JPH09133746A - 磁気センサ装置およびその製造方法 - Google Patents
磁気センサ装置およびその製造方法Info
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- JPH09133746A JPH09133746A JP7291096A JP29109695A JPH09133746A JP H09133746 A JPH09133746 A JP H09133746A JP 7291096 A JP7291096 A JP 7291096A JP 29109695 A JP29109695 A JP 29109695A JP H09133746 A JPH09133746 A JP H09133746A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気センサ装置の高感度を実現するととも
に、樹脂封止工程における樹脂の膨張・収縮による応力
による特性のばらつきを抑制する。 【解決手段】 フェライト基板１１上に、ＳｉＯ2 膜１
２とＳｉ3 Ｎ4 膜１３を介して磁気感受部１４を形成
し、磁気感受部１４上にコンタクト電極１５およびＳｉ
3 Ｎ4 膜１６を形成し、その上にゴム状のレジン１８を
介してフェライト１７を設置している。また、フェライ
ト基板１１はゴム状のレジン１８を介してリードフレー
ム１９上に設置している。そして、全体を樹脂２０で封
止している。磁気感受部１４の上下のフェライト（１
１，１７）により高感度を実現し、封止工程での樹脂の
応力は、ゴム状のレジン１８により吸収され、磁気感受
部１４に直接加わらず、樹脂の膨張・収縮により生ずる
歪の影響を抑えられる。
に、樹脂封止工程における樹脂の膨張・収縮による応力
による特性のばらつきを抑制する。 【解決手段】 フェライト基板１１上に、ＳｉＯ2 膜１
２とＳｉ3 Ｎ4 膜１３を介して磁気感受部１４を形成
し、磁気感受部１４上にコンタクト電極１５およびＳｉ
3 Ｎ4 膜１６を形成し、その上にゴム状のレジン１８を
介してフェライト１７を設置している。また、フェライ
ト基板１１はゴム状のレジン１８を介してリードフレー
ム１９上に設置している。そして、全体を樹脂２０で封
止している。磁気感受部１４の上下のフェライト（１
１，１７）により高感度を実現し、封止工程での樹脂の
応力は、ゴム状のレジン１８により吸収され、磁気感受
部１４に直接加わらず、樹脂の膨張・収縮により生ずる
歪の影響を抑えられる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フェライトを用
いた磁気センサ装置およびその製造方法に関するもので
ある。
いた磁気センサ装置およびその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】磁電変換素子、特に磁気センサ装置は、
小型で信頼性が高く、ビデオやオーディオのモータのブ
ラシのかわりや、自動車の回転センサなど様々な用途に
幅広く応用されている。ホール素子の磁気感受部を形成
する材料としては、ＧａＡｓやＩｎＳｂ等の半導体が用
いられている。磁気感受部にＧａＡｓを用いたものは、
禁止帯幅が大きく、温度特性に優れ、温度特性が重視さ
れる自動車等の分野で用いられるのに対し、ＩｎＳｂを
用いたものは、電子の移動度が大きく、磁気感度に優
れ、消費電力を重視する分野で用いられる。
小型で信頼性が高く、ビデオやオーディオのモータのブ
ラシのかわりや、自動車の回転センサなど様々な用途に
幅広く応用されている。ホール素子の磁気感受部を形成
する材料としては、ＧａＡｓやＩｎＳｂ等の半導体が用
いられている。磁気感受部にＧａＡｓを用いたものは、
禁止帯幅が大きく、温度特性に優れ、温度特性が重視さ
れる自動車等の分野で用いられるのに対し、ＩｎＳｂを
用いたものは、電子の移動度が大きく、磁気感度に優
れ、消費電力を重視する分野で用いられる。
【０００３】感度を決める移動度は、室温でＩｎＳｂは
ＧａＡｓの８倍以上であるが、温度係数を決める禁止帯
幅がＩｎＳｂはＧａＡｓの８分の１程度であるため、高
温時には同じ感度となり、ＩｎＳｂのみでは高温時の消
費電力の利点がＧａＡｓに対して得られない。そこでＩ
ｎＳｂも高感度を更に得るため、フェライトの上に形成
することで、フェライトの磁気収束効果により、より高
感度化を図っている（例えば、特開昭５１−３２５５６
号公報参照）。
ＧａＡｓの８倍以上であるが、温度係数を決める禁止帯
幅がＩｎＳｂはＧａＡｓの８分の１程度であるため、高
温時には同じ感度となり、ＩｎＳｂのみでは高温時の消
費電力の利点がＧａＡｓに対して得られない。そこでＩ
ｎＳｂも高感度を更に得るため、フェライトの上に形成
することで、フェライトの磁気収束効果により、より高
感度化を図っている（例えば、特開昭５１−３２５５６
号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】また、高感度を得るた
めにフェライトを磁気感受部の上部に形成する場合、フ
ェライトを磁気感受部の上部に形成した後、全体を樹脂
封止するが、この封止工程において生じる樹脂の膨張・
収縮による応力について考慮されていなかった。磁気セ
ンサ装置の等価回路は、図２に示されるように抵抗の集
合で近似される。図２の近似において、例えば磁気感受
部の厚さのばらつきが大きいと、磁気感受部のパターン
をエッチングにより形成する際に、エッチングのばらつ
きが生じ、不平衡電圧ＶHO（印加磁場０下での感度）の
ばらつきが発生する。このようなＶ HOのばらつきは、ウ
エハーの検査段階で除去しており、封止工程での応力
が、図２の抵抗の各部に均一に加えられればＶHOとして
は変動しない。しかし、封止工程での応力が不均一に加
えられると、ＶHOは次の数１で与えられるので、封止工
程中の変動をうけＶHOは変化しばらつきが発生する。
めにフェライトを磁気感受部の上部に形成する場合、フ
ェライトを磁気感受部の上部に形成した後、全体を樹脂
封止するが、この封止工程において生じる樹脂の膨張・
収縮による応力について考慮されていなかった。磁気セ
ンサ装置の等価回路は、図２に示されるように抵抗の集
合で近似される。図２の近似において、例えば磁気感受
部の厚さのばらつきが大きいと、磁気感受部のパターン
をエッチングにより形成する際に、エッチングのばらつ
きが生じ、不平衡電圧ＶHO（印加磁場０下での感度）の
ばらつきが発生する。このようなＶ HOのばらつきは、ウ
エハーの検査段階で除去しており、封止工程での応力
が、図２の抵抗の各部に均一に加えられればＶHOとして
は変動しない。しかし、封止工程での応力が不均一に加
えられると、ＶHOは次の数１で与えられるので、封止工
程中の変動をうけＶHOは変化しばらつきが発生する。
【０００５】
【数１】
【０００６】例えば、印加電圧ＶC を１Ｖとし、抵抗Ｒ
1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 のうち、Ｒ1が他の抵抗に比べて
大きな応力が加えられ、１０％異なった抵抗値をとった
場合、４７ｍＶのＶHOが生ずる。このばらつきは、モー
タ等のセットのオフセットとして働き、回転ムラの要因
になる。この発明の目的は、高感度を実現するととも
に、樹脂封止工程における樹脂の膨張・収縮による応力
による特性のばらつきを抑制できる磁気センサ装置およ
びその製造方法を提供することである。
1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 のうち、Ｒ1が他の抵抗に比べて
大きな応力が加えられ、１０％異なった抵抗値をとった
場合、４７ｍＶのＶHOが生ずる。このばらつきは、モー
タ等のセットのオフセットとして働き、回転ムラの要因
になる。この発明の目的は、高感度を実現するととも
に、樹脂封止工程における樹脂の膨張・収縮による応力
による特性のばらつきを抑制できる磁気センサ装置およ
びその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の磁気セン
サ装置は、フェライト基板の上部に磁気感受部を設け、
磁気感受部上にコンタクト電極を設け、磁気感受部の上
部にゴム状のレジンを介してフェライトを設置し、樹脂
封止している。この構成により、磁気感受部の上下にフ
ェライトが配置され、高感度を実現するとともに、封止
工程での樹脂の応力は、ゴム状のレジンにより吸収さ
れ、磁気感受部に直接加わらず、樹脂の膨張・収縮によ
り生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性変動を抑えられ
る。
サ装置は、フェライト基板の上部に磁気感受部を設け、
磁気感受部上にコンタクト電極を設け、磁気感受部の上
部にゴム状のレジンを介してフェライトを設置し、樹脂
封止している。この構成により、磁気感受部の上下にフ
ェライトが配置され、高感度を実現するとともに、封止
工程での樹脂の応力は、ゴム状のレジンにより吸収さ
れ、磁気感受部に直接加わらず、樹脂の膨張・収縮によ
り生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性変動を抑えられ
る。
【０００８】請求項２記載の磁気センサ装置は、請求項
１記載の磁気センサ装置において、コンタクト電極の上
部にフェライトの底面が位置したことを特徴とする。こ
れにより、樹脂の膨張・収縮によりフェライトに加わる
応力は、コンタクト電極に加わり、磁気感受部に加わら
ないため、樹脂の膨張・収縮により生ずる歪の影響を受
けず、ＶHOの特性変動を抑えられる。
１記載の磁気センサ装置において、コンタクト電極の上
部にフェライトの底面が位置したことを特徴とする。こ
れにより、樹脂の膨張・収縮によりフェライトに加わる
応力は、コンタクト電極に加わり、磁気感受部に加わら
ないため、樹脂の膨張・収縮により生ずる歪の影響を受
けず、ＶHOの特性変動を抑えられる。
【０００９】請求項３記載の磁気センサ装置は、請求項
２記載の磁気センサ装置において、フェライトの底面は
正方形状であり、フェライトの底面の一辺を隣接するコ
ンタクト電極の間隔の√２倍以上としたことを特徴とす
る。これにより、コンタクト電極の上部にフェライトの
底面を確実に位置させることができ、フェライトの位置
ずれによる特性変動を抑え、高い歩留りを実現できる。
２記載の磁気センサ装置において、フェライトの底面は
正方形状であり、フェライトの底面の一辺を隣接するコ
ンタクト電極の間隔の√２倍以上としたことを特徴とす
る。これにより、コンタクト電極の上部にフェライトの
底面を確実に位置させることができ、フェライトの位置
ずれによる特性変動を抑え、高い歩留りを実現できる。
【００１０】請求項４記載の磁気センサ装置は、請求項
２記載の磁気センサ装置において、フェライトの底面を
磁気感受部に対して４５度±５度の方向に配置したこと
を特徴とする。これにより、コンタクト電極の上部にフ
ェライトの底面を確実に位置させることができ、フェラ
イトの位置ずれによる特性変動を抑え、高い歩留りを実
現できる。
２記載の磁気センサ装置において、フェライトの底面を
磁気感受部に対して４５度±５度の方向に配置したこと
を特徴とする。これにより、コンタクト電極の上部にフ
ェライトの底面を確実に位置させることができ、フェラ
イトの位置ずれによる特性変動を抑え、高い歩留りを実
現できる。
【００１１】請求項５記載の磁気センサ装置は、請求項
１，２，３または４記載の磁気センサ装置において、フ
ェライト基板を、フェライト基板の底面の中心に対して
略点対称な設置板に設置したことを特徴とする。これに
より、封止工程での応力が磁気感受部の各抵抗に対称に
加えられ、樹脂の膨張・収縮により生ずる歪の影響を受
けにくくなり、ＶHOの特性変動をより抑えられる。
１，２，３または４記載の磁気センサ装置において、フ
ェライト基板を、フェライト基板の底面の中心に対して
略点対称な設置板に設置したことを特徴とする。これに
より、封止工程での応力が磁気感受部の各抵抗に対称に
加えられ、樹脂の膨張・収縮により生ずる歪の影響を受
けにくくなり、ＶHOの特性変動をより抑えられる。
【００１２】請求項６記載の磁気センサ装置は、請求項
５記載の磁気センサ装置において、フェライト基板をゴ
ム状のレジンを介して設置板に設置したことを特徴とす
る。これにより、封止工程における設置板に加わる樹脂
の応力は、ゴム状のレジンにより吸収され、ＶHOの特性
変動をさらにより抑えられる。請求項７記載の磁気セン
サ装置は、請求項１，２，３，４，５または６記載の磁
気センサ装置において、フェライト基板と磁気感受部と
の間に絶縁性の多層膜を形成したことを特徴とする。こ
れにより、製造工程中における磁気感受部への悪影響を
除き、ばらつきのすくない良好な感度を実現できる。
５記載の磁気センサ装置において、フェライト基板をゴ
ム状のレジンを介して設置板に設置したことを特徴とす
る。これにより、封止工程における設置板に加わる樹脂
の応力は、ゴム状のレジンにより吸収され、ＶHOの特性
変動をさらにより抑えられる。請求項７記載の磁気セン
サ装置は、請求項１，２，３，４，５または６記載の磁
気センサ装置において、フェライト基板と磁気感受部と
の間に絶縁性の多層膜を形成したことを特徴とする。こ
れにより、製造工程中における磁気感受部への悪影響を
除き、ばらつきのすくない良好な感度を実現できる。
【００１３】請求項８記載の磁気センサ装置は、請求項
７記載の磁気センサ装置において、絶縁性の多層膜と接
するフェライト基板の表面の凸凹が０．２μｍ以下であ
ることを特徴とする。これにより、絶縁性の多層膜のカ
バレージが良くなり、より良好な感度を実現できる。請
求項９記載の磁気センサ装置は、請求項７または８記載
の磁気センサ装置において、絶縁性の多層膜はＳｉＯ2
膜およびＳｉ3 Ｎ4 膜を含むことを特徴とする。
７記載の磁気センサ装置において、絶縁性の多層膜と接
するフェライト基板の表面の凸凹が０．２μｍ以下であ
ることを特徴とする。これにより、絶縁性の多層膜のカ
バレージが良くなり、より良好な感度を実現できる。請
求項９記載の磁気センサ装置は、請求項７または８記載
の磁気センサ装置において、絶縁性の多層膜はＳｉＯ2
膜およびＳｉ3 Ｎ4 膜を含むことを特徴とする。
【００１４】請求項１０記載の磁気センサ装置の製造方
法は、フェライト基板の上部に磁気感受部を設け、磁気
感受部上にコンタクト電極を設け、磁気感受部の上部に
フェライトを設置し、樹脂封止した磁気センサ装置の製
造方法であって、板状のフェライトの下部に液状のレジ
ンを全面塗布した後、熱処理してレジンをゴム状とし、
板状のフェライトをゴム状のレジンとともに所望のサイ
ズに分割する工程と、磁気感受部の上部にゴム状のレジ
ンを介して分割したフェライトを設置する工程とを含む
ことを特徴とする。この方法により、同じサイズのフェ
ライトとゴム状のレジンを容易に精度良く得られ、磁気
感受部とフェライトの間に封止樹脂が入り込むことがな
く、封止工程での樹脂の応力は、ゴム状のレジンにより
吸収され、磁気感受部に直接加わらず、樹脂の膨張・収
縮により生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性変動を抑
えられる。
法は、フェライト基板の上部に磁気感受部を設け、磁気
感受部上にコンタクト電極を設け、磁気感受部の上部に
フェライトを設置し、樹脂封止した磁気センサ装置の製
造方法であって、板状のフェライトの下部に液状のレジ
ンを全面塗布した後、熱処理してレジンをゴム状とし、
板状のフェライトをゴム状のレジンとともに所望のサイ
ズに分割する工程と、磁気感受部の上部にゴム状のレジ
ンを介して分割したフェライトを設置する工程とを含む
ことを特徴とする。この方法により、同じサイズのフェ
ライトとゴム状のレジンを容易に精度良く得られ、磁気
感受部とフェライトの間に封止樹脂が入り込むことがな
く、封止工程での樹脂の応力は、ゴム状のレジンにより
吸収され、磁気感受部に直接加わらず、樹脂の膨張・収
縮により生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性変動を抑
えられる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。図１はこの発明の
実施の形態におけるホール素子からなる磁気センサ装置
の構成を示し、図１（ａ）はその平面配置図、図１
（ｂ）はその断面図であり、この磁気センサ装置（ホー
ル素子）の等価回路を図２に示す。
いて、図面を参照しながら説明する。図１はこの発明の
実施の形態におけるホール素子からなる磁気センサ装置
の構成を示し、図１（ａ）はその平面配置図、図１
（ｂ）はその断面図であり、この磁気センサ装置（ホー
ル素子）の等価回路を図２に示す。
【００１６】この磁気センサ装置は、表面の凸凹が０．
２μｍ以下であるフェライト基板１１の表面に、絶縁性
の多層膜としてＳｉＯ2 膜１２とＳｉ3 Ｎ4 膜１３を形
成し、この上に磁気感受部１４を形成している。そし
て、磁気感受部１４の上にコンタクト電極１５およびＳ
ｉ3 Ｎ4 膜１６を形成し、その上にゴム状のレジン１８
を介して、底面が正方形状で直方体のフェライト１７
を、その底面がコンタクト電極１５の上部に位置するよ
うに設置している。また、フェライト基板１１は、ゴム
状のレジン１８を介して非磁性体（例えば銅）からなる
リードフレーム（設置板）１９上に設置している。そし
て、全体を樹脂２０で封止している。
２μｍ以下であるフェライト基板１１の表面に、絶縁性
の多層膜としてＳｉＯ2 膜１２とＳｉ3 Ｎ4 膜１３を形
成し、この上に磁気感受部１４を形成している。そし
て、磁気感受部１４の上にコンタクト電極１５およびＳ
ｉ3 Ｎ4 膜１６を形成し、その上にゴム状のレジン１８
を介して、底面が正方形状で直方体のフェライト１７
を、その底面がコンタクト電極１５の上部に位置するよ
うに設置している。また、フェライト基板１１は、ゴム
状のレジン１８を介して非磁性体（例えば銅）からなる
リードフレーム（設置板）１９上に設置している。そし
て、全体を樹脂２０で封止している。
【００１７】以下、この磁気センサ装置の製造方法とと
もに、より詳しい構成について説明する。図１におい
て、まず、表面の凸凹が０．２μｍ以下のポリシュ仕様
によるフェライト基板１１上に、ＳｉＯ2 膜１２を３０
０度以上，５５０度までの温度で５００Å〜１００００
Åの厚さで気相成長し、その上にプラズマＣＶＤ法によ
りＳｉ3 Ｎ4 膜１３を５００Å〜１００００Åの厚さで
形成する。この後、磁気センサの磁気感受部１４となる
ＩｎＳｂ膜を、ＩｎおよびＳｂの個々の蒸着源から蒸着
する。この際、蒸着温度は常温から融点付近まで幅広い
範囲の任意の温度で可能である。形成されたＩｎＳｂ膜
は、後工程での特性変動を抑えるため、５５０度の融点
付近の５００度の温度で５分以上の熱処理を行う。
もに、より詳しい構成について説明する。図１におい
て、まず、表面の凸凹が０．２μｍ以下のポリシュ仕様
によるフェライト基板１１上に、ＳｉＯ2 膜１２を３０
０度以上，５５０度までの温度で５００Å〜１００００
Åの厚さで気相成長し、その上にプラズマＣＶＤ法によ
りＳｉ3 Ｎ4 膜１３を５００Å〜１００００Åの厚さで
形成する。この後、磁気センサの磁気感受部１４となる
ＩｎＳｂ膜を、ＩｎおよびＳｂの個々の蒸着源から蒸着
する。この際、蒸着温度は常温から融点付近まで幅広い
範囲の任意の温度で可能である。形成されたＩｎＳｂ膜
は、後工程での特性変動を抑えるため、５５０度の融点
付近の５００度の温度で５分以上の熱処理を行う。
【００１８】その後、レジストを用いて所望の活性層に
パターンニングを行い、ＩｎＳｂ膜のみを塩化第２鉄や
硝酸を含む酸で選択的にエッチングを行ってＩｎＳｂ膜
からなる磁気感受部１４を形成する。その後、コンタク
ト電極１５となるＮｉＰｔＴｉＡｌ膜を蒸着する。Ｎ
ｉ、Ｔｉは密着剤であり、ＰｔはＩｎとＡｌのバリアメ
タルで、ＩｎとＡｌの合金化を防ぐ目的の金属である。
この後、磁気感受部１４の上に、２５０度から４００度
の温度でＳｉ3 Ｎ4 膜１６を形成する。ここまで形成し
たものを、以下の説明ではチップという。
パターンニングを行い、ＩｎＳｂ膜のみを塩化第２鉄や
硝酸を含む酸で選択的にエッチングを行ってＩｎＳｂ膜
からなる磁気感受部１４を形成する。その後、コンタク
ト電極１５となるＮｉＰｔＴｉＡｌ膜を蒸着する。Ｎ
ｉ、Ｔｉは密着剤であり、ＰｔはＩｎとＡｌのバリアメ
タルで、ＩｎとＡｌの合金化を防ぐ目的の金属である。
この後、磁気感受部１４の上に、２５０度から４００度
の温度でＳｉ3 Ｎ4 膜１６を形成する。ここまで形成し
たものを、以下の説明ではチップという。
【００１９】このチップを、硬化してゴム状のレジン１
８となる絶縁ペーストを介してリードフレーム１９にダ
イスボンドする。さらに、ダイスボンドされたチップの
上部に硬化してゴム状のレジン１８となる絶縁ペースト
を介してフェライト１７をダイスボンドし、その後、全
体を樹脂２０で樹脂封止する。この封止工程は、樹脂２
０を１５０度から２００度の高温で形成する。なお、ゴ
ム状のレジン１８となる絶縁ペーストは、１５０度から
２００度の熱処理後もゴム状である。
８となる絶縁ペーストを介してリードフレーム１９にダ
イスボンドする。さらに、ダイスボンドされたチップの
上部に硬化してゴム状のレジン１８となる絶縁ペースト
を介してフェライト１７をダイスボンドし、その後、全
体を樹脂２０で樹脂封止する。この封止工程は、樹脂２
０を１５０度から２００度の高温で形成する。なお、ゴ
ム状のレジン１８となる絶縁ペーストは、１５０度から
２００度の熱処理後もゴム状である。
【００２０】ここで、フェライト基板１１とＩｎＳｂ膜
の磁気感受部１４との間の絶縁層を、上記実施の形態の
ようにＳｉＯ2 膜１２とＳｉ3 Ｎ4 膜１３の２層構造と
した場合と、ＳｉＯ2 膜またはＳｉ3 Ｎ4 膜のみの１層
構造とした場合とにおいて、ＩｎＳｂ膜を５００度の温
度で熱処理をした後の感度の比較をした結果を図３に示
す。図３に示すように、この実施の形態のように絶縁層
を２層構造とすれば、１層構造とした場合に比べてばら
つきが小さいことがわかる。これは、１層構造の場合、
ＳｉＯ2 膜のみだとＩｎが拡散してフェライトの鉄と反
応しＩｎＳｂの結晶が得られず、また、Ｓｉ3 Ｎ4 膜の
みだと熱処理の際にワレが生じてＩｎＳｂとフェライト
の鉄とが反応しＩｎＳｂの結晶が得られない。そこで、
ＳｉＯ2膜，Ｓｉ3 Ｎ4 膜の２層構造にすると、ＳｉＯ
2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜の膨張係数の差によりＳｉ3 Ｎ4 膜
のみの場合の熱処理の際のワレを防止でき、また、Ｓｉ
Ｏ 2 膜のみの場合のＩｎの拡散をＳｉ3 Ｎ4 膜により防
げるためである。
の磁気感受部１４との間の絶縁層を、上記実施の形態の
ようにＳｉＯ2 膜１２とＳｉ3 Ｎ4 膜１３の２層構造と
した場合と、ＳｉＯ2 膜またはＳｉ3 Ｎ4 膜のみの１層
構造とした場合とにおいて、ＩｎＳｂ膜を５００度の温
度で熱処理をした後の感度の比較をした結果を図３に示
す。図３に示すように、この実施の形態のように絶縁層
を２層構造とすれば、１層構造とした場合に比べてばら
つきが小さいことがわかる。これは、１層構造の場合、
ＳｉＯ2 膜のみだとＩｎが拡散してフェライトの鉄と反
応しＩｎＳｂの結晶が得られず、また、Ｓｉ3 Ｎ4 膜の
みだと熱処理の際にワレが生じてＩｎＳｂとフェライト
の鉄とが反応しＩｎＳｂの結晶が得られない。そこで、
ＳｉＯ2膜，Ｓｉ3 Ｎ4 膜の２層構造にすると、ＳｉＯ
2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜の膨張係数の差によりＳｉ3 Ｎ4 膜
のみの場合の熱処理の際のワレを防止でき、また、Ｓｉ
Ｏ 2 膜のみの場合のＩｎの拡散をＳｉ3 Ｎ4 膜により防
げるためである。
【００２１】したがって、フェライト基板１１とＩｎＳ
ｂ膜の磁気感受部１４の間の絶縁層は、ＳｉＯ2 膜とＳ
ｉ3 Ｎ4 膜とを含む多層構造であればよく、例えば、Ｓ
ｉＯ 2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜の３層構造にし
ても同じ効果が得られる。また、図４に、フェライト基
板１１表面の凸凹と感度の関係を調べた結果を示す。表
面の凸凹が０．２μｍ以下の場合、良好な結果を得る。
これは、表面の凸凹が０．２μｍ以上であると、ＳｉＯ
2 膜やＳｉ3 Ｎ4 膜でフェライト基板１１の表面を十分
カバレージすることが困難なためと推定される。
ｂ膜の磁気感受部１４の間の絶縁層は、ＳｉＯ2 膜とＳ
ｉ3 Ｎ4 膜とを含む多層構造であればよく、例えば、Ｓ
ｉＯ 2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜の３層構造にし
ても同じ効果が得られる。また、図４に、フェライト基
板１１表面の凸凹と感度の関係を調べた結果を示す。表
面の凸凹が０．２μｍ以下の場合、良好な結果を得る。
これは、表面の凸凹が０．２μｍ以上であると、ＳｉＯ
2 膜やＳｉ3 Ｎ4 膜でフェライト基板１１の表面を十分
カバレージすることが困難なためと推定される。
【００２２】上記実施の形態における封止工程で、樹脂
２０を１５０度から２００度の高温で形成した後、樹脂
２０が常温にもどる際、樹脂の膨張係数と弾性係数によ
る力がチップに応力として働く。この応力は封止前後の
ＶHOの特性変動の要因となる。ここで、絶縁ペーストと
して、１５０度から２００度の熱処理後も上記実施の形
態のようにゴム状であるレジン１８を用いた場合と、硬
化タイプのレジンを用いた場合とにおいて、封止前後の
ＶHOの特性変動を、図５に示す。また、我々の実験によ
るとゴム状のレジン１８は、硬化タイプのレジンに比
べ、封止工程での応力を三分の一に低減した。このた
め、磁気感受部（ＩｎＳｂ膜）１４の上部にゴム状のレ
ジン１８を介してフェライト１７をダイスボンドするこ
とにより、封止工程での樹脂２０の応力は、ゴム状のレ
ジン１８により吸収され、磁気感受部１４に直接加わら
ず、樹脂２０の膨張・収縮により生ずる歪の影響を受け
ず、Ｖ HOの特性変動を抑えられたと考えられる。
２０を１５０度から２００度の高温で形成した後、樹脂
２０が常温にもどる際、樹脂の膨張係数と弾性係数によ
る力がチップに応力として働く。この応力は封止前後の
ＶHOの特性変動の要因となる。ここで、絶縁ペーストと
して、１５０度から２００度の熱処理後も上記実施の形
態のようにゴム状であるレジン１８を用いた場合と、硬
化タイプのレジンを用いた場合とにおいて、封止前後の
ＶHOの特性変動を、図５に示す。また、我々の実験によ
るとゴム状のレジン１８は、硬化タイプのレジンに比
べ、封止工程での応力を三分の一に低減した。このた
め、磁気感受部（ＩｎＳｂ膜）１４の上部にゴム状のレ
ジン１８を介してフェライト１７をダイスボンドするこ
とにより、封止工程での樹脂２０の応力は、ゴム状のレ
ジン１８により吸収され、磁気感受部１４に直接加わら
ず、樹脂２０の膨張・収縮により生ずる歪の影響を受け
ず、Ｖ HOの特性変動を抑えられたと考えられる。
【００２３】また、封止工程での樹脂２０の膨張・収縮
による応力は、チップの端面に集中する。ここで、上記
実施の形態のように磁気感受部１４のコンタクト電極１
５の上部に直方体のフェライト１７が形成される構造を
図６（ａ）のように簡略化して示し、この場合と、図６
（ａ）に対して図６（ｂ）に示される構造の場合とにお
いて、封止前後のＶHOの特性変動を、図７に示す。図６
（ｂ）の構造では、樹脂２０の膨張・収縮によりフェラ
イト１７に加わる応力が磁気感受部１４に加わるが、図
６（ａ）の構造では、フェライト１７に加わった応力は
コンタクト電極１５に加わることになり、磁気感受部１
４に加わらないため、樹脂２０の膨張・収縮により生ず
る歪の影響を受けず、図７に示すように、ＶHOの特性変
動を抑えられる。
による応力は、チップの端面に集中する。ここで、上記
実施の形態のように磁気感受部１４のコンタクト電極１
５の上部に直方体のフェライト１７が形成される構造を
図６（ａ）のように簡略化して示し、この場合と、図６
（ａ）に対して図６（ｂ）に示される構造の場合とにお
いて、封止前後のＶHOの特性変動を、図７に示す。図６
（ｂ）の構造では、樹脂２０の膨張・収縮によりフェラ
イト１７に加わる応力が磁気感受部１４に加わるが、図
６（ａ）の構造では、フェライト１７に加わった応力は
コンタクト電極１５に加わることになり、磁気感受部１
４に加わらないため、樹脂２０の膨張・収縮により生ず
る歪の影響を受けず、図７に示すように、ＶHOの特性変
動を抑えられる。
【００２４】ここで、磁気感受部１４の上部に形成され
るフェライト１７は、正方形状の底面を有する直方体で
あり、フェライト１７の底面の一辺を、隣接するコンタ
クト電極１５の間隔の√２倍以上で形成することによ
り、図６（ｂ）のように、フェライト１７の端面（底
面）が必ずコンタクト電極１５の上部に載置される構造
となり、上述したように、樹脂２０の膨張・収縮により
生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性変動を抑えられ
る。図８に、フェライト１７の底面の一辺を、隣接する
コンタクト電極１５の間隔の√２倍以上で形成した場合
と、隣接するコンタクト電極１５の間隔の√２倍未満で
形成した場合について、樹脂封止前後のＶHOの特性変動
を示す。図８より上記の効果が判る。
るフェライト１７は、正方形状の底面を有する直方体で
あり、フェライト１７の底面の一辺を、隣接するコンタ
クト電極１５の間隔の√２倍以上で形成することによ
り、図６（ｂ）のように、フェライト１７の端面（底
面）が必ずコンタクト電極１５の上部に載置される構造
となり、上述したように、樹脂２０の膨張・収縮により
生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性変動を抑えられ
る。図８に、フェライト１７の底面の一辺を、隣接する
コンタクト電極１５の間隔の√２倍以上で形成した場合
と、隣接するコンタクト電極１５の間隔の√２倍未満で
形成した場合について、樹脂封止前後のＶHOの特性変動
を示す。図８より上記の効果が判る。
【００２５】また、磁気感受部１４とフェライト１７の
角度、すなわち図１においてフェライト基板１１とフェ
ライト１７との上部から見た辺の成す角度θ（図１では
角度θ＝４５度）をパラメータとして、同じサイズのフ
ェライト１７をダイスボンドした際の、印加磁界Ｂ＝０
ガウス，図２のＶC ＝１ＶにおけるＶHOの分布の実験結
果を、図９に示す。図１のように、磁気感受部１４とフ
ェライト１７の角度θを４５度にすることで、フェライ
ト１７の端面がコンタクト電極１５の上部にかかりやす
い構造となり、同じサイズのフェライト１７をダイスボ
ンドした際、樹脂２０の膨張により生ずるチップ端面へ
の歪の影響が一番受けにくいことが判る。なお、磁気感
受部１４とフェライト１７の角度θは４５度±５度であ
れば、上記効果は得られる。
角度、すなわち図１においてフェライト基板１１とフェ
ライト１７との上部から見た辺の成す角度θ（図１では
角度θ＝４５度）をパラメータとして、同じサイズのフ
ェライト１７をダイスボンドした際の、印加磁界Ｂ＝０
ガウス，図２のＶC ＝１ＶにおけるＶHOの分布の実験結
果を、図９に示す。図１のように、磁気感受部１４とフ
ェライト１７の角度θを４５度にすることで、フェライ
ト１７の端面がコンタクト電極１５の上部にかかりやす
い構造となり、同じサイズのフェライト１７をダイスボ
ンドした際、樹脂２０の膨張により生ずるチップ端面へ
の歪の影響が一番受けにくいことが判る。なお、磁気感
受部１４とフェライト１７の角度θは４５度±５度であ
れば、上記効果は得られる。
【００２６】フェライト１７の一辺がコンタクト電極１
５の間隔と同じ場合、図９に示すように、不平衡電圧Ｖ
HOは角度θが４５度のとき最も小さな値となる。また、
フェライト１７の一辺がコンタクト電極１５の間隔の√
２倍以上であっても、角度θが０度および４５度以外の
ときには、磁気感受部１４にかかるフェライト１７が左
右非対称であるため、不平衡電圧ＶHOは大きな値とな
る。角度θが０度の場合と４５度の場合を比較すると、
０度より４５度の方がフェライト１７がコンタクト電極
１５にかかる面積が大きく、樹脂２０の膨張により生ず
るチップ端面への歪の影響を一番受けにくい。
５の間隔と同じ場合、図９に示すように、不平衡電圧Ｖ
HOは角度θが４５度のとき最も小さな値となる。また、
フェライト１７の一辺がコンタクト電極１５の間隔の√
２倍以上であっても、角度θが０度および４５度以外の
ときには、磁気感受部１４にかかるフェライト１７が左
右非対称であるため、不平衡電圧ＶHOは大きな値とな
る。角度θが０度の場合と４５度の場合を比較すると、
０度より４５度の方がフェライト１７がコンタクト電極
１５にかかる面積が大きく、樹脂２０の膨張により生ず
るチップ端面への歪の影響を一番受けにくい。
【００２７】また、リードフレーム１９の上にゴム状の
レジン１８を介してチップを設置しているが、図１０に
示すように、リードフレーム１９はチップＡの底面の対
角線に対して対称な形状とすることが、封止前後のＶHO
の特性変動の上から好ましい。リードフレーム１９の形
状が、チップＡの底面の対角線に対して対称である場合
と、非対称である場合とについて、樹脂封止前後のＶHO
の特性変動を図１１に示す。封止工程において、チップ
Ａ下部からの応力はリードフレーム１９の形状が非対称
であると、抵抗ブリッジの回路で示される磁気感受部１
４（図１）に不均一に応力が働き、ＶHOの特性変動を引
き起こす。磁気センサのダイスボンドされるリードフレ
ーム１９の部分を線対称とすることにより、封止工程で
の応力が磁気感受部１４の各抵抗に対称に印加され、樹
脂の膨張・収縮により生ずる歪の影響を受けにくいこと
がわかる。
レジン１８を介してチップを設置しているが、図１０に
示すように、リードフレーム１９はチップＡの底面の対
角線に対して対称な形状とすることが、封止前後のＶHO
の特性変動の上から好ましい。リードフレーム１９の形
状が、チップＡの底面の対角線に対して対称である場合
と、非対称である場合とについて、樹脂封止前後のＶHO
の特性変動を図１１に示す。封止工程において、チップ
Ａ下部からの応力はリードフレーム１９の形状が非対称
であると、抵抗ブリッジの回路で示される磁気感受部１
４（図１）に不均一に応力が働き、ＶHOの特性変動を引
き起こす。磁気センサのダイスボンドされるリードフレ
ーム１９の部分を線対称とすることにより、封止工程で
の応力が磁気感受部１４の各抵抗に対称に印加され、樹
脂の膨張・収縮により生ずる歪の影響を受けにくいこと
がわかる。
【００２８】また、フェライト１７の下部をゴム状のレ
ジン１８でコートした場合と、ゴム状のレジン１８でコ
ートしていない場合とについて、封止前後のＶHOの特性
変動を、図１２に示す。フェライト１７の下部をゴム状
のレジン１８でコートすることにより、封止工程での樹
脂２０の応力は、ゴム状のレジン１８により吸収され、
磁気感受部１４に直接加わらず、樹脂２０の膨張・収縮
により生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性変動を抑え
られる。
ジン１８でコートした場合と、ゴム状のレジン１８でコ
ートしていない場合とについて、封止前後のＶHOの特性
変動を、図１２に示す。フェライト１７の下部をゴム状
のレジン１８でコートすることにより、封止工程での樹
脂２０の応力は、ゴム状のレジン１８により吸収され、
磁気感受部１４に直接加わらず、樹脂２０の膨張・収縮
により生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性変動を抑え
られる。
【００２９】また、ゴム状のレジン１８がフェライト１
７のサイズより小さいと、磁気感受部１４とフェライト
１７の間に封止樹脂２０が入り込み、磁気感受部１４上
に封止樹脂２０が存在することが生ずる。これを回避す
るためには、ゴム状のレジン１８はフェライト１７と同
サイズ以上である必要がある。このフェライト１７の下
部にゴム状のレジン１８を形成する方法について、図１
３を参照しながら説明する。
７のサイズより小さいと、磁気感受部１４とフェライト
１７の間に封止樹脂２０が入り込み、磁気感受部１４上
に封止樹脂２０が存在することが生ずる。これを回避す
るためには、ゴム状のレジン１８はフェライト１７と同
サイズ以上である必要がある。このフェライト１７の下
部にゴム状のレジン１８を形成する方法について、図１
３を参照しながら説明する。
【００３０】まず、板状のフェライト１２１の下部に、
ゴム状に硬化するレジスト等のレジン１２２をコートし
（図１３（ａ））、１５０度から３００度でレジン１２
２をゴム状に硬化した後、テープ１２３に接着する（図
１３（ｂ））。その後、ダイシングソー１２４を用い、
所望のサイズに切裂する。これにより、ゴム状のレジン
１８と同じサイズのフェライト１７を容易に精度良く得
られる。なお、磁気センサのチップは、磁気感受部１４
（図１）が０．２から０．６ｍｍであるため、これより
０．１ｍｍサイズの大きい０．３から０．７ｍｍが適切
な設定である。
ゴム状に硬化するレジスト等のレジン１２２をコートし
（図１３（ａ））、１５０度から３００度でレジン１２
２をゴム状に硬化した後、テープ１２３に接着する（図
１３（ｂ））。その後、ダイシングソー１２４を用い、
所望のサイズに切裂する。これにより、ゴム状のレジン
１８と同じサイズのフェライト１７を容易に精度良く得
られる。なお、磁気センサのチップは、磁気感受部１４
（図１）が０．２から０．６ｍｍであるため、これより
０．１ｍｍサイズの大きい０．３から０．７ｍｍが適切
な設定である。
【００３１】また、図１のフェライト基板１１とゴム状
のレジン１８も、図１３と同様にして形成することがで
きる。なお、ゴム状のレジン１８は、シリコーンゴムか
らなるジャンクションコーティングレジンＪＣＲ（トー
レ・シリコーン社製）等を用いて形成することができ
る。
のレジン１８も、図１３と同様にして形成することがで
きる。なお、ゴム状のレジン１８は、シリコーンゴムか
らなるジャンクションコーティングレジンＪＣＲ（トー
レ・シリコーン社製）等を用いて形成することができ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上のようにこの発明の磁気センサ装置
は、フェライト基板の上部に磁気感受部を設け、磁気感
受部上にコンタクト電極を設け、磁気感受部の上部にゴ
ム状のレジンを介してフェライトを設置し、樹脂封止し
ている。これにより、磁気感受部の上下にフェライトが
配置され、高感度を実現するとともに、封止工程での樹
脂の応力は、ゴム状のレジンにより吸収され、磁気感受
部に直接加わらず、樹脂の膨張・収縮により生ずる歪の
影響を受けず、ＶHOの特性変動を抑えられる。
は、フェライト基板の上部に磁気感受部を設け、磁気感
受部上にコンタクト電極を設け、磁気感受部の上部にゴ
ム状のレジンを介してフェライトを設置し、樹脂封止し
ている。これにより、磁気感受部の上下にフェライトが
配置され、高感度を実現するとともに、封止工程での樹
脂の応力は、ゴム状のレジンにより吸収され、磁気感受
部に直接加わらず、樹脂の膨張・収縮により生ずる歪の
影響を受けず、ＶHOの特性変動を抑えられる。
【００３３】さらに、コンタクト電極の上部にフェライ
トの底面が位置したことにより、樹脂の膨張・収縮によ
りフェライトに加わる応力は、コンタクト電極に加わ
り、磁気感受部に加わらないため、樹脂の膨張・収縮に
より生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性変動をより抑
えられる。また、フェライトの底面が正方形状であり、
フェライトの底面の一辺を隣接するコンタクト電極の間
隔の√２倍以上としたことにより、コンタクト電極の上
部にフェライトの底面を確実に位置させることができ、
フェライトの位置ずれによる特性変動を抑え、高い歩留
りを実現できる。
トの底面が位置したことにより、樹脂の膨張・収縮によ
りフェライトに加わる応力は、コンタクト電極に加わ
り、磁気感受部に加わらないため、樹脂の膨張・収縮に
より生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性変動をより抑
えられる。また、フェライトの底面が正方形状であり、
フェライトの底面の一辺を隣接するコンタクト電極の間
隔の√２倍以上としたことにより、コンタクト電極の上
部にフェライトの底面を確実に位置させることができ、
フェライトの位置ずれによる特性変動を抑え、高い歩留
りを実現できる。
【００３４】また、フェライトの底面を磁気感受部に対
して４５度±５度の方向に配置したことを特徴とする。
これにより、コンタクト電極の上部にフェライトの底面
を確実に位置させることができ、フェライトの位置ずれ
による特性変動を抑え、高い歩留りを実現できる。さら
に、フェライト基板を、フェライト基板の底面の中心に
対して略点対称な設置板に設置したことにより、封止工
程での応力が磁気感受部の各抵抗に対称に加えられ、樹
脂の膨張・収縮により生ずる歪の影響を受けにくくな
り、ＶHOの特性変動をより抑えられる。このとき、フェ
ライト基板をゴム状のレジンを介して設置板に設置する
ことにより、封止工程における設置板に加わる樹脂の応
力は、ゴム状のレジンにより吸収され、ＶHOの特性変動
をさらにより抑えられる。
して４５度±５度の方向に配置したことを特徴とする。
これにより、コンタクト電極の上部にフェライトの底面
を確実に位置させることができ、フェライトの位置ずれ
による特性変動を抑え、高い歩留りを実現できる。さら
に、フェライト基板を、フェライト基板の底面の中心に
対して略点対称な設置板に設置したことにより、封止工
程での応力が磁気感受部の各抵抗に対称に加えられ、樹
脂の膨張・収縮により生ずる歪の影響を受けにくくな
り、ＶHOの特性変動をより抑えられる。このとき、フェ
ライト基板をゴム状のレジンを介して設置板に設置する
ことにより、封止工程における設置板に加わる樹脂の応
力は、ゴム状のレジンにより吸収され、ＶHOの特性変動
をさらにより抑えられる。
【００３５】さらに、フェライト基板と磁気感受部との
間に、例えばＳｉＯ2 膜およびＳｉ 3 Ｎ4 膜を含む絶縁
性の多層膜を形成したことにより、製造工程中における
磁気感受部への悪影響を除き、ばらつきのすくない良好
な感度を実現できる。また、絶縁性の多層膜と接するフ
ェライト基板の表面の凸凹を０．２μｍ以下としたこと
により、絶縁性の多層膜のカバレージが良くなり、より
良好な感度を実現できる。
間に、例えばＳｉＯ2 膜およびＳｉ 3 Ｎ4 膜を含む絶縁
性の多層膜を形成したことにより、製造工程中における
磁気感受部への悪影響を除き、ばらつきのすくない良好
な感度を実現できる。また、絶縁性の多層膜と接するフ
ェライト基板の表面の凸凹を０．２μｍ以下としたこと
により、絶縁性の多層膜のカバレージが良くなり、より
良好な感度を実現できる。
【００３６】また、この発明の磁気センサ装置の製造方
法は、板状のフェライトの下部に液状のレジンを全面塗
布した後、熱処理してレジンをゴム状とし、板状のフェ
ライトをゴム状のレジンとともに所望のサイズに分割す
ることにより、磁気感受部の上部に設置する同じサイズ
のフェライトとゴム状のレジンを容易に精度良く得ら
れ、磁気感受部とフェライトの間に封止樹脂が入り込む
ことがなく、封止工程での樹脂の応力は、ゴム状のレジ
ンにより吸収され、磁気感受部に直接加わらず、樹脂の
膨張・収縮により生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性
変動を抑えられる。
法は、板状のフェライトの下部に液状のレジンを全面塗
布した後、熱処理してレジンをゴム状とし、板状のフェ
ライトをゴム状のレジンとともに所望のサイズに分割す
ることにより、磁気感受部の上部に設置する同じサイズ
のフェライトとゴム状のレジンを容易に精度良く得ら
れ、磁気感受部とフェライトの間に封止樹脂が入り込む
ことがなく、封止工程での樹脂の応力は、ゴム状のレジ
ンにより吸収され、磁気感受部に直接加わらず、樹脂の
膨張・収縮により生ずる歪の影響を受けず、ＶHOの特性
変動を抑えられる。
【００３７】したがって、この発明により、感度が良好
でＶHOの特性の良好な信頼性の高い磁気センサ装置を、
高歩留まりで安価な供給が可能となる。これにより装置
の小型化、高信頼性化、低価格化に寄与する。
でＶHOの特性の良好な信頼性の高い磁気センサ装置を、
高歩留まりで安価な供給が可能となる。これにより装置
の小型化、高信頼性化、低価格化に寄与する。
【図１】この発明の実施の形態における磁気センサ装置
の構成を示す平面図および断面図である。
の構成を示す平面図および断面図である。
【図２】磁気センサの等価回路である。
【図３】この発明の実施の形態における効果を示す図で
ある。
ある。
【図４】この発明の実施の形態における効果を示す図で
ある。
ある。
【図５】この発明の実施の形態における効果を示す図で
ある。
ある。
【図６】この発明の実施の形態における効果を説明する
ための構成図である。
ための構成図である。
【図７】この発明の実施の形態における効果を示す図で
ある。
ある。
【図８】この発明の実施の形態における効果を示す図で
ある。
ある。
【図９】この発明の実施の形態における効果を示す図で
ある。
ある。
【図１０】この発明の実施の形態における効果を説明す
るための構成図である。
るための構成図である。
【図１１】この発明の実施の形態における効果を示す図
である。
である。
【図１２】この発明の実施の形態における効果を示す図
である。
である。
【図１３】この発明の実施の形態における磁気センサ装
置に用いる材料の製造工程フロー図である。
置に用いる材料の製造工程フロー図である。
１１ フェライト基板 １２ ＳｉＯ2 膜 １３ Ｓｉ3 Ｎ4 膜 １４ 磁気感受部（ＩｎＳｂ膜） １５ コンタクト電極（ＮｉＰｔＴｉＡｌ膜） １６ Ｓｉ3 Ｎ4 膜 １７ フェライト １８ ゴム状のレジン １９ リードフレーム（設置板） ２０ 樹脂 １２１ 板状のフェライト １２２ ゴム状のレジン １２３ テープ １２４ ダイシングソー
Claims (10)
- 【請求項１】 フェライト基板の上部に磁気感受部を設
け、前記磁気感受部上にコンタクト電極を設け、前記磁
気感受部の上部にゴム状のレジンを介してフェライトを
設置し、樹脂封止した磁気センサ装置。 - 【請求項２】 コンタクト電極の上部にフェライトの底
面が位置したことを特徴とする請求項１記載の磁気セン
サ装置。 - 【請求項３】 フェライトの底面は正方形状であり、前
記フェライトの底面の一辺を隣接するコンタクト電極の
間隔の√２倍以上としたことを特徴とする請求項２記載
の磁気センサ装置。 - 【請求項４】 フェライトの底面を磁気感受部に対して
４５度±５度の方向に配置したことを特徴とする請求項
２記載の磁気センサ装置。 - 【請求項５】 フェライト基板を、前記フェライト基板
の底面の中心に対して略点対称な設置板に設置したこと
を特徴とする請求項１，２，３または４記載の磁気セン
サ装置。 - 【請求項６】 フェライト基板をゴム状のレジンを介し
て設置板に設置したことを特徴とする請求項５記載の磁
気センサ装置。 - 【請求項７】 フェライト基板と磁気感受部との間に絶
縁性の多層膜を形成したことを特徴とする請求項１，
２，３，４，５または６記載の磁気センサ装置。 - 【請求項８】 絶縁性の多層膜と接するフェライト基板
の表面の凸凹が０．２μｍ以下であることを特徴とする
請求項７記載の磁気センサ装置。 - 【請求項９】 絶縁性の多層膜はＳｉＯ2 膜およびＳｉ
3 Ｎ4 膜を含むことを特徴とする請求項７または８記載
の磁気センサ装置。 - 【請求項１０】 フェライト基板の上部に磁気感受部を
設け、前記磁気感受部上にコンタクト電極を設け、前記
磁気感受部の上部にフェライトを設置し、樹脂封止した
磁気センサ装置の製造方法であって、 板状のフェライトの下部に液状のレジンを全面塗布した
後、熱処理して前記レジンをゴム状とし、前記板状のフ
ェライトをゴム状の前記レジンとともに所望のサイズに
分割する工程と、 前記磁気感受部の上部に前記ゴム状のレジンを介して分
割した前記フェライトを設置する工程とを含むことを特
徴とする磁気センサ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7291096A JPH09133746A (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 磁気センサ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7291096A JPH09133746A (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 磁気センサ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09133746A true JPH09133746A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=17764403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7291096A Pending JPH09133746A (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 磁気センサ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09133746A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100715648B1 (ko) * | 2004-08-11 | 2007-05-08 | (주) 아모센스 | 반도체 칩 매장형 수지 패키지, 반도체 칩 매장형 수지패키지의 제조 방법 및 반도체 칩 매장형 수지 패키지를이용한 자기 센서 |
-
1995
- 1995-11-09 JP JP7291096A patent/JPH09133746A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100715648B1 (ko) * | 2004-08-11 | 2007-05-08 | (주) 아모센스 | 반도체 칩 매장형 수지 패키지, 반도체 칩 매장형 수지패키지의 제조 방법 및 반도체 칩 매장형 수지 패키지를이용한 자기 센서 |
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