JPH09148840A - マイクロストリップアンテナ - Google Patents
マイクロストリップアンテナInfo
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- JPH09148840A JPH09148840A JP30792595A JP30792595A JPH09148840A JP H09148840 A JPH09148840 A JP H09148840A JP 30792595 A JP30792595 A JP 30792595A JP 30792595 A JP30792595 A JP 30792595A JP H09148840 A JPH09148840 A JP H09148840A
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- msa
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- dielectric substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明はマイクロストリップアンテナ（ＭＳ
Ａ）が小さく薄くなった場合でも、それより大きく厚い
ＭＳＡと同等の電気的特性を得ることができるマイクロ
ストリップアンテナを提供することを目的とする。 【解決手段】誘電体基板３を放射導体のパッチ面１とグ
ランド面２ａとで挟んで成るＭＳＡにおいて、グランド
面２ａで誘電体基板３の底面及び４側面を被覆し、パッ
チ面１を含む面を、パッチ面１の周端とグランド面２ａ
の周端との間隔ｌがグランド面２ａの側壁の高さｈより
も長くなるように構成する。
Ａ）が小さく薄くなった場合でも、それより大きく厚い
ＭＳＡと同等の電気的特性を得ることができるマイクロ
ストリップアンテナを提供することを目的とする。 【解決手段】誘電体基板３を放射導体のパッチ面１とグ
ランド面２ａとで挟んで成るＭＳＡにおいて、グランド
面２ａで誘電体基板３の底面及び４側面を被覆し、パッ
チ面１を含む面を、パッチ面１の周端とグランド面２ａ
の周端との間隔ｌがグランド面２ａの側壁の高さｈより
も長くなるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は小型・軽量・ロープ
ロファイル等の特性を持つ、小型アンテナの代表格であ
るマイクロストリップアンテナ（以下、ＭＳＡという）
に関する。
ロファイル等の特性を持つ、小型アンテナの代表格であ
るマイクロストリップアンテナ（以下、ＭＳＡという）
に関する。
【０００２】近年、無線装置は、機能として独立した通
信機器は勿論のこと、パソコン等のＯＡ機器にも用いら
れており、ワイヤレスなデータ通信をオフィス内で行う
ことにも利用されるなど、その応用範囲を広げている。
信機器は勿論のこと、パソコン等のＯＡ機器にも用いら
れており、ワイヤレスなデータ通信をオフィス内で行う
ことにも利用されるなど、その応用範囲を広げている。
【０００３】このような装置には必ずアンテナがインタ
フェースとして存在するが、装置自体の小型化に伴い小
型・軽量で高性能なものが要求されている。
フェースとして存在するが、装置自体の小型化に伴い小
型・軽量で高性能なものが要求されている。
【０００４】
【従来の技術】前述したようにアンテナは、装置自体の
小型化に伴い小型・軽量で高性能なものが要求されてい
るが、小型化と高性能化はアンテナにとって相反する事
項であり、ＭＳＡは、それらのトレードオフを解決でき
るアンテナとして注目されてきた。
小型化に伴い小型・軽量で高性能なものが要求されてい
るが、小型化と高性能化はアンテナにとって相反する事
項であり、ＭＳＡは、それらのトレードオフを解決でき
るアンテナとして注目されてきた。
【０００５】図１６（ａ）に従来のＭＳＡの構成を示す
平面図、（ｂ）に平面図のＡ−Ａ′断面図を示し、その
説明を行う。図１６に示すように、ＭＳＡ５０は、放射
導体であるパッチ面１とグランド面２とがその間に誘電
体基板３を挟んで平行に配置され構成されている。一般
的にパッチ面１が共振周波数に依存する大きさと成り、
グランド面２がそれよりもやや広めの大きさに構成され
ている。このような構成にあって、符号５１で示すよう
に電界がパッチ面１とグランド面２の間に励振される。
平面図、（ｂ）に平面図のＡ−Ａ′断面図を示し、その
説明を行う。図１６に示すように、ＭＳＡ５０は、放射
導体であるパッチ面１とグランド面２とがその間に誘電
体基板３を挟んで平行に配置され構成されている。一般
的にパッチ面１が共振周波数に依存する大きさと成り、
グランド面２がそれよりもやや広めの大きさに構成され
ている。このような構成にあって、符号５１で示すよう
に電界がパッチ面１とグランド面２の間に励振される。
【０００６】ところが、図１７に示すようにＭＳＡ５０
は、ＭＳＡ５０が搭載される装置５２側の小型化の要求
によりグランド面２が小さく、その厚さ（高さ）ｈも薄
くせざる（低くせざる）を得なくなってきている。
は、ＭＳＡ５０が搭載される装置５２側の小型化の要求
によりグランド面２が小さく、その厚さ（高さ）ｈも薄
くせざる（低くせざる）を得なくなってきている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のＭＳＡ５０は、その形状が小さく薄くなるに従っ
て、図１８に示すように、放射効率５３と周波数帯域幅
５４が劣化する、即ち電気的特性が劣化する問題があっ
た。
来のＭＳＡ５０は、その形状が小さく薄くなるに従っ
て、図１８に示すように、放射効率５３と周波数帯域幅
５４が劣化する、即ち電気的特性が劣化する問題があっ
た。
【０００８】更に図１７に示すように、グランド面２が
小さくなると、符号５５で示すようにパッチ面１からグ
ランド面２裏面への電界の回り込みが大きくなり、ＭＳ
Ａ５０の特徴の一つである単方向性が失われるのと同時
にグランド面２下面の影響を受けやすくなり他の装置５
２と干渉を起こし、益々、放射特性、帯域特性が劣化す
る問題があった。
小さくなると、符号５５で示すようにパッチ面１からグ
ランド面２裏面への電界の回り込みが大きくなり、ＭＳ
Ａ５０の特徴の一つである単方向性が失われるのと同時
にグランド面２下面の影響を受けやすくなり他の装置５
２と干渉を起こし、益々、放射特性、帯域特性が劣化す
る問題があった。
【０００９】但し、装置５２はＭＳＡ５０が搭載される
装置内のＭＳＡ５０以外の装置、若しくはＭＳＡ５０が
搭載される装置５２以外の装置の何れかであり、何れで
もＭＳＡ５０の付近に存在すれば同様に前記した特性が
劣化する。
装置内のＭＳＡ５０以外の装置、若しくはＭＳＡ５０が
搭載される装置５２以外の装置の何れかであり、何れで
もＭＳＡ５０の付近に存在すれば同様に前記した特性が
劣化する。
【００１０】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、ＭＳＡが小さく薄くなった場合でも、それ
より大きく厚いＭＳＡと同等の電気的特性を得ることが
できるマイクロストリップアンテナを提供することを目
的としている。
ものであり、ＭＳＡが小さく薄くなった場合でも、それ
より大きく厚いＭＳＡと同等の電気的特性を得ることが
できるマイクロストリップアンテナを提供することを目
的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】誘電体基板を放射導体の
パッチ面とグランド面とで挟んで成るマイクロストリッ
プアンテナにおいて、グランド面の少なくとも一部をそ
の先端がパッチ面と概略等しい高さとなるように折り曲
げ、折り曲げ部で誘電体基板の側面を被覆し、パッチ面
を含む面を、パッチ面の周端とグランド面の折り曲げ端
との間隔がグランド面の折り曲げ部の高さよりも長くな
るように構成したことにある。
パッチ面とグランド面とで挟んで成るマイクロストリッ
プアンテナにおいて、グランド面の少なくとも一部をそ
の先端がパッチ面と概略等しい高さとなるように折り曲
げ、折り曲げ部で誘電体基板の側面を被覆し、パッチ面
を含む面を、パッチ面の周端とグランド面の折り曲げ端
との間隔がグランド面の折り曲げ部の高さよりも長くな
るように構成したことにある。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。図１は本発明の第１実施形態
によるＭＳＡの構成を示す斜視図、図２（ａ）は図１の
平面図、図２（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
これらの図に示す第１実施形態において図１６（ａ）及
び（ｂ）に示した従来例の各部に対応する部分には同一
符号を付し、その説明を省略する。
施形態について説明する。図１は本発明の第１実施形態
によるＭＳＡの構成を示す斜視図、図２（ａ）は図１の
平面図、図２（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
これらの図に示す第１実施形態において図１６（ａ）及
び（ｂ）に示した従来例の各部に対応する部分には同一
符号を付し、その説明を省略する。
【００１３】図１及び図２に示す第１実施形態のＭＳＡ
６０が、図１６に示した従来のＭＳＡ５０と異なる点
は、誘電体基板３の底面及び４側面を被覆するグランド
面２ａを設けたことにある。
６０が、図１６に示した従来のＭＳＡ５０と異なる点
は、誘電体基板３の底面及び４側面を被覆するグランド
面２ａを設けたことにある。
【００１４】また、パッチ面１を含む面は、パッチ面１
の端とグランド面２ａの折り曲げ端との間隔ｌがグラン
ド面２ａの側壁の高さ（ＭＳＡの高さ）ｈよりも大きく
なるように形成してある。
の端とグランド面２ａの折り曲げ端との間隔ｌがグラン
ド面２ａの側壁の高さ（ＭＳＡの高さ）ｈよりも大きく
なるように形成してある。
【００１５】このような構成においては、図２に符号６
１で示すように、パッチ面１の端からグランド面２ａの
端へ電界が励振され、等価的に厚い誘電体基板３を用い
た場合のＭＳＡと同等の磁界壁が形成されるので電気的
特性が改善されることになる。
１で示すように、パッチ面１の端からグランド面２ａの
端へ電界が励振され、等価的に厚い誘電体基板３を用い
た場合のＭＳＡと同等の磁界壁が形成されるので電気的
特性が改善されることになる。
【００１６】この理由を説明する。誘電体基板３の厚
さ、即ちＭＳＡ６０の高さｈが高い程、図１８に示した
ように放射効率５３と周波数帯域幅５４が向上する。第
１実施形態のＭＳＡ６１においては、パッチ面１の端と
グランド面２ａの端との間隔ｌを、ＭＳＡ６０の高さｈ
に等価的に置き換えることができる。
さ、即ちＭＳＡ６０の高さｈが高い程、図１８に示した
ように放射効率５３と周波数帯域幅５４が向上する。第
１実施形態のＭＳＡ６１においては、パッチ面１の端と
グランド面２ａの端との間隔ｌを、ＭＳＡ６０の高さｈ
に等価的に置き換えることができる。
【００１７】従って、ＭＳＡ６０の高さｈを小型化の要
求に応じて低くしたとしても、間隔ｌを確保すれば、放
射効率が良く、帯域幅の広いＭＳＡ６０を得ることがで
きる。
求に応じて低くしたとしても、間隔ｌを確保すれば、放
射効率が良く、帯域幅の広いＭＳＡ６０を得ることがで
きる。
【００１８】また、グランド面２ａの側壁は、グランド
面２ａを誘電体基板３の底面に沿って真っ直ぐ延長して
長くした場合と等価なので、グランド面２ａの側壁によ
ってＭＳＡ６０の下部へ向かう電界の影響を減少させる
ことができる。従って、グランド面２ａを誘電体基板３
の底面に沿って延長することによりＭＳＡ６０を大きく
しなくても、ＭＳＡ６０の下部へ向かう電界の影響を減
少させることができる。
面２ａを誘電体基板３の底面に沿って真っ直ぐ延長して
長くした場合と等価なので、グランド面２ａの側壁によ
ってＭＳＡ６０の下部へ向かう電界の影響を減少させる
ことができる。従って、グランド面２ａを誘電体基板３
の底面に沿って延長することによりＭＳＡ６０を大きく
しなくても、ＭＳＡ６０の下部へ向かう電界の影響を減
少させることができる。
【００１９】以上説明した本発明の第１実施形態のＭＳ
Ａ６０の帯域幅特性の実験値を図３に示し、図４に示す
従来のＭＳＡのものと比較すると、本発明のＭＳＡ６０
の帯域特性が約２４％改善されていることが分かる。
Ａ６０の帯域幅特性の実験値を図３に示し、図４に示す
従来のＭＳＡのものと比較すると、本発明のＭＳＡ６０
の帯域特性が約２４％改善されていることが分かる。
【００２０】即ち、図３及び図４とも横軸に周波数ｆ、
縦軸に周波数帯域を限定するときに用いられる規定ポイ
ントであるＶＳＷＲが取ってあり、符号６２及び６３で
示す同規定ポイント線と、６４及び６５で示す周波数特
性曲線との交点による周波数帯域幅を比較すると、図３
に示す本発明のＭＳＡ６０の帯域幅が広くなっているこ
とが分かる。
縦軸に周波数帯域を限定するときに用いられる規定ポイ
ントであるＶＳＷＲが取ってあり、符号６２及び６３で
示す同規定ポイント線と、６４及び６５で示す周波数特
性曲線との交点による周波数帯域幅を比較すると、図３
に示す本発明のＭＳＡ６０の帯域幅が広くなっているこ
とが分かる。
【００２１】また、第１実施形態のＭＳＡ６０の放射特
性の実験値を図５に示し、図６に示す従来のＭＳＡのも
のと比較すると、本発明のＭＳＡ６０の放射特性が約１
４％改善されていることが分かる。
性の実験値を図５に示し、図６に示す従来のＭＳＡのも
のと比較すると、本発明のＭＳＡ６０の放射特性が約１
４％改善されていることが分かる。
【００２２】これは図５及び図６に実線の閉ループ６
７，６８及び破線の閉ループ７１，７２で示す放射パタ
ーン曲線を元に計算した立体的な放射パターンの表面積
を比較することによって分かる。但し、放射パターン曲
線６７，６８における矢印６９及び７０で指示するヌル
点や、破線の閉ループ７１及び７２で示す交差偏波成分
は、ＭＳＡを装置に装着した状態で実験を行ったための
装置の影響によるものである。
７，６８及び破線の閉ループ７１，７２で示す放射パタ
ーン曲線を元に計算した立体的な放射パターンの表面積
を比較することによって分かる。但し、放射パターン曲
線６７，６８における矢印６９及び７０で指示するヌル
点や、破線の閉ループ７１及び７２で示す交差偏波成分
は、ＭＳＡを装置に装着した状態で実験を行ったための
装置の影響によるものである。
【００２３】本実施形態の変形例として、グランド面２
ａの全部を折り曲げるのではなくグランド面２ａの一部
をその先端がパッチ面１と概略等しい高さとなるように
折り曲げ、折り曲げ部で誘電体基板３の側面を被覆する
ようにしてもよい。
ａの全部を折り曲げるのではなくグランド面２ａの一部
をその先端がパッチ面１と概略等しい高さとなるように
折り曲げ、折り曲げ部で誘電体基板３の側面を被覆する
ようにしてもよい。
【００２４】次に、第２実施形態を図７及び図８を参照
して説明する。図７は本発明の第２実施形態によるＭＳ
Ａの構成を示す斜視図、図８（ａ）は図７の平面図、図
８（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ′断面図であり、これらの図
に示す第２実施形態において図１及び図２に示した第１
実施形態の各部に対応する部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。
して説明する。図７は本発明の第２実施形態によるＭＳ
Ａの構成を示す斜視図、図８（ａ）は図７の平面図、図
８（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ′断面図であり、これらの図
に示す第２実施形態において図１及び図２に示した第１
実施形態の各部に対応する部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。
【００２５】図７及び図８に示す第２実施形態のＭＳＡ
７４が、図１及び図２に示した第１実施形態のＭＳＡ６
０と異なる点は、符号４で示すパッチ面１の端とグラン
ド面２ａの端との間の誘電体基板を取り除き、誘電体基
板３ａをパッチ面１の下部のみとしたことにある。
７４が、図１及び図２に示した第１実施形態のＭＳＡ６
０と異なる点は、符号４で示すパッチ面１の端とグラン
ド面２ａの端との間の誘電体基板を取り除き、誘電体基
板３ａをパッチ面１の下部のみとしたことにある。
【００２６】このように構成することによって、パッチ
面１の端からグランド面２ａの端との間の誘電体基板が
無くなるので、その分、誘電体損失が少なくなり、パッ
チ面１とグランド面２ａの間に励振される電界の放射効
率が良くなる。この結果、第１実施形態よりも更に電気
的特性を向上させることができる。
面１の端からグランド面２ａの端との間の誘電体基板が
無くなるので、その分、誘電体損失が少なくなり、パッ
チ面１とグランド面２ａの間に励振される電界の放射効
率が良くなる。この結果、第１実施形態よりも更に電気
的特性を向上させることができる。
【００２７】また、図９に示すようにＭＳＡ７６を構成
しても第２実施形態とほぼ同様の効果がある。これは、
図９に示すように、パッチ面１の端とグランド面２ａの
端との間のＭＳＡ７６の高さ方向の上半分の誘電体基板
を取り除き、符号３ｂ，３ｃで示すように誘電体基板が
パッチ面１の下部と、ＭＳＡ７６の高さ方向の下半分の
み残るように構成したものである。また、このように構
成した場合、マイクロストリップ線路を用いた電界結合
給電によって、給電線をＭＳＡ７６の横方向から引き出
すことができる。
しても第２実施形態とほぼ同様の効果がある。これは、
図９に示すように、パッチ面１の端とグランド面２ａの
端との間のＭＳＡ７６の高さ方向の上半分の誘電体基板
を取り除き、符号３ｂ，３ｃで示すように誘電体基板が
パッチ面１の下部と、ＭＳＡ７６の高さ方向の下半分の
み残るように構成したものである。また、このように構
成した場合、マイクロストリップ線路を用いた電界結合
給電によって、給電線をＭＳＡ７６の横方向から引き出
すことができる。
【００２８】次に、第３実施形態を図１０を参照して説
明する。但し、図１０（ａ）は第３実施形態によるＭＳ
Ａの構成を示す平面図、図１０（ｂ）は（ａ）のＣ−
Ｃ′断面図であり、これらの図に示す第３実施形態にお
いて図７及び図８に示した第２実施形態の各部に対応す
る部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
明する。但し、図１０（ａ）は第３実施形態によるＭＳ
Ａの構成を示す平面図、図１０（ｂ）は（ａ）のＣ−
Ｃ′断面図であり、これらの図に示す第３実施形態にお
いて図７及び図８に示した第２実施形態の各部に対応す
る部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２９】図１０に示す第３実施形態のＭＳＡ７８
が、図７及び図８に示した第２実施形態のＭＳＡ７４と
異なる点は、符号２ｂで示すグランド面の側面を、矢印
２ｃで示すように湾曲状に折り曲げると共に、符号２ｄ
で示すように側面の４隅を曲線状にしたことにある。
が、図７及び図８に示した第２実施形態のＭＳＡ７４と
異なる点は、符号２ｂで示すグランド面の側面を、矢印
２ｃで示すように湾曲状に折り曲げると共に、符号２ｄ
で示すように側面の４隅を曲線状にしたことにある。
【００３０】このようにグランド面２ｂの折り曲がり箇
所を曲線状にすることによって、図１１に矢印７９で示
す電界の流れがスムーズとなり、インピーダンス特性
（帯域特性）をより向上させることができる。
所を曲線状にすることによって、図１１に矢印７９で示
す電界の流れがスムーズとなり、インピーダンス特性
（帯域特性）をより向上させることができる。
【００３１】また、図１２に矢印２ｅで示すように、側
面を小刻みな階段状で湾曲させてグランド面２ｆを形成
しても矢印８０で示す電界の流れがスムーズとなり、帯
域特性をより向上させることができる。
面を小刻みな階段状で湾曲させてグランド面２ｆを形成
しても矢印８０で示す電界の流れがスムーズとなり、帯
域特性をより向上させることができる。
【００３２】次に、第４実施形態を図１３を参照して説
明する。但し、図１３（ａ）は第４実施形態によるＭＳ
Ａの構成を示す平面図、図１３（ｂ）は（ａ）のＤ−
Ｄ′断面図であり、これらの図に示す第４実施形態にお
いて図７及び図８に示した第２実施形態の各部に対応す
る部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
明する。但し、図１３（ａ）は第４実施形態によるＭＳ
Ａの構成を示す平面図、図１３（ｂ）は（ａ）のＤ−
Ｄ′断面図であり、これらの図に示す第４実施形態にお
いて図７及び図８に示した第２実施形態の各部に対応す
る部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３３】また、図１３（ａ）の平面図は、（ｂ）に
符号６で示す蓋部が無い状態のものとする。図１３に示
す第４実施形態のＭＳＡ８１が、図７及び図８に示した
第２実施形態のＭＳＡ７４と異なる点は、図７及び図８
に示したグランド面２ａと同形状のＡＢＳ樹脂による筐
体５の内壁にアルミ蒸着等によるメタライズ部７を形成
し、また、誘電体基板３ａの底面に符号２ｇで示すグラ
ンド面２ａを形成し、更に、筐体５のＡＢＳ樹脂による
蓋部６を設けたことにある。
符号６で示す蓋部が無い状態のものとする。図１３に示
す第４実施形態のＭＳＡ８１が、図７及び図８に示した
第２実施形態のＭＳＡ７４と異なる点は、図７及び図８
に示したグランド面２ａと同形状のＡＢＳ樹脂による筐
体５の内壁にアルミ蒸着等によるメタライズ部７を形成
し、また、誘電体基板３ａの底面に符号２ｇで示すグラ
ンド面２ａを形成し、更に、筐体５のＡＢＳ樹脂による
蓋部６を設けたことにある。
【００３４】このような構成のＭＳＡ８１を作成する場
合、図１４に示すように、最初に、筐体５の内面にメタ
ライズ部７を形成し、次に、上面にパッチ面１、底面に
グランド面２ｇが形成された誘電体基板３ａをメタライ
ズ部７に載置し、最後に、蓋部６で固定する。
合、図１４に示すように、最初に、筐体５の内面にメタ
ライズ部７を形成し、次に、上面にパッチ面１、底面に
グランド面２ｇが形成された誘電体基板３ａをメタライ
ズ部７に載置し、最後に、蓋部６で固定する。
【００３５】この他、図１５に示すように、メタライズ
部７の代わりに、筐体５と同形状で筐体５の内側に密着
して嵌合できる銅箔８を、筐体５に嵌め込んで作成して
もよい。このような第４実施形態においても第２実施形
態同様の効果を得ることが可能となる。
部７の代わりに、筐体５と同形状で筐体５の内側に密着
して嵌合できる銅箔８を、筐体５に嵌め込んで作成して
もよい。このような第４実施形態においても第２実施形
態同様の効果を得ることが可能となる。
【００３６】なお、上述した第１〜第４実施形態では４
角形状のパッチ面１を示したが、その形状は丸形状、楕
円形状であってもよい。
角形状のパッチ面１を示したが、その形状は丸形状、楕
円形状であってもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マイクロストリップアンテナが小さく薄くなった場合で
も、それより大きく厚いマイクロストリップアンテナと
同等の電気的特性を得ることができる効果がある。
マイクロストリップアンテナが小さく薄くなった場合で
も、それより大きく厚いマイクロストリップアンテナと
同等の電気的特性を得ることができる効果がある。
【図１】本発明の第１実施形態によるマイクロストリッ
プアンテナの構成を示す斜視図である。
プアンテナの構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示すマイクロストリップアンテナの平面
図及びその平面図のＡ−Ａ′断面図である。
図及びその平面図のＡ−Ａ′断面図である。
【図３】本発明のマイクロストリップアンテナの帯域特
性図である。
性図である。
【図４】従来のマイクロストリップアンテナの帯域特性
図である。
図である。
【図５】本発明のマイクロストリップアンテナの放射特
性図である。
性図である。
【図６】従来のマイクロストリップアンテナの放射特性
図である。
図である。
【図７】本発明の第２実施形態によるマイクロストリッ
プアンテナの構成を示す斜視図である。
プアンテナの構成を示す斜視図である。
【図８】図７に示すマイクロストリップアンテナの平面
図及びその平面図のＢ−Ｂ′断面図である。
図及びその平面図のＢ−Ｂ′断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態によるマイクロストリッ
プアンテナの変形例を示す図である。
プアンテナの変形例を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態によるマイクロストリ
ップアンテナの平面図及びその平面図のＣ−Ｃ′断面図
である。
ップアンテナの平面図及びその平面図のＣ−Ｃ′断面図
である。
【図１１】マイクロストリップアンテナのグランド面の
側面形状効果説明図である。
側面形状効果説明図である。
【図１２】マイクロストリップアンテナのグランド面の
他の側面形状効果説明図である。
他の側面形状効果説明図である。
【図１３】本発明の第４実施形態によるマイクロストリ
ップアンテナの平面図及びその平面図のＤ−Ｄ′断面図
である。
ップアンテナの平面図及びその平面図のＤ−Ｄ′断面図
である。
【図１４】図１３に示すマイクロストリップアンテナの
作成方法説明図である。
作成方法説明図である。
【図１５】図１３に示すマイクロストリップアンテナの
変形例の作成方法説明図である。
変形例の作成方法説明図である。
【図１６】従来例によるマイクロストリップアンテナの
平面図及びその平面図のＡ−Ａ′断面図である。
平面図及びその平面図のＡ−Ａ′断面図である。
【図１７】他の従来例によるマイクロストリップアンテ
ナの側面図である。
ナの側面図である。
【図１８】マイクロストリップアンテナの放射効率及び
帯域幅の高さ（ｈ）への依存特性を示す図である。
帯域幅の高さ（ｈ）への依存特性を示す図である。
１ パッチ面 ２ａ グランド面 ３ 誘電体基板 ｈ マイクロストリップアンテナの高さ ｌ パッチ面の周端とグランド面の周端との間隔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 宏之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 戸田 健 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体基板を放射導体のパッチ面とグラ
ンド面とで挟んで成るマイクロストリップアンテナにお
いて、 前記グランド面の少なくとも一部をその先端がパッチ面
と概略等しい高さとなるように折り曲げ、折り曲げ部で
前記誘電体基板の側面を被覆し、前記パッチ面を含む面
を、該パッチ面の周端と該グランド面の折り曲げ端との
間隔が該グランド面の折り曲げ部の高さよりも長くなる
ように構成したことを特徴とするマイクロストリップア
ンテナ。 - 【請求項２】 前記パッチ面の下部以外の前記誘電体基
板を除去したことを特徴とする請求項１記載のマイクロ
ストリップアンテナ。 - 【請求項３】 前記パッチ面の下部以外の一部の前記誘
電体基板を除去したことを特徴とする請求項１記載のマ
イクロストリップアンテナ。 - 【請求項４】 前記パッチ面の周端と前記グランド面の
周端との間の、高さ方向の概略上半分の前記誘電体基板
を除去したことを特徴とする請求項１記載のマイクロス
トリップアンテナ。 - 【請求項５】 前記グランド面の４側面を、該グランド
面の底面から前記パッチ面の周端の高さまで湾曲状に立
ち上げて形成すると共に、該４側面の角を曲線状に形成
したことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のマ
イクロストリップアンテナ。 - 【請求項６】 誘電体基板を放射導体のパッチ面とグラ
ンド面とで挟んで成るマイクロストリップアンテナにお
いて、 前記誘電体基板の底面にメタライズ加工を施し、内面に
メタライズ加工が施されたケース内に双方のメタライズ
加工部が接触するように該誘電体基板を固定し、この固
定時に、前記パッチ面の周端と該ケースのメタライズ加
工部の周端との間隔が該ケースのメタライズ加工部の側
壁の高さよりも長くなるように構成したことを特徴とす
るマイクロストリップアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30792595A JPH09148840A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30792595A JPH09148840A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | マイクロストリップアンテナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148840A true JPH09148840A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17974826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30792595A Withdrawn JPH09148840A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148840A (ja) |
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- 1995-11-27 JP JP30792595A patent/JPH09148840A/ja not_active Withdrawn
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