JPH09145778A - 高周波ｉｃ用テストフィクスチャ - Google Patents
高周波ｉｃ用テストフィクスチャInfo
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- JPH09145778A JPH09145778A JP7305390A JP30539095A JPH09145778A JP H09145778 A JPH09145778 A JP H09145778A JP 7305390 A JP7305390 A JP 7305390A JP 30539095 A JP30539095 A JP 30539095A JP H09145778 A JPH09145778 A JP H09145778A
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- frequency
- test fixture
- dielectric
- conductive line
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型、多ピン化された高周波ＩＣの特性を高
精度で測定することができる高周波ＩＣ用テストフィク
スチャを提供する。 【解決手段】 板状の誘電体の一方の面に接地電位と接
続された導体板が接合され、その一方の面と対向する他
方の面に被測定デバイスのリード線が接触して信号が伝
送される導電線路が形成された第１の基板と、板状の誘
電体の一方の面に接地電位と接続された導体板が接合さ
れ、その一方の面と対向する他方の面が第１の基板の他
方の面と向き合って配置される第２の基板とを有し、被
測定デバイスの特性を測定するときは、リード線を導電
線路と接触させつつ、第１の基板と第２の基板とを密着
させる構成とする。
精度で測定することができる高周波ＩＣ用テストフィク
スチャを提供する。 【解決手段】 板状の誘電体の一方の面に接地電位と接
続された導体板が接合され、その一方の面と対向する他
方の面に被測定デバイスのリード線が接触して信号が伝
送される導電線路が形成された第１の基板と、板状の誘
電体の一方の面に接地電位と接続された導体板が接合さ
れ、その一方の面と対向する他方の面が第１の基板の他
方の面と向き合って配置される第２の基板とを有し、被
測定デバイスの特性を測定するときは、リード線を導電
線路と接触させつつ、第１の基板と第２の基板とを密着
させる構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波ＩＣの特性を
測定するための測定装置に用いられる高周波ＩＣ用テス
トフィクスチャに関するものである。
測定するための測定装置に用いられる高周波ＩＣ用テス
トフィクスチャに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、携帯電話機やＰＨＳ（Ｐｅｒｓｏ
ｎａｌ Ｈａｎｄｙ−Ｐｈｏｎｅ Ｓｙｓｔｅｍ）など
が急速に普及し、移動体通信機に対する小型化、低価格
化、軽量化の要求がますます高まってきている。これら
の移動体通信機のうち、音声信号の処理などを行うベー
スバンド部のＩＣ化については既に実施され、現在個別
のデバイスで構成されているＩＦ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉ
ａｔｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）部やＲＦ（Ｒａｄｉｏ
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）部を構成するアンプ、フィルタ、
ミキサ等の高周波回路についても、近い将来、ＩＣ化さ
れるものと予想される。
ｎａｌ Ｈａｎｄｙ−Ｐｈｏｎｅ Ｓｙｓｔｅｍ）など
が急速に普及し、移動体通信機に対する小型化、低価格
化、軽量化の要求がますます高まってきている。これら
の移動体通信機のうち、音声信号の処理などを行うベー
スバンド部のＩＣ化については既に実施され、現在個別
のデバイスで構成されているＩＦ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉ
ａｔｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）部やＲＦ（Ｒａｄｉｏ
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）部を構成するアンプ、フィルタ、
ミキサ等の高周波回路についても、近い将来、ＩＣ化さ
れるものと予想される。
【０００３】図５はＩＣのパッケージの形状を示す図で
あり、同図（ａ）はプラスチックＳＯＰの形状図、同図
（ｂ）はプラスチックＱＦＰの形状図である。
あり、同図（ａ）はプラスチックＳＯＰの形状図、同図
（ｂ）はプラスチックＱＦＰの形状図である。
【０００４】ＩＦ部やＲＦ部をＩＣ化する際には、図５
（ａ）に示すようなプラスチックＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ
Ｏｕｔ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）を用いることが有
力である。さらに、ベースバンド部を含めたＩＣを構成
するために、図５（ｂ）に示すような、より多くのイン
ターフェイス用のリード線を備えたプラスチックＱＦＰ
（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）を用いること
も考えられる。
（ａ）に示すようなプラスチックＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ
Ｏｕｔ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）を用いることが有
力である。さらに、ベースバンド部を含めたＩＣを構成
するために、図５（ｂ）に示すような、より多くのイン
ターフェイス用のリード線を備えたプラスチックＱＦＰ
（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）を用いること
も考えられる。
【０００５】これらのパッケージで製造された高周波Ｉ
Ｃの特性を測定するＩＣ試験装置などでは、従来、ＩＣ
を固定して電気的なインタフェースを取るためのテスト
フィクスチャとして、板バネ方式や同軸コンタクト方式
のものが採用されていた。
Ｃの特性を測定するＩＣ試験装置などでは、従来、ＩＣ
を固定して電気的なインタフェースを取るためのテスト
フィクスチャとして、板バネ方式や同軸コンタクト方式
のものが採用されていた。
【０００６】図６は従来の高周波ＩＣ用テストフィクス
チャの板バネ方式の構造を示す図であり、同図（ａ）は
その斜視図、同図（ｂ）はそのアイソレーション特性を
示すグラフである。また、図７は従来の高周波ＩＣ用テ
ストフィクスチャの同軸コンタクト方式の構造を示す図
であり、同図（ａ）はその側断面図、同図（ｂ）はその
アイソレーション特性を示すグラフである。
チャの板バネ方式の構造を示す図であり、同図（ａ）は
その斜視図、同図（ｂ）はそのアイソレーション特性を
示すグラフである。また、図７は従来の高周波ＩＣ用テ
ストフィクスチャの同軸コンタクト方式の構造を示す図
であり、同図（ａ）はその側断面図、同図（ｂ）はその
アイソレーション特性を示すグラフである。
【０００７】図６（ａ）に示すように板バネ方式のテス
トフィクスチャは、ＤＵＴ（被測定デバイス：Ｄｅｖｉ
ｃｅ Ｕｎｄｅｒ Ｔｅｓｔ）１０５をアースバネ１０
１によって接地電位に接続された導電ブロック１００上
に固定する。ＤＵＴ１０５からは誘電体基板上に形成さ
れた導電線路（ストリップライン）１０２によって信号
が引き出され、導電ブロック１００に固定されたコネク
タ１０３を経由して測定装置との信号の送受信が行われ
る。
トフィクスチャは、ＤＵＴ（被測定デバイス：Ｄｅｖｉ
ｃｅ Ｕｎｄｅｒ Ｔｅｓｔ）１０５をアースバネ１０
１によって接地電位に接続された導電ブロック１００上
に固定する。ＤＵＴ１０５からは誘電体基板上に形成さ
れた導電線路（ストリップライン）１０２によって信号
が引き出され、導電ブロック１００に固定されたコネク
タ１０３を経由して測定装置との信号の送受信が行われ
る。
【０００８】一方、図７（ａ）に示すように同軸コンタ
クト方式のテストフィクスチャは、ＤＵＴ２０５をデバ
イスガイド２０２によってアースバネ２０１上に固定す
る。ＤＵＴ２０５からは同軸コンタクトピン２０３によ
って信号が引き出され、基板２０６上に形成されたマッ
チング回路２０４によりインピーダンス整合されて、同
軸ケーブル２０９、及びケースに固定されたコネクタ２
０８を経て測定装置との送受信が行われる。また、これ
ら同軸コンタクトピン２０３、マッチング回路２０４、
及び同軸ケーブル２０５は各信号毎にそれぞれシールド
板２０７によって仕切られている。
クト方式のテストフィクスチャは、ＤＵＴ２０５をデバ
イスガイド２０２によってアースバネ２０１上に固定す
る。ＤＵＴ２０５からは同軸コンタクトピン２０３によ
って信号が引き出され、基板２０６上に形成されたマッ
チング回路２０４によりインピーダンス整合されて、同
軸ケーブル２０９、及びケースに固定されたコネクタ２
０８を経て測定装置との送受信が行われる。また、これ
ら同軸コンタクトピン２０３、マッチング回路２０４、
及び同軸ケーブル２０５は各信号毎にそれぞれシールド
板２０７によって仕切られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の高周波ＩＣ用テストフィクスチャのうち、
板バネ方式のテストフィクスチャでは、導電線路がアン
テナとして働いてしまうため、図６（ｂ）に示すように
アイソレーション特性が良くないという問題があった。
ような従来の高周波ＩＣ用テストフィクスチャのうち、
板バネ方式のテストフィクスチャでは、導電線路がアン
テナとして働いてしまうため、図６（ｂ）に示すように
アイソレーション特性が良くないという問題があった。
【００１０】一方、同軸コンタクトピン方式のテストフ
ィクスチャでは、図７（ｂ）に示すようにアイソレーシ
ョン特性については良好であるが、図５（ａ）、（ｂ）
に示したようなプラスチックＳＯＰやプラスチックＱＦ
Ｐ等のような、リード線のピッチ間隔が狭いパッケージ
に対応できないという問題があった。これは、これらの
パッケージのリード線のピッチ間隔Ｐが０．６５〜１．
２７ｍｍと狭いため、同軸コンタクトピンの直径をこの
寸法に対応して細くすることができないためである。
ィクスチャでは、図７（ｂ）に示すようにアイソレーシ
ョン特性については良好であるが、図５（ａ）、（ｂ）
に示したようなプラスチックＳＯＰやプラスチックＱＦ
Ｐ等のような、リード線のピッチ間隔が狭いパッケージ
に対応できないという問題があった。これは、これらの
パッケージのリード線のピッチ間隔Ｐが０．６５〜１．
２７ｍｍと狭いため、同軸コンタクトピンの直径をこの
寸法に対応して細くすることができないためである。
【００１１】さらに、プラスチックＱＦＰを取り付ける
ために、図８に示すような専用のＩＣソケットを使用す
ると、コンタクト部及び導電線路の特性インピーダンス
を高周波的に整合させることができないため、それらの
部位で特性が劣化し、高精度な測定を行うことが不可能
であった。
ために、図８に示すような専用のＩＣソケットを使用す
ると、コンタクト部及び導電線路の特性インピーダンス
を高周波的に整合させることができないため、それらの
部位で特性が劣化し、高精度な測定を行うことが不可能
であった。
【００１２】本発明は上記したような従来の技術が有す
る問題点を解決するためになされたものであり、小型、
多ピン化された高周波ＩＣの特性を高精度で測定するこ
とができる高周波ＩＣ用テストフィクスチャを提供する
ことを目的とする。
る問題点を解決するためになされたものであり、小型、
多ピン化された高周波ＩＣの特性を高精度で測定するこ
とができる高周波ＩＣ用テストフィクスチャを提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の高周波ＩＣ用テストフィクスチャは、板状の誘
電体の一方の面に接地電位と接続された導体板が接合さ
れ、該一方の面と対向する他方の面に被測定デバイスの
リード線が接触して信号が伝送される導電線路が形成さ
れた第１の基板と、板状の誘電体の一方の面に接地電位
と接続された導体板が接合され、該一方の面と対向する
他方の面が前記第１の基板の他方の面と向き合って配置
される第２の基板とを有し、前記被測定デバイスの特性
を測定するときは、前記リード線を前記導電線路と接触
させつつ、前記第１の基板と前記第２の基板とを密着さ
せることを特徴とする。
本発明の高周波ＩＣ用テストフィクスチャは、板状の誘
電体の一方の面に接地電位と接続された導体板が接合さ
れ、該一方の面と対向する他方の面に被測定デバイスの
リード線が接触して信号が伝送される導電線路が形成さ
れた第１の基板と、板状の誘電体の一方の面に接地電位
と接続された導体板が接合され、該一方の面と対向する
他方の面が前記第１の基板の他方の面と向き合って配置
される第２の基板とを有し、前記被測定デバイスの特性
を測定するときは、前記リード線を前記導電線路と接触
させつつ、前記第１の基板と前記第２の基板とを密着さ
せることを特徴とする。
【００１４】このとき、導電線路を弾性部材で形成し、
被測定デバイスのリード線と接触する部位を誘電体上か
ら浮かせてもよく、 前記第１の基板及び前記第２の基
板のうち、少なくともいずれか一方に対向移動可能な移
動手段を備えていてもよい。上記のように構成された高
周波ＩＣ用テストフィクスチャは、被測定デバイスのリ
ード線と導電線路を接触させるようにして、第１の基板
と第２の基板を密着させる。このとき信号が伝送される
導電線路は誘電体を介して接地電位と接続された２つの
導体板によってシールドされるため、アイソレーション
特性の劣化が軽減される。
被測定デバイスのリード線と接触する部位を誘電体上か
ら浮かせてもよく、 前記第１の基板及び前記第２の基
板のうち、少なくともいずれか一方に対向移動可能な移
動手段を備えていてもよい。上記のように構成された高
周波ＩＣ用テストフィクスチャは、被測定デバイスのリ
ード線と導電線路を接触させるようにして、第１の基板
と第２の基板を密着させる。このとき信号が伝送される
導電線路は誘電体を介して接地電位と接続された２つの
導体板によってシールドされるため、アイソレーション
特性の劣化が軽減される。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１６】（第１実施例）図１は本発明の高周波ＩＣ
用テストフィクスチャの第１実施例の構造を示す側断面
図である。図１において、第１の基板１を構成する誘電
体５上には被測定デバイスであるＩＣ６のリード線７の
数に応じて複数の導電線路３（ストリップライン）が形
成され、導電線路３の一端は付図示の配線手段（同軸ケ
ーブル等）によって測定器と接続されている。誘電体５
を挟んで反対側の面には導体板４が接合され、接地電位
と接続されてグランドプレーンを構成している。
用テストフィクスチャの第１実施例の構造を示す側断面
図である。図１において、第１の基板１を構成する誘電
体５上には被測定デバイスであるＩＣ６のリード線７の
数に応じて複数の導電線路３（ストリップライン）が形
成され、導電線路３の一端は付図示の配線手段（同軸ケ
ーブル等）によって測定器と接続されている。誘電体５
を挟んで反対側の面には導体板４が接合され、接地電位
と接続されてグランドプレーンを構成している。
【００１７】一方、第１の基板１と対向する位置には誘
電体５、及び誘電体５に接合された導体板４からなる第
２の基板２が配置され、第２の基板２は付図示の移動手
段によって上下動可能になっている。また、第２の基板
２の導体板４も第１の基板１と同様に接地電位と接続さ
れてグランドプレーンを構成している。
電体５、及び誘電体５に接合された導体板４からなる第
２の基板２が配置され、第２の基板２は付図示の移動手
段によって上下動可能になっている。また、第２の基板
２の導体板４も第１の基板１と同様に接地電位と接続さ
れてグランドプレーンを構成している。
【００１８】このような構成において、ＩＣ６の特性を
測定する際には測定器と接続されていない導電線路３の
他端にＩＣ６のリード線７を接触させ、第２の基板２を
図１に示す下方に移動させて第１の基板１に密着させ、
ＩＣ６のリード線７を挟むようにして固定する。このと
き、導電線路３は上下の誘電体５を介して２つの導体板
４（グランドプレーン）によってシールドされるため、
従来の板バネ方式と比較してアイソレーション特性の劣
化が軽減される。
測定する際には測定器と接続されていない導電線路３の
他端にＩＣ６のリード線７を接触させ、第２の基板２を
図１に示す下方に移動させて第１の基板１に密着させ、
ＩＣ６のリード線７を挟むようにして固定する。このと
き、導電線路３は上下の誘電体５を介して２つの導体板
４（グランドプレーン）によってシールドされるため、
従来の板バネ方式と比較してアイソレーション特性の劣
化が軽減される。
【００１９】ところで、上記したテストフィクスチャと
同様の構造を有するものとして遮蔽形ストリップライン
が知られている。図２は遮蔽形ストリップラインの構成
を示す図であり、同図（ａ）はその正面から見た断面
図、同図（ｂ）はその特性インピーダンスを示すグラフ
である。遮蔽形ストリップラインは伝送モードがＴＥＭ
波のマイクロ波用の導電線路であり、その構造は図２
（ａ）に示すように２枚の導体板１４に挟まれた誘電体
１５中に導電線路１３となるパターンが形成されたもの
である。通常、両面に接合される導体板１４は接地され
てグランドプレーンを構成している。
同様の構造を有するものとして遮蔽形ストリップライン
が知られている。図２は遮蔽形ストリップラインの構成
を示す図であり、同図（ａ）はその正面から見た断面
図、同図（ｂ）はその特性インピーダンスを示すグラフ
である。遮蔽形ストリップラインは伝送モードがＴＥＭ
波のマイクロ波用の導電線路であり、その構造は図２
（ａ）に示すように２枚の導体板１４に挟まれた誘電体
１５中に導電線路１３となるパターンが形成されたもの
である。通常、両面に接合される導体板１４は接地され
てグランドプレーンを構成している。
【００２０】遮蔽形ストリップラインの特性インピーダ
ンスは図２（ｂ）に示すように導電線路１３の幅ｗ、導
電線路１３の厚さｔ、誘電体１５の厚さｈ、及び誘電体
１５の比誘電率εr によって求めることができる。
ンスは図２（ｂ）に示すように導電線路１３の幅ｗ、導
電線路１３の厚さｔ、誘電体１５の厚さｈ、及び誘電体
１５の比誘電率εr によって求めることができる。
【００２１】本発明の高周波ＩＣ用テストフィクスチャ
は、第１の基板１と第２の基板２とを密着させると、導
電線路３がこの遮蔽形ストリップラインと同様の特性を
有することになる。ここで注目すべき点は誘電体１５の
比誘電率εr 、及び誘電体１５の厚さｈの選びかたで導
電線路１３の幅ｗを狭くできることである。つまり、本
発明の高周波ＩＣ用テストフィクスチャではリード線間
隔の狭いＩＣのパッケージに対しても特性インピーダン
スを５０Ωに設定して高周波的に整合のとれた線路でイ
ンタフェースをとることが可能になる。
は、第１の基板１と第２の基板２とを密着させると、導
電線路３がこの遮蔽形ストリップラインと同様の特性を
有することになる。ここで注目すべき点は誘電体１５の
比誘電率εr 、及び誘電体１５の厚さｈの選びかたで導
電線路１３の幅ｗを狭くできることである。つまり、本
発明の高周波ＩＣ用テストフィクスチャではリード線間
隔の狭いＩＣのパッケージに対しても特性インピーダン
スを５０Ωに設定して高周波的に整合のとれた線路でイ
ンタフェースをとることが可能になる。
【００２２】したがって、リード線間隔の狭いプラスチ
ックＳＯＰやプラスチックＱＦＰのＩＣ、あるいはＩＣ
ソケットを使用している場合でも被測定デバイスの特性
を高精度で測定することが可能になる。
ックＳＯＰやプラスチックＱＦＰのＩＣ、あるいはＩＣ
ソケットを使用している場合でも被測定デバイスの特性
を高精度で測定することが可能になる。
【００２３】次に、本発明の高周波ＩＣ用テストフィク
スチャを用いてＩＣの伝送特性を測定する場合の測定精
度について図３を参照して説明する。
スチャを用いてＩＣの伝送特性を測定する場合の測定精
度について図３を参照して説明する。
【００２４】図３は図１に示した高周波ＩＣ用テストフ
ィクスチャの測定系の等価モデル図である。図３におい
て、信号源及び受信機は測定器が有しており、図のＣ点
及びＤ点でテストフィクスチャと接続されている。
Γ1 、Γ2 、ΓC 、及びΓD は各接続点における反射係
数であり、それぞれの接続点におけるリターン・ロス
（Ｒ．Ｌ．［ｄＢ］）からΓ＝１０-R.L./20で求められ
る。またＴ1 、Ｔ2 はＤＵＴのロス（損失：ｌｏｓｓ）
［ｄＢ］からＴ＝１０-loss/20で求められるロス係数で
ある。
ィクスチャの測定系の等価モデル図である。図３におい
て、信号源及び受信機は測定器が有しており、図のＣ点
及びＤ点でテストフィクスチャと接続されている。
Γ1 、Γ2 、ΓC 、及びΓD は各接続点における反射係
数であり、それぞれの接続点におけるリターン・ロス
（Ｒ．Ｌ．［ｄＢ］）からΓ＝１０-R.L./20で求められ
る。またＴ1 、Ｔ2 はＤＵＴのロス（損失：ｌｏｓｓ）
［ｄＢ］からＴ＝１０-loss/20で求められるロス係数で
ある。
【００２５】ここで、ＤＵＴ（被測定デバイス）と測定
系の高周波的な不整合により生じる誤差ＥM は図３の等
価モデルを用いて下記の式により求めることができる。
系の高周波的な不整合により生じる誤差ＥM は図３の等
価モデルを用いて下記の式により求めることができる。
【００２６】
【数１】 誤差ＥM の最大値は上記式の分母と分子が逆極性の時に
発生し、ＤＵＴのロスを１．５ｄＢ、リターンロス
（Ｒ．Ｌ．）を１０ｄＢまたは１５ｄＢとし、測定系の
Ｃ点およびＤ点のリターンロスをパラメータとして誤差
ＥM の値をまとめると表１のようになる。
発生し、ＤＵＴのロスを１．５ｄＢ、リターンロス
（Ｒ．Ｌ．）を１０ｄＢまたは１５ｄＢとし、測定系の
Ｃ点およびＤ点のリターンロスをパラメータとして誤差
ＥM の値をまとめると表１のようになる。
【００２７】
【表１】 表１に示すように、本発明の高周波ＩＣ用テストフィク
スチャでは、導電線路のリターンロスが３ＧＨｚ程度ま
での周波数であれば約３０ｄＢを実現することが十分可
能であり、最大でも０．２ｄＢ以下の誤差で高精度に測
定することが可能になる。
スチャでは、導電線路のリターンロスが３ＧＨｚ程度ま
での周波数であれば約３０ｄＢを実現することが十分可
能であり、最大でも０．２ｄＢ以下の誤差で高精度に測
定することが可能になる。
【００２８】（第２実施例）図４は本発明の高周波ＩＣ
用テストフィクスチャの第２実施例の構造を示す側断面
図である。
用テストフィクスチャの第２実施例の構造を示す側断面
図である。
【００２９】第１実施例では導電線路全体が誘電体上に
接合されている場合で説明した。本実施例では、図４に
示すように、ＩＣ２６のリード線２７と接触する導電線
路２３の先端部位を浮かせ、導電線路２３をリン青銅あ
るいはベリリューム銅等のようなバネ性（弾性）を有す
る部材で形成している。その他の構成は第１実施例と同
様であるため、その説明は省略する。
接合されている場合で説明した。本実施例では、図４に
示すように、ＩＣ２６のリード線２７と接触する導電線
路２３の先端部位を浮かせ、導電線路２３をリン青銅あ
るいはベリリューム銅等のようなバネ性（弾性）を有す
る部材で形成している。その他の構成は第１実施例と同
様であるため、その説明は省略する。
【００３０】このような構成にすると、導電線路２３の
バネ特性によって導電線路２３とＩＣ２６のリード線２
７との接触が長時間に及んでも信頼性の高い接触状態を
保つことができる。
バネ特性によって導電線路２３とＩＣ２６のリード線２
７との接触が長時間に及んでも信頼性の高い接触状態を
保つことができる。
【００３１】なお、上記各実施例では、導電線路が形成
された第１の基板を固定し、導電線路が形成されない第
２の基板を上下動可能にした場合で説明しているが、こ
れに限らず第２の基板を固定して第１の基板を上下動可
能にしてもよく、第１の基板及び第２の基板をそれぞれ
対向移動可能にしてもよい。
された第１の基板を固定し、導電線路が形成されない第
２の基板を上下動可能にした場合で説明しているが、こ
れに限らず第２の基板を固定して第１の基板を上下動可
能にしてもよく、第１の基板及び第２の基板をそれぞれ
対向移動可能にしてもよい。
【００３２】また、上記各実施例では、第２の基板に、
第２の基板を上下動可能にする移動手段を備えた場合で
説明しているが、移動手段は必ずしも必要ではなく、測
定者が第２の基板を第１の基板と密着させてもよい。
第２の基板を上下動可能にする移動手段を備えた場合で
説明しているが、移動手段は必ずしも必要ではなく、測
定者が第２の基板を第１の基板と密着させてもよい。
【００３３】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載する効果を奏する。
いるので、以下に記載する効果を奏する。
【００３４】板状の誘電体の一方の面に接地電位と接続
された導体板が接合され、その一方の面と対向する他方
の面に被測定デバイスのリード線が接触して信号が伝送
される導電線路が形成された第１の基板と、板状の誘電
体の一方の面に接地電位と接続された導体板が接合さ
れ、その一方の面と対向する他方の面が第１の基板の他
方の面と向き合って配置される第２の基板とを有し、被
測定デバイスの特性を測定するときは、リード線を導電
線路と接触させつつ、第１の基板と第２の基板とを密着
させることで、アイソレーション特性の劣化が軽減さ
れ、リード線間隔の狭い被測定デバイスの特性を測定す
る際にも高精度な測定が可能になる。
された導体板が接合され、その一方の面と対向する他方
の面に被測定デバイスのリード線が接触して信号が伝送
される導電線路が形成された第１の基板と、板状の誘電
体の一方の面に接地電位と接続された導体板が接合さ
れ、その一方の面と対向する他方の面が第１の基板の他
方の面と向き合って配置される第２の基板とを有し、被
測定デバイスの特性を測定するときは、リード線を導電
線路と接触させつつ、第１の基板と第２の基板とを密着
させることで、アイソレーション特性の劣化が軽減さ
れ、リード線間隔の狭い被測定デバイスの特性を測定す
る際にも高精度な測定が可能になる。
【００３５】また、導電線路を弾性部材で形成し、被測
定デバイスのリード線と接触する部位を誘電体上から浮
かせることで、導電線路と被測定デバイスのリード線と
の接触が長時間に及んでも信頼性の高い接触状態を保つ
ことができる。
定デバイスのリード線と接触する部位を誘電体上から浮
かせることで、導電線路と被測定デバイスのリード線と
の接触が長時間に及んでも信頼性の高い接触状態を保つ
ことができる。
【図１】本発明の高周波ＩＣ用テストフィクスチャの第
１実施例の構造を示す側断面図である。
１実施例の構造を示す側断面図である。
【図２】遮蔽形ストリップラインの構成を示す図であ
り、同図（ａ）はその正面から見た断面図、同図（ｂ）
はその特性インピーダンスを示すグラフである。
り、同図（ａ）はその正面から見た断面図、同図（ｂ）
はその特性インピーダンスを示すグラフである。
【図３】図１に示した高周波ＩＣ用テストフィクスチャ
の測定系の等価モデル図である。
の測定系の等価モデル図である。
【図４】本発明の高周波ＩＣ用テストフィクスチャの第
２実施例の構造を示す側断面図である。
２実施例の構造を示す側断面図である。
【図５】ＩＣのパッケージの形状を示す図であり、同図
（ａ）はプラスチックＳＯＰの形状図、同図（ｂ）はプ
ラスチックＱＦＰの形状図である。
（ａ）はプラスチックＳＯＰの形状図、同図（ｂ）はプ
ラスチックＱＦＰの形状図である。
【図６】従来の高周波ＩＣ用テストフィクスチャの板バ
ネ方式の構造を示す図であり、同図（ａ）はその斜視
図、同図（ｂ）はそのアイソレーション特性を示すグラ
フである。
ネ方式の構造を示す図であり、同図（ａ）はその斜視
図、同図（ｂ）はそのアイソレーション特性を示すグラ
フである。
【図７】従来の高周波ＩＣ用テストフィクスチャの同軸
コンタクト方式の構造を示す図であり、同図（ａ）はそ
の側断面図、同図（ｂ）はそのアイソレーション特性を
示すグラフである。
コンタクト方式の構造を示す図であり、同図（ａ）はそ
の側断面図、同図（ｂ）はそのアイソレーション特性を
示すグラフである。
【図８】図５に示したプラスチックＱＦＰを取り付ける
ためのＩＣソケットの外観を示す図であり、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は側面図である。
ためのＩＣソケットの外観を示す図であり、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は側面図である。
１ 第１の基板 ２ 第２の基板 ３、１３、２３ 導電線路 ４、１４ 導体板 ５、１５ 誘電体 ６、２６ ＩＣ ７、２７ リード線
Claims (3)
- 【請求項１】 板状の誘電体の一方の面に接地電位と接
続された導体板が接合され、該一方の面と対向する他方
の面に被測定デバイスのリード線が接触して信号が伝送
される導電線路が形成された第１の基板と、 板状の誘電体の一方の面に接地電位と接続された導体板
が接合され、該一方の面と対向する他方の面が前記第１
の基板の他方の面と向き合って配置される第２の基板と
を有し、 前記被測定デバイスの特性を測定するときは、前記リー
ド線を前記導電線路と接触させつつ、前記第１の基板と
前記第２の基板とを密着させることを特徴とする高周波
ＩＣ用テストフィクスチャ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高周波ＩＣ用テストフ
ィクスチャにおいて、 導電線路を弾性部材で形成し、被測定デバイスのリード
線と接触する部位を誘電体上から浮かせることを特徴と
する高周波ＩＣ用テストフィクスチャ。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の高周波ＩＣ用
テストフィクスチャにおいて、 前記第１の基板及び前記第２の基板のうち、少なくとも
いずれか一方に対向移動可能な移動手段を備えているこ
とを特徴とする高周波ＩＣ用テストフィクスチャ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7305390A JPH09145778A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 高周波ｉｃ用テストフィクスチャ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7305390A JPH09145778A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 高周波ｉｃ用テストフィクスチャ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09145778A true JPH09145778A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17944552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7305390A Pending JPH09145778A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 高周波ｉｃ用テストフィクスチャ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09145778A (ja) |
-
1995
- 1995-11-24 JP JP7305390A patent/JPH09145778A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990323 |