JPH09124618A - １−アリール−４−カルバモイルテトラゾリノン類の製造方法 - Google Patents
１−アリール−４−カルバモイルテトラゾリノン類の製造方法Info
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- JPH09124618A JPH09124618A JP8265079A JP26507996A JPH09124618A JP H09124618 A JPH09124618 A JP H09124618A JP 8265079 A JP8265079 A JP 8265079A JP 26507996 A JP26507996 A JP 26507996A JP H09124618 A JPH09124618 A JP H09124618A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D257/00—Heterocyclic compounds containing rings having four nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
- C07D257/02—Heterocyclic compounds containing rings having four nitrogen atoms as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
- C07D257/04—Five-membered rings
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- Organic Chemistry (AREA)
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １−アリール−４−カルバモイルテトラゾリ
ノン類の製造方法。 【解決手段】 １−アリール−テトラゾリノン類とホス
ゲンを希釈剤の存在下０℃から１５０℃の範囲の温度で
反応させ（「第一工程段階」）そしてその結果として生
じる（新規な）１−アリール−４−クロロカルボニル−
テトラゾリノン類とアミン類を希釈剤の存在下および適
宜さらなる塩基性化合物の存在下−２０℃から＋１００
℃の範囲の温度で反応させる（「第二工程段階」）こと
により、除草活性を示す１−アリール−４−カルバモイ
ル−テトラゾリノン類を良好な収率および高い純度で得
る。
ノン類の製造方法。 【解決手段】 １−アリール−テトラゾリノン類とホス
ゲンを希釈剤の存在下０℃から１５０℃の範囲の温度で
反応させ（「第一工程段階」）そしてその結果として生
じる（新規な）１−アリール−４−クロロカルボニル−
テトラゾリノン類とアミン類を希釈剤の存在下および適
宜さらなる塩基性化合物の存在下−２０℃から＋１００
℃の範囲の温度で反応させる（「第二工程段階」）こと
により、除草活性を示す１−アリール−４−カルバモイ
ル−テトラゾリノン類を良好な収率および高い純度で得
る。
Description
【０００１】本発明は、除草活性を示す化合物であるこ
とが知られている１−アリール−４−カルバモイル−テ
トラゾリノン類の新規な製造方法および新規な製造中間
体に関する。
とが知られている１−アリール−４−カルバモイル−テ
トラゾリノン類の新規な製造方法および新規な製造中間
体に関する。
【０００２】置換カルバモイルテトラゾリノン類を相当
するテトラゾリノン類と適切なカルバミン酸誘導体を反
応させることで得ることが開示されている（ヨーロッパ
特許出願公開第１４６２７９号、ヨーロッパ特許出願公
開第２０２９２９号、ヨーロッパ特許出願公開第５７８
０９０号およびヨーロッパ特許出願公開第６１２７３５
号参照）。この製造様式では所望のＮ−カルバモイル化
に加えてまた（望ましくない）Ｏ−カルバモイル化も常
に観察される（テトラゾリノン類のアシル化に関しては
同様にＺ．Ｃｈｅｍｉｅ １３（１９７３）、４２９−
４３０も参照）。その結果として、多くのケースで多少
ともひどく汚染された生成物が得られる。
するテトラゾリノン類と適切なカルバミン酸誘導体を反
応させることで得ることが開示されている（ヨーロッパ
特許出願公開第１４６２７９号、ヨーロッパ特許出願公
開第２０２９２９号、ヨーロッパ特許出願公開第５７８
０９０号およびヨーロッパ特許出願公開第６１２７３５
号参照）。この製造様式では所望のＮ−カルバモイル化
に加えてまた（望ましくない）Ｏ−カルバモイル化も常
に観察される（テトラゾリノン類のアシル化に関しては
同様にＺ．Ｃｈｅｍｉｅ １３（１９７３）、４２９−
４３０も参照）。その結果として、多くのケースで多少
ともひどく汚染された生成物が得られる。
【０００３】更に、１−アルキル−テトラゾリノン類と
ホスゲンを第三級アミンの存在下で反応させて１−アル
キル−４−クロロカルボニル−テトラゾリノン類を得る
ことも開示されている（米国特許第４８３０６６１号参
照）。しかしながら、１−アリール−４−クロロカルボ
ニル−テトラゾリノン類はまだ文献に開示されておら
ず、公知方法を用いたのではこれを有効な収率および品
質で得るのは不可能である。
ホスゲンを第三級アミンの存在下で反応させて１−アル
キル−４−クロロカルボニル−テトラゾリノン類を得る
ことも開示されている（米国特許第４８３０６６１号参
照）。しかしながら、１−アリール−４−クロロカルボ
ニル−テトラゾリノン類はまだ文献に開示されておら
ず、公知方法を用いたのではこれを有効な収率および品
質で得るのは不可能である。
【０００４】ここに、一般式（Ｉ）
【０００５】
【化６】
【０００６】［式中、Ａｒは、任意に置換されていても
よいアリールを表し、Ｒ1は、各場合とも任意に置換さ
れていてもよいアルキル、アルケニル、アルキニルまた
はアルコキシを表し、そしてＲ2は、各場合とも任意に
置換されていてもよいアルキル、アルケニル、アルキニ
ル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、アリー
ルまたはアリールアルキルを表すか、或はＲ1と一緒に
なってアルカンジイルを表す］で表される１−アリール
−４−カルバモイル−テトラゾリノン類が、一般式（Ｉ
Ｉ）
よいアリールを表し、Ｒ1は、各場合とも任意に置換さ
れていてもよいアルキル、アルケニル、アルキニルまた
はアルコキシを表し、そしてＲ2は、各場合とも任意に
置換されていてもよいアルキル、アルケニル、アルキニ
ル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、アリー
ルまたはアリールアルキルを表すか、或はＲ1と一緒に
なってアルカンジイルを表す］で表される１−アリール
−４−カルバモイル−テトラゾリノン類が、一般式（Ｉ
Ｉ）
【０００７】
【化７】
【０００８】［式中、Ａｒは上述した意味を有する］で
表される１−アリール−テトラゾリノン類とホスゲンを
希釈剤の存在下０℃から１５０℃の範囲の温度で反応さ
せ（「第一工程段階」）そしてその結果として生じる一
般式（ＩＩＩ）
表される１−アリール−テトラゾリノン類とホスゲンを
希釈剤の存在下０℃から１５０℃の範囲の温度で反応さ
せ（「第一工程段階」）そしてその結果として生じる一
般式（ＩＩＩ）
【０００９】
【化８】
【００１０】［式中、Ａｒは上述した意味を有する］で
表される１−アリール−４−クロロカルボニル−テトラ
ゾリノン類を、適宜中間体の単離を行った後か或は中間
体の単離を行うことなく、一般式（ＩＶ）
表される１−アリール−４−クロロカルボニル−テトラ
ゾリノン類を、適宜中間体の単離を行った後か或は中間
体の単離を行うことなく、一般式（ＩＶ）
【００１１】
【化９】
【００１２】［式中、Ｒ1およびＲ2は上述した意味を有
する］で表されるアミン類と、希釈剤の存在下および適
宜さらなる塩基性化合物の存在下、−２０℃から＋１０
０℃の範囲の温度で反応させる（「第二工程段階」）
と、非常に良好な収率および高い純度で得られることを
見い出した。
する］で表されるアミン類と、希釈剤の存在下および適
宜さらなる塩基性化合物の存在下、−２０℃から＋１０
０℃の範囲の温度で反応させる（「第二工程段階」）
と、非常に良好な収率および高い純度で得られることを
見い出した。
【００１３】本発明に従う方法を用いると、驚くべきこ
とに、公知方法に比較して簡潔かつ経済的により好まし
い様式で、そしてまたより高い収率およびより良好な品
質で、一般式（Ｉ）で表される１−アリール−４−カル
バモイル−テトラゾリノン類を製造することができる。
とに、公知方法に比較して簡潔かつ経済的により好まし
い様式で、そしてまたより高い収率およびより良好な品
質で、一般式（Ｉ）で表される１−アリール−４−カル
バモイル−テトラゾリノン類を製造することができる。
【００１４】従って、本発明に従う方法は、従来技術に
対する価値ある質的向上を構成する。
対する価値ある質的向上を構成する。
【００１５】本発明に従う方法は、好適には、Ａｒが、
任意にカルボキシル、シアノ、カルバモイル、ニトロ、
アミノ、ヒドロキシルまたはハロゲンでか或はＣ1−Ｃ4
−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキ
ルチオ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルフィニル、Ｃ1−Ｃ4−
アルキルスルホニル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミ
ノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルホニルアミノ、ジ−（Ｃ1
−Ｃ4−アルキル）アミノスルホニル、Ｃ1−Ｃ4−アル
キル−カルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニルア
ミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−カルボニル、ジ−（Ｃ1
−Ｃ4−アルキル−アミノ）−カルボニル、Ｃ1−Ｃ4−
アルキレンジオキシ、フェニルまたはフェノキシ（これ
らは各場合とも任意にフッ素および／または塩素で置換
されていてもよい）で置換されていてもよいフェニルま
たはナフチルを表し、Ｒ1が、各場合とも１から６個の
炭素原子を有していて各場合とも任意にシアノまたはハ
ロゲンで置換されていてもよいアルキル、アルケニルま
たはアルキニルを表し、そしてＲ2が、１から６個の炭
素原子を有していて任意にシアノまたはハロゲンで置換
されていてもよいアルキルを表すか、各場合とも２から
６個の炭素原子を有していて各場合とも任意にシアノま
たはハロゲンで置換されていてもよいアルケニルまたは
アルキニルを表すか、各場合ともシクロアルキル部分中
に３から６個の炭素原子を有しそして任意にアルキル部
分中に１から２個の炭素原子を有していて各場合とも任
意にシアノ、ハロゲンまたはＣ1−Ｃ4−アルキルで置換
されていてもよいシクロアルキルまたはシクロアルキル
アルキルを表すか、或は各場合とも任意にシアノ、ニト
ロまたはハロゲンでか或はＣ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−
Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、Ｃ1−Ｃ4
−アルキルスルフィニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルホニ
ル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−ア
ルキルスルホニルアミノ、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）
アミノスルホニル、Ｃ 1−Ｃ4−アルキル−カルボニルま
たはＣ1−Ｃ4−アルコキシ−カルボニル（これらは各場
合とも任意にフッ素および／または塩素で置換されてい
てもよい）で置換されていてもよいフェニルまたはフェ
ニル−Ｃ1−Ｃ2−アルキルを表すか、或はＲ1と一緒に
なって２から６個の炭素原子を有するアルカンジイルを
表す、式（Ｉ）で表される化合物の製造に関する。
任意にカルボキシル、シアノ、カルバモイル、ニトロ、
アミノ、ヒドロキシルまたはハロゲンでか或はＣ1−Ｃ4
−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキ
ルチオ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルフィニル、Ｃ1−Ｃ4−
アルキルスルホニル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミ
ノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルホニルアミノ、ジ−（Ｃ1
−Ｃ4−アルキル）アミノスルホニル、Ｃ1−Ｃ4−アル
キル−カルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニルア
ミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−カルボニル、ジ−（Ｃ1
−Ｃ4−アルキル−アミノ）−カルボニル、Ｃ1−Ｃ4−
アルキレンジオキシ、フェニルまたはフェノキシ（これ
らは各場合とも任意にフッ素および／または塩素で置換
されていてもよい）で置換されていてもよいフェニルま
たはナフチルを表し、Ｒ1が、各場合とも１から６個の
炭素原子を有していて各場合とも任意にシアノまたはハ
ロゲンで置換されていてもよいアルキル、アルケニルま
たはアルキニルを表し、そしてＲ2が、１から６個の炭
素原子を有していて任意にシアノまたはハロゲンで置換
されていてもよいアルキルを表すか、各場合とも２から
６個の炭素原子を有していて各場合とも任意にシアノま
たはハロゲンで置換されていてもよいアルケニルまたは
アルキニルを表すか、各場合ともシクロアルキル部分中
に３から６個の炭素原子を有しそして任意にアルキル部
分中に１から２個の炭素原子を有していて各場合とも任
意にシアノ、ハロゲンまたはＣ1−Ｃ4−アルキルで置換
されていてもよいシクロアルキルまたはシクロアルキル
アルキルを表すか、或は各場合とも任意にシアノ、ニト
ロまたはハロゲンでか或はＣ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−
Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、Ｃ1−Ｃ4
−アルキルスルフィニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルホニ
ル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−ア
ルキルスルホニルアミノ、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）
アミノスルホニル、Ｃ 1−Ｃ4−アルキル−カルボニルま
たはＣ1−Ｃ4−アルコキシ−カルボニル（これらは各場
合とも任意にフッ素および／または塩素で置換されてい
てもよい）で置換されていてもよいフェニルまたはフェ
ニル−Ｃ1−Ｃ2−アルキルを表すか、或はＲ1と一緒に
なって２から６個の炭素原子を有するアルカンジイルを
表す、式（Ｉ）で表される化合物の製造に関する。
【００１６】本発明に従う方法は、特に、Ａｒが、任意
にシアノ、フッ素、塩素または臭素でか或はメチル、エ
チル、ｎ−もしくはｉ−プロピル、メトキシ、エトキ
シ、ｎ−もしくはｉ−プロポキシ、メチルチオ、エチル
チオ、ｎ−もしくはｉ−プロピルチオ、メチルスルフィ
ニル、エチルスルフィニル、メチルスルホニル、エチル
スルホニル、ジメチルアミノスルホニル、ジエチルアミ
ノスルホニル、メチルカルボニル、エチルカルボニル、
ｎ−もしくはｉ−プロピルカルボニル、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、ｎ−もしくはｉ−プロポキ
シカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、ジエチルア
ミノカルボニル、メチレンジオキシまたはエチレンジオ
キシ（これらは各場合とも任意にフッ素および／または
塩素で置換されていてもよい）で置換されていてもよい
フェニルを表し、Ｒ1が、各場合とも任意にシアノ、フ
ッ素または塩素で置換されていてもよいメチル、エチ
ル、ｎ−もしくはｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−もしくはｓ
−ブチル、プロペニル、ブテニル、プロピニルまたはブ
チニルを表し、そしてＲ2が、各場合とも任意にシア
ノ、フッ素または塩素で置換されていてもよいメチル、
エチル、ｎ−もしくはｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−もしく
はｓ−ブチル、プロペニル、ブテニル、プロピニルまた
はブチニルを表すか、各場合とも任意にシアノ、フッ
素、塩素、臭素、メチルまたはエチルで置換されていて
もよいシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチ
ル、シクロヘキシル、シクロプロピルメチル、シクロブ
チルメチル、シクロペンチルメチルまたはシクロヘキシ
ルメチルを表すか、或は各場合とも任意にシアノ、フッ
素、塩素、メチル、エチル、メトキシまたはエトキシで
置換されていてもよいフェニル、ベンジルまたはフェニ
ルエチルを表すか、或はＲ1と一緒になってブタン−
１，４−ジイル（テトラメチレン）を表すか或はペンタ
ン−１，５−ジイル（ペンタメチレン）を表す、式
（Ｉ）で表される化合物の製造に関する。
にシアノ、フッ素、塩素または臭素でか或はメチル、エ
チル、ｎ−もしくはｉ−プロピル、メトキシ、エトキ
シ、ｎ−もしくはｉ−プロポキシ、メチルチオ、エチル
チオ、ｎ−もしくはｉ−プロピルチオ、メチルスルフィ
ニル、エチルスルフィニル、メチルスルホニル、エチル
スルホニル、ジメチルアミノスルホニル、ジエチルアミ
ノスルホニル、メチルカルボニル、エチルカルボニル、
ｎ−もしくはｉ−プロピルカルボニル、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、ｎ−もしくはｉ−プロポキ
シカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、ジエチルア
ミノカルボニル、メチレンジオキシまたはエチレンジオ
キシ（これらは各場合とも任意にフッ素および／または
塩素で置換されていてもよい）で置換されていてもよい
フェニルを表し、Ｒ1が、各場合とも任意にシアノ、フ
ッ素または塩素で置換されていてもよいメチル、エチ
ル、ｎ−もしくはｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−もしくはｓ
−ブチル、プロペニル、ブテニル、プロピニルまたはブ
チニルを表し、そしてＲ2が、各場合とも任意にシア
ノ、フッ素または塩素で置換されていてもよいメチル、
エチル、ｎ−もしくはｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−もしく
はｓ−ブチル、プロペニル、ブテニル、プロピニルまた
はブチニルを表すか、各場合とも任意にシアノ、フッ
素、塩素、臭素、メチルまたはエチルで置換されていて
もよいシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチ
ル、シクロヘキシル、シクロプロピルメチル、シクロブ
チルメチル、シクロペンチルメチルまたはシクロヘキシ
ルメチルを表すか、或は各場合とも任意にシアノ、フッ
素、塩素、メチル、エチル、メトキシまたはエトキシで
置換されていてもよいフェニル、ベンジルまたはフェニ
ルエチルを表すか、或はＲ1と一緒になってブタン−
１，４−ジイル（テトラメチレン）を表すか或はペンタ
ン−１，５−ジイル（ペンタメチレン）を表す、式
（Ｉ）で表される化合物の製造に関する。
【００１７】この上に挙げた一般的な基の定義または好
適な範囲で挙げた基の定義の両方を式（Ｉ）で表される
最終生成物にも適用しそしてまた相当して各場合とも製
造に必要な出発化合物にも中間体にも適用する。このよ
うな基の定義は互いの間で、即ち示した好適な範囲間で
も任意に組み合わせ可能である。
適な範囲で挙げた基の定義の両方を式（Ｉ）で表される
最終生成物にも適用しそしてまた相当して各場合とも製
造に必要な出発化合物にも中間体にも適用する。このよ
うな基の定義は互いの間で、即ち示した好適な範囲間で
も任意に組み合わせ可能である。
【００１８】第一段階で例えば１−（２−フルオロ−フ
ェニル）−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テトラゾール−５
−オンとホスゲンを出発化合物として用いそして第二段
階でジエチルアミンを出発化合物として用いる場合、本
発明に従う方法における反応過程の概略を下記の図式で
示すことができる。
ェニル）−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テトラゾール−５
−オンとホスゲンを出発化合物として用いそして第二段
階でジエチルアミンを出発化合物として用いる場合、本
発明に従う方法における反応過程の概略を下記の図式で
示すことができる。
【００１９】
【化１０】
【００２０】式（Ｉ）で表される化合物を製造する目的
で本発明に従う方法で出発化合物として用いるべき１−
アリール−テトラゾリノン類を一般的に式（ＩＩ）で定
義する。この式（ＩＩ）において、Ａｒは、好適にはも
しくは特に、本発明に従って製造すべき式（Ｉ）で表さ
れる化合物の記述でＡｒに好適であるとして或は特に好
適であるとして既に上で与えた意味を有する。
で本発明に従う方法で出発化合物として用いるべき１−
アリール−テトラゾリノン類を一般的に式（ＩＩ）で定
義する。この式（ＩＩ）において、Ａｒは、好適にはも
しくは特に、本発明に従って製造すべき式（Ｉ）で表さ
れる化合物の記述でＡｒに好適であるとして或は特に好
適であるとして既に上で与えた意味を有する。
【００２１】式（ＩＩ）で表される出発化合物は公知で
ありそして／または本質的に知られている方法で製造可
能である（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．８１（１９５
９），３０７６−３０７９；Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４
５（１９８０），５１３０−５１３６、ヨーロッパ特許
出願公開第１４６２７９号、ヨーロッパ特許出願公開第
５７２８５５号、ヨーロッパ特許出願公開第５７８０９
０号参照）。
ありそして／または本質的に知られている方法で製造可
能である（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．８１（１９５
９），３０７６−３０７９；Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４
５（１９８０），５１３０−５１３６、ヨーロッパ特許
出願公開第１４６２７９号、ヨーロッパ特許出願公開第
５７２８５５号、ヨーロッパ特許出願公開第５７８０９
０号参照）。
【００２２】式（Ｉ）で表される化合物を製造する目的
で本発明に従う方法の第一段階で生じさせる１−アリー
ル−４−クロロカルボニル−テトラゾリノン類を一般的
に式（ＩＩＩ）で定義する。この式（ＩＩＩ）におい
て、Ａｒは、好適にはもしくは特に、本発明に従って製
造すべき式（Ｉ）で表される化合物の記述でＡｒに好適
であるとして或は特に好適であるとして既に上で与えた
意味を有する。
で本発明に従う方法の第一段階で生じさせる１−アリー
ル−４−クロロカルボニル−テトラゾリノン類を一般的
に式（ＩＩＩ）で定義する。この式（ＩＩＩ）におい
て、Ａｒは、好適にはもしくは特に、本発明に従って製
造すべき式（Ｉ）で表される化合物の記述でＡｒに好適
であるとして或は特に好適であるとして既に上で与えた
意味を有する。
【００２３】一般式（ＩＩＩ）で表される１−アリール
−４−クロロカルボニル−テトラゾリノン類は文献にま
だ開示されておらず、これらもまた新規な化合物として
本出願の主題事項である。
−４−クロロカルボニル−テトラゾリノン類は文献にま
だ開示されておらず、これらもまた新規な化合物として
本出願の主題事項である。
【００２４】式（Ｉ）で表される化合物を製造する目的
で本発明に従う方法における第一段階でまた出発化合物
として使用すべきアミン類を一般的に式（ＩＶ）で定義
する。この式（ＩＶ）において、Ｒ1およびＲ2は、好適
にはもしくは特に、本発明に従って製造すべき式（Ｉ）
で表される化合物の記述でＲ1およびＲ2に好適であると
して或は特に好適であるとして既に上で与えた意味を有
する。
で本発明に従う方法における第一段階でまた出発化合物
として使用すべきアミン類を一般的に式（ＩＶ）で定義
する。この式（ＩＶ）において、Ｒ1およびＲ2は、好適
にはもしくは特に、本発明に従って製造すべき式（Ｉ）
で表される化合物の記述でＲ1およびＲ2に好適であると
して或は特に好適であるとして既に上で与えた意味を有
する。
【００２５】式（ＩＶ）で表される出発化合物は公知の
合成化学品である。
合成化学品である。
【００２６】式（Ｉ）で表される化合物を製造する目的
で本発明に従う方法を希釈剤の存在下で実施する。好適
には、ホスゲンに不活性な有機溶媒が第一段階の希釈剤
として考慮に入る。上記溶媒には、特に、任意にハロゲ
ン置換されていてもよい脂肪族、脂環式および芳香族炭
化水素、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、石油エ
ーテル、リグロイン、ベンジン、ベンゼン、トルエン、
キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、シクロ
ヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジクロロメタン（塩
化メチレン）、トリクロロメタン（クロロホルム）また
はテトラクロロメタンなど、ジアルキルエーテル類、例
えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチ
ルｔ−ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）、エチルｔ−ブチル
エーテル、メチルｔ−ペンチルエーテル（ＴＡＭＥ）、
エチルｔ−ペンチルエーテル、テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）、１，４−ジオキサン、エチレングリコールジメ
チルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、
ジエチレングリコールジメチルエーテルまたはジエチレ
ングリコールジエチルエーテルなど、ジアルキルケトン
類、例えばアセトン、ブタノン（メチルエチルケト
ン）、メチルｉ−プロピルケトンまたはメチルｉ−ブチ
ルケトンなど、ニトリル類、例えばアセトニトリル、プ
ロピオニトリル、ブチロニトリルまたはベンゾニトリル
など、エステル類、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ｎ−もしくはｉ−プロピルまたは酢酸ｎ−、ｉ−もし
くはｓ−ブチルなど、スルホキサイド類、例えばジメチ
ルスルホキサイドなどが含まれる。
で本発明に従う方法を希釈剤の存在下で実施する。好適
には、ホスゲンに不活性な有機溶媒が第一段階の希釈剤
として考慮に入る。上記溶媒には、特に、任意にハロゲ
ン置換されていてもよい脂肪族、脂環式および芳香族炭
化水素、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、石油エ
ーテル、リグロイン、ベンジン、ベンゼン、トルエン、
キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、シクロ
ヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジクロロメタン（塩
化メチレン）、トリクロロメタン（クロロホルム）また
はテトラクロロメタンなど、ジアルキルエーテル類、例
えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチ
ルｔ−ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）、エチルｔ−ブチル
エーテル、メチルｔ−ペンチルエーテル（ＴＡＭＥ）、
エチルｔ−ペンチルエーテル、テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）、１，４−ジオキサン、エチレングリコールジメ
チルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、
ジエチレングリコールジメチルエーテルまたはジエチレ
ングリコールジエチルエーテルなど、ジアルキルケトン
類、例えばアセトン、ブタノン（メチルエチルケト
ン）、メチルｉ−プロピルケトンまたはメチルｉ−ブチ
ルケトンなど、ニトリル類、例えばアセトニトリル、プ
ロピオニトリル、ブチロニトリルまたはベンゾニトリル
など、エステル類、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ｎ−もしくはｉ−プロピルまたは酢酸ｎ−、ｉ−もし
くはｓ−ブチルなど、スルホキサイド類、例えばジメチ
ルスルホキサイドなどが含まれる。
【００２７】第一段階の特に好適な希釈剤としてトルエ
ン、キシレン、ジクロロエタンおよびクロロベンゼンを
挙げることができる。
ン、キシレン、ジクロロエタンおよびクロロベンゼンを
挙げることができる。
【００２８】第二工程段階では、第一工程段階の実施で
用いたのと本質的に同じ希釈剤を用いることができる。
特に好適な希釈剤としてテトラヒドロフランおよびクロ
ロベンゼン（後者は特に「１槽方法」を実行する時）を
挙げるべきである。
用いたのと本質的に同じ希釈剤を用いることができる。
特に好適な希釈剤としてテトラヒドロフランおよびクロ
ロベンゼン（後者は特に「１槽方法」を実行する時）を
挙げるべきである。
【００２９】式（Ｉ）で表される化合物を製造する目的
で、本発明に従う方法を、第二段階において、式（Ｉ
Ｖ）で表されるアミン類に加えて任意に追加的塩基性化
合物の存在下で実施してもよい。塩基性化合物としては
一般に通常の無機もしくは有機塩基または酸受容体が考
慮に入る。このような塩基性化合物には、好適にはアル
カリ金属もしくはアルカリ土類金属の酢酸塩、アミド
類、炭酸塩、水素炭酸塩、水素化物、水酸化物またはア
ルコキサイド類、例えばナトリウム、カリウムまたはカ
ルシウムの酢酸塩、リチウム、ナトリウム、カリウムま
たはカルシウムのアミド、ナトリウム、カリウムまたは
カルシウムの炭酸塩、ナトリウム、カリウムまたはカル
シウムの水素炭酸塩、リチウム、ナトリウム、カリウム
またはカルシウムの水素化物、リチウム、ナトリウム、
カリウムまたはカルシウムの水酸化物、或はナトリウム
またはカリウムのメトキサイド、エトキサイド、ｎ−も
しくはｉ−プロポキサイド、またはｎ−、ｉ−、ｓ−も
しくはｔ−ブトキサイドなど、更にまた塩基性有機窒素
化合物、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、
トリプロピルアミン、トリブチルアミン、エチルジイソ
プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−シクロヘキシルア
ミン、ジシクロヘキシルアミン、エチルジシクロヘキシ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−アニリン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−ベンジルアミン、ピリジン、２−メチル−、３−
メチル−、４−メチル−、２，４−ジメチル−、２，６
−ジメチル−、３，４−ジメチル−および３，５−ジメ
チル−ピリジン、５−エチル−２−メチル−ピリジン、
４−ジメチルアミノ−ピリジン、Ｎ−メチル−ピペリジ
ン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］−オクタン
（ＤＡＢＣＯ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．
０］−ノネ−５−エン（ＤＢＮ）および１，８−ジアザ
ビシクロ［５．４．０］−ウンデセ−７−エン（ＤＢ
Ｕ）などが含まれる。
で、本発明に従う方法を、第二段階において、式（Ｉ
Ｖ）で表されるアミン類に加えて任意に追加的塩基性化
合物の存在下で実施してもよい。塩基性化合物としては
一般に通常の無機もしくは有機塩基または酸受容体が考
慮に入る。このような塩基性化合物には、好適にはアル
カリ金属もしくはアルカリ土類金属の酢酸塩、アミド
類、炭酸塩、水素炭酸塩、水素化物、水酸化物またはア
ルコキサイド類、例えばナトリウム、カリウムまたはカ
ルシウムの酢酸塩、リチウム、ナトリウム、カリウムま
たはカルシウムのアミド、ナトリウム、カリウムまたは
カルシウムの炭酸塩、ナトリウム、カリウムまたはカル
シウムの水素炭酸塩、リチウム、ナトリウム、カリウム
またはカルシウムの水素化物、リチウム、ナトリウム、
カリウムまたはカルシウムの水酸化物、或はナトリウム
またはカリウムのメトキサイド、エトキサイド、ｎ−も
しくはｉ−プロポキサイド、またはｎ−、ｉ−、ｓ−も
しくはｔ−ブトキサイドなど、更にまた塩基性有機窒素
化合物、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、
トリプロピルアミン、トリブチルアミン、エチルジイソ
プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−シクロヘキシルア
ミン、ジシクロヘキシルアミン、エチルジシクロヘキシ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−アニリン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−ベンジルアミン、ピリジン、２−メチル−、３−
メチル−、４−メチル−、２，４−ジメチル−、２，６
−ジメチル−、３，４−ジメチル−および３，５−ジメ
チル−ピリジン、５−エチル−２−メチル−ピリジン、
４−ジメチルアミノ−ピリジン、Ｎ−メチル−ピペリジ
ン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］−オクタン
（ＤＡＢＣＯ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．
０］−ノネ−５−エン（ＤＢＮ）および１，８−ジアザ
ビシクロ［５．４．０］−ウンデセ−７−エン（ＤＢ
Ｕ）などが含まれる。
【００３０】本発明に従う方法の好適な態様では、式
（ＩＶ）で表されるアミンを適当な過剰量で用いる結果
としてこれを塩基として用い、追加的塩基性化合物を用
いない。
（ＩＶ）で表されるアミンを適当な過剰量で用いる結果
としてこれを塩基として用い、追加的塩基性化合物を用
いない。
【００３１】本発明に従う方法を実施しながら反応温度
を比較的幅広い範囲に渡って変化させることができる。
第一段階では一般に０℃から１５０℃、好適には５０℃
から１２０℃の温度を用いる一方、第二段階では−２０
℃から＋１００℃、好適には０℃から８０℃の温度を用
いる。
を比較的幅広い範囲に渡って変化させることができる。
第一段階では一般に０℃から１５０℃、好適には５０℃
から１２０℃の温度を用いる一方、第二段階では−２０
℃から＋１００℃、好適には０℃から８０℃の温度を用
いる。
【００３２】本発明に従う方法を両段階とも一般に大気
圧下で実施する。しかしながらまた本発明に従う方法を
加圧下または減圧下、一般に０．１バールから１０バー
ルの範囲で実施することも可能である。
圧下で実施する。しかしながらまた本発明に従う方法を
加圧下または減圧下、一般に０．１バールから１０バー
ルの範囲で実施することも可能である。
【００３３】本発明に従う方法の実施では、式（ＩＩ）
で表される出発化合物１モル当たり一般に１から１０モ
ル、好適には２から５モルのホスゲンを用い（第一段
階）そして１から４モル、好適には２から３モルの式
（ＩＶ）で表されるアミン類を用いる（第二段階）。
で表される出発化合物１モル当たり一般に１から１０モ
ル、好適には２から５モルのホスゲンを用い（第一段
階）そして１から４モル、好適には２から３モルの式
（ＩＶ）で表されるアミン類を用いる（第二段階）。
【００３４】本発明に従う方法の第一段階の好適な態様
では、最初にホスゲンを希釈剤に入れた後、これに式
（ＩＩ）で表される４−アリール−テトラゾリノンをゆ
っくりと加える。次に、好適にはこの反応混合物の中に
ホスゲンを通しながら、これを各場合に要求される反応
温度に加熱し、そして好適にはホスゲンを流し続けなが
ら、式（ＩＩＩ）で表される化合物への変換が終了する
まで上記温度に維持する。次に、好適には窒素を流し込
むことにより、過剰量のホスゲンを大部分除去する。希
釈剤を減圧下で注意深く留出させることにより、式（Ｉ
ＩＩ）で表される中間体の単離を行うことができる。
では、最初にホスゲンを希釈剤に入れた後、これに式
（ＩＩ）で表される４−アリール−テトラゾリノンをゆ
っくりと加える。次に、好適にはこの反応混合物の中に
ホスゲンを通しながら、これを各場合に要求される反応
温度に加熱し、そして好適にはホスゲンを流し続けなが
ら、式（ＩＩＩ）で表される化合物への変換が終了する
まで上記温度に維持する。次に、好適には窒素を流し込
むことにより、過剰量のホスゲンを大部分除去する。希
釈剤を減圧下で注意深く留出させることにより、式（Ｉ
ＩＩ）で表される中間体の単離を行うことができる。
【００３５】本発明に従う方法の更に好適な態様（「１
槽方法」）では、式（ＩＩＩ）で表される中間体を単離
しないで、第一段階を実施した後（過剰量のホスゲンを
除去した後）に存在する反応溶液に式（ＩＶ）のアミン
を直接加える。次に、反応が終了するまで上記混合物を
撹拌し、そして通常方法を用いて処理を行う。例えば、
適宜濃縮を行いそしてほとんど水に混和性を示さない有
機溶媒、例えば塩化メチレンなどで取り上げた後、水を
用いた洗浄を行い、そして次に乾燥を行い、濾過を行っ
た後、濃縮を減圧下で注意深く行うことにより、式
（Ｉ）で表される生成物を残渣として残存させる。
槽方法」）では、式（ＩＩＩ）で表される中間体を単離
しないで、第一段階を実施した後（過剰量のホスゲンを
除去した後）に存在する反応溶液に式（ＩＶ）のアミン
を直接加える。次に、反応が終了するまで上記混合物を
撹拌し、そして通常方法を用いて処理を行う。例えば、
適宜濃縮を行いそしてほとんど水に混和性を示さない有
機溶媒、例えば塩化メチレンなどで取り上げた後、水を
用いた洗浄を行い、そして次に乾燥を行い、濾過を行っ
た後、濃縮を減圧下で注意深く行うことにより、式
（Ｉ）で表される生成物を残渣として残存させる。
【００３６】本発明に従って製造することができる式
（Ｉ）で表される１−アリール−４−カルバモイル−テ
トラゾリノン類は、望まれない植物の成長を制御する除
草剤として使用可能である（ヨーロッパ特許出願公開第
１４６２７９号、ヨーロッパ特許出願公開第２０２９２
９号、ヨーロッパ特許出願公開第５７８０９０号および
ヨーロッパ特許出願公開第６１２７３５号参照）。
（Ｉ）で表される１−アリール−４−カルバモイル−テ
トラゾリノン類は、望まれない植物の成長を制御する除
草剤として使用可能である（ヨーロッパ特許出願公開第
１４６２７９号、ヨーロッパ特許出願公開第２０２９２
９号、ヨーロッパ特許出願公開第５７８０９０号および
ヨーロッパ特許出願公開第６１２７３５号参照）。
【００３７】
【製造実施例】実施例１
【００３８】
【化１１】
【００３９】（第一段階）５０ｍＬのトルエンに７．４
ｇ（７５ミリモル）のホスゲンが入っている溶液に４．
９ｇ（２５ミリモル）の１−（２−クロロ−フェニル）
−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テトラゾール−５−オンを
分割して加える。この混合物の中にホスゲンを通しなが
らこれを６０℃に加熱する。その後、ホスゲンの穏やか
な流し込みを継続しながら、その反応混合物を約３時間
以内に還流温度にもって行った後、更に約６０分間ホス
ゲンを流し込み続ける。次に、窒素を吹き込むことで過
剰量のホスゲンを除去した後、残存する溶液を水吸引真
空下で注意深く濃縮する。
ｇ（７５ミリモル）のホスゲンが入っている溶液に４．
９ｇ（２５ミリモル）の１−（２−クロロ−フェニル）
−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テトラゾール−５−オンを
分割して加える。この混合物の中にホスゲンを通しなが
らこれを６０℃に加熱する。その後、ホスゲンの穏やか
な流し込みを継続しながら、その反応混合物を約３時間
以内に還流温度にもって行った後、更に約６０分間ホス
ゲンを流し込み続ける。次に、窒素を吹き込むことで過
剰量のホスゲンを除去した後、残存する溶液を水吸引真
空下で注意深く濃縮する。
【００４０】融点が１８８℃（分解を伴う）の白色結晶
残渣として１−（２−クロロ−フェニル）−４−クロロ
カルボニル−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テトラゾール−
５−オンを６．４ｇ（理論値の９９％）得る。
残渣として１−（２−クロロ−フェニル）−４−クロロ
カルボニル−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テトラゾール−
５−オンを６．４ｇ（理論値の９９％）得る。
【００４１】この生成物のＩＲスペクトルは１８１０ｃ
ｍ-1に吸収を示し、この吸収はカルボニル基に特徴的で
ある。
ｍ-1に吸収を示し、この吸収はカルボニル基に特徴的で
ある。
【００４２】実施例２
【００４３】
【化１２】
【００４４】（第二段階）５０ｍＬのテトラヒドロフラ
ンに１−（２−クロロ−フェニル）−４−クロロカルボ
ニル−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テトラゾール−５−オ
ンを６．４ｇ（２５ミリモル）溶解させた後、撹拌しな
がらこれに、３０ｍＬのテトラヒドロフランに６．９ｇ
（５４ミリモル）のＮ−エチル−シクロヘキシルアミン
が入っている溶液を滴下する。この反応混合物を約２０
℃で２時間撹拌した後、水吸引真空下で濃縮を行う。そ
の残渣を塩化メチレンで取り上げ、この溶液を水で３回
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過する。こ
の濾液から溶媒を水吸引真空下で注意深く留出させる。
ンに１−（２−クロロ−フェニル）−４−クロロカルボ
ニル−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テトラゾール−５−オ
ンを６．４ｇ（２５ミリモル）溶解させた後、撹拌しな
がらこれに、３０ｍＬのテトラヒドロフランに６．９ｇ
（５４ミリモル）のＮ−エチル−シクロヘキシルアミン
が入っている溶液を滴下する。この反応混合物を約２０
℃で２時間撹拌した後、水吸引真空下で濃縮を行う。そ
の残渣を塩化メチレンで取り上げ、この溶液を水で３回
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過する。こ
の濾液から溶媒を水吸引真空下で注意深く留出させる。
【００４５】融点が７８℃の白色結晶残渣として１−
（２−クロロ−フェニル）−４−（Ｎ−シクロヘキシル
−Ｎ−エチルアミノカルボニル）−１，４−ジヒドロ−
５Ｈ−テトラゾール−５−オンを７．９ｇ（理論値の９
１％）得る。
（２−クロロ−フェニル）−４−（Ｎ−シクロヘキシル
−Ｎ−エチルアミノカルボニル）−１，４−ジヒドロ−
５Ｈ−テトラゾール−５−オンを７．９ｇ（理論値の９
１％）得る。
【００４６】実施例３
【００４７】
【化１３】
【００４８】（第一段階＋第二段階）最初、２００ｍＬ
のクロロベンゼンに９．９ｇ（１００ミリモル）のホス
ゲンを入れた後、これに９．８ｇ（５０ミリモル）の１
−（２−クロロ−フェニル）−１，４−ジヒドロ−５Ｈ
−テトラゾール−５−オンを分割して加える。この混合
物を約２０℃で１時間撹拌した後、ホスゲンを流し込み
ながらゆっくりと約１００℃に加熱すると、透明な溶液
が生じる。ホスゲンの流し込みを更に１時間継続した
後、その混合物を約１００℃で更に１時間撹拌する。窒
素を吹き込むことで過剰量のホスゲンと塩化水素を除去
する。次に、この反応混合物を約２０℃に冷却し、そし
て撹拌しながら、３０ｍＬのクロロベンゼンに１２．７
ｇ（１００ミリモル）のＮ−エチル−シクロヘキシルア
ミンが入っている溶液を滴下した後、撹拌を更に約１時
間継続する。次に、この混合物を水で３回洗浄し、硫酸
ナトリウムで乾燥させた後、濾過する。この濾液から溶
媒を水吸引真空下で注意深く留出させる。
のクロロベンゼンに９．９ｇ（１００ミリモル）のホス
ゲンを入れた後、これに９．８ｇ（５０ミリモル）の１
−（２−クロロ−フェニル）−１，４−ジヒドロ−５Ｈ
−テトラゾール−５−オンを分割して加える。この混合
物を約２０℃で１時間撹拌した後、ホスゲンを流し込み
ながらゆっくりと約１００℃に加熱すると、透明な溶液
が生じる。ホスゲンの流し込みを更に１時間継続した
後、その混合物を約１００℃で更に１時間撹拌する。窒
素を吹き込むことで過剰量のホスゲンと塩化水素を除去
する。次に、この反応混合物を約２０℃に冷却し、そし
て撹拌しながら、３０ｍＬのクロロベンゼンに１２．７
ｇ（１００ミリモル）のＮ−エチル−シクロヘキシルア
ミンが入っている溶液を滴下した後、撹拌を更に約１時
間継続する。次に、この混合物を水で３回洗浄し、硫酸
ナトリウムで乾燥させた後、濾過する。この濾液から溶
媒を水吸引真空下で注意深く留出させる。
【００４９】融点が７７℃の白色結晶残渣として１−
（２−クロロ−フェニル）−４−（Ｎ−シクロヘキシル
−Ｎ−エチルアミノカルボニル）−１，４−ジヒドロ−
５Ｈ−テトラゾール−５−オンを１５．９ｇ（両段階に
渡って理論値の９１％）得る。
（２−クロロ−フェニル）−４−（Ｎ−シクロヘキシル
−Ｎ−エチルアミノカルボニル）−１，４−ジヒドロ−
５Ｈ−テトラゾール−５−オンを１５．９ｇ（両段階に
渡って理論値の９１％）得る。
【００５０】比較実施例（米国特許第４８３０６６１号
の実施例１に類似） トルエン中２３．３％のホスゲン溶液（８５ｇ、０．２
モル）を１００ｍＬのトルエンで希釈して１０℃に冷却
する。この反応混合物の温度を２８℃以下に維持しなが
らこれに、７０ｍＬのトルエンに４１．４ｇ（０．１６
モル）の１−（２−クロロ−フェニル）−１，４−ジヒ
ドロ−５Ｈ−テトラゾール−５−オンと１７ｇ（０．１
６８モル）のトリエチルアミンと０．２ｇ（１．６ミリ
モル）の４−ジメチルアミノ−ピリジンが入っている溶
液を約１０分以内に滴下する。この混合物を約２０℃で
約３０分間撹拌した後、濾過する。この濾液を水吸引真
空下で濃縮し、その残渣を塩化メチレンで取り上げ、こ
の溶液を水で３回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた
後、濾過する。この濾液から溶媒を水吸引真空下で注意
深く留出させる。
の実施例１に類似） トルエン中２３．３％のホスゲン溶液（８５ｇ、０．２
モル）を１００ｍＬのトルエンで希釈して１０℃に冷却
する。この反応混合物の温度を２８℃以下に維持しなが
らこれに、７０ｍＬのトルエンに４１．４ｇ（０．１６
モル）の１−（２−クロロ−フェニル）−１，４−ジヒ
ドロ−５Ｈ−テトラゾール−５−オンと１７ｇ（０．１
６８モル）のトリエチルアミンと０．２ｇ（１．６ミリ
モル）の４−ジメチルアミノ−ピリジンが入っている溶
液を約１０分以内に滴下する。この混合物を約２０℃で
約３０分間撹拌した後、濾過する。この濾液を水吸引真
空下で濃縮し、その残渣を塩化メチレンで取り上げ、こ
の溶液を水で３回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた
後、濾過する。この濾液から溶媒を水吸引真空下で注意
深く留出させる。
【００５１】粘性のある暗色油状物を４５．７ｇ得、こ
れは下記の組成を有する：４４．２％が１−（２−クロ
ロ−フェニル）−４−（Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−エチ
ルアミノカルボニル）−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テト
ラゾール−５−オン、４４．２％が１−（２−クロロ−
フェニル）−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テトラゾール−
５−オン、および８％が１−（２−クロロ−フェニル）
−３−シクロヘキシル−３−エチル−尿素。
れは下記の組成を有する：４４．２％が１−（２−クロ
ロ−フェニル）−４−（Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−エチ
ルアミノカルボニル）−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テト
ラゾール−５−オン、４４．２％が１−（２−クロロ−
フェニル）−１，４−ジヒドロ−５Ｈ−テトラゾール−
５−オン、および８％が１−（２−クロロ−フェニル）
−３−シクロヘキシル−３−エチル−尿素。
【００５２】本明細書および実施例は説明として記述し
たものであり制限するものでないことそして本発明の精
神および範囲から逸脱しない限り種々の修飾および変更
を成し得ることは理解されるであろう。
たものであり制限するものでないことそして本発明の精
神および範囲から逸脱しない限り種々の修飾および変更
を成し得ることは理解されるであろう。
【００５３】本発明の特徴および態様は以下のとうりで
ある。
ある。
【００５４】１． 一般式（Ｉ）
【００５５】
【化１４】
【００５６】［式中、Ａｒは、任意に置換されていても
よいアリールを表し、Ｒ1は、各場合とも任意に置換さ
れていてもよいアルキル、アルケニル、アルキニルまた
はアルコキシを表し、そしてＲ2は、各場合とも任意に
置換されていてもよいアルキル、アルケニル、アルキニ
ル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、アリー
ルまたはアリールアルキルを表すか、或はＲ1と一緒に
なってアルカンジイルを表す］で表される１−アリール
−４−カルバモイルテトラゾリノン類の製造方法であっ
て、一般式（ＩＩ）
よいアリールを表し、Ｒ1は、各場合とも任意に置換さ
れていてもよいアルキル、アルケニル、アルキニルまた
はアルコキシを表し、そしてＲ2は、各場合とも任意に
置換されていてもよいアルキル、アルケニル、アルキニ
ル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、アリー
ルまたはアリールアルキルを表すか、或はＲ1と一緒に
なってアルカンジイルを表す］で表される１−アリール
−４−カルバモイルテトラゾリノン類の製造方法であっ
て、一般式（ＩＩ）
【００５７】
【化１５】
【００５８】［式中、Ａｒは上述した意味を有する］で
表される１−アリール−テトラゾリノン類とホスゲンを
希釈剤の存在下０℃から１５０℃の範囲の温度で反応さ
せ（「第一工程段階」）そしてその結果として生じる一
般式（ＩＩＩ）
表される１−アリール−テトラゾリノン類とホスゲンを
希釈剤の存在下０℃から１５０℃の範囲の温度で反応さ
せ（「第一工程段階」）そしてその結果として生じる一
般式（ＩＩＩ）
【００５９】
【化１６】
【００６０】［式中、Ａｒは上述した意味を有する］で
表される１−アリール−４−クロロカルボニル−テトラ
ゾリノン類を、適宜中間体の単離を行った後か或は中間
体の単離を行うことなく、一般式（ＩＶ）
表される１−アリール−４−クロロカルボニル−テトラ
ゾリノン類を、適宜中間体の単離を行った後か或は中間
体の単離を行うことなく、一般式（ＩＶ）
【００６１】
【化１７】
【００６２】［式中、Ｒ1およびＲ2は上述した意味を有
する］で表されるアミン類と、希釈剤の存在下および適
宜さらなる塩基性化合物の存在下、−２０℃から＋１０
０℃の範囲の温度で反応させる（「第二工程段階」）こ
とを特徴とする方法。
する］で表されるアミン類と、希釈剤の存在下および適
宜さらなる塩基性化合物の存在下、−２０℃から＋１０
０℃の範囲の温度で反応させる（「第二工程段階」）こ
とを特徴とする方法。
【００６３】２． 式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩ
Ｉ）の各々において、Ａｒが、任意にカルボキシル、シ
アノ、カルバモイル、ニトロ、アミノ、ヒドロキシルま
たはハロゲンでか或はＣ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−
アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、Ｃ1−Ｃ4−アル
キルスルフィニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルホニル、ジ
−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキル
スルホニルアミノ、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ
スルホニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニル、Ｃ1−
Ｃ4−アルキル−カルボニルアミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコ
キシ−カルボニル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル−アミ
ノ）−カルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキレンジオキシ、フ
ェニルまたはフェノキシ（これらは各場合とも任意にフ
ッ素および／または塩素で置換されていてもよい）で置
換されていてもよいフェニルまたはナフチルを表し、そ
して式（Ｉ）および（ＩＶ）の各々において、Ｒ1が、
各場合とも１から６個の炭素原子を有していて各場合と
も任意にシアノまたはハロゲンで置換されていてもよい
アルキル、アルケニルまたはアルキニルを表し、そして
Ｒ2が、１から６個の炭素原子を有していて任意にシア
ノまたはハロゲンで置換されていてもよいアルキルを表
すか、各場合とも２から６個の炭素原子を有していて各
場合とも任意にシアノまたはハロゲンで置換されていて
もよいアルケニルまたはアルキニルを表すか、各場合と
もシクロアルキル部分中に３から６個の炭素原子を有し
そして任意にアルキル部分中に１から２個の炭素原子を
有していて各場合とも任意にシアノ、ハロゲンまたはＣ
1−Ｃ4−アルキルで置換されていてもよいシクロアルキ
ルまたはシクロアルキルアルキルを表すか、或は各場合
とも任意にシアノ、ニトロまたはハロゲンでか或はＣ1
−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−
アルキルチオ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルフィニル、Ｃ1
−Ｃ4−アルキルスルホニル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキ
ル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルホニルアミノ、ジ
−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノスルホニル、Ｃ1−Ｃ4
−アルキル−カルボニルまたはＣ1−Ｃ4−アルコキシ−
カルボニル（これらは各場合とも任意にフッ素および／
または塩素で置換されていてもよい）で置換されていて
もよいフェニルまたはフェニル−Ｃ1−Ｃ2−アルキルを
表すか、或はＲ1と一緒になって２から６個の炭素原子
を有するアルカンジイルを表す、ことを特徴とする第１
項記載の方法。
Ｉ）の各々において、Ａｒが、任意にカルボキシル、シ
アノ、カルバモイル、ニトロ、アミノ、ヒドロキシルま
たはハロゲンでか或はＣ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−
アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、Ｃ1−Ｃ4−アル
キルスルフィニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルホニル、ジ
−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキル
スルホニルアミノ、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ
スルホニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニル、Ｃ1−
Ｃ4−アルキル−カルボニルアミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコ
キシ−カルボニル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル−アミ
ノ）−カルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキレンジオキシ、フ
ェニルまたはフェノキシ（これらは各場合とも任意にフ
ッ素および／または塩素で置換されていてもよい）で置
換されていてもよいフェニルまたはナフチルを表し、そ
して式（Ｉ）および（ＩＶ）の各々において、Ｒ1が、
各場合とも１から６個の炭素原子を有していて各場合と
も任意にシアノまたはハロゲンで置換されていてもよい
アルキル、アルケニルまたはアルキニルを表し、そして
Ｒ2が、１から６個の炭素原子を有していて任意にシア
ノまたはハロゲンで置換されていてもよいアルキルを表
すか、各場合とも２から６個の炭素原子を有していて各
場合とも任意にシアノまたはハロゲンで置換されていて
もよいアルケニルまたはアルキニルを表すか、各場合と
もシクロアルキル部分中に３から６個の炭素原子を有し
そして任意にアルキル部分中に１から２個の炭素原子を
有していて各場合とも任意にシアノ、ハロゲンまたはＣ
1−Ｃ4−アルキルで置換されていてもよいシクロアルキ
ルまたはシクロアルキルアルキルを表すか、或は各場合
とも任意にシアノ、ニトロまたはハロゲンでか或はＣ1
−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−
アルキルチオ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルフィニル、Ｃ1
−Ｃ4−アルキルスルホニル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキ
ル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルホニルアミノ、ジ
−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノスルホニル、Ｃ1−Ｃ4
−アルキル−カルボニルまたはＣ1−Ｃ4−アルコキシ−
カルボニル（これらは各場合とも任意にフッ素および／
または塩素で置換されていてもよい）で置換されていて
もよいフェニルまたはフェニル−Ｃ1−Ｃ2−アルキルを
表すか、或はＲ1と一緒になって２から６個の炭素原子
を有するアルカンジイルを表す、ことを特徴とする第１
項記載の方法。
【００６４】３． 該第一工程段階を５０℃から１２０
℃の範囲の温度で実施することを特徴とする第１項記載
の方法。
℃の範囲の温度で実施することを特徴とする第１項記載
の方法。
【００６５】４． 該第二工程段階を０℃から８０℃の
範囲の温度で実施することを特徴とする第１項記載の方
法。
範囲の温度で実施することを特徴とする第１項記載の方
法。
【００６６】５． 式（ＩＩＩ）
【００６７】
【化１８】
【００６８】［式中、Ａｒは、任意に置換されていても
よいアリールを表す］で表される１−アリール−４−ク
ロロカルボニル−テトラゾリノン類。
よいアリールを表す］で表される１−アリール−４−ク
ロロカルボニル−テトラゾリノン類。
【００６９】６． 第５項記載の式（ＩＩＩ）で表され
る化合物であって、この化合物において、Ａｒが、任意
にカルボキシル、シアノ、カルバモイル、ニトロ、アミ
ノ、ヒドロキシルまたはハロゲンでか或はＣ1−Ｃ4−ア
ルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチ
オ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルフィニル、Ｃ1−Ｃ4−アル
キルスルホニル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、
Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルホニルアミノ、ジ−（Ｃ1−Ｃ4
−アルキル）アミノスルホニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル−
カルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニルアミノ、
Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−カルボニル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−
アルキル−アミノ）−カルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキレ
ンジオキシ、フェニルまたはフェノキシ（これらは各場
合とも任意にフッ素および／または塩素で置換されてい
てもよい）で置換されていてもよいフェニルまたはナフ
チルを表す、ことを特徴とする化合物。
る化合物であって、この化合物において、Ａｒが、任意
にカルボキシル、シアノ、カルバモイル、ニトロ、アミ
ノ、ヒドロキシルまたはハロゲンでか或はＣ1−Ｃ4−ア
ルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチ
オ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルフィニル、Ｃ1−Ｃ4−アル
キルスルホニル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、
Ｃ1−Ｃ4−アルキルスルホニルアミノ、ジ−（Ｃ1−Ｃ4
−アルキル）アミノスルホニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル−
カルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニルアミノ、
Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−カルボニル、ジ−（Ｃ1−Ｃ4−
アルキル−アミノ）−カルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキレ
ンジオキシ、フェニルまたはフェノキシ（これらは各場
合とも任意にフッ素および／または塩素で置換されてい
てもよい）で置換されていてもよいフェニルまたはナフ
チルを表す、ことを特徴とする化合物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カール・カサー ドイツ13585ベルリン・アーヘンバツハシ ユトラーセ５
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 ［式中、Ａｒは、任意に置換されていてもよいアリール
を表し、Ｒ1は、各場合とも任意に置換されていてもよ
いアルキル、アルケニル、アルキニルまたはアルコキシ
を表し、そしてＲ2は、各場合とも任意に置換されてい
てもよいアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロア
ルキル、シクロアルキルアルキル、アリールまたはアリ
ールアルキルを表すか、或はＲ1と一緒になってアルカ
ンジイルを表す］で表される１−アリール−４−カルバ
モイルテトラゾリノン類の製造方法であって、一般式
（ＩＩ） 【化２】 ［式中、Ａｒは上述した意味を有する］で表される１−
アリール−テトラゾリノン類とホスゲンを希釈剤の存在
下０℃から１５０℃の範囲の温度で反応させ（「第一工
程段階」）そしてその結果として生じる一般式（ＩＩ
Ｉ） 【化３】 ［式中、Ａｒは上述した意味を有する］で表される１−
アリール−４−クロロカルボニル−テトラゾリノン類
を、適宜中間体の単離を行った後か或は中間体の単離を
行うことなく、一般式（ＩＶ） 【化４】 ［式中、Ｒ1およびＲ2は上述した意味を有する］で表さ
れるアミン類と、希釈剤の存在下および適宜さらなる塩
基性化合物の存在下、−２０℃から＋１００℃の範囲の
温度で反応させる（「第二工程段階」）ことを特徴とす
る方法。 - 【請求項２】 式（ＩＩＩ） 【化５】 ［式中、Ａｒは、任意に置換されていてもよいアリール
を表す］で表される１−アリール−４−クロロカルボニ
ル−テトラゾリノン類。
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