JPH09131562A

JPH09131562A - レジストの塗布方法及び該方法に使用する装置

Info

Publication number: JPH09131562A
Application number: JP29267895A
Authority: JP
Inventors: Shiyuu Yotsumoto; 衆四元
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1995-11-10
Filing date: 1995-11-10
Publication date: 1997-05-20

Abstract

(57)【要約】【構成】Ｓｉウエハ３０の幅Ｗ₀ より狭い幅Ｗ₁ の吐
出口２２２１を有するノズル２２を用い、Ｓｉウエハ３
０の幅Ｗ₀ 方向に複数回の塗布を行うレジストの塗布方
法。【効果】ノズル２２の吐出口２２２１の幅Ｗ₁ をＬＳ
Ｉチップの幅に設定すると共に、このＬＳＩチップの長
さ方向に所定距離ほどノズル２２を移動させつつノズル
２２の吐出口２２２１よりレジスト１９を吐出させた
後、ＬＳＩチップの幅ほどノズル２２及びＳｉウエハ３
０をずらしてノズル２２の吐出口２２２１よりレジスト
１９を吐出させることを所定回数繰り返すと、Ｓｉウエ
ハ３０上のＬＳＩチップが形成されるショット領域ＳＨ
１〜ＳＨｎにレジスト膜１９ａ〜１９ｇを確実に形成す
ることができる。この結果、レジスト１９を無駄なく利
用することができ、コストの削減を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレジストの塗布方法
及び該方法に使用する装置に関し、より詳細にはＳｉ
（シリコン）ウエハ上にフォトリソグラフィ用のレジス
トを塗布するレジストの塗布方法及び該方法に使用する
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス等の製造工程では、Ｓｉ
ウエハ上にレジストを塗布し、この塗膜にフォトリソグ
ラフィ技術を用いて所定の回路パターンを転写し、現像
処理を施した後、このレジスト膜をマスクとして前記Ｓ
ｉウエハにエッチング処理を施す工程を多く含んでい
る。

【０００３】図８は従来から一般的に行われているレジ
ストの塗布方法（以下、スピン塗布法と記す）に用いら
れる装置を模式的に示した斜視図であり、図中８１は略
円板形状の試料台を示している。試料台８１にはチャッ
キング手段（図示せず）が配設されており、このチャッ
キング手段を介して略円板形状のＳｉウエハ８４が試料
台８１上に保持されるようになっている。また試料台８
１下部の中心には回転軸８２が形成され、回転軸８２は
回転手段（図示せず）に接続されており、この回転手段
を駆動させると、回転軸８２、試料台８１を介してＳｉ
ウエハが所定の速度で矢印ＡまたはＢ方向に回転させら
れるようになっている。一方、試料台８１中央部の上方
にはノズル８３が配設されており、ノズル８３から所定
量のレジスト８５が吐出されるようになっている。これ
ら試料台８１、回転軸８２、ノズル８３、チャッキング
手段、回転手段等を含んでスピン塗布方法に用いられる
装置８０が構成されている。

【０００４】このように構成された装置８０を用いてＳ
ｉウエハ８４にレジストを塗布する場合、まずチャッキ
ング手段を介してＳｉウエハ８４を試料台８１上に取り
付ける。次に回転手段を駆動させてＳｉウエハ８４が僅
かに回転している状態で、あるいはＳｉウエハ８４が静
止した状態でノズル８３よりレジスト８５を所定量吐出
させ、Ｓｉウエハ８４の略中央部に滴下する。次に試料
台８１を所定の高速度で回転させると、遠心力によりレ
ジスト８５がＳｉウエハ８４の外周方向へ拡散し、Ｓｉ
ウエハ８４上部の全面に所定厚さのレジスト（図示せ
ず）が塗布される。このレジスト膜の厚さは、レジスト
８５の粘度、試料台８１の回転速度や回転数、Ｓｉウエ
ハ８４周囲の雰囲気（排気、温度、湿度）により制御さ
れる。

【０００５】図９は従来の別のレジスト塗布方法（以
下、押出し塗布法と記す）に用いられる装置を模式的に
示した正面断面図であり、図中９１は略直方体形状のノ
ズルを示している（Nikkei Microdevices;1994,Mar.,p8
4 〜p85)。ノズル９１内部には孔部９２が形成され、孔
部９２の左端部はポンプ（図示せず）に接続されてお
り、このポンプによりレジスト９６が矢印Ｃ方向に供給
されるようになっている。一方、孔部９２の右端部には
空胴部９３が形成され、空胴部９３の右下端部からはノ
ズル下部９１ａに通じるスリット９４が延設されてお
り、スリット９４の幅（図示せず）は液晶パネル用基板
９５の幅（図示せず）と略同様に設定されている。他
方、ノズル９１の下方には走行手段に接続された試料台
（共に図示せず）が配設されており、この試料台上には
平面視略長方形状の基板９５が取り付けられている。こ
れらノズル９１、ポンプ、試料台、走行手段等を含んで
押出し塗布法に用いられる装置９０が構成されている。

【０００６】このように構成された装置９０を用いて液
晶パネル用基板９５にレジストを塗布する場合、まず基
板９５を試料台上に取り付ける。次に前記走行手段を駆
動させ、前記試料台を介して基板９５を矢印Ｄ方向に所
定速度で移動させながらポンプを駆動させ、孔部９２、
空胴部９３を介してスリット９４よりレジスト９６を押
し出す。すると、基板９５上部の全面に所定厚さのレジ
スト膜９６ａが形成される。このレジスト膜９６ａの厚
さは、レジスト９６の粘度、基板９５の走行速度やポン
プの押出し圧力により制御される。

【０００７】図１０は従来のさらに別のレジスト塗布方
法（以下、掻き取り塗布法と記す）に用いられる装置を
模式的に示した斜視図であり、図中１０１は略直方板形
状の掻き取り手段を示している（特開平７−４７３２４
号公報）。掻き取り手段１０１は走行手段（図示せず）
に接続されており、この走行手段を駆動させると、掻き
取り手段１０１が矢印Ｅ方向に走行するようになってい
る。これら掻き取り手段１０１、走行手段等を含んで掻
き取り塗布法に用いられる装置１００が構成されてい
る。

【０００８】このように構成された装置１００を用いて
略円板形状のＳｉウエハ１０２にレジストを塗布する場
合、まずＳｉウエハ１０２と掻き取り手段１０１との間
隔を所定値に設定する。次にＳｉウエハ１０２上の左端
部近傍に所定量のレジスト１０３を滴下した後、前記走
行手段を駆動させて掻き取り手段１０１を矢印Ｅ方向に
移動させる。すると、レジスト１０３が掻き取り手段１
０１により押し広げられ、Ｓｉウエハ１０２上に所定厚
さのレジスト（図示せず）が塗布される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記したスピン塗布法
においては、遠心力によりレジスト８５をＳｉウエハ８
４の中央部から外周方向に拡散させており、レジスト８
５がＳｉウエハ８４の外方に飛散し易い。この結果、ノ
ズル８３から吐出したレジスト８５の量に対し、Ｓｉウ
エハ８４上に塗布されるレジスト膜の量は実質的に約２
％程度でしかなく、約９８％は飛散・廃棄されるので、
レジスト８５の歩留りが極めて低く、コストが高くつく
という課題があった。

【００１０】また上記した押し出し塗布法においては、
レジスト膜９６ａの塗布幅が一定の液晶パネル用基板９
５にレジスト９６を所定の膜厚で塗布することは可能で
ある。しかしながらレジスト膜の塗布幅が変化する略円
形状のＳｉウエハの場合、レジストが無駄になったり、
あるいは塗布できない箇所が発生してしまう。また自動
化を図るのが難しいと共に、所定箇所におけるレジスト
膜厚を自由に変更するのが困難であるという課題があっ
た。

【００１１】また上記した掻き取り塗布法においては、
前記押し出し塗布法の場合と同様、略円形状のＳｉウエ
ハ１０２にレジスト１０３を歩留りよく確実に塗布する
ことが困難であるという課題があった。

【００１２】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、略円形状を有するＳｉウエハ上の所定箇所に
レジストを歩留りよく、確実に塗布することができると
共に、膜厚を自由に変更することができ、自動化とコス
トの削減とを図ることができるレジストの塗布方法及び
該方法に使用する装置を提供することを目的としてい
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るレジストの塗布方法は、ノ
ズル及び／または被加工材料を移動させつつ、前記ノズ
ルからレジストを吐出させて前記被加工材料の表面に前
記レジストを塗布するレジストの塗布方法であって、前
記被加工材料の幅より狭い幅の吐出口を有するノズルを
用い、前記被加工材料の幅方向に複数回の塗布を行うこ
とを特徴としている（１）。

【００１４】上記レジストの塗布方法（１）によれば、
前記ノズルの吐出口の幅をＬＳＩチップの幅に設定する
と共に、該ＬＳＩチップの長さ方向に所定距離ほど前記
ノズル及び／または前記被加工材料を移動させつつ前記
ノズルの吐出口より前記レジストを吐出させた後、前記
ＬＳＩチップの幅ほど前記ノズル及び／または前記被加
工材料をずらして前記ノズルの吐出口よりレジストを吐
出させることを所定回数繰り返すと、前記被加工材料上
の前記ＬＳＩチップが形成されるショット領域あるいは
必要な領域にレジストを確実に塗布することができる。
この結果、前記レジストを無駄なく利用することがで
き、コストの削減を図ることができる上に、部分的に繰
り返し塗布したり、塗布速度を変更することにより、部
分的に厚みの異なるレジストを形成することができる。

【００１５】また本発明に係るレジスト塗布装置は、上
記レジストの塗布方法（１）に使用する装置であって、
レジストを吐出させる吐出駆動手段に接続されたノズル
と、該ノズル及び／または被加工材料を所定の速度で走
行させる走行手段と、該走行手段及び前記吐出駆動手段
の動作を制御するための制御手段とを備えていることを
特徴としている（２）。

【００１６】上記レジスト塗布装置（２）によれば、前
記被加工材料から効率的に採取し得るＬＳＩチップの配
列パターン（ショットパターン）が前記被加工材料の幅
及び前記ＬＳＩチップのサイズごとに予め設定され、前
記ショットパターンと該ショットパターンに対応する前
記走行手段及び前記吐出駆動手段の走行・駆動プログラ
ムとが前記制御手段に記憶されると、前記走行・駆動プ
ログラムにしたがって前記ノズル及び／または前記被加
工材料の走行と、前記レジストの吐出・停止とが前記制
御手段により制御されるため、前記被加工材料上の所定
ショットにレジストを自動的に塗布することができる。
また前記吐出駆動手段のレジスト吐出速度と前記走行手
段の走行速度とを同様に設定すると、前記ノズルの吐出
口の間隙と同一寸法の厚さを有するレジスト膜を形成し
得るため、所定の間隙を有するノズルを選定することに
より、所定厚さのレジスト膜を確実に形成することがで
きる。また前記レジスト吐出速度に比べて前記走行速度
を所定速度ほど速めると、前記レジストが引き伸される
ため、前記ノズルをその都度付け替えることなく、前記
ノズルの吐出口の間隙より薄い所定厚さのレジスト膜を
容易に形成することができる。また塗布された所定のレ
ジスト膜上に所定回数さらに積み重ねてレジストを塗布
し得るため、前記ノズルをその都度つけ替えることな
く、膜厚が厚い所定のレジスト膜を容易に形成すること
ができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
レジストの塗布方法及び該方法に使用する装置を図面に
基づいて説明する。図１は実施の形態に係るレジスト塗
布装置を概略的に示した斜視図であり、図中１１はベッ
ドを示している。ベッド１１上面にはＹ軸テーブル１２
ｂが配設されており、Ｙ軸テーブル１２ｂ上の所定箇所
には被加工材料としての略円板形状のＳｉウエハ３０が
取り付けられている。またＹ軸テーブル１２ｂはモータ
１２ａによりＹ方向に駆動され、制御手段１６において
このオンオフ、走行速度及び移動距離が制御されるよう
になっている。これらモータ１２ａ、Ｙ軸テーブル１２
ｂを含んでＹ軸走行手段１２が構成されている。またベ
ッド１１後部には略コの字形状のコラム１３が立設され
ており、コラム１３上にはレジスト供給タンク１８が設
置され、コラム１３の側面には操作盤１７が配設され、
操作盤１７の下方には制御手段１６が配設されている。
またコラム１３の前面にはＸ軸テーブル１４ｂが配設さ
れており、Ｘ軸テーブル１４ｂはモータ１４ａによりＸ
方向に走行速度Ｖ_X で駆動され、制御手段１６において
このオンオフ、走行速度Ｖ_X 及び移動距離が制御される
ようになっている。これらモータ１４ａ、Ｘ軸テーブル
１４ｂを含んでＸ軸走行手段１４が構成されている。ま
たＸ軸テーブル１４ｂにはモータ１５ａが取り付けら
れ、モータ１５ａにはボールねじスプライン軸１５ｂを
介して保持部１５ｃの一端部が接続されており、保持部
１５ｃはモータ１５ａによりＺ方向に駆動され、制御手
段１６においてこのオンオフ、走行速度及び高さＨが制
御されるようになっている。これらモータ１５ａ、ボー
ルねじスプライン軸１５ｂ、保持部１５ｃ等を含んでＺ
軸走行手段１５が構成されている。さらに保持部１５ｃ
の他端部にはレジスト塗布手段２０におけるノズル本体
２２１が保持されている。

【００１８】図２は実施の形態に係るレジスト塗布装置
のノズル近傍を概略的に示した断面図であり、（ａ）は
ノズル及び吐出駆動手段の正面断面図、（ｂ）はノズル
先端部の側面断面図を示している。略Ｈ形形状の筐体２
１１１の中心には孔２１１２が形成され、孔２１１２上
部にはボールベアリング２１１３が配設されており、ボ
ールベアリング２１１３には軸２１１４が回動可能に取
り付けられている。軸２１１４のボールベアリング２１
１３下方にはねじ部２１１４ａが形成され、ねじ部２１
１４ａには略円柱形状の摺動体２１１５が螺合されてお
り、摺動体２１１５は孔２１１２内摺動可能に配設され
ている。一方、孔２１１２下部にはシール部２１１７が
取り付けられ、シール部２１１７に形成された複数個の
ガイド孔２１１７ａには所定長さの連結棒２１１６がそ
れぞれ摺動可能に配設されており、各連結棒２１１６の
上端部は摺動体２１１５に連結されている。また連結棒
２１１６の下端部には略円柱形状の押圧体２１１８が接
続され、押圧体２１１８は孔２２１１内摺動可能に配設
されており、押圧体２１１８の側面にはレジスト１９が
上方に洩れないためのパッキンリング２１１８ａが介装
されている。そして軸２１１４が回動すると、摺動体２
１１５の回動が連結棒２１１６及びガイド孔２１１７ａ
により阻止され、摺動体２１１５、連結棒２１１６を介
して押圧体２１１８が孔２２１１内を上下方向に駆動す
るようになっている。これら筐体２１１１、軸２１１
４、摺動体２１１５、連結棒２１１６、押圧体２１１８
等を含んでプランジャ部２１１が構成されている。また
筐体２１１１上部にはブラケット２１１１ａを介してＤ
Ｃサーボモータ２１２が取り付けられ、ＤＣサーボモー
タ２１２の駆動は制御手段１６（図１）において制御さ
れるようになっており、またＤＣサーボモータ２１２の
回転軸２１２１は軸２１１４の上端部に接続されてい
る。これらＤＣサーボモータ２１２、プランジャ部２１
１を含んで吐出駆動手段２１が構成されている。

【００１９】一方、筐体２１１１下部には略円柱形状の
ノズル本体２２１が連結され、ノズル本体２２１の中心
には所定の直径を有する孔２２１１が形成され、孔２２
１１の下端部からは所定の大きさを有する略中空直方体
形状の空洞部２２１２が延設されている。孔２２１１及
び空洞部２２１２の周囲にはヒータ２２１３及び温度セ
ンサ（図示せず）が埋設されており、この温度センサで
計測されたレジスト１９の温度に基づき、制御手段１６
においてヒータ２２１３への印加電力が制御され、レジ
スト１９が常時所定温度に維持されるようになってい
る。また孔２１１２の上部近傍にはノズル本体２２１の
一側面に通じるレジスト供給孔２２１４が形成されてお
り、通常はバルブ（図示せず）等により閉塞されるよう
になっている。さらにノズル本体２２１下部には略円板
形状のノズル先端部２２２が着脱可能に取り付けられて
おり、ノズル先端部２２２の中心には吐出口２２２１が
形成されている。この吐出口２２２１の幅Ｗ₁ はＳｉウ
エハ３０（図１）の幅（直径）Ｗ₀ より狭く、このＳｉ
ウエハ３０に形成されるＬＳＩチップ（図４）の幅Ｗ₁
と同様に設定されており、また吐出口２２２１のスリッ
ト間隙ｔはレジスト膜（図示せず）の厚さと同様に設定
されている。これらノズル本体２２１、ノズル先端部２
２２を含んでノズル２２が構成されており、またノズル
２２、吐出駆動手段２１を含んでレジスト塗布手段２０
が構成されている。このように構成されたレジスト塗布
手段２０の場合、押圧体２１１８を上限まで駆動し、レ
ジスト供給孔２２１４にレジスト供給タンク１８のホー
ス１８ａ（共に図１）を接続した後、レジスト供給タン
ク１８のポンプ（図示せず）を駆動させると、レジスト
１９が孔２２１１、空洞部２２１２及び吐出口２２２１
内に充填される。次にＤＣサーボモータ２１２を所定速
度で駆動させると、プランジャ部２１１の押圧体２１１
８が下方に移動し、吐出口２２２１より幅がＷ₁ 、厚さ
がｔのレジスト１９が速度Ｖ_P で押し出される。これら
レジスト塗布手段２０、Ｙ軸走行手段１２、Ｘ軸走行手
段１４、Ｚ軸走行手段１５、制御手段１６等を含んでレ
ジスト塗布装置１０が構成されている。

【００２０】以下にこのように構成されたレジスト塗布
装置１０を用い、被加工材料としてのＳｉウエハ３０に
レジスト１９を塗布する際における制御手段１６の動作
を、図１〜６に基づき説明する。制御手段１６には、図
４に示したようなＳｉウエハ３０の幅Ｗ₀ 及びＬＳＩチ
ップの大きさ（幅Ｗ₁ 及び長さＬ₁ ）に対応するＬＳＩ
チップの配列（ショット）パターン（ＳＨ１〜ＳＨｎ）
が予め設定・記憶されている。また制御手段１６には、
全ショット（ＳＨ１〜ＳＨｎ）にわたってノズル２２を
相対的に走行させながら、レジスト１９を吐出・停止さ
せる全数ショット用走行・駆動プログラムや、あるいは
特定のショットのみにノズル２２を相対的に走行させな
がら、レジスト１９を吐出・停止させる特定ショット用
走行・駆動プログラムが前記ショットパターンごとに予
め設定・記憶されている。図３は制御手段１６の動作を
概略的に示したフローチャートであり、動作を開始する
とＸ〜Ｚ軸走行手段１４、１２、１５が初期位置に設定
される。次にステップ（Ｓ）１において、操作盤１７へ
のキー操作に基づいて吐出口２２２１でのレジスト押出
し速度Ｖ_P とＸ軸走行手段１４の走行速度Ｖ_X （例えば
Ｖ_P ＝Ｖ_X ）とが入力されているか否かが判断され、入
力されていないと判断されると元へ戻る。一方、入力さ
れたと判断されると、Ｓ２においてノズル先端部２２２
の高さＨがキー入力されているか否かが判断され、入力
されていないと判断されると元に戻る。他方、入力され
ていると判断されると、Ｚ軸走行手段１５が駆動させら
れ、ノズル先端部２２２の高さがＨに設定される。次に
Ｓ３において、Ｓｉウエハ３０の幅Ｗ₀ とＬＳＩチップ
の大きさとがキー入力されて所定のショットパターンが
選択されたか否かが判断され、選択されていないと判断
されると元に戻る。一方、設定されたと判断されると、
キー入力に基づき、Ｓ４において全数ショットを行うか
否かが判断され、全数ショットを行うと判断されると全
数ショット用走行・駆動プログラムが呼び出される（Ｓ
５）。するとＳ６においてショット（ＳＨ）１の上端ま
でＸ、Ｙ軸走行手段１４、１２が前記プログラムに基づ
いて駆動されたか否かが判断され、駆動されていないと
判断されると元に戻る一方、駆動されたと判断される
と、続いてＳ７において吐出駆動手段２１が前記プログ
ラムに基づいて駆動されたか否かが判断され、駆動され
ていないと判断されると元に戻る。他方、吐出駆動手段
２１が駆動されたと判断されると、Ｘ軸走行手段１４の
みが駆動させられ（Ｓ８）、次にＳ９においてＸ軸走行
手段１４が例えばＳＨ２の下端まで駆動されたか否かが
判断され、駆動されていないと判断されるとＳ８に戻
り、Ｘ軸走行手段１４の駆動が続行させられる。一方、
駆動されたと判断されると、吐出駆動手段２１が停止さ
せられ（Ｓ１０）、さらにＸ軸走行手段１４が所定距離
ほど駆動させられ、レジスト１９が引っ張り切断された
後、Ｘ軸走行手段１４の駆動が停止させられる（Ｓ１
１）。すると例えば図５に示したように、ＳＨ１〜２上
に膜厚ｔのレジスト膜１９ａが形成される。次にＳ１２
においてＸ、Ｙ軸走行手段１４、１２が例えばショット
パターンにおける第２列目のＳＨ３へ駆動されたか否か
が判断され、駆動されていないと判断されると元に戻る
一方、駆動されたと判断されると、Ｓ１３において吐出
駆動手段２１が駆動されたか否かが判断される。以下、
上記した動作が略同様に繰り返され、Ｘ軸走行手段１４
がＳＨｎまで駆動させられた後、停止させられると（Ｓ
１４）、図５に示したようにＳＨ３〜ＳＨｎ上に膜厚ｔ
のレジスト膜１９ｂ〜１９ｇが形成される。この後、Ｘ
〜Ｚ軸走行手段１４、１２、１５が初期位置に戻ると
（Ｓ１５）、制御手段１６の動作が終了する。

【００２１】一方、キー入力に基づき、Ｓ４において特
定の箇所にショットを行うと判断されると、特定ショッ
ト用走行・駆動プログラムが呼び出され（Ｓ１６）、Ｓ
１７において例えばＳＨ５の上端までＸ、Ｙ軸走行手段
１４、１２が前記プログラムに基づいて駆動されたか否
かが判断され、駆動されていないと判断されると元に戻
る一方、駆動されたと判断されると、続いてＳ１８にお
いて吐出駆動手段２１が前記プログラムに基づいて駆動
されたか否かが判断され、駆動されていないと判断され
ると元に戻る。他方、吐出駆動手段２１が駆動されたと
判断されると、Ｘ軸走行手段１４のみが駆動させられ
（Ｓ１９）、次にＳ２０においてＸ軸走行手段１４が例
えばＳＨ５の下端まで駆動されたか否かが判断され、駆
動されていないと判断されるとＳ１９に戻り、Ｘ軸走行
手段１４の駆動が続行させられる。一方、駆動されたと
判断されると、吐出駆動手段２１が停止させられ（Ｓ２
１）、さらにＸ軸走行手段１４が所定距離ほど駆動させ
られ、レジスト１９が引っ張り切断された後、Ｘ軸走行
手段１４の駆動が停止させられる（Ｓ２２）。図示しな
いが、上記した動作がＳＨ１２、ＳＨ１５、ＳＨ１８、
ＳＨ２６に繰り返された後、Ｘ軸走行手段１４が停止さ
せられると（Ｓ２３）、図６に示したＳＨ５、１２、
１、１８、２６上に膜厚ｔのレジスト膜が形成される。
この後、Ｘ〜Ｚ軸走行手段１４、１２、１５が初期位置
に戻ると（Ｓ２４）、制御手段１６の動作が終了する。

【００２２】上記説明から明らかなように、実施の形態
に係るレジストの塗布方法では、ノズル２２の吐出口２
２２１の幅Ｗ₁ をＬＳＩチップの幅に設定すると共に、
このＬＳＩチップの長さ方向に所定距離ほどノズル２２
を移動させつつノズル２２の吐出口２２２１よりレジス
ト１９を吐出させた後、ＬＳＩチップの幅ほどノズル２
２及びＳｉウエハ３０をずらしてノズル２２の吐出口２
２２１よりレジスト１９を吐出させることを６回繰り返
すと、Ｓｉウエハ３０のＬＳＩチップが形成される領域
上にレジスト膜１９ａ〜１９ｇを確実に形成することが
できる。この結果、レジスト１９を無駄なく利用するこ
とができ、コストの削減を図ることができる上に、部分
的に繰り返し塗布したり、塗布速度を変更すると、部分
的に厚みの異なるレジストを形成することができる。

【００２３】また、実施の形態に係るレジスト塗布装置
１０では、Ｓｉウエハ３０から効率的に採取し得るＬＳ
Ｉチップの配列パターン（ショットパターン）がＳｉウ
エハ３０の幅Ｗ₀ 及びＬＳＩチップのサイズごとに予め
設定され、ショットパターンとこのショットパターンに
対応するＸ、Ｙ、Ｚ軸走行手段１４、１２、１５及び吐
出駆動手段２１の走行・駆動プログラムとが制御手段１
６に記憶されると、この走行・駆動プログラムにしたが
ってノズル２２及び／またはＳｉウエハ３０の走行と、
レジスト１９の吐出・停止とが制御手段１６により制御
されるため、Ｓｉウエハ３０の所定のショットＳＨ１〜
ＳＨｎ上にレジスト１９を自動的に塗布することができ
る。また吐出駆動手段２１のレジスト吐出速度Ｖ_P とＸ
軸走行手段１４の走行速度Ｖ_X とを同様に設定すると、
ノズル２２の吐出口２２２１の間隙ｔと同一寸法の厚さ
を有するレジスト膜１９ａ〜１９ｇを形成することがで
きるため、所定のノズルを選定することにより、所定厚
さのレジスト膜を確実に形成することができる。また塗
布された所定のショットＳＨ５、１３、１５、１８、２
６におけるレジスト膜上にさらに積み重ねてレジスト１
９を形成することができるため、ノズル２２をその都度
つけ替えることなく、膜厚が厚い所定のレジスト膜を容
易に塗布することができる。

【００２４】なお、上記した実施の形態に係るレジスト
の塗布方法及び該方法に使用する装置１０では、レジス
ト吐出速度Ｖ_P とＸ軸走行速度Ｖ_X とが同様に設定され
ている場合について説明したが、レジスト吐出速度Ｖ_P
に比べてＸ軸走行速度Ｖ_X を所定速度ほど速めてもよ
く、この場合レジスト１９が所定の厚さに引き伸される
ため、ノズル２２をその都度付け替えることなく、ノズ
ル２２の吐出口２２２１の間隙ｔより薄い所定厚さのレ
ジスト膜を容易に形成することができる。

【００２５】また、上記した実施の形態に係るレジスト
の塗布方法及び該方法に使用する装置１０では、ノズル
２２がＸ、Ｚ軸駆動手段１４、１５により駆動され、Ｓ
ｉウエハ３０がＹ軸走行手段１２により駆動される場合
について説明したが、Ｓｉウエハ３０が固定され、ノズ
ル２２がＸ、Ｙ、Ｚ軸駆動手段により駆動されてもよ
い。あるいはノズル２２が固定され、Ｓｉウエハ３０が
Ｘ、Ｙ、Ｚ軸駆動手段により駆動されてもよい。

【００２６】また、上記した実施の形態に係るレジスト
の塗布方法及び該方法に使用する装置１０では、吐出駆
動手段２１がプランジャタイプの場合について説明した
が、何らこれに限定されるものではなく、例えばスクリ
ュー押出しタイプのものでもよい。

【００２７】また、上記した実施の形態に係るレジスト
の塗布方法及び該方法に使用する装置１０では、吐出駆
動手段２１を停止させた後、さらにＸ軸走行手段１４を
駆動させてレジスト１９を引っ張り切断する場合につい
て説明したが、別の実施例では吐出口２２２１の下部に
レジスト１９切断用のカッターが備えられてもよい。

【００２８】また、上記した実施の形態に係るレジスト
の塗布方法及び該方法に使用する装置１０では、Ｓｉウ
エハ３０に対するノズル２２の相対的移動経路は図５に
示した場合について説明したが、図７に示した移動経路
でもよく、この場合には塗布時間を速めることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るレジスト塗布装置の実施の形態を
概略的に示した斜視図である。

【図２】実施の形態に係るレジスト塗布装置のノズル近
傍を概略的に示した断面図であり、（ａ）はノズル及び
吐出駆動手段の正面断面図、（ｂ）はノズル先端部の側
面断面図を示している。

【図３】実施の形態に係るレジスト塗布装置の動作を概
略的に示したフローチャートである。

【図４】ＬＳＩチップの配列パターン（ショットパター
ン）を示した図である。

【図５】実施の形態に係る全数ショット用走行・駆動プ
ログラムを用いたレジスト塗布方法の場合、Ｓｉウエハ
に対するノズルの相対的移動経路と塗布結果とを示した
模式図である。

【図６】実施の形態に係る特定ショット用走行・駆動プ
ログラムを用いたレジスト塗布方法の場合、ショット箇
所を説明するために示した模式図である。

【図７】別の実施の形態に係る全数ショット用走行・駆
動プログラムを用いたレジスト塗布方法の場合、Ｓｉウ
エハに対するノズルの相対的移動経路と塗布結果とを示
した模式図である。

【図８】従来一般的に行われているスピン塗布法に用い
られる装置を模式的に示した斜視図である。

【図９】従来の押出し塗布法に用いられる装置を模式的
に示した正面断面図である。

【図１０】従来の掻き取り塗布法に用いられる装置を模
式的に示した斜視図である。

【符号の説明】

１０レジスト塗布装置１２Ｙ軸走行手段１４Ｘ軸走行手段１５Ｚ軸走行手段１６制御手段２１吐出駆動手段２２ノズル３０Ｓｉウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ノズル及び／または被加工材料を移動さ
せつつ、前記ノズルからレジストを吐出させて前記被加
工材料の表面に前記レジストを塗布するレジスト塗布方
法であって、前記被加工材料の幅より狭い幅の吐出口を
有するノズルを用い、前記被加工材料の幅方向に複数回
の塗布を行うことを特徴とするレジストの塗布方法。
【請求項２】レジストを吐出させる吐出駆動手段に接
続されたノズルと、該ノズル及び／または被加工材料を
所定の速度で走行させる走行手段と、該走行手段及び前
記吐出駆動手段の動作を制御するための制御手段とを備
えていることを特徴とする請求項１記載のレジストの塗
布方法に使用する装置。