び６に対応する。以下、積層型の
共振器の製造方法について説明する。
る請求項１、３、５及び６に対応する。以下、積層型の
共振器の製造方法について説明する。
【００２５】誘電体として、BaO-TiO2-Nd2O3-B2O3-SiO2
-PbO系（εr＝75、Qf＝2500GHz）、BaO-TiO2-Nd2O3-Bi2
O3-B2O3-SiO2-PbO系（εr＝80、Qf＝2500GHz）、及びBi
2O3-CaO-Nb2O5系（εr＝57、Qf＝2400GHz）の組成物を
用いた。それぞれ、材料(1)、材料(2)、材料(3)とす
る。これらの誘電体の仮焼粉末を、バインダ、可塑剤、
溶剤とともにスラリー化し、ドクターブレード法により
グリーンシートを作製した。グリーンシート上に、所定
の導体パターンを、Agペーストをスクリーン印刷して形
成し、積層後圧着した。個片に切断後、端子電極のパタ
ーンをAgペーストを塗布して形成し、空気中、900℃で
焼結させた。素子の大きさは、縦8mm、横5mm、高さ2.5m
mであった。さらに、800℃、40ppm/℃の酸素含有雰囲気
中で熱処理した。こうして得られた積層型共振器のＱ値
を測定した。結果を表２に示す。
-PbO系（εr＝75、Qf＝2500GHz）、BaO-TiO2-Nd2O3-Bi2
O3-B2O3-SiO2-PbO系（εr＝80、Qf＝2500GHz）、及びBi
2O3-CaO-Nb2O5系（εr＝57、Qf＝2400GHz）の組成物を
用いた。それぞれ、材料(1)、材料(2)、材料(3)とす
る。これらの誘電体の仮焼粉末を、バインダ、可塑剤、
溶剤とともにスラリー化し、ドクターブレード法により
グリーンシートを作製した。グリーンシート上に、所定
の導体パターンを、Agペーストをスクリーン印刷して形
成し、積層後圧着した。個片に切断後、端子電極のパタ
ーンをAgペーストを塗布して形成し、空気中、900℃で
焼結させた。素子の大きさは、縦8mm、横5mm、高さ2.5m
mであった。さらに、800℃、40ppm/℃の酸素含有雰囲気
中で熱処理した。こうして得られた積層型共振器のＱ値
を測定した。結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】前記表２に示したように、誘電体セラミッ
クとして、材料(1)、(2)、(3)いずれを用いても、800
℃、40ppm/℃の酸素含有雰囲気中での熱処理により、積
層型共振器のＱ値は向上した。また、誘電体セラミック
を、材料(2)のように、Bi2O3を含む組成物にすると、Ｑ
値の向上率が高かった。さらに、材料(3)のように、Bi2
O3-CaO-Nb2O5系の組成物にすると、よりＱ値の向上率が
高くなった。
クとして、材料(1)、(2)、(3)いずれを用いても、800
℃、40ppm/℃の酸素含有雰囲気中での熱処理により、積
層型共振器のＱ値は向上した。また、誘電体セラミック
を、材料(2)のように、Bi2O3を含む組成物にすると、Ｑ
値の向上率が高かった。さらに、材料(3)のように、Bi2
O3-CaO-Nb2O5系の組成物にすると、よりＱ値の向上率が
高くなった。
【００２８】（実施例３）この実施例は、本発明におけ
る請求項７及び８に対応する。以下、同軸型の共振器の
製造方法について説明する。
る請求項７及び８に対応する。以下、同軸型の共振器の
製造方法について説明する。
【００２９】誘電体として、ZrO2-TiO2-SnO2系の組成物
（εr＝37、Qf＝50000GHz）、BaO-TiO2系の組成物（εr
＝36、Qf＝40000GHz）、及びZrO2-TiO2-SnO2-MnO2系の
組成物（εr＝36、Qf＝47000GHz）を使用した。それぞ
れ、材料(4)、材料(5)、材料(6)とする。この誘電体の
仮焼粉末を造粒、成型した後、1450℃の空気中で焼結さ
せ、長さ8mm、直径3mm、中心穴径0.8mmの同軸状の誘電
体セラミックを得た。前記誘電体セラミックの上下面の
一方を残してAgペーストを塗布し、800℃の空気中でペ
ーストを焼き付け、λ/4の誘電体共振器を作製した。こ
の誘電体共振器を、850℃、40ppm/℃の酸素を含有するN
2雰囲気で熱処理した。得られた誘電体共振器のＱ値を
測定した。結果を表３に示す。
（εr＝37、Qf＝50000GHz）、BaO-TiO2系の組成物（εr
＝36、Qf＝40000GHz）、及びZrO2-TiO2-SnO2-MnO2系の
組成物（εr＝36、Qf＝47000GHz）を使用した。それぞ
れ、材料(4)、材料(5)、材料(6)とする。この誘電体の
仮焼粉末を造粒、成型した後、1450℃の空気中で焼結さ
せ、長さ8mm、直径3mm、中心穴径0.8mmの同軸状の誘電
体セラミックを得た。前記誘電体セラミックの上下面の
一方を残してAgペーストを塗布し、800℃の空気中でペ
ーストを焼き付け、λ/4の誘電体共振器を作製した。こ
の誘電体共振器を、850℃、40ppm/℃の酸素を含有するN
2雰囲気で熱処理した。得られた誘電体共振器のＱ値を
測定した。結果を表３に示す。
【００３０】
【表３】
【００３１】前記表３に示したように、誘電体セラミッ
クとして、材料(4)、(5)、(6)いずれを用いても、800
℃、40ppm/℃の酸素含有雰囲気中での熱処理により、積
層型共振器のＱ値は向上した。また、誘電体セラミック
を、材料(5)のように、少なくともBaO及びTiO2を含む組
成物にすると、Ｑ値の向上率が高かった。また、材料
(6)のように、Mn成分を含む組成物にしても、Ｑ値の向
上率は高くなった。
クとして、材料(4)、(5)、(6)いずれを用いても、800
℃、40ppm/℃の酸素含有雰囲気中での熱処理により、積
層型共振器のＱ値は向上した。また、誘電体セラミック
を、材料(5)のように、少なくともBaO及びTiO2を含む組
成物にすると、Ｑ値の向上率が高かった。また、材料
(6)のように、Mn成分を含む組成物にしても、Ｑ値の向
上率は高くなった。
【００３２】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明のセラミック
電子部品の製造方法によれば、少なくとも誘電体セラミ
ックとAgを主成分とする導体からなるセラミック電子部
品の製造方法において、誘電体セラミックの焼結工程の
後に、10vol.%以下の酸素含有雰囲気中、400℃以下の温
度で熱処理することにより、誘電体共振器のＱ値を高く
することができる。
電子部品の製造方法によれば、少なくとも誘電体セラミ
ックとAgを主成分とする導体からなるセラミック電子部
品の製造方法において、誘電体セラミックの焼結工程の
後に、10vol.%以下の酸素含有雰囲気中、400℃以下の温
度で熱処理することにより、誘電体共振器のＱ値を高く
することができる。
【図１】図１Ａは本発明の一実施例の円筒同軸誘電体共
振器の軸方向に添った断面図。図１Ｂは図１ＡのＩ−Ｉ
断面図。
振器の軸方向に添った断面図。図１Ｂは図１ＡのＩ−Ｉ
断面図。
１，４ 電極 ２，５ 誘電体磁器 ３ 開放端
フロントページの続き (72)発明者 加藤 純一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 少なくとも誘電体セラミックとAgを主成
分とする導体からなるセラミック電子部品の製造方法に
おいて、誘電体セラミックの焼結工程の後に１０vol.％
以下の酸素含有雰囲気中、４００℃以上の温度で熱処理
することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 前記セラミック電子部品が、上下に貫通
孔を有する誘電体セラミックの少なくとも上下面を除く
外部表面及び貫通孔内部表面の一部または全体にAgを主
成分とする導体が形成された同軸型共振器または誘電体
フィルタである請求項１に記載のセラミック電子部品の
製造方法。 - 【請求項３】 前記セラミック電子部品が、誘電体セラ
ミックの内部にAgを主成分とする導体層をもつ積層構造
の共振器またはフィルタである請求項１に記載のセラミ
ック電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 熱処理する雰囲気が99vol.%以上の窒
素、0.1vol.%以下の酸素を含有する請求項１に記載のセ
ラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 誘電体セラミックが、少なくともBi成分
を含む請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方
法。 - 【請求項６】 誘電体セラミックが、少なくともBi
2O3、CaO、及びNb2O5を含む請求項５に記載のセラミッ
ク電子部品の製造方法。 - 【請求項７】 誘電体セラミックが、少なくともMn成分
を含む請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方
法。 - 【請求項８】 誘電体セラミックが、BaO及びTiO2を少
なくとも含む請求項１に記載のセラミック電子部品の製
造方法。 - 【請求項９】 誘電体セラミックの焼結工程の後に、Ag
を主成分とする導体ペーストを必要な部分に形成後、10
vol.%以下の酸素含有雰囲気中、４００℃以上の温度で
熱処理してペーストを焼き付ける請求項１に記載のセラ
ミック電子部品の製造方法。 - 【請求項１０】 誘電体セラミックの焼結工程の後に、
AgまたはCuを主成分とする端子電極を形成させた後に、
10vol.%以下の酸素含有雰囲気中、４００℃以上の温度
で熱処理する工程を有する請求項１に記載のセラミック
電子部品の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7309127A JPH09153710A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | セラミック電子部品の製造方法 |
| US08/752,837 US5769988A (en) | 1995-11-28 | 1996-11-20 | Method of manufacturing a ceramic electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7309127A JPH09153710A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | セラミック電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153710A true JPH09153710A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=17989226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7309127A Pending JPH09153710A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | セラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5769988A (ja) |
| JP (1) | JPH09153710A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462629B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-08 | Cts Corporation | Ablative RF ceramic block filters |
| US6559735B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-05-06 | Cts Corporation | Duplexer filter with an alternative signal path |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265796A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | 株式会社住友金属セラミックス | セラミツク多層配線基板およびその製造法 |
| JP2666388B2 (ja) * | 1988-07-11 | 1997-10-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH06163320A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック積層体の製造方法 |
| JPH07201224A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物及び積層型誘電体部品 |
-
1995
- 1995-11-28 JP JP7309127A patent/JPH09153710A/ja active Pending
-
1996
- 1996-11-20 US US08/752,837 patent/US5769988A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5769988A (en) | 1998-06-23 |
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