JPH09129558A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH09129558A JPH09129558A JP7281543A JP28154395A JPH09129558A JP H09129558 A JPH09129558 A JP H09129558A JP 7281543 A JP7281543 A JP 7281543A JP 28154395 A JP28154395 A JP 28154395A JP H09129558 A JPH09129558 A JP H09129558A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコン基板上への高真空CVD法によるシリ
コン膜あるいはシリコン−ゲルマニウム合金膜のエピタ
キシャル成長において、フッ化水素水溶液による前処理
によって基板表面の酸化膜を除去した場合であっても、
エピタキシャル膜−シリコン基板界面に高濃度で炭素が
存在することがないようにする。 【解決手段】エピタキシャル成長時の成長温度を650
℃以上800℃以下とする。この条件とすることによ
り、エピタキシャル成長時に成長表面第1層のシリコン
原子3と第2層の炭素原子2との入れ替わりが起こっ
て、炭素原子2がエピタキシャル膜4の成長表面に迫り
上がり、成長表面に偏析するようになる。したがって、
エピタキシャル膜4とシリコン基板1との界面での炭素
濃度が低減する。
コン膜あるいはシリコン−ゲルマニウム合金膜のエピタ
キシャル成長において、フッ化水素水溶液による前処理
によって基板表面の酸化膜を除去した場合であっても、
エピタキシャル膜−シリコン基板界面に高濃度で炭素が
存在することがないようにする。 【解決手段】エピタキシャル成長時の成長温度を650
℃以上800℃以下とする。この条件とすることによ
り、エピタキシャル成長時に成長表面第1層のシリコン
原子3と第2層の炭素原子2との入れ替わりが起こっ
て、炭素原子2がエピタキシャル膜4の成長表面に迫り
上がり、成長表面に偏析するようになる。したがって、
エピタキシャル膜4とシリコン基板1との界面での炭素
濃度が低減する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、シリコン単結晶基板上に化学気相成
長(CVD; chemical vapor deposition)法によって
エピタキシャル膜を形成する方法に関する。
方法に関し、特に、シリコン単結晶基板上に化学気相成
長(CVD; chemical vapor deposition)法によって
エピタキシャル膜を形成する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体基板上へのシリコン(Si)エピ
タキシャル膜及びシリコン−ゲルマニウム(SiGe)
合金エピタキシャル膜の成長に、チャンバー(反応容
器)内の圧力を例えば10-9Torr以下とすることが
できる高真空CVD(UHV−CVD;Ultrahigh vacu
um CVD)装置が用いられるようになってきている。高真
空CVD装置を用いることにより、チャンバー内の酸素
分圧を抑えることができ、600℃近辺の比較的低温で
のエピタキシャル成長を可能にしている。
タキシャル膜及びシリコン−ゲルマニウム(SiGe)
合金エピタキシャル膜の成長に、チャンバー(反応容
器)内の圧力を例えば10-9Torr以下とすることが
できる高真空CVD(UHV−CVD;Ultrahigh vacu
um CVD)装置が用いられるようになってきている。高真
空CVD装置を用いることにより、チャンバー内の酸素
分圧を抑えることができ、600℃近辺の比較的低温で
のエピタキシャル成長を可能にしている。
【0003】シリコン基板上にシリコン膜等をエピタキ
シャル成長させるためには、その成長前にシリコン基板
上のシリコン酸化膜を除去する前処理を行わなければな
らない。高真空CVD法を用いる場合には、従来、高真
空中での熱処理を行って酸化シリコンとシリコン基板と
を反応させて揮発性の高いSiO原子を生成させること
により、シリコン酸化膜を気化・除去する前処理方法を
用いている。このときの熱処理には900℃以上の温度
が必要であるため、エピタキシャル成長自体は比較的低
温で行えるものの、プロセス全体としての最高温度が高
くなっている。この900℃という温度は、ボロン
(B)やリン(P)など半導体基板の導電型を制御する
ために添加された不純物が拡散するのに十分な温度であ
る。これまではこの前処理によってボロンやリンなどが
拡散する距離はデバイスサイズに比べて十分に小さく、
問題とはなっていなかったが、デバイスの微細化ととも
に接合深さが浅くなり、前処理時の不純物の拡散がデバ
イス作成上の問題とされるようになってきた。このた
め、低温でシリコン酸化膜を除去するプロセスが必要と
なり、室温でフッ化水素(HF)水溶液にシリコン基板
を除去する前処理方法が検討されている。フッ化水素水
溶液での前処理後に高真空CVD装置でエピタキシャル
成長を行うことにより、電子顕微鏡や選択エッチング観
察で欠陥の見つからないエピタキシャル膜が得られてい
る。
シャル成長させるためには、その成長前にシリコン基板
上のシリコン酸化膜を除去する前処理を行わなければな
らない。高真空CVD法を用いる場合には、従来、高真
空中での熱処理を行って酸化シリコンとシリコン基板と
を反応させて揮発性の高いSiO原子を生成させること
により、シリコン酸化膜を気化・除去する前処理方法を
用いている。このときの熱処理には900℃以上の温度
が必要であるため、エピタキシャル成長自体は比較的低
温で行えるものの、プロセス全体としての最高温度が高
くなっている。この900℃という温度は、ボロン
(B)やリン(P)など半導体基板の導電型を制御する
ために添加された不純物が拡散するのに十分な温度であ
る。これまではこの前処理によってボロンやリンなどが
拡散する距離はデバイスサイズに比べて十分に小さく、
問題とはなっていなかったが、デバイスの微細化ととも
に接合深さが浅くなり、前処理時の不純物の拡散がデバ
イス作成上の問題とされるようになってきた。このた
め、低温でシリコン酸化膜を除去するプロセスが必要と
なり、室温でフッ化水素(HF)水溶液にシリコン基板
を除去する前処理方法が検討されている。フッ化水素水
溶液での前処理後に高真空CVD装置でエピタキシャル
成長を行うことにより、電子顕微鏡や選択エッチング観
察で欠陥の見つからないエピタキシャル膜が得られてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高真空
CVD法によるエピタキシャル膜成長に対する前処理と
してフッ化水素水溶液による処理を用いた場合、シリコ
ン基板表面の炭素不純物が除去されず、膜成長後にエピ
タキシャル膜とシリコン基板との界面に炭素が高濃度で
存在してしまうという問題点が生じる。これは、フッ化
水素水溶液での処理では、シリコン基板に対して炭素汚
染の除去が難しいことに起因している。高温、高真空中
での熱処理によってシリコン酸化膜を除去する前処理法
では、シリコン酸化膜上に付着している炭素原子が酸素
原子と結合して気化することにより除去されるので、エ
ピタキシャル膜−シリコン基板界面に炭素が残存すると
いう問題は生じなかった。一方、フッ化水素水溶液によ
る前処理を行った場合には、シリコン基板表面に炭素と
結合し得る酸素が存在しないために炭素が脱離せず、こ
の前処理後に熱処理を行っても炭素は脱離しない。その
ために、引き続きエピタキシャル成長を行うと、界面に
炭素が残ってしまうのである。
CVD法によるエピタキシャル膜成長に対する前処理と
してフッ化水素水溶液による処理を用いた場合、シリコ
ン基板表面の炭素不純物が除去されず、膜成長後にエピ
タキシャル膜とシリコン基板との界面に炭素が高濃度で
存在してしまうという問題点が生じる。これは、フッ化
水素水溶液での処理では、シリコン基板に対して炭素汚
染の除去が難しいことに起因している。高温、高真空中
での熱処理によってシリコン酸化膜を除去する前処理法
では、シリコン酸化膜上に付着している炭素原子が酸素
原子と結合して気化することにより除去されるので、エ
ピタキシャル膜−シリコン基板界面に炭素が残存すると
いう問題は生じなかった。一方、フッ化水素水溶液によ
る前処理を行った場合には、シリコン基板表面に炭素と
結合し得る酸素が存在しないために炭素が脱離せず、こ
の前処理後に熱処理を行っても炭素は脱離しない。その
ために、引き続きエピタキシャル成長を行うと、界面に
炭素が残ってしまうのである。
【0005】図4は、フッ化水素水溶液による前処理後
にシリコン基板上に成長させたシリコンエピタキシャル
膜中の炭素のSIMS(Secondary Ion Mass Spectrosc
opy;二次イオン質量分析)によるプロファイルであ
る。図において深さは、エピタキシャル膜表面からの距
離である。エピタキシャル成長は、高真空CVD法によ
り、温度625℃、圧力5×10-4Torrの条件で、
原料ガスとしてSi2H6を用いて行った。エピタキシャ
ル膜とシリコン基板との界面に、5×1019cm -3とい
う高い濃度で炭素が存在していることが分かる。この界
面に炭素が高濃度存在すると欠陥が生じ、PN接合での
リーク電流の増大などデバイスの電気特性に悪影響を与
えるという問題点が生じる。
にシリコン基板上に成長させたシリコンエピタキシャル
膜中の炭素のSIMS(Secondary Ion Mass Spectrosc
opy;二次イオン質量分析)によるプロファイルであ
る。図において深さは、エピタキシャル膜表面からの距
離である。エピタキシャル成長は、高真空CVD法によ
り、温度625℃、圧力5×10-4Torrの条件で、
原料ガスとしてSi2H6を用いて行った。エピタキシャ
ル膜とシリコン基板との界面に、5×1019cm -3とい
う高い濃度で炭素が存在していることが分かる。この界
面に炭素が高濃度存在すると欠陥が生じ、PN接合での
リーク電流の増大などデバイスの電気特性に悪影響を与
えるという問題点が生じる。
【0006】本発明の目的は、シリコン基板上への高真
空CVD法によるエピタキシャル膜形成において、フッ
化水素水溶液による前処理を行った場合であってもエピ
タキシャル膜とシリコン基板との界面に高濃度で炭素が
存在することがないようにすることである。
空CVD法によるエピタキシャル膜形成において、フッ
化水素水溶液による前処理を行った場合であってもエピ
タキシャル膜とシリコン基板との界面に高濃度で炭素が
存在することがないようにすることである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、高真空CVD
法によるエピタキシャル膜成長に際し、成長温度を72
5℃の近傍のある範囲の温度とすることにより、単結晶
シリコン基板の表面に存在していた炭素原子がエピタキ
シャル膜表面側に迫り上がる現象が発生してエピタキシ
ャル膜−シリコン基板界面の炭素濃度が減少するとい
う、本発明者による新たな知見に基づいてなされたもの
である。すなわち本発明の半導体装置の製造方法は、高
真空化学気相成長法によってシリコン基板上にエピタキ
シャル膜を形成する半導体装置の製造方法において、フ
ッ化水素水溶液を用いてシリコン基板表面のシリコン酸
化膜を除去し、そののち、650℃以上800℃以下の
成長温度でエピタキシャル膜をシリコン基板表面に成長
させることを特徴とする。
法によるエピタキシャル膜成長に際し、成長温度を72
5℃の近傍のある範囲の温度とすることにより、単結晶
シリコン基板の表面に存在していた炭素原子がエピタキ
シャル膜表面側に迫り上がる現象が発生してエピタキシ
ャル膜−シリコン基板界面の炭素濃度が減少するとい
う、本発明者による新たな知見に基づいてなされたもの
である。すなわち本発明の半導体装置の製造方法は、高
真空化学気相成長法によってシリコン基板上にエピタキ
シャル膜を形成する半導体装置の製造方法において、フ
ッ化水素水溶液を用いてシリコン基板表面のシリコン酸
化膜を除去し、そののち、650℃以上800℃以下の
成長温度でエピタキシャル膜をシリコン基板表面に成長
させることを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図1(a)〜(c)は、表面に
存在するシリコン酸化膜をフッ化水素水溶液による処理
によって除去したシリコン基板1における、エピタキシ
ャル成長中の炭素原子の迫り上がりを説明する図であ
る。
て、図面を参照して説明する。図1(a)〜(c)は、表面に
存在するシリコン酸化膜をフッ化水素水溶液による処理
によって除去したシリコン基板1における、エピタキシ
ャル成長中の炭素原子の迫り上がりを説明する図であ
る。
【0009】エピタキシャル成長の開始前には、図1
(a)に示すように、シリコン基板1の表面に炭素原子2
が付着している。エピタキシャル膜4の成長を開始する
と、図1(b)に示すように、シリコン基板1上にシリコ
ン原子3が被着する。ここで炭素原子の迫り上がりと
は、図1(c)に示すように、エピタキシャル膜4の成長
中に、シリコン基板1上に成長したシリコン原子3とそ
の下の炭素原子2が入れ替わり、炭素原子2が成長表面
に偏析(segregation)する現象をいう。本発明者は、今
回、ある条件のもとでこの迫り上がり現象が発生し、そ
の結果としてエピタキシャル膜−シリコン基板界面の炭
素濃度が低減することを見い出した。具滝的に言えば、
迫り上がりには、シリコン原子と炭素原子の入れ替わり
のための障壁エネルギーを越すために650℃以上の成
長温度が必要であり、一方、成長温度が800℃を越え
るとシリコンと炭素が反応するようになって迫り上がり
が起こらなくなることを見い出した。したがって、65
0℃以上800℃以下の限られた範囲でのみ炭素の迫り
上がりが起こる。
(a)に示すように、シリコン基板1の表面に炭素原子2
が付着している。エピタキシャル膜4の成長を開始する
と、図1(b)に示すように、シリコン基板1上にシリコ
ン原子3が被着する。ここで炭素原子の迫り上がりと
は、図1(c)に示すように、エピタキシャル膜4の成長
中に、シリコン基板1上に成長したシリコン原子3とそ
の下の炭素原子2が入れ替わり、炭素原子2が成長表面
に偏析(segregation)する現象をいう。本発明者は、今
回、ある条件のもとでこの迫り上がり現象が発生し、そ
の結果としてエピタキシャル膜−シリコン基板界面の炭
素濃度が低減することを見い出した。具滝的に言えば、
迫り上がりには、シリコン原子と炭素原子の入れ替わり
のための障壁エネルギーを越すために650℃以上の成
長温度が必要であり、一方、成長温度が800℃を越え
るとシリコンと炭素が反応するようになって迫り上がり
が起こらなくなることを見い出した。したがって、65
0℃以上800℃以下の限られた範囲でのみ炭素の迫り
上がりが起こる。
【0010】迫り上がりの程度は、エピタキシャル膜成
長表面第1層のシリコン原子と第2層の炭素原子との入
れ替わりの速度と、エピタキシャル膜の成長速度の相対
比で決定されることも見い出した。したがって、膜の成
長速度が大きい条件下では、炭素の迫り上がりが見られ
なくなってエピタキシャル膜−シリコン基板界面の炭素
濃度の低減が達成されない。逆に、原料ガスの分圧を小
さくして成長速度を抑えることで、炭素の迫り上がりが
促進される。この観点から、本発明を実施する場合に
は、成長時の圧力を5×10-4Torr以下とすること
が好ましい。
長表面第1層のシリコン原子と第2層の炭素原子との入
れ替わりの速度と、エピタキシャル膜の成長速度の相対
比で決定されることも見い出した。したがって、膜の成
長速度が大きい条件下では、炭素の迫り上がりが見られ
なくなってエピタキシャル膜−シリコン基板界面の炭素
濃度の低減が達成されない。逆に、原料ガスの分圧を小
さくして成長速度を抑えることで、炭素の迫り上がりが
促進される。この観点から、本発明を実施する場合に
は、成長時の圧力を5×10-4Torr以下とすること
が好ましい。
【0011】本発明において、エピタキシャル膜は、例
えば、シリコン、あるいはシリコン−ゲルマニウム合金
である。シリコンをエピタキシャル成長させる場合に
は、原料ガスとして例えばジシラン(Si2H6)を使用
し、シリコン−ゲルマニウム合金をエピタキシャル成長
させる場合には、原料ガスとして例えばジシランとゲル
マン(GeH4)の混合ガスを使用する。
えば、シリコン、あるいはシリコン−ゲルマニウム合金
である。シリコンをエピタキシャル成長させる場合に
は、原料ガスとして例えばジシラン(Si2H6)を使用
し、シリコン−ゲルマニウム合金をエピタキシャル成長
させる場合には、原料ガスとして例えばジシランとゲル
マン(GeH4)の混合ガスを使用する。
【0012】
《実施例1》単結晶シリコン(001)基板に対し、フ
ッ化水素酸処理を行って表面のシリコン酸化膜を除去し
た後、高真空CVD装置によってシリコンのエピタキシ
ャル膜成長を700℃で行った。フッ化水素酸処理は、
HF:H2O=1:100の水溶液にシリコン基板を3
0秒間浸し、その後に2分間の水洗を行うことによって
実施した。エピタキシャル膜成長には原料ガスとしてS
i2H6を用い、その分圧を5×10-4Torrとした。
このように成長させたエピタキシャル膜に対し、SIM
Sを用いて深さ方向の炭素濃度の分布を調べた。その結
果を図2に示す。エピタキシャル膜−シリコン基板界面
に炭素のピークは見られるものの、ピーク濃度は、62
5℃で成長させた従来法(図4参照)によるものに比
べ、約1/20に低減されている。炭素プロファイルは
基板表面に向かって指数関数型の裾を引いており、この
裾部の減衰距離は単なる拡散による減衰距離よりもはる
かに長く、炭素が成長中に表面に迫り上がったことが分
かる。この炭素原子の迫り上がりにより、界面の炭素濃
度が減少したと結論付けられる。
ッ化水素酸処理を行って表面のシリコン酸化膜を除去し
た後、高真空CVD装置によってシリコンのエピタキシ
ャル膜成長を700℃で行った。フッ化水素酸処理は、
HF:H2O=1:100の水溶液にシリコン基板を3
0秒間浸し、その後に2分間の水洗を行うことによって
実施した。エピタキシャル膜成長には原料ガスとしてS
i2H6を用い、その分圧を5×10-4Torrとした。
このように成長させたエピタキシャル膜に対し、SIM
Sを用いて深さ方向の炭素濃度の分布を調べた。その結
果を図2に示す。エピタキシャル膜−シリコン基板界面
に炭素のピークは見られるものの、ピーク濃度は、62
5℃で成長させた従来法(図4参照)によるものに比
べ、約1/20に低減されている。炭素プロファイルは
基板表面に向かって指数関数型の裾を引いており、この
裾部の減衰距離は単なる拡散による減衰距離よりもはる
かに長く、炭素が成長中に表面に迫り上がったことが分
かる。この炭素原子の迫り上がりにより、界面の炭素濃
度が減少したと結論付けられる。
【0013】《実施例2》次に、成長時の分圧を実施例
1よりも小さくした。ここでは、エピタキシャル膜をS
i1-xGexとした。成長温度を700℃、Si2H6とG
eH4の分圧をそれぞれ5×10-5Torrとした。図
3は、このようにして成長させたエピタキシャル膜中の
炭素の深さ分布をSIMSで測定した結果を示してい
る。本実施例のエピタキシャル膜では、エピタキシャル
膜−シリコン基板界面に炭素のピークは見られない。こ
れは、成長時の分圧が小さいため成長速度が抑えられ
て、炭素の迫り上がり速度が成長速度に比ベて相対的に
大きくなったためである。これにより、炭素の迫り上が
りが促進されて界面炭素の大部分がエピタキシャル膜表
面に偏析したと考えられる。625℃で成長させた従来
法(図4参照)によるものに比べ、エピタキシャル膜−
シリコン基板界面の炭素濃度が1/100以下に抑えら
れた。
1よりも小さくした。ここでは、エピタキシャル膜をS
i1-xGexとした。成長温度を700℃、Si2H6とG
eH4の分圧をそれぞれ5×10-5Torrとした。図
3は、このようにして成長させたエピタキシャル膜中の
炭素の深さ分布をSIMSで測定した結果を示してい
る。本実施例のエピタキシャル膜では、エピタキシャル
膜−シリコン基板界面に炭素のピークは見られない。こ
れは、成長時の分圧が小さいため成長速度が抑えられ
て、炭素の迫り上がり速度が成長速度に比ベて相対的に
大きくなったためである。これにより、炭素の迫り上が
りが促進されて界面炭素の大部分がエピタキシャル膜表
面に偏析したと考えられる。625℃で成長させた従来
法(図4参照)によるものに比べ、エピタキシャル膜−
シリコン基板界面の炭素濃度が1/100以下に抑えら
れた。
【0014】上述のエピタキシャル膜に対し、950
℃、5分間の熱処理を加え、その後、透過型電子顕微鏡
で観察したところ、炭化ケイ素の析出は検出できなかっ
た。また、本実施例で作成したSi1-xGex膜をNPN
型のHBT(ヘテロバイポーラトランジスタ)のベース
層に適用したところ、コレクタ/ベース間のリーク電流
が低減した。すなわち、従来法によるベース層を有する
HBTに5Vの逆バイアスを印加したところリーク電流
が10-8A/μm2であったのに対し、本実施例を用い
て作成したHBTでは、10-13A/μm2となった。
℃、5分間の熱処理を加え、その後、透過型電子顕微鏡
で観察したところ、炭化ケイ素の析出は検出できなかっ
た。また、本実施例で作成したSi1-xGex膜をNPN
型のHBT(ヘテロバイポーラトランジスタ)のベース
層に適用したところ、コレクタ/ベース間のリーク電流
が低減した。すなわち、従来法によるベース層を有する
HBTに5Vの逆バイアスを印加したところリーク電流
が10-8A/μm2であったのに対し、本実施例を用い
て作成したHBTでは、10-13A/μm2となった。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、650℃
以上800℃以下の成長温度を用いることによって、エ
ピタキシャル膜とシリコン基板との界面の炭素量を著し
く低減すること、例えば1/100以下にすることがで
き、デバイスの特性向上に大いに寄与するという効果が
ある。また、フッ化水素酸水溶液での処理をエピタキシ
ャル膜成長の前処理として用いるので、プロセスでの最
高到達温度を低減でき、ボロンやリンの拡散による悪影
響を防止できるという効果がある。
以上800℃以下の成長温度を用いることによって、エ
ピタキシャル膜とシリコン基板との界面の炭素量を著し
く低減すること、例えば1/100以下にすることがで
き、デバイスの特性向上に大いに寄与するという効果が
ある。また、フッ化水素酸水溶液での処理をエピタキシ
ャル膜成長の前処理として用いるので、プロセスでの最
高到達温度を低減でき、ボロンやリンの拡散による悪影
響を防止できるという効果がある。
【図1】(a)〜(c)は、エピタキシャル膜成長時の炭素原
子の迫り上がりを模式的に説明する断面図である。
子の迫り上がりを模式的に説明する断面図である。
【図2】実施例1のエピタキシャル膜中での炭素の深さ
分布を示す図である。
分布を示す図である。
【図3】実施例2のエピタキシャル膜中での炭素の深さ
分布を示す図である。
分布を示す図である。
【図4】従来の成長条件によるエピタキシャル膜中での
炭素の深さ分布を示す図である。
炭素の深さ分布を示す図である。
1 シリコン基板 2 炭素原子 3 シリコン原子 4 エピタキシャル膜
Claims (5)
- 【請求項1】 高真空化学気相成長法によってシリコン
基板上にエピタキシャル膜を形成する半導体装置の製造
方法において、 フッ化水素水溶液を用いて前記シリコン基板表面のシリ
コン酸化膜を除去し、そののち、650℃以上800℃
以下の成長温度で前記エピタキシャル膜を前記シリコン
基板表面に成長させることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項2】 成長時の圧力が5×10-4Torr以下
である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記シリコン基板表面の面方位が(00
1)である請求項1または2に記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項4】 前記エピタキシャル膜がシリコンまたは
シリコン−ゲルマニウム合金である請求項1または2に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 原料ガスとしてジシラン(Si2H6)を
使用する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方
法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2000001005A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Sony Corporation | Procede de formation d'une couche de silicium monocristallin, procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur |
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CN101365648B (zh) * | 2005-11-23 | 2012-09-26 | 亚利桑那董事会,代表亚利桑那州立大学行事的法人团体 | 硅锗氢化物以及制造和使用其的方法 |
JP5018066B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2012-09-05 | 信越半導体株式会社 | 歪Si基板の製造方法 |
CN101311340B (zh) * | 2008-03-19 | 2010-06-02 | 南京国盛电子有限公司 | 硅反外延片的制造方法及其专用设备 |
CN102453957A (zh) * | 2010-10-25 | 2012-05-16 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 降低锗硅外延表面缺陷的方法 |
CN102465336B (zh) * | 2010-11-05 | 2014-07-09 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种高锗浓度的锗硅外延方法 |
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JPH06232042A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | Si−Ge薄膜の形成方法 |
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TW209253B (ja) * | 1990-09-21 | 1993-07-11 | Nidden Aneruba Kk |
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1995
- 1995-10-30 JP JP7281543A patent/JP2970499B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-10-28 EP EP96117289A patent/EP0772230A1/en not_active Withdrawn
- 1996-10-30 CN CN96121634A patent/CN1157477A/zh active Pending
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US6399429B1 (en) | 1998-06-30 | 2002-06-04 | Sony Corporation | Method of forming monocrystalline silicon layer, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2970499B2 (ja) | 1999-11-02 |
CN1157477A (zh) | 1997-08-20 |
EP0772230A1 (en) | 1997-05-07 |
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