JPH09145761A - コンデンサのインダクタンス測定方法 - Google Patents
コンデンサのインダクタンス測定方法Info
- Publication number
- JPH09145761A JPH09145761A JP30420395A JP30420395A JPH09145761A JP H09145761 A JPH09145761 A JP H09145761A JP 30420395 A JP30420395 A JP 30420395A JP 30420395 A JP30420395 A JP 30420395A JP H09145761 A JPH09145761 A JP H09145761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- short
- inductance
- circuit
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、供試コンデンサに接続するリード線
のインダクタンスの影響を受けずに簡便に高精度にイン
ダクタンス測定を行う。 【解決手段】第１の工程において供試コンデンサＣx に
第１の短絡片１３を接続したときの閉回路の共振周波数
Ｆ1 をディップメータ１５により測定し、第２の工程に
おいて供試コンデンサＣx に第１及び第２の短絡片１
３、１４を接続したときの閉回路の共振周波数Ｆ2 をデ
ィップメータ１５により測定し、第３の工程においてこ
れら共振周波数Ｆ1 、Ｆ2 に基づいて供試コンデンサＣ
x の直列インダクタンスＬx を求める。
のインダクタンスの影響を受けずに簡便に高精度にイン
ダクタンス測定を行う。 【解決手段】第１の工程において供試コンデンサＣx に
第１の短絡片１３を接続したときの閉回路の共振周波数
Ｆ1 をディップメータ１５により測定し、第２の工程に
おいて供試コンデンサＣx に第１及び第２の短絡片１
３、１４を接続したときの閉回路の共振周波数Ｆ2 をデ
ィップメータ１５により測定し、第３の工程においてこ
れら共振周波数Ｆ1 、Ｆ2 に基づいて供試コンデンサＣ
x の直列インダクタンスＬx を求める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子機器用
固定コンデンサのような小さなインダクタンスを有する
コンデンサのインダクタンス測定方法に関する。
固定コンデンサのような小さなインダクタンスを有する
コンデンサのインダクタンス測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような電子機器用固定コンデンサの
インダクタンス測定方法としては、日本工業規格ＪＩＳ
Ｃ 5102 （電子機器用固定コンデンサの試験方法）に
定める以下の方法が知られている。 １．インピーダンス法 このインピーダンス法による測定回路は、原則して図４
に示す通りである。
インダクタンス測定方法としては、日本工業規格ＪＩＳ
Ｃ 5102 （電子機器用固定コンデンサの試験方法）に
定める以下の方法が知られている。 １．インピーダンス法 このインピーダンス法による測定回路は、原則して図４
に示す通りである。
【０００３】可変発信器Ｇ（又は掃引発信器）に対して
トランスＴを介して各抵抗器Ｒ1 、Ｒ2 を直列接続し、
かつ抵抗器Ｒ2 の両端間に供試コンデンサＣx 、高周波
電圧計１（又はオシロスコープ）を接続する。
トランスＴを介して各抵抗器Ｒ1 、Ｒ2 を直列接続し、
かつ抵抗器Ｒ2 の両端間に供試コンデンサＣx 、高周波
電圧計１（又はオシロスコープ）を接続する。
【０００４】この場合、各抵抗器Ｒ1 、Ｒ2 は無誘導、
低インダクタンス形であり、高周波電圧計１は供試コン
デンサＣx に比べて内部インピーダンスが大きい。 (1) 取付け 供試コンデンサＣx のリード線と測定器の接続は、でき
るだ限り短くなるように結線する。各抵抗器Ｒ1 、Ｒ2
は、同軸ケーブルを用いて接続する。又、各抵抗器Ｒ
1 、Ｒ2 の値は、可変発信器Ｇ（又は掃引発信器）の出
力インピーダンスと整合させるために次式による。
低インダクタンス形であり、高周波電圧計１は供試コン
デンサＣx に比べて内部インピーダンスが大きい。 (1) 取付け 供試コンデンサＣx のリード線と測定器の接続は、でき
るだ限り短くなるように結線する。各抵抗器Ｒ1 、Ｒ2
は、同軸ケーブルを用いて接続する。又、各抵抗器Ｒ
1 、Ｒ2 の値は、可変発信器Ｇ（又は掃引発信器）の出
力インピーダンスと整合させるために次式による。
【０００５】 Ｒ1 ＝０．９５×Ｚout …(1) Ｒ2 ＝０．０５×Ｚout …(2) ここに、Ｚout は、可変発信器Ｇ（又は掃引発信器）の
出力インピーダンス［Ω］である。 (2) 測定 可変発信器Ｇ（又は掃引発信器）の周波数を徐々に変化
させ、高周波電圧計１（又はオシロスコープ）の読みを
最小となる周波数（共振周波数）を求める。
出力インピーダンス［Ω］である。 (2) 測定 可変発信器Ｇ（又は掃引発信器）の周波数を徐々に変化
させ、高周波電圧計１（又はオシロスコープ）の読みを
最小となる周波数（共振周波数）を求める。
【０００６】ただし、最小となる周波数（共振周波数）
を見付けることが困難な場合には、抵抗器Ｒ1 の両端及
び供試コンデンサＣx の両端に位相計を接続し、この両
端の電圧の位相に差が無い周波数（共振周波数）を求め
る。
を見付けることが困難な場合には、抵抗器Ｒ1 の両端及
び供試コンデンサＣx の両端に位相計を接続し、この両
端の電圧の位相に差が無い周波数（共振周波数）を求め
る。
【０００７】このように周波数（共振周波数）が求めら
れると、供試コンデンサＣx の直列インダクタンスＬx
［Ｈ］を次式により算出する。 Ｌx ＝１／（４π2 ・Ｆx 2 ・Ｃ） …(3) ここに、Ｆx は供試コンデンサＣx の共振周波数［Ｈ
ｚ］、Ｃは供試コンデンサＣx の静電容量［Ｆ］であ
る。 ２．ディップメータ法 このディップメータ法によるインダクタンスの測定回路
は、原則として図５に示す通りである。
れると、供試コンデンサＣx の直列インダクタンスＬx
［Ｈ］を次式により算出する。 Ｌx ＝１／（４π2 ・Ｆx 2 ・Ｃ） …(3) ここに、Ｆx は供試コンデンサＣx の共振周波数［Ｈ
ｚ］、Ｃは供試コンデンサＣx の静電容量［Ｆ］であ
る。 ２．ディップメータ法 このディップメータ法によるインダクタンスの測定回路
は、原則として図５に示す通りである。
【０００８】供試コンデンサＣx をお互いに直角の位置
になるように接続し、ディップメータ（吸収形発信周波
数計）２を用いて共振周波数を測定する。 (1) 取付け及び準備 供試コンデンサＣx は、次の方法の一つによって準備し
取付ける。 (a) ４個の同一形状、ほぼ同一静電容量Ｃの各供試コン
デンサＣx を使用する場合 これら供試コンデンサＣx を図６(a) に示すようにお互
いに直角の位置に閉回路になるようにはんだ付けによっ
て接続する。 (b) ２個の同一形状、ほぼ同一静電容量Ｃの各供試コン
デンサＣx を使用する場合 これら供試コンデンサＣx を図６(b) に示すようにお互
いに鏡像のように対称位置となるようにはんだ付けによ
って接続する。 (c) １個の供試コンデンサＣx を使用する場合 供試コンデンサＣx を図６(c) に示すようにエッチング
していないプリント配線板用銅張積層板３の中央に、は
んだ付け４によって接続する。プリント配線板用銅張積
層板３は、一辺の長さを供試コンデンサＣx の本体の長
さの３倍以上とする。
になるように接続し、ディップメータ（吸収形発信周波
数計）２を用いて共振周波数を測定する。 (1) 取付け及び準備 供試コンデンサＣx は、次の方法の一つによって準備し
取付ける。 (a) ４個の同一形状、ほぼ同一静電容量Ｃの各供試コン
デンサＣx を使用する場合 これら供試コンデンサＣx を図６(a) に示すようにお互
いに直角の位置に閉回路になるようにはんだ付けによっ
て接続する。 (b) ２個の同一形状、ほぼ同一静電容量Ｃの各供試コン
デンサＣx を使用する場合 これら供試コンデンサＣx を図６(b) に示すようにお互
いに鏡像のように対称位置となるようにはんだ付けによ
って接続する。 (c) １個の供試コンデンサＣx を使用する場合 供試コンデンサＣx を図６(c) に示すようにエッチング
していないプリント配線板用銅張積層板３の中央に、は
んだ付け４によって接続する。プリント配線板用銅張積
層板３は、一辺の長さを供試コンデンサＣx の本体の長
さの３倍以上とする。
【０００９】なお、図６(a) 乃至同図(c) において、ｌ
は供試コンデンサＣx のリード線の長さで個別規格の規
定による。ｄは供試コンデンサＣx のリード線の間隔で
個別規格の規定による。 (2) 測定 ディップメータ（吸収形発信周波数計）２のサーチコイ
ルを図６(a) 乃至同図(c) に示す回路に近付け、共振点
を見付ける。
は供試コンデンサＣx のリード線の長さで個別規格の規
定による。ｄは供試コンデンサＣx のリード線の間隔で
個別規格の規定による。 (2) 測定 ディップメータ（吸収形発信周波数計）２のサーチコイ
ルを図６(a) 乃至同図(c) に示す回路に近付け、共振点
を見付ける。
【００１０】ディップメータ２のサーチコイルと図６
(a) 乃至同図(c) に示す回路との結合Ｍは、できるだけ
粗結合することが望ましい。又、周波数は、低い値から
徐々に高くして共振点を探す。
(a) 乃至同図(c) に示す回路との結合Ｍは、できるだけ
粗結合することが望ましい。又、周波数は、低い値から
徐々に高くして共振点を探す。
【００１１】このようにして周波数（共振周波数）が求
められると、上記式(3) によって供試コンデンサＣx の
直列インダクタンスＬx ［Ｈ］を算出する。 ３．Ｑメータ法 このＱメータ法によるインダクタンスの測定回路は、原
則として図７に示す通りである。
められると、上記式(3) によって供試コンデンサＣx の
直列インダクタンスＬx ［Ｈ］を算出する。 ３．Ｑメータ法 このＱメータ法によるインダクタンスの測定回路は、原
則として図７に示す通りである。
【００１２】可変発信器４に対して高周波電流計５、結
合抵抗器Ｒを接続し、これら高周波電流計５と結合抵抗
器Ｒとの接続点に補助コイルＬを介して供試コンデンサ
Ｃxを接続する。そして、供試コンデンサＣx に対して
短絡片６を並列接続し、かつ供試コンデンサＣx に電子
式電圧計７、可変コンデンサ８を並列接続する。なお、
短絡片６は、できるだけ厚いもの、又は太いものとし、
インダクタンスを小さくする。 (1) 測定 (a) 供試コンデンサＣx を補助コイルＬと直列にインダ
クタンス測定端子に接続する。 (b) 供試コンデンサＣx を短絡片６によって短絡し同調
を取る。 (c) 次に短絡片６を取外し、同調を取る。 (d) 短絡片６を交互に接続したり、取り外しながら、同
調を取り、短絡片６を接続したときと、取り外したとき
の同調コンデンサの静電容量が同一となる最高の周波数
を求め、この周波数を共振周波数とする。
合抵抗器Ｒを接続し、これら高周波電流計５と結合抵抗
器Ｒとの接続点に補助コイルＬを介して供試コンデンサ
Ｃxを接続する。そして、供試コンデンサＣx に対して
短絡片６を並列接続し、かつ供試コンデンサＣx に電子
式電圧計７、可変コンデンサ８を並列接続する。なお、
短絡片６は、できるだけ厚いもの、又は太いものとし、
インダクタンスを小さくする。 (1) 測定 (a) 供試コンデンサＣx を補助コイルＬと直列にインダ
クタンス測定端子に接続する。 (b) 供試コンデンサＣx を短絡片６によって短絡し同調
を取る。 (c) 次に短絡片６を取外し、同調を取る。 (d) 短絡片６を交互に接続したり、取り外しながら、同
調を取り、短絡片６を接続したときと、取り外したとき
の同調コンデンサの静電容量が同一となる最高の周波数
を求め、この周波数を共振周波数とする。
【００１３】このようにして周波数（共振周波数）が求
められると、上記式(3) によって供試コンデンサＣx の
直列インダクタンスＬx ［Ｈ］を算出する。しかしなが
ら、上記各方法で供試コンデンサＣx の直列インダクタ
ンスＬx を求めているが、これら方法では次のような問
題がある。
められると、上記式(3) によって供試コンデンサＣx の
直列インダクタンスＬx ［Ｈ］を算出する。しかしなが
ら、上記各方法で供試コンデンサＣx の直列インダクタ
ンスＬx を求めているが、これら方法では次のような問
題がある。
【００１４】インピーダンス法では、供試コンデンサＣ
x の端子と測定器との接続をできるだけ短くするように
結線する必要があるが、供試コンデンサＣx の大きさ、
形状によっては接続による浮遊容量、インダクタンス等
の影響が避けられず、測定誤差の要因になり、その補正
方法がない。
x の端子と測定器との接続をできるだけ短くするように
結線する必要があるが、供試コンデンサＣx の大きさ、
形状によっては接続による浮遊容量、インダクタンス等
の影響が避けられず、測定誤差の要因になり、その補正
方法がない。
【００１５】又、可変発信器Ｇの出力インピーダンスを
整合させるために抵抗分圧器を構成して挿入するが、一
般的な可変発信器Ｇの出力インピーダンス（５０Ω又は
７５Ω）に整合させることは面倒であり難しい。
整合させるために抵抗分圧器を構成して挿入するが、一
般的な可変発信器Ｇの出力インピーダンス（５０Ω又は
７５Ω）に整合させることは面倒であり難しい。
【００１６】従って、例えばインダクタンスが例えば１
０ｎＨ以下の供試コンデンサＣx のインダクタンスを測
定する場合、供試コンデンサＣx に接続するリード線の
インダクタンスだけでも０．１μＨ程度あり、供試コン
デンサＣx のインダクタンスを測定することは困難であ
る。
０ｎＨ以下の供試コンデンサＣx のインダクタンスを測
定する場合、供試コンデンサＣx に接続するリード線の
インダクタンスだけでも０．１μＨ程度あり、供試コン
デンサＣx のインダクタンスを測定することは困難であ
る。
【００１７】ディップメータ法では、同一形状、同一静
電容量Ｃの供試コンデンサＣx を４個又は２個必要とす
る。供試コンデンサＣx が１個だけの場合は、プリント
配線板用銅張積層板３にはんだ付けして閉回路を形成す
る必要があり、かつこの閉回路を形成する部分の浮遊容
量、インダクタンス等による影響は避けられず、測定誤
差となり、その補正方法がない。
電容量Ｃの供試コンデンサＣx を４個又は２個必要とす
る。供試コンデンサＣx が１個だけの場合は、プリント
配線板用銅張積層板３にはんだ付けして閉回路を形成す
る必要があり、かつこの閉回路を形成する部分の浮遊容
量、インダクタンス等による影響は避けられず、測定誤
差となり、その補正方法がない。
【００１８】さらに、供試コンデンサＣx が１個、２個
又は４個のいずれの場合でも、供試コンデンサＣx 本体
の両端にそれぞれ端子があり、かつ端子長が短い場合は
適用できない。
又は４個のいずれの場合でも、供試コンデンサＣx 本体
の両端にそれぞれ端子があり、かつ端子長が短い場合は
適用できない。
【００１９】従って、上記インピーダンス法と同様に、
インダクタンスが例えば１０ｎＨ以下の供試コンデンサ
Ｃx のインダクタンスを測定する場合、供試コンデンサ
Ｃxに接続するリード線のインダクタンスの影響を受け
て供試コンデンサＣx のインダクタンスを測定すること
は困難である。
インダクタンスが例えば１０ｎＨ以下の供試コンデンサ
Ｃx のインダクタンスを測定する場合、供試コンデンサ
Ｃxに接続するリード線のインダクタンスの影響を受け
て供試コンデンサＣx のインダクタンスを測定すること
は困難である。
【００２０】Ｑメータ法では、既製の補助コイルＬと供
試コンデンサＣx とを直列接続することは難しく、さら
にそれを短絡片６により接続する必要がある。又、補助
コイルＬとの接続及び短絡片６による浮遊容量、インダ
クタンス等による影響は避けられず、測定誤差の原因と
なり、その補正方法がない。
試コンデンサＣx とを直列接続することは難しく、さら
にそれを短絡片６により接続する必要がある。又、補助
コイルＬとの接続及び短絡片６による浮遊容量、インダ
クタンス等による影響は避けられず、測定誤差の原因と
なり、その補正方法がない。
【００２１】Ｑメータの動作範囲内に供試コンデンサＣ
x の自己共振周波数がなければ適用できない。従って、
この方法も、上記インピーダンス法と同様に、インダク
タンスが例えば１０ｎＨ以下の供試コンデンサＣx のイ
ンダクタンスを測定する場合、供試コンデンサＣx に接
続するリード線のインダクタンスの影響を受けて供試コ
ンデンサＣx のインダクタンスを測定することは困難で
ある。
x の自己共振周波数がなければ適用できない。従って、
この方法も、上記インピーダンス法と同様に、インダク
タンスが例えば１０ｎＨ以下の供試コンデンサＣx のイ
ンダクタンスを測定する場合、供試コンデンサＣx に接
続するリード線のインダクタンスの影響を受けて供試コ
ンデンサＣx のインダクタンスを測定することは困難で
ある。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】以上のように供試コン
デンサＣx に接続するリード線のインダクタンスの影響
を受けて供試コンデンサＣx のインダクタンスを測定す
ることは困難である。そこで本発明は、供試コンデンサ
に接続するリード線のインダクタンスの影響を受けずに
簡便に高精度なインダクタンス測定ができるコンデンサ
のインダクタンス測定方法を提供することを目的とす
る。
デンサＣx に接続するリード線のインダクタンスの影響
を受けて供試コンデンサＣx のインダクタンスを測定す
ることは困難である。そこで本発明は、供試コンデンサ
に接続するリード線のインダクタンスの影響を受けずに
簡便に高精度なインダクタンス測定ができるコンデンサ
のインダクタンス測定方法を提供することを目的とす
る。
【００２３】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、供試
コンデンサに対して第１の短絡片を接続したときの共振
周波数を測定する第１の工程と、供試コンデンサに対し
て第１の短絡片を接続するとともに第１の短絡片と空間
的に対称に供試コンデンサに対して第２の短絡片を接続
したときの共振周波数を測定する第２の工程と、第１及
び第２の工程により測定された各共振周波数に基づいて
供試コンデンサのインダクタンスを求める第３の工程
と、を有するコンデンサのインダクタンス測定方法であ
る。
コンデンサに対して第１の短絡片を接続したときの共振
周波数を測定する第１の工程と、供試コンデンサに対し
て第１の短絡片を接続するとともに第１の短絡片と空間
的に対称に供試コンデンサに対して第２の短絡片を接続
したときの共振周波数を測定する第２の工程と、第１及
び第２の工程により測定された各共振周波数に基づいて
供試コンデンサのインダクタンスを求める第３の工程
と、を有するコンデンサのインダクタンス測定方法であ
る。
【００２４】このようなコンデンサのインダクタンス測
定方法であれば、コンデンサに第１の短絡片を接続した
ときの閉回路の共振周波数を測定し、第２の工程におい
て供試コンデンサに第１及び第２の短絡片を接続したと
きの閉回路の共振周波数を測定し、これら１個の短絡片
の場合の共振周波数と２個の短絡片の場合の共振周波数
とに基づいて供試コンデンサＣx の直列インダクタンス
Ｌx を求める。
定方法であれば、コンデンサに第１の短絡片を接続した
ときの閉回路の共振周波数を測定し、第２の工程におい
て供試コンデンサに第１及び第２の短絡片を接続したと
きの閉回路の共振周波数を測定し、これら１個の短絡片
の場合の共振周波数と２個の短絡片の場合の共振周波数
とに基づいて供試コンデンサＣx の直列インダクタンス
Ｌx を求める。
【００２５】請求項２によれば、請求項１記載のコンデ
ンサのインダクタンス測定方法において、第１及び第２
の短絡片は、インダクタンス０．１μＨ以下のインダク
タンスの小さいものを接続する。
ンサのインダクタンス測定方法において、第１及び第２
の短絡片は、インダクタンス０．１μＨ以下のインダク
タンスの小さいものを接続する。
【００２６】請求項３によれば、請求項１記載のコンデ
ンサのインダクタンス測定方法において、第１の工程に
おいて供試コンデンサに第１の短絡片を接続したときの
閉回路の共振周波数をディップメータにより測定し、か
つ第２の工程において供試コンデンサに第１及び第２の
短絡片を接続したときの閉回路の共振周波数をディップ
メータにより測定するコンデンサのインダクタンス測定
方法である。
ンサのインダクタンス測定方法において、第１の工程に
おいて供試コンデンサに第１の短絡片を接続したときの
閉回路の共振周波数をディップメータにより測定し、か
つ第２の工程において供試コンデンサに第１及び第２の
短絡片を接続したときの閉回路の共振周波数をディップ
メータにより測定するコンデンサのインダクタンス測定
方法である。
【００２７】請求項４によれば、請求項１記載のコンデ
ンサのインダクタンス測定方法において、第３の工程
は、第１の工程により測定された共振周波数をＦ1 、第
２の工程により測定された共振周波数をＦ2 、供試コン
デンサの静電容量をＣとしたとき、供試コンデンサの直
列インダクタンスＬx を、 Ｌx ＝１／（４π2 ・Ｃ）・（２／Ｆ2 2 −１／Ｆ1
2 ） により求める。
ンサのインダクタンス測定方法において、第３の工程
は、第１の工程により測定された共振周波数をＦ1 、第
２の工程により測定された共振周波数をＦ2 、供試コン
デンサの静電容量をＣとしたとき、供試コンデンサの直
列インダクタンスＬx を、 Ｌx ＝１／（４π2 ・Ｃ）・（２／Ｆ2 2 −１／Ｆ1
2 ） により求める。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は供試コンデンサＣ
x のインダクタンス測定方法を示す図である。この供試
コンデンサＣx は、電子機器用固定コンデンサであり、
例えばセラミックスコンデンサである。
いて図面を参照して説明する。図１は供試コンデンサＣ
x のインダクタンス測定方法を示す図である。この供試
コンデンサＣx は、電子機器用固定コンデンサであり、
例えばセラミックスコンデンサである。
【００２９】この供試コンデンサＣx の形状は、本体の
径φが約２０ｃｍの円盤状であり、その両面側にそれぞ
れ端子１０、１１が設けられている。又、この供試コン
デンサＣx の直列インダクタンスＬx は、１０ｎＨ以下
となっている。
径φが約２０ｃｍの円盤状であり、その両面側にそれぞ
れ端子１０、１１が設けられている。又、この供試コン
デンサＣx の直列インダクタンスＬx は、１０ｎＨ以下
となっている。
【００３０】この供試コンデンサＣx のインダクタンス
測定方法は、供試コンデンサＣx に対して第１の短絡片
１３を接続したときの共振周波数Ｆ1 ［Ｈｚ］を測定す
る第１の工程と、供試コンデンサＣx に対して第１の短
絡片１３を接続するとともに第１の短絡片１３と空間的
に対称位置に供試コンデンサＣx に対して第２の短絡片
１４を接続したときの共振周波数Ｆ2 ［Ｈｚ］を測定す
る第２の工程と、第１及び第２の工程により測定された
各共振周波数Ｆ1 ［Ｈｚ］、Ｆ2 ［Ｈｚ］に基づいて供
試コンデンサＣx のインダクタンスＬx を求める第３の
工程と、を有している。
測定方法は、供試コンデンサＣx に対して第１の短絡片
１３を接続したときの共振周波数Ｆ1 ［Ｈｚ］を測定す
る第１の工程と、供試コンデンサＣx に対して第１の短
絡片１３を接続するとともに第１の短絡片１３と空間的
に対称位置に供試コンデンサＣx に対して第２の短絡片
１４を接続したときの共振周波数Ｆ2 ［Ｈｚ］を測定す
る第２の工程と、第１及び第２の工程により測定された
各共振周波数Ｆ1 ［Ｈｚ］、Ｆ2 ［Ｈｚ］に基づいて供
試コンデンサＣx のインダクタンスＬx を求める第３の
工程と、を有している。
【００３１】次に供試コンデンサＣx のインダクタンス
測定方法を具体的に説明する。先ず、第１の工程であ
る。供試コンデンサＣx の両端子１０、１１の間に、第
１の短絡片１３を１個取り付けて閉回路を形成する。
測定方法を具体的に説明する。先ず、第１の工程であ
る。供試コンデンサＣx の両端子１０、１１の間に、第
１の短絡片１３を１個取り付けて閉回路を形成する。
【００３２】図２(a) は供試コンデンサＣx に第１の短
絡片１３を取り付けた状態を端子１０側から見た図であ
る。この第１の短絡片１３は、できるだけ太くて短い形
状、例えば幅５ｃｍ、長さ２０ｃｍに形成され、インダ
クタンス０．１μＨ以下のインダクタンスの小さいもの
となっている。
絡片１３を取り付けた状態を端子１０側から見た図であ
る。この第１の短絡片１３は、できるだけ太くて短い形
状、例えば幅５ｃｍ、長さ２０ｃｍに形成され、インダ
クタンス０．１μＨ以下のインダクタンスの小さいもの
となっている。
【００３３】又、図３(a) は供試コンデンサＣx に第１
の短絡片１３を取り付けたときの等価回路図である。こ
こで、Ｌx は供試コンデンサＣx の直列インダクタンス
［Ｈ］、Ｃは供試コンデンサＣx の静電容量［Ｆ］、Ｌ
s は第１の短絡片１３のインダクタンス［Ｈ］である。
の短絡片１３を取り付けたときの等価回路図である。こ
こで、Ｌx は供試コンデンサＣx の直列インダクタンス
［Ｈ］、Ｃは供試コンデンサＣx の静電容量［Ｆ］、Ｌ
s は第１の短絡片１３のインダクタンス［Ｈ］である。
【００３４】この等価回路図は、供試コンデンサＣx 、
この供試コンデンサＣx の直列インダクタンスＬx 、及
び第１の短絡片１３のインダクタンスＬs からなる直列
回路である。
この供試コンデンサＣx の直列インダクタンスＬx 、及
び第１の短絡片１３のインダクタンスＬs からなる直列
回路である。
【００３５】このように供試コンデンサＣx に第１の短
絡片１３を取り付けた状態に、図２(a) に示すようにデ
ィップメータ１５を近付け、共振周波数Ｆ1 つまり図３
(a)に示す閉回路の共振周波数Ｆ1 を測定する。
絡片１３を取り付けた状態に、図２(a) に示すようにデ
ィップメータ１５を近付け、共振周波数Ｆ1 つまり図３
(a)に示す閉回路の共振周波数Ｆ1 を測定する。
【００３６】次に第２の工程である。供試コンデンサＣ
x の両端子１０、１１の間に、第１の短絡片１３を１個
取り付けておき、さらに第２の短絡片１４を１個追加し
て取り付ける。
x の両端子１０、１１の間に、第１の短絡片１３を１個
取り付けておき、さらに第２の短絡片１４を１個追加し
て取り付ける。
【００３７】この第２の短絡片１４は、先に取り付けた
第１の短絡片１３の取付け位置と空間的に対称な位置、
すなわち短絡片１３、１４のインダクタンスが互いの短
絡片１４、１３の影響により変化しない位置に追加して
取り付ける。
第１の短絡片１３の取付け位置と空間的に対称な位置、
すなわち短絡片１３、１４のインダクタンスが互いの短
絡片１４、１３の影響により変化しない位置に追加して
取り付ける。
【００３８】図２(b) は供試コンデンサＣx に第１の短
絡片１３及び第２の短絡片１４を取り付けた状態を端子
１０側から見た図であり、第１の短絡片１３と第２の短
絡片１４とは、互いに空間的に対称な位置に取り付けら
れている。
絡片１３及び第２の短絡片１４を取り付けた状態を端子
１０側から見た図であり、第１の短絡片１３と第２の短
絡片１４とは、互いに空間的に対称な位置に取り付けら
れている。
【００３９】又、この第２の短絡片１４は、第１の短絡
片１３と同様に、できるだけ太くて短い形状、例えば幅
５ｃｍ、長さ２０ｃｍに形成され、インダクタンス０．
１μＨ以下のインダクタンスの小さいものとなってい
る。
片１３と同様に、できるだけ太くて短い形状、例えば幅
５ｃｍ、長さ２０ｃｍに形成され、インダクタンス０．
１μＨ以下のインダクタンスの小さいものとなってい
る。
【００４０】又、図３(b) は供試コンデンサＣx に第１
及び第２の短絡片１３、１４を取り付けたときの等価回
路図である。ここで、Ｌs 、Ｌs は、それぞれ第１及び
第２の短絡片１３、１４の各インダクタンス［Ｈ］であ
る。
及び第２の短絡片１３、１４を取り付けたときの等価回
路図である。ここで、Ｌs 、Ｌs は、それぞれ第１及び
第２の短絡片１３、１４の各インダクタンス［Ｈ］であ
る。
【００４１】この等価回路図は、供試コンデンサＣx と
この供試コンデンサＣx の直列インダクタンスＬx との
直列回路に対し、第１及び第２の短絡片１３の各インダ
クタンスＬs 、Ｌs がそれぞれ並列接続された回路であ
る。
この供試コンデンサＣx の直列インダクタンスＬx との
直列回路に対し、第１及び第２の短絡片１３の各インダ
クタンスＬs 、Ｌs がそれぞれ並列接続された回路であ
る。
【００４２】このように供試コンデンサＣx に第１及び
第２の短絡片１３、１４を取り付けた状態に、図２(b)
に示すようにディップメータ１５を近付け、図３(b) に
示す閉回路の共振周波数Ｆ2 を測定する。
第２の短絡片１３、１４を取り付けた状態に、図２(b)
に示すようにディップメータ１５を近付け、図３(b) に
示す閉回路の共振周波数Ｆ2 を測定する。
【００４３】次に第３の工程である。第１及び第２の工
程により測定された各共振周波数Ｆ1 ［Ｈｚ］、Ｆ2
［Ｈｚ］に基づいて供試コンデンサＣx の直列インダク
タンスＬx を求める。
程により測定された各共振周波数Ｆ1 ［Ｈｚ］、Ｆ2
［Ｈｚ］に基づいて供試コンデンサＣx の直列インダク
タンスＬx を求める。
【００４４】すなわち、１個の短絡片１３の場合の共振
周波数Ｆ1 ［Ｈｚ］の測定結果と、２個の短絡片１３、
１４の場合の共振周波数Ｆ2 ［Ｈｚ］の測定結果とか
ら、供試コンデンサＣx の直列インダクタンスＬx を次
式により算出する。
周波数Ｆ1 ［Ｈｚ］の測定結果と、２個の短絡片１３、
１４の場合の共振周波数Ｆ2 ［Ｈｚ］の測定結果とか
ら、供試コンデンサＣx の直列インダクタンスＬx を次
式により算出する。
【００４５】 Ｌx ＝１／（４π2 ・Ｃ）・（２／Ｆ2 2 −１／Ｆ1 2 ） …(4) なお、Ｃは供試コンデンサＣx の静電容量である。この
直列インダクタンスＬx を求める式(4) であれば、第１
及び第２の短絡片１３、１４におけるインダクタンスＬ
s 、Ｌs がキャンセルされる。
直列インダクタンスＬx を求める式(4) であれば、第１
及び第２の短絡片１３、１４におけるインダクタンスＬ
s 、Ｌs がキャンセルされる。
【００４６】このように上記一実施の形態においては、
供試コンデンサＣx に第１の短絡片１３を接続したとき
の閉回路の共振周波数Ｆ1 をディップメータ１５により
測定し、第２の工程において供試コンデンサＣx に第１
及び第２の短絡片１３、１４を接続したときの閉回路の
共振周波数Ｆ2 をディップメータ１５により測定し、こ
れら共振周波数Ｆ1 、Ｆ2 に基づいて供試コンデンサＣ
x の直列インダクタンスＬx を求めるようにしたので、
電子機器用固定コンデンサのような直列インダクタンス
Ｌx が１０ｎＨ以下の小さなインダクタンスを有する供
試コンデンサＣx であっても、リード線ここでは第１及
び第２の短絡片１３、１４のインダクタンスの影響を受
けずに精度高く供試コンデンサＣx の直列インダクタン
スＬx を測定できる。
供試コンデンサＣx に第１の短絡片１３を接続したとき
の閉回路の共振周波数Ｆ1 をディップメータ１５により
測定し、第２の工程において供試コンデンサＣx に第１
及び第２の短絡片１３、１４を接続したときの閉回路の
共振周波数Ｆ2 をディップメータ１５により測定し、こ
れら共振周波数Ｆ1 、Ｆ2 に基づいて供試コンデンサＣ
x の直列インダクタンスＬx を求めるようにしたので、
電子機器用固定コンデンサのような直列インダクタンス
Ｌx が１０ｎＨ以下の小さなインダクタンスを有する供
試コンデンサＣx であっても、リード線ここでは第１及
び第２の短絡片１３、１４のインダクタンスの影響を受
けずに精度高く供試コンデンサＣx の直列インダクタン
スＬx を測定できる。
【００４７】又、供試コンデンサＣx の直列インダクタ
ンスＬx の測定は、２個の短絡片１３、１４を取り付け
るだけの簡単な作業で、これら短絡片１３、１４のイン
ダクタンス等の電気的特性を補正でき、簡便に高精度に
供試コンデンサＣx の直列インダクタンスＬx を測定で
きる。
ンスＬx の測定は、２個の短絡片１３、１４を取り付け
るだけの簡単な作業で、これら短絡片１３、１４のイン
ダクタンス等の電気的特性を補正でき、簡便に高精度に
供試コンデンサＣx の直列インダクタンスＬx を測定で
きる。
【００４８】又、供試コンデンサＣx に第１及び第２の
短絡片１３、１４を取り付けるだけなので、供試コンデ
ンサＣx は、いかなる形状であっても適用することがで
き、その供試コンデンサＣx と閉回路を形成する第１及
び第２の短絡片１３、１４のインダクタンスを補正して
直列インダクタンスＬx を測定できる。
短絡片１３、１４を取り付けるだけなので、供試コンデ
ンサＣx は、いかなる形状であっても適用することがで
き、その供試コンデンサＣx と閉回路を形成する第１及
び第２の短絡片１３、１４のインダクタンスを補正して
直列インダクタンスＬx を測定できる。
【００４９】なお、本発明は、上記一実施の形態に限定
されるものでなく次の通り変形してもよい。例えば、供
試コンデンサＣx と各短絡片１３、１４とにより形成さ
れる各閉回路の共振周波数の測定は、ディップメータに
限ることなく、他の測定方法を用いて測定してもよい。
又、供試コンデンサＣx は、電子機器用固定コンデンサ
に限らず、インダクタンスの小さいコンデンサに対する
インダクタンス測定に適用できる。
されるものでなく次の通り変形してもよい。例えば、供
試コンデンサＣx と各短絡片１３、１４とにより形成さ
れる各閉回路の共振周波数の測定は、ディップメータに
限ることなく、他の測定方法を用いて測定してもよい。
又、供試コンデンサＣx は、電子機器用固定コンデンサ
に限らず、インダクタンスの小さいコンデンサに対する
インダクタンス測定に適用できる。
【００５０】
【発明の効果】以上詳記したように本発明の請求項１乃
至４によれば、測定する供試コンデンサの形状に限定さ
れず、供試コンデンサに接続するリード線のインダクタ
ンスの影響を受けずに簡便に高精度なインダクタンス測
定ができるコンデンサのインダクタンス測定方法を提供
できる。
至４によれば、測定する供試コンデンサの形状に限定さ
れず、供試コンデンサに接続するリード線のインダクタ
ンスの影響を受けずに簡便に高精度なインダクタンス測
定ができるコンデンサのインダクタンス測定方法を提供
できる。
【図１】本発明に係わるコンデンサのインダクタンス測
定方法の一実施の形態を示す測定回路図。
定方法の一実施の形態を示す測定回路図。
【図２】供試コンデンサに短絡片を接続したときの共振
周波数の測定を示す図。
周波数の測定を示す図。
【図３】供試コンデンサに短絡片を接続したときの等価
回路図。
回路図。
【図４】インピーダンス法によるインダクタンス測定方
法に適用する測定回路図。
法に適用する測定回路図。
【図５】ディップメータ法によるインダクタンス測定方
法に適用する測定回路図。
法に適用する測定回路図。
【図６】供試コンデンサの接続方法を示す図。
【図７】Ｑメータ法によるインダクタンス測定方法に適
用する測定回路図。
用する測定回路図。
Ｃx …供試コンデンサ、１０，１１…端子、１３…第１
の短絡片、１４…第２の短絡片、１５…ディップメー
タ。
の短絡片、１４…第２の短絡片、１５…ディップメー
タ。
Claims (4)
- 【請求項１】 供試コンデンサに対して第１の短絡片を
接続したときの共振周波数を測定する第１の工程と、 前記供試コンデンサに対して第１の短絡片を接続すると
ともに前記第１の短絡片と空間的に対称に前記供試コン
デンサに対して第２の短絡片を接続したときの共振周波
数を測定する第２の工程と、 前記第１及び第２の工程により測定された各共振周波数
に基づいて前記供試コンデンサのインダクタンスを求め
る第３の工程と、を有することを特徴とするコンデンサ
のインダクタンス測定方法。 - 【請求項２】 前記第１及び第２の短絡片は、インダク
タンス０．１μＨ以下のインダクタンスの小さいものを
接続することを特徴とする請求項１記載のコンデンサの
インダクタンス測定方法。 - 【請求項３】 前記第１の工程において前記供試コンデ
ンサに前記第１の短絡片を接続したときの閉回路の共振
周波数をディップメータにより測定し、かつ前記第２の
工程において前記供試コンデンサに前記第１及び第２の
短絡片を接続したときの閉回路の共振周波数をディップ
メータにより測定することを特徴とする請求項１記載の
コンデンサのインダクタンス測定方法。 - 【請求項４】 前記第３の工程は、前記第１の工程によ
り測定された共振周波数をＦ1 、前記第２の工程により
測定された共振周波数をＦ2 、前記供試コンデンサの静
電容量をＣとしたとき、前記供試コンデンサの直列イン
ダクタンスＬx を、 Ｌx ＝１／（４π2 ・Ｃ）・（２／Ｆ2 2 −１／Ｆ1
2 ） により求めることを特徴とする請求項１記載のコンデン
サのインダクタンス測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30420395A JPH09145761A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | コンデンサのインダクタンス測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30420395A JPH09145761A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | コンデンサのインダクタンス測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09145761A true JPH09145761A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17930263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30420395A Pending JPH09145761A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | コンデンサのインダクタンス測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09145761A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194840A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Tohoku Univ | 電子装置の測定方法及び測定装置 |
| US8134376B2 (en) | 2005-01-17 | 2012-03-13 | Tohoku University | Method of measuring electronic device and measuring apparatus |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP30420395A patent/JPH09145761A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194840A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Tohoku Univ | 電子装置の測定方法及び測定装置 |
| US8134376B2 (en) | 2005-01-17 | 2012-03-13 | Tohoku University | Method of measuring electronic device and measuring apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7805265B2 (en) | Method and apparatus for measuring electric circuit parameters | |
| US7292022B2 (en) | Current detection resistor, mounting structure thereof and method of measuring effective inductance | |
| Novak | Measuring milliohms and picohenrys in power distribution networks | |
| US20060114004A1 (en) | Method for calibrating and de-embedding, set of devices for de-embedding and vector network analyzer | |
| US6617864B2 (en) | High frequency probe for examining electric characteristics of devices | |
| JPH05312859A (ja) | インピーダンス・メータ | |
| Prabhakaran et al. | Impedance-analyzer measurements of high-frequency power passives: Techniques for high power and low impedance | |
| US20020127748A1 (en) | Integrated circuit device characterization | |
| US6337571B2 (en) | Ultra-high-frequency current probe in surface-mount form factor | |
| JP3479061B2 (ja) | 電流検出用抵抗器の実装構造および方法 | |
| JPH07198765A (ja) | インピーダンス・メータ | |
| JP2004235279A (ja) | インダクタ素子のシミュレーション方法及びその等価回路 | |
| JPH09145761A (ja) | コンデンサのインダクタンス測定方法 | |
| US7365550B2 (en) | Low impedance test fixture for impedance measurements | |
| Boggs et al. | Optimum electrical PD test method for large capacitors | |
| JPH11258274A (ja) | プロ―ブ・チップ及びケ―ブル損失補償方法 | |
| JP2004245584A (ja) | ２端子回路素子測定装置およびコンタクトチェック方法 | |
| JP2003121481A (ja) | 電流検出用低抵抗器のインダクタンス測定装置および方法 | |
| JP7307344B2 (ja) | 結合係数測定器 | |
| JP2019120547A (ja) | 鉄損測定方法、インピーダンスアナライザのテストフィクスチャ及び鉄損測定装置の試料台 | |
| JP4525391B2 (ja) | π型インピーダンス回路網のインピーダンス測定方法および測定装置 | |
| JP3421524B2 (ja) | 静電容量の測定方法 | |
| JP3350586B2 (ja) | 回路定数測定装置の校正方法 | |
| JPS6326779Y2 (ja) | ||
| CN115184686A (zh) | 电容测试电路及电路板 |