JPH09130139A - アンテナ装置 - Google Patents
アンテナ装置Info
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- JPH09130139A JPH09130139A JP28580195A JP28580195A JPH09130139A JP H09130139 A JPH09130139 A JP H09130139A JP 28580195 A JP28580195 A JP 28580195A JP 28580195 A JP28580195 A JP 28580195A JP H09130139 A JPH09130139 A JP H09130139A
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- antenna device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビームを走査したとき低仰角において利得が
あまり低下しないアンテナ装置を得る。 【解決手段】 基本モードで励振されるマイクロストリ
ップアンテナ３ａと、インダクタンスが装荷され、広い
ビーム幅を有するマイクロストリップアンテナ４ａを備
え、アンテナ３ａを中央部、アンテナ４ａを周辺部に配
置した。主ビームの仰角が低いときアンテナ４ａの利得
が大きいから、すべての素子アンテナをアンテナ３ａで
構成する場合と比べて、合成されたビームの利得は低下
しない。
あまり低下しないアンテナ装置を得る。 【解決手段】 基本モードで励振されるマイクロストリ
ップアンテナ３ａと、インダクタンスが装荷され、広い
ビーム幅を有するマイクロストリップアンテナ４ａを備
え、アンテナ３ａを中央部、アンテナ４ａを周辺部に配
置した。主ビームの仰角が低いときアンテナ４ａの利得
が大きいから、すべての素子アンテナをアンテナ３ａで
構成する場合と比べて、合成されたビームの利得は低下
しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数の素子アン
テナから構成され、移動体と衛星との間の通信等に利用
されるアンテナ装置に関するものである。
テナから構成され、移動体と衛星との間の通信等に利用
されるアンテナ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、移動体衛星通信で使用され、複数
の素子アンテナから構成されるアンテナ装置として、例
えば図１９に示されるものがある。同図は特開平１−２
９０３０１号公報に記載されたフェーズドアレーアンテ
ナを示す斜視図である。ここでは円形のマイクロストリ
ップアンテナと移相器を積層した構造が示されている
が、配置されるマイクロストリップアンテナとしては同
一種類のアンテナが示されている。
の素子アンテナから構成されるアンテナ装置として、例
えば図１９に示されるものがある。同図は特開平１−２
９０３０１号公報に記載されたフェーズドアレーアンテ
ナを示す斜視図である。ここでは円形のマイクロストリ
ップアンテナと移相器を積層した構造が示されている
が、配置されるマイクロストリップアンテナとしては同
一種類のアンテナが示されている。
【０００３】また、従来の他のアンテナ装置として、例
えば図２０に示されるものがある。同図は特開平１−１
５７６０３号公報に記載された平面アンテナの図であ
る。同図にはコーポレート給電された給電線路の先端に
矩形のマイクロストリップアンテナを配置した構成が示
されているが、こちらも配置される素子アンテナとして
は同一種類のアンテナが示されている。
えば図２０に示されるものがある。同図は特開平１−１
５７６０３号公報に記載された平面アンテナの図であ
る。同図にはコーポレート給電された給電線路の先端に
矩形のマイクロストリップアンテナを配置した構成が示
されているが、こちらも配置される素子アンテナとして
は同一種類のアンテナが示されている。
【０００４】また、特開平２−２６６７０４号公報特開
平４−２１３９０５号公報にも複数の素子アンテナを平
面状に配置してなるアンテナ装置が記載されている。以
上の平面アンテナにおいて、平面状に配置される素子ア
ンテナの種類は１種類である。
平４−２１３９０５号公報にも複数の素子アンテナを平
面状に配置してなるアンテナ装置が記載されている。以
上の平面アンテナにおいて、平面状に配置される素子ア
ンテナの種類は１種類である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のア
ンテナは移動体衛星通信に使用されることが多い。この
場合、衛星を捕捉するために、移動体の動揺に従いアン
テナのビームを走査して衛星との通信を確保する必要が
ある。そのため、ビームを電子的に走査することができ
るいわゆるフェーズドアレーアンテナが多く使用され
る。しかし、フェーズドアレーアンテナを構成する素子
アンテナは指向性を持つため、ビーム走査角が大きくな
るにつれて利得が低下するという問題があった。このこ
とはビームを大きく走査する場合において特に顕著であ
った。
ンテナは移動体衛星通信に使用されることが多い。この
場合、衛星を捕捉するために、移動体の動揺に従いアン
テナのビームを走査して衛星との通信を確保する必要が
ある。そのため、ビームを電子的に走査することができ
るいわゆるフェーズドアレーアンテナが多く使用され
る。しかし、フェーズドアレーアンテナを構成する素子
アンテナは指向性を持つため、ビーム走査角が大きくな
るにつれて利得が低下するという問題があった。このこ
とはビームを大きく走査する場合において特に顕著であ
った。
【０００６】この発明は、この問題点を解消するために
なされたものであり、ビーム走査角が大きいときでも利
得の低下を抑制することができるアンテナ装置を得るこ
とを目的とする。また、この発明は円偏波のビーム走査
時において最大電界強度と最小電界強度との比である軸
比が良好なアンテナ装置を得ることを目的とする。ま
た、この発明はサイドローブを低くすることが可能なア
ンテナ装置を得ることを目的とする。
なされたものであり、ビーム走査角が大きいときでも利
得の低下を抑制することができるアンテナ装置を得るこ
とを目的とする。また、この発明は円偏波のビーム走査
時において最大電界強度と最小電界強度との比である軸
比が良好なアンテナ装置を得ることを目的とする。ま
た、この発明はサイドローブを低くすることが可能なア
ンテナ装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るアンテナ
装置は、地導体上に設けられた誘電体と、この誘電体上
に平面状に配置された複数の素子アンテナとを備えたア
ンテナ装置において、上記複数の素子アンテナを、互い
に異なる放射指向性を有する第１の素子アンテナと第２
の素子アンテナとから構成するとともに、上記第１の素
子アンテナを中心に配置し、上記第２の素子アンテナを
周辺に配置したものである。
装置は、地導体上に設けられた誘電体と、この誘電体上
に平面状に配置された複数の素子アンテナとを備えたア
ンテナ装置において、上記複数の素子アンテナを、互い
に異なる放射指向性を有する第１の素子アンテナと第２
の素子アンテナとから構成するとともに、上記第１の素
子アンテナを中心に配置し、上記第２の素子アンテナを
周辺に配置したものである。
【０００８】請求項２に係るアンテナ装置は、上記第２
の素子アンテナの放射指向性を、上記第１の素子アンテ
ナの放射指向性よりも広くしたものである。上記第２の
素子アンテナの低仰角における利得が大きくなるためビ
ーム走査角が大きい場合でも低仰角におけるビーム合成
後の利得が向上する。仰角とは上記第１及び第２の素子
アンテナが配置されている面から測った角度である。図
５（ｂ）に示されたθS とは、（仰角）＝９０°−θS
なる関係がある。
の素子アンテナの放射指向性を、上記第１の素子アンテ
ナの放射指向性よりも広くしたものである。上記第２の
素子アンテナの低仰角における利得が大きくなるためビ
ーム走査角が大きい場合でも低仰角におけるビーム合成
後の利得が向上する。仰角とは上記第１及び第２の素子
アンテナが配置されている面から測った角度である。図
５（ｂ）に示されたθS とは、（仰角）＝９０°−θS
なる関係がある。
【０００９】請求項３に係るアンテナ装置は、上記第２
の素子アンテナに電流方向に対して直列にインダクタン
スを装荷して上記放射指向性を得たものである。
の素子アンテナに電流方向に対して直列にインダクタン
スを装荷して上記放射指向性を得たものである。
【００１０】請求項４に係るアンテナ装置は、上記第１
の素子アンテナを矩形スロットにより構成するととも
に、上記第２の素子アンテナを長手方向に直交する方向
の幅を狭くしたスロットにより構成したものである。
の素子アンテナを矩形スロットにより構成するととも
に、上記第２の素子アンテナを長手方向に直交する方向
の幅を狭くしたスロットにより構成したものである。
【００１１】請求項５に係るアンテナ装置は、上記第２
の素子アンテナの放射指向性を、低仰角における利得が
高くなる双峰特性としたものである。上記第２の素子ア
ンテナの低仰角における利得が大きくなるためビーム走
査角が大きい場合でも低仰角におけるビーム合成後の利
得が向上する。
の素子アンテナの放射指向性を、低仰角における利得が
高くなる双峰特性としたものである。上記第２の素子ア
ンテナの低仰角における利得が大きくなるためビーム走
査角が大きい場合でも低仰角におけるビーム合成後の利
得が向上する。
【００１２】請求項６に係るアンテナ装置は、上記第２
の素子アンテナを高次モードで励振して上記放射指向性
を得たものである。
の素子アンテナを高次モードで励振して上記放射指向性
を得たものである。
【００１３】請求項７に係るアンテナ装置は、上記第２
の素子アンテナの放射指向性を、低仰角方向に主ビーム
を有する特性としたものである。上記第２の素子アンテ
ナの低仰角における利得が大きくなるためビーム走査角
が大きい場合でも低仰角におけるビーム合成後の利得が
向上する。
の素子アンテナの放射指向性を、低仰角方向に主ビーム
を有する特性としたものである。上記第２の素子アンテ
ナの低仰角における利得が大きくなるためビーム走査角
が大きい場合でも低仰角におけるビーム合成後の利得が
向上する。
【００１４】請求項８に係るアンテナ装置は、上記第２
の素子アンテナを上記誘電体上に印刷された八木アンテ
ナとしたものである。
の素子アンテナを上記誘電体上に印刷された八木アンテ
ナとしたものである。
【００１５】請求項９に係るアンテナ装置は、上記第１
の素子アンテナを基本モードで励振される第１の線条放
射素子とし、上記第２の素子アンテナを高次モードで励
振される第２の線条放射素子としたものである。
の素子アンテナを基本モードで励振される第１の線条放
射素子とし、上記第２の素子アンテナを高次モードで励
振される第２の線条放射素子としたものである。
【００１６】請求項１０に係るアンテナ装置は、上記第
１の線条放射素子を、上記第２の線条放射素子よりも正
面方向の利得を大きくしたものである。基本モードで励
振される上記第１の線条放射素子と高次モードで励振さ
れる上記第２の線条放射素子の密度が開口周辺で上記第
２の線条放射素子が大きくなり、テーラー分布等の均一
分布以外の分布を形成する。
１の線条放射素子を、上記第２の線条放射素子よりも正
面方向の利得を大きくしたものである。基本モードで励
振される上記第１の線条放射素子と高次モードで励振さ
れる上記第２の線条放射素子の密度が開口周辺で上記第
２の線条放射素子が大きくなり、テーラー分布等の均一
分布以外の分布を形成する。
【００１７】請求項１１に係るアンテナ装置は、上記誘
電体を、上記第１の素子アンテナが配置される第１の誘
電体と、上記第２の素子アンテナが配置される第２の誘
電体とから構成し、上記第１の誘電体の誘電率と上記第
２の誘電体の誘電率とを異ならせたものである。誘電率
の相違により上記第１の素子アンテナの放射特性と上記
第２の素子アンテナの放射特性とを独立に変えることが
できる。また、合成ビームの軸比が小さくなるようにす
ることもできる。
電体を、上記第１の素子アンテナが配置される第１の誘
電体と、上記第２の素子アンテナが配置される第２の誘
電体とから構成し、上記第１の誘電体の誘電率と上記第
２の誘電体の誘電率とを異ならせたものである。誘電率
の相違により上記第１の素子アンテナの放射特性と上記
第２の素子アンテナの放射特性とを独立に変えることが
できる。また、合成ビームの軸比が小さくなるようにす
ることもできる。
【００１８】
発明の実施の形態１．以下、この発明の一実施の形態に
ついて図を用いて説明する。図１はこの発明の発明の実
施の形態１である平面アンテナ装置である。なお、図１
においてアンテナのビームを走査するための移相器等の
記載は省略している。図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）
はそのＡ−Ａ断面図である。図１のアンテナは５×７＝
３５個の素子アンテナを備える。これら素子アンテナ
は、図１（ａ）（ｂ）に示されたトーナンメント給電回
路によりそれぞれ給電される。なお、説明の便宜上、図
に示すように横軸にＸ軸を、縦軸にＹ軸をとり特定の素
子アンテナを座標で表す。たとえば、左角の素子アンテ
ナを（０、０）と、右角の素子アンテナを（４、６）と
表す。
ついて図を用いて説明する。図１はこの発明の発明の実
施の形態１である平面アンテナ装置である。なお、図１
においてアンテナのビームを走査するための移相器等の
記載は省略している。図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）
はそのＡ−Ａ断面図である。図１のアンテナは５×７＝
３５個の素子アンテナを備える。これら素子アンテナ
は、図１（ａ）（ｂ）に示されたトーナンメント給電回
路によりそれぞれ給電される。なお、説明の便宜上、図
に示すように横軸にＸ軸を、縦軸にＹ軸をとり特定の素
子アンテナを座標で表す。たとえば、左角の素子アンテ
ナを（０、０）と、右角の素子アンテナを（４、６）と
表す。
【００１９】図において１は地導体、２は地導体１上に
形成された誘電体基板である。３ａは、３５個の素子ア
ンテナのうちで基本モードで励振される素子アンテナで
ある。ここでは良く使用されるＴＭ１１モードで励振さ
れた円形マイクロストリップアンテナ（以下、「基本Ｍ
ＳＡ」と記す）とする。基本ＭＳＡ３ａは、（ｉ，ｊ）
（ｉ＝１，２，３、ｊ＝１，２，３，４，５）の位置に
配置された合計３×５＝１５個の素子アンテナである。
図中、基本ＭＳＡ３ａに斜線が付されている。
形成された誘電体基板である。３ａは、３５個の素子ア
ンテナのうちで基本モードで励振される素子アンテナで
ある。ここでは良く使用されるＴＭ１１モードで励振さ
れた円形マイクロストリップアンテナ（以下、「基本Ｍ
ＳＡ」と記す）とする。基本ＭＳＡ３ａは、（ｉ，ｊ）
（ｉ＝１，２，３、ｊ＝１，２，３，４，５）の位置に
配置された合計３×５＝１５個の素子アンテナである。
図中、基本ＭＳＡ３ａに斜線が付されている。
【００２０】４ａは、３５個の素子アンテナのうちで広
いビーム幅を有するマイクロストリップアンテナ（以
下、「広ＭＳＡ」と記す）である。広ＭＳＡ４ａは、基
本ＭＳＡ３ａを囲むように周辺部に配置されている。広
ＭＳＡ４ａは、（０，０）〜（０，６）、（１，０）、
（１，６）、（２，０）、（２，６）、（３，０）、
（３，６）、（４，０）〜（４，６）の位置に配置され
た２０個の素子アンテナである。
いビーム幅を有するマイクロストリップアンテナ（以
下、「広ＭＳＡ」と記す）である。広ＭＳＡ４ａは、基
本ＭＳＡ３ａを囲むように周辺部に配置されている。広
ＭＳＡ４ａは、（０，０）〜（０，６）、（１，０）、
（１，６）、（２，０）、（２，６）、（３，０）、
（３，６）、（４，０）〜（４，６）の位置に配置され
た２０個の素子アンテナである。
【００２１】１０は３５個の素子アンテナに給電するた
めの給電回路、１１は給電端子である。平面アンテナ１
２は、地導体板１、誘電体基板２、基本ＭＳＡ３ａ、広
ＭＳＡ４ａ、給電回路１０、給電端子１１により構成さ
れる。図１（ａ）の給電回路はトーナメント分配方式を
採用している。各列において、Ｙ＝１と２とが、Ｙ＝３
と４とが、Ｙ＝５と６とがそれぞれ接続される。さら
に、Ｙ＝０とＹ＝１、２の接続線とが、Ｙ＝３、４の接
続線とＹ＝５、６の接続線とがそれぞれ接続される。さ
らに、Ｙ＝０〜３の接続線とＹ＝４〜６の接続線とが接
続される。このように各列ごとに１つの給電線にまとめ
られる。各列ごとにまとめられた給電線はさらにまとめ
られ、給電端子１１に接続される。
めの給電回路、１１は給電端子である。平面アンテナ１
２は、地導体板１、誘電体基板２、基本ＭＳＡ３ａ、広
ＭＳＡ４ａ、給電回路１０、給電端子１１により構成さ
れる。図１（ａ）の給電回路はトーナメント分配方式を
採用している。各列において、Ｙ＝１と２とが、Ｙ＝３
と４とが、Ｙ＝５と６とがそれぞれ接続される。さら
に、Ｙ＝０とＹ＝１、２の接続線とが、Ｙ＝３、４の接
続線とＹ＝５、６の接続線とがそれぞれ接続される。さ
らに、Ｙ＝０〜３の接続線とＹ＝４〜６の接続線とが接
続される。このように各列ごとに１つの給電線にまとめ
られる。各列ごとにまとめられた給電線はさらにまとめ
られ、給電端子１１に接続される。
【００２２】図１（ｂ）からわかるように、給電回路１
０は地導体１の下側（誘電体基板２の反対側）に設けら
れている。給電回路１０は２枚の誘電体基板にはさまれ
ている。また、地導体１と反対側には別の地導体板が設
けられている。
０は地導体１の下側（誘電体基板２の反対側）に設けら
れている。給電回路１０は２枚の誘電体基板にはさまれ
ている。また、地導体１と反対側には別の地導体板が設
けられている。
【００２３】次に発明の実施の形態１の動作について説
明する。一般にアレーアンテナの指向特性は良く知られ
ているように素子アンテナの指向性と配列係数いわゆる
アレーファクタの積によりもとめられる。 Ｒ（θ，φ）＝Σ｛Ｆｎ（θ，φ）×Ａｎ（θ，φ）｝ ここでＲ（θ，φ）はアレーアンテナの放射指向性を表
す関数 Ｆｎ（θ，φ）は素子アンテナの放射指向性を表す関数 Ａｎ（θ，φ）は配列により定まるアレーファクタ θは平面アンテナの法線を基準として測ったビーム角
明する。一般にアレーアンテナの指向特性は良く知られ
ているように素子アンテナの指向性と配列係数いわゆる
アレーファクタの積によりもとめられる。 Ｒ（θ，φ）＝Σ｛Ｆｎ（θ，φ）×Ａｎ（θ，φ）｝ ここでＲ（θ，φ）はアレーアンテナの放射指向性を表
す関数 Ｆｎ（θ，φ）は素子アンテナの放射指向性を表す関数 Ａｎ（θ，φ）は配列により定まるアレーファクタ θは平面アンテナの法線を基準として測ったビーム角
【００２４】ビーム走査を行う場合、アレーアンテナの
開口は走査角θS に対しＣＯＳ（θＳ）倍されるから、
走査角θＳが９０度に近づくにつれ利得低下が生じる。
また、個々の素子アンテナの指向性Ｆｎ（θ，φ）も走
査角θＳが９０度に近づくにつれ低下する。例えば、図
２（ａ）のような電流分布により素子アンテナをＴＭ１
１モードで励振した場合は、図２（ｂ）の３ａのように
ＣＯＳP θの指向性を有し、ビーム走査角が大きくなる
ほど素子の電界振幅は小さくなり利得が低下する。
開口は走査角θS に対しＣＯＳ（θＳ）倍されるから、
走査角θＳが９０度に近づくにつれ利得低下が生じる。
また、個々の素子アンテナの指向性Ｆｎ（θ，φ）も走
査角θＳが９０度に近づくにつれ低下する。例えば、図
２（ａ）のような電流分布により素子アンテナをＴＭ１
１モードで励振した場合は、図２（ｂ）の３ａのように
ＣＯＳP θの指向性を有し、ビーム走査角が大きくなる
ほど素子の電界振幅は小さくなり利得が低下する。
【００２５】このように、アレーアンテナのビーム走査
時の利得低下は素子の指向性とアレーファクタの両方に
関係している。
時の利得低下は素子の指向性とアレーファクタの両方に
関係している。
【００２６】そこでこの発明の実施の形態１では、平面
アンテナを構成するときに、図２（ｂ）に３ａとして示
される通常のビーム幅を有する素子アンテナ（基本ＭＳ
Ａ）を中心に、図２（ｂ）に４ａとして示される広いビ
ーム幅を有する素子アンテナ（広ＭＳＡ）を周辺に配置
することにより、ビームを大きく走査したときの利得低
下を抑制する。
アンテナを構成するときに、図２（ｂ）に３ａとして示
される通常のビーム幅を有する素子アンテナ（基本ＭＳ
Ａ）を中心に、図２（ｂ）に４ａとして示される広いビ
ーム幅を有する素子アンテナ（広ＭＳＡ）を周辺に配置
することにより、ビームを大きく走査したときの利得低
下を抑制する。
【００２７】このことをベクトル図を用いて説明する。
アレーアンテナの合成振幅は各素子アンテナの電界ベク
トルの和である。たとえば個々の素子アンテナの電界ベ
クトルをｅ1 ，ｅ2 ，・・・，ｅn とし、これらの位相
が不均一のときは図３（ａ）のように合成ベクトルＥが
得られる。一方、所望のビーム方向で各素子アンテナか
らの位相が揃うという共相条件が成り立つときは電界ベ
クトルｅ1 ，ｅ2 ，・・・，ｅn の位相は一致するか
ら、図３（ｂ）に示されるように合成ベクトルＥは各振
幅の単純和となる。共相条件が成立するとき、合成ベク
トルＥは最大となる。
アレーアンテナの合成振幅は各素子アンテナの電界ベク
トルの和である。たとえば個々の素子アンテナの電界ベ
クトルをｅ1 ，ｅ2 ，・・・，ｅn とし、これらの位相
が不均一のときは図３（ａ）のように合成ベクトルＥが
得られる。一方、所望のビーム方向で各素子アンテナか
らの位相が揃うという共相条件が成り立つときは電界ベ
クトルｅ1 ，ｅ2 ，・・・，ｅn の位相は一致するか
ら、図３（ｂ）に示されるように合成ベクトルＥは各振
幅の単純和となる。共相条件が成立するとき、合成ベク
トルＥは最大となる。
【００２８】ここで話を簡単にするため、＃１〜＃４の
素子アンテナからなる４素子のリニアアレーを例にとり
説明する。図４のように、リニアアレーの中央部に基本
ＭＳＡ、両端に広ＭＳＡを配置する。同図において、実
線３ａ，４ａはそれぞれ基本ＭＳＡの放射指向性、広Ｍ
ＳＡの放射指向性を示す。また、点線３ａは広ＭＳＡと
の比較のための基本ＭＳＡ３ａの放射指向性である。＃
１及び＃４の特性図からわかるように、放射指向性３ａ
と４ａとが交わる点が中心軸をはさんで対象の位置に存
在する。ここで、基本ＭＳＡ３ａと広ＭＳＡ４ａの素子
電界振幅が等しくなる角度をθC とする。
素子アンテナからなる４素子のリニアアレーを例にとり
説明する。図４のように、リニアアレーの中央部に基本
ＭＳＡ、両端に広ＭＳＡを配置する。同図において、実
線３ａ，４ａはそれぞれ基本ＭＳＡの放射指向性、広Ｍ
ＳＡの放射指向性を示す。また、点線３ａは広ＭＳＡと
の比較のための基本ＭＳＡ３ａの放射指向性である。＃
１及び＃４の特性図からわかるように、放射指向性３ａ
と４ａとが交わる点が中心軸をはさんで対象の位置に存
在する。ここで、基本ＭＳＡ３ａと広ＭＳＡ４ａの素子
電界振幅が等しくなる角度をθC とする。
【００２９】ビーム角θS がθC よりも大きく、かつ、
共相条件が成り立つ場合は、その合成ベクトルはリニア
アレーが基本ＭＳＡのみから構成されている場合の合成
ベクトルより大きくなる。したがって、ビーム走査方向
利得の低下は、リニアアレーが基本ＭＳＡのみから構成
されている場合比べ小さくできることが分かる。なお、
共相条件は各素子アンテナへの給電回路の位相（電気
長）を合わせることにより実現される。
共相条件が成り立つ場合は、その合成ベクトルはリニア
アレーが基本ＭＳＡのみから構成されている場合の合成
ベクトルより大きくなる。したがって、ビーム走査方向
利得の低下は、リニアアレーが基本ＭＳＡのみから構成
されている場合比べ小さくできることが分かる。なお、
共相条件は各素子アンテナへの給電回路の位相（電気
長）を合わせることにより実現される。
【００３０】このことを式を用いて説明する。θS ＞θ
C のとき、合成ベクトルは、 ＡＢＳ（Ｅ（θS ））2 ＝ ２・ＡＢＳ（ＦB （θS ））2 ＋２・ＡＢＳ（ＦN （θS ））2 ＞ ４・ＡＢＳ（ＦN （θS ））2 ただし、ＡＢＳ（）は絶対値記号、ＦN （θS ）は基本
ＭＳＡの放射指向性、ＦB （θS ）は広ＭＳＡの放射指
向性である。また、＃１〜＃４の素子アンテナの電界を
ｅ1 ，ｅ2 ，ｅ3 ，ｅ4 としたときθ＝θS では、 ＡＢＳ（ＦB （θS ））2 ＝ＡＢＳ（ｅ1 ）2 ＡＢＳ（ＦN （θS ））2 ＝ＡＢＳ（ｅ2 ）2 ＝ＡＢＳ（ｅ3 ）2 ＡＢＳ（ＦB （θS ））2 ＝ＡＢＳ（ｅ4 ）2 なる関係が成立する。
C のとき、合成ベクトルは、 ＡＢＳ（Ｅ（θS ））2 ＝ ２・ＡＢＳ（ＦB （θS ））2 ＋２・ＡＢＳ（ＦN （θS ））2 ＞ ４・ＡＢＳ（ＦN （θS ））2 ただし、ＡＢＳ（）は絶対値記号、ＦN （θS ）は基本
ＭＳＡの放射指向性、ＦB （θS ）は広ＭＳＡの放射指
向性である。また、＃１〜＃４の素子アンテナの電界を
ｅ1 ，ｅ2 ，ｅ3 ，ｅ4 としたときθ＝θS では、 ＡＢＳ（ＦB （θS ））2 ＝ＡＢＳ（ｅ1 ）2 ＡＢＳ（ＦN （θS ））2 ＝ＡＢＳ（ｅ2 ）2 ＝ＡＢＳ（ｅ3 ）2 ＡＢＳ（ＦB （θS ））2 ＝ＡＢＳ（ｅ4 ）2 なる関係が成立する。
【００３１】この発明の実施の形態１による合成後の放
射指向性の特定図を図５（ａ）に示す。図５（ａ）は、
図５（ｂ）に示すように平面アンテナ１２の法線を基準
にビーム方向を測った角度である。
射指向性の特定図を図５（ａ）に示す。図５（ａ）は、
図５（ｂ）に示すように平面アンテナ１２の法線を基準
にビーム方向を測った角度である。
【００３２】図５（ａ）において、実線２１はこの発明
の実施例１の中心利得のエンベローブ、実線２２は発明
の実施例１によるビームの放射指向性である。点線２３
は従来のアンテナ装置の中心利得のエンベローブ、点線
２４は従来のアンテナ装置によるビームの放射指向性で
ある。角度θを変化させたときにビームの放射指向性２
２の中心利得が順次描く線が中心利得エンベローブ２１
である。中心利得エンベローブ２３も同様である。
の実施例１の中心利得のエンベローブ、実線２２は発明
の実施例１によるビームの放射指向性である。点線２３
は従来のアンテナ装置の中心利得のエンベローブ、点線
２４は従来のアンテナ装置によるビームの放射指向性で
ある。角度θを変化させたときにビームの放射指向性２
２の中心利得が順次描く線が中心利得エンベローブ２１
である。中心利得エンベローブ２３も同様である。
【００３３】図５（ａ）からわかるように、ＡＢＳ（θ
S ）＞ＡＢＳ（θC ）において発明の実施の形態１によ
る中心利得エンベローブ２１の値は、従来の中心利得エ
ンベローブ２３の値よりも大きい。したがって、ビーム
を大きく走査されたときに放射指向性は改善される。一
方、正面方向、つまりＡＢＳ（θS ）＜ＡＢＳ（θC）
において逆に放射指向性の利得は逆に減少する。しか
し、通常のフェーズドアレーアンテナの設計においては
正面方向では利得にマージンをもっているのであまり問
題にならない。
S ）＞ＡＢＳ（θC ）において発明の実施の形態１によ
る中心利得エンベローブ２１の値は、従来の中心利得エ
ンベローブ２３の値よりも大きい。したがって、ビーム
を大きく走査されたときに放射指向性は改善される。一
方、正面方向、つまりＡＢＳ（θS ）＜ＡＢＳ（θC）
において逆に放射指向性の利得は逆に減少する。しか
し、通常のフェーズドアレーアンテナの設計においては
正面方向では利得にマージンをもっているのであまり問
題にならない。
【００３４】ところで広い放射指向特性を有する広ＭＳ
Ａを得るには、たとえば、電流方向に直列にインダクタ
ンスを装荷する。すると基本モード励振時のビーム幅
（図２（ｂ）の３ａ）よりも広い特性（同図（ｂ）の４
ａ）が得られる。また、他の手段によって広ＭＳＡを得
てもよい。
Ａを得るには、たとえば、電流方向に直列にインダクタ
ンスを装荷する。すると基本モード励振時のビーム幅
（図２（ｂ）の３ａ）よりも広い特性（同図（ｂ）の４
ａ）が得られる。また、他の手段によって広ＭＳＡを得
てもよい。
【００３５】なお、上記の動作説明の一部でリニアアレ
ーを用いたが、これは説明を簡単にするためであって、
図１の平面アンテナ装置も同様に動作するのは言うまで
もない。なお、図１の平面アンテナ装置において、個々
の素子アンテナは格子状に配列されていたが、これに限
るものではない。要は、中心に基本ＭＳＡが、周辺にＭ
ＳＡが配置されていればよい。もっとも、各素子アンテ
ナ間の感覚が不適切である（広い）とビーム走査時グレ
ーティングローブと呼ばれる不要な放射指向性が発生す
る。したがって、グレーティングローブを発生させずに
単位面積あたりの素子数を最小にするという点では、図
６に示す正三角形状に配置するのが適当である。
ーを用いたが、これは説明を簡単にするためであって、
図１の平面アンテナ装置も同様に動作するのは言うまで
もない。なお、図１の平面アンテナ装置において、個々
の素子アンテナは格子状に配列されていたが、これに限
るものではない。要は、中心に基本ＭＳＡが、周辺にＭ
ＳＡが配置されていればよい。もっとも、各素子アンテ
ナ間の感覚が不適切である（広い）とビーム走査時グレ
ーティングローブと呼ばれる不要な放射指向性が発生す
る。したがって、グレーティングローブを発生させずに
単位面積あたりの素子数を最小にするという点では、図
６に示す正三角形状に配置するのが適当である。
【００３６】以上のようにこの発明の実施の形態１のア
ンテナ装置によれば、中心に基本ＭＳＡが、周辺に広Ｍ
ＳＡが配置されているので、ビーム走査角が大きいとき
でも利得の低下を抑制することができる。
ンテナ装置によれば、中心に基本ＭＳＡが、周辺に広Ｍ
ＳＡが配置されているので、ビーム走査角が大きいとき
でも利得の低下を抑制することができる。
【００３７】発明の実施の形態２．上記発明の実施の形
態１において、広いビームパターンを得るために素子ア
ンテナにリアクタンス成分を装荷したが、これに代えて
高次モードで励振するようにしてもよい。
態１において、広いビームパターンを得るために素子ア
ンテナにリアクタンス成分を装荷したが、これに代えて
高次モードで励振するようにしてもよい。
【００３８】図７はこの発明の実施の形態２のアンテナ
装置を示す図である。図７（ａ）は上面図、図７（ｂ）
はそのＡ−Ａ断面図である。同図において、給電回路の
表示は省略されている。同図において１は地導体、２は
誘電体基板である。３ａは基本モードで励振された素子
アンテナであり、ここでは良く使用されるＴＭ１１モー
ドで励振された円形マイクロストリップアンテナ（以下
「基本ＭＳＡ」）である。４ｂは高次モードで励振され
たマイクロストリップアンテナ（以下「高ＭＳＡ」）で
あり、ＴＭ２１モードで励振される。高ＭＳＡ４ｂは中
心部に空間を有するドーナツ状をしている。図７のアン
テナ装置１２は、１５個の基本ＭＳＡ３ａをアレー開口
の中心部に配置し、２０個の高ＭＳＡ４ｂを開口周辺部
に配置した構成となっている。ＭＳＡ３ａ，４ｂの配置
は発明の実施の形態１の場合と同じである。
装置を示す図である。図７（ａ）は上面図、図７（ｂ）
はそのＡ−Ａ断面図である。同図において、給電回路の
表示は省略されている。同図において１は地導体、２は
誘電体基板である。３ａは基本モードで励振された素子
アンテナであり、ここでは良く使用されるＴＭ１１モー
ドで励振された円形マイクロストリップアンテナ（以下
「基本ＭＳＡ」）である。４ｂは高次モードで励振され
たマイクロストリップアンテナ（以下「高ＭＳＡ」）で
あり、ＴＭ２１モードで励振される。高ＭＳＡ４ｂは中
心部に空間を有するドーナツ状をしている。図７のアン
テナ装置１２は、１５個の基本ＭＳＡ３ａをアレー開口
の中心部に配置し、２０個の高ＭＳＡ４ｂを開口周辺部
に配置した構成となっている。ＭＳＡ３ａ，４ｂの配置
は発明の実施の形態１の場合と同じである。
【００３９】次に、発明の実施の形態２の動作について
説明する。基本ＭＳＡ３ａのパターンは発明の実施の形
態１のものと同じである。他方、高ＭＳＡ４ｂのパター
ンは、図８（ａ）に示されるようなＴＭ２１モードの電
流分布で励振されるので、同図（ｂ）のようなコニカル
状のパターン４ｂとなる。このパターン４ｂは双峰性の
特性を有し、θ＝０°で利得が小さくなるものの、ＡＢ
Ｓ（θ）＞４５°においてそれぞれ利得のピークをも
つ。パターン４ｂは縦軸に対しておおむね対称である。
なお、高ＭＳＡ４ｂがドーナツ状でよいのは、図８
（ａ）からわかるように中心に電流が流れないからであ
る。
説明する。基本ＭＳＡ３ａのパターンは発明の実施の形
態１のものと同じである。他方、高ＭＳＡ４ｂのパター
ンは、図８（ａ）に示されるようなＴＭ２１モードの電
流分布で励振されるので、同図（ｂ）のようなコニカル
状のパターン４ｂとなる。このパターン４ｂは双峰性の
特性を有し、θ＝０°で利得が小さくなるものの、ＡＢ
Ｓ（θ）＞４５°においてそれぞれ利得のピークをも
つ。パターン４ｂは縦軸に対しておおむね対称である。
なお、高ＭＳＡ４ｂがドーナツ状でよいのは、図８
（ａ）からわかるように中心に電流が流れないからであ
る。
【００４０】基本ＭＳＡ３ａのパターン３ａ（図９
（ｂ））とＴＭ２１モードで励振される高ＭＳＡ４ｂの
パターン４ｂ（図９（ａ））とが合成されると、図９
（ｃ）に示されるような合成パターン２５が得られる。
この図からわかるように、合成されたパターンによれば
θが大きくなるときの利得の低下は基本ＭＳＡ３ａに比
べ少なくなる。
（ｂ））とＴＭ２１モードで励振される高ＭＳＡ４ｂの
パターン４ｂ（図９（ａ））とが合成されると、図９
（ｃ）に示されるような合成パターン２５が得られる。
この図からわかるように、合成されたパターンによれば
θが大きくなるときの利得の低下は基本ＭＳＡ３ａに比
べ少なくなる。
【００４１】この発明の実施の形態２による合成後の放
射指向性の特性図を図１０に示す。図１０において、実
線２６はこの発明の実施例１の中心利得のエンベロー
ブ、実線２５は図９（ｃ）に示されたビームの放射指向
性である。点線２３は従来のアンテナ装置の中心利得の
エンベローブ、点線２４は従来のアンテナ装置によるビ
ームの放射指向性である。角度θを変化させたときにビ
ームの放射指向性２２の中心利得が順次描く線が中心利
得エンベローブ２６である。中心利得エンベローブ２３
も同様である。
射指向性の特性図を図１０に示す。図１０において、実
線２６はこの発明の実施例１の中心利得のエンベロー
ブ、実線２５は図９（ｃ）に示されたビームの放射指向
性である。点線２３は従来のアンテナ装置の中心利得の
エンベローブ、点線２４は従来のアンテナ装置によるビ
ームの放射指向性である。角度θを変化させたときにビ
ームの放射指向性２２の中心利得が順次描く線が中心利
得エンベローブ２６である。中心利得エンベローブ２３
も同様である。
【００４２】図１０からわかるように、ＡＢＳ（θS ）
＞ＡＢＳ（θC ）において発明の実施の形態１による中
心利得エンベローブ２６の値は、従来の中心利得エンベ
ローブ２３の値よりも大きい。したがって、ビームを大
きく走査されたときに放射指向性は改善される。一方、
正面方向、つまりＡＢＳ（θS ）＜ＡＢＳ（θC ）にお
いて逆に放射指向性の利得は逆に減少する。しかし、通
常のフェーズドアレーアンテナの設計においては正面方
向では利得にマージンをもっているのであまり問題にな
らない。
＞ＡＢＳ（θC ）において発明の実施の形態１による中
心利得エンベローブ２６の値は、従来の中心利得エンベ
ローブ２３の値よりも大きい。したがって、ビームを大
きく走査されたときに放射指向性は改善される。一方、
正面方向、つまりＡＢＳ（θS ）＜ＡＢＳ（θC ）にお
いて逆に放射指向性の利得は逆に減少する。しかし、通
常のフェーズドアレーアンテナの設計においては正面方
向では利得にマージンをもっているのであまり問題にな
らない。
【００４３】以上の説明からわかるように、この発明の
実施の形態２において、そのパターンはコニカル状にな
るため素子電界ベクトルは広角において振幅が大きくな
る。よってビーム走査位相を与えた場合すなわち共相条
件が成り立つ場合はその合成ベクトルは基本ＭＳＡのみ
の合成ベクトルより大きくなる。すなわちビーム走査方
向利得の低下が基本ＭＳＡのみの配置に比べ小さくでき
ることが分かる。
実施の形態２において、そのパターンはコニカル状にな
るため素子電界ベクトルは広角において振幅が大きくな
る。よってビーム走査位相を与えた場合すなわち共相条
件が成り立つ場合はその合成ベクトルは基本ＭＳＡのみ
の合成ベクトルより大きくなる。すなわちビーム走査方
向利得の低下が基本ＭＳＡのみの配置に比べ小さくでき
ることが分かる。
【００４４】なお、高次モードでマイクロストリップを
励振するために次のようにする。一般には同軸線路等で
給電すると基本モードが励振される。そこで、高次モー
ドで励振するためには図８（ａ）のように、給電点Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄを対向させて２組（ＡとＢ，ＣとＤ）設け、
これらに同位相を与えるか、あるいは、直交した２点を
設け１８０°の位相差を与える方法がある。
励振するために次のようにする。一般には同軸線路等で
給電すると基本モードが励振される。そこで、高次モー
ドで励振するためには図８（ａ）のように、給電点Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄを対向させて２組（ＡとＢ，ＣとＤ）設け、
これらに同位相を与えるか、あるいは、直交した２点を
設け１８０°の位相差を与える方法がある。
【００４５】具体的には、図８（ａ）のような分布を与
えるための給電方法として３つのケースがある。ケース
１は、給電点Ａ，Ｂの給電位相をいずれも０°とする。
このとき給電点Ｃ，Ｄは特に制限されない。ケース２
は、給電点Ａ，Ｃの給電位相をそれぞれ０°、１８０°
とする。このとき給電点Ｂ，Ｄは特に制限されない。ケ
ース３は、給電点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの給電位相をそれぞ
れ、０°、０°、１８０°、１８０°とする。
えるための給電方法として３つのケースがある。ケース
１は、給電点Ａ，Ｂの給電位相をいずれも０°とする。
このとき給電点Ｃ，Ｄは特に制限されない。ケース２
は、給電点Ａ，Ｃの給電位相をそれぞれ０°、１８０°
とする。このとき給電点Ｂ，Ｄは特に制限されない。ケ
ース３は、給電点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの給電位相をそれぞ
れ、０°、０°、１８０°、１８０°とする。
【００４６】以上のようにこの発明の実施の形態２のア
ンテナ装置によれば、中心に基本ＭＳＡが、周辺に高Ｍ
ＳＡが配置されているので、ビーム走査角が大きいとき
でも利得の低下を抑制することができる。
ンテナ装置によれば、中心に基本ＭＳＡが、周辺に高Ｍ
ＳＡが配置されているので、ビーム走査角が大きいとき
でも利得の低下を抑制することができる。
【００４７】発明の実施の形態３．上記発明の実施の形
態２のアンテナ装置において、高ＭＳＡを周辺に配置し
たが、これに代えて八木アンテナを配置するようにして
もよい。
態２のアンテナ装置において、高ＭＳＡを周辺に配置し
たが、これに代えて八木アンテナを配置するようにして
もよい。
【００４８】図１１はこの発明の実施の形態２のアンテ
ナ装置を示す図である。図１１（ａ）は上面図、図１１
（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。同図において、給電
回路の表示は省略されている。同図において１は地導
体、２は誘電体基板である。３ａは基本モードで励振さ
れた素子アンテナであり、ここでは良く使用されるＴＭ
１１モードで励振された円形マイクロストリップアンテ
ナ（以下「基本ＭＳＡ」）である。４ｃは低仰角方向に
主ビームを有するプリントされた八木アンテナ（以下
「ＰＹＡ」：Pinted Yagi Anntena ）である。このＰＹ
Ａをアンテナ装置の開口周辺部に配置した構成となって
いる。
ナ装置を示す図である。図１１（ａ）は上面図、図１１
（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。同図において、給電
回路の表示は省略されている。同図において１は地導
体、２は誘電体基板である。３ａは基本モードで励振さ
れた素子アンテナであり、ここでは良く使用されるＴＭ
１１モードで励振された円形マイクロストリップアンテ
ナ（以下「基本ＭＳＡ」）である。４ｃは低仰角方向に
主ビームを有するプリントされた八木アンテナ（以下
「ＰＹＡ」：Pinted Yagi Anntena ）である。このＰＹ
Ａをアンテナ装置の開口周辺部に配置した構成となって
いる。
【００４９】発明の実施の形態３の動作について説明す
る。ＰＹＡは誘電体基板２上に平面的に形成されている
ため、その主ビームは低仰角方向を向いている。ＰＹＡ
の素子パターンは図１２（ｂ）に示されるようにθ＝０
°を中心に対称であり、２つのピークをもつ。パターン
４ｃは発明の実施の形態２の図８（ｂ）の高ＭＳＡと類
似しコニカル状になるため、発明の実施の形態２の場合
と同様に素子電界ベクトルは広角において振幅が大きく
なる。よってビーム走査位相を与えた場合すなわち共相
条件が成り立つ場合はその合成ベクトルは基本ＭＳＡの
みの合成ベクトルより大きくなる。すなわちビーム走査
方向利得の低下が基本ＭＳＡのみの配置に比べ小さくで
きることが分かる。
る。ＰＹＡは誘電体基板２上に平面的に形成されている
ため、その主ビームは低仰角方向を向いている。ＰＹＡ
の素子パターンは図１２（ｂ）に示されるようにθ＝０
°を中心に対称であり、２つのピークをもつ。パターン
４ｃは発明の実施の形態２の図８（ｂ）の高ＭＳＡと類
似しコニカル状になるため、発明の実施の形態２の場合
と同様に素子電界ベクトルは広角において振幅が大きく
なる。よってビーム走査位相を与えた場合すなわち共相
条件が成り立つ場合はその合成ベクトルは基本ＭＳＡの
みの合成ベクトルより大きくなる。すなわちビーム走査
方向利得の低下が基本ＭＳＡのみの配置に比べ小さくで
きることが分かる。
【００５０】発明の実施の形態４．図１３はこの発明の
発明の実施の形態４を示す図である。図１３（ａ）は上
面図、図１３（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。同図に
おいて１は地導体、２は第１の誘電体基板、３ａは基本
モードで励振された素子アンテナ、ここでは良く使用さ
れるＴＭ１１モードで励振された円形マイクロストリッ
プアンテナ（以下「基本ＭＳＡ」）、４ｂは高次モード
で励振されたマイクロストリップアンテナ（以下「高Ｍ
ＳＡ」）、５は高ＭＳＡ４ｂの配置に対応して設けら
れ、誘電体基板２と誘電率が異なる第２の誘電体基板で
ある。第１の誘電体基板２上に形成された基ＭＳＡ３ａ
をアレー開口の中心部に配置し、第２の誘電体基板５上
に構成された高ＭＳＡ４ｂを開口周辺部に配置した構成
となっている。
発明の実施の形態４を示す図である。図１３（ａ）は上
面図、図１３（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。同図に
おいて１は地導体、２は第１の誘電体基板、３ａは基本
モードで励振された素子アンテナ、ここでは良く使用さ
れるＴＭ１１モードで励振された円形マイクロストリッ
プアンテナ（以下「基本ＭＳＡ」）、４ｂは高次モード
で励振されたマイクロストリップアンテナ（以下「高Ｍ
ＳＡ」）、５は高ＭＳＡ４ｂの配置に対応して設けら
れ、誘電体基板２と誘電率が異なる第２の誘電体基板で
ある。第１の誘電体基板２上に形成された基ＭＳＡ３ａ
をアレー開口の中心部に配置し、第２の誘電体基板５上
に構成された高ＭＳＡ４ｂを開口周辺部に配置した構成
となっている。
【００５１】発明の実施の形態４の動作について説明す
る。発明の実施の形態２の場合と同様に、ビーム走査位
相を与えた場合、図１３の配置によるアンテナ装置の合
成電界ベクトルは、基ＭＳＡ３ａのみの合成電界ベクト
ルより大きくなる。したがって、ビーム走査角が大きい
ときでも利得の低下を抑制することができる。また、周
辺部と中心部で誘電率を変えることにより、それぞれ互
いに異なる放射指向性を持たせることができる。中心部
の誘電率をε1 、周辺部の誘電率をε2 、中心部の放射
導体板の径をφＤ1 、周辺部の放射導体板の径をφＤ2
とし、それぞれ同じ周波数ｆ0 で設計したとき、ε2 ＞
ε1 であれば、一般に、φＤ1（ｆ0 ）＞φＤ2 （ｆ
0 ）なる関係がある。したがって基本ＭＳＡ３ａの物理
的寸法の方が大きくなる。一方、遠方放射指向性は開口
を積分することにより求められ、一般に物理開口が大き
いほどビームは狭くなる（ビーム幅θ3 と開口径Ｄとの
間にはθ3 ＝ｋ（λ／Ｄ）の関係がある）。すなわち、
誘電率を変えることにより基本ＭＳＡ３ａ，高ＭＳＡ４
ｂそれぞれ独立に放射指向性を変えることができる。
る。発明の実施の形態２の場合と同様に、ビーム走査位
相を与えた場合、図１３の配置によるアンテナ装置の合
成電界ベクトルは、基ＭＳＡ３ａのみの合成電界ベクト
ルより大きくなる。したがって、ビーム走査角が大きい
ときでも利得の低下を抑制することができる。また、周
辺部と中心部で誘電率を変えることにより、それぞれ互
いに異なる放射指向性を持たせることができる。中心部
の誘電率をε1 、周辺部の誘電率をε2 、中心部の放射
導体板の径をφＤ1 、周辺部の放射導体板の径をφＤ2
とし、それぞれ同じ周波数ｆ0 で設計したとき、ε2 ＞
ε1 であれば、一般に、φＤ1（ｆ0 ）＞φＤ2 （ｆ
0 ）なる関係がある。したがって基本ＭＳＡ３ａの物理
的寸法の方が大きくなる。一方、遠方放射指向性は開口
を積分することにより求められ、一般に物理開口が大き
いほどビームは狭くなる（ビーム幅θ3 と開口径Ｄとの
間にはθ3 ＝ｋ（λ／Ｄ）の関係がある）。すなわち、
誘電率を変えることにより基本ＭＳＡ３ａ，高ＭＳＡ４
ｂそれぞれ独立に放射指向性を変えることができる。
【００５２】さらに、ＭＳＡ３ａ，４ｂが設けられてい
る誘電体基板２、５が異なることから、開口周辺部の第
２の誘電体基板５の誘電率を適当に選ぶことにより特定
のビーム走査方向で軸比（だ円偏波の最大電界強度と最
小電界強度の比）を小さくすることができる。
る誘電体基板２、５が異なることから、開口周辺部の第
２の誘電体基板５の誘電率を適当に選ぶことにより特定
のビーム走査方向で軸比（だ円偏波の最大電界強度と最
小電界強度の比）を小さくすることができる。
【００５３】基本モードで励振されたＭＳＡの軸比は正
面方向がもっとも小さくなる。一方、高次モードで励振
されたＭＳＡの軸比は、誘電体基板５の誘電率を変化さ
せることによってその素子パターンのピーク位置が変化
するので、軸比のもっとも小さい位置も変化する。所望
の方向で軸比が小さくなるように誘電率を適当に選択す
ることができる。
面方向がもっとも小さくなる。一方、高次モードで励振
されたＭＳＡの軸比は、誘電体基板５の誘電率を変化さ
せることによってその素子パターンのピーク位置が変化
するので、軸比のもっとも小さい位置も変化する。所望
の方向で軸比が小さくなるように誘電率を適当に選択す
ることができる。
【００５４】具体的にはたとえば次のように行う。図１
４はマイクロストリップアンテナにおける所望角度で軸
比が０ｄＢとなる誘電率の関係を示すグラフである。同
図において、２７は基本モード（ＴＭ11）で励振される
素子アンテナ３ａが配置されている誘電体基板２の誘電
率を、２８は高次モード（ＴＭ21）で励振される素子ア
ンテナ４ｂが配置されている誘電体基板５の誘電率をそ
れぞれ示す。図１４からわかるように特定の角度で軸比
を最小にする誘電率が存在する。たとえば、３０度にお
いて誘電体基板２、５の誘電率をそれぞれ１．７，１．
４５に、６０度において誘電体基板２、５の誘電率をそ
れぞれ１．４，１．３に、９０度において誘電体基板
２、５の誘電率をそれぞれ１．０，１．０にすればよ
い。よって、誘電体基板５の誘電率をこの軸比を最小に
する誘電率に選べば、特定の角度で軸比を小さくするこ
とができる。
４はマイクロストリップアンテナにおける所望角度で軸
比が０ｄＢとなる誘電率の関係を示すグラフである。同
図において、２７は基本モード（ＴＭ11）で励振される
素子アンテナ３ａが配置されている誘電体基板２の誘電
率を、２８は高次モード（ＴＭ21）で励振される素子ア
ンテナ４ｂが配置されている誘電体基板５の誘電率をそ
れぞれ示す。図１４からわかるように特定の角度で軸比
を最小にする誘電率が存在する。たとえば、３０度にお
いて誘電体基板２、５の誘電率をそれぞれ１．７，１．
４５に、６０度において誘電体基板２、５の誘電率をそ
れぞれ１．４，１．３に、９０度において誘電体基板
２、５の誘電率をそれぞれ１．０，１．０にすればよ
い。よって、誘電体基板５の誘電率をこの軸比を最小に
する誘電率に選べば、特定の角度で軸比を小さくするこ
とができる。
【００５５】なお、高次モードで励振された素子アンテ
ナにおける誘電率εr によるビーム方向の定性的な変化
を図１５に示す。同図によれば、誘電率εr が大きくな
ればθ＝０°軸に対称に現れる２つのピークは、いずれ
もθが大きくなる方向（グラフでは外側）に移動する。
ナにおける誘電率εr によるビーム方向の定性的な変化
を図１５に示す。同図によれば、誘電率εr が大きくな
ればθ＝０°軸に対称に現れる２つのピークは、いずれ
もθが大きくなる方向（グラフでは外側）に移動する。
【００５６】したがって、誘電体基板５の誘電率を適当
に選択することにより、所望の角度方向での高次モード
で励振されたＭＳＡの軸比は基本モードで励振された場
合に比べて小さくなり、アンテナ全体としてすべてが基
本モード励振である場合に比べ軸比を小さくすることが
できる。
に選択することにより、所望の角度方向での高次モード
で励振されたＭＳＡの軸比は基本モードで励振された場
合に比べて小さくなり、アンテナ全体としてすべてが基
本モード励振である場合に比べ軸比を小さくすることが
できる。
【００５７】発明の実施の形態５．図１６はこの発明の
発明の実施の形態５のアンテナ装置を示す図である。図
１６（ａ）は上面図、図１６（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図
である。同図において１は地導体、２は第１の誘電体基
板、３ａは基本モードで励振された素子アンテナ、ここ
では良く使用されるＴＭ１１モードで励振された円形マ
イクロストリップアンテナ（以下「基本ＭＳＡ」）、４
ｃは低仰角方向に主ビームを有するプリントされた八木
アンテナ（以下「ＰＹＡ」）、５は第２の誘電体基板で
ある。第１の誘電体基板上に形成された基ＭＳＡをアレ
ー開口の中心部に配置し、第２の誘電体基板上に構成さ
れたＰＹＡを開口周辺部に配置した構成となっている。
この発明の実施の形態５は、発明の実施の形態３と発明
の実施の形態４とを組み合わせたものである。
発明の実施の形態５のアンテナ装置を示す図である。図
１６（ａ）は上面図、図１６（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図
である。同図において１は地導体、２は第１の誘電体基
板、３ａは基本モードで励振された素子アンテナ、ここ
では良く使用されるＴＭ１１モードで励振された円形マ
イクロストリップアンテナ（以下「基本ＭＳＡ」）、４
ｃは低仰角方向に主ビームを有するプリントされた八木
アンテナ（以下「ＰＹＡ」）、５は第２の誘電体基板で
ある。第１の誘電体基板上に形成された基ＭＳＡをアレ
ー開口の中心部に配置し、第２の誘電体基板上に構成さ
れたＰＹＡを開口周辺部に配置した構成となっている。
この発明の実施の形態５は、発明の実施の形態３と発明
の実施の形態４とを組み合わせたものである。
【００５８】次に、発明の実施の形態５の動作について
説明する。発明の実施の形態３と同様にビーム走査位相
を与えた場合、この配置の合成電界ベクトルは、基ＭＳ
Ａのみの合成電界ベクトルより大きくなる。また開口周
辺部の第２の誘電体の誘電率を適当に選ぶことにより特
定のビーム走査方向で軸比を小さくすることができる。
説明する。発明の実施の形態３と同様にビーム走査位相
を与えた場合、この配置の合成電界ベクトルは、基ＭＳ
Ａのみの合成電界ベクトルより大きくなる。また開口周
辺部の第２の誘電体の誘電率を適当に選ぶことにより特
定のビーム走査方向で軸比を小さくすることができる。
【００５９】以上のようにこの発明の実施の形態５のア
ンテナ装置によれば、中心に基本ＭＳＡが、周辺にＰＹ
Ａが配置されているので、ビーム走査角が大きいときで
も利得の低下を抑制することができる。さらに、誘電体
基板５の誘電率を適当に選択することにより軸比を改善
することができる。
ンテナ装置によれば、中心に基本ＭＳＡが、周辺にＰＹ
Ａが配置されているので、ビーム走査角が大きいときで
も利得の低下を抑制することができる。さらに、誘電体
基板５の誘電率を適当に選択することにより軸比を改善
することができる。
【００６０】発明の実施の形態６．図１７はこの発明の
発明の実施の形態６のアンテナ装置を示す図である。図
１７（ａ）は上面図、図１７（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図
である。同図において、１は地導体、６は基本モードで
励振された線条アンテナ、ここでは良く用いられるヘリ
カルアンテナ（以下「基ＨＡ」）、７は高次モードで励
振されたヘリカルアンテナ（以下「高ＨＡ」）である。
図１７のアンテナ装置は、１５個の基ＨＡをアレー開口
の中心部に配置し、２０個の高ＨＡを開口周辺部に配置
した構成となっている。
発明の実施の形態６のアンテナ装置を示す図である。図
１７（ａ）は上面図、図１７（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図
である。同図において、１は地導体、６は基本モードで
励振された線条アンテナ、ここでは良く用いられるヘリ
カルアンテナ（以下「基ＨＡ」）、７は高次モードで励
振されたヘリカルアンテナ（以下「高ＨＡ」）である。
図１７のアンテナ装置は、１５個の基ＨＡをアレー開口
の中心部に配置し、２０個の高ＨＡを開口周辺部に配置
した構成となっている。
【００６１】発明の実施の形態６の動作について説明す
る。発明の実施の形態２と同様にビーム走査位相を与え
た場合、この配置の合成電界ベクトルは、基ＨＡのみの
合成電界ベクトルより大きくなる。
る。発明の実施の形態２と同様にビーム走査位相を与え
た場合、この配置の合成電界ベクトルは、基ＨＡのみの
合成電界ベクトルより大きくなる。
【００６２】以上のようにこの発明の実施の形態６のア
ンテナ装置によれば、中心に基ＨＡが、周辺に高ＨＡが
配置されているので、ビーム走査角が大きいときでも利
得の低下を抑制することができる。
ンテナ装置によれば、中心に基ＨＡが、周辺に高ＨＡが
配置されているので、ビーム走査角が大きいときでも利
得の低下を抑制することができる。
【００６３】発明の実施の形態７．図１８はこの発明の
実施の形態７のアンテナ装置を示す図である。図１８は
その上面図である。同図において、８は矩形放射スロッ
ト（以下「基ＳＡ」）、９は放射スロットであり、ここ
では長手方向に直交する方向を絞ったダンベル形状のス
ロット（以下「ＤＳＡ」）としている。このアンテナ装
置は、この基ＳＡを開口の中央に配置し、ＤＳＡを開口
周辺部に配置した構成となっている。
実施の形態７のアンテナ装置を示す図である。図１８は
その上面図である。同図において、８は矩形放射スロッ
ト（以下「基ＳＡ」）、９は放射スロットであり、ここ
では長手方向に直交する方向を絞ったダンベル形状のス
ロット（以下「ＤＳＡ」）としている。このアンテナ装
置は、この基ＳＡを開口の中央に配置し、ＤＳＡを開口
周辺部に配置した構成となっている。
【００６４】発明の実施の形態７の動作について説明す
る。スロットアンテナにおいて、長手方向に直交する方
向を絞った形状にすることにより等価的に直列インダク
タンスが装荷されたこととなる。従って物理的スロット
長が短くなり、ビーム幅が広い放射パターンとなる。し
たがって、発明の実施の形態２と同様にビーム走査位相
を与えた場合、この配置の合成電界ベクトルは、基ＳＡ
のみの合成電界ベクトルより大きくなる。
る。スロットアンテナにおいて、長手方向に直交する方
向を絞った形状にすることにより等価的に直列インダク
タンスが装荷されたこととなる。従って物理的スロット
長が短くなり、ビーム幅が広い放射パターンとなる。し
たがって、発明の実施の形態２と同様にビーム走査位相
を与えた場合、この配置の合成電界ベクトルは、基ＳＡ
のみの合成電界ベクトルより大きくなる。
【００６５】以上のようにこの発明の実施の形態７のア
ンテナ装置によれば、中心に基ＳＡが、周辺にＤＳＡが
配置されているので、ビーム走査角が大きいときでも利
得の低下を抑制することができる。
ンテナ装置によれば、中心に基ＳＡが、周辺にＤＳＡが
配置されているので、ビーム走査角が大きいときでも利
得の低下を抑制することができる。
【００６６】発明の実施の形態８．図１９はこの発明の
発明の実施の形態８のアンテナ装置を示す図であり、図
１９（ａ）は上面図、図１９（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図
である。同図において、１は地導体、６は基本モードで
励振された線条アンテナ、ここでは良く用いられている
ヘリカルアンテナ（以下「基ＨＡ」）、７は高次モード
で励振されたヘリカルアンテナ（以下「高ＨＡ」）であ
る。基ＨＡ６のうち中心部の基ＨＡ６−３の高さは他の
基ＨＡ６−１、２、４、５よりも高い。基ＨＡ６−１、
２、４、５の高さは高ＨＡ７−１、７−２よりも高い。
このアンテナ装置は、基ＨＡ６を開口の中央に配置し高
ＨＡ７を開口周辺部に配置した構成となっている。
発明の実施の形態８のアンテナ装置を示す図であり、図
１９（ａ）は上面図、図１９（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図
である。同図において、１は地導体、６は基本モードで
励振された線条アンテナ、ここでは良く用いられている
ヘリカルアンテナ（以下「基ＨＡ」）、７は高次モード
で励振されたヘリカルアンテナ（以下「高ＨＡ」）であ
る。基ＨＡ６のうち中心部の基ＨＡ６−３の高さは他の
基ＨＡ６−１、２、４、５よりも高い。基ＨＡ６−１、
２、４、５の高さは高ＨＡ７−１、７−２よりも高い。
このアンテナ装置は、基ＨＡ６を開口の中央に配置し高
ＨＡ７を開口周辺部に配置した構成となっている。
【００６７】発明の実施の形態８の動作について説明す
る。今まで述べたように励振するモードを変えることに
より振幅分布は異なる。これら振幅分布の異なった素子
を配置し、特に開口中央部で基本モードの配置密度を大
きくし、開口周辺部に高次モードの素子の配置密度を大
きくすることにより中央部で振幅が大きく、エッジで小
さくなるようにテーラー分布等均一分布以外の分布をつ
けることが可能となり正面方向の近軸ではいわゆる低サ
イドローブ特性を実現できる。合成後のパターンを図２
０に示す。
る。今まで述べたように励振するモードを変えることに
より振幅分布は異なる。これら振幅分布の異なった素子
を配置し、特に開口中央部で基本モードの配置密度を大
きくし、開口周辺部に高次モードの素子の配置密度を大
きくすることにより中央部で振幅が大きく、エッジで小
さくなるようにテーラー分布等均一分布以外の分布をつ
けることが可能となり正面方向の近軸ではいわゆる低サ
イドローブ特性を実現できる。合成後のパターンを図２
０に示す。
【００６８】
【発明の効果】以上のように、請求項１ないし請求項９
のアンテナ装置によれば、低仰角における利得が高い第
２の素子アンテナを第１の素子アンテナの周囲に配置し
たので、低仰角における合成ビームの利得が高くなり、
ビーム走査時に利得低下が小さくなる。
のアンテナ装置によれば、低仰角における利得が高い第
２の素子アンテナを第１の素子アンテナの周囲に配置し
たので、低仰角における合成ビームの利得が高くなり、
ビーム走査時に利得低下が小さくなる。
【００６９】また、請求項１０のアンテナ装置によれ
ば、誘電体を第１の素子アンテナが設けられる第１の誘
電体と第２の素子アンテナが設けられる第２の誘電体と
から構成したので、２種類の誘電体それぞれの誘電率を
適当に選択することにより、さらに、軸比の良好なアン
テナが得られる効果がある。
ば、誘電体を第１の素子アンテナが設けられる第１の誘
電体と第２の素子アンテナが設けられる第２の誘電体と
から構成したので、２種類の誘電体それぞれの誘電率を
適当に選択することにより、さらに、軸比の良好なアン
テナが得られる効果がある。
【００７０】また、請求項１１のアンテナ装置によれ
ば、基本モードの線条放射素子と高次モードで励振した
線条放射素子の配置密度をテーラ分布を形成するように
配置したので、さらに、低サイドローブ特性のアンテナ
を得られる効果がある。
ば、基本モードの線条放射素子と高次モードで励振した
線条放射素子の配置密度をテーラ分布を形成するように
配置したので、さらに、低サイドローブ特性のアンテナ
を得られる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１のアンテナ装置の上
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１に係る素子アンテナ
の電流分布図及び素子パターン図である。
の電流分布図及び素子パターン図である。
【図３】 素子電界ベクトルの合成を説明するための合
成ベクトル図である。
成ベクトル図である。
【図４】 この発明の実施の形態１の素子アンテナの配
列とそれら素子パターンとの関係を示す図である。
列とそれら素子パターンとの関係を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態１のアンテナ装置によ
り合成されたビームのパターンである。
り合成されたビームのパターンである。
【図６】 この発明の実施の形態１のアンテナ装置の素
子アンテナの他の配置を示す図である。
子アンテナの他の配置を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態２のアンテナ装置の上
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態２に係る素子アンテナ
の電流分布図及び素子パターン図である。
の電流分布図及び素子パターン図である。
【図９】 この発明の実施の形態２に係る素子パターン
の合成の説明図である。
の合成の説明図である。
【図１０】 この発明の実施の形態２のアンテナ装置に
より合成されたビームのパターンである。
より合成されたビームのパターンである。
【図１１】 この発明の実施の形態３のアンテナ装置の
上面図及び断面図である。
上面図及び断面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態３に係る素子アンテ
ナの主ビーム方向を示す図及び素子パターン図である。
ナの主ビーム方向を示す図及び素子パターン図である。
【図１３】 この発明の実施の形態４のアンテナ装置の
上面図及び断面図である。
上面図及び断面図である。
【図１４】 この発明の実施の形態４に係る誘電体基板
の誘電率を選択するための説明図である。
の誘電率を選択するための説明図である。
【図１５】 この発明の実施の形態４に係る高次モード
で励振される素子アンテナのパターンの誘電率の変化に
伴う変化の説明図である。
で励振される素子アンテナのパターンの誘電率の変化に
伴う変化の説明図である。
【図１６】 この発明の実施の形態５のアンテナ装置の
上面図及び断面図である。
上面図及び断面図である。
【図１７】 この発明の実施の形態６のアンテナ装置の
上面図及び断面図である。
上面図及び断面図である。
【図１８】 この発明の実施の形態７のアンテナ装置の
上面図である。
上面図である。
【図１９】 この発明の実施の形態８のアンテナ装置の
上面図及び断面図である。
上面図及び断面図である。
【図２０】 この発明の実施の形態８のアンテナ装置に
より合成されたビームのパターンである。
より合成されたビームのパターンである。
【図２１】 従来のアンテナ装置の概略構成図である。
【図２２】 従来のアンテナ装置の概略構成図である。
１ 地導体板、２ 誘電体基板、３ 第１の放射導体
板、４ 第２の放射導体板、５ 第２の誘電体基板、６
第１の線条放射素子、７ 第２の線条放射素子、８
第１の矩形放射スロット、９ 第２のダンベル形放射ス
ロット。
板、４ 第２の放射導体板、５ 第２の誘電体基板、６
第１の線条放射素子、７ 第２の線条放射素子、８
第１の矩形放射スロット、９ 第２のダンベル形放射ス
ロット。
Claims (11)
- 【請求項１】 地導体上に設けられた誘電体と、この誘
電体上に平面状に配置された複数の素子アンテナとを備
えたアンテナ装置において、 上記複数の素子アンテナを、互いに異なる放射指向性を
有する第１の素子アンテナと第２の素子アンテナとから
構成するとともに、上記第１の素子アンテナを中心に配
置し、上記第２の素子アンテナを周辺に配置したことを
特徴とするアンテナ装置。 - 【請求項２】 上記第２の素子アンテナの放射指向性
を、上記第１の素子アンテナの放射指向性よりも広くし
たことを特徴とする請求項１記載のアンテナ装置。 - 【請求項３】 上記第２の素子アンテナに電流方向に対
して直列にインダクタンスを装荷して上記放射指向性を
得たことを特徴とする請求項２記載のアンテナ装置。 - 【請求項４】 上記第１の素子アンテナを矩形スロット
により構成するとともに、上記第２の素子アンテナを長
手方向に直交する方向の幅を狭くしたスロットにより構
成したことを特徴とする請求項２記載のアンテナ装置。 - 【請求項５】 上記第２の素子アンテナの放射指向性
を、低仰角における利得が高くなる双峰特性としたこと
を特徴とする請求項１記載のアンテナ装置。 - 【請求項６】 上記第２の素子アンテナを高次モードで
励振して上記放射指向性を得たことを特徴とする請求項
５記載のアンテナ装置。 - 【請求項７】 上記第２の素子アンテナの放射指向性
を、低仰角方向に主ビームを有する特性としたことを特
徴とする請求項１記載のアンテナ装置。 - 【請求項８】 上記第２の素子アンテナを上記誘電体上
に印刷された八木アンテナとしたことを特徴とする請求
項７記載のアンテナ装置。 - 【請求項９】 上記第１の素子アンテナを基本モードで
励振される第１の線条放射素子とし、上記第２の素子ア
ンテナを高次モードで励振される第２の線条放射素子と
したことを特徴とする請求項１記載のアンテナ装置。 - 【請求項１０】 上記第１の線条放射素子の利得を、上
記第２の線条放射素子の利得よりも高くしたことを特徴
とする請求項９記載のアンテナ装置。 - 【請求項１１】 上記誘電体を、上記第１の素子アンテ
ナが配置される第１の誘電体と、上記第２の素子アンテ
ナが配置される第２の誘電体とから構成し、上記第１の
誘電体の誘電率と上記第２の誘電体の誘電率とを異なら
せたことを特徴とする請求項１ないし請求項１０いずれ
かに記載のアンテナ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28580195A JPH09130139A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | アンテナ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28580195A JPH09130139A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | アンテナ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09130139A true JPH09130139A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17696263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28580195A Pending JPH09130139A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | アンテナ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09130139A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000124727A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Hitachi Chem Co Ltd | ビームスキャン用平面アンテナ |
| JP2004260554A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Nippon Soken Inc | 侵入センサ用アンテナ |
| JP2006308409A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Ono Sokki Co Ltd | 音響計測装置 |
| JP2007135178A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-31 | Tatung Co | 部分反射面アンテナ |
| JP2012065323A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America Inc | テーパーアレイを有するアンテナ |
| JP2014179985A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Intel Corp | サブアレイを有する単一パッケージフェイズドアレイモジュール |
| KR101881308B1 (ko) * | 2018-04-13 | 2018-07-24 | 한화시스템(주) | 피아식별장치 안테나용 전력분배기 |
| KR101886857B1 (ko) * | 2018-05-04 | 2018-08-09 | 한화시스템(주) | 피아식별장치 안테나용 전력분배기 |
| JPWO2022014053A1 (ja) * | 2020-07-17 | 2022-01-20 |
-
1995
- 1995-11-02 JP JP28580195A patent/JPH09130139A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000124727A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Hitachi Chem Co Ltd | ビームスキャン用平面アンテナ |
| JP2004260554A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Nippon Soken Inc | 侵入センサ用アンテナ |
| JP2006308409A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Ono Sokki Co Ltd | 音響計測装置 |
| JP2007135178A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-31 | Tatung Co | 部分反射面アンテナ |
| JP2012065323A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America Inc | テーパーアレイを有するアンテナ |
| US9413079B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-08-09 | Intel Corporation | Single-package phased array module with interleaved sub-arrays |
| JP2014179985A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Intel Corp | サブアレイを有する単一パッケージフェイズドアレイモジュール |
| CN108682956A (zh) * | 2013-03-13 | 2018-10-19 | 英特尔公司 | 具有交错子阵列的单封装相控阵模块 |
| US10263346B2 (en) | 2013-03-13 | 2019-04-16 | Intel Corporation | Single-package phased array module with interleaved sub-arrays |
| KR101881308B1 (ko) * | 2018-04-13 | 2018-07-24 | 한화시스템(주) | 피아식별장치 안테나용 전력분배기 |
| KR101886857B1 (ko) * | 2018-05-04 | 2018-08-09 | 한화시스템(주) | 피아식별장치 안테나용 전력분배기 |
| JPWO2022014053A1 (ja) * | 2020-07-17 | 2022-01-20 | ||
| WO2022014053A1 (ja) * | 2020-07-17 | 2022-01-20 | 三菱電機株式会社 | アンテナ装置及びアレーアンテナ装置 |
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