JPH089261A - Ｃｃｄ型固体撮像素子 - Google Patents
Ｃｃｄ型固体撮像素子Info
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- JPH089261A JPH089261A JP6159515A JP15951594A JPH089261A JP H089261 A JPH089261 A JP H089261A JP 6159515 A JP6159515 A JP 6159515A JP 15951594 A JP15951594 A JP 15951594A JP H089261 A JPH089261 A JP H089261A
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２個の水平レジスタ１、２を有するＣＣＤ固
体撮像素子において、第１の水平レジスタ１の水平転送
方向及び水平レジスタ間転送方向の転送効率を高め、転
送残しをなくす。 【構成】 第１の水平レジスタ１のトランスファー部１
ｔとその水平転送先側のストレージ部１ｓからなる各ビ
ットを、水平（Ｈ）転送先側へ行くに従って不純物濃度
が４段階に、水平レジスタ間（Ｈ・Ｈ）転送先側へ行く
に従って３段階に低くなるように構成する。
体撮像素子において、第１の水平レジスタ１の水平転送
方向及び水平レジスタ間転送方向の転送効率を高め、転
送残しをなくす。 【構成】 第１の水平レジスタ１のトランスファー部１
ｔとその水平転送先側のストレージ部１ｓからなる各ビ
ットを、水平（Ｈ）転送先側へ行くに従って不純物濃度
が４段階に、水平レジスタ間（Ｈ・Ｈ）転送先側へ行く
に従って３段階に低くなるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ型固体撮像素
子、特に撮像領域と、第１の水平レジスタと、該第１の
水平レジスタの反撮像領域側に設けられたＨ・Ｈ間トラ
ンスファーゲートと、該Ｈ・Ｈ間トランスファーゲート
の反第１の水平レジスタ側に設けられた第２の水平レジ
スタを有するＣＣＤ固体撮像素子に関する。
子、特に撮像領域と、第１の水平レジスタと、該第１の
水平レジスタの反撮像領域側に設けられたＨ・Ｈ間トラ
ンスファーゲートと、該Ｈ・Ｈ間トランスファーゲート
の反第１の水平レジスタ側に設けられた第２の水平レジ
スタを有するＣＣＤ固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ型固体撮像素子として水平レジス
タを２固有し、各水平レジスタから信号電荷を同時に出
力するタイプのものが知られている（特開平５−７３４
３号公報、特開昭６３−２７４２７２号公報、特開昭５
７−１８１２７４号公報等）。水平レジスタを２個設け
るのは、例えばハイビジョン化対応等のために画素数が
増えたため水平レジスタが一個では水平方向のビット配
置ピッチが微小過ぎて、半導体領域、転送電極等の形成
が困難なことからそのピッチの微細さを緩和するためで
ある。
タを２固有し、各水平レジスタから信号電荷を同時に出
力するタイプのものが知られている（特開平５−７３４
３号公報、特開昭６３−２７４２７２号公報、特開昭５
７−１８１２７４号公報等）。水平レジスタを２個設け
るのは、例えばハイビジョン化対応等のために画素数が
増えたため水平レジスタが一個では水平方向のビット配
置ピッチが微小過ぎて、半導体領域、転送電極等の形成
が困難なことからそのピッチの微細さを緩和するためで
ある。
【０００３】図３（Ａ）、（Ｂ）はそのようなＣＣＤ型
固体撮像素子を示すもので、（Ａ）はＣＣＤ型固体撮像
素子の概念図、（Ｂ）は水平転送部の一つの構造例を示
す平面図である。図面において、１は第１の水平レジス
タ、２は第２の水平レジスタ、３は撮像領域で、マトリ
ックス状に配設された受光素子群と、受光素子の各垂直
列に対応して設けられた垂直レジスタからなる。尚、本
発明の本質は受光素子、垂直レジスタに存在する訳では
ないのでその図示、説明は省略する。４はＶ・Ｈトラン
スファーゲートで、各垂直レジスタからの信号電荷を水
平転送部へ転送する役割を果たす。５は上記二つの水平
レジスタ１・２間に設けられたＨ・Ｈトランスファーゲ
ートで、第１の水平レジスタ１に転送されてきた信号電
荷を第２の水平レジスタ２に転送する役割を果たす。
６、６、・・・はチャンネルストッパ、７、７、・・・
は水平レジスタの転送電極である。
固体撮像素子を示すもので、（Ａ）はＣＣＤ型固体撮像
素子の概念図、（Ｂ）は水平転送部の一つの構造例を示
す平面図である。図面において、１は第１の水平レジス
タ、２は第２の水平レジスタ、３は撮像領域で、マトリ
ックス状に配設された受光素子群と、受光素子の各垂直
列に対応して設けられた垂直レジスタからなる。尚、本
発明の本質は受光素子、垂直レジスタに存在する訳では
ないのでその図示、説明は省略する。４はＶ・Ｈトラン
スファーゲートで、各垂直レジスタからの信号電荷を水
平転送部へ転送する役割を果たす。５は上記二つの水平
レジスタ１・２間に設けられたＨ・Ｈトランスファーゲ
ートで、第１の水平レジスタ１に転送されてきた信号電
荷を第２の水平レジスタ２に転送する役割を果たす。
６、６、・・・はチャンネルストッパ、７、７、・・・
は水平レジスタの転送電極である。
【０００４】このようなタイプの固体撮像素子におい
て、水平転送部は本来の水平転送（Ｈ転送）とトランス
ファーゲート５による第１の水平レジスタ・第２の水平
レジスタ間の転送、即ち水平レジスタ間転送（Ｈ・Ｈ転
送）を行わなければならない。図中において、●はＨ・
Ｈ転送されるエレクトロンによる信号電荷を、○はＨ転
送される同じくエレクトロンによる信号電荷を示す。図
４（Ａ）、（Ｂ）は水平転送部の一つの従来例を示すも
ので、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、（Ｂ）は第１
の水平レジスタの１ビット分を示す。１ｔはトランスフ
ァー部を、１ｓはストレージ部を示し、トランスファー
部１ｔはある不純物濃度のＰ型半導体領域Ｃからなる。
ストレージ部１ｓは領域Ｃよりも不純物濃度の低いＰ型
半導体領域Ｂと、それよりさらに不純物濃度の低いＰ型
半導体領域Ａからなる。具体的には、同じゲート電圧に
対するポテンシャルが領域Ａが０Ｖだと領域Ｂが例えば
−１Ｖ、領域Ｃが例えば−３Ｖになるように各領域Ａ、
Ｂ、Ｃの不純物濃度が設定されている。
て、水平転送部は本来の水平転送（Ｈ転送）とトランス
ファーゲート５による第１の水平レジスタ・第２の水平
レジスタ間の転送、即ち水平レジスタ間転送（Ｈ・Ｈ転
送）を行わなければならない。図中において、●はＨ・
Ｈ転送されるエレクトロンによる信号電荷を、○はＨ転
送される同じくエレクトロンによる信号電荷を示す。図
４（Ａ）、（Ｂ）は水平転送部の一つの従来例を示すも
ので、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、（Ｂ）は第１
の水平レジスタの１ビット分を示す。１ｔはトランスフ
ァー部を、１ｓはストレージ部を示し、トランスファー
部１ｔはある不純物濃度のＰ型半導体領域Ｃからなる。
ストレージ部１ｓは領域Ｃよりも不純物濃度の低いＰ型
半導体領域Ｂと、それよりさらに不純物濃度の低いＰ型
半導体領域Ａからなる。具体的には、同じゲート電圧に
対するポテンシャルが領域Ａが０Ｖだと領域Ｂが例えば
−１Ｖ、領域Ｃが例えば−３Ｖになるように各領域Ａ、
Ｂ、Ｃの不純物濃度が設定されている。
【０００５】領域Ａは領域ＢのＨ・Ｈ転送先側にあり、
その領域Ａ・Ｂ間の境界は、水平方向よりも例えば約４
５度程度反時計回り方向に回転した斜めの向きに形成さ
れている。Ｈ転送方向及びＨ・Ｈ転送方向の双方にバラ
ンスよく転送し易くするためである。このような第１の
水平レジスタ１は、結局Ｈ転送方向においても、ストレ
ージ部１ｓにおけるＨ・Ｈ間転送方向においても２段階
で不純物濃度が低くなっている。従って、第１の水平レ
ジスタ１におけるポテンシャルは、図５（Ａ）、（Ｂ）
に示すように、２段階で変化する段差を持ったプロフィ
ールになる。図５（Ａ）はＨ転送方向におけるポテンシ
ャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ・Ｈ転送方向のポテン
シャルプロフィールを示す。
その領域Ａ・Ｂ間の境界は、水平方向よりも例えば約４
５度程度反時計回り方向に回転した斜めの向きに形成さ
れている。Ｈ転送方向及びＨ・Ｈ転送方向の双方にバラ
ンスよく転送し易くするためである。このような第１の
水平レジスタ１は、結局Ｈ転送方向においても、ストレ
ージ部１ｓにおけるＨ・Ｈ間転送方向においても２段階
で不純物濃度が低くなっている。従って、第１の水平レ
ジスタ１におけるポテンシャルは、図５（Ａ）、（Ｂ）
に示すように、２段階で変化する段差を持ったプロフィ
ールになる。図５（Ａ）はＨ転送方向におけるポテンシ
ャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ・Ｈ転送方向のポテン
シャルプロフィールを示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
ＣＣＤ型固体撮像素子によれば、図５に示すように、第
２の水平レジスタ２の各ビットのポテンシャルは、水平
転送方向においても、垂直転送方向においても２段階に
変化しているに過ぎず、ポテンシャルプロフイールに滑
らかさがない。従って、充分な転送電界を得ることが難
しい。そのため、転送残しが生じ易いという問題があっ
た。尤も、Ｈ・Ｈ間転送方向に限って言えば、第１の水
平レジスタ１のＨ・Ｈ間転送方向における寸法（設計
値）を小さくすることによって転送電界を高めることが
できるといえる。しかし、その場合、必然的に、第１の
水平レジスタ１の面積が狭まり、延いては水平レジスタ
の取扱い電荷量の減少、固体撮像素子自身のダイナミッ
クレンジの減少を招くので、それは許されない。
ＣＣＤ型固体撮像素子によれば、図５に示すように、第
２の水平レジスタ２の各ビットのポテンシャルは、水平
転送方向においても、垂直転送方向においても２段階に
変化しているに過ぎず、ポテンシャルプロフイールに滑
らかさがない。従って、充分な転送電界を得ることが難
しい。そのため、転送残しが生じ易いという問題があっ
た。尤も、Ｈ・Ｈ間転送方向に限って言えば、第１の水
平レジスタ１のＨ・Ｈ間転送方向における寸法（設計
値）を小さくすることによって転送電界を高めることが
できるといえる。しかし、その場合、必然的に、第１の
水平レジスタ１の面積が狭まり、延いては水平レジスタ
の取扱い電荷量の減少、固体撮像素子自身のダイナミッ
クレンジの減少を招くので、それは許されない。
【０００７】本発明はそのような問題点を解決すべく為
されたもので、二個の水平レジスタを有するＣＣＤ固体
撮像素子において、第１の水平レジスタの水平転送方向
及び水平レジスタ間転送方向の転送効率を高め、転送残
しが生じるおそれをなくすことを目的とする。
されたもので、二個の水平レジスタを有するＣＣＤ固体
撮像素子において、第１の水平レジスタの水平転送方向
及び水平レジスタ間転送方向の転送効率を高め、転送残
しが生じるおそれをなくすことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明ＣＣＤ型固体撮像
素子は、第１の水平レジスタのトランスファー部とその
水平転送先側のストレージ部からなる各ビットを、Ｈ転
送先側へ行くに従って不純物濃度が３ないし４段階に、
Ｈ・Ｈ転送先側へ行くに従って３段階に低くなるように
したことを特徴とする。
素子は、第１の水平レジスタのトランスファー部とその
水平転送先側のストレージ部からなる各ビットを、Ｈ転
送先側へ行くに従って不純物濃度が３ないし４段階に、
Ｈ・Ｈ転送先側へ行くに従って３段階に低くなるように
したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明ＣＣＤ型固体撮像素子によれば、第１の
水平レジスタの各ビットの不純物濃度が、Ｈ転送先側へ
行くに従って３又は４段階に、Ｈ・Ｈ間転送先側へ行く
に従って３段階に低くなっているので、ポテンシャルも
Ｈ転送先側へは３又は４段階に、Ｈ・Ｈ転送方向へは３
段階に変化しており、段差数が従来よりも増え、ポテン
ションプロフィールが滑らかになる。従って、その分同
じ駆動電圧を用いた場合における転送電界を従来よりも
高くすることができる。従って、従来よりも転送効率を
高め、転送残しを防止することができる。
水平レジスタの各ビットの不純物濃度が、Ｈ転送先側へ
行くに従って３又は４段階に、Ｈ・Ｈ間転送先側へ行く
に従って３段階に低くなっているので、ポテンシャルも
Ｈ転送先側へは３又は４段階に、Ｈ・Ｈ転送方向へは３
段階に変化しており、段差数が従来よりも増え、ポテン
ションプロフィールが滑らかになる。従って、その分同
じ駆動電圧を用いた場合における転送電界を従来よりも
高くすることができる。従って、従来よりも転送効率を
高め、転送残しを防止することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明ＣＣＤ型固体撮像素子を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明ＣＣＤ型固体撮像素子の一つの実施例を示すもの
で、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、（Ｂ）は第１の
水平レジスタの１ビット分を示す。本ＣＣＤ型固体撮像
素子は、図４に示した従来のＣＣＤ型固体撮像素子と
は、第１の水平レジスタのトランスファー部とその水平
転送先側のストレージ部からなる各ビットの不純物濃度
が、Ｈ転送先側へ行くに従って４段階に、Ｈ・Ｈ転送先
側へ行くに従って３段階に高くなっているという点で大
きく相違するが、それ以外の点では共通し、その共通点
については既に説明済みであるので、その説明は省略し
相違する点についてのみ説明することとする。また、全
図を通して共通する部分には共通の符号を付した。
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明ＣＣＤ型固体撮像素子の一つの実施例を示すもの
で、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、（Ｂ）は第１の
水平レジスタの１ビット分を示す。本ＣＣＤ型固体撮像
素子は、図４に示した従来のＣＣＤ型固体撮像素子と
は、第１の水平レジスタのトランスファー部とその水平
転送先側のストレージ部からなる各ビットの不純物濃度
が、Ｈ転送先側へ行くに従って４段階に、Ｈ・Ｈ転送先
側へ行くに従って３段階に高くなっているという点で大
きく相違するが、それ以外の点では共通し、その共通点
については既に説明済みであるので、その説明は省略し
相違する点についてのみ説明することとする。また、全
図を通して共通する部分には共通の符号を付した。
【００１１】図１（Ｂ）に示すように、トランスファー
部１ｔはある不純物濃度の半導体領域Ｅと、この領域Ｅ
よりも不純物濃度のやや低いＰ型半導体領域Ｄからな
る。そして、ストレージ部１ｓは領域Ｄよりも不純物濃
度のやや低いＰ型半導体領域Ｃと、それより不純物濃度
のやや低いＰ型半導体領域Ｂと、それよりさらに不純物
濃度のやや低いＰ型半導体領域Ａからなる。このよう
に、第１の水平レジスタ１の各ビットは、領域Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ｅの順で不純物濃度が高くなっており、各ビッ
トのＨ・Ｈ転送先側寄りの部分においてＨ転送方向に沿
っては４段階に不純物濃度が変化している。また、各ビ
ットのストレージ部１ｔは、Ｈ・Ｈ間転送方向において
３段階に不純物濃度が変化している。尚、領域Ｅ・Ｄ間
の境界、Ｃ・Ｂ間の境界、Ｂ・Ａ間の境界は、Ｈ転送方
向とＨ・Ｈ転送方向の双方においてバランスよく転送し
易くするために、少なくとも部分的に、水平方向よりも
例えば約４５度程度反時計回り方向に回転した斜めの向
きに形成されている。
部１ｔはある不純物濃度の半導体領域Ｅと、この領域Ｅ
よりも不純物濃度のやや低いＰ型半導体領域Ｄからな
る。そして、ストレージ部１ｓは領域Ｄよりも不純物濃
度のやや低いＰ型半導体領域Ｃと、それより不純物濃度
のやや低いＰ型半導体領域Ｂと、それよりさらに不純物
濃度のやや低いＰ型半導体領域Ａからなる。このよう
に、第１の水平レジスタ１の各ビットは、領域Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ｅの順で不純物濃度が高くなっており、各ビッ
トのＨ・Ｈ転送先側寄りの部分においてＨ転送方向に沿
っては４段階に不純物濃度が変化している。また、各ビ
ットのストレージ部１ｔは、Ｈ・Ｈ間転送方向において
３段階に不純物濃度が変化している。尚、領域Ｅ・Ｄ間
の境界、Ｃ・Ｂ間の境界、Ｂ・Ａ間の境界は、Ｈ転送方
向とＨ・Ｈ転送方向の双方においてバランスよく転送し
易くするために、少なくとも部分的に、水平方向よりも
例えば約４５度程度反時計回り方向に回転した斜めの向
きに形成されている。
【００１２】本実施例の第１の水平レジスタ１における
ポテンシャルは、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すような段差
を持ったプロフィールになる。図２（Ａ）はＨ転送方向
におけるポテンシャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ・Ｈ
転送方向のポテンシャルプロフィールを示す。図５に示
すように、第１の水平レジスタ１の各ビットのポテンシ
ャルは、水平転送方向においては４段階にも、水平レジ
スタ間転送方向においても３段階に変化しており、図４
に示す従来のＣＣＤ型固体撮像素子に比較してポテンシ
ャル段差に滑らかさがあり、同じ駆動電圧（ゲート電
圧）を用いた場合における転送電界を従来よりも高くす
ることができる。従って、従来よりも転送効率を高める
ことができる。尚、図１に示す実施例において、領域Ｄ
を設けず、従って、Ｈ転送方向において不純物濃度が３
段階で変化するようなプロフィールにした態様でも本発
明を実施することができる。この場合、Ｈ方向のポテン
シャルは３段階で変化するプロフィールになることはい
うまでもない。
ポテンシャルは、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すような段差
を持ったプロフィールになる。図２（Ａ）はＨ転送方向
におけるポテンシャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ・Ｈ
転送方向のポテンシャルプロフィールを示す。図５に示
すように、第１の水平レジスタ１の各ビットのポテンシ
ャルは、水平転送方向においては４段階にも、水平レジ
スタ間転送方向においても３段階に変化しており、図４
に示す従来のＣＣＤ型固体撮像素子に比較してポテンシ
ャル段差に滑らかさがあり、同じ駆動電圧（ゲート電
圧）を用いた場合における転送電界を従来よりも高くす
ることができる。従って、従来よりも転送効率を高める
ことができる。尚、図１に示す実施例において、領域Ｄ
を設けず、従って、Ｈ転送方向において不純物濃度が３
段階で変化するようなプロフィールにした態様でも本発
明を実施することができる。この場合、Ｈ方向のポテン
シャルは３段階で変化するプロフィールになることはい
うまでもない。
【００１３】
【発明の効果】本発明ＣＣＤ型固体撮像素子は、第１の
水平レジスタのトランスファー部とその水平転送先側の
ストレージ部からなる各ビットの不純物濃度が、Ｈ転送
先側へ行くに従って３又は４段階に、Ｈ・Ｈ転送先側へ
行くに従って３段階に低くなるようにされたことを特徴
とするものである。従って、本発明ＣＣＤ型固体撮像素
子によれば、第１の水平レジスタの各ビットの不純物濃
度が、Ｈ転送先側へ行くに従って３又は４段階に、Ｈ・
Ｈ転送先側へ行くに従って３段階に低くなっているの
で、ポテンシャルもＨ転送先側へは３又は４段階に、Ｈ
・Ｈ転送方向へは３段階に変化し、段差数が従来よりも
増え、ポテンシャルプロフィールが滑らかになる。従っ
て、同じ駆動電圧を用いた場合における転送電界を従来
よりも高くすることができ、従来よりも転送効率を高
め、転送残しをなくすことができる。
水平レジスタのトランスファー部とその水平転送先側の
ストレージ部からなる各ビットの不純物濃度が、Ｈ転送
先側へ行くに従って３又は４段階に、Ｈ・Ｈ転送先側へ
行くに従って３段階に低くなるようにされたことを特徴
とするものである。従って、本発明ＣＣＤ型固体撮像素
子によれば、第１の水平レジスタの各ビットの不純物濃
度が、Ｈ転送先側へ行くに従って３又は４段階に、Ｈ・
Ｈ転送先側へ行くに従って３段階に低くなっているの
で、ポテンシャルもＨ転送先側へは３又は４段階に、Ｈ
・Ｈ転送方向へは３段階に変化し、段差数が従来よりも
増え、ポテンシャルプロフィールが滑らかになる。従っ
て、同じ駆動電圧を用いた場合における転送電界を従来
よりも高くすることができ、従来よりも転送効率を高
め、転送残しをなくすことができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明ＣＣＤ型固体撮像素子
の一つの実施例を示す平面図で、（Ａ）は水平転送部を
全体的に示し、（Ｂ）は第１の水平レジスタの１ビット
分を示す。
の一つの実施例を示す平面図で、（Ａ）は水平転送部を
全体的に示し、（Ｂ）は第１の水平レジスタの１ビット
分を示す。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は上記実施例の第１の水平レジ
スタのポテンシャルプロフィール図で、（Ａ）は水平転
送（Ｈ転送）方向におけるポテンシャルプロフィール
を、（Ｂ）は水平レジスタ間転送（Ｈ・Ｈ転送）方向の
ポテンシャルプロフィールを示す。
スタのポテンシャルプロフィール図で、（Ａ）は水平転
送（Ｈ転送）方向におけるポテンシャルプロフィール
を、（Ｂ）は水平レジスタ間転送（Ｈ・Ｈ転送）方向の
ポテンシャルプロフィールを示す。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）は水平レジスタを二つ備え
たＣＣＤ型固体撮像素子を示すもので、（Ａ）はＣＣＤ
型固体撮像素子の概念図、（Ｂ）は水平転送部の一つの
構造例を示す平面図である。
たＣＣＤ型固体撮像素子を示すもので、（Ａ）はＣＣＤ
型固体撮像素子の概念図、（Ｂ）は水平転送部の一つの
構造例を示す平面図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）は水平転送部の一つの従来
例を示すもので、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、
（Ｂ）は第１の水平レジスタの１ビット分を示す。
例を示すもので、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、
（Ｂ）は第１の水平レジスタの１ビット分を示す。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は上記従来例の第１の水平レジ
スタのポテンシャルプロフィール図で、（Ａ）はＨ転送
方向におけるポテンシャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ
・Ｈ転送方向のポテンシャルプロフィールを示す。
スタのポテンシャルプロフィール図で、（Ａ）はＨ転送
方向におけるポテンシャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ
・Ｈ転送方向のポテンシャルプロフィールを示す。
１ 第１の水平レジスタ ２ 第２の水平レジスタ ５ Ｈ・Ｈトランスファーゲート Ａ〜Ｅ 第１の水平レジスタの不純物濃度の異なる各領
域
域
Claims (1)
- 【請求項１】 マトリックス状に配置された受光素子群
及び該受光素子群の各垂直列に対応して設けられ受光素
子からの信号電荷を垂直方向に転送する垂直レジスタ群
からなる撮像領域と、該撮像領域の垂直転送先側に設け
られ該撮像領域からの信号電荷を水平方向に転送する第
１の水平レジスタと、該第１の水平レジスタの反撮像領
域側に設けられたＨ・Ｈ間トランスファーゲートと、該
Ｈ・Ｈ間トランスファーゲートの反第１の水平レジスタ
側に設けられた第２の水平レジスタを有するＣＣＤ固体
撮像素子において、 上記第１の水平レジスタのトランスファー部とその水平
転送先側のストレージ部からなる各ビットの不純物濃度
が、水平転送先側へ行くに従って３又は４段階に、水平
レジスタ間転送先側へ行くに従って３段階に低くなるよ
うにされたことを特徴とするＣＣＤ型固体撮像素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15951594A JP3413732B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15951594A JP3413732B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH089261A true JPH089261A (ja) | 1996-01-12 |
| JP3413732B2 JP3413732B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=15695461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15951594A Expired - Fee Related JP3413732B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3413732B2 (ja) |
-
1994
- 1994-06-17 JP JP15951594A patent/JP3413732B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3413732B2 (ja) | 2003-06-09 |
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