JPH09137289A - 導電性微粒子の製造方法 - Google Patents
導電性微粒子の製造方法Info
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- JPH09137289A JPH09137289A JP7500996A JP7500996A JPH09137289A JP H09137289 A JPH09137289 A JP H09137289A JP 7500996 A JP7500996 A JP 7500996A JP 7500996 A JP7500996 A JP 7500996A JP H09137289 A JPH09137289 A JP H09137289A
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Abstract
きされ単粒子として得られない場合や、例え避けられな
いとしても全ての微粒子が均一にめっきされず、めっき
層の厚みが不均一となる場合のない、極めて均一な厚さ
のめっき層を有する導電性微粒子の製造方法を提供する
こと。 【構成】 多孔体13が形成され、また陰極12を有す
る回転可能なめっき装置と、陰極12に接触しないよう
設置された陽極2aとを有するめっき装置を用いて、め
っき液を補給しながら駆動軸3を回転させて微粒子の表
面にめっき層を形成する。
Description
法に関し、詳しくは、めっき液中で微粒子が凝集するこ
とがなく、極めて均一な厚さのめっき層を有する導電性
微粒子の製造方法に関する。
異方導電性フィルムなどの導電性材料には、導電性微粒
子と樹脂とからなる導電性組成物が用いられている。こ
の導電性微粒子としては、一般に、金属粉末、カーボン
粉末、あるいは表面に金属めっき層が設けられた微粒子
などが使用されている。
電性微粒子の製造方法は、例えば、特開昭52−147
797号公報、特開昭61−277104号公報、特開
昭61−277105号公報、特開昭62−18574
9号公報、特開昭63−190204号公報、特開平1
−225776号公報、特開平1−247501号公
報、特開平4−147513号公報において開示されて
いる。
下の微粒子のめっきを行う際には、バレルめっき装置が
一般に使用される。このバレルめっき装置は、めっき液
に浸漬した回転可能な多角形筒状のバレル内に被めっき
品を入れ、バレルを回転させながらバレル内に配置した
陰極と被めっき品とを接触させることで電気めっきを行
うものである。
法で粒径5000μm以下の微粒子のめっきを行うと、
めっき液中で微粒子が凝集したままめっきされ単粒子と
して得られない場合や、たとえ微粒子が凝集しない場合
でも全ての微粒子が均一にめっきされずめっき層の厚み
が不均一となる場合がしばしば起こっていた。
れるべき目的微粒子と共に疑似粒子を上記バレル内に入
れた状態で目的微粒子をめっきする方法も行われていた
が、めっき工程の終了後に疑似粒子と目的微粒子とを分
離する必要があって工程数が増えるという問題があっ
た。
課題を解決するためになされたものであり、その目的と
するところは、めっき液中で微粒子が凝集するというこ
とがなく、工程が簡単で、かつ極めて均一な厚さのめっ
き層を有する導電性微粒子が得られる方法を提供するこ
とにある。
技術による微粒子のめっき方法の難点を解決するため
に、全く新規なめっき装置を用いて導電性微粒子を製造
する方法を発明した。
粒子の製造方法は、外周部の少なくとも一部にフィルタ
ー部が形成され、外周部に陰極を有する回転可能なめっ
き装置本体と、該本体の中に該陰極に接触しないよう設
置された陽極とを有するめっき装置を用いて、該本体を
その回転軸を中心に回転させながら、該本体内にめっき
液を補給しつつ該本体内に入れられた該微粒子の表面に
めっき層を形成する導電性微粒子の製造方法であって、
該導電性微粒子(または微粒子)の粒径が0.5〜50
00μmであり、かつ、該粒径の変動係数が50%以下
であることを特徴とする。
の製造方法は、垂直な駆動軸の上端部に固定された円盤
状の底板と、この底板の外周上面に、処理液のみを通す
多孔体を配し、この多孔体上面に通電用の接触リングを
配し、上部中央に開口を有する円錐台形状の中空カバー
の外周部で、多孔体と接触リングとを底板との間で挟持
してなる処理室を形成し、上記開口より処理液を上記処
理室に供給する供給管と、上記多孔体窓から飛散した処
理液を受ける容器と、上記容器に溜まった処理液を排出
する排出管と、上記開口から挿入されてめっき液に接触
する電極とを有するめっき装置を用いて、前処理を施し
た微粒子を上記処理室に入れ、上記微粒子の表面にめっ
き層を形成する導電性微粒子の製造方法であって、該導
電性微粒子の粒径が0.5〜5000μmであり、か
つ、該導電性微粒子の変動係数が50%以下であること
を特徴とする。
は、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウ
ム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタ
ン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウ
ム、およびケイ素からなる群より選ばれる少なくとも1
種の金属からなる。上記めっき層はこれらに限定される
ものではない。
粒子であっても無機微粒子であってもよい。
とりわけ注目を浴びつつあるのは有機樹脂微粒子または
無機微粒子の表面のめっき層が複数種類の異種金属から
形成され、加熱条件下でこれらの複数種類の異種金属か
ら形成される微粒子表面のめっき層が融合して低融点合
金を生成するものである。
は無機微粒子の表面のめっき層が結果的に半田を生成す
るものである。これはエレクトロニクス分野におけるフ
ァインピッチ電極接合用途に使用され、具体的にはCO
G(チップ・オン・グラス)やLCD(液晶表示素子)
の上下電極間のいわゆる上下導通に極めて好適に用いら
れる。
果的に半田を生成する表面を有する微粒子は上記用途に
有用であるが、最近に至って半田の使用が規制される兆
しが表面化してきた。欧米での鉛による水質汚染問題に
端を発し、比較的使用量の少ないエレクトロニクス分野
にも波及して近い将来、法規制が行われる可能性が出て
きた。そのため、我が国においても従来の錫/鉛半田に
替わる鉛フリー半田の開発を急がなければならない訳で
ある。
は、下記の諸点を満足することである。
ると、現在生産量が比較的安定しているSn(錫)が主
成分となり、その融点や強度を調整するために、第2、
第3の元素を添加するという方向が現実的であろう。大
別すると、Sn−Ag系、Sn−Zn系、Sn−
In系、Sn一Bi系、Sn−Au系、Sn−S
b系、Sn−Ge系、Sn−Cd系、Sn−Si
系などである。
−63110号公報、特公平7−65206号公報、特
公平7−65207号公報に開示されている。
微粒子であっても網目状重合体からなる微粒子であって
もよく、さらに熱硬化性樹脂製微粒子であってもよく、
また弾性体からなる微粒子であってもよい。
ン、ポリエチレン、ポリプロピレン、メチルペンテンポ
リマー、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポ
リ塩化ビニル、ポリ弗化ビニル、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテ
レフタレート、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポ
リアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリアミドなど
が挙げられる。
ベンゼン、ヘキサトリエン、ジビニルエーテル、ジビニ
ルスルフォン、ジアリルカルビノール、アルキレンジア
クリレート、オリゴまたはポリ(アルキレングリコー
ル)ジアクリレート、オリゴまたはポリ(アルキレング
リコール)ジメタクリレート、アルキレントリアクリレ
ート、アルキレントリメタクリレート、アルキレンテト
ラアクリレート、アルキレンテトラアクリレート、アル
キレンテトラメタクリレート、アルキレンビスアクリル
アミド、アルキレンビスメタクリルアミドなどの架橋反
応性モノマーの単独重合体、あるいはこれらの架橋反応
性モノマーと他の重合性モノマーとを共重合して得られ
る共重合体などが挙げられる。
ニルベンゼン、ヘキサトリエン、ジビニルエーテル、ジ
ビニルスルフォン、アルキレントリアクリレート、アル
キレンテトラアクリレートなどが挙げられる。
ル−ホルムアルデヒド系樹脂、メラミン−ホルムアルデ
ヒド系樹脂、ベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド系樹
脂、尿素−ホルムアルデヒド系樹脂、エポキシ系樹脂な
どが挙げられる。
が挙げられる。
酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化亜鉛、酸化ニ
ッケル、酸化マンガン、酸化アルミニウムなど公知のも
のが挙げられる。
mであり、特に0.5〜2500μmが好ましく、さら
に好ましくは1〜1000μmである。かつ、該粒径の
変動係数は50%以下であり、好ましくは35%以下、
さらに好ましくは20%以下、最も好ましくは10%以
下である。
かじめ導電下地層が形成される。導電下地層の形成とし
ては、以下に述べる無電解めっき法が好適に用いられる
が、これに限定されるものでなくその他公知の導電性付
与方法によって形成することも可能である。無電解めっ
き法による導電下地層の形成工程は、通常エッチング工
程、アクチベーション工程および無電解めっき工程の各
工程に分けられる。
に凹凸を形成させ、導電下地層の微粒子表面に対する密
着性を付与するための工程であり、エッチング液には、
例えば水酸化ナトリウム水溶液、濃塩酸、濃硫酸または
無水クロム酸が用いられる。しかし、エッチング工程は
必ずしも必要ではなく、場合によっては省略することも
可能である。
チングした微粒子の表面に触媒層を形成するとともにこ
の触媒層を活性化させる工程である。触媒層の活性化に
より、後述の無電解めっき工程における金属の析出が促
進される。用いられる触媒としては、例えば、Pd2+、
Sn2+などが挙げられる。このPd2+、Sn2+などの触
媒は、微粒子の表面に吸着されて触媒層が形成される。
形成された触媒層に濃塩酸または濃硫酸を作用させ、
化されたパラジウムは水酸化ナトリウム濃厚溶液などの
パラジウム活性剤により活性化され増感される。
ーションした微粒子の表面にめっき層を形成することに
より、微粒子に導電性を付与するための工程であり、例
えば、ニッケルめっきの場合には、ニッケルイオン供給
物質として硫酸ニッケルを用い、これに還元剤として次
亜リン酸ナトリウムが加えられる。上記アクチベーショ
ン工程により上記微粒子の表面に吸着されたパラジウム
が触媒となり、硫酸ニッケルの還元反応が進行して、ニ
ッケル金属が微粒子表面に析出する。
形成された微粒子の表面に導電下地層(導電めっき層)
を形成させる工程である。
っき層は、1層であっても2層以上の層であってもよ
く、さらに、ニッケルめっき層の上に金めっき層を設け
たい場合は、金イオン供給物質として金シアン化カリウ
ムを用いて上記ニッケルめっきの場合と同様に無電解め
っきを行えばよい。なお、3層以上のめっき層をこの金
めっき層の上に重ねたい場合は、電気めっきを行うのが
便利である。
装置について説明する。
直な駆動軸3の上端部に固定された円盤状のプラスチッ
クの底板11と、この底板11の外周上面に、処理液の
みを通すフィルター部として多孔質リング13を配し、
この多孔質リング13上面に陰極として通電用の接触リ
ング12を配し、上部中央に開口8を有する円錐台形状
のプラスチックの中空カバー1の外周部で多孔質リング
13と接触リング12とを底板11との間で挟持してな
る処理室4を形成し、上記開口8より処理液等を上記処
理室4に供給する供給管6と、多孔体窓から飛散した処
理液を受けるプラスチックの容器5と、上記容器5に溜
まった処理液を排出する排出管7と、上記開口8から挿
入されてめっき液に接触する陽極2aと、を有する。
ラミックで形成される連通気泡を有するフィルター状の
多孔体であって、めっき液等の処理液は通すが微粒子
(および導電性微粒子)は通過しない孔径のものが採用
される。
を受けて多孔質リング13を通過し、周囲に飛散するこ
とにより処理室内の処理液の液面が低下するため、それ
を補うべく上記開口8より処理液を供給する供給管6よ
り処理室4に処理液を供給し、処理室4内の液面が、常
時電極2aに接触状態になるように液量を管理する。図
中、2はプラスの電極であって上記陽極2aに接続され
ている。9はめっき液のレベルセンサー、10はコンタ
クトブラシである。電極用電源は図示されていない。
粒子を製造する方法を説明する。
を供給し、次いで、カバー1の開口部8より処理室4
に、導電下地層が形成された微粒子を投入して分散させ
る。微粒子を処理室4内へ入れる際には、駆動軸3を回
転させておく。めっき液は駆動軸3の回転に伴って多孔
質リング13を通して処理室4外部へ出ていくので、そ
の減少量を処理液供給管6から補給する。その他のめっ
き条件は通常のめっきの場合と特に異なることはない。
駆動軸3の回転方向を一定時間ごとに逆転させ、あるい
は停止させることが好ましい。
た導電性微粒子が得られる。得られた導電性微粒子の粒
径は、0.5〜5000μmであり、好ましくは1〜2
500μmであり、さらに好ましくは1〜1000μ
m、最も好ましくは2〜500μmである。
あり、好ましくは35%以下、さらに好ましくは20%
以下、最も好ましくは10%以下である。ここで、変動
係数とは、標準偏差を平均値を基準として百分率で表し
たものであり、次式で表される。
場合および5000μmを超える場合には、めっき粒子
の凝集塊が多数見られるものであり、また、その粒径の
変動係数が50%を超える場合にも、めっき粒子の凝集
塊が多数見られる。
層の厚みは、0.001〜5.0μmが好ましく、0.
01〜1μmがさらに好ましい。また、めっき層の厚さ
の変動係数は20%以下が好ましく、さらに好ましくは
10%以下である。
入れることにより、得られた導電性微粒子の洗浄として
も使用することができる。
液と導電性下地層が形成された微粒子をめっき液に浸し
た状態で存在させ、接触リング12(陰極)と陽極2a
の両電極間に通電する。該微粒子は遠心力の作用で接触
リング12に押し付けられ、陽極2aに面した該微粒子
にめっき層ができる。駆動軸3が停止すると、該微粒子
は重力の作用とめっき液の慣性による流れに引きづられ
て、底板中央部の平坦面に流れ落ち、混ざり合い、次に
駆動軸3が逆転を開始すると、混ざり合いながら、別の
姿勢で遠心力の作用により接触リング12に押し付けら
れるので、陽極2aに面した別の該微粒子にめっき層が
できる。このように駆動軸3の回転と停止を繰り返すこ
とにより、処理室4に存在する全ての該微粒子に対して
均一にめっきが行われる。
せて得られた有機樹脂微粒子に導電下地層としてニッケ
ルめっき層を形成し、平均粒径6.53μm,標準偏差
0.26μmのニッケルめっき微粒子を得た。得られた
ニッケルめっき微粒子50gをとり、図1に示すめっき
装置を用いてその表面に金めっきを行った。
の円錐台形で、多孔質リング13は、プラスチックで形
成される連通気泡を有するフィルター状の多孔体であっ
て、陽極2aはステンレスを用いた。
ン化金カリウム8g、シアン化カリウム90g、および
光沢剤0.1gを含有している。
電流密度は0.004A/dm2、電圧は4〜5Vとし
て両電極間に8時間通電した。駆動軸3の回転数は30
Hzとし、10秒毎に回転方向を逆転させた。
層である金めっき樹脂微粒子を光学顕微鏡で観察したと
ころ、全く凝集がなく全ての粒子が単粒子として存在し
ていた。また、この金めっきされた樹脂微粒子100個
を電子顕微鏡で観察した結果、平均粒径は6.93μ
m、金めっき層の厚みは0.2μmと計算された。粒径
の変動係数は2.5%で、金めっき層の厚みが極めて均
一であることが証明された。
ルめっき装置を用いたこと以外は実施例1と全く同様に
して金めっき樹脂微粒子を得た。
察したところ、数個から数十個の凝集塊が多数認められ
た。また、この金めっき樹脂微粒子100個を電子顕微
鏡で観察した結果、平均粒径は6.83μm、金めっき
層の厚みは0.15μmと計算された。粒径の変動係数
は12.5%であり、金めっき層の厚みが極めて不均一
であることが証明された。
シリカ微粒子の表面にニッケルめっきして得られたニッ
ケルめっきシリカ微粒子(平均粒径5.43μm、標準
偏差0.16μm)50gを用いたこと以外は、実施例
1と全く同様にして金めっき樹脂微粒子を得た。
層である金めっきシリカ粒子を光学顕微鏡で観察したと
ころ、全く凝集がなく全ての粒子が単粒子として存在し
ていた。また、この金めっきされたシリカ粒子100個
を電子顕微鏡で観察した結果、平均粒径は5.77μ
m、金めっき層の厚みは0.17μmと計算された。粒
径の変動係数は2.8%で、金めっき層の厚みが極めて
均一であることが証明された。
ルめっき装置を用いたこと以外は実施例2と全く同様に
して金めっきシリカ微粒子を得た。
観察したところ、数個ないし数十個の凝集塊が多数認め
られた。また、この金めっきシリカ微粒子100個を電
子顕微鏡で観察した結果、平均粒径は5.73μm、金
めっき層の厚みは0.15μmと計算された。粒径の変
動係数は13.6%で、金めっき層の厚みが極めて不均
一であることが証明された。
用いて、実施例1で得られた導電性微粒子(最外殻が金
めっき層である平均粒径は6.93μm、金めっき層の
厚み0.2μm)50gを、図1に示すめっき装置を用
いて半田めっきを行った。
アルカンスルホン酸第一スズ75g/リットル、アルカ
ンスルホン酸鉛3g/リットル、遊離アルカンスルホン
酸270g/リットル、光沢剤30ml/リットルを含
有した。
電流密度は3A/dm2、電圧は4〜5Vとして両電極
間に5時間通電した。
に回転方向を逆転させた。
き層である半田めっき微粒子を光学顕微鏡で観察したと
ころ、全く凝集がなく全ての粒子が単粒子として存在し
ていた。また、この半田めっき微粒子100個を電子顕
微鏡で観察した結果、平均粒径は8.13μm、半田め
っき層の厚みは0.6μmであった。粒径の変動係数は
2.9%で、半田めっき層の厚みが極めて均一であるこ
とが証明された。
ルめっき装置を用いたこと以外は実施例3と全く同様に
して半田めっき微粒子を得た。
したところ、数個から数十個の凝集塊が多数認められ
た。また、この半田めっき微粒子100個を電子顕微鏡
で観察した結果、平均粒径は8.03μm、半田めっき
層の厚みは0.55μmであった。粒径の変動係数は1
4.3%で、半田めっき層の厚みが極めて不均一である
ことが証明された。
とを共重合させて、平均粒径6.53μm,変動係数1
7%の有機樹脂微粒子を得た。この有機樹脂微粒子を用
いたこと以外は、実施例1と同様にニッケルめっきおよ
び金めっきを行い、金めっき樹脂微粒子を得た。
個を電子顕微鏡で観察した結果、平均粒径は6.93μ
m、金めっき層の厚みは0.20μmと計算された。ま
た、粒径の変動係数は19%であった。
集の程度を表1に示した。粒子凝集の程度は、表2に示
すように、金めっき樹脂微粒子1000個の中に存在す
る粒子5個以上からなる凝集塊の数によって分類したグ
レードで示した。
9および10)スチレンとジビニルベンゼンとを共重合
させて得られた表1に示す平均粒径および変動係数の有
機樹脂微粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にニ
ッケルめっきおよび金めっきを行い、表1に示す粒径お
よび変動係数を有する金めっき樹脂微粒子を得た。この
金めっき樹脂微粒子の凝集の程度を表1に示した。
11)有機樹脂微粒子の代わりに、粒径および変動係数
の異なる表1に示すシリカ微粒子を用いたこと以外は、
実施例1と同様にニッケルめっきおよび金めっきを行
い、表1に示す粒径および変動係数を有する金めっき樹
脂微粒子を得た。この金めっき樹脂微粒子の凝集の程度
を表1に示した。
めっき有機樹脂微粒子を基材とした。
酸化第1錫を補給しながら下記条件で錫−ビスマス(S
n−Bi)めっきを行った。
/l) メタンスルホン酸第1錫 23g/l(Sn=9g/
l) メタンスルホン酸 200g/l アルキルノニルフェニルエーテル 5g/lめっき条件 陰極電流密度 0.3A/dm2 浴温 20℃ 陽極 Bi(99.99%以上) めっき時間 240分錫の補給 酸化第1錫を別槽で溶解して補給した。補給頻度は40
分に1回で、Snとして0.3g/リットル/回の補給
とした。
めっき240分後とでめっき液中のBi量とSn量にほ
とんど変動がなく、また得られる析出物(Bi−Sn合
金)の外観及び析出物中のBi量も30〜35%でめっ
き初期と240分後とでほとんど同じであり、安定して
いた。
使用したので、Biの置換析出は生じなかったが、陽極
としてBi−Sn(7/3)合金を使用し、錫の補給を
行わなかった場合、めっき休止中にめっき液中のBiが
Bi−Sn合金陽極に置換析出し、その分、液中のBi
量が減少し、またSn量が増加したため、その後のめっ
きではBi量が低く、Sn量の多いBi−Sn合金めっ
き皮膜となった。
レルめっき装置を用いたこと以外は実施例19と全く同
様にして錫−ビスマスめっき有機樹脂微粒子を得た。
めっきシリカ微粒子を基材とした。
硫酸第1錫を補給しながら下記条件で錫−ビスマス(S
n−Bi)めっきを行った。
1g/l) フェノールスルホン酸第1錫 35g/l(Sn=9
g/l) フェノールスルホン酸 350g/l アルキルノニルフェニルエーテル 5g/lめっき条件 陰極電流密度 2A/dm2 浴温 20℃ 陽極 Bi(99.99%以上) めっき時間 20分錫の補給 硫酸第1錫を置換めっき槽内のめっき液に添加、溶解し
て補給した。補給頻度は10分に1回で、Snとして
0.5g/リットル/回の補給とした。
めっき20分後とでめっき液中のBi量とSn量にほと
んど変動がなく、また得られる析出物(Bi−Sn合
金)の外観及び析出物中のBi量も30〜35%でめっ
き初期と20分後とでほとんど同じであり、安定してい
た。
Bi−Sn(7/3)合金を使用し、錫の補給を行わな
かった場合、めっき休止中にめっき液中のBiがBi−
Sn合金陽極に置換析出し、その分、液中のBi量が減
少し、またSn量が増加したため、その後のめっきでは
Bi量が低く、Sn量の多いBi−Sn合金めっき皮膜
となった。
レルめっき装置を用いたこと以外は実施例20と全く同
様にして錫−ビスマスめっきシリカ微粒子を得た。
めっき有機樹脂微粒子50gを基材とした。
同様にしてSn−Agめっきを行った。
置を用いたこと以外は実施例21と全く同様にして錫−
銀めっき有機樹脂微粒子を得た。
めっきシリカ微粒子50gを基材とした。
同様にしてSn−Auめっきを行った。
置を用いたこと以外は実施例22と全く同様にして錫−
金めっきシリカ微粒子を得た。
めっき有機樹脂微粒子50gを基材とした。
同様にしてSn−Znめっきを行った。
置を用いたこと以外は実施例23と全く同様にして錫−
亜鉛めっき有機樹脂微粒子を得た。
めっきシリカ微粒子50gを基材とした。
同様にしてSn−Sbめっきを行った。
置を用いたこと以外は実施例24と全く同様にして錫−
アンチモンめっきシリカ微粒子を得た。
めっき有機樹脂微粒子50gを基材とした。
同様にしてSn−Cdめっきを行った。
置を用いたこと以外は実施例94と全ど同様にして錫−
アンチモンめっきシリカ微粒子を得た。
18の結果を表2に示す。
平均粒径が0.5μm未満、または5000μmを超え
る場合および該粒子の粒径の変動係数が50%を超える
場合は、いずれもめっき粒子の凝集の程度のグレードが
5であって、粒子の凝集塊が多数認められた。
000μm以下のような粒径の小さい微粒子を用いて
も、めっき液中で微粒子が凝集してそのままめっきされ
単粒子として得られないことや、めっき層の厚みが不均
一となることがなく、簡単な装置を用いて、極めて均一
な厚さのめっき層を有する導電性微粒子の製造方法が提
供される。
粒子は、導電性ペースト、導電性接着剤あるいは異方導
電フィルムなどの導電性材料のスペーサーとして用いる
ことができ、非常に優れた特性を有する。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 外周部の少なくとも一部にフィルター部
が形成され、外周部に陰極を有する回転可能なめっき装
置本体と、該本体の中に該陰極に接触しないよう設置さ
れた陽極とを有するめっき装置を用いて、該本体をその
回転軸を中心に回転させながら、該本体内にめっき液を
補給しつつ該本体内に入れられた該微粒子の表面にめっ
き層を形成する導電性微粒子の製造方法であって、 該導電性微粒子の粒径が0.5〜5000μmであり、
かつ、該粒径の変動係数が50%以下であることを特徴
とする導電性微粒子の製造方法。 - 【請求項2】 垂直な駆動軸の上端部に固定された円盤
状の底板と、この底板の外周上面に、処理液のみを通す
多孔体を配し、この多孔体上面に通電用の接触リングを
配し、上部中央に開口を有する円錐台形状の中空カバー
の外周部で、多孔体と接触リングとを底板との間で挟持
してなる処理室を形成し、上記開口より処理液を上記処
理室に供給する供給管と、上記多孔体窓から飛散した処
理液を受ける容器と、上記容器に溜まった処理液を排出
する排出管と、上記開口から挿入されてめっき液に接触
する電極とを有するめっき装置を用いて、前処理を施し
た微粒子を上記処理室に入れ、上記微粒子の表面にめっ
き層を形成する導電性微粒子の製造方法であって、 該導電性微粒子の粒径が0.5〜5000μmであり、
かつ、該導電性微粒子の変動係数が50%以下であるこ
とを特徴とする導電性微粒子の製造方法。 - 【請求項3】 前記めっき層が、金、銀、銅、白金、亜
鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウ
ム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマ
ス、ゲルマニウム、カドミウムおよびケイ素からなる群
より選ばれる少なくとも1種の金属からなることを特徴
とする請求項1または2に記載の導電性微粒子の製造方
法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998046811A1 (en) * | 1997-04-17 | 1998-10-22 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive particles and method and device for manufacturing the same, anisotropic conductive adhesive and conductive connection structure, and electronic circuit components and method of manufacturing the same |
JP2000309895A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子の製造装置 |
JP2002322591A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 微粒子のめっき方法及び導電性微粒子及び接続構造体 |
WO2003014426A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-20 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Procede de production de particules electro-conductrices |
JP2005200507A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 金属樹脂複合微粒子の製造方法及び金属樹脂複合微粒子 |
US7226660B2 (en) | 2000-08-04 | 2007-06-05 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive fine particles, method for plating fine particles, and substrate structural body |
CN102851726A (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-02 | 扬州市金杨电镀设备有限公司 | 小零件电镀装置 |
JP2013258136A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-12-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性粒子材料、導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
US8702953B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-04-22 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Method of determining operating condition for rotary surface treating apparatus |
JP2021147675A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | 株式会社村田製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP07500996A patent/JP3354382B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998046811A1 (en) * | 1997-04-17 | 1998-10-22 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive particles and method and device for manufacturing the same, anisotropic conductive adhesive and conductive connection structure, and electronic circuit components and method of manufacturing the same |
US6906427B2 (en) | 1997-04-17 | 2005-06-14 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive particles and method and device for manufacturing the same, anisotropic conductive adhesive and conductive connection structure, and electronic circuit components and method of manufacturing the same |
JP2000309895A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子の製造装置 |
EP2495732A3 (en) * | 2000-08-04 | 2014-04-16 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive fine particles, method for plating fine particles, and substrate structure |
US7226660B2 (en) | 2000-08-04 | 2007-06-05 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive fine particles, method for plating fine particles, and substrate structural body |
JP2002322591A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 微粒子のめっき方法及び導電性微粒子及び接続構造体 |
US7045050B2 (en) | 2001-07-31 | 2006-05-16 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method for producing electroconductive particles |
WO2003014426A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-20 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Procede de production de particules electro-conductrices |
JP2005200507A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 金属樹脂複合微粒子の製造方法及び金属樹脂複合微粒子 |
US8702953B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-04-22 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Method of determining operating condition for rotary surface treating apparatus |
CN102851726A (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-02 | 扬州市金杨电镀设备有限公司 | 小零件电镀装置 |
JP2013258136A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-12-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性粒子材料、導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
JP2018063950A (ja) * | 2012-05-14 | 2018-04-19 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子材料、導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
JP2021147675A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | 株式会社村田製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
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