JPH09102642A - 光学的にポンプされた固体レーザヘッド - Google Patents

光学的にポンプされた固体レーザヘッド

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、レーザに対するポンプ光の結合効
率を増加することを目的とする。 【解決手段】 このレーザ装置は、円筒形空洞300 を構
成している透光性の環状外部スリーブ26と、その外面の
誘電体被覆25と、空洞300 中に位置するレーザロッド22
と、ポンプ光を外部スリーブ26を通ってレーザロッド22
へ導くように誘電体被覆25に設けられた複数のスリット
24とを具備していることを特徴とする。さらにレーザロ
ッド22を囲んで空洞300 内に環状の透光性のジェットス
リーブ28を配置し、それに設けられた複数のオリフィス
を通ってレーザロッドに垂直に衝突するように冷却流体
を空洞300 へ横断方向で導いて冷却することにより効率
よく冷却することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ、特にコンパ
クトで光学的にポンプされ、高パワーの液体衝突により
冷却された固体レーザヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】従来知られている光学的にポンプされた
レーザはレーザ結晶ロッドを通るポンプ光の1回または
2回の通過を行うだけである。非効率的な金属反射被覆
はポンプ空洞外部で使用され、結果的にレーザロッドへ
のポンプ放射の結合効率を減少させる。このようなレー
ザは高価で大きい溶融シリカの楕円形空洞と研磨された
レーザロッドをさらに使用し、寄生発振によるデポンプ
を生じる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の既知の光学的に
ポンプされたレーザに関する別の問題は“光学的火面”
の存在である。この用語は空洞内の光学材料に損傷を生
じる光学表面の反射および屈折により生じる集積した空
洞内の光学的焦点を意味する。
【0004】それ故、本発明の目的は、レーザを改良す
ることである。本発明の別の目的は、光学的にポンプさ
れたレーザの改良である。本発明のさらに別の目的は、
このようなレーザの光結合効率を増加することである。
本発明のさらに別の目的は、横断モードまたはウィスパ
ーモードのようなこのようなレーザの寄生効果を除去ま
たは減少し、光学的火面を除去または減少させることで
ある。本発明のさらに別の目的は、改良されたコンパク
トで光学的にポンプされた高パワーの液体衝突冷却され
た固体レーザヘッドを提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、比較的低い光
吸収を有するレーザ結晶を有する固体レーザダイオード
を使用して効率的で均一な光学ポンプへ提供する。本発
明による構成はレーザ結晶を通るポンプ光の多重通過を
促進する。これは横断ウィスパーモードを最小にし、レ
ーザロッド中またはその近辺の光学的火面を減少し、優
れた光学的ポンプの均一性を与える研磨された表面を有
するレーザロッドを使用することができる。この構成で
はさらに周囲表面に高反射性の多重層の誘電体被覆を有
する円筒形の光ポンプ空洞を使用する。レーザロッドか
ら冷却剤までの改良された熱移動は冷却剤の衝突流の使
用により与えられる。88%の光結合効率が得られる。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の目的および特徴は添付図
面で特に説明されている。本発明はその構成および動作
方法の両者に関して、さらにその目的および効果と共に
添付図面を伴った以下の詳細な説明を参照して最もよく
理解されるであろう。当業者が本発明を実施し、使用す
ることを可能にするために以下の説明を行い、発明者の
考えている本発明の実行の最良モードが説明される。本
発明の一般的原理は特に効果的で経済的に製造可能なレ
ーザヘッドを与えるためここで限定されているが、種々
の変形は当業者に容易に明白である。
【0007】好ましい固体レーザポンプヘッド空洞設計
は図1乃至4で示されている。図1、2で示されている
ように、好ましい実施形態は固体ポンプレーザダイオー
ドおよび集積マイクロレンズ21と、3つの対応する一般
的なレンズ23と円筒形の光ポンプ空洞構造300 の3つの
グループを含んでいる。ポンプ空洞構造300 は研磨され
た表面を有する中心に位置したレーザ結晶ロッド22を含
んでいる。ポンプ空洞構造300 はさらに、光透過ジェッ
トスリーブ28と光透過外部スリーブ26とを含んでいる。
ジェットスリーブ28はより詳細に後述するように液体の
冷却剤をジェット穴38(図4)を通って誘導しレーザロ
ッド22に衝突させる役目を行う。
【0008】周囲の高反射性誘電体被覆25は外部スリー
ブ26上で形成される。3つの穴24が誘電体被覆25に位置
し、それぞれ互いに120度隔てられている。高反射性
の多重層被覆はまたジェットスリーブ28の各端部表面41
と、外部スリーブ26の各端部表面43に設けられ、それに
よってダイオードレーザエネルギをレーザロッド22に反
射して戻す。表面密封は外部スリーブ26とジェットスリ
ーブ28との両者に対して使用される。
【0009】全体の動作で、3つのグループの固体ポン
プレーザダイオード21の光ポンプ放射20は二色性の反射
被覆25の3つの穴またはスリット24を通ってレンズまた
は反射装置23によりレーザ結晶ロッド22の方向に導かれ
る。全てのポンプ放射は基本的に穴24を通過してレーザ
ロッド22に入射することを確実にするように注意する。
【0010】3つのうち1つの透過スリット24に入り、
第1の通路上でレーザロッド22により吸収されない光ポ
ンプ放射20は外部スリーブ26で誘電体反射被覆25により
反射され、レーザロッド22の方向に再度戻される。この
プロセスは全ての光ポンプ放射20が(1)レーザロッド
22により吸収されるか、(2)液体冷却剤、ジェットス
リーブ28または外部スリーブ26により吸収されるか、
(3)1つの透過スリット24または誘電体反射被覆25を
通って集積空洞から透過されるか、または(4)ジェッ
トスリーブ28、外部スリーブ26、液体冷却剤チャンネル
またはレーザロッド22の端部表面を通って集積空洞から
出て行くまで反復される。
【0011】レーザロッド22により吸収される光ポンプ
放射20の一部は、基底状態から励起状態までレーザロッ
ド結晶中でイオンをポンプし、励起状態にある結晶中の
イオンの集団を増加する。Yb:YAGのような結晶で
は、イッテルビウムイオンはレーザダイオード21により
与えられる941.3ナノメータ(nm)の波長の光子
によりポンプされ、非放射手段を通って基底状態よりも
10,624cm-1高い準安定上部レーザレベルへ緩和
する。刺激された放射はこのレベルと、基底状態よりも
612cm-1高いところに位置する下部レーザレベルの
間で生じ、1029.3nmの波長でレーザ光を生成す
る。イオンは非放射手段を通って基底状態へ緩和され再
度ポンプ放射の別の光子を吸収するのに有効である。
【0012】外部スリーブ26およびその端部と、ジェッ
トスリーブ28上の誘電体被覆は一般的にMgF2 、Si
2 、ZnSまたは氷晶石のような多重層の薄膜誘電体
被覆であり、これは一般的な真空被覆チャンバを使用し
て付着されることができる。優れた円周被覆は例えば薄
膜研究所(501B Basin Road,West Hurley,NY 12491)に
より供給されることができ、これは周囲の厚さが均一な
被覆を生成するために被覆チャンバで縦軸を中心に円筒
形スリーブ26をゆっくりと回転する回転肉焼器のような
固定装置を使用する。
【0013】周囲被覆の適切な規準は以下のことであ
る。
【0014】A.0〜60度の内部入射角に対して、硬
い誘電体被覆は、0.9413マイクロメータ波長で>
99.5%の反射であり、1.0293マイクロメータ
波長で<50%の反射率である。
【0015】B.スコッチテープ(Scotch Tape )およ
び消ゴム試験(MIL-C-675A)より優秀でなければならな
い。
【0016】C.水、アルコール、アセトン、界面活性
剤中で溶解しない。
【0017】D.被覆は100kW/cm2 の光束密度
に耐えられなければならない。
【0018】3つの透過穴(スリット)24中の被覆の適
切な規定は以下のとおりである。
【0019】A.反射防止被覆は、0.942マイクロ
メータの波長で<0.2%の反射である。
【0020】B.被覆は100kW/cm2 の光束密度
に耐えられることができる。
【0021】好ましい実施形態では、外部スリーブ26は
通常レーザロッド22の寸法よりも非常に大きく、従っ
て、透過スリット24は外部スリーブ26の表面領域の小部
分を表す。例えば、外部スリーブ26はレーザロッド22の
直径2.0mmと比較して、直径2.5cmである。
【0022】各グループのダイオード21はSDL 社(80 R
ose Orchard Way,San Jose,CA 95134-1356)から容易に
入手できる疑似CWのInGaAsレーザダイオードア
レイまたは“バー”を使用してもよい。ダイオードバー
は941.3nmの波長で放射するように特定され、こ
れはYb:YAGの吸収帯域の中心である。パッケージ
の構造はSDL-3235-J5 であり、これは2mmの中心(2
mmピッチ)に5つの1cmのバーを取付け、集積され
たマイクロレンズアレイ(図示せず)はまた2mm中心
で間隔を隔てられる(2mmで分離された光軸)。パッ
ケージは適切な高いデューティ係数の動作(30%まで
のデューティ係数の寿命試験)の衝突冷却剤を使用す
る。
【0023】各穴またはスリット24の例示的寸法は幅=
2.3mm、長さ(“l”)=7.1mmである。透過
スリット24は長さと幅の両者で限定され、これらの寸法
はダイオードビーム品質に対して最適化される。特に、
透過スリット24の長さと幅は、スリット24が焦点を結ん
だポンプ放射を顕著にぼかすことなく、できる限り小さ
いように最適化される。そのため、光線トレース解析は
透過スリット24の平面の光線束の寸法を決定するために
使用される。スリットの寸法は全体の吸収効率(レーザ
ロッド内に徐々に吸収されるもとのダイオードパワーの
割合)が最大にされるとき最適化される。好ましい実施
形態により構成された装置では、各スリット24の寸法は
ポンプ放射の80%を通過するように設計された。マス
キングエラーは特定化されたものよりも大きなスリット
寸法で生じ、やや空洞への転送効率を増加するが、低い
空洞吸収効率を犠牲にする(それを通っての通過でより
多くのポンプ光がスリットを通って失われる)。
【0024】設計全体を考慮すると、ポンプダイオード
ビーム品質または焦点集中の増加はスリット24の寸法の
減少を可能にすることが観察される。ポンプダイオード
21から放射された光の焦点集中性は放射面に近接して設
けられる円筒形のマイクロレンズの使用により強化さ
れ、これは個々に高速方向(ダイオードバーの細い軸)
で各ダイオードバーからの光を照準する。焦点集中は最
終的にマイクロレンズの品質と、マイクロレンズをダイ
オードバー21と整列するときの構造上のエラーと、ダイ
オードバーの変形と、マイクロレンズの温度に対する感
度と、レンズにより環状の拡散へ変形されるダイオード
アレイの限定された放射表面により制限される。“Refr
active Ellipsoid Optical Surface Without Spherical
Aberration ”と題する1995年1月4日出願の米国特許
第08/368,447号明細書はマイクロレンズ出力の焦点集中
を改良する新しい屈折性の光学系を開示している。
【0025】ポンプダイオードの輝度は放射表面のパワ
ー密度と焦点集中の積である。輝度はダイオードのパワ
ー密度の増加または各ダイオード放射領域(例えばエッ
ジの放射ダイオードバーの切り子面または表面放射ダイ
オードアレイの放射領域)の出力を良好に照準すること
により強化されることができる。好ましい実施形態で
は、通常の円筒形マイクロレンズは2次元の“ラックお
よびスタック”ダイオードアレイの焦点集中を強化する
ようにエッジ放射ダイオードバー21と共に使用された。
さらに、ダイオード輝度の改良は、高い出力パワー(例
えば1cmバー当たり100Wピークの光パワー対60
W)のダイオードを使用し、高いデューティ係数でダイ
オードを動作し(例えば導電性サブマウント上にバーを
取付ける代りにマイクロチャンネル冷却剤を使用してダ
イオードバーを直接冷却しサブマウントを噴流冷却す
る)、マイクロレンズの品質を改良(例えば前述の米国
特許明細書の方法を用いる)することにより達成される
ことができる。レーザダイオードバーのマイクロチャン
ネル冷却は100%までのデューティ係数で信頼性のあ
る動作を許容し、これはLawrence Livermore National
Laboratoryおよびその他で示されている。このようなア
レイはまだ市販されていないが、使用されることができ
る。ダイオード切り子面の長期間の損傷に対する感度が
アルミニウム濃度に関連し、941.3nmでYb:Y
AGをポンプするために使用されるInGaAsアレイ
21がアルミニウムを含まないことを示唆する証拠が存在
する。
【0026】Yb:YAGレーザポンプ空洞の外部スリ
ーブ26において現在好ましいガラスは0.941マイク
ロメータのポンプ波長で低吸収であるためによく知られ
ているBK7タイプである。ジェットスリーブ28は好ま
しい実施形態では溶融シリカである。ジェットスリーブ
28用の光学材料の選択は規準数に依存する。重要な設計
考察は、一般的な穿孔またはレーザ穿孔のいずれかを使
用してジェット穴38を製造する能力である。レーザ穿孔
は、良好な熱移動効率に必要な小さい寸法の穴38のため
に好ましい実施形態で使用された。溶融シリカはポンプ
波長でより吸収されるが、BK7よりも溶融シリカに穴
を穿孔することが好ましい。ジェットスリーブ28は外部
スリーブ26よりも薄く、ジェットスリーブ28のポンプ光
吸収は好ましい実施形態に応じて重要な設計問題を示さ
ない。
【0027】好ましい実施形態の別の特徴は、それぞれ
テーパーされた表面33により形成される放射レーザ結晶
ロッド22の“犬の骨”状の形態であり、これはそれぞれ
ドープされていない大きな直径の延在部34に導かれる。
レーザロッド22の中心領域37の直径は例えば0.077
乃至0.081インチであり、一方ドープされていない
大きな直径の延在部34は例えば直径0.89乃至0.9
3インチである。延在部34は製造および操作期間中にロ
ッド端部のチップ化を防止するため面取り部35を形成す
るようにロッド22の端部136 で研磨される。面取り部35
は好ましくはロッド22に対して45度の角度で長さ0.
04乃至0.08インチである。これらの面取り部は活
性イオンでドープされるレーザロッド22の中心部分また
は領域37のあらゆる部分を曖昧またはぼかすことはな
い。このように、中心部分または領域37内の集団反転に
蓄積されるほぼ全てのエネルギはレーザビームによる抽
出のためにアクセス可能である。
【0028】図示の実施形態のレーザ結晶ロッド22の円
筒形表面は前述したように研磨された表面である。好ま
しい実施形態の表面は400粒度の粗い研磨を有するよ
うに特定化される。性能に影響しないように面取り部35
上の研磨は選択的である。研磨されたロッド22の円筒形
外部表面はロッド22および冷却液体の屈折率が一致しな
いとき集積空洞の吸収効率を増加する。ロッドの研磨表
面に衝突するポンプ光は、角度反射関数に応じて前方拡
散または後方拡散される。理想的なランベルト散乱表面
では、散乱された放射はコサインφ関数で分布され、φ
は入射角度に無関係に散乱表面に垂直な軸に関する散乱
光線角度である。ポンプ空洞からロッド22に入る光線は
平均的にロッド22の中心領域37の方向に導かれ、ここで
ロッドを通る通路の長さは最長で、単位通過当りの吸収
は最大である。ロッド22を離れる光線は平均して半径方
向に誘導され、したがって外部スリーブ26の被覆された
周面により反射されるとき、これらの光線は再度ロッド
22の中心方向に戻される。研磨されたロッド表面はそれ
故、それぞれロッド22を通過する吸収長を増加する放射
方向に沿って光線を散乱する傾向により集積空洞の吸収
効率を改良する。種々の実施形態では、研磨の粗さは効
率、ポンプの均一性、冷却効率を最適にするように調節
される。何が“最適”であるかはロッドサイズに応じて
異なる。
【0029】Yb3+のような疑似3レベルレーザ媒体で
は、ロッド22は3つの近接する材料領域を与える3つの
レーザ結晶の拡散結合構造であってもよく、レーザシス
テムに対する損失を表すポンプされていない領域の容積
を最小にする。拡散結合は好ましくはギャップなしに境
界領域間の材料境界全体にわたって達成される。ドープ
されていないYAG結晶へのYb:YAG結晶の拡散結
合は例えばOnyx Optics.6545 Sierra Lane,Dublin,CA 9
4568により達成されることができる。
【0030】ロッド22の中心円筒形領域37はYAG(Y
b:YAG)のイッテルビウム(Yb3+)のような活性
イオンでドープされる。ドープ濃度は1%の原子であっ
てもよい。ロッド22の端部近辺のドープされていないセ
グメント36はYAGのような同一の結晶構造を有してい
る。端部領域34の端部表面136 は試験を容易にするため
相互に平行にされ、これらの間の寄生レーザ作用または
発振を阻止するように3.6度の角度θで切断されても
よい。これらは単位MIL-0-1380当り10−5の仕上げを
有する。端部表面136 の穴全体は高損傷抵抗と反射防止
被覆を有する一般的な技術により被覆され、これは以下
の規準に従う。
【0031】A.反射は単位表面当り0.2%より大き
くない。
【0032】B.被覆は前述したものを除いてMIL-C-48
407 の必要条件に適合する。湿度の必要性は適合しな
い。
【0033】C.被覆は100メガワット/cm2 の光
束密度に耐えることができる。
【0034】中心のドープセグメント37の最適のドーピ
ング濃度はレーザ媒体、レーザロッド22の直径、集積さ
れたポンプ空洞の吸収効率、単位ユニット長当りのポン
プパワーを含む設計パラメータ数に依存する。本発明の
好ましい実施形態で示したように、1%の原子ドープ濃
度が便宜的に使用される。“百分率原子”濃度は同一容
積×100%のドープされていない結晶中のイットリウ
ムサイトの総数により割算されたYAG結晶へドープさ
れた活性Yb3+イオン数として限定される。最適のドー
プ濃度はやや少なく約0.5%原子と考えられている。
本発明はこのような特定のドープ濃度に限定されない
が、全てのドープ濃度(Ybは100%までYAGにド
ープされることができる)と、LuAG(ルテチウムア
ルミニウムガーネット)のような他のホスト結晶とネオ
ジムのような他の活性イオンに適応される。
【0035】本発明のレーザ空洞設計は、Phillips, St
rattan, Desai による“Method andStructure for Impi
ngement Cooling a Laser Rod”と題する1994年11月15
日出願の米国特許第08/339,616号明細書で別々に記載さ
れている半径方向の噴射衝突冷却方法および装置で使用
されることが好ましい。本発明の重要な局面は、このポ
ンプヘッド構造のポンプ効率を強化する特有の設計特徴
および、集積されたポンプ空洞の噴射衝突冷却の使用で
ある。
【0036】噴射衝突冷却システムは円筒形多重ノズル
スプレー本体またはジェットスリーブ28により図4で概
略的に示されている。加圧されたメチルアルコール冷却
剤は31で入り、スプレー本体またはジェットスリーブ28
を通過して32で出る(図3)。前述したように、好まし
い実施形態では、ジェットスリーブ28のオリフィスまた
は“ジェット”穴38はレーザ穿孔を使用して穿孔され
る。典型的なオリフィス寸法は直径0.006乃至0.
012インチである。
【0037】冷却剤入口ポート31は“肘”固定装置69,7
0 と端部キャップマニホールド71,73 を通って延在し、
内部ジェットスリーブ28と外部スリーブ26との間の環状
流体チャンネル134 (図4)と連通する。矢印により示
されているように冷却剤は各冷却剤入口ポート31を通っ
て導入される。冷却剤出口ポート32は端部キャップマニ
ホールド71,73 を通って延在し、チャンネル134 と接続
されている。
【0038】冷却剤流体は従って入力ポート31を通って
流体チャンネル134 に入り、ジェット穴38を通ってレー
ザロッド22の周囲の環状空洞114 へ入る。放射状に延在
するジェット穴38は冷却剤がレーザロッド22を通ってス
プレーし、そこへ衝突することを可能にする。冷却剤が
レーザロッド22に衝突した後、これは端部マニホールド
を通って両者の端部から冷却剤出口32へ排出される。
【0039】冷却剤流体はレーザロッド22に垂直な実質
上半径方向でレーザロッド22へ供給されることが重要で
ある。レーザロッド22への冷却流体のこのような放射方
向の衝突を与えることは従来技術の軸方向に流動する技
術と比較して強化した冷却を提供する。放射方向で入る
流体は軸方向の流動冷却と比較して増加した乱流を有す
る傾向がある。乱流は薄層流動と比較して増加した熱移
動速度を与える。本発明による乱流放射方向衝突冷却装
置では、境界層は小さく、それによって冷却剤とレーザ
ロッド22の間により小さい温度(Δt)を生じる。
【0040】図7、8はレーザヘッドの構造を強化し、
使用中に整列を維持し、冷却流体の漏洩を防止するため
の好ましい実施形態により使用される密封および整列構
造をさらに詳細に示している。円筒形外部スリーブ26は
第1、第2のOリング49,51と4つのタブ75により位置
される。Oリング49,51 はそれぞれ端部キャップ73,71
に一体的に形成されている各カラー45,47 により各端部
キャップ73,71 の内部表面に対して整列されている。タ
ブ75は90度離れて方向付けされ各端部キャップ71,73
の一体部分として機械加工される。外部スリーブ26のグ
ロス表示を与えることに加えて、タブ75はさらにジェッ
トスリーブ28を位置付け整合する。Oリング49,51 はさ
らにコンプライアントなピストンタイプの取り付けを設
けている。従って、円筒形外部スリーブ26は組立て期間
中に位置付けられたOリング49,51 へ滑動して挿入され
る。組立て全体は3つのタイロッド、例えば29(図3)
により共に保持され、これはばね30による張力下にあ
る。ばね30は部品の熱膨張係数の差に適合することを助
長するために使用されている。
【0041】付加的なOリング対53,55 と59,57 は冷却
流体がレーザヘッドから漏洩しないようにするため表面
密封を施す。Oリング53,55 はそれぞれ端部キャップ7
1,73の各環状チャンネル50に位置され、外部スリーブ26
の端部表面43に密封して接触している。Oリング59,57
は各端部キャップ73,71 中の環状チャンネル91に位置さ
れ、ジェットスリーブ28の端部表面41に密封して接触す
る。
【0042】Oリング61,63 は端部キャップ71,73 に対
してレーザロッド22の端部近くの各円筒形表面を密封す
る。レーザロッド22の粗い表面に対する密封の特別な手
段が設けられている。特に、円錐状にテーパーされた端
部80,82 を有するそれぞれのプラグ79,83 は穴に滑動し
て挿入され、それによって、テーパーされた端部80,82
はOリング61,63 と接触する。それぞれ螺合した円錐形
カラー81,85 はOリング61,63 をレーザロッド22の各円
筒形表面について内方向に押付けるために捩子が設けら
れている。したがって、Oリング61,63 は研磨された表
面との密封を改良するようにレーザロッド22へくさび状
に結合される。
【0043】最後に、Oリング65,67 と66,68 の2つの
対は各固定物69,70 を端部キャップ71,73 へ密封するよ
うに提供される。固定装置69,70 は冷却剤流体通路また
はポート93,95,97,99 への“肘形”入口を与える。
【0044】反射性の円錐状バッフル101,103 はマニホ
ールド構造の一部として含まれる。これらのバッフルは
機械加工され、円錐状表面を研磨し、冷却剤マニホール
ドを通って失われる一部のポンプ光を捕捉し反射または
戻すように動作する。
【0045】当業者は前述の好ましい実施形態の種々の
適合および変形が本発明の技術的範囲を逸脱することな
く構成されることができることを認識するであろう。し
たがって、例えば、種々の特定の寸法および他のパラメ
ータは図示の実施形態に関連して与えられ、これらは本
発明の方法を使用する他の装置を構成することにおいて
当業者により変形されてもよい。研磨されたレーザロッ
ド表面のような種々の特徴は図示の実施形態の性能を改
良し、冷却液体はレーザロッドに適切に屈折率が一致し
ない。他の実施形態では、このような特徴を省略するこ
とが所望され、または可能である。それ故、特許請求の
範囲に記載された技術的範囲内で、本発明はここで特別
に説明される以外に実施されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】好ましい実施形態による光ポンプアレイの概略
レイアウトの斜視図。
【図2】図1のレイアウトの平面図。
【図3】好ましい実施形態の円筒形の光ポンプ空洞の断
面図。
【図4】図3の部分的拡大図。
【図5】好ましい実施形態による空洞中のポンプ放射の
光路を示した概略端面図。
【図6】光線トレース解析に基づいたレーザロッドへの
ポンプ放射の理論的な光結合効率を示したπグラフ。
【図7】好ましい実施形態によるレーザ構造をさらに詳
細に示した側面の断面図。
【図8】ジェットスリーブと外部スリーブを除去した端
部キャップ構造の端面図。
【図9】好ましい実施形態によるレーザロッドの1端部
の側面図。
【図10】図7の部分拡大図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・ダブリュ・バイレン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90254、ハーモサ・ビーチ、トゥエンティ ーフォース・ストリート 642 (72)発明者 エリック・シー・フェスト アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90291、ベニス、ナンバー 217、ベニス・ ブールバード 1140 (72)発明者 スチーブン・シー・マスューズ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90272、パシフィック・パリセーズ、アイ リフ・ストリート 860 (72)発明者 スチーブン・アール・クリンガー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90278、レドンド・ビーチ、ナンバー・シ ー、マーシャルフィールド・レーン 1923

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 円筒形空洞を提供し外部表面を有する光
    透過性の環状外部スリーブと、 前記外部スリーブの外部表面上の誘電体被覆と、 前記空洞中に位置するレーザロッドと、 ポンプ光を前記外部スリーブを通って前記レーザロッド
    へ導くように位置される前記誘電体被覆における複数の
    スリットとを具備しているレーザ装置。
  2. 【請求項2】 前記レーザロッドを囲む前記空洞内に位
    置する環状の光透過性のジェットスリーブをさらに含ん
    でおり、前記レーザロッドに垂直に衝突するように冷却
    流体を前記空洞へ横断方向で導くための複数のオリフィ
    スを有する請求項1記載のレーザ装置。
  3. 【請求項3】 前記外部スリーブがガラスで構成され、
    前記ジェットスリーブが溶融シリカで構成されている請
    求項2記載のレーザ装置。
  4. 【請求項4】 前記外部スリーブと前記ジェットスリー
    ブがそれぞれ1対の端部表面を有し、さらに前記レーザ
    ロッドの方向にエネルギを反射して戻すため前記外部ス
    リーブと前記ジェットスリーブの各端部表面上に誘電体
    被覆を含んでいる請求項2または3記載のレーザ装置。
  5. 【請求項5】 前記レーザ装置は、前記ジェットスリー
    ブと前記外部スリーブを相互に関して位置付けるように
    位置された複数の整列タブを有する第1および第2の端
    部キャップを含んでいる請求項2、3または4記載のレ
    ーザ装置。
  6. 【請求項6】 前記各端部キャップは、冷却流体を前記
    ジェットスリーブへ誘導し、および前記レーザロッドか
    ら排出するために1以上の入口ポートと1以上の出口ポ
    ートとを含んでいる請求項5記載のレーザ装置。
  7. 【請求項7】 前記各端部キャップは前記ジェットスリ
    ーブと前記外部スリーブの各端部表面に接触して密封部
    材を位置付けするように位置されているチャンネルを含
    んでいる請求項5または6記載のレーザ装置。
  8. 【請求項8】 前記レーザロッドは研磨された外部表面
    を有する請求項1乃至7のいずれか1項記載のレーザ装
    置。
  9. 【請求項9】 各端部キャップはさらに前記外部スリー
    ブの外部表面に関して密封してOリングを位置付けする
    ように設けられたカラーを含んでいる請求項5乃至8の
    いずれか1項記載のレーザ装置。
  10. 【請求項10】 前記レーザロッドは第1および第2の
    面取りされた端部を含んでいる請求項9記載のレーザ装
    置。
  11. 【請求項11】 前記端部キャップはそれぞれ前記レー
    ザロッドの各端部に隣接して位置し、前記レーザロッド
    の方向へエネルギを反射するように成形されている円錐
    状のバッフルを含んでいる請求項5乃至9のいずれか1
    項記載のレーザ装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134560A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Japan Science & Technology Agency 固体レーザー装置
JP2009540582A (ja) * 2006-06-13 2009-11-19 アー・ファウ・エル・リスト・ゲー・エム・ベー・ハー モノリシック構造の共振器を備える固体レーザ

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6873639B2 (en) * 1993-05-28 2005-03-29 Tong Zhang Multipass geometry and constructions for diode-pumped solid-state lasers and fiber lasers, and for optical amplifier and detector
US5778020A (en) * 1996-06-04 1998-07-07 Cj Laser, Inc. ND: YAG laser pump head
US5949805A (en) * 1997-09-22 1999-09-07 Trw Inc. Passive conductively cooled laser crystal medium
US6026109A (en) * 1998-01-22 2000-02-15 Cutting Edge Optronics, Inc. High-power, solid-state laser in a cylindrical package
US6418156B1 (en) 1998-11-12 2002-07-09 Raytheon Company Laser with gain medium configured to provide an integrated optical pump cavity
US6999491B2 (en) * 1999-10-15 2006-02-14 Jmar Research, Inc. High intensity and high power solid state laser amplifying system and method
US6704341B1 (en) * 1999-11-19 2004-03-09 The Regents Of The University Of California Diode-pumped laser with improved pumping system
WO2002019781A1 (en) 2000-08-31 2002-03-07 Powerlase Limited Electromagnetic radiation generation using a laser produced plasma
EP1278278A1 (en) 2001-07-18 2003-01-22 Nanyang Technological University Diode pumped solid state laser
GB0117788D0 (en) * 2001-07-20 2001-09-12 Mertek Ltd Laser apparatus
US7058102B2 (en) * 2001-09-18 2006-06-06 Dso National Laboratories High-power solid-state laser
US6859472B2 (en) * 2001-11-13 2005-02-22 Raytheon Company Multi-jet impingement cooled slab laser pumphead and method
JP3759066B2 (ja) * 2002-04-11 2006-03-22 孝晏 望月 レーザプラズマ発生方法およびその装置
US6690696B2 (en) * 2002-06-14 2004-02-10 Raytheon Company Laser cooling apparatus and method
KR100502737B1 (ko) * 2002-07-30 2005-07-25 주식회사 솔고 바이오메디칼 고체 레이저 펌핑장치
JP2004179412A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Nec Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置並びにその製造方法
WO2004066457A1 (en) * 2003-01-24 2004-08-05 Trumpf, Inc. Side-pumped fiber laser
WO2004084364A1 (ja) * 2003-03-17 2004-09-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha レーザ発振器
FR2877776B1 (fr) * 2004-11-05 2007-01-26 Thales Sa Dispositif d'amplification laser a haute energie et a haute qualite de faisceau
US7430230B2 (en) * 2005-04-07 2008-09-30 The Boeing Company Tube solid-state laser
CN100405677C (zh) * 2005-07-08 2008-07-23 北京国科世纪激光技术有限公司 一种制备半导体激光抽运模块中的激光反射腔的装置
FI118937B (fi) * 2005-07-13 2008-05-15 Picodeon Ltd Oy Diodipumppu
CN101646802B (zh) * 2007-03-30 2011-08-03 东京毅力科创株式会社 蒸镀源单元、蒸镀装置以及蒸镀源单元的温度调整装置
DE102007033624B4 (de) * 2007-07-17 2010-08-26 Deutsch Französisches Forschungsinstitut Saint Louis Wärmekapazitätslaser
EP2443707B1 (en) * 2009-06-15 2015-09-30 Pantec Biosolutions AG A monolithic, side pumped solid-state laser and applications thereof
WO2010145855A1 (en) 2009-06-15 2010-12-23 Pantec Biosolutions Ag Monolithic, side pumped solid-state laser and method for operating the same
CN102780152B (zh) * 2012-06-29 2014-11-26 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种高功率ld侧面环绕泵浦结构模块
DE102012112554A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-18 A.R.C. Laser Gmbh Kühlanordnung für laseraktive Festkörpermaterialien, Laseranordnung und Verfahren zur Kühlung eines laseraktiven Festkörpermaterials
CN103219637B (zh) * 2013-03-29 2015-07-29 中国科学院半导体研究所 半导体侧泵激光器的冷却方法和冷却装置
CN103219636B (zh) * 2013-03-29 2016-01-27 中国科学院半导体研究所 灯泵侧泵激光器的冷却方法和冷却装置
CN103811977B (zh) * 2014-02-19 2016-08-17 中国电子科技集团公司第十三研究所 半导体激光器泵浦的固体激光模块
RU2614081C1 (ru) * 2015-09-28 2017-03-22 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Квантрон твердотельного лазера с диодной накачкой
US9601904B1 (en) 2015-12-07 2017-03-21 Raytheon Company Laser diode driver with variable input voltage and variable diode string voltage
RU2622237C1 (ru) * 2015-12-23 2017-06-13 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Квантрон твердотельного лазера с диодной накачкой
FR3077686B1 (fr) * 2018-02-05 2020-09-25 Commissariat Energie Atomique Element d'un systeme optique, pour recevoir un fluide fonctionnel sous pression.

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297467A (ja) * 1992-08-17 1995-11-10 Hughes Aircraft Co レーザ装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3395366A (en) * 1963-09-19 1968-07-30 American Optical Corp Mode selective laser structure
US4751716A (en) * 1986-05-01 1988-06-14 Amada Engineering & Service Co., Inc. Hollow cylindrical solid state laser medium and a laser system using the medium
US4756002A (en) * 1986-06-23 1988-07-05 Mcdonnell Douglas Corporation Laser diode coupler
FR2641422B1 (fr) * 1989-01-04 1994-09-30 Comp Generale Electricite Laser a barreau avec pompage optique par source a plage d'emission etroite
US4969155A (en) * 1989-10-10 1990-11-06 Hughes Aircraft Company Integrating laser diode pumped laser apparatus
US5307365A (en) * 1991-08-08 1994-04-26 Northrop Corporation Cavity pumped, solid state lasers
US5471491A (en) * 1994-11-15 1995-11-28 Hughes Aircraft Company Method and structure for impingement cooling a laser rod

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297467A (ja) * 1992-08-17 1995-11-10 Hughes Aircraft Co レーザ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134560A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Japan Science & Technology Agency 固体レーザー装置
JP2009540582A (ja) * 2006-06-13 2009-11-19 アー・ファウ・エル・リスト・ゲー・エム・ベー・ハー モノリシック構造の共振器を備える固体レーザ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0743725B1 (en) 2000-02-16
DE69606664T2 (de) 2000-10-26
EP0743725A1 (en) 1996-11-20
IL118094A (en) 2001-01-11
JP3065937B2 (ja) 2000-07-17
IL118094A0 (en) 1996-09-12
US5636239A (en) 1997-06-03
DE69606664D1 (de) 2000-03-23

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