FI118937B - Diodipumppu - Google Patents
Diodipumppu Download PDFInfo
- Publication number
- FI118937B FI118937B FI20050758A FI20050758A FI118937B FI 118937 B FI118937 B FI 118937B FI 20050758 A FI20050758 A FI 20050758A FI 20050758 A FI20050758 A FI 20050758A FI 118937 B FI118937 B FI 118937B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- diode pump
- pump
- att
- diode
- laser
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
n. .. 1 1 8937
Diodipumppu Keksinnön ala 5 Tämän keksinnön kohteena on uusi diodipumppu, jossa diodipumpun osaksi on integroitu optinen laserpulssin säteenlaajentaja, jonka välityksellä lasersäde ohjataan eteenpäin. Diodipumpun valopalkit ovat edullisesti piitä kovempaa, geometriselta rakenteeltaan suuria tehomääriä kestävää materiaalia. Keksinnön kohteena olevalla diodipumpulla lasersäde voidaan ohjata eteenpäin ilman kuitulasereiden tehoa 10 rajoittavia optisia siirtokuituja tai optisia suurteholiittimiä.
Tekniikan taso
Laserteknologia on edistynyt huomattavasti viime vuosina ja nykyisin pystytään jo 15 tuottamaan erittäin korkealla hyötysuhteella toimivia puolijohdekuitupohjaisia laserjärjestelmiä, mikä on ehdoton edellytys muun muassa niin kutsutuissa kylmäablaatiomenetelmissä.
Kuitulaserien kuidut eivät kuitenkaan mahdollista suuritehoisten, pulssimuotoon kompressoitujen lasersäteiden siirtoa työpisteeseen. Ne eivät yksinkertaisesti kestä 20 suuritehoisen pulssin siirtoa. Yksi syy, miksi optisia kuituja on päädytty käyttämään v.: lasersäteen siirtämiseen on se, että jo yhdenkin lasersäteen siirtäminen paikasta toiseen vapaan ilmatilan kautta peilien avulla työpisteeseen on jo itsessään erittäin vaikeaa ja melko mahdotonta soveltaa teollisessa mittakaavassa. Vapaassa ilmatilassa liikkuvat lasersäteet ovat luonnollisesti myös merkittävä : .·. 25 työturvallisuusriski.
··· * ··· Täysin kuitupohjaisen diodipumpatun puolijohdelaserin rinnalla kilpailee lamppupumpattu laserlähde, jossa siinäkin lasersäde johdetaan ensin kuituun ja siitä edelleen työpisteeseen. Nämä kuitupohjaiset laserjärjestelmät ovat tällä hetkellä :***: ainoat tavat saada aikaan laserablaatioon perustuvaa tuotantoa teollisessa • · · 30 mittakaavassa.
t « ·:··: Nykyisten kuitulasereiden kuidut ja sitä kautta matala sädeteho aiheuttavat rajoituksia siihen, mitä aineita on mahdollista höyrystää. Alumiinin höyrystäminen "7; onnistuu pienelläkin pulssiteholla, kun taas vaikeammin höyrystyvien aineiden kuten * kupari, wolframi jne. vaativat huomattavasti korkeamman pulssitehon. Sama koskee 2 118937 tilannetta, jossa samaisella tekniikalla tahdotaan valmistaa uusia yhdisteitä. Esimerkkejä tällaisesta ovat timantin valmistaminen suoraan hiilestä tai alumiinioksidin valmistaminen suoraan hapesta ja alumiinista laseroinnin jälkeisessä höyryfaasissa tapahtuvan reaktion avulla.
5 Myös lasersäteen vieminen laserlaitteesta työpisteeseen optisen kuidun avulla on ainoa tunnetun tekniikan toimiva vaihtoehto.
Suurin este kuitulaserteknologian eteenpäin menemiselle on siis se, että optisella kuidulla ei voida siirtää suuria energiamääriä ilman, että kuitu hajoaa tai että lasersäteen laatu heikkenisi oleellisesti.
10 Koska yhden pulssin sisältämä energiamäärä lisääntyy pulssin lyhentyessä, on kyseinen ongelma on tietenkin sitä suurempi, mitä lyhyempi laserpulssi on. Ongelma ilmenee jo nanosekunttipulssilasereissa, vaikka kysymyksessä ei sinänsä ole edes vielä niin kutsuttu kylmäablaatiomenetelmä.
Pulssin pituuden lyhetessä edelleen femto-, tai jopa attosekunttien mittaiseksi tulee 15 ongelmasta lähestulkoon ylitsepääsemätön. Esimerkiksi pikosekunttilaserjärjestelmässä, jossa pulssin pituus on 10-15 ps, tulisi pulssenergian olla 5 pj 30 nm:n spottia kohti, kun laserin kokonaisteho on 100 W ja toistotaajuus on 20 MHz. Kuitua, joka kestäisi edes kyseiset 5 pj ei ole tällä hetkellä saatavissa.
Kuitulaserin tärkeällä sovellutusalueella laserablaatiossa, on kuitenkin olennaisen 20 tärkeää aikaansaada mahdollisimman suuri, optimaalinen pulssiteho ja pulssienergia.
• · :.v Mitä lyhyempi pulssi on, sen suurempi on energia, mikä määrätyssä ajassa menee siitä läpi. Aikaisemmin mainitussa tilanteessa, jossa pulssin pituus on 15 ps ja pulssienergia on 5 pj ja edelleen kokonaisteho on 100W, on pulssin energiataso n.
.**·. 400 000 W (400 kW). Sellaisen kuidun, jossa edes 200 kW:n pulssi menisi läpi ··· :.·. 25 15ps:n pulssinpituudella ja missä pulssin muoto pysyisi optimaalisena, !···,' valmistaminen ei ole tämän hetkisen tietotaidon perusteella mahdollista.
· • · «
Mikäli kuitenkin tahdotaan rajattomat mahdollisuudet tuottaa aineplasma mistä :,·.·* tahansa aineesta tai aineista, on pulssin energian tehotason oltava vapaasti valittavissa, esimerkiksi 200 kW:n ja 40 MW:n välillä.
··* * 30 Nykyisiin kuitulasereihin liittyvät ongelmat eivät kuitenkaan rajoitu ainoastaan kuituun, vaan erillisten diodipumppujen liittämiseen yhteen optisten liittimien avulla halutun kokonaistehon saavuttamiseksi. Tällainen koottu säde johdetaan sitten yhdellä kuidulla työpisteeseen.
• ·· • · 3 118937 Tällaisen optisen liittimen tulisi kestää yhtä paljon tehoa kuin itse optisen kuidun, jolla suuritehoinen pulssi viedään työpisteeseen. Lisäksi pulssimuodon tulisi tässäkin lasersäteen siirtovaiheessa pysyä muodoltaan optimaalisena. Nykyisiäkin tehoarvoja kestävät optisten liittimien valmistaminen on erittäin kallista, niiden toimintavarmuus 5 on heikkoa ja ne muodostavat kuluvan osan, eli ne pitää uusia määrätyin ajoin.
Nykyisissä kuitulasereissa tuotetaan tasainen määrä tehoa yhdessä diodipumpussa, joita on sitten useampia samanlaisia. Käytettävien kuitujen tulee olla taipuisia, koska muuten ollaan tilanteessa, jossa laserkuitua ei saada vietyä työpisteeseen. Ainoa kuiduissa käytettäväksi sopiva materiaali on täten pii (puhdas lasi), joka on 10 vedettävissä tarpeeksi ohueksi ja taipuisaksi kuiduksi, tyypillisesti 10-45 pm:n välille. Mikäli piistä valmistettu kuitu tehdään paksummaksi kuin 150 pm, se ei enää taivu kuin erittäin suurelle kaarelle. Tällaista kuitua ei voida enää käyttää kuitulasersovellutuksissa. Mikäli piistä valmistettu kuitu vedetään esimerkiksi 50 pm:n paksuiseksi, se ei kestä enää suuria laserpulssitehoja. Mikäli kuitumateriaaliksi 15 valittaisiin joitain kovempia materiaaleja ja valmistettaisiin ohuempaa kuitua, kuitu ei taipuisi ollenkaan, eikä suuria tehoja kestäviä materiaaleja voitaisi vetää optisiksi siirtokuiduiksi.
Myös diodipumpun valopalkit (primääri- ja sekundäärivalopalkit) ovat piitä, ja niitä koskee samat tehorajoitukset kuin itse kuituakin. Täyskuitulaseijäijestelmissä 20 diodipumpun valopalkin läpimitta on riippuvainen optisen siirtokuidun halkaisijasta, eli sen läpimitta on rajoitettu. Myös valopalkkien muoto on rajoitettu pyöreäksi.
:Y: Keksinnön yhteenveto • · • · « 5 Tämän keksinnön kohteena on uusi diodipumppu, jossa diodipumpun osaksi on • ♦ integroitu optinen laserpulssin säteenlaajentaja, jonka välityksellä lasersäde ohjataan 25 eteenpäin.
• · • · ♦ • » · ··« · .···. Edelleen, tämän keksinnön kohteena on menetelmä diodipumpun valmistamiseksi, jossa diodipumpun osaksi integroidaan optinen laserpulssin laajentaja, jonka välityksellä lasersäde ohjataan eteenpäin.
• · « ···
Nyt tehty keksintö perustuu siihen yllättävään havaintoon, että lasersäde voidaan 30 ohjata diodipumpusta eteenpäin ilman siirtokuitua tai optisia suurteholiittimiä.
• » Tällaisessa diodipumpussa on integroitu optinen laserpulssin säteenlaajentaja, jolta . lasersäde voidaan kohdistaa suoraan haluttuun kohteeseen. Koska lasersädettä ei ...Γ enää siirretä optisen kuidun ja optisten suurteholiittimien kautta eteenpäin, ei diodipumpun valopalkkienkaan läpimitta, geometrinen muoto, valmistusmateriaali ja 4 118937 siten diodipumpusta ulosotettava tehokaan ole enää riippuvainen diodipumppuun normaalisti liitettävien optisten kuitujen ja teholiittimien mukanaan tuomista rajoituksista.
Keksintö mahdollistaa erittäin suuritehoiset diodipumput, jotka voidaan 5 edelleen integroida osaksi laserlaitteistoa, jossa yksi tai useampi diodipumpattu lasersäde ohjataan suoraan diodipumppuun integroidun optisen säteeniaajentajan kautta skannerille ja siitä korjausoptiikan kautta työpisteeseen. Nyt tehdyn keksinnön avulla diodipumpuista voidaan tehdä huomattavasti aikaisempia tehokkaampi vaihtamalla valopalkeissa nykyisin 10 käytettävä pii laserpulssin tehoja paremmin kestäväksi materiaaliksi ja valinnaisesti dooppaamalla tämä materiaali harvinaisilla maametalleilla. Diodipumpusta saatavaa tehoa voidaan nostaa edelleen muuttamalla valopalkin geometrista muotoa sekä sen halkaisijaa.
Tällainen diodipumppu voi olla osa tyhjiöhöyrystyslaitteistoa, sijoitettuna joko 15 kyseisen laitteiston sisälle tai ulkopuolelle. Tällainen kokonaisratkaisu ratkaisee kuitulasereihin liittyvät tehoa rajoittavat ongelmat edullisesti ja mahdollistaa tämän hetkiseen tilanteeseen nähden käytännössä rajattoman lasertehon noston ja sen viemisen työpisteeseen.
Kuvat 20 Kuva 1. Keksinnönmukainen diodipumppu osana VHVSS-laserjärjesteimää . . (vaiheistettu hajautettu vahvistettu suorasuuntaus-laserjärjestelmä) ja • · · kuva 2. esittää piirikorttia.
·· • * • ·· ··· • · ♦ » • ♦ ·.: * Keksinnön yksityiskohtainen kuvaus ··· • · • · 25 Keksintö koskee diodipumppua, jossa diodipumpun osaksi on integroitu optinen laserpulssin säteenlaajentaja, jonka välityksellä lasersäde ohjataan eteenpäin.
*“·* Diodipumppu voi olla millainen tahansa lasersovellutuksissa käytettävä diodipumppu.
• · *···’ Diodipumppuun integroitu optinen laserpulssin säteenlaajentaja voi koostua yhdestä ·:··: tai useasta osasta.
• 30 Yhdessä keksinnön edullisessa suoritusmuodossa diodipumpun valopalkit ovat piitä ..*|* kovempaa ja laserpulssin tehoa paremmin kestävää materiaalia. Tällaisia valopalkkeja ovat primääri- ja sekudäärivalopalkit. Muita diodipumppuun mahdollisesti sijoitettavia 5 118937 valopalkkeja ei tule sulkea tämän keksinnön ulkopuolelle. Edullisia piitä kovempia valopalkin materiaaleja ovat esimerkiksi timantti, safiiri, rubiini, titaanisafiiri ja muut timantin yhdisteet.
Yksi tai useampi diodipumpun valopalkeista voi olla dopattu harvinaisella 5 maametallilla tai sen yhdisteellä. Yhdessä edullisessa keksinnön suoritusmuodossa tämä dopattu valopalkki on sekundäärivalopalkki. Käytettäväksi sopivia harvinaisia maametalleja ovat esimerkiksi ytrium, erbium, neodynium, ytterbium, thulium tai näiden seokset.
Keksinnön eräässä toisessa edullisessa suoritusmuodossa yksi tai useampi 10 diodipumpun valopalkeista on piitä. Tällainen valopalkki voi olla dopattu harvinaisella maametallilla tai sen yhdisteellä. Edullisesti dopattu valopalkki on sekundäärivalopalkki.
Valopalkkien geometrinen muoto voi olla pyöreä. Koska lasersädettä ei enää ohjata diodipumpun valopallosta kuituun, ei kuidun muoto enää rajoita valopalkin 15 geometristä muotoa. Niinpä valopalkkien muoto voi olla myös jotain muuta kuin pyöreä. Keksinnön yhdessä edullisessa suoritusmuodossa valopalkki on neliön- tai suorakaiteen muotoinen. Valopalkkien halkaisija on ollut aikaisemmin riippuvainen diodipumppuun liitettävän kuidun halkaisijasta ja materiaalin tehonkestokyvystä. Nyt valopalkin halkaisijaa voidaan kasvattaa vapaasti. Samalla kasvaa myös valopalkin 20 laserpulssitehon kestokyky.
.V. Keksinnönmukainen diodipumppu voidaan varustaa integroiduilla diodeilla ja/tai • * ♦ irrallisilla tehodiodeilla. Koska kuidut ja kuituliittimet tai valopalkin materiaali eivät j;: 5 enää rajoita diodipumpun tehoa, voidaan integroitujen ja/tai irrallisten tehodiodien • · *((** määrää lisätä käytännössä rajattomasti halutunlaisen tehon aikaansaamiseksi.
• · ♦ · ··· • :*· 25 Yhdessä keksinnön edullisessa suoritusmuodossa esivahvistettu laserpulssi toimitetaan ··· · .*··. diodipumpun sisään primäärivalopalkin takaosaan. Eräässä toisessa keksinnön edullisessa suoritusmuodossa esivahvistettu laserpulssi toimitetaan t ^ sekundäärivalopalkin päähän.
* · * ·· * ·
Keksinnönmukaisen diodipumpun teho voi olla yli 100W. Se voi olla yli 1000 W tai 30 10 000 W. Se voi olla yhtä hyvin yli 100 000 W.
Keksinnönmukainen diodipumppu liitetään edullisesti osaksi laserlaitteistoa, jossa yksi tai useampi diodipumpattu lasersäde ohjataan suoraan diodipumppuun integroidun *··φ ; optisen säteenlaajentajan kautta skannerille ja siitä edelleen koijausoptiikan kautta työpisteeseen.
118937 6
Työpiste on edullisesti jotain höyrystettävää materiaalia, ja höyrystäminen tehdään edullisesti tyhjiössä. Skanneri on edullisesti turbiiniskanneri. Keksinnönmukainen diodipumppu on edullisesti osa tyhjiöhöyrystyslaitteistoa. Diodipumppu voidaan sijoittaa tyhjiöhöyrystyslaitteiston sisä- tai ulkopuolelle. Edelleen, diodipumppu 5 voidaan integroida osaksi tyhjiöhöyrystyslaitteen kuorirakennetta.
Keksinnönmukaista diodipumppua voidaan käyttää osana lämpötyöstölasereita, kuten mikro- tai nanosekunttilasereita. Keksinnön toisessa edullisessa suoritusmuodossa diodipumppua voidaan käyttää osana kylmtyöstölasereita, kuten piko-, femto- ja attosekunttilasereita. Näissä sovellutuksissa diodipumppujen määrä voitaan valita 10 yhdestä raj aitomaan.
Tämä keksintö koskee myös menetelmää diodipumpun valmistamiseksi, jossa menetelmässä diodipumpun osaksi integroidaan optinen laserpulssin laajentaja, jonka välityksellä lasersäde ohjataan eteenpäin.
Menetelmän määritelmät ovat samat kuin itse diodipumppua edellä käsittelevässä 15 osiossa.
Nyt tehty keksintö siis mahdollistaa uudenlaiset diodipumput ja niiden valmistamisen. Lasersädettä voidaan siirtää diodipumpulta eteenpäin ilman kuituja ja suurteholiittimiä ja lasersäde voidaan kehittää työpisteen äärellä. Kuitujen ja suurteholiittimien puuttuminen mahdollistavat uudenlaisten, kovempien ja suuria 20 lasersäteiden tehoja kestävien materiaalien käytön valopalkkien materiaaleina. ..... Valopalkin geometrinen rakenne ei rajoitu enää pyöreään vaan diodipumpuissa • · t voidaan käyttää myös neliön tai suorakaiteen muotoisia valopalkkeja. Tällöin j;: ; valopalkin valon vastaanottokyky on huomattavasti suurempi. Edelleen, kuidut eivät • · : " enää rajoita valopalkin halkaisijaa.
• · • · ·»· • ·'; 25 Nyt myös primääri- (25) ja sekundäärivalopulssin (27) muoto (kuva 1) voi olla mikä .*··. vaan, koska tuotettua lasersädettä ei johdeta mihinkään optiseen siirtokuituun.
Kuitujen kohdalla joudutaan käyttämään tarkkoja parametrejä, jotta lasersäde pysyisi muodossaan. Nämä rajoittavat oleellisesti kuitua pitkin siirrettävän pulssin tehoa.
* · * ··· :...i Uusi diodipumppu mahdollistaa laserpulssille minkä tahansa muodon ja mahdollistaa 30 jopa 100 MW (megawatin) pulssitehojen skannauksen, kun taas nykyisissä ..... siirtokuiduissa pulssitehon raj a on niinkin alhainen kuin 50 kW.
• *
Kuitujen ja suurteholiittimien poistaminen laskee diodipumppuja hyödyntävien ···· : lasereiden hintaa merkittävästi.
7 118937
Esimerkit Esimerkki 1
Keksinnönmukainen diodipumppu (23) on esitetty kuvassa 1, jossa se on asetettu 5 osaksi VHVSS-laserjärjestelmää (vaiheistettu hajautettu vahvistettu suorasuuntaus-laseijäijestelmä). Optinen laserpulssin säteenlaajentaja (28) on integroitu diodipumpun rakenteeseen, jolloin lasersäde (29) voidaan kohdistaa suoraan turbiiniskanneriin (30), mistä lasersäde (31) on ohjattu optisten fokusointilinssien (32) avulla fokuspisteeksi (33) aiftesaihion pintaan (34). Esivahvistettu laserpulssi (39) voidaan toimittaa sisään 10 joko primäärivalopalkin (25) takaosaan (38), mikäli sekundäärivalopalkki (27) jatkuu tähän asti, tai sitten suoraan sekundäärivalopalkin päähän (27). Sekundäärivalopalkkia kokonaisuudessaan kuvataan numeroilla (26) ja (27). Diodipumpussa käytettävät diodit on kuvattu numerolla (24), Kokonaisratkaisun kuiduttomuus mahdollistaa nyt sekä primäärivalopalkin että sekundäärivalopalkin halkaisijan ja geometrisen muodon 15 vapaan valinnan. Tämä mahdollistaa osaltaan taas diodipumpusta saatavan tehon kasvattamisen.
Kuvan mukaisessa diodipumpussa molemmat valopalkit tai vain toinen valopalkeista voi olla dopattu harvinaisella maametallilla. Yhdessä sovellutusmuodossa kumpikaan valopalkeista ei ole dopattu harvinaisella maametallilla.
20 Diodipumppu (23) voidaan sijoittaa elektronisen piirikortin (35) yhteyteen, missä voi \V olla prosessoreita (22) tai muita komponentteja. Lisäksi piirikortille tulee ainakin • · i.i j tarvittava virta (42), esimerkiksi 100V tasavirtaa, mitä on sitten muuntajan avulla muutettu sopivaksi. Lisäksi siihen saadaan ohjaustieto (40) ja tieto takaisin :***: keskusyksikölle sekä esivahvistettu laserpulssi (41).
• · • * · 25 Kuvassa 1 on lisäksi ohjaussignaalin portti diodipumpulle (36) ja portti • · *···* esivahvistetulle laserpulssille (37).
• • · · ··· • » • · ··· « • · • * «*· «*·· • « • · · • ·· • φ
Claims (48)
1. Diodipumppu (23), tunnettu siitä, että diodipumpun (23) osaksi on integroitu optinen laserpulssin (29) säteenlaajentaja (28), jonka välityksellä lasersäde (29) ohjataan eteenpäin diodipumpulta (23).
2. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27) innefattar ett material som är härdare än kisel och som motstär laserpulsens effekt bättre än kisel.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että diodipumpun (23) valopalkit (25, 26,27) ovat piitä kovempaa ja laserpulssin tehoa paremmin kuin pii kestävää materiaalia.
3. Diodpump (23) enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknad av att diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 27) innefattar diamant, safir, rubin eller titansafir.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että diodipumpun (23) valopalkit (25, 27) ovat timanttia, safiiria, rubiinia tai titaanisafiiria.
4. Diodpump (23) enligt patentkrav 1-3, kännetecknad av att en eller flera av diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27) dopats med en sällsynt jordmetall eller dess förening.
4. Patenttivaatimuksen 1-3 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että yksi tai useampi diodipumpun (23) valopalkeista (25, 26,27) on dopattu harvinaisella maametallilla tai sen yhdisteellä.
5. Diodpump (23) enligt patentkrav 4, kännetecknad av att den sällsynta jordmetallen i dess (23) ljusbalkar (25, 26, 27) är ytrium, erbium, neodynium, 15 ytterbium, thulium eller en legering av dessa.
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että harvinainen maametalli sen (23) valopalkeista (25, 26,27) on ytrium, erbium, 15 neodynium, ytterbium, thulium tai näiden seos.
6. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att kisel har använts som material i en eller flera av diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27).
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että yhden tai useamman diodipumpun (23) valopalkeista (25, 26,27) materiaalina on käytetty piitä. :V: 7. Patenttivaatimuksen 1 tai 6 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että : 20 yksi tai useampi diodipumpun (23) valopalkeista (25, 26,27) on dopattu harvinaisella ··· ♦ maametallilla tai sen yhdisteellä. ··· : 8. Minkä tahansa edellisen patenttivaatimuksen mukainen diodipumppu (23), • » : tunnettu siitä, että diodipumpun (23) valopalkit (25, 26,27) ovat pyöreitä. ··· • · • ·
7. Diodpump (23) enligt patentkrav 1 eller 6, kännetecknad av att en eller flera av : Y: diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27) dopats med en sällsynt jordmetall eller dess • 20 förening. • · · · • ·
8. Diodpump (23) enligt vilket som heist av föregäende patentkrav, kännetecknad av att diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27) är runda. • ♦ t • · · • · · · .···. 9. Diodpump (23) enligt patentkraven 1-7, kännetecknad av att en av diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27) har en kant och/eller en planyta. \v 25 10. Diodpump (23) enligt patentkrav 9, kännetecknad av att dess (23) ljusbalk (25, • · · 26, 27) har formen av en fyrkant eller rektangel. • · II. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att diodpumpen (23) är försedd med integrerade dioder (24). • · *
8 118937
9. Patenttivaatimusten 1-7 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että <v< 25 diodipumpun (23) valopalkit (25, 26,27) käsittävät erään jossa on kulma ja/tai M* tasopinta. • · • · • M
: 10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että sen (23) ,··/ valopalkin (25, 26,27) muoto on neliön- tai suorakaiteen muotoinen.
• · • · · : :*; 11. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että • · · 30 diodipumppu (23) on varustettu integroiduilla diodeilla (24). » » 9 118937
12. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att diodpumpen (23) är • · · *· 30 försedd med fristäende kraftdioder. 13 1 1 8937
12. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu, tunnettu siitä, että diodipumppu (23) on varustettu irrallisilla tehodiodeilla.
13. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att en förhandsförstärkt laserpuls förs in i diodpumpen (2) i den bakre delen (38) av primärljusbalken (25).
13. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että esivahvistettu laserpulssi toimitetaan diodipumpun (23) sisään primäärivalopalkin 5 (25) takaosaan (38).
14. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att en förhandsförstärkt laserpuls förs direkt till sekundärljusbalkens (26, 27) ände.
14. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että esivahvistettu laserpulssi toimitetaan suoraan sekundäärivalopalkin (26,27) päähän.
15. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att dess effekt överstiger
100 W.
15. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että sen teho on yli 100 W.
16. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att dess effekt överstiger 1000 W.
16. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että sen teho on yli 1000 W.
17. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att dess effekt överstiger 10 10 000 W.
17. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että sen teho on yli 10 000 W.
18. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att dess effekt överstiger 100 000 W.
18. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että sen 15 teho on yli 100 000 W.
19. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den är en del av en laserapparat, varvid en eller flera diodpumpade lasersträlar styrs direkt till en scanner 15 via en optisk strälexpanderare (28) integrerad i diodpumpen (23) och därifrän vidare via korrigeringsoptik till arbetsstationen.
19. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että se on osana laserlaitteistoa, jossa yksi tai useampi diodipumpattu lasersäde ohjataan suoraan diodipumppuun (23) integroidun optisen säteenlaajentajan (28) kautta · skannerille ja siitä korjausoptiikan kautta työpisteeseen. • · » · * ♦ ♦ * ·" ’ 20 20. Patenttivaatimuksen 19 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että \..t diodipumppu (23) on osa tyhjiöhöyrystyslaitteistoa. • * • t ·
20. Diodpump (23) enligt patentkrav 19, kännetecknad av att diodpumpen (23) är en del av en vakuumevaporeringsapparat. • · · • · ·
21. Diodpump (23) enligt patentkraven 19 och 20, kännetecknad av att diodpumpen • · · * 20 (23) är belägen inne i vakuumevaporeringsapparaten. • ·*
21. Patenttivaatimusten 19 ja 20 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että diodipumppu (23) on tyhjiöhöyrystyslaitteiston sisällä. . . 22. Patenttivaatimusten 19 ja 20 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että • · · *·]·' 25 diodipumppu (23) on tyhjiöhöyrystyslaitteiston ulkopuolella. • · • · • · · ,/ . 23. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että se on *ΐ.!: osa lämpötyöstölaseria, kuten mikro- tai nanosekunttilaseria. • · · ··· . !·. 24. Patenttivaatimuksen 1 mukainen diodipumppu (23), tunnettu siitä, että se on • · · osa kylmätyöstölaseria, kuten piko- femto- tai attosekunttilaseria. • ·« • · 30 10 1 1 8937
22. Diodpump (23) enligt patentkraven 19 och 20, kännetecknad av att diodpumpen I.:*: (23) är belägen utanför vakuumevaporeringsapparaten.
• ·· • · • · *** 23. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den utgör en del av en . . värmebearbetningslaser, säsom en mikro- eller nanosekundlaser. • · * • · · • ·
24. Diodpump (23) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den utgör en del av en #/ . kallbearbetningslaser, sasom en piko-, femto- eller attosekundlaser. • ·· • ·
25. Förfarande för att tillverka en diodpump (23), kännetecknad av att som en del av . *·. diodpumpen (23) integreras en optisk laserpulsexpanderare (28) för att styra ♦ · ♦ lasersträlen vidare frän diodpumpen (23). • ♦· • · 14 1 1 8937
25. Menetelmä diodipumpun (23) valmistamiseksi, tunnettu siitä, että diodipumpun (23) osaksi integroidaan optinen laserpulssin laajentaja (28) lasersäteen ohjaamiseksi eteenpäin diodipumpulta (23).
26. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att ett material som är härdare än kis el används som material i diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 27).
26. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumpun 5 (23) valopalkkien (25,27) materiaalina käytetään piitä kovempaa materiaalia.
27. Förfarande enligt patentkraven 25 eller 26, kännetecknad av att som material för diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27) används diamant, safir, rubin eller titansafir. 5 28. Förfarande enligt patentkraven 25-27, kännetecknad av att en eller flera av diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27) dopas med en sällsynt jordmetall eller dess förening.
27. Patenttivaatimuksen 25 tai 26 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumpun (23) valopalkkien (25, 26,27) materiaalina käytetään timanttia, safiiria, rubiinia tai titaanisafiiria.
28. Patenttivaatimuksien 25-27 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että yksi tai 10 useampi diodipumpun (23) valopalkeista (25, 26,27) dopataan harvinaisella maametallilla tai sen yhdisteellä.
29. Förfarande enligt patentkrav 28, kännetecknad av att den sällsynta jordmetallen är ytrium, erbium, neodynium, ytterbium, thulium eller en legering av dessa. 10 30. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att kisel används som material i diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27).
29. Patenttivaatimuksen 28 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että harvinainen maametalli on ytrium, erbium, neodynium, ytterbium, thulium tai näiden seos.
30. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä diodipumpun (23) 15 valopalkkien (25, 26,27) materiaalina käytetään piitä.
31. Förfarande enligt patentkraven 25-31, kännetecknad av att en eller flera av diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27) dopas med en sällsynt jordmetall eller dess förening. 15
32. Förfarande enligt patentkraven 25-31, kännetecknad av att diodpumpens (23) ljusbalkar (25, 26, 27) ges en rund form.
31. Patenttivaatimuksen 25 tai 30 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että yksi tai useampi diodipumpun (23) valopalkeista (25,26,27) dopataan harvinaisella maametallilla tai sen yhdisteellä. VV 32. Patenttivaatimusten 25-31 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että j#:’: 20 diodipumpun (23) valopalkeista (25, 26,27) tehdään pyöreitä. • · • ·
33. Förfarande enligt patentkrav 25-31, kännetecknad av att en (25, 26, 27) av diodpumpens (23) ljusbalkar utformas sä att den innefattar en vinkel och/eller en • · \v planyta. • · i t » • · » :1i 1 20 34. Förfarande enligt patentkrav 33, kännetecknad av att ljusbalkens (25, 26, 27) • ·· form är en fyrkant eller en rektangel. • » ·1·
33. Patenttivaatimusten 25-31 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että • · /*;* diodipumpun (23) valopalkeista eräs (25, 26,27) tehdään sellaiseksi muodoltaan että J»*· siinä on kulma ja/tai tasopinta. e · • · i*«
34. Patenttivaatimuksen 33 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että valopalkin 25 (25, 26,27) muoto on neliön tai suorakaiteen muotoinen. • · · ' • m »»·
35. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att diodpumpen (23) förses med integrerade kretsar.
. 36. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att diodpumpen (23) förses 25 med fristäende effektdioder. • · • · .·1 : 37. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att diodpumpens (23) • ·· konstruktion möjliggör sändning av en förhandsförstärkt laserpuls in i diodpumpen **:2 (23) tili bakre delen (38) av primärljusbalken (25, 26, 27). • » · • · · ··» · • · · ♦ ·» 2 • e 15 1 1 8937
35. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumppu (23) varustetaan integroiduilla piireillä * · • · · • · *·“’ 36. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumppu it:\: (23) varustetaan irrallisilla tehodiodeilla. • · • · · • 1« • · Π 118937
37. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumpun (23) rakenne mahdollistaa esivahvistetun laserpulssin toimittamisen diodipumpun (23) sisään primäärivalopalkin (25, 26,27) takaosaan (38).
38. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att diodpumpens (23) konstruktion möjliggör sändning av en förhandsförstärkt laserpuls tili änden av en sekundärljusbalk (26, 27).
38. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumpun 5 (23) rakenne mahdollistaa esivahvistetun laserpulssin toimittamisen sekundäärivalopalkin (26,27) päähän.
39. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att man erhäller en effekt över 5 100 W hos diodpumpen (23).
39. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumpun (23) tehoksi saadaan yli 100 W.
40. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att man erhäller en effekt över 1000 W hos diodpumpen (23).
40. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumpun 10 (23) tehoksi saadaan yli 1000 W.
41. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att man erhäller en effekt över 10 000 W hos diodpumpen (23). 10 42. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att man erhäller en effekt över 100 000 W hos diodpumpen (23).
41. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumpun (23) tehoksi saadaan yli 10 000 W.
42. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumpun (23) tehoksi saadaan yli 100 000W.
43. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att diodpumpen (23) kan installeras som en del av en laserapparat, varvid en eller flera diodpumpade lasersträlar styrs direkt tili en scanner via en optisk strälexpanderare (28) integrerad i 15 diodpumpen (23) och därifrän vidare via korrigeringsoptik tili arbetsstationen.
43. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumppu (23) voidaan asentaa osaksi laserlaitteistoa, jossa yksi tai useampi diodipumpattu lasersäde ohjataan suoraan diodipumppuun (23) integroidun optisen säteenlaajentajan (28) kautta skannerille ja siitä korjausoptiikan kautta työpisteeseen. :Y: 44. Patenttivaatimuksen 43 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että diodipumppu : 20 (23) voidaan asentaa osaksi tyhjiöhöyrystyslaitteistoa. m 9 9 9
45. Patenttivaatimusten 43 ja 44 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että • · ]··;* diodipumppu (23) voidaan asentaa tyhjiöhöyrystyslaitteen sisälle. • · · 9 9 9 99Λ 9 .***. 46. Patenttivaatimusten 43 ja 44 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että • · · diodipumppu (23) voidaan asentaa tyhjiöhöyrystyslaitteen ulkopuolelle. • · :*v 25 47. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ··· diodipumppua (23) voidaan käyttää lämpötyöstölaserin, kuten mikro- tai 9 .·. : nanosekunttilaserin osana. 9 99 9 9 999 *...: 48. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että : diodipumppua (23) voidaan käyttää kylmätyöstölaserin, kuten piko-, femto- tai 999 : 30 attosekunttilaserin osana. • ·« • « 12 1 1 8937 I. Diodpump (23), kännetecknad av att sorti en del av diodpumpen (23) har integrerats en optisk stralexpanderare (28) för en laserpuls (29), varvid lasersträlen (29) styrs vidare frän diodpumpen (23) via strälexpanderaren.
44. Förfarande enligt patentkrav 43, kännetecknad av att diodpumpen (23) kan installeras som en del av en vakuumevaporeringsapparat.
45. Förfarande enligt patentkrav 43 och 44, kännetecknad av att diodpumpen (23) v.: kan installeras inne i en vakuumevaporeringsapparat. • · I » · » · » y/ 1 2 20
46. Förfarande enligt patentkrav 43 och 44, kännetecknad av att diodpumpen (23) kan installeras utanför en vakuumevaporeringsapparat.
• · • · ··· : 47. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att diodpumpen (23) kan :3: användas som en del av en värmebearbetninglaser, säsom en mikro- eller ·»· nanosekundlaser. • ♦ v.· 25
48. Förfarande enligt patentkrav 25, kännetecknad av att diodpumpen (23) kan användas som en del av en kallbearbetningslaser, säsom en pikto-, femto- eller m attosekundlaser. φ · ··· • # • · • · · • 1 · ·«· · 2 • · · 3 •m • 9
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20050758A FI118937B (fi) | 2005-07-13 | 2005-07-15 | Diodipumppu |
PCT/FI2006/000250 WO2007006849A1 (en) | 2005-07-13 | 2006-07-13 | Diode pump |
EP06778480A EP1938143A4 (en) | 2005-07-13 | 2006-07-13 | DIODE PUMP |
US11/988,676 US20080317083A1 (en) | 2005-07-13 | 2006-07-13 | Diode Pump |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20050747 | 2005-07-13 | ||
FI20050747A FI119209B (fi) | 2005-07-13 | 2005-07-13 | Laserlaitteisto |
FI20050758A FI118937B (fi) | 2005-07-13 | 2005-07-15 | Diodipumppu |
FI20050758 | 2005-07-15 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI20050758A0 FI20050758A0 (fi) | 2005-07-15 |
FI20050758A FI20050758A (fi) | 2007-01-14 |
FI118937B true FI118937B (fi) | 2008-05-15 |
Family
ID=34809840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI20050758A FI118937B (fi) | 2005-07-13 | 2005-07-15 | Diodipumppu |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080317083A1 (fi) |
EP (1) | EP1938143A4 (fi) |
FI (1) | FI118937B (fi) |
WO (1) | WO2007006849A1 (fi) |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4149918A (en) * | 1977-07-28 | 1979-04-17 | Gateway Industries, Inc. | Method and apparatus for producing safety belts with reduced kerfs |
US4500771A (en) * | 1982-10-20 | 1985-02-19 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus and process for laser treating sheet material |
US4842354A (en) * | 1985-02-27 | 1989-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Rotary polygonal mirror and method of making the same |
US4942586A (en) * | 1989-04-25 | 1990-07-17 | Intelligent Surgical Lasers Inc. | High power diode pumped laser |
WO1991003888A1 (en) * | 1989-08-31 | 1991-03-21 | Australian Electro Optics Pty. Ltd. | Remote site optical transponder communication and tracking system using a laser aerial |
US5103457A (en) * | 1990-02-07 | 1992-04-07 | Lightwave Electronics Corporation | Elliptical mode cavities for solid-state lasers pumped by laser diodes |
US5204517A (en) * | 1991-12-24 | 1993-04-20 | Maxwell Laboratories, Inc. | Method and system for control of a material removal process using spectral emission discrimination |
US5515394A (en) * | 1993-05-28 | 1996-05-07 | Zhang; Tong | One dimensional beam expanding cavity for diode-pumped solid-state lasers |
US6373868B1 (en) * | 1993-05-28 | 2002-04-16 | Tong Zhang | Single-mode operation and frequency conversions for diode-pumped solid-state lasers |
US5636239A (en) * | 1995-05-15 | 1997-06-03 | Hughes Electronics | Solid state optically pumped laser head |
US6063455A (en) * | 1995-10-09 | 2000-05-16 | Institute For Advanced Engineering | Apparatus for manufacturing diamond film having a large area and method thereof |
US5822211A (en) * | 1996-11-13 | 1998-10-13 | International Business Machines Corporation | Laser texturing apparatus with dual laser paths having an independently adjusted parameter |
US6671305B2 (en) * | 1996-11-29 | 2003-12-30 | Corporation For Laser Optics Research | Solid state laser |
ES2313745T3 (es) * | 1997-03-19 | 2009-03-01 | Lucid, Inc. | Cirugia celular que utiliza microscopia confocal. |
US5936984A (en) * | 1997-05-21 | 1999-08-10 | Onxy Optics, Inc. | Laser rods with undoped, flanged end-caps for end-pumped laser applications |
US6055260A (en) * | 1997-12-19 | 2000-04-25 | Raytheon Company | Laser pump cavity apparatus with integral concentrator and method |
US6180912B1 (en) * | 1998-03-31 | 2001-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fan-out beams for repairing an open defect |
US6544865B1 (en) * | 1998-04-09 | 2003-04-08 | Pacific Solar Pty. Limited | Metal film interrupting process |
US6198069B1 (en) * | 1998-08-13 | 2001-03-06 | The Regents Of The University Of California | Laser beam temporal and spatial tailoring for laser shock processing |
US6700698B1 (en) * | 1999-07-06 | 2004-03-02 | Qinetiq Limited | Multi-pass optical amplifier |
US6834070B2 (en) * | 2000-03-16 | 2004-12-21 | The Regents Of The University Of California | Edge-facet pumped, multi-aperture, thin-disk laser geometry for very high average power output scaling |
US6388231B1 (en) * | 2000-06-15 | 2002-05-14 | Xerox Corporation | Systems and methods for controlling depths of a laser cut |
DE10045371B4 (de) * | 2000-09-14 | 2007-08-16 | Lisa Laser Products Ohg Fuhrberg & Teichmann | Laser mit einem Resonator, in dem ein Laserstab und ein Teleskop angeordnet sind |
US7157038B2 (en) * | 2000-09-20 | 2007-01-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors |
US6639177B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-10-28 | Gsi Lumonics Corporation | Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device |
US6788841B2 (en) * | 2002-01-16 | 2004-09-07 | Genvac Corporation | Diamond-like carbon heat sink for reflective optical switches and devices |
WO2003067721A2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-14 | Lambda Physik Ag | Solid-state diode pumped laser employing oscillator-amplifier |
US7397592B2 (en) * | 2003-04-21 | 2008-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing a thin film transistor |
US7049543B2 (en) * | 2003-11-07 | 2006-05-23 | The Regents Of The University Of California | Method of defining features on materials with a femtosecond laser |
US7376160B2 (en) * | 2003-11-24 | 2008-05-20 | Raytheon Company | Slab laser and method with improved and directionally homogenized beam quality |
-
2005
- 2005-07-15 FI FI20050758A patent/FI118937B/fi not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-07-13 WO PCT/FI2006/000250 patent/WO2007006849A1/en active Application Filing
- 2006-07-13 US US11/988,676 patent/US20080317083A1/en not_active Abandoned
- 2006-07-13 EP EP06778480A patent/EP1938143A4/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1938143A1 (en) | 2008-07-02 |
FI20050758A (fi) | 2007-01-14 |
US20080317083A1 (en) | 2008-12-25 |
FI20050758A0 (fi) | 2005-07-15 |
EP1938143A4 (en) | 2010-02-10 |
WO2007006849A1 (en) | 2007-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4335607B4 (de) | Lasersystem mit stabilem Resonator | |
US9722392B2 (en) | Laser systems and related methods | |
US20200086388A1 (en) | Additive Manufacturing System with Addressable Array of Lasers and Real Time Feedback Control of each Source | |
EP3295470B1 (en) | Electrodeless single cw laser driven xenon lamp | |
CN102043346B (zh) | 光源装置 | |
CN104604049A (zh) | 板条激光器和放大器以及其使用方法 | |
KR20100114455A (ko) | 레이저 구동 광원 | |
EP2502316B1 (en) | Method and laser device for generating pulsed high power laser light | |
CN102481665A (zh) | 采用具有至少5mm 的边缘厚度的ZnS 透镜的激光聚焦头和激光切割装置以及使用这样的聚焦头的方法 | |
WO2010145855A1 (en) | Monolithic, side pumped solid-state laser and method for operating the same | |
CN102798939A (zh) | 光纤保持件及光纤激光装置 | |
US10057973B2 (en) | Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp | |
US20080144164A1 (en) | Device for Generating Laser Impulses Amplified by Optical Fibres Provided with Photon Layers | |
EP3843978A1 (en) | Additive manufacturing system with addressable array of lasers and real time feedback control of each source | |
FI118937B (fi) | Diodipumppu | |
US20070133643A1 (en) | Effective excitation, optical energy extraction and beamlet stacking in a multi-channel radial array laser system | |
US10644476B2 (en) | Laser systems and related methods | |
CN102763290B (zh) | 盘形激光器 | |
EP4043143A1 (en) | Laser cutting method and laser cutting device | |
CN102484346A (zh) | 单片侧面泵浦的固态激光器及其应用 | |
EP3646417B1 (en) | Laser automotive lamp apparatus | |
JP2010205651A (ja) | プラズマ発生方法およびこのプラズマ発生方法を用いた極端紫外光光源装置 | |
US20040196883A1 (en) | Diode-pumped solid state laser system utilizing high power diode bars | |
Zhang et al. | Improvements of the laser system for RF-gun at SuperKEKB injector | |
FI119209B (fi) | Laserlaitteisto |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: EURO-AMERICAN DIAMOND LTD OY Free format text: EURO-AMERICAN DIAMOND LTD OY |
|
PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: PICODEON LTD OY Free format text: PICODEON LTD OY |
|
FG | Patent granted |
Ref document number: 118937 Country of ref document: FI |
|
MM | Patent lapsed |