JP4256978B2 - 周対向型ホールモータ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、周対向型ホールモータ用ホール素子および周対向型ホールモータに関する。
【0002】
【従来の技術】
小型周対向型ホールモータとしては、例えば、図3に示すものが知られている。この周対向型ホールモータは、ロータ55とステータ50とを有し、ロータ55は円周方向にN極とS極が交互に着磁されたマグネット53を有し、ステータ50はステータコア52にステータコイル54を捲回してなる電磁石を、ロータ55のマグネット53に対向させて配置してあり、ロータ55が軸57を中心にして回転可能になっている。
【0003】
この周対向型ホールモータの基板56には、ロータ55のマグネット53の磁束密度に応じた検出電圧を出力しモータ制御器に信号を送るホール素子51が、ステータ50のステータコア52の先端付近で、ステータコアとステータコアの間に配置されている。
【0004】
このホール素子51は小型の表面実装タイプのものであって、図4に示すように、感磁部ペレット32がパッケージ35の中央部のダイパッド36に配置されている。このホール素子51は、基板56に取り付けられた場合に感磁部ペレット32の感磁部34が基板56に対向するように、リードフォーミングが施されている(図5参照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このように、ホール素子51がステータ50のステータコア52の先端付近でステータコアとステータコアの間に配置されているので、ステータ50を構成するステータコイル54により発生された磁界がノイズとして検出され、ホールモータの回転を安定させる上で不具合が生じるという問題点があった。
【0006】
また、感磁部34が基板56側に向けられているので、ホール素子パッケージ内での磁気的なギャップによりロータと感磁部34との距離が相対的に大きくなるため、感磁部34での磁束密度を大きくするには限界があり、従って、ホール素子51の出力電圧をより大きくするには限界があった。
【0007】
本発明の第1の目的は、このような問題点を解決し、周対向型ホールモータに取り付けた場合に、ステータの磁界に起因するノイズを低減させることができるとともに、出力電圧をより大きくすることができる周対向型ホールモータ用ホール素子を提供することにある。
【0008】
本発明の第2の目的は、このような問題点を解決し、より円滑に回転させることができる周対向型ホールモータを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の周対向型ホールモータは、円周方向にN極とS極を交互に着磁してなるロータと、巻き線を捲回したステータコアを所定の個数だけ前記ロータに対向させて配置してなるステータとを備え、ダイパッド上にホール素子ペレットを設け、該ホール素子ペレットのボンディングパッドをリードと電気的に接続し、モールドパッケージ化した周対向型ホールモータ用ホール素子において、前記ホール素子ぺレットを設けた前記ダイパッドをパッケージの中心部からその長手方向にずらして設けたことを特徴とする周対向型ホールモータ用ホール素子を、所定の取り付け位置に、そのパッケージ内のホール素子ペレットとの距離が短い側のパッケージ端を前記ロータ側に向けて取り付けたことを特徴とする。
【0012】
本発明の周対向型ホールモータは、円周方向にN極とS極を交互に着磁してなるロータと、巻き線を捲回したステータコアを所定の個数だけ前記ロータに対向させて配置してなるステータとを備え、ダイパッド上にホール素子ペレットを設け、該ホール素子ペレットのボンディングパッドをリードと電気的に接続し、モールドパッケージ化した周対向型ホールモータ用ホール素子において、前記ホール素子ぺレットを設けた前記ダイパッドをパッケージの中心部からその長手方向にずらして設け、前記リードを前記ダイパッド上のホール素子ペレット上面に対して逆向きに設けたことを特徴とする周対向型ホールモータ用ホール素子を、所定の取り付け位置に、そのパッケージ内のホール素子ペレットとの距離が短い側のパッケージ端を前記ロータ側に向けて取り付けたことを特徴とする。
【0013】
本発明で用いるペレットは、アルミナやフェライトのようなセラミック,ガラス,有機物,あるいはSiやGaAsなどの半導体単結晶などの物質で作られる。その表面上に真空蒸着などの手法で、InAs,GaAs,InSbなどの高電子移動度を示す半導体薄膜を形成したのちパターニングを行い、あるいはGaAsなどの基板にシリコンなどをイオン注入して活性層を形成した後パターニングを行ってなる感磁部が配置されている。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【0015】
本発明は、ホールモータのステータの磁界に起因するノイズを低減させるとともに、ホール素子の出力電圧をより大きくするため、ホール素子パッケージ内で、感磁部ペレットの感磁部の中心を、ホール素子パッケージの中心からロータ側にずらすようにした。
【0016】
ホール素子パッケージ内で、感磁部ペレットの感磁部の中心を、ホール素子パッケージの中心からロータ側にずらすには、(1)感磁部ペレット上で感磁部の中央部をシフトさせるか、(2)感磁部ペレットそのものの位置をホール素子パッケージ内でホール素子パッケージ中心からシフトさせるか、(3)上記(1),(2)の方法を同時に行うかが考えられる。
【0017】
上記(1)のようにしたホール素子を作製する場合、感磁部ペレット内にむだな面積が生じることになり、感磁部ペレット、ひいてはホール素子を小型化することが困難になり、その上、コスト的にも好ましくない。
【0018】
上記(2)のようにしたホール素子を作製する場合、感磁部ペレットのコストは同一である上、他の製造工程も通常の表面実装型ホール素子と同一もしくは非常に近いものとすることができ、安定した生産が可能である。
【0019】
そこで、上記(2)のようにしたホール素子を第1の実施の形態で詳細に説明する。
【0020】
本発明で用いるホール素子の感磁部の材料としては、III−V族化合物半導体が用いられ、特に、InAs,InSb,GaAsが好ましい。
【0021】
<第1の実施の形態>
図1は本発明の第1の実施の形態を示す。図1において、11はリードフレームであって、その厚さが0.15mmであり、リード間隔は規格通りであるが、ダイパッド16のみが中心部からリードフレームの長手方向にずらして設けてある。12はInAsホール素子ペレット(以下、単にペレットという)であって、0.36mm角であり、その厚さが0.3mmである。
【0022】
このペレット12は慣用の方法により得られたものである。直径50.8mmの半絶縁性GaAs基板上に、InAsを蒸着し、ついで、パターニングを施して感磁部を形成し、さらに、電極パターンおよびボンディングパッドを形成することにより当該基板上に所定数のホール素子が得られ、その後、所定数のホール素子が形成された半絶縁性GaAs基板をダイシングすることにより所定数のホール素子ペレットが得られる。
【0023】
ペレット12は、慣用の方法により、リードフレーム11のダイパッド16上にダイボンディングされ、ダイボンディングされたペレット12は4つのボンディングパッドがワイヤ13により所定のリードにワイヤボンディングされる。ワイヤボンディングが終了すると、リードフレーム11は従来例と同一のモールド金型でトランスファモールドによりエポキシ樹脂封止され、その後、図5に示すようにリードフォーミングが施される。
【0024】
パッケージングされたホール素子の感磁部15の中心は、ホール素子パッケージの中心部より0.6mmだけ端にずれた位置、すなわち、ホール素子パッケージ側端から0.4mmの位置に感磁部15の中心が位置するようになった。
【0025】
このようにして作製したホール素子を図3に示すホールモータ内の従来と同一取り付け位置に取り付けた場合、ホール素子の感磁部15のみが従来例に比較して0.6mmだけロータ55側にずれた位置に位置するようになった。よって、感磁部15における磁束密度が従来例に比較して増加した。
【0026】
実施例を説明すると、このホール素子をホールモータに取り付け、ロータを回転させて出力電圧波形を観測したところ、ロータからの磁界による出力電圧が20mVp-pであり、ステータコイルからのノイズ磁界による出力電圧が5mVp-pであり、従って、S/N比は4であった。このようにS/N比が従来例に比較して向上したので、ホールモータがより円滑に回転するようになった。
【0027】
これに対して、従来の技術の項で説明したタイプのホール素子は、ホール素子の感磁部の中心が、ホール素子パッケージの中心部、すなわち、ホール素子パッケージ側端から1.0mmの位置に位置している。このホール素子をホールモータに取り付け、ロータを回転させて出力電圧波形を観測したところ、ロータからの磁界による出力電圧が10mVp-pであり、ステータコイルからのノイズ磁界による出力電圧が10mVp-pであり、従って、S/N比が1であった。
【0028】
従って、本実施の形態のホール素子は、ステータの磁界に起因するノイズを低減させることができるとともに、出力電圧をより大きくすることができた。
【0029】
<第2の実施の形態>
本実施の形態は第1の実施の形態との比較でいえば、リードの方向が異なる。すなわち、第1の実施の形態では、図5に示すように、リードが感磁部側にくるように、すなわち、感磁部がホール素子パッケージの下面側にくるようにリードフォーミングを施した。その結果、感磁部15がホール素子パッケージ上面から0.55mmの位置に位置するようになった。これに対して、本実施の形態では、図2に示すように、リードが感磁部15と逆側にくるように、すなわち、感磁部15がホール素子パッケージの上面側にくるようにリードフォーミングを施した。その結果、感磁部15がホール素子パッケージ上面から0.25mmの位置に位置するようになった。
【0030】
実施例を説明すると、このように作製したホール素子をホールモータ内の第1の実施の形態と同一の取り付け位置に取り付け、ロータを回転させて出力電圧波形を観測したところ、ロータからの磁界による出力電圧が28mVp-pとなり、ステータコイルからのノイズ磁界による出力電圧は7mVp-pとなって、S/N比は4であった。このように従来例に比較して出力電圧が高くなり、またS/N比が向上したので、ホールモータがより円滑に回転するようになった。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、本発明に係る周対向型ホールモータ用ホール素子を周対向型ホールモータ内の取り付け位置に取り付けた場合、ステータの磁界に起因するノイズを低減させることができるとともに、出力電圧をより大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す一部破断平面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態を示す断面図である。
【図3】周対向型DCブラシレスモータの構造の一例を示すとともにホール素子の取り付け位置を示す断面図である。
【図4】従来例におけるリードフレームの形状およびダイパッドの位置を示す平面図である。
【図5】従来例における感磁部ペレットのモールドパッケージ内での配置例を示す断面図である。
【符号の説明】
11 リードフレーム
12 ホール素子ペレット
13 ワイヤ
14 モールドパッケージ
15 感磁部
16 ダイパッド
51 ホール素子
52 ステータコア
53 マグネット
54 ステータコイル
55 ロータ
56 基板
57 軸
Claims (2)
- 円周方向にN極とS極を交互に着磁してなるロータと、
巻き線を捲回したステータコアを所定の個数だけ前記ロータに対向させて配置してなるステータとを備え、
ダイパッド上にホール素子ペレットを設け、該ホール素子ペレットのボンディングパッドをリードと電気的に接続し、モールドパッケージ化した周対向型ホールモータ用ホール素子において、前記ホール素子ぺレットを設けた前記ダイパッドをパッケージの中心部からその長手方向にずらして設けたことを特徴とする周対向型ホールモータ用ホール素子を、所定の取り付け位置に、そのパッケージ内のホール素子ペレットとの距離が短い側のパッケージ端を前記ロータ側に向けて取り付けたことを特徴とする周対向型ホールモータ。 - 円周方向にN極とS極を交互に着磁してなるロータと、
巻き線を捲回したステータコアを所定の個数だけ前記ロータに対向させて配置してなるステータとを備え、
ダイパッド上にホール素子ペレットを設け、該ホール素子ペレットのボンディングパッドをリードと電気的に接続し、モールドパッケージ化した周対向型ホールモータ用ホール素子において、前記ホール素子ぺレットを設けた前記ダイパッドをパッケージの中心部からその長手方向にずらして設け、前記リードを前記ダイパッド上のホール素子ペレット上面に対して逆向きに設けたことを特徴とする周対向型ホールモータ用ホール素子を、所定の取り付け位置に、そのパッケージ内のホール素子ペレットとの距離が短い側のパッケージ端を前記ロータ側に向けて取り付けたことを特徴とする周対向型ホールモータ。
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